図面 (/)

技術 アルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法

出願人 三井化学アグロ株式会社
発明者 大倉広成
出願日 2013年3月29日 (7年9ヶ月経過) 出願番号 2014-509140
公開日 2015年12月17日 (5年0ヶ月経過) 公開番号 WO2013-150988
状態 特許登録済
技術分野 有機低分子化合物及びその製造
主要キーワード パーフルオロアルキル化 硫酸アンモニウム鉄 アルキル化芳香族 グルコン酸鉄 シュウ酸鉄 芳香族アミド フマル酸鉄 ヨウ化鉄
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2015年12月17日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (1)

課題・解決手段

一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体と、一般式(3)で表されるハロアルキル化合物とを、塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む一般式(4)で表される芳香族アミド誘導体の製造方法が提供される。一般式中、XおよびYは水素原子ハロゲン原子等を示す。Aは水素原子、アルキル基、一般式(2)で表される基等を示す。G1およびG2は酸素原子等を示す。Q1はフェニル基等を示す。R1は水素原子、アルキル基等を示す。Z1はハロアルキル基等を示す。Xaはヨウ素原子等を示す。mは1〜4、n1は1〜5、n2は1〜4を示す。

概要

背景

国際公開第2005/73165号パンフレット、国際公開第2006/137376号パンフレット、及び国際公開第2010/18714号パンフレットには、有害生物防除作用を有するアミド誘導体として種々の化合物が開示され、該アミド誘導体を製造する上でパーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体が有用であることが開示されている。
パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアニリンの製造方法として、パーフルオロアルキルハロゲン化合物還元剤の存在下で反応させる製造方法が知られている(例えば、特開2001−122836号公報参照)。更に、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体の製造方法として、Journal of Fluorine Chemistry 22,541−556,1983が知られている。

また電子吸引基を有する芳香族環を有するアミド化合物ハロゲン化する方法は幾つか知られている(例えば、Bioorganic & Medicinal Chemistry,15(3),1212−1228,2007参照)が、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体をハロゲン化する方法は知られていない。

概要

一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体と、一般式(3)で表されるハロアルキル化合物とを、塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む一般式(4)で表される芳香族アミド誘導体の製造方法が提供される。一般式中、XおよびYは水素原子ハロゲン原子等を示す。Aは水素原子、アルキル基、一般式(2)で表される基等を示す。G1およびG2は酸素原子等を示す。Q1はフェニル基等を示す。R1は水素原子、アルキル基等を示す。Z1はハロアルキル基等を示す。Xaはヨウ素原子等を示す。mは1〜4、n1は1〜5、n2は1〜4を示す。

目的

本発明は上記に鑑み、アルキル基を有する芳香族アミド誘導体を、短工程、且つ工業的に利用可能な製造方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

下記一般式(1) (一般式(1)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子ハロゲン原子ニトロ基シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。mは1〜4の整数を示し、n1は1〜5の整数を示す。G1は酸素原子、または硫黄原子を示す。Yはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、またはアセチルアミノ基を示す。Aは水素原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、C1−C4アルキルアミノカルボニル基メチルスルフィニルC1−C4アルキルアミノカルボニル基、メチルスルホニルC1−C4アルキルアミノカルボニル基、アセチルアミノ基、無置換フェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基、または下記一般式(2) (一般式(2)中、G2は酸素原子、または硫黄原子を示す。R1は水素原子、C1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。Q1はC1−C6のアルキル基、C1−C6ハロアルキル基、無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。)で表される基を示す。前記複素環基は、ピリジル基ピリジン−N−オキシド基ピリミジニル基ピリダジル基、ピラジル基、フリル基チエニル基オキサゾリル基イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基イソチアゾリル基、イミダゾリル基トリアゾリル基、ピロリル基ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。)で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式(3) (一般式(3)中、Z1はC1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。Xaはヨウ素原子または臭素原子を示す。)で表されるハロアルキル化合物とを、塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む、下記一般式(4) (一般式(4)中、n2は1〜4の整数を示す。Z1は前記一般式(3)におけるZ1と同義であり、X、m、G1、Y、およびAは前記一般式(1)におけるX、m、G1、Y、およびAとそれぞれ同義である。)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法。

請求項2

前記一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式(5) (一般式(5)中、Y1、Y2、Y3、およびY4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基を示す。X、m、G1、およびAは前記一般式(1)におけるX、m、G1、およびAとそれぞれ同義である。)で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式(4)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式(6) (一般式(6)中、Z1は前記一般式(3)におけるZ1と同義である。Y1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、およびAは前記一般式(5)におけるY1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、およびAとそれぞれ同義である。)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である、請求項1に記載の製造方法。

請求項3

前記一般式(5)で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式(7) (一般式(7)中、G2、Q1、およびR1は前記一般式(2)におけるG2、Q1、およびR1とそれぞれ同義である。X、m、G1、Y1、Y2、Y3、およびY4は前記一般式(5)におけるX、m、G1、Y1、Y2、Y3、およびY4とそれぞれ同義である。)で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式(6)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式(8) (一般式(8)中、Z1は前記一般式(3)におけるZ1と同義である。Y1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、G2、Q1、およびR1は前記一般式(7)におけるY1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、G2、Q1、およびR1とそれぞれ同義である。)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である請求項2に記載の製造方法。

請求項4

請求項3に記載の製造方法により前記一般式(8)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、前記一般式(8)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下でハロゲン化する工程とを含む、下記一般式(10) (一般式(10)中、Z2はハロゲン原子を示す。X、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、Y3、およびZ1は前記一般式(8)におけるX、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、Y3、およびZ1とそれぞれ同義である。)で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法であって、前記一般式(8)において、Y4は水素原子である、ハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法。

請求項5

下記一般式(7) (一般式(7)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。mは1〜4の整数を示す。G1およびG2はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。Y1、Y2、Y3、およびY4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基を示す。R1は水素原子、C1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。Q1はC1−C6のアルキル基、C1−C6ハロアルキル基、無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−N−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。)で表される芳香族アミド誘導体。

請求項6

下記一般式(9) (一般式(9)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。mは1〜4の整数を示す。G1およびG2はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。Y1、Y2、およびY3はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基を示す。Z1はC1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。R1は水素原子、C1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。Q1はC1−C6のアルキル基、C1−C6ハロアルキル基、無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−N−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体。

