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技術 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ

出願人 株式会社村田製作所
発明者 葛下琢真谷口康政三宅高志
出願日 2013年8月26日 (7年10ヶ月経過) 出願番号 2014-501319
公開日 2016年8月8日 (4年11ヶ月経過) 公開番号 WO2014-034605
状態 特許登録済
技術分野 弾性表面波素子とその回路網
主要キーワード 各電極ランド グラウンド電極 構成領域 浮き電極 インダクタ層 グラウンド端子 阻止域 シールド導体
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (8)

課題・解決手段

通過帯域近傍帯域外減衰量の拡大を図り得る弾性波フィルタ装置を提供する。基板2上に弾性波フィルタ素子チップ3Aが搭載されており、弾性波フィルタ素子チップ3A内において、複数の直列腕共振子S1〜S5及び複数の並列腕共振子P〜P4を有するラダー型フィルタが構成されており、基板2において、直列腕共振子S5に並列に接続されている第1のインダクタL1と、並列腕共振子P1〜P3とグラウンド電位との間に接続される第2のインダクタL2が構成されており、基板2内において、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2との間にシールド電極が設けられている、弾性波フィルタ装置。

概要

背景

従来、携帯電話機デュプレクサ送信フィルタとしてラダー型回路構成弾性波フィルタが広く用いられている。例えば下記の特許文献1では、ラダー型回路構成の弾性波フィルタからなる送信フィルタと、縦結合共振子型弾性波フィルタからなる受信フィルタとを有するデュプレクサが開示されている。

特許文献1に記載のデュプレクサの送信フィルタでは、直列腕複数個直列腕共振子が開示されている。送信端子側の直列腕共振子に並列橋絡インダクタンスが接続されている。また、直列腕とグラウンド電位とを結ぶ並列腕において、並列腕共振子とグラウンド電位との間に並列腕インダクタンスが接続されている上記ラダー型回路構成の弾性波フィルタチップは、実際には基板上に搭載されている。弾性波フィルタチップでは、複数の直列腕共振子及び並列腕共振子がラダー型回路構成を有するように接続されている。

なお、上記橋絡インダクタンスや並列腕インダクタンスは上記基板に構成されている。

概要

通過帯域近傍帯域外減衰量の拡大をり得る弾性波フィルタ装置を提供する。基板2上に弾性波フィルタ素子チップ3Aが搭載されており、弾性波フィルタ素子チップ3A内において、複数の直列腕共振子S1〜S5及び複数の並列腕共振子P〜P4を有するラダー型フィルタが構成されており、基板2において、直列腕共振子S5に並列に接続されている第1のインダクタL1と、並列腕共振子P1〜P3とグラウンド電位との間に接続される第2のインダクタL2が構成されており、基板2内において、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2との間にシールド電極が設けられている、弾性波フィルタ装置。

目的

本発明の目的は、通過帯域近傍における帯域外減衰量を大きくし得る弾性波フィルタ装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

基板と、前記基板上に搭載された弾性波素子チップとを備え、前記弾性波素子チップが、入力端出力端とを結ぶ直列腕に配置された複数の直列腕共振子と、直列腕とグラウンド電位との間に接続されている複数の並列腕のそれぞれに配置されている並列腕共振子とを有するラダー型フィルタを構成しており、前記基板に、前記少なくともひとつの直列腕共振子に並列に接続される第1のインダクタと、少なくとも1つの前記並列腕共振子とグラウンド電位との間に接続される第2のインダクタと、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に設けられたシールド電極とが設けられている、弾性波フィルタ装置

請求項2

前記基板にグラウンド電位に接続されるグラウンド端子が設けられており、前記シールド電極が前記グラウンド端子に電気的に接続されている、請求項1に記載の弾性波フィルタ装置。

請求項3

前記シールド電極が、前記並列腕共振子のグラウンド電位に接続される端部と電気的に接続されている、請求項1または2に記載の弾性波フィルタ装置。

請求項4

前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとが、前記基板において横方向に隔てられており、横方向に隔てられた第1のインダクタと第2のインダクタとの間に前記シールド電極が配置されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。

