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技術 検出装置及び基板

出願人 東芝テック株式会社
発明者 小宮研一新井竜一山邊奈緒子
出願日 2019年11月14日 (1年11ヶ月経過) 出願番号 2019-206099
公開日 2021年5月27日 (4ヶ月経過) 公開番号 2021-081194
状態 未査定
技術分野 光学的手段による材料の調査、分析
主要キーワード LCR回路 照射波 電磁波受信 電磁波発生 透過波 周期構造体 被検出物 回転モータ
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (7)

課題

基板に適切に電磁波を照射することができる検出装置及び基板を提供する。

解決手段

実施形態によれば、検出装置は、ステージと、発生部と、受信部と、プロセッサと、を備える。ステージは、サンプルが添付されている構造体と所定の偏光方向の電磁波を透過させる偏光子とを備える基板を電磁波の光軸中心軸として回転させる。発生部は、基板に電磁波を照射する。受信部は、基板を透過した電磁波の強度を測定する。プロセッサは、発生部に、電磁波を偏光子に照射させ、受信部から偏光子を透過した電磁波の強度を取得し、偏光子を透過した電磁波の強度に基づいてステージに基板の回転角度を調整させ、基板の回転角度を調整された後に、発生部に、電磁波を構造体に照射させ、受信部から構造体を透過した電磁波の強度を取得し、構造体を透過した電磁波の強度に基づいてサンプルに被検出物が存在するか判定する。

概要

背景

検出装置には、磁性体が修飾された物質被検出物)を含むサンプルが添付された基板電磁波を照射し、基板を透過する電磁波の強度に基づいて被検出物を検出するものがある。そのような検出装置は、所定の偏光方向を有する電磁波を基板に照射する。

従来、検出装置は、基板を固定するホルダなどの個体差によって、基板に適切に電磁波を照射できないことがある。

概要

基板に適切に電磁波を照射することができる検出装置及び基板を提供する。実施形態によれば、検出装置は、ステージと、発生部と、受信部と、プロセッサと、を備える。ステージは、サンプルが添付されている構造体と所定の偏光方向の電磁波を透過させる偏光子とを備える基板を電磁波の光軸中心軸として回転させる。発生部は、基板に電磁波を照射する。受信部は、基板を透過した電磁波の強度を測定する。プロセッサは、発生部に、電磁波を偏光子に照射させ、受信部から偏光子を透過した電磁波の強度を取得し、偏光子を透過した電磁波の強度に基づいてステージに基板の回転角度を調整させ、基板の回転角度を調整された後に、発生部に、電磁波を構造体に照射させ、受信部から構造体を透過した電磁波の強度を取得し、構造体を透過した電磁波の強度に基づいてサンプルに被検出物が存在するか判定する。

目的

国際公開第2010/110415号






上記の課題を解決するため、基板に適切に電磁波を照射することができる検出装置及び基板を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

サンプルが添付されている構造体と所定の偏光方向の電磁波を透過させる偏光子とを備える基板を電磁波の光軸中心軸として回転させるステージと、前記基板に電磁波を照射する発生部と、前記基板を透過した電磁波の強度を測定する受信部と、前記発生部に、電磁波を前記偏光子に照射させ、前記受信部から前記偏光子を透過した電磁波の強度を取得し、前記偏光子を透過した電磁波の強度に基づいて前記ステージに前記基板の回転角度を調整させ、前記基板の回転角度を調整された後に、前記発生部に、電磁波を前記構造体に照射させ、前記受信部から前記構造体を透過した電磁波の強度を取得し、前記構造体を透過した電磁波の強度に基づいて前記サンプルに被検出物が存在するか判定する、プロセッサと、を備える検出装置

請求項2

前記プロセッサは、前記偏光子を透過した電磁波の強度が最大となるように、前記ステージに前記基板の回転角度を調整させる、請求項1に記載の検出装置。

請求項3

前記ステージは、前記基板を搬送し、前記プロセッサは、前記基板の回転角度を調整された後、前記ステージに前記構造体に前記発生部からの電磁波が照射される位置へ前記基板を搬送させる、請求項1又は2に記載の検出装置。

請求項4

サンプルが添付され、第1の偏光方向を有する電磁波を透過させる構造体と、前記第1の偏光方向に対応する第2の偏光方向の電磁波を透過させる偏光子と、を備える基板。

請求項5

前記第1の偏光方向は、前記第2の偏光方向と同一である、請求項4に記載の基板。

技術分野

0001

本発明の実施形態は、検出装置及び基板に関する。

背景技術

0002

検出装置には、磁性体が修飾された物質被検出物)を含むサンプルが添付された基板に電磁波を照射し、基板を透過する電磁波の強度に基づいて被検出物を検出するものがある。そのような検出装置は、所定の偏光方向を有する電磁波を基板に照射する。