請求項7

前記一般式(9)におけるY1がC1−C2ハロアルキル基であり、Y2およびY3がそれぞれ水素原子であり、Z1がC1—C6ハロアルキル基であり、Xがハロゲン原子である請求項6に記載のアルキル化芳香族アミド誘導体。

技術分野

0001

本発明は、アルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法に関する。

背景技術

0002

国際公開第2005/73165号パンフレット、国際公開第2006/137376号パンフレット、及び国際公開第2010/18714号パンフレットには、有害生物防除作用を有するアミド誘導体として種々の化合物が開示され、該アミド誘導体を製造する上でパーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体が有用であることが開示されている。
パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアニリンの製造方法として、パーフルオロアルキルハロゲン化合物還元剤の存在下で反応させる製造方法が知られている(例えば、特開2001−122836号公報参照)。更に、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体の製造方法として、Journal of Fluorine Chemistry 22,541−556,1983が知られている。

0003

また電子吸引基を有する芳香族環を有するアミド化合物ハロゲン化する方法は幾つか知られている(例えば、Bioorganic & Medicinal Chemistry,15(3),1212−1228,2007参照)が、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体をハロゲン化する方法は知られていない。

発明が解決しようとする課題

0004

特開2001−122836号公報にはアニリンの例が記載されているだけで、アミド化合物が具体的に開示されていない。本発明者らが特開2001−122836号公報に記載の方法でアミド化合物のパーフルオロアルキル化を試みたところ、反応は進行しなかった。

0005

またJournal of Fluorine chemistry 22,541−556,1983に記載の方法では、反応に高温を必要とするため、沸点が低いパーフルオロアルキルハロゲン化合物には適用できず、制約を生じる。また、この方法は、生成物収率および反応選択性も低いため実用性が期待できない。

0006

Bioorganic & Medicinal Chemistry,15(3),1212−1228,2007に記載の方法では、ハロゲン化の収率は低く、本発明者らが非特許文献2に記載の方法に従い電子吸引基を有するアミド化合物のハロゲン化反応を行ったところ、生成物の収率は低かった。結局、現時点では、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体をハロゲン化する工業的製造にとって利用可能な、反応方法示唆する知見は見出されていないのが実情である。

0007

本発明は上記に鑑み、アルキル基を有する芳香族アミド誘導体を、短工程、且つ工業的に利用可能な製造方法を提供すること、および当該製造方法に有用な製造中間体を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段

0008

本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、アルキル基(好ましくはパーフルオロアルキル基)を有する芳香族アミド誘導体の新規な製造方法と該製造方法に利用できる新規な有用中間体を見出し、さらに該有用中間体を選択的にハロゲン化できることを見出した。このことにより、高い殺虫活性を有する新規殺虫剤を容易に製造するための方法を見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下のとおりである。

0009

<1> 下記一般式(1)

0010

(一般式(1)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子ハロゲン原子ニトロ基シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。mは1〜4の整数を示し、n1は1〜5の整数を示す。G1は酸素原子、または硫黄原子を示す。

0011

Yはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、またはアセチルアミノ基を示す。

0012

Aは水素原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、C1−C4アルキルアミノカルボニル基メチルスルフィニルC1−C4アルキルアミノカルボニル基、メチルスルホニルC1−C4アルキルアミノカルボニル基、アセチルアミノ基、
置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基、

0013

または下記一般式(2)

0014

(一般式(2)中、G2は酸素原子、または硫黄原子を示す。
R1は水素原子、C1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。
Q1はC1−C6のアルキル基、C1−C6ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または、無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。)で表される基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基ピリジン−N−オキシド基ピリミジニル基ピリダジル基、ピラジル基、フリル基チエニル基オキサゾリル基イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基イソチアゾリル基、イミダゾリル基トリアゾリル基、ピロリル基ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。)で表される芳香族アミド誘導体と、

0015

下記一般式(3)





(一般式(3)中、Z1はC1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。Xaはヨウ素原子または臭素原子を示す。)で表されるハロアルキル化合物とを、
塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む、下記一般式(4)

0016

0017

(一般式(4)中、n2は1〜4の整数を示す。Z1は前記一般式(3)におけるZ1と同義であり、X、m、G1、Y、およびAは前記一般式(1)におけるX、m、G1、Y、およびAとそれぞれ同義である。)
で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法。

0018

<2> 前記一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式(5)

0019

0020

(一般式(5)中、Y1、Y2、Y3、およびY4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基を示す。X、m、G1、およびAは前記一般式(1)におけるX、m、G1、およびAとそれぞれ同義である。)で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式(4)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式(6)

0021

0022

(一般式(6)中、Z1は前記一般式(3)におけるZ1と同義である。Y1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、およびAは前記一般式(5)におけるY1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、およびAとそれぞれ同義である。)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である、前記<1>に記載の製造方法。

0023

<3> 前記一般式(5)で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式(7)

0024

0025

(一般式(7)中、G2、Q1、およびR1は前記一般式(2)におけるG2、Q1、およびR1とそれぞれ同義である。X、m、G1、Y1、Y2、Y3、およびY4は前記一般式(5)におけるX、m、G1、Y1、Y2、Y3、およびY4とそれぞれ同義である。)で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式(6)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式(8)

0026

0027

(一般式(8)中、Z1は前記一般式(3)におけるZ1と同義である。Y1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、G2、Q1、およびR1は前記一般式(7)におけるY1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、G2、Q1、およびR1とそれぞれ同義である。)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である<2>に記載の製造方法。

0028

<4> 下記一般式(7a)

0029

(一般式(7a)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。mは1〜4の整数を示す。
G1およびG2はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Y1、Y2、およびY3はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基を示す。

0030

R1は水素原子、C1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。
Q1はC1−C6のアルキル基、C1−C6ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。

0031

前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−N−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。)で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式(3)

0032

(一般式(3)中、Z1はC1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。Xaはヨウ素原子または臭素原子を示す。)で表されるハロアルキル化合物とを、
塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させて下記一般式(9)