請求項5

前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとが前記基板内において、前記基板の厚み方向に隔てらてれおり、厚み方向に隔てられた前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に前記シールド電極が配置されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。

請求項6

前記第1のインダクタが前記入力端及び前記出力端の内の一方に最も近い前記直列腕共振子に並列に接続されており、複数の前記並列腕共振子の内、前記入力端及び前記出力端の他方に近い側の少なくとも一つの並列腕共振子に前記第2のインダクタが接続されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。

請求項7

少なくとも2つの並列腕にそれぞれ設けられている前記並列腕共振子のグラウンド電位に接続される端部同士が共通化されており、該共通化されている端部とグラウンド電位との間に前記第2のインダクタが接続されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。

請求項8

請求項1〜7のいずれか1項に記載の弾性波フィルタ装置からなる第1のフィルタと、前記第1のフィルタと通過帯域が異なる第2のフィルタとを備える、デュプレクサ

技術分野

0001

本発明は、ラダー型回路構成を有する弾性波フィルタ装置に関し、より詳細には、弾性波フィルタチップ基板に搭載されている弾性波フィルタ装置に関する。

背景技術

0002

従来、携帯電話機デュプレクサ送信フィルタとしてラダー型回路構成の弾性波フィルタが広く用いられている。例えば下記の特許文献1では、ラダー型回路構成の弾性波フィルタからなる送信フィルタと、縦結合共振子型弾性波フィルタからなる受信フィルタとを有するデュプレクサが開示されている。

0003

特許文献1に記載のデュプレクサの送信フィルタでは、直列腕複数個直列腕共振子が開示されている。送信端子側の直列腕共振子に並列橋絡インダクタンスが接続されている。また、直列腕とグラウンド電位とを結ぶ並列腕において、並列腕共振子とグラウンド電位との間に並列腕インダクタンスが接続されている上記ラダー型回路構成の弾性波フィルタチップは、実際には基板上に搭載されている。弾性波フィルタチップでは、複数の直列腕共振子及び並列腕共振子がラダー型回路構成を有するように接続されている。

0004

なお、上記橋絡インダクタンスや並列腕インダクタンスは上記基板に構成されている。

先行技術

0005

特開2010−109694

発明が解決しようとする課題

0006

特許文献1に記載の構成では、上記弾性波フィルタの通過帯域近傍阻止域における、すなわち送信帯域近傍の阻止域における減衰量が大きくないという問題があった。また、上記デュプレクサでは、受信フィルタの通過帯域すなわち受信帯域におけるアイソレーションが十分でなかった。

0007

本発明の目的は、通過帯域近傍における帯域外減衰量を大きくし得る弾性波フィルタ装置を提供することにある。

0008

本発明の他の目的は、送信フィルタの通過帯域近傍における帯域外減衰量が大きく、かつ受信帯域におけるアイソレーションを改善し得るデュプレクサを提供することにある。

課題を解決するための手段

0009

本発明に係る弾性波フィルタ装置は、基板と、基板上に搭載された弾性波素子チップとを備える。

0010

本発明では、前記弾性波素子チップが、入力端出力端とを結ぶ直列腕に配置された複数の直列腕共振子と、直列腕とグラウンド電位との間に接続されている複数の並列腕のそれぞれに配置されている並列腕共振子とを有するラダー型フィルタを構成している。また、前記基板に、前記少なくともひとつの直列腕共振子に並列に接続される第1のインダクタと、少なくとも1つの前記並列腕共振子とグラウンド電位との間に接続される第2のインダクタと、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に設けられたシールド電極とが設けられている。

0011

本発明に係る弾性波フィルタ装置のある特定の局面では、前記基板にグラウンド電位に接続されるグラウンド端子が設けられており、前記シールド電極が前記グラウンド端子に電気的に接続されている。この場合には、シールド電極がグラウンド電位に接続されるため、帯域外減衰量をより一層大きくすることができる。

