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技術 弾性波デバイスおよび通信装置

出願人 京セラ株式会社
発明者 伊藤幹
出願日 2018年9月11日 (2年5ヶ月経過) 出願番号 2019-542063
公開日 2020年10月22日 (4ヶ月経過) 公開番号 WO2019-054364
状態 未査定
技術分野 弾性表面波素子とその回路網 半導体または固体装置の組立体 半導体又は固体装置の封緘,被覆構造と材料
主要キーワード 温度補償効果 ストリップ電極 付加膜 通過帯 各櫛歯電極 ダブルモード コンプレッションモールド法 受信情報信号
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図面 (10)

課題・解決手段

SAWデバイスは、実装面を有している実装基板と、実装面に実装されているSAWチップと、実装面に実装されているダミーチップと、SAWチップおよびダミーチップを覆っている樹脂部と、を有している。ダミーチップは、絶縁性ダミー基板と、ダミー基板の実装面側の表面上に位置しており、実装面に接合されている1以上のダミー端子と、を有している。ダミーチップは、実装基板側から電気的に見て開放端を構成している。

概要

背景

圧電基板と、当該圧電基板上に位置する励振電極とを有しており、励振電極によって圧電基板に電圧印加することによって圧電基板を伝搬する弾性波励振する弾性波チップが知られている。また、このような弾性波チップと、当該弾性波チップが実装された実装基板と、弾性波チップを覆う(封止する)樹脂部とを有している弾性波デバイスも知られている(例えば特許文献1)。特許文献1では、1つの実装基板に2つの弾性波チップを実装し、2つの弾性波チップを共に樹脂封止している。

概要

SAWデバイスは、実装面を有している実装基板と、実装面に実装されているSAWチップと、実装面に実装されているダミーチップと、SAWチップおよびダミーチップを覆っている樹脂部と、を有している。ダミーチップは、絶縁性ダミー基板と、ダミー基板の実装面側の表面上に位置しており、実装面に接合されている1以上のダミー端子と、を有している。ダミーチップは、実装基板側から電気的に見て開放端を構成している。

目的

効果

実績

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牽制数
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請求項1

実装面を有している実装基板と、前記実装面に実装されている弾性波チップと、前記実装面に実装されているダミーチップと、前記弾性波チップおよび前記ダミーチップを覆っている樹脂部と、を有しており、前記ダミーチップは、絶縁性ダミー基板と、前記ダミー基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている1以上のダミー端子と、を有しており、前記ダミーチップは、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成している弾性波デバイス

請求項2

前記ダミーチップは、導体として前記1以上のダミー端子のみを有している請求項1に記載の弾性波デバイス。

請求項3

前記ダミーチップは、前記ダミー基板の表面上に位置しており、前記1以上のダミー端子の少なくとも1つに接続されているベタパターンを有している請求項1に記載の弾性波デバイス。

請求項4

前記弾性波チップと前記1以上のダミー端子のうちの少なくとも1つとが前記実装基板を介して導通されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。

請求項5

前記弾性波チップは、信号が入力される入力端子と、信号を出力する出力端子と、基準電位が付与される基準電位端子と、を有しており、前記入端子は、前記1以上のダミー端子のうちの少なくとも1つと前記実装基板を介して導通されている請求項4に記載の弾性波デバイス。

請求項6

前記ダミー基板の材料は、前記樹脂部の材料よりも熱膨張係数が低い請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。

請求項7

前記ダミーチップが前記弾性波チップよりも厚い請求項5に記載の弾性波デバイス。

請求項8

前記弾性波チップは、所定の伝搬方向に弾性波が伝搬する圧電基板を含み、前記ダミーチップは、前記伝搬方向に見て前記弾性波チップに重なっている請求項6または7に記載の弾性波デバイス。

請求項9

前記弾性波チップは、圧電基板と、前記圧電基板に貼り合わされた、前記圧電基板よりも熱膨張係数が低く、前記圧電基板よりも厚い支持基板と、前記圧電基板の前記支持基板とは反対側の表面上に位置しているIDT電極と、を有している請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。

請求項10

実装面を有している実装基板と、前記実装面に実装されている第1チップと、前記実装面に実装されている第2チップと、前記第1チップおよび前記第2チップを覆っている樹脂部と、を有しており、前記第1チップは、第1圧電基板と、前記第1圧電基板に貼り合わされた、前記第1圧電基板よりも熱膨張係数が低く、前記第1圧電基板よりも厚い支持基板と、前記第1圧電基板の前記支持基板とは反対側の表面上に位置している第1IDT電極と、を有しており、前記第1IDT電極側を前記実装面に向けて前記実装面に実装されており、前記第2チップは、前記第1圧電基板および前記支持基板の合計の厚さよりも厚い第2圧電基板を有しており、前記樹脂部の前記実装面とは反対側の天面は、前記第1チップ上および前記第2チップ上に亘って平坦である弾性波デバイス。

請求項11

前記第2チップは、前記第2圧電基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている1以上のダミー端子を有しており、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成している請求項10に記載の弾性波デバイス。

請求項12

前記第2チップは、前記第2圧電基板の前記実装面側の表面上に位置している第2IDT電極を有している請求項10に記載の弾性波デバイス。

請求項13

請求項1〜12のいずれか1項に記載の弾性波デバイスと、前記弾性波デバイスと接続されているアンテナと、前記弾性波デバイスと接続されているICと、を有している通信装置

技術分野

0001

本開示は、弾性波を利用する弾性波デバイスおよび当該弾性波デバイスを含む通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波SAW:Surface Acoustic Wave)である。

背景技術

0002

圧電基板と、当該圧電基板上に位置する励振電極とを有しており、励振電極によって圧電基板に電圧印加することによって圧電基板を伝搬する弾性波を励振する弾性波チップが知られている。また、このような弾性波チップと、当該弾性波チップが実装された実装基板と、弾性波チップを覆う(封止する)樹脂部とを有している弾性波デバイスも知られている(例えば特許文献1)。特許文献1では、1つの実装基板に2つの弾性波チップを実装し、2つの弾性波チップを共に樹脂封止している。

先行技術

0003

国際公開第2013/141184号

0004

本開示の一態様に係る弾性波デバイスは、実装面を有している実装基板と、前記実装面に実装されている弾性波チップと、前記実装面に実装されているダミーチップと、前記弾性波チップおよび前記ダミーチップを覆っている樹脂部と、を有している。前記ダミーチップは、絶縁性ダミー基板と、前記ダミー基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている1以上のダミー端子と、を有している。前記ダミーチップは、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成している。

0005

本開示の一態様に係る弾性波デバイスは、実装面を有している実装基板と、前記実装面に実装されている第1チップと、前記実装面に実装されている第2チップと、前記第1チップおよび前記第2チップを覆っている樹脂部と、を有している。前記第1チップは、第1圧電基板と、前記第1圧電基板に貼り合わされた支持基板と、前記第1圧電基板の前記支持基板とは反対側の表面上に位置している第1IDT(InterDigital Transducer)電極と、を有している。前記支持基板は、前記第1圧電基板よりも熱膨張係数が低く、前記第1圧電基板よりも厚い。前記第1チップは、前記第1IDT電極側を前記実装面に向けて前記実装面に実装されている。前記第2チップは、前記第1圧電基板および前記支持基板の合計の厚さよりも厚い第2圧電基板を有している。前記樹脂部の前記実装面とは反対側の天面は、前記第1チップ上および前記第2チップ上に亘って平坦である。

0006

本開示の一態様に係る通信装置は、上記の弾性波デバイスと、前記弾性波デバイスと接続されているアンテナと、前記弾性波デバイスと接続されているIC(IntegratedCircuit)と、を有している。