0033

0034

(一般式(9)中、Z1は一般式(3)におけるZ1と同義である。X、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、およびY3は前記一般式(7a)におけるX、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、およびY3とそれぞれ同義である。)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、
前記一般式(9)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下で、ハロゲン化する工程とを含む、下記一般式(10)

0035

0036

(一般式(10)中、Z2はハロゲン原子を示す。X、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、Y3、およびZ1は前記一般式(9)におけるX、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、Y3、およびZ1とそれぞれ同義である。)で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法。

0037

<4A> <2>に記載の製造方法により前記一般式(6)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、
前記一般式(6)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下でハロゲン化する工程とを含む、下記一般式(10)





(一般式(10)中、Z2はハロゲン原子を示す。X、m、G1、Y1、Y2、Y3、およびZ1は前記一般式(6)におけるX、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、Y3、およびZ1とそれぞれ同義であり、G2、Q1、およびR1は、前記一般式(2)におけるG2、Q1、およびR1とそれぞれ同義である。)で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法であって、前記一般式(6)において、Aは前記一般式(2)で表され、Y4は水素原子である。
<4B> <3>に記載の製造方法により前記一般式(8)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、
前記一般式(8)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下でハロゲン化する工程とを含む、下記一般式(10)





(一般式(10)中、Z2はハロゲン原子を示す。X、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、Y3、およびZ1は前記一般式(8)におけるX、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、Y3、およびZ1とそれぞれ同義である。)で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法であって、前記一般式(8)において、Y4は水素原子である。

0038

<5> 下記一般式(7)





(一般式(7)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。mは1〜4の整数を示す。
G1およびG2はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Y1、Y2、Y3、およびY4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基を示す。

0039

R1は水素原子、C1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。
Q1はC1−C6のアルキル基、C1−C6ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−N−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。)で表される芳香族アミド誘導体。

0040

<6> 下記一般式(9)

0041

(一般式(9)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。mは1〜4の整数を示す。
G1およびG2はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Y1、Y2、およびY3はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基を示す。
Z1はC1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。

0042

R1は水素原子、C1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。
Q1はC1−C6のアルキル基、C1−C6ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−N−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体。

0043

<7> 前記一般式(9)におけるY1がC1−C2ハロアルキル基であり、Y2およびY3がそれぞれ水素原子であり、Z1がC1—C6ハロアルキル基であり、Xがハロゲン原子である前記<6>に記載のアルキル化芳香族アミド誘導体。

発明の効果

0044

本発明によれば、アルキル基を有する芳香族アミド誘導体を、短工程、且つ工業的に利用可能な製造方法を提供するができる。また当該製造方法に有用な製造中間体を提供することができる。

0045

本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。
また本明細書の一般式において使用される文言は、その定義においてそれぞれ以下に説明されるような意味を有する。
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。「n−」はノルマルを意味し、「i−」はイソを意味し、「s−」はセカンダリーを意味し、「t−」はターシャリーを意味する。
「Ca−Cb(a、bは1以上の整数を表す)」との表記は、例えば、「C1−C3」とは炭素原子数が1〜3個であることを意味し、「C2−C6」とは炭素原子数が2〜6個であることを意味し、「C1−C4」とは炭素原子数が1〜4個であることを意味する。

0046

また「C1−C3アルキル基」とは例えば、メチルエチル、n−プロピル、i−プロピルなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜3個のアルキル基を示し、「C1−C4アルキル基」とは「C1−C3アルキル基」に加えて例えば、n−ブチル、s−ブチル、i−ブチル、t−ブチルなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルキル基を示し、「C1−C6アルキル基」とは、「C1−C4アルキル基」に加えて例えば、n−ペンチル、2−ペンチル、3−ペンチル、ネオペンチルn−ヘキシル、2−ヘキシル、4−メチル−2−ペンチル、3−メチル−n−ペンチルなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜6個のアルキル基を示す。

0047

「C1−C6ハロアルキル基」とは例えば、モノフルオロメチル、ジフルオロメチルトリフルオロメチルモノクロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチルモノブロモメチルジブロモメチル、トリブロモメチル、1−フルオロエチル、2−フルオロエチル、2,2−ジフルオロエチル、2,2,2−トリフルオロエチル、1−クロロエチル、2−クロロエチル、2,2−ジクロロエチル、2,2,2−トリクロロエチル、1−ブロモエチル、2−ブロモエチル、2,2−ジブロモエチル、2,2,2−トリブロモエチル、2−ヨードエチル、ペンタフルオロエチル、3−フルオロ−n−プロピル、3−クロロ−n−プロピル、3−ブロモ−n−プロピル、1,3−ジフルオロ−2−プロピル、1,3−ジクロロ−2−プロピル、1,1,1−トリフルオロ−2−プロピル、1−クロロ−3−フルオロ−2−プロピル、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−クロロ−2−プロピル、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−n−プロピル、ヘプタフルオロ−i−プロピル、ヘプタフルオロ−n−プロピル、4−フルオロ−n−ブチル、ノナフルオロ−n−ブチル、ノナフルオロ−2−ブチル、ノナフルオロ−i−ブチル、ウンデカフルオロ−n−ペンチル、ウンデカフルオロ−i−ペンチル、ウンデカフルオロ−ネオペンチル、トリデカフルオロ−n−ヘキシル、トリデカフルオロ−n−ヘキシル、などの同一または異なっていてもよい1以上のハロゲン原子によって置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜6個のアルキル基を示す。

0048

「C2−C4アルケニル基」とは例えば、ビニルアリル、2−ブテニル、3−ブテニルなどの炭素鎖の中に二重結合を有する炭素原子数2〜4個のアルケニル基を示し、「C2−C4ハロアルケニル基」とは例えば、3,3−ジフルオロ−2−プロペニル、3,3−ジクロロ−2−プロペニル、3,3−ジブロモ−2−プロペニル、2,3−ジブロモ−2−プロペニル、4,4−ジフルオロ−3−ブテニル、3,4,4−トリブロモ−3−ブテニルなどの同一または異なっていてもよい1以上のハロゲン原子によって置換された炭素鎖の中に二重結合を有する直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数2〜4個のアルケニル基を示す。