0012

本発明に係る弾性波フィルタ装置の他の特定の局面では、前記シールド電極が、前記並列腕共振子のグラウンド電位に接続される端部と電気的に接続されている。この場合には、並列腕共振子のグラウンド電位に接続される端子とシールド電極のグラウンド電位に接続される部分とを共通化することができる。従って、グラウンド電位に接続するための端子を少なくすることができる。

0013

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとが、前記基板において横方向に隔てられており、横方向に隔てられた第1のインダクタと第2のインダクタとの間に前記シールド電極が配置されている。この場合には、第1のインダクタと第2のインダクタとの電磁界結合がシールド電極により効果的に抑制される。

0014

本発明に係る弾性波フィルタ装置の他の特定の局面では、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとが前記基板内において、前記基板の厚み方向に隔てらてれおり、厚み方向に隔てられた前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に前記シールド電極が配置されている。この場合には、第1のインダクタと第2のインダクタとが厚み方向において隔てられているので、弾性波フィルタ装置の平面形状を小さくすることができる。

0015

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記第1のインダクタが前記入力端及び前記出力端の内の一方に最も近い直列腕共振子に並列に接続されており、複数の前記並列腕共振子の内、前記入力端及び前記出力端の他方に近い側の少なくとも一つの並列腕共振子に前記第2のインダクタが接続されている。この場合には、第1のインダクタと第2のインダクタとを遠ざけることができる。従って、電磁界結合をより効果的に抑制することができる。

0016

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、少なくとも2つの並列腕にそれぞれ設けられている並列腕共振子のグラウンド電位に接続される端部同士が共通化されており、該共通化されている端部とグラウンド電位との間に前記第2のインダクタが接続されている。この場合には、並列腕共振子に接続される第2のインダクタのインダクタンス値を小さくすることができる。従って、小型化を図ることができる。また、第1のインダクタと第2のインダクタとを遠ざけることができる。従って、第1のインダクタと第2のインダクタとの電磁界結合をより効果的に抑制することができる。

0017

本発明に係るデュプレクサは、本発明の弾性波フィルタ装置からなる第1のフィルタと、第1のフィルタと通過帯域が異なる第2のフィルタとを備える。本発明のデュプレクサでは、第1のフィルタにおいて、第1のインダクタと第2のインダクタとの電磁界結合による影響が抑制される。従って、第1のフィルタの通過帯域近傍における帯域外減衰量を拡大することができ、かつ第2のフィルタの通過帯域におけるアイソレーション特性を改善することができる。

発明の効果

0018

本発明に係る弾性波フィルタ装置によれば、第1のインダクタと第2のインダクタとの間にシールド電極が設けられているため、第1のインダクタと第2のインダクタとの電磁界結合を抑制でき、従って弾性波フィルタ装置の通過帯域近傍における帯域外減衰量を拡大することができる。

図面の簡単な説明

0019

図1は、本発明の一実施形態に係る弾性波フィルタ装置を有するデュプレクサの回路図である。
図2(a)及び図2(b)は、本発明の一実施形態に係る弾性波フィルタ装置の平面図及び模式的正面図である。
図3(a)〜図3(c)は、本発明の一実施形態の弾性波フィルタ装置に用いられる基板の第1層目、第2層目及び第3層目に設けられている電極構造を示す各模式的平面図である。
図4(a)は、本発明の一実施形態の弾性波フィルタ装置の基板の最下層の電極構造を示す模式的平面図であり、図4(b)は、該最下層に設けられるレジストパターンを示す模式的平面図である。
図5は、本発明の一実施形態の弾性波フィルタ装置及び比較例の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。
図6は、本発明の一実施形態及び比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を示す図である。
図7は、本発明の一実施形態及び一実施形態の第1の変形例と第2の変形例の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。

実施例

0020

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

0021

図1は、本発明の一実施形態に係る弾性波フィルタ装置を有するデュプレクサの回路図である。

0022

本実施形態のデュプレクサ1では、アンテナ端子5と送信端子6との間に送信フィルタ3が構成されている。アンテナ端子5と第1,第2の受信端子7,8との間に受信フィルタ4が接続されている。