図面の簡単な説明

0007

図1(a)および図1(b)は第1実施形態に係るSAWデバイス外観を示す斜視図である。
図1(a)のII−II線における断面図である。
図1のSAWデバイスのSAWチップおよびダミーチップを模式的に示す平面図である。
第2実施形態に係るSAWデバイスの要部構成を示す模式的な平面図である。
第3実施形態に係るSAWデバイスの要部構成を示す模式的な断面図である。
図5のSAWデバイスの要部構成を示す模式的な平面図である。
図7(a)は第1変形例に係るSAWデバイスの要部構成を示す模式的な断面図であり、図7(b)は第2変形例に係るSAWデバイスの要部構成を示す模式的な断面図である。
図8(a)、図8(b)および図8(c)は第3、第4および第5変形例に係るSAWデバイスを説明するための模式図である。
SAWデバイスの利用例としての通信装置の要部構成を示すブロック図である。

実施例

0008

以下、図面を参照して本開示に係る実施形態について説明する。なお、以下の図面は、模式的なものである。従って、細部は省略されることがあり、また、寸法比率等は現実のものと必ずしも一致しない。また、複数の図面相互の寸法比率も必ずしも一致しない。

0009

図面には、便宜上、D1軸、D2軸およびD3軸からなる直交座標系を付すことがある。本開示に係る弾性波デバイスは、いずれの方向が上方または下方とされてもよい。ただし、便宜上、D3軸方向が上下方向であるかのような用語を用いることがある。

0010

第2実施形態以降において、既に説明された実施形態の構成と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態の構成に付した符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。なお、既に説明された実施形態の構成と対応(類似)する構成については、既に説明された実施形態の構成と異なる符号を付した場合においても、特に断りがない点は、既に説明された実施形態の構成と同様である。

0011

<第1実施形態>
(SAWデバイスの全体構成)
図1(a)は、第1実施形態に係るSAWデバイス1の外観を示す天面1a側から見た斜視図である。図1(b)は、SAWデバイス1の外観を示す底面1b側から見た斜視図である。

0012

SAWデバイス1は、例えば、概ね直方体状に形成されている。SAWデバイス1の大きさは適宜に設定されてよい。一例を挙げると、平面視における1辺の長さは1mm以上5mm以下であり、厚さは、0.3mm以上1mm以下である。SAWデバイス1の底面1bには、複数の外部端子3が露出している。

0013

SAWデバイス1は、例えば、不図示の回路基板に対して底面1bを対向させて配置され、回路基板に設けられたパッドと複数の外部端子3とがはんだ等からなるバンプを介して接合されることにより回路基板に実装される。そして、SAWデバイス1は、例えば、複数の外部端子3のいずれかを介して電気信号が入力され、入力された電気信号に所定の処理を施して複数の外部端子3のいずれかから出力する。

0014

図2は、図1(a)のII−II線における断面図である。

0015

図1(a)、図1(b)および図2に示すように、SAWデバイス1は、例えば、実装基板5と、実装基板5に実装されたSAWチップ7およびダミーチップ9と、SAWチップ7およびダミーチップ9を覆う(封止する)樹脂部11とを有している。SAWチップ7およびダミーチップ9は、例えば、バンプ16によって実装基板5に実装されている。

0016

(実装基板)
実装基板5は、例えば、SAWチップ7をパッケージングするパッケージ(符号省略)を樹脂部11とともに構成している。実装基板5の一方の主面は、電子素子(本実施形態ではSAWチップ7およびダミーチップ9)が実装される実装面5aとなっている。また、実装基板5は、他方の主面に上述の外部端子3を有している。

0017

なお、主面は、例えば、板状の部材の最も広い面を指す。すなわち、主面は、板状の部材の表面または裏面を指す。以下、同様である。

0018

実装基板5は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁性の基体13と、基体13の表面上または内部に設けられた導体とを有している。

0019

基体13は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。また、基体13は、例えば、樹脂、セラミック及び/又はアモルファス状態無機材料を含んで形成されている。基体13は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。

0020

実装基板5の導体は、例えば、既述の複数の外部端子3と、電子素子(7および9)を実装するための複数の実装パッド15と、複数の実装パッド15および複数の外部端子3を接続する複数の配線17とを含んでいる。これらの導体の材料は、Cu等の適宜な金属とされてよい。なお、特に図示しないが、実装基板5の導体は、キャパシタまたはインダクタ等の電子素子を構成していてもよいし、適宜な電子回路を構成していてもよい。

0021

外部端子3は、例えば、基体13のD3軸負側の主面に重なる層状導体によって構成されている。その平面形状および各種の寸法は適宜に設定されてよい。また、複数の外部端子3の数、位置及び役割は、SAWデバイス1内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。本実施形態では、4つの外部端子3が底面1bの4隅に設けられている場合を例示している。

0022

実装パッド15は、例えば、基体13のD3軸正側の主面に設けられた層状導体によって構成されている。その平面形状および各種の寸法は適宜に設定されてよい。SAWチップ7の実装のための実装パッド15およびダミーチップ9の実装のための実装パッド15は、材料、平面形状および/または各種の寸法が互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよく、例えば、互いに同一である。複数の実装パッド15の数、位置および役割は、基本的に、実装基板5に実装される電子素子(7および9)の端子の数、位置および役割に対応しており、これについては後述する。

0023

複数の配線17は、例えば、複数の実装パッド15と複数の外部端子3とを接続する複数の配線17Aを含んでいる。配線17Aは、例えば、基体13を厚み方向に貫通するビア導体(符号省略)を含み、また、必要に応じて、基体13の主面または内部に位置する、主面に平行な層状導体(符号省略)を含んでいる。ビア導体および層状導体の各種寸法は適宜に設定されてよい。複数の配線17は、複数の配線17Aの他、実装面5aに実装される電子素子(5、7)の構成に応じて、実装パッド15同士を接続する配線または外部端子3同士を接続する配線を有していてもよい。

0024

(SAWチップ)
SAWチップ7は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。また、SAWチップ7は、例えば、D3軸負側の主面7aに露出する複数のチップ端子19を有している。SAWチップ7は、例えば、実装基板5の実装面5aに対して主面7aを対向させて配置され、実装パッド15とチップ端子19とがバンプ16によって接合されることにより実装面5aに実装される。

0025

実装基板5の実装面5aとSAWチップ7の主面7aとは、例えば、実装パッド15、バンプ16およびチップ端子19の厚さの合計の厚さで互いに離間しており、両者の間には隙間が形成されている。後述する説明から理解されるように、本実施形態では、この隙間は、SAWの伝搬を容易化する振動空間31として利用される。

0026

そして、SAWチップ7は、例えば、複数のチップ端子19のいずれかを介して電気信号が入力され、入力された電気信号に所定の処理を施して複数のチップ端子19のいずれかから出力する。この際、SAWチップ7は、電気信号からSAWへの変換およびSAWから電気信号への変換を行う。

0027

SAWチップ7は、例えば、絶縁性のチップ基板21と、チップ基板21の表面に設けられた導体とを有している。

0028

(チップ基板)
チップ基板21は、例えば、概略、薄型の直方体状である。本実施形態では、SAWチップ7の外形は、チップ基板21の外形と略同一である。チップ基板21は、例えば、いわゆる貼り合わせ基板によって構成されている。すなわち、チップ基板21は、圧電基板23と、圧電基板23の一主面に貼り合わされた支持基板25とを有している。なお、圧電基板23の支持基板25とは反対側の主面23aは、本実施形態では、SAWチップ7の主面7aを構成している。