0049

「C2−C4アルキニル基」とは例えば、プロパルギル、1−ブチン−3−イル、1−ブチン−3−メチル−3−イルなどの炭素鎖の中に三重結合を有する直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数2〜4個のアルキニル基を示し、「C2−C4ハロアルキニル基」とは例えば、同一または異なっていてもよい1以上のハロゲン原子によって置換された炭素鎖の中に三重結合を有する直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数2〜4個のアルケニル基を示す。

0050

「C3−C6シクロアルキル基」とは例えば、シクロプロピルシクロブチルシクロペンチル、2−メチルシクロペンチル、3−メチルシクロペンチル、シクロヘキシルなどの環状構造を有する炭素原子数3〜6個のシクロアルキル基を示し、「C3−C6ハロシクロアルキル基」とは例えば、2,2,3,3−テトラフルオロシクロブチル、2−クロロシクロヘキシル、4−クロロシクロヘキシルなどの同一または異なっていてもよい1以上のハロゲン原子によって置換された環状構造を有する炭素原子数3〜6個のシクロアルキル基を示す。

0051

「C1−C4アルコキシ基」とは例えば、メトキシエトキシ、n−プロピルオキシイソプロピルオキシ、n−ブチルオキシ、i−ブチルオキシなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜3個のアルコキシ基を示し、「C1−C4ハロアルコキシ基」とは例えば、トリフルオロメトキシ、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピルオキシ、2,2,2−トリフルオロエトキシ、2−クロロエトキシ,3−フルオロ−n−プロピルオキシ、1,1,1,3,3,4,4,4−オクタフルオロ−2−ブチルオキシなどの同一または異なっていてもよい1個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のハロアルコキシ基を示す。

0052

「C1−C4アルキルチオ基」とは例えば、メチルチオエチルチオ、n−プロピルチオ、i−プロピルチオ、シクロプロピルチオ、n−ブチルチオ、i−ブチルチオ、s−ブチルチオ、t−ブチルチオ、シクロプロピルメチルチオなどの直鎖状、分岐鎖状または環状の炭素原子数1〜4個のアルキルチオ基を示す。「C1−C4ハロアルキルチオ基」とは例えば、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、2,2,2−トリフルオロエチルチオ、ヘプタフルオロ−n−プロピルチオ、ヘプタフルオロ−i−プロピルチオ、ノナフルオロ−n−ブチルチオ、ノナフルオロ−i−ブチルチオ、ノナフルオロ−s−ブチルチオ、4,4,4−トリフルオロ−n−ブチルチオなどの同一または異なっていてもよい1個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルキルチオ基を示す。

0053

「C1−C4アルキルスルフィニル基」とは例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、n−プロピルスルフィニル、i−プロピルスルフィニル、シクロプロピルスルフィニル、n−ブチルスルフィニル、i−ブチルスルフィニルなどの直鎖状または分岐鎖状または環状の炭素原子数1〜4個のアルキルスルフィニル基を示し、「C1−C4ハロアルキルスルフィニル基」とは例えば、トリフルオロメチルスルフィニル、ペンタフルオロエチルスルフィニル、2,2,2−トリフルオロエチルスルフィニル、ヘプタフルオロ−n−プロピルスルフィニル、ヘプタフルオロ−i−プロピルスルフィニル、ノナフルオロ−n−ブチルスルフィニル、ノナフルオロ−i−ブチルスルフィニル、ノナフルオロ−s−ブチルスルフィニル、4,4,4−トリフルオロ−n−ブチルスルフィニルなどの同一または異なっていてもよい1個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルキルスルフィニル基を示す。

0054

「C1−C4アルキルスルホニル基」とは例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピルスルホニル、i−プロピルスルホニル、シクロプロピルスルホニル、n−ブチルスルホニル、i−ブチルスルホニルなどの直鎖状または分岐鎖状または環状の炭素原子数1〜4個のアルキルスルホニル基を示し、「C1−C4ハロアルキルスルホニル基」とは例えば、トリフルオロメチルスルホニル、ペンタフルオロエチルスルホニル、2,2,2−トリフルオロエチルスルホニル、ヘプタフルオロ−n−プロピルスルホニル、ヘプタフルオロ−i−プロピルスルホニル、ノナフルオロ−n−ブチルスルホニル、ノナフルオロ−s−ブチルスルホニルなどの同一または異なっていてもよい1個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルキルスルホニル基を示す。
「アリールスルホニル基」とは例えば、フェニルスルホニル、p−トルエンスルホニル、1−ナフチルスルホニル、2−ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル、フェナントリルスルホニル、アセナフチニルスルホニルなどの芳香環を有する炭素原子数6〜14個のアリールスルホニル基を示す。

0055

「C1−C4アルキルアミノ基」とは例えば、メチルアミノエチルアミノ、n−プロピルアミノ、i−プロピルアミノ、n−ブチルアミノシクロプロピルアミノなどの直鎖状、分岐鎖状または環状の炭素原子数1〜4個のアルキルアミノ基を示し、「ジC1−C4アルキルアミノ基」とは例えば、ジメチルアミノジエチルアミノ、N−エチル−N−メチルアミノなどの同一または異なっていてもよい直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルキル基2つにより置換されたアミノ基を示す。

0056

「C1−C4アルキルカルボニル基」とは例えば、ホルミルアセチルプロピオニルイソプロピルカルボニルシクロプロピルカルボニルなどの直鎖状、分岐鎖状または環状の炭素原子数1〜4個のアルキルカルボニル基を示す。「C1−C4ハロアルキルカルボニル基」とは例えば、フルオロアセチル、ジフルオロアセチルトリフルオロアセチルクロロアセチルジクロロアセチルトリクロロアセチル、ブロモアセチル、ヨードアセチル、3,3,3−トリフルオロプロピオニル、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピオニルなどの同一または異なっていてもよい1以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルキルカルボニル基を示す。

0057

「C1−C4アルキルカルボニルオキシ基」とは例えば、アセトキシプロピオニルオキシなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルキルカルボニルオキシ基を示し、「C1−C4アルコキシカルボニル基」とは例えば、メトキシカルボニルエトキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニルなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルコキシカルボニル基を示す。