0023

送信フィルタ3は、ラダー型回路構成を有する弾性波フィルタ素子チップ3Aを有する。図1では、弾性波フィルタ素子チップ3A内に構成されている部分を一点鎖線で囲むこととする。すなわちアンテナ端子5と送信端子6とを結ぶ直列腕において複数の直列腕共振子S1〜S5が互いに直列に接続されている。直列腕とグラウンド電位との間に延びるように、複数の並列腕が構成されている。すなわち、それぞれ並列腕共振子P1,P2,P3またはP4を有する並列腕が構成されている。

0024

並列腕共振子P1〜P3の一端は直列腕に接続されており、他端が共通化されている。この共通化されている端子を共通端子3aとする。共通端子3aとグラウンド電位との間に第2のインダクタL2が接続されている。第2のインダクタL2が接続されている並列腕共振子P1〜P3は送信端子6とは反対側すなわちアンテナ端子5側に配置されている。

0025

他方、送信端子6に最も近い直列腕共振子S5には、直列腕共振子に並列に接続されるインダクタンスである橋絡インダクタンスが接続されている。この橋絡インダクタンスが第1のインダクタL1である。

0026

送信フィルタ3では、入力端が送信端子6であり、出力端がアンテナ端子5側の端部となる。従って、上記第1のインダクタL1が入力端側に配置されている。また、並列腕共振子P1〜P3と接続される第2のインダクタL2が出力端側に配置されている。

0027

受信フィルタ4はバランス型弾性波フィルタであり、不平衡端子としてのアンテナ端子5と、第1,第2の平衡端子としての第1,第2の受信端子7,8とを有する。アンテナ端子5と第1の受信端子7との間には1ポート型共振子9及び第1の縦結合共振子型弾性波フィルタ部10が接続されている。第1の縦結合共振子型弾性波フィルタ部10とグラウンド電位との間に共振子11が接続されている。同様に、アンテナ端子5と第2の受信端子8との間に、1ポート型弾性波共振子12及び第2の縦結合共振子型弾性波フィルタ部13が接続されている。第2の縦結合共振子型弾性波フィルタ部13とグラウンド電位との間に共振子14が接続されている。

0028

本実施形態のデュプレクサ1では、送信フィルタ3の通過帯域は1920〜1980MHzであり、受信フィルタ4の通過帯域は2110〜2170MHzである。

0029

ところで、上記第1のインダクタL1及び第2のインダクタL2は、弾性波フィルタ素子チップ3Aが搭載される基板に構成されている。これを、図2(a),(b)、図3(a)〜(c)及び図4(a)を参照して説明する。

0030

図2(a)及び(b)に示すように、デュプレクサ1では、基板2の上面に弾性波フィルタ素子チップ3Aと受信フィルタ4を構成するチップとが搭載されている。他方、前述した第1のインダクタL1及び第2のインダクタL2は基板2に構成されている。

0031

基板2は、複数の絶縁層を積層してなる積層基板からなる。図3(a)〜(c)及び図4(a)は基板2の上面である第1層2A、第1層2Aの下方に位置する第2層2B、第2層2Bの下方に位置する第3層2C及び基板2の下面である第4層2D上の電極構造を示す各模式的平面図である。なお、基板2の上面を平面視する方向において、上面から下面に向かう向きを下向き、反対の向きを上向きとする。

0032

図3(a)に示すように、基板2の第1層2Aにおいては、一点鎖線で示す弾性波フィルタ素子チップ3Aが搭載される領域に電極ランド21a〜21fが設けられている。基板2の第1層2Aにおいて領域を除く残りの領域であって、前述した受信フィルタ4を構成するチップが搭載される領域に電極ランド21g〜21lが形成されている。

0033

また、図3(a)に破線の円で示す複数のビアホール電極が第1層2Aから他方の第2層2Bに向かって延ばされている。例えば、電極ランド21bの下面から下方に延びるようにビアホール電極31aが形成されている。同様に、電極ランド21dの下面からビアホール電極32aが第2層2B側に延ばされている。また、電極ランド21eの下面からビアホール電極33aが、電極ランド21fの下面からビアホール電極34aが第2層2B側に向かって延ばされている。電極ランド21gからはビアホール電極35aが第2層2B側に向かって延ばされている。