0029

圧電基板23は、例えば、圧電性を有する単結晶基板によって構成されている。単結晶基板は、例えば、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)または水晶(SiO2)からなる。カット角、平面形状および各種の寸法は適宜に設定されてよい。本実施形態では、圧電基板23は矩形である。

0030

支持基板25は、例えば、圧電基板23の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これにより、例えば、SAWチップ7の電気特性温度変化補償することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板25は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。支持基板25は、例えば、平面視において圧電基板23に一致する形状および寸法である。支持基板25の厚みは、例えば、圧電基板23の厚みよりも厚い。

0031

圧電基板23および支持基板25は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、SiO2が挙げられる。また、圧電基板23および支持基板25は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。

0032

(ダミーチップ)
ダミーチップ9は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。また、ダミーチップ9は、例えば、D3軸負側の主面に露出する複数のダミー端子27を有している。ダミーチップ9は、例えば、実装基板5の実装面5aに対して複数のダミー端子27が露出している主面を対向させて配置され、実装パッド15とダミー端子27とがバンプ16によって接合されることにより実装面5aに実装される。

0033

ダミーチップ9は、SAWチップ7と同様に実装面5aに実装されているから、両チップは実装面5a上において並んでいる。その並び方向は、適宜な方向とされてよい。なお、並び方向は、例えば、図示の例のようにSAWチップ7およびダミーチップ9が平面視で矩形とされ、互いに1辺同士を平行にして配置されている場合には、その1辺に直交する方向とされてよい。そのように特定できない場合は、並び方向は、平面視における各チップの図形重心同士を結ぶ線の方向とされてよい。

0034

本実施形態では、後述の説明から理解されるように、並び方向は、SAWチップ7におけるSAWの伝搬方向(D1軸方向)とされている。別の観点では、ダミーチップ9は、SAWの伝搬方向に見て、SAWチップ7に重なっている。このときの実装面5aに沿うとともに伝搬方向に直交する方向(D2軸方向)における重なり量は、例えば、SAWチップ7のD2軸方向における長さの半分以上、または2/3以上であり、図示の例では全体である。

0035

なお、SAWチップ7およびダミーチップ9の並び方向は、SAWの伝搬方向以外の方向(例えばSAWの伝搬方向に直交する方向)とされてもよい。別の観点では、ダミーチップ9は、SAWの伝搬方向に見て、SAWチップ7に重なっていなくてもよい。

0036

ダミーチップ9は、SAWチップ7に対して隣接している。すなわち、両者の間には他の電子素子が介在していない。ただし、他の電子素子が介在していても構わない。ダミーチップ9とSAWチップ7との距離は適宜に設定されてよい。例えば、両者の距離(互いに対向する側面が平行でない場合は例えば最短距離。以下、同様。)は、両者の並び方向および/またはSAWの伝搬方向(D1軸方向)におけるSAWチップ7の長さに対して、1/2以下、1/5以下または1/10以下である。または、両者の距離は、平面視におけるSAWチップ7と実装面5aの縁部との最短距離に対して、2倍以下または1倍以下である。

0037

なお、実装基板5に他の電子素子が実装されており、当該他の電子素子が平面視においてダミーチップ9とSAWチップ7との間に介在していない場合、ダミーチップ9とSAWチップ7との距離は、当該他の電子素子とSAWチップ7との距離よりも短くてもよいし、同等でもよいし、長くてもよく、例えば、短い。

0038

ダミーチップ9の厚さは、SAWチップ7の厚さよりも薄くてもよいし、同等でもよいし、厚くてもよく、図示の例では、厚い。図示の例のようにダミーチップ9の厚さがSAWチップ7の厚さよりも厚い場合において、その程度は適宜に設定されてよい。例えば、ダミーチップ9の厚さは、SAWチップ7の厚さの1.1倍以上または1.3倍以上である。また、例えば、ダミーチップ9がSAWチップ7よりも厚い場合の厚さの差は、SAWチップ7の厚さ以下である。

0039

上記に関連して、実装基板5の実装面5aからダミーチップ9のD3軸正側の表面(実装面5aとは反対側の表面)までの高さは、実装面5aからSAWチップ7のD3軸正側の表面までの高さよりも低くてもよいし、同等でもよいし、高くてもよく、図示の例では、高い。図示の例のようにダミーチップ9がSAWチップ7よりも高い場合において、その程度は適宜に設定されてよい。例えば、ダミーチップ9の高さは、SAWチップ7の高さの1.1倍以上または1.3倍以上である。また、例えば、ダミーチップ9がSAWチップ7よりも高い場合の高さの差は、SAWチップ7の高さ未満である。

0040

ダミーチップ9の平面視における寸法は、適宜に設定されてよい。例えば、平面視において、ダミーチップ9の面積は、SAWチップ7よりも小さくてもよいし、同等でもよいし、大きくてもよい。また、ダミーチップ9とSAWチップ7との並び方向に直交する方向(D2軸方向)の長さは、いずれが大きくてもよいし、同等であってもよい(図示の例)。

0041

ダミーチップ9は、例えば、絶縁性のダミー基板29と、ダミー基板29の表面に設けられた導体とを有している。本実施形態では、ダミー基板29の形状および寸法は、ダミーチップ9の形状および寸法と概ね同等であり、上記のダミーチップ9の形状および寸法に関する説明は、ダミー基板29の説明として読み替えてよい。

0042

ダミー基板29を構成する絶縁材料は、適宜なものとされてよい。例えば、ダミー基板29の材料は、圧電体ガラス、水晶、樹脂、セラミック及び/又はアモルファス状態の無機材料である。ダミー基板29は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。

0043

ダミー基板29の材料が圧電体である場合において、当該圧電体は、SAWチップ7の圧電基板23または他の弾性波チップの圧電基板の材料として利用可能な材料であってもよいし、そのような材料でなくてもよい。また、前者の場合、ダミー基板29を構成する圧電体は、現に共に実装基板5に実装されているSAWチップ7の圧電基板23の材料(カット角は考慮に入れても入れなくてもよい。)と同一であってもよいし、異なっていてもよい。

0044

(樹脂部)
樹脂部11は、例えば、SAWチップ7およびダミーチップ9の上から実装基板5の実装面5aを覆っている。より具体的には、樹脂部11は、例えば、概略、SAWチップ7の表面、ダミーチップ9の表面および実装面5aの全体に当接している。当接している部分は、基本的には密着(接着)している。

0045

ただし、樹脂部11は、SAWチップ7の主面7aと実装面5aとの間(振動空間31)には充填されていない。換言すれば、振動空間31は、樹脂部11によって気密に封止されている。振動空間31内は、真空とされていてもよいし、適宜な気体封入されていてもよい。

0046

なお、樹脂部11は、主面7aと実装面5aとの隙間に若干入り込んでいたり、逆に、当該隙間の若干外側まで退避していたりしてもよい。また、ダミーチップ9と実装面5aとの隙間も樹脂部11が非配置とされて、密閉空間とされてもよい。SAWチップ7(およびダミーチップ9)と樹脂部11との間には、不図示のフィルムが介在していてもよい(ただし、このフィルムは樹脂部の一部として捉えられてもよい。)。

0047

樹脂部11は、SAWデバイス1の外形を実装基板5と共に構成している。樹脂部11の外形は、例えば、平面視において実装基板5に一致する直方体状である。樹脂部11の天面は、SAWデバイス1の天面1aを構成しており、例えば、SAWチップ7およびダミーチップ9に亘って平坦である。本実施形態では、SAWチップ7およびダミーチップ9の実装面5aからの高さは互いに異なる(前者が後者よりも低い)から、樹脂部11は、SAWチップ7上の厚さとダミーチップ9上の厚さとが互いに異なる(前者が後者よりも厚い)。なお、樹脂部11のSAWチップ7上の厚みは、SAWチップ7の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。