0058

「C1−C6パーフルオロアルキル基」とは例えば、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロ−n−プロピル、ヘプタフルオロ−i−プロピル、ノナフルオロ−n−ブチル、ノナフルオロ−2−ブチル、ノナフルオロ−i−ブチル、パーフルオロ−n−ペンチル、パーフルオロ−n−ヘキシルなどのフッ素原子により全て置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜4個のアルキル基を示す。
「C1−C6パーフルオロアルキルチオ基」とは例えば、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、ヘプタフルオロ−n−プロピルチオ、ヘプタフルオロ−i−プロピルチオ、ノナフルオロ−n−ブチルチオ、ノナフルオロ−2−ブチルチオ、ノナフルオロ−i−ブチルチオ、パーフルオロ−n−ペンチルチオ、パーフルオロ−n−ヘキシルチオなどのフッ素原子により全て置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜6個のアルキルチオ基を示す。
「C1−C6パーフルオロアルキルスルフィニル基」とは例えば、トリフルオロメチルスルフィニル、ペンタフルオロエチルスルフィニル、ヘプタフルオロ−n−プロピルスルフィニル、ヘプタフルオロ−i−プロピルスルフィニル、ノナフルオロ−n−ブチルスルフィニル、ノナフルオロ−2−ブチルスルフィニル、ノナフルオロ−i−ブチルスルフィニル、パーフルオロ−n−ペンチルスルフィニル、パーフルオロ−n−ヘキシルスルフィニルなどのフッ素原子により全て置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜6個のアルキルスルフィニル基を示す。
「C1−C6パーフルオロアルキルスルホニル基」とは例えば、トリフルオロメチルスルホニル、ペンタフルオロエチルスルホニル、ヘプタフルオロ−n−プロピルスルホニル、ヘプタフルオロ−i−プロピルスルホニル、ノナフルオロ−n−ブチルスルホニル、ノナフルオロ−2−ブチルスルホニル、ノナフルオロ−i−ブチルスルホニル、パーフルオロ−n−ペンチルスルホニル、パーフルオロ−n−ヘキシルスルホニルなどのフッ素原子により全て置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数1〜6個のアルキルスルホニル基を示す。

0059

本発明における一般式(1)および一般式(3)等で表される化合物は、その構造式中に1個または複数個不斉炭素原子または不斉中心を含む場合があり、2種以上の光学異性体が存在する場合もある。本発明は各々の光学異性体およびそれらが任意の割合で含まれる混合物をも全て包含するものである。
また、本発明における一般式(1)および一般式(3)等で表される化合物は、その構造式中に、炭素炭素二重結合由来する2種以上の幾何異性体が存在する場合もある。本発明は各々の幾何異性体が任意の割合で含まれる混合物をも全て包含する。

0060

本発明の下記一般式(4)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法は、下記一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式(3)で表されるハロアルキル化合物とを、塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む。前記製造方法は必要に応じてその他の工程を更に含んでもよい。

0061

0062

一般式(1)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。mは1〜4の整数を示し、n1は1〜5の整数を示す。前記Xが複数存在する場合、それぞれのXは同一でも異なっていてもよい。
G1は酸素原子、または硫黄原子を示す。

0063

Yはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、またはアセチルアミノ基を示す。
前記Yが複数存在する場合、それぞれのYは同一でも異なっていてもよい。

0064

Aは水素原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、C1−C4アルキルアミノカルボニル基、メチルスルフィニルC1−C4アルキルアミノカルボニル基、メチルスルホニルC1−C4アルキルアミノカルボニル基、アセチルアミノ基、無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基、または下記一般式(2)で表される基を示す。

0065

0066

一般式(2)中、G2は酸素原子、または硫黄原子を示す。
R1は水素原子、C1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。
Q1はC1−C6のアルキル基、C1−C6ハロアルキル基、無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4ハロアルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または、無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C2−C4アルケニル基、C2−C4ハロアルケニル基、C2−C4アルキニル基、C2−C4ハロアルキニル基、C3−C6シクロアルキル基、C3−C6ハロシクロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、C1−C4ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、C1−C4アルキルアミノ基、ジC1−C4アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニル基、C1−C4アルキルカルボニルオキシ基、C1−C4アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される1以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
なお、一般式(1)における複素環基は、ピリジル基、ピリジン−N−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。

0067

本発明における一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体は、殺虫剤として有用な一般式(10)で表される化合物を製造する上で特に有用な製造中間体である。
一般式(1)における置換基Xは、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、C1−C4アルコキシ基、またはジメチルアミノ基であり、好ましくはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはジメチルアミノ基である。mは、1〜4の整数であり、より好ましくは1〜3の整数である。

0068

また置換基Aは、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基、置換基を有するフェニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基または上記一般式(2)で表される基であることが好ましい。
一般式(2)中の置換基G2は酸素原子、または硫黄原子であり、好ましくは酸素原子である。
置換基Q1は無置換のフェニル基、置換基を有するフェニル基、または無置換の複素環基、置換基を有する複素環基、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルコキシ基、C1−C4ハロアルコキシ基であることが好ましい。
置換基R1は、水素原子、C1−C6アルキル基またはC1−C6ハロアルキル基であることが好ましい。

0069

置換基Yは、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基であることが好ましい。n1は1〜5の整数であり、より好ましくは1〜3の整数である。

0070

前記一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体は、下記一般式(5)で表される芳香族アミド誘導体であることが好ましく、下記一般式(7)で表される芳香族アミド誘導体であることがより好ましい。

0071

0072

一般式(5)中、Y1、Y2、Y3、およびY4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6アルキル基、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4アルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4アルキルスルフィニル基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、C1−C4アルキルスルホニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基を示す。X、m、G1、およびAは前記一般式(1)におけるX、m、G1、およびAとそれぞれ同義である。

0073

一般式(5)におけるY1、Y2、Y3、およびY4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、C1−C6ハロアルキル基、C1−C4ハロアルキルチオ基、C1−C4ハロアルキルスルフィニル基、またはC1−C4ハロアルキルスルホニル基であることが好ましい。

0074

一般式(7)におけるG2、Q1、およびR1は前記一般式(2)におけるG2、Q1、およびR1とそれぞれ同義である。X、m、G1、Y1、Y2、Y3、およびY4は前記一般式(5)におけるX、m、G1、Y1、Y2、Y3、およびY4とそれぞれ同義である。