0003

従来、検出装置は、基板を固定するホルダなどの個体差によって、基板に適切に電磁波を照射できないことがある。

先行技術

0004

国際公開第2010/110415号

発明が解決しようとする課題

0005

上記の課題を解決するため、基板に適切に電磁波を照射することができる検出装置及び基板を提供する。

課題を解決するための手段

0006

実施形態によれば、検出装置は、ステージと、発生部と、受信部と、プロセッサと、を備える。ステージは、サンプルが添付されている構造体と所定の偏光方向の電磁波を透過させる偏光子とを備える基板を電磁波の光軸中心軸として回転させる。発生部は、前記基板に電磁波を照射する。受信部は、前記基板を透過した電磁波の強度を測定する。プロセッサは、前記発生部に、電磁波を前記偏光子に照射させ、前記受信部から前記偏光子を透過した電磁波の強度を取得し、前記偏光子を透過した電磁波の強度に基づいて前記ステージに前記基板の回転角度を調整させ、前記基板の回転角度を調整された後に、前記発生部に、電磁波を前記構造体に照射させ、前記受信部から前記構造体を透過した電磁波の強度を取得し、前記構造体を透過した電磁波の強度に基づいて前記サンプルに被検出物が存在するか判定する。

図面の簡単な説明

0007

図1は、実施形態に係る検出装置の構成例を概略的に示す図である。
図2は、実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。
図3は、実施形態に係る基板の構成例を概略的に示す図である。
図4は、実施形態に係る構造体の構成例を概略的に示す図である。
図5は、実施形態に係る基板の透過率の例を示すグラフである。
図6は、実施形態に係る検出装置の動作例を示すフローチャートである。

実施例

0008

以下、図面を参照して実施形態について説明する。なお、各図は実施形態とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは適宜、設計変更することができる。

0009

実施形態に係る検出装置は、たとえば、サンプルに含まれる特定の菌などの有機物(被検出物)を検出する。検出装置は、空隙が設けられた構造体を有する基板に対して所定の周波数を有する電磁波を照射し基板を透過した電磁波を検出する。検出センサは、サンプルが添付された構造体を透過した透過波の強度に基づいてサンプルに含まれる被検出物を検出する。

0010

図1は、検出装置1の構成例を概略的に示す。図1が示すように、検出装置1は、制御装置11、電磁波発生部12、光学系13、ステージ14、ホルダ15、ステージ16、光学系17、電磁波受信部18、ステージ19及び基板20などを備える。制御装置11と電磁波発生部12、ステージ16及び電磁波受信部18とは、互いに電気的に接続されている。

0011

なお、検出装置1は、図1が示すような構成の他に必要に応じた構成をさらに具備したり、検出装置1から特定の構成が除外されたりしてもよい。

0012

制御装置11は、検出装置1全体を制御する。制御装置11は、制御信号を送信し各部を制御する。また、制御装置11は、検出装置1の各部から種々の信号を受信する。たとえば、制御装置11は、ステージ16にホルダ15の位置及び回転角度を変更させる。また、制御装置11は、電磁波発生部12に電磁波を照射させる。また、制御装置11は、電磁波受信部18が検出した電磁波の強度を取得する。制御装置11は、電磁波の強度などに基づいて基板に被検出物が存在するか判定する。
制御装置11については、後に詳述する。

0013

電磁波発生部12は、制御装置11の制御に従って基板20に電磁波(照射波)を照射する。たとえば、電磁波発生部12は、制御装置11から印加される電圧に応じた周波数の電磁波を照射する。たとえば、電磁波発生部12は、数テラヘルス程度の周波数の電磁波を照射する。

0014

光学系13は、照射波の焦点を基板20上に合わせるレンズである。たとえば、光学系13は、複数のレンズから構成される。

0015

ステージ14は、電磁波発生部12及び光学系13を支持する部材である。ステージ14は、所定の台などに固定されている。

0016

ホルダ15は、基板20を支持する部材である。ホルダ15は、外部から基板20を脱着可能な機構を有する。たとえば、ホルダ15は、基板20を挿入可能な部材から構成される。

0017

ホルダ15は、電磁波が通過する光軸と基板20の面とが直交するように基板20を支持する。また、ホルダ15は、照射波が基板20に照射されるように基板20を支持する。たとえば、ホルダ15は、電磁波発生部12に向く面において照射波が通過する窓を有する。また、ホルダ15は、電磁波発生部12に向く面において透明な部材を備えてもよい。