0048

樹脂部11は、樹脂によって構成されている。樹脂は、例えば、熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラー混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカアルミナフェノールポリエチレングラスファイバーグラファイトフィラーである。

0049

(バンプ)
バンプ16は、例えば、はんだにより構成されている。はんだは、鉛を用いたはんだであってもよいし、鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ16は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。SAWチップ7の実装のためのバンプ16およびダミーチップ9の実装のためのバンプ16は、例えば、同一材料からなる。バンプ16の高さ等は適宜に設定されてよい。SAWチップ7の実装のためのバンプ16の高さと、ダミーチップ9の実装のためのバンプ16の高さとは、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。図示の例では、バンプ16の高さは同等とされている。

0050

(SAWチップの導体)
図3は、SAWチップ7およびダミーチップ9をD3軸負側から見た模式的な平面図である。同図において、ハッチングが付された領域、および黒塗りの線(チップの外縁を除く)は、各チップ(7、9)のD3軸負側の表面に位置している層状導体を示している。

0051

上述のように、SAWチップ7は、複数(図示の例では4つ)のチップ端子19を有している。複数のチップ端子19は、例えば、圧電基板23のD3軸負側の主面23aに重なる層状導体によって構成されている。複数のチップ端子19の位置は適宜に設定されてよく、例えば、複数のチップ端子19は、圧電基板23の主面23aの外縁に沿って配置されている。

0052

複数のチップ端子19は、例えば、信号が入力される少なくとも1つの入力端子19Iと、信号を出力する少なくとも1つの出力端子19Oと、基準電位が付与される少なくとも1つの基準電位端子19Gとを含んでいる。なお、入力端子19I、出力端子19Oおよび基準電位端子19Gの数は、図示の例とは異なっていてもよい。これらの端子の相対位置は適宜に設定されてよい。

0053

SAWチップ7は、例えば、入力端子19Iに入力された信号をフィルタリングして出力端子19Oに出力するSAWフィルタ33を有している。図示の例では、SAWフィルタ33は、いわゆるラダー型フィルタによって構成されている。

0054

ラダー型フィルタは、例えば、入力端子19Iと出力端子19Oとの間に直列に接続された複数(1つでも可。図示の例では2つ)の直列共振子35Sと、その直列のライン直列腕)と基準電位端子19Gとを接続する複数(1つでも可。図示の例では2つ)の並列共振子35P(並列腕)とを有している。なお、以下では、単に「共振子35」といい、直列共振子35Sおよび並列共振子35Pを区別しないことがある。

0055

共振子35は、例えば、いわゆる1ポートSAW共振子によって構成されており、圧電基板23の主面23a上に位置しているIDT(InterDigital Transducer)電極37と、IDT電極37の両側に位置する1対の反射器39とを含んでいる。これらは、例えば、主面23aに重なる層状導体によって構成されている。

0056

IDT電極37は、互いに噛み合うように配置された1対の櫛歯電極41を含んでいる。各櫛歯電極41は、例えば、バスバー43と、バスバー43から互いに並列に延びる複数の電極指45とを含んでいる。バスバー43は、概ねSAWの伝搬方向(D1軸方向)に延びている。複数の電極指45は、概ねSAWの伝搬方向に直交する方向(D2軸方向)に延び、SAWの伝搬方向に配列されている。

0057

反射器39は、例えば、SAWの伝搬方向に直交する方向に並列に延びる複数のストリップ電極47を有する格子状に形成されている。各反射器39は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし(図示の例)、基準電位が付与されてもよい。

0058

複数の電極指45のピッチ等の各種の寸法は、共振子35に要求される特性に応じて適宜に設定されてよい。図3は模式図であることから、電極指45およびストリップ電極47の本数は少なく示されているが、実際には図示よりも多数の電極指45およびストリップ電極47が設けられてよい。

0059

図示の例では、IDT電極37および反射器39の典型的な形状が示されている。ただし、これらの電極の形状は、公知の種々のものとされてよい。例えば、電極形状は、いわゆるアポダイズが施された形状、いわゆるダミー電極が設けられた形状、SAWの伝搬方向にバスバー43が傾斜する形状等とされてよい。

0060

IDT電極37によって圧電基板23の主面23aに電圧が印加されると、例えば、主面23aをD1軸方向に伝搬するSAWが励振され、電極指45のピッチを半波長とするSAWの定在波が立つ。この定在波により生じた信号は、IDT電極37によって取り出される。このようにして、共振子35における共振が利用される。

0061

複数のチップ端子19および複数の共振子35は、複数の配線49によって互いに接続されている。複数の配線49は、例えば、圧電基板23の主面23aに重なる層状導体からなる。配線49の幅および主面23a上の位置等は適宜に設定されてよく、例えば、配線49の幅は、図示の例よりも広くされてよい。図示の例では、複数の配線49は、絶縁体を介して立体交差する部分を含んでいないが、そのような部分を含んでいてもよい。

0062

IDT電極37、反射器39および配線49は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、Al等の金属である。層状導体は、複数の金属層から構成されていてもよい。層状導体の厚さは、共振子35に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは50nm〜600nmである。

0063

チップ端子19は、例えば、IDT電極37等を構成する材料と同一の材料および厚さで構成されていてもよいし、当該同一の材料および厚さの層の上に他の材料からなる層が積層されて構成されていてもよい。

0064

なお、特に図示しないが、圧電基板23の主面23aは、IDT電極37等の導体の上から、SiO2またはSi3N4等からなる保護層によって覆われていてもよい。IDT電極37および反射器39の上面または下面には、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。

0065

複数のチップ端子19のうち、いずれが入力端子19I、出力端子19Oまたは基準電位端子19Gであるかは、複数のチップ端子19に接続されるSAWフィルタ33の構成から判断できる。また、通常、SAWチップ7またはSAWデバイス1の仕様書またはパンフレットにおいて、入力端子、出力端子または基準電位端子は指定されており、これに基づいて特定されてもよい。

0066

(ダミーチップの導体)
上述のように、ダミーチップ9は、複数(図示の例では4つ)のダミー端子27を有している。本実施形態では、ダミーチップ9は、ダミー端子27以外の導体を有していない。従って、ダミーチップ9は、能動素子および受動素子のいずれの電子素子も構成していない。別の観点では、ダミーチップ9は、ダミー端子27が実装基板5の実装パッド15にバンプ16を介して電気的に接続されているものの、実装基板5から電気的に見て、開放端を構成している。

0067

複数のダミー端子27は、例えば、ダミー基板29のD3軸負側の主面29aに重なる層状導体によって構成されている。また、複数のダミー端子27は、例えば、主面29aの外縁に沿って配置されている。複数のダミー端子27の材料、平面形状および寸法は、SAWチップ7の複数のチップ端子19の材料、平面形状および寸法と同一であってもよいし、異なっていてもよい。なお、両者が同一である場合、例えば、バンプ16の高さをSAWチップ7とダミーチップ9とで同等にすることが容易である。

0068

(SAWチップとダミーチップとの導通
複数のダミー端子27(27A、27B、27Cおよび27D)は、例えば、その少なくとも1つがチップ端子19のいずれかと実装基板5(その導体)を介して導通されている(電気的に接続されている。)。図示の例では、ダミー端子27Aと入力端子19Iとが配線17Cを介して互いに導通されている。一般に、導体は、絶縁体に比較して熱伝導率が高い。従って、別の観点では、実装基板5によって、ダミー端子27とチップ端子19との間に熱的な経路が形成されている。