0075

一般式(7)で表される化合物は、例えば、2−アミノベンゾトリフルオリド安息香酸誘導体とを原料として製造される。安息香酸誘導体は、2−クロロ−3−ニトロ安息香酸を原料として、WO2010/18857号に記載の方法で製造することができる。

0076

一般式(3)におけるZ1はC1−C6アルキル基、またはC1−C6ハロアルキル基を示す。好ましくはC1−C6ハロアルキル基であり、より好ましくはC1−C6パーフルオロアルキル基である。
Xaはヨウ素原子または臭素原子を示す。

0077

一般式(4)におけるn2は1〜4の整数を示し、1〜3の整数であることが好ましい。
Z1は前記一般式(3)におけるZ1と同義であり、好ましい態様も同様である。
X、m、G1、Y、およびAは前記一般式(1)におけるX、m、G1、Y、およびAとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。

0078

前記一般式(4)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体は、下記一般式(6)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体であることが好ましく、下記一般式(8)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体であることがより好ましい。

0079

0080

一般式(6)におけるZ1は、前記一般式(3)におけるZ1と同義であり、好ましい態様も同様である。Y1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、およびAは前記一般式(5)におけるY1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、およびAとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。

0081

一般式(8)におけるZ1は、前記一般式(3)におけるZ1と同義であり、好ましい態様も同様である。Y1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、G2、Q1、およびR1は前記一般式(7)におけるY1、Y2、Y3、Y4、X、m、G1、G2、Q1、およびR1とそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。

0082

一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体と、一般式(3)で表されるハロアルキル化合物との反応に用いられる金属としては、リチウムナトリウムカルシウムマグネシウム亜鉛アルミニウムマンガンタングステン、スズ、クロム、金、白金、銀、銅、鉄、ニッケルコバルト、鉛、チタンおよびそれらの合金を例示することができる。中でも、銅、鉄、および亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。

0083

また上記反応に使用される金属塩としては、2価を示す鉄金属塩、具体的には硫酸アンモニウム鉄(II)、フッ化鉄(II)、塩化鉄(II)、臭化鉄(II)、ヨウ化鉄(II)、硫酸鉄(II)、シュウ酸鉄(II)、ヘキサシアノ鉄(II)酸カリウムグルコン酸鉄(II)n水和物、硫酸トリス(1,10−フェナントロリン)鉄(II)、ヘキサシアノ鉄(II)酸アンモニウム鉄(III)、ステアリン酸鉄(II)、ヘキサシアノ鉄(II)酸アンモニウム、フマル酸鉄(II)、酢酸鉄(II)、ナフテン酸鉄(II)、テトラフルオロホウ酸鉄(II)、アミド硫酸鉄(II)、酸化鉄(II)チタン、硫酸鉄(II)エチレン二アンモニウム、および1価を示す銅金属、具体的には塩化銅(I)、シアン化銅(I)、臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)、硫化銅(I)、酢酸銅(I)、銅(I)トリフルオロメタンチオ−ル、チオシアン酸銅(I)、またはヨウ化サマリウム(II)等を挙げることができる。その中でも塩化鉄(II)、硫酸鉄(II)、硫酸鉄(II)水和物が好適である。

0084

上記金属および金属塩は、単独で使用してもよいが、2種以上混合して使用することができる。その使用量は特に限定されないが、通常は反応原料である一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体に対し、0.01倍モル当量〜5倍モル当量の範囲、好ましくは、1倍モル当量〜2倍モル当量の範囲で適宜選択して使用すれば良い。

0085

上記反応に使用される塩基としては、トリエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン等の有機塩基類、水酸化ナトリウム水酸化カリウムなどの水酸化アルカリ金属類、炭酸水素ナトリウム炭酸カリウムなどの炭酸塩類リン酸水素二カリウムリン酸三ナトリウムなどのリン酸塩類水素化ナトリウムなどの水素化アルカリ金属塩類ナトリウムメトキシドナトリウムエトキシドなどのアルカリ金属アルコラート類などを挙げることができる。
その中でも、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの水酸化アルカリ金属類が特に好適に使用できる。
これらの塩基は、一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体に対して0.01倍モル当量〜10倍モル当量の範囲、好ましくは5倍モル当量〜10倍モル当量の範囲で適宜選択して使用すればよい。

0086

上記反応は、無溶媒で行ってもよく、また不活性溶媒の存在下で行ってもよい。
不活性溶媒の存在下で行う場合の不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば特に制限されない。例えば、水;ベンゼントルエンキシレン等の芳香族炭化水素類ジクロロメタンクロロホルム四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類;ジエチルエーテルジオキサンテトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等の鎖状または環状エーテル類酢酸エチル酢酸ブチル等のエステル類メタノールエタノール等のアルコール類アセトンメチルイソブチルケトンシクロヘキサノン等のケトン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンN−メチル−2−ピロリドン等のアミド類アセトニトリル等のニトリル類ジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒を示すことができる。これらの溶媒は単独もしくは2種以上混合して使用することができる。
その中でも、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド類、ジメチルスルホキシドが特に好適に使用できる。

0087

これらの不活性溶媒の使用量は、一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体に対して2重量倍〜20重量倍の範囲、好ましくは5重量倍〜15重量倍の範囲で適宜選択して使用すればよい。

0088

上記反応における反応温度は、−20℃〜200℃の範囲、不活性溶媒を使用する場合はその沸点以下とすればよい。また反応時間は、数分間から96時間の範囲でそれぞれ適宜選択すればよい。

0089

上記反応における一般式(1)で表される芳香族アミド誘導体に対する一般式(3)で表されるハロアルキル化合物の混合比に特に制限はない。経済性の観点から、1倍モル当量〜3倍モル当量が好ましい。

0090

前記に示した製造方法において、目的物である一般式(4)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体は、反応終了後、反応系から常法に従って単離すれば良いが、必要に応じて、再結晶カラムクロマトグラフィー蒸留などの操作を行い精製することができる。

0091

本発明の一般式(10)で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法は、下記一般式(7a)で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式(3)で表されるハロアルキル化合物とを、塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させて下記一般式(9)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る第一の工程と、前記一般式(9)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下で、ハロゲン化する第二の工程とを含む。前記製造方法は必要に応じてその他の工程を更に含んでいてもよい。