0034

図3(b)に示すように、第2層2Bにおいては、第1のインダクタを構成するシールド導体部22aとシールド電極を構成するシールド導体22b,22cと、第2のインダクタを構成するシールド導体部22dとが送信フィルタチップが搭載される領域の下方に形成されている。また、前述した受信フィルタが構成される領域の下方においては、接続導体部22e,22fが設けられている。

0035

図3(b)において、実線の円で示すビアホール電極31a,32a,32d,34aは、前述したように、第1層2Aから第2層2B側に向かって延ばされており、下端において第2層2B上のシールド導体部22a、シールド導体部22b、シールド導体部22c及びシールド導体部22dに電極に接続されている。また、図3(b)の破線の円で示すビアホール電極31b,32b,33bは、第2層2Bから第3層2Cに向かって延ばされている。

0036

図3(c)に示すように第3層2Cにおいても、コイル導体部23a、シールド導体部23bと接続導体部23cとが形成されている。また、受信フィルタが構成されている領域の下方では、第3層2Cにおいて接続導体部23d及びグラウンド電極23eが形成されている。

0037

第3層2Cにおいても、上記コイル導体部23aの一端近傍に、前述したビアホール電極31bの一端が接続されている。コイル導体部23aの他端が第3層2Cから第4層2Dに延びるビアホール電極31cに電気的に接続されている。同様に、シールド導体部23bの一端にビアホール電極32bが接続されている。シールド導体部23bの他端には、第3層2Cから第4層2Dに向かって延びるビアホール電極32cが接続されている。接続導体部23cには、第3層2Cから第4層2Dに向って延びるビアホール電極33cが接続されている。

0038

受信フィルタ構成領域の下方においては、第3層2Cにおいて接続導体部23d及びグラウンド電極23eが形成されている。接続導体部23dには、ビアホール電極34bの上端が接続されている。

0039

図4(a)に示すように、基板2の下面すなわち第4層2Dでは送信端子24aグラウンド端子24b及びアンテナ端子24を構成する各電極ランドが形成されている。ここでは、送信端子24aに、ビアホール電極31cの下端が接続されている。グラウンド端子24bにビアホール電極32c,33cがそれぞれ接続されている。アンテナ端子24cにビアホール電極34bの下端が接続されている。

0040

実際には、上記アンテナ端子24c、送信端子24a及びグラウンド端子24bとの一部を露出するように、図4(b)に示す絶縁性材料からなるレジスト41が被覆される。それによって、外部との電極に際しての所望でない短絡を防止することができる。

0041

本実施形態の弾性波フィルタ装置では、弾性波フィルタ素子チップ3Aが基板2上に搭載されている。そして、基板2内において、前述した第1のインダクタL1と第2のインダクタL2が構成されている。より具体的には、第1のインダクタL1は、電極ランド21b−ビアホール電極31a−シールド導体部22a−ビアホール電極31b−コイル導体部23a−ビアホール電極31c−送信端子24eの線路により構成されている。

0042

他方、上記第1のインダクタL1と基板2内において横方向に隔てられて、第2のインダクタL2が構成されている。第2のインダクタL2は、電極ランド21e−ビアホール電極33a−コイル導体部22d−ビアホール電極部33b−接続導体部23c−ビアホール電極33c−グラウンド端子24bを結ぶ線路により構成されている。

0043

そして、上記第1のインダクタL1と第2のインダクタL2とが構成されている部分の間に、シールド電極が配置されている。このシールド電極は、電極ランド21d−ビアホール電極32a−シールド導体部22b−ビアホール電極32b−シールド導体部23b−ビアホール電極32cで構成されている。すなわち、上下方向に隔てられた第1,第2のインダクタの間に、上記シールド電極が構成されている。