0069

上述のように、ダミーチップ9は、電子素子を構成しておらず、実装基板5から見て開放端を構成している。従って、SAWチップ7とダミーチップ9との導通は、純粋な電気的観点においては、基本的にはSAWチップ7の特性に影響を及ぼさない。なお、ダミー端子27が導体である以上、厳密には、ダミーチップ9は、電気的観点において何らかの作用を奏する。しかし、その作用がSAWチップ7に要求される特性に照らして極めて小さくなるようにダミーチップ9は構成されている。

0070

SAWチップ7とダミーチップ9とを導通する配線17Cは、既述の複数の配線17の1つであり、例えば、図2に示すように、実装基板5の基体13に重なる層状導体からなる。配線17Cの形状、基体13上の位置および各種寸法は適宜に設定されてよい。図示の例では、互いに導通されるダミー端子27Aおよび入力端子19Iは、複数のダミー端子27および複数のチップ端子19のうち、ダミー端子27とチップ端子19との距離が最も短くなる組み合わせである。また、ダミー端子27Aおよび入力端子19Iは、例えば、SAWチップ7とダミーチップ9の並び方向(D1軸方向)において互いに隣接している。そして、配線17Cは、例えば、ダミー端子27Aと入力端子19Iとの間を直線状に延びている。

0071

(SAWデバイスの製造方法)
SAWデバイス1の製造方法は、特に図示しないが、例えば、以下のとおりである。まず、実装基板5が多数個取りされるウェハ、複数のSAWチップ7および複数のダミーチップ9を作製する。次に、実装基板5のウェハに複数のバンプ16となるペーストを配置するとともに、その上に複数のSAWチップ7および複数のダミーチップ9を配置し、リフローによる接合を行う。その後、実装基板5のウェハ上に未硬化状態の樹脂を配置して当該樹脂を加熱硬化させることにより、樹脂部11となる樹脂層を形成する。その後、実装基板5をダイシングして個片化されたSAWデバイス1を得る。この際、樹脂層もダイシングされて樹脂部11となる。ただし、樹脂層のダイシングと、実装基板5のウェハのダイシングとは、別個ブレードによって順次行われてもよい。

0072

樹脂部11となる未硬化状態の樹脂の配置は、例えば、ディスペンサ法または印刷法によってなされてもよいし、比較的粘度が高い状態の樹脂からなるシートを配置することによってなされてもよい。樹脂の硬化は、例えば、単なる加熱によってなされてもよいし、平坦な下面を有する型によって上方から樹脂を加圧しながらの加熱によってなされてもよい。

0073

振動空間31は、適宜に形成されてよい。例えば、未硬化状態の樹脂の粘度を比較的高くしたり、未硬化状態の樹脂の圧力を比較的低くしたりすることによって、未硬化状態の樹脂が実装基板5とSAWチップ7との間へ侵入することを抑制し、振動空間31を形成してよい。また、未硬化状態の樹脂の配置に先立って、SAWチップ7にフィルムを被せ、フィルムによって実装基板5とSAWチップ7との間への樹脂の侵入を抑制し、振動空間31を形成してもよい。

0074

なお、上記の製造方法は一例であり、適宜に変更されてよい。例えば、個片化された実装基板5にSAWチップ7およびダミーチップ9が実装され、樹脂部11が形成されてもよいし、SAWチップ7およびダミーチップ9が実装された後に実装基板5のウェハを個片化し、その後、樹脂部11が形成されてもよい。トランスファーモールド法によって樹脂部11が形成されたり、実装基板5に実装されたSAWチップ7およびダミーチップ9を、下型の上面の凹部に配置された未硬化状態の樹脂に浸す方式のコンプレッションモールド法によって樹脂部11が形成されたりしてもよい。

0075

以上のとおり、SAWデバイス1は、実装面5aを有している実装基板5と、実装面5aに実装されているSAWチップ7と、実装面5aに実装されているダミーチップ9と、SAWチップ7およびダミーチップ9を覆っている樹脂部11と、を有している。ダミーチップ9は、絶縁性のダミー基板29と、ダミー基板29の実装面5a側の表面上に位置しており、実装面5aに接合されている1以上のダミー端子27と、を有している。ダミーチップ9は、実装基板5側から電気的に見て開放端を構成している(能動素子または受動素子のような電子素子ではない。)。

0076

ここで、実装基板5の平面視における大きさは、SAWデバイス1を購入するメーカー(SAWデバイス1の顧客)の仕様によって決定されることがあり、その結果、平面視において実装基板5がSAWチップ7に対して大きくなり過ぎることがある。具体的には、平面視でSAWチップ7の面積の2.5倍以上となる場合がある。この場合、例えば、樹脂部11の天面1aは、SAWチップ7上においてその周囲よりも高くなり、天面1aが平坦でなくなることがある。この凹凸は、例えば、樹脂部11となる未硬化状態の樹脂を実装基板5上に配置したときに、未硬化状態の樹脂がSAWチップ7によって嵩上げされ、この嵩上げによる樹脂天面の高低差硬化完了までに解消されないことによって生じる。および/または、例えば、SAWチップ7の周囲の樹脂は、SAWチップ7上の樹脂よりも厚いことから、硬化後の収縮量が相対的に大きく、この収縮量の差によって凹凸が生じる。

0077

一方、本実施形態においては、ダミーチップ9がSAWチップ7とともに実装面5aに実装されているから、ダミーチップ9が設けられていない場合に比較して、例えば、未硬化の樹脂は嵩上げされ、および/または樹脂の厚みが低減されて樹脂の収縮量が低減される。すなわち、樹脂部11の天面1aに凹凸が形成される蓋然性が低減される。別の観点では、天面1aが平坦になるような樹脂部11の形成方法を採用する場合に、当該形成方法の条件設定が容易化される、または条件の自由度が向上する。天面1aが平坦になる結果、例えば、SAWデバイス1の天面1aを吸着してSAWデバイス1をピックアップする場合に、ピックアップが容易化される。また、例えば、特定の治具でSAWデバイス1を保持してSAWデバイス1の特性を測定するときに保持が安定することから、測定誤差が低減される。

0078

本実施形態では、ダミーチップ9は、導体として1以上のダミー端子27のみを有している。

0079

従って、例えば、ダミーチップ9は、実装基板5に実装するための最低限の構成のみを有していることになる。その結果、例えば、コスト削減を図ることができる。また、例えば、ダミーチップ9による寄生容量を最小限にすることができる。その結果、SAWデバイス1の特性がダミーチップ9によって低下するおそれを低減できる。

0080

本実施形態では、SAWチップ7と1以上のダミー端子27のうちの少なくとも1つとが実装基板5を介して導通されている。

0081

従って、SAWチップ7の熱をダミーチップ9へ逃がすことができる。その結果、SAWチップ7の温度が安定し、ひいては、SAWチップ7の特性が安定する。すなわち、ダミーチップ9は、上記のように構造的にSAWデバイス1の機能向上(形状安定)に寄与するだけでなく、熱的にもSAWデバイス1の機能向上に寄与する。

0082

本実施形態では、SAWチップ7は、信号が入力される入力端子19Iと、信号を出力する出力端子19Oと、基準電位が付与される基準電位端子19Gと、を有している。入力端子19Iは、1以上のダミー端子27の一つと実装基板5を介して導通されている。