0092

0093

一般式(7a)におけるG2、Q1、およびR1は前記一般式(2)におけるG2、Q1、およびR1とそれぞれ同義である。X、m、G1、Y1、Y2、およびY3は前記一般式(5)におけるX、m、G1、Y1、Y2、およびY3とそれぞれ同義である。

0094

一般式(9)におけるZ1は一般式(3)におけるZ1と同義である。X、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、およびY3は前記一般式(7a)におけるX、m、G1、G2、Q1、R1、Y1、Y2、およびY3とそれぞれ同義である。

0095

前記第一の工程の詳細については、既述の一般式(4)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法と同様である。

0096

前記第二の工程では、一般式(9)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下にハロゲン化することで、一般式(10)で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体が製造される。前記第二の工程は例えば、一般式(9)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体とハロゲン化剤とを塩基性条件下、不活性溶媒中または無溶媒で行うことができる。

0097

ハロゲン化剤としては、水素原子を塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子に変換可能であれば特に制限はない。具体的に例えば、塩素臭素ヨウ素、塩化スルフリルN−クロロスクシンイミドN−ブロモスクシンイミド、N−ヨードスクシンイミド一塩化ヨウ素、1,3−ジブロモ−5,5−ジメチルヒダントイン、1,3−ジヨード−5,5−ジメチルヒダントインなどを示すことができる。

0098

上記反応におけるハロゲン化剤の使用量は、一般式(9)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体に対して1.0倍モル当量〜5倍モル当量が好ましく、1.01倍モル当量〜1.5倍モル当量がより好ましい。

0099

上記反応に使用される不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば特に制限されない。例えば、水;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類;ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等の鎖状または環状エーテル類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;メタノール、エタノール等のアルコール類;アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド類;アセトニトリル等のニトリル類;ジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒を示すことができる。これらの溶媒は単独もしくは2種以上混合して使用することができる。
その中でも、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド類;ジメチルスルホキシドが特に好適に使用できる。

0100

これらの不活性溶媒の使用量は、一般式(9)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体に対して2重量倍〜10重量倍の範囲、好ましくは3重量倍〜8重量倍の範囲で適宜選択して使用すればよい。

0101

また、上記反応に使用される塩基としては、トリエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジンなどの有機塩基類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの水酸化アルカリ金属類、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウムなどの炭酸塩類、リン酸一水素二カリウム、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩類、水素化ナトリウムなどの水素化アルカリ金属塩類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどのアルカリ金属アルコラート類などを挙げることができる。
その中でも、水素化ナトリウムなどの水素化アルカリ金属塩類、水酸化ナトリウムなどの水酸化アルカリ金属類が特に好適に使用できる。
これらの塩基は、一般式(9)で表される芳香族アミド誘導体に対して0.01倍モル当量〜5倍モル当量の範囲、好ましくは1倍モル当量〜3倍モル当量の範囲で適宜選択して使用すればよい。

0102

反応温度は、例えば−20℃〜200℃の範囲、不活性溶媒を使用する場合はその沸点以下とすればよい。また反応時間は、数分間から96時間の範囲でそれぞれ適宜選択すればよい。

0103

前記に示した製造方法において、目的物は、反応終了後、反応系から常法に従って単離すれば良いが、必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留などの操作を行い精製することができる。

0104

以下、第1表から第3表に本発明の有効中間体である一般式(7)で表される化合物の代表的な化合物を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、表中、「Me」はメチル基を、「Et」はエチル基を、「H」は水素原子を、「F」はフッ素原子を、「Cl」は塩素原子を、「Br」は臭素原子を、「I」はヨウ素原子を、「CF3」はトリフルオロメチル基をそれぞれ表すものである。

0105

0106

0107

0108

0109

0110

0111

0112

0113

0114

0115

0116

0117

0118

0119

0120

0121

0122

0123

0124

0125

以下、第4表から第5表に本発明の有効中間体である一般式(9)で表される化合物の代表的な化合物を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、表中、「Me」はメチル基を、「Et」はエチル基を、「H」は水素原子を、「F」はフッ素原子を、「Cl」は塩素原子を、「Br」は臭素原子を、「I」はヨウ素原子を、「CF3」はトリフルオロメチル基をそれぞれ表すものである。

0126

0127

0128

0129

0130

0131

0132

0133

0134

0135

0136

0137

0138

本発明のアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法により得られる一般式(4)で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体は、有害生物防除作用に卓効を示すアミド誘導体の製造方法において極めて有用な製造中間体である。

0139

以下、本発明を実施例を参照しつつより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
尚、1H−NMR化学シフト値は、特に記載がない限り、テトラメチルシランを基準として低磁場側にppm単位で示される。また「s」は一重項を意味し、「d」は二重項を意味し、「t」は三重項を意味し、「m」は多重項を意味し、「brs」は幅の広い一重項を意味する。また、特記しない限り「%」は質量基準である。

0140

<合成例1>
[2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−(トリフルオロメチル)フェニルベンズアミドの製造]
2−(トリフルオロメチル)アニリン26.8g(166.3mmol)、トリエチルアミン37.0g(365.9mmol)および2−フルオロ−3−(N−メチルベンズアミド)ベンゾイルクロライド100.9g(365.9mmol)をテトラヒドロフラン(400mL)に加えて50℃にて3時間攪拌した。反応溶液フィルター濾過した後、濾液に水酸化ナトリウム14.6g(365.9mmol)の水溶液(125mL)を加え、50℃にて30分攪拌した。減圧下、溶媒を留去した後、酢酸エチルで抽出して、炭酸カリウム水溶液および飽和食塩水で順次洗浄した。有機層硫酸マグネシウムで乾燥させた後、硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した。得られた固体n−ヘキサンおよびイソプロピルエーテル洗浄し、乾燥することにより表題化合物63.2g(収率91%)を白色固体として得た。
1H−NMR(DMSO−d6、70℃、δppm)9.81(1H,s),7.80−7.69(2H,m),7.62−7.49(4H,m),7.33−7.21(6H,m),3.33(3H,s).