0044

よって、本実施形態によれば、橋絡インダクタ層を構成している第1のインダクタL1と、並列腕共振子に接続されている第2のインダクタL2との間の電磁界結合を上記シールド電極により効果的に抑制することができる。それによって、後述する実験例から明らかなように、送信フィルタ3における通過帯域近傍における帯域外減衰量の拡大を図ることができる。またデュプレクサ1において、受信帯域におけるアイソレーションを改善することができる。

0045

特に、本実施形態では、シールド電極の一端がグラウンド電位に接続されるグラウンド端子24bに接続されている。すなわち、シールド電極がグラウンド電位に接続されることになるため、上記シールド電極による電磁界結合抑制効果をより一層高めることができる。もっとも、シールド電極は、グラウンド電位に接続されず、浮き電極の形態で構成されていてもよい。

0046

また、本実施形態では、上記のように、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2とが基板2内において横方向に隔てられていたが、図2(b)に破線で示すように、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2とが基板2内において厚み方向において隔てられていてもよい。その場合においても、破線で示すように第1のインダクタL1と第2のインダクタL2との間に破線で示すシールド電極Sを配置すればよい。なお、基板2の厚み方向とは、基板2の上面を平面視する方向である。

0047

また、本実施形態では、送信端子極側に最も近い直列腕共振子S5に第1のインダクタL1が接続されており、第2のインダクタL2は出力端であるアンテナ端子5側に配置された並列腕共振子P1〜P3に接続されている。従って、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2を容易に遠ざけることができる。それによっても、前述した電磁界結合を効果的に抑制することが可能とされている。もっとも、第1のインダクタL1及び並列腕共振子に接続される第2のインダクタL2が接続される位置は図1に示す構成に限定されるものではない。

0048

また、本実施形態では、第2のインダクタL2は、複数の並列腕共振子P1〜P3のグラウンド電位に接続される端部を共通化してなる共通端子3aに電気的に接続されている。従って、第2のインダクタL2に必要なインダクタンス値を小さくすることができ、第2のインダクタL2の小型化を図ることができる。よって、それによっても、第2のインダクタL2と第1のインダクタL1とを遠ざけることができ、電磁界結合をより効果的に抑制することができる。

0049

もっとも、複数の並列腕共振子のそれぞれに第2のインダクタが接続されていてもよく、複数の並列腕共振子のうち少なくとも1つも並列腕共振子とグラウンド電位との間に第2のインダクタが接続されている構成に本発明を適用することができる。

0050

同様に、橋絡インダクタを構成している第1のインダクタL1についても、直列腕共振子S5に限定されず、他の直列腕共振子に並列に接続されていてもよく、少なくとも1個の直列腕共振子に並列に橋絡インダクタが接続されている弾性波フィルタ装置に広く本発明を適用することができる。

0051

さらに、本実施形態では上記シールド導体部22b,22c,23bを有するシールド電極は、基板2内においてグラウンド端子24bに接続されており、並列腕共振子のグラウンド電位に接続される端子もグラウンド端子24bに電気的に接続されることになる。そのため、並列腕共振子のグラウンド電位に接続される端部と、シールド電極のグラウンド電位に接続される端部とをグラウンド端子24bにおいて共通化することが可能とされている。よって、グラウンド電位に接続される端子数を削減することが可能とされている。

0052

なお、デュプレクサ1において、送信フィルタ3の構成及び受信フィルタ4の基板2の下面に構成されている端子とを接続する構成については上記実施形態の構造を特に限定されるものではない。

0053

図5の実線は、本実施形態のデュプレクサ1の送信フィルタ3の横軸周波数[MHz]、縦軸挿入損失[dB]とした減衰量周波数特性を示す図である。図5の破線は上記シールド電極が設けられていないことを除いては上記実施形態と同様に構成されたデュプレクサの送信フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図5から明らかなように、比較例に比べ実施形態によれば送信帯域Txの通過帯域外おいて矢印Mで示す低域側近傍1650[MHz]の通過帯域外減衰量を約2dB、矢印Nで示す高域側近傍2300[MHz]の通過帯域外減衰量を約3dBと大幅に大きくし得ることがわかる。