0083

一般に、入力端子19Iは、出力端子19Oおよび基準電位端子19Gに比較して、大きい電力が供給され、相対的に発熱しやすい。そのような入力端子19Iをダミーチップ9に導通することによって、効果的にSAWチップ7の熱をダミーチップ9に逃がすことができる。

0084

本実施形態では、ダミー基板29の材料は、樹脂部11の材料よりも熱膨張係数が低い。

0085

従って、例えば、ダミーチップ9が設けられていない場合に比較して、樹脂部11の熱膨張によってダミーチップ9側からSAWチップ7へ加えられる応力を低減することができる。その結果、例えば、圧電基板23に意図しない応力が付与されてSAWの伝搬特性が変化し、SAWデバイス1の特性が低下するおそれが低減される。このように、ダミーチップ9は、構造的および熱的にSAWデバイス1の機能向上に寄与するだけでなく、力学的にもSAWデバイス1の機能向上に寄与する。

0086

本実施形態では、ダミーチップ9は、SAWチップ7よりも厚い。

0087

従って、例えば、ダミーチップ9側からSAWチップ7へ加えられる応力を低減する効果がより確実に奏される。また、例えば、ダミーチップ9の体積によって置換される樹脂部11の体積が相対的に大きくなるから、SAWデバイス1全体として熱膨張が低減される。

0088

本実施形態では、SAWチップ7は、所定の伝搬方向(D1軸方向)にSAWが伝搬する圧電基板23を含む。ダミーチップ9は、伝搬方向に見てSAWチップ7に重なっている。

0089

圧電基板23の変形のうち、SAWの伝搬方向における変形が最もSAWチップ7の特性に影響を及ぼしやすい。従って、例えば、SAWの伝搬方向に樹脂部11よりも熱膨張係数が低いダミーチップ9が位置して側方への応力を減じることによって、より効果的に特定低下低減の効果を得ることができる。

0090

本実施形態では、SAWチップ7は、圧電基板23と、圧電基板23に貼り合わされた、圧電基板23よりも熱膨張係数が低く、圧電基板23よりも厚い支持基板25と、圧電基板23の支持基板25とは反対側の主面23a上に位置しているIDT電極37と、を有している。

0091

従って、例えば、SAWチップ7は、支持基板25による温度補償効果を得ることができる。この温度補償効果は、圧電基板23と支持基板25との熱膨張差(別の観点では圧電基板23に生じる熱応力)を利用している。従って、例えば、樹脂部11からSAWチップ7に意図しない応力が加えられるおそれがダミーチップ9によって低減されることにより、支持基板25による温度補償効果が安定する。

0092

SAWチップ7は、圧電基板23と支持基板25との熱膨張差によって支持基板25側を凹とする反りが生じ、ひいては、SAWチップ7の電気的特性が低下するおそれがある。また、樹脂部11のSAWチップ7の側方に位置する部分は、その熱膨張によってSAWチップ7に側方への応力を付与し、反りを助長するおそれがある。しかし、樹脂部11の材料よりも熱膨張係数が低いダミーチップ9がSAWチップ7に並列に実装された場合においては、この反りの助長が抑制される。

0093

また、圧電基板23側を実装面5a側に向けてSAWチップ7を実装した場合、樹脂部11の支持基板25上に位置する部分は、上記の反りを抑制する作用を奏する。従って、ダミーチップ9がSAWチップ7よりも厚い(実装面5aからの高さが高い)場合においては、SAWチップ7上に樹脂部11の厚みを確保しつつ、ダミーチップ9の位置において樹脂部11の天面1aに凹部が形成されるおそれを低減できていることになる。すなわち、上記の反りを抑制して特性の向上を図りつつ、天面1aが平坦であることによる安定性を得ることができる。

0094

また、以上の実施形態のSAWデバイス1は、別の観点では、実装面5aを有している実装基板5と、実装面5aに実装されている第1チップ(SAWチップ7)と、実装面5aに実装されている第2チップ(ダミーチップ9)と、SAWチップ7およびダミーチップ9を覆っている樹脂部11と、を有している。SAWチップ7は、圧電基板23と、圧電基板23に貼り合わされた、圧電基板23よりも熱膨張係数が低く、圧電基板23よりも厚い支持基板25と、圧電基板23の支持基板25とは反対側の主面23a上に位置しているIDT電極37と、を有している。また、SAWチップ7は、IDT電極37側(主面23a側)を実装面5aに向けて実装面5aに実装されている。ダミーチップ9は、圧電基板23および支持基板25の合計の厚さよりも厚い圧電基板(圧電体からなるダミー基板29)を有している。樹脂部11の実装面5aとは反対側の天面1aは、SAWチップ7上およびダミーチップ9上に亘って平坦である。

0095

従って、上述のように、SAWチップ7は、天面1a側を凹として反りを生じるおそれがあるところ、SAWチップ7上に樹脂部11の厚みを確保して反りを抑制することができ、かつダミーチップ9の位置において樹脂部11の天面1aに凹部が形成されるおそれを低減できる。

0096

<第2実施形態>
図4は、第2実施形態に係るSAWデバイス201の要部構成を示す模式的な平面図であり、第1実施形態の図3に相当する。

0097

SAWデバイス201は、ダミーチップ209にベタパターン251が設けられている点のみが第1実施形態のSAWデバイス1と相違する。

0098

ベタパターン251は、例えば、ダミー基板29のD3軸負側の主面29aに重なる層状導体によって構成されている。ベタパターン251の材料および厚さは、複数のダミー端子27の材料および厚さと同一であってもよいし、異なっていてもよく、例えば、同一である。また、複数のダミー端子27が、ベタパターン251と同一の材料および厚さの層と、その層上に位置する他の材料からなる層を有していてもよい。ベタパターン251の材料および厚さは、IDT電極37の材料および厚さと同一であってもよいし、異なっていてもよい。

0099

ベタパターン251の平面形状は、適宜に設定されてく、図示の例では、概略、矩形とされている。その他、特に図示しないが、ベタパターン251は、円形楕円形、矩形以外の多角形とされてよいし、および/または数学でいう凸(凸集合)を構成する形状とされてよい。ベタパターン251は、同一面に配置された他の導体パターンよりも大きくてもいい。さらに、ダミーチップ209の主面29aの面積の40%以上を占めていてもよい。

0100

また、図示の例では、ベタパターン251は、ダミー端子27Bから離れるために、矩形の1つの角部が切り欠かれている。このように、ベタパターン251の全体が上記のような形状(矩形等)である必要はなく、例えば、ベタパターン251の面積の20%以下または10%以下の面積を増減したときに上記のような形状となる形状であってもよい。

0101

ベタパターン251は、例えば、複数のダミー端子27の少なくとも1つと接続されている。図示の例では、ベタパターン251は、ダミー端子27Aと接続されている。このダミー端子27Aは、例えば、第1実施形態と同様に、SAWチップ7の入力端子19Iと配線17Cによって導通されている。また、図示の例では、ベタパターン251は、他のダミー端子27Aとは接続されていない。

0102

以上のとおり、本実施形態においても、SAWデバイス201は、実装基板5、SAWチップ7、ダミーチップ209および樹脂部11を有している。また、ダミーチップ9は、ダミー端子27を有し、かつ実装基板5側から電気的に見て開放端を構成している。従って、第1実施形態と同様の効果が奏される。例えば、樹脂部11の天面を平坦にすることが容易である。

0103

また、本実施形態では、ダミーチップ209は、1以上のダミー端子27の少なくとも1つ(本実施形態では27A)に接続されているベタパターン251を有している。

0104

従って、ダミーチップ209は、実装基板5からダミー端子27Aに伝えられた熱を効率的に広い面積に伝えることができる。ひいては、SAWチップ7の熱を逃がしやすくなり、SAWデバイス201全体としての耐熱性および耐電性を向上させることができる。