0141

<実施例1>
[2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−(トリフルオロメチル)−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)フェニル)ベンズアミドの製造]
粉状の水酸化ナトリウム0.8g(20mmol)と硫酸鉄(II)・七水和物0.93g(3.3mmol)を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、N,N−ジメチルホルムアミド5gを加え、2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−(トリフルオロメチル)フェニル)ベンズアミド1g(2.4mmol)およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル1g(3.4mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド5g溶液を加え、室温にて3時間攪拌した。得られた反応液セライトろ過し、酢酸エチル50mLで洗浄した後、得られた反応液に水40gを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣シリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物0.89g(収率63%)を白色固体として得た。
1H−NMR(CDCl3、δppm)8.86(1H,d,J=8.9Hz),8.68(1H,d,J=8.3Hz),8.01(1H,s),7.88−7.84(2H,m),7.36−7.29(7H,m),3.48(3H,s).

0142

<実施例2>
[2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−ブロモ−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)−6−(トリフルオロメチル)フェニル)ベンズアミドの製造]
水素化ナトリウム(60%品)68.5mg(1.71mmol)にN,N−ジメチルホルムアミド4g、および上記で得られた2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−(トリフルオロメチル)−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)フェニル)ベンズアミド1g(1.72mmol)を加え、氷浴下、10分間攪拌した。反応溶液にN−ブロモスクシンイミド0.31g(1.80mmol)を加え、室温にて2時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルで抽出した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物0.93g(収率82%)を白色固体として得た。
1H−NMR(CDCl3,ppm)δ 8.13(1H,s),7.97−8.06(2H,m),7.90(1H,s),7.43−7.45(1H,m),6.99−7.33(6H,m),3.50(3H,s).

0143

<実施例2−1>
[2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−ブロモ−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)−6−(トリフルオロメチル)フェニル)ベンズアミドの製造]
水酸化ナトリウム140mg(3.42mmol)にN,N−ジメチルホルムアミド5g、および上記で得られた2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−(トリフルオロメチル)−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)フェニル)ベンズアミド1g(1.72mmol)を加え、室温下、10分間攪拌した。反応溶液にN−ブロモスクシンイミド0.34g(1.90mmol)を加え、室温にて2時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルで抽出した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物0.64g(収率56%)を白色固体として得た。

0144

<実施例3>
[3−ニトロ−N−(2−(トリフルオロメチル)−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)フェニル)ベンズアミドの製造]
粉状の水酸化ナトリウム1.1g(27mmol)と硫酸鉄(II)・七水和物1.2g(4.5mmol)を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、N,N−ジメチルホルムアミド5gを加え、3−ニトロ−N−(2−(トリフルオロメチル)フェニル)ベンズアミド1.0g(3.2mmol)およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル1.3g(4.5mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド5g溶液を加え、室温にて3時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル50mLで洗浄した後、得られた反応液に水40gを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物0.44g(収率28%)を赤色固体として得た。
1H−NMR(DMSO−d6,δppm)10.82(1H*4/5,brs),10.71(1H*1/5,brs),8.77(1H*4/5,t,J=1.8Hz),8.73(1H*1/5,t,J=2.0Hz),8.50−8.46(1H,m),8.37−8.34(1H,m),8.21−8.20(1*1/5H,m),8.14−8.12(1*4/5H,m),7.96−7.94(2H,m),7.90−7.85(1H,m).

0145

<実施例4>
[3−シアノ−N−(2−(トリフルオロメチル)−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)フェニル)ベンズアミドの製造]
粉状の水酸化ナトリウム1.1g(29mmol)と硫酸鉄(II)・七水和物1.3g(4.8mmol)を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、N,N−ジメチルホルムアミド5gを加え、3−シアノ−N−(2−(トリフルオロメチル)フェニル)ベンズアミド1.0g(3.5mmol)およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル1.4g(4.8mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド5g溶液を加え、室温にて3時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル50mLで洗浄した後、得られた反応液に水40gを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物0.93g(収率59%)を白色固体として得た。
1H−NMR(DMSO−d6,δppm)10.64(1H*4/5,brs),10.51(1H*1/5,brs),8.36(1H*4/5,s),8.30(1H*1/5,s),8.23−8.20(1H,m),8.13−8.04(2H,m),7.94−7.89(2H,m),7.79−7.78(1H,m).

0146

<実施例5>
[2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−メチル−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)フェニル)ベンズアミドの製造]
粉状の水酸化ナトリウム0.55g(14mmol)と硫酸鉄(II)・七水和物0.64g(2.3mmol)を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、N,N−ジメチルホルムアミド3gを加え、2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−メチル−フェニル)ベンズアミド0.60g(1.7mmol)およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル0.68g(2.3mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド3g溶液を加え、室温にて3時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル50mLで洗浄した後、得られた反応液に水40gを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物0.26g(収率30%)を白色固体として得た。
1H−NMR(CDCl3,δppm)8.35(1H,d,J=8.6Hz),8.03−8.01(1H,m),7.49(1H,d,J=9.2Hz),7.43−7.37(4H,m),7.26−7.22(5H,m),3.49(3H,s),2.34(3H,s).

0147

<実施例6>
[2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−ブロモ−4−(ヘプタフルオロイソプロピル)フェニル)ベンズアミドの製造]
粉状の水酸化ナトリウム0.47g(12mmol)と硫酸鉄(II)・七水和物0.54g(1.9mmol)を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、N,N−ジメチルホルムアミド3gを加え、2—フルオロ—3—(N−メチルベンズアミド)−N−(2−ブロモ−フェニル)ベンズアミド0.60g(1.4mmol)およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル0.57g(1.9mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド3g溶液を加え、室温にて3時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル50mLで洗浄した後、得られた反応液に水40gを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物0.092g(収率11%)を白色固体として得た。
1H−NMR(CDCl3,δppm)8.97(1H,brs),8.70(1H,d,J=8.9Hz),8.01(1H,t,J=6.9Hz),7.84(1H,d,J=1.8Hz),7.60−7.59(1H,m),7.40−7.36(3H,m),7.29−7.22(4H,m),3.50(3H,s).

0148

以上から、本発明のアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法により、短工程で目的とするアルキル化芳香族アミド誘導体を得ることができた。

実施例

0149

日本出願第2012−085053の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