0054

また、図6は、上記実施形態及び比較例のデュプレクサの横軸を周波数[MHz]とし、縦軸を挿入損失[dB]としたアイソレーション特性を示す図である。実線が実施形態の結果を破線が比較例の結果を示す。図6から明らかなように、比較例に比べ実施形態によれば矢印Oで示す受信帯域Rxにおけるアイソレーションが大幅に改善されることがわかる。

0055

上記実施形態によれば、送信帯域近傍における帯域外減衰量の拡大及び受信帯域におけるアイソレーションを改善し得るのは、上記第1のインダクタと第2のインダクタとの間の電磁界結合がシールド電極により効果的に抑制されているためと考えられる。

0056

なお、図7は、上記実施形態と、最もアンテナ端子側の直列腕共振子S1にインダクタL1を接続した第1の変形例と、アンテナ端と入力端の中間に配置された直列腕共振子S4にインダクタL1を接続した第2の変形例とにおいて、デュプレクサ1の送信フィルタ3の横軸を周波数[MHz]、縦軸を挿入損失[dB]とした減衰量周波数特性を示す図である。図7の実線は本実施形態である直列腕共振子S5にインダクタL1を接続した構成におけるデュプレクサの送信フィルタの減衰量周波数特性を示し、破線は直列腕共振子S5に代えて直列腕共振子S1にインダクタL1を接続した第1の変形例の送信フィルタの減衰量周波数特性を示し、一点鎖線は直列腕共振子S5に代えて直列腕共振子S4にインダクタL1を接続した第2の変形例の送信フィルタの減衰量周波数特性を示す。

0057

図7から明らかなように、比較例の直列腕共振子S5にインダクタL1を接続した構成と同じように、第1の変形例及び第2の変形例に関しても、送信帯域Txの通過帯域外おいて低域側近傍1650[MHz]及び高域側近傍2300[MHz]の通過帯域外減衰量を約2〜3dBで大きくし得ることがわかる。

0058

なお、本実施形態では、送信帯域Txの通過帯域1000[MHz]の低域側減衰量を第1の変形例及び第2の変形例の場合に比べて大きくできるため、より好ましい。

0059

なお、本発明の弾性波フィルタ装置におけるラダー型回路構成を実現するための各弾性波共振子については、弾性表面波共振子弾性境界波共振子などのさまざまな弾性波共振子により構成することができる。また、上記第1のインダクタ及び第2のインダクタについては、基板2に構成され得るに限り、図1のコイル導体部を有するものに限定されるものではない。さらに、基板2内において、磁性体層を部分的に設け第1,第2のインダクタの少なくとも一方を構成してもよい。

0060

また、上記実施形態では、デュプレクサ1の送信フィルタに適用した実施形態を説明したが、本発明の弾性波フィルタ装置は、基板上に弾性波フィルタ素子チップが搭載されているさまざまな弾性波フィルタ装置に広く適用し得ることを指摘しておく。

0061

1…デュプレクサ
2…基板
2A…第1層
2B…第2層
2C…第3層
2D…第4層
3…送信フィルタ
3A…弾性波フィルタ素子チップ
3a…共通端子
4…受信フィルタ
5…アンテナ端子
6…送信端子
7…第1の受信端子
8…第2の受信端子
9…1ポート型共振子
10…第1の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
11…共振子
12…1ポート型弾性波共振子
13…第2の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
14…共振子
21a〜21l…電極ランド
23a…コイル導体部
22a,22b,22c,22d,23b…シールド導体部
22e,22f,23c,23d…接続導体部
23e…グラウンド電極
24a…送信端子
24b…グラウンド端子
24c…アンテナ端子
24e…送信端子
31a,31b,31c,32a,32b,33a,33b,33c,34a,34b,35a…ビアホール電極
41…レジスト
L1…第1のインダクタ
L2…第2のインダクタ
P1〜P4…並列腕共振子
S1〜S5…直列腕共振子

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