0105

<第3実施形態>
図5は、第3実施形態に係るSAWデバイス301の要部構成を示す模式的な断面図であり、第1実施形態の図2に相当する。図6は、SAWデバイス301の要部構成を示す模式的な平面図であり、第1実施形態の図3に相当する。

0106

SAWデバイス301は、主として、ダミーチップ9に代えて、SAWチップ309が設けられている点が第1実施形態のSAWデバイス1と相違する。

0107

(SAWチップ)
SAWチップ309は、基本的には、第1実施形態のSAWチップ7と同様のものであり、SAWチップ7についての説明は、SAWチップ309の説明とされてよい。もちろん、具体的な部分は、SAWチップ7と相違してもよい。以下では、図示の例における、SAWチップ309のSAWチップ7との相違点を中心に説明する。

0108

SAWチップ309の基板は、貼り合わせ基板ではなく、主として圧電基板329によって構成されている。なお、第1実施形態の圧電基板23についての説明は、厚さを除いて、圧電基板329の説明とされてよい。圧電基板329の材料(カット角は考慮に入れても入れなくてもよい。)は、現に共に実装基板305に実装されている圧電基板23の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。

0109

SAWチップ309は、例えば、SAWチップ7と同様に、信号が入力される少なくとも1つの入力端子327Iと、信号を出力する少なくとも1つの出力端子327Oと、基準電位が付与される少なくとも1つの基準電位端子327Gとを含んでいる。これらのチップ端子327は、便宜上、SAWチップ7のチップ端子19と異なる符号を付しているが、第1実施形態におけるチップ端子19についての説明は、チップ端子327についての説明とみなしてよい。

0110

SAWチップ309は、例えば、SAWチップ7と同様に、入力端子327Iに入力された信号をフィルタリングして出力端子327Oに出力するSAWフィルタ361を有している。ただし、図示の例では、SAWフィルタ361は、いわゆる多重モード型SAW共振子フィルタ363(以下、単に「SAWフィルタ363」)と、このSAWフィルタ363に直列に接続された共振子35Aとを含んで構成されている。

0111

SAWフィルタ363は、例えば、圧電基板329の主面329a上に、SAWの伝搬方向に配列された複数(図示の例では3つ)のIDT電極37と、その両側に配置された1対の反射器39とを含んで構成されている。なお、本開示において、多重モードは、ダブルモードを含むものとする。共振子35Aは、第1実施形態で説明した1ポートSAW共振子である。

0112

圧電基板329の主面329a上において、複数のIDT電極37および複数のチップ端子327は、例えば、第1実施形態と同様に、主面329a上の複数の配線49によって接続されている。なお、図示の例では、SAWフィルタ363と出力端子327Oとを接続する配線49と、SAWフィルタ363と基準電位端子327Gとを接続する配線49とは、絶縁体365を介して立体交差している。

0113

(実装基板および樹脂部)
SAWチップ309は、例えば、SAWチップ7と同様に、IDT電極37が形成された主面329aを実装基板305の実装面305aに向けて、バンプ16によって実装面305aに実装される。また、SAWチップ7と同様に、主面329aと実装面305aとの間は、樹脂部11の樹脂が充填されない振動空間367とされる。

0114

実装基板305は、第1実施形態の実装基板5と同様のものであり、実装基板5の説明は、実装基板305の説明とみなしてよい。ただし、実装される電子素子がダミーチップ9に代えてSAWチップ309とされていることに伴い、例えば、複数の実装パッド15、複数の外部端子3、および複数の配線17の具体的な数および配置等は適宜に変更されてよい。

0115

複数の外部端子3は、SAWチップ7とSAWチップ309とで別個に設けられていてもよいし、一部が両チップに共用されていてもよい。後者を換言すれば、両チップは、実装基板305を介して互いに電気的に接続されてよい。例えば、基準電位が付与される外部端子3は、SAWチップ7とSAWチップ309とで共用されてよい。

0116

また、例えば、SAWチップ7が分波器送信フィルタとされ、SAWチップ309が分波器の受信フィルタとされる場合(SAWデバイス301が分波器を構成している場合)においては、アンテナに接続される外部端子3は、両チップによって共用されてよい。より具体的には、図6において2点鎖線(配線17E)で示すように、SAWチップ7の出力端子19Oと、SAWチップ309の入力端子327Iとは、外部端子3を共用してよい(互いに接続されてよい。)。なお、SAWチップ7が受信フィルタとされ、SAWチップ309が送信フィルタとされてもよい。

0117

(2つのSAWチップの相対関係
第1実施形態におけるダミーチップ9のSAWチップ7に対する相対的な位置、距離および厚さ等の説明は、SAWチップ309の説明とみなしてよい。例えば、SAWチップ309は、SAWチップ7よりも厚くされてよい。

0118

以上のとおり、本実施形態においても、SAWデバイス301は、実装面305aを有している実装基板305と、実装面305aに実装されている第1チップ(SAWチップ7)と、実装面305aに実装されている第2チップ(SAWチップ309)と、両チップを覆っている樹脂部11と、を有している。SAWチップ7は、圧電基板23と、圧電基板23に貼り合わされた、圧電基板23よりも熱膨張係数が低く、圧電基板23よりも厚い支持基板25と、圧電基板23の支持基板25とは反対側の主面23a上に位置しているIDT電極37と、を有している。また、SAWチップ7は、IDT電極37側を実装面205aに向けて実装面205aに実装されている。SAWチップ309は、圧電基板23および支持基板25の合計の厚さよりも厚い圧電基板329を有している(別の観点では、実装面305aからのSAWチップ309の高さは実装面305aからのSAWチップ7の高さよりも高い)。樹脂部11の実装面305aとは反対側の天面301aは、SAWチップ7上およびSAWチップ309上に亘って平坦である。

0119

従って、例えば、第1実施形態と同様の効果が奏される。具体的には、例えば、SAWチップ7は、天面301a側を凹として反りを生じるおそれがあるところ、SAWチップ309に比較して相対的に低いから、SAWチップ7上に樹脂部11の厚みを確保して、反りを低減することができる。

0120

<変形例>
(第1変形例)
図7(a)は、第1変形例に係るSAWデバイス401の要部構成を示す模式的な断面図である。

0121

第1実施形態では、ダミーチップ9と共に実装されるSAWチップ7が貼り合わせ基板(チップ基板21)を有する場合について説明した。ただし、ダミーチップと共に実装されるSAWチップは、第3実施形態のSAWチップ309と同様に、貼り合わせ基板でない基板(主として圧電基板329によって構成されるもの)を有してよい。図7(a)では、SAWチップ7に代えてSAWチップ309の符号を示し、SAWチップ309とダミーチップ9とが共に実装基板5に実装されている場合を例示している。なお、ダミーチップ9を例に挙げたが、第2実施形態のダミーチップ209についても同様である。

0122

実施形態の説明でも言及したように、SAWチップ7(309)とダミーチップ9(209)とは互いに同一の厚さを有してよい(別の観点では実装面5aから同一の高さが同一とされてよい。)。図7(a)では、この点も例示している。

0123

(第2変形例)
図7(b)は、第2変形例に係るSAWデバイス411の要部構成を示す模式的な断面図である。

0124

第1実施形態では、SAWチップ7として、パッケージされていないものを例示した。ただし、SAWチップは、パッケージされたものであってもよい。

0125

図示の例では、SAWチップ413は、圧電基板329と、圧電基板329の主面329aをIDT電極37(図6等参照)の上から覆うカバー415とを有している。カバー415は、IDT電極37上に振動空間417を構成する形状とされている。チップ端子327(図6参照)には、カバー415を貫通する不図示の導体を介してカバー415の実装面5a側の面に形成された不図示のパッドが接続されている。このパッドが実装基板5の実装パッド15(図2参照)にバンプ16によって接合されることにより、SAWチップ413は実装面5aに実装されている。

0126

なお、図7(b)では、SAWチップ413の基板として、第3実施形態のSAWチップ309と同様に圧電基板329を主体としたものが示されているが、SAWチップ413の基板は、SAWチップ7と同様に貼り合わせ基板であってもよい。また、図7(b)では、ダミーチップ9が図示されているが、ダミーチップ9は、ダミーチップ209または他のSAWチップに置換されてよい。

0127

実施形態の説明でも言及したように、ダミーチップ9(209)は、SAWチップ7(309)よりも薄くてもよい(別の観点では実装面5aから同一の高さがSAWチップよりも低くてもよい。)。図7(b)では、この点も例示している。

0128

(第3〜第5変形例)
図8(a)〜図8(c)は、ダミー端子27および/またはベタパターン251のチップ端子19に対する接続の変形例(第3〜第5変形例)を示す模式図である。

0129

第1実施形態では、ダミー端子27Aが実装基板5の配線17を介して入力端子19Iに接続されることについてのみ説明した。ただし、複数のダミー端子27は、適宜な数が配線17を介してチップ端子19に接続されてよいし、いずれのチップ端子19に対して接続されてもよい。

0130

例えば、ダミー端子27は、図8(a)または図8(c)に例示するように、全てが配線17を介してチップ端子19に接続されていてもよいし、図8(b)に例示するように、ダミー端子27Aのみが配線17を介してチップ端子19に接続されていてもよい。図8(c)に例示するように2以上のダミー端子27が配線17を介して同一のチップ端子19に接続されていてもよい。

0131

また、ダミー端子27は、入力端子19Iに限らず、図8(a)に例示するように、配線17を介して出力端子19Oに接続されていてもよいし、図8(a)または図8(c)に例示するように配線17を介して基準電位端子19Gに接続されていてもよい。図8(b)からベタパターン251を無くすことを想定した場合のダミー端子27B〜27Dから理解されるように、一部または全てのダミー端子27は、電気的に浮遊状態とされていてもよい。

0132

ベタパターン251は、配線17を介して入力端子19Iに接続されたダミー端子27ではなく、配線17を介して出力端子19Oに接続されたダミー端子27に接続されていてもよいし(不図示)、図8(c)に例示するように配線17を介して基準電位端子19Gに接続されたダミー端子27に接続されていてもよいし、図8(b)に例示するように配線17の接続に関しては電気的に浮遊状態のダミー端子27(27B〜27D)に接続されていてもよい。

0133

ベタパターン251は、1つのダミー端子27だけでなく、図8(b)または図8(c)に例示するように、2以上のダミー端子27に接続されてよい。ただし、この場合、ダミー端子27によって互いに接続される2以上のダミー端子27は、図8(c)に例示するように、配線17の接続に関して同一の電位が付与されるもの同士とされるか、図8(b)に例示するように、配線17の接続に関して電位が付与されるダミー端子27と配線17の接続に関して電気的に浮遊状態のダミー端子27との組み合わせとされる。なお、図8(c)では、ベタパターン251は、配線17を介して基準電位が付与される2以上のダミー端子27に接続されているが、配線17を介して入力信号または出力信号の電位が付与される2以上のダミー端子27に接続されていてもよい。

0134

<利用例>
図9は、SAWデバイス1の利用例としての通信装置151の要部を示すブロック図である。

0135

通信装置151は、電波を利用した無線通信を行うものである。この通信装置151は、例えば、送信フィルタ103および受信フィルタ105を含む分波器101を有している。この送信フィルタ103もしくは受信フィルタ105または分波器101は、例えば、第1実施形態のSAWデバイス1によって構成されている。なお、第1実施形態のSAWデバイス1に代えて、他の実施形態または変形例に係るSAWデバイスが用いられても構わない。

0136

通信装置151において、送信すべき情報を含む送信情報信号TISは、RF−IC(Radio Frequency IntegratedCircuit)153によって変調および周波数引き上げ搬送波周波数を有する高周波信号への変換)がなされて送信信号TSとされる。送信信号TSは、バンドパスフィルタ155によって送信用通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器157によって増幅されて分波器101の送信フィルタ103に入力される。そして、送信フィルタ103は、入力された送信信号TSから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号TSをアンテナ159に出力する。アンテナ159は、入力された電気信号(送信信号TS)を無線信号(電波)に変換して送信する。

0137

また、通信装置151において、アンテナ159によって受信された無線信号(電波)は、アンテナ159によって電気信号(受信信号RS)に変換されて分波器101の受信フィルタ105に入力される。受信フィルタ105は、入力された受信信号RSから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器161へ出力する。出力された受信信号RSは、増幅器161によって増幅され、バンドパスフィルタ163によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号RSは、RF−IC153によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号RISとされる。

0138

なお、送信情報信号TISおよび受信情報信号RISは、適宜な情報を含む低周波信号(ベースバンド信号)でよく、例えば、アナログ音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、本実施形態では、比較的高周波の通過帯(例えば5GHz以上)も可能である。変調方式は、位相変調振幅変調周波数変調もしくはこれらのいずれか2つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図9では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図9は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。

0139

なお、以上の実施形態において、SAWデバイス1、201、301、401および411それぞれは弾性波デバイスの一例である。SAWチップ7、309および413それぞれは弾性波チップの一例である。SAWチップ7は第1チップの一例である。SAWチップ7の圧電基板23は第1圧電基板の一例である。SAWチップ7のIDT電極37は第1IDT電極の一例である。SAWデバイス1のダミーチップ9、SAWデバイス201のダミーチップ209およびSAWデバイス301のSAWチップ309は第2チップの一例である。SAWデバイス1および201におけるダミー基板29は、圧電体からなる場合は第2圧電基板の一例である。SAWデバイス301における圧電基板329は第2圧電基板の一例である。SAWデバイス301におけるIDT電極37は第2IDT電極の一例である。

0140

本開示の技術は、以上の実施形態および変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

0141

ダミーチップが有する導体は、ダミー端子およびベタパターンに限定されない。例えば、両者を接続する配線が設けられてもよい。また、ダミー基板を貫通する導体が設けられてもよい。ベタパターンは、ダミー基板の、ダミー端子が設けられる主面に代えて、または加えて、他の面に設けられてもよい。

0142

ダミーチップの形状は直方体状に限定されない。例えば、樹脂部の天面を平坦にすることに適した形状、および/または放熱に適した形状とされてもよい。例えば、ダミーチップは、矩形の基板(直方体)から延び出るヒートシンクを含む構成とされてもよい。

0143

樹脂部の天面に他の材料からなる層が積層されてもよい。この場合であっても、例えば、当該層に凹凸が生じることが抑制される。また、例えば、樹脂部の一部がダミーチップによって置換されることによって弾性波チップに生じる熱応力が低減される。

0144

1…SAWデバイス(弾性波デバイス)、5…実装基板、5a…実装面、7…SAWチップ(弾性波チップ、第1チップ)、9…ダミーチップ(第2チップ)、11…樹脂部、23…圧電基板(第1圧電基板)、25…支持基板、27…ダミー端子、29…ダミー基板(第2圧電基板)、37…IDT電極。

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