0018

また、ホルダ15は、基板20を透過した電磁波(透過波)が外部に放出されるように基板20を支持する。たとえば、ホルダ15は、電磁波受信部18に向く面において透過波が通過する窓を有する。また、ホルダ15は、電磁波受信部18に向く面において透明な部材を備えてもよい。

0019

ステージ16は、ホルダ15を支持する部材である。ステージ16は、所定の台に固定さている。ステージ16は、制御装置11からの制御に従ってホルダ15を移動させる。即ち、ステージ16は、ホルダ15に支持される基板20を移動させる。ステージ16は、X軸方向(たとえば、図1の左右方向)、Y軸方向(たとえば、図1に対して鉛直方向)及びZ軸方向(たとえば、図1の上下方向)にホルダ15を移動させる。

0020

また、ステージ16は、制御装置11からの制御に従って電磁波が通過する光軸を中心軸としてホルダ15を回転させる。即ち、ステージ16は、光軸を中心として基板20を回転させる。

0021

光学系17は、透過波の焦点を電磁波受信部18に合わせるためのレンズである。たとえば、光学系13は、複数のレンズから構成される。

0022

電磁波受信部18は、透過波の強度を測定する。たとえば、電磁波受信部18は、強度に応じた電圧を制御装置11に出力する。たとえば、電磁波受信部18は、フォトトランジスタなどであってもよい。

0023

ステージ19は、光学系17及び電磁波受信部18を支持する部材である。ステージ14は、所定の台などに固定されている。

0024

図2は、検出装置1の制御系の構成例を示すブロック図である。図2が示すように、検出装置1は、制御装置11、電磁波発生部12、ステージ16及び電磁波受信部18などを備える。電磁波発生部12及び電磁波受信部18は、前述の通りである。

0025

ステージ16は、X軸モータ127、Y軸モータ128、Z軸モータ129及び回転モータ130などから構成される。

0026

X軸モータ127は、制御装置11からの制御に従って、ホルダ15をX軸方向に移動させるためのモータである。X軸モータ127は、ベルト又はギアなどを介してホルダ15をX軸方向に移動させる。

0027

Y軸モータ128は、制御装置11からの制御に従って、ホルダ15をY軸方向に移動させるためのモータである。Y軸モータ128は、ベルト又はギアなどを介してホルダ15をY軸方向に移動させる。

0028

Z軸モータ129は、制御装置11からの制御に従って、ホルダ15をZ軸方向に移動させるためのモータである。Z軸モータ129は、ベルト又はギアなどを介してホルダ15をZ軸方向に移動させる。

0029

回転モータ130は、制御装置11からの制御に従って、電磁波が通過する光軸を中心軸としてホルダ15を回転させるためのモータである。回転モータ130は、ベルト又はギアなどを介してホルダ15を回転に移動させる。

0030

制御装置11は、プロセッサ111、メモリ112、アドレスデコーダ113、ドライバ114、アンプ115、A/D変換器116、ドライバ117、ドライバ118、ドライバ119及びドライバ120などを備える、アドレスデコーダ113と、プロセッサ111、メモリ112、ドライバ114、A/D変換器116、ドライバ117、ドライバ118、ドライバ119及びドライバ120とは、互いに電気的に接続されている。A/D変換器116とアンプ115とは、互いに電気的に接続されている。ドライバ114と電磁波発生部12とは、互いに電気的に接続されている。アンプ115と電磁波受信部18とは、互いに電気的に接続されている。

0031

なお、制御装置11は、図2が示すような構成の他に必要に応じた構成をさらに具備したり、制御装置11から特定の構成が除外されたりしてもよい。

0032

プロセッサ111は、制御装置11全体の動作を制御する。たとえば、プロセッサ111は、ステージ16を制御して基板20の位置及び回転角度を制御する。また、プロセッサ111は、電磁波発生部12に電磁波を照射させる。また、プロセッサ111は、電磁波受信部18が検出した透過波の強度に基づいて被検出物の有無を判定する。

0033

たとえば、プロセッサ111は、CPUなどから構成される。また、プロセッサ111は、ASIC(Application Specific IntegratedCircuit)などから構成されるものであってもよい。また、プロセッサ111は、FPGA(Field Programmable Gate Array)などから構成されるものであってもよい。

0034

メモリ112は、種々のデータを格納する。たとえば、メモリ112は、ROM、RAM及びNVMとして機能する。
たとえば、メモリ112は、制御プログラム及び制御データなどを記憶する。制御プログラム及び制御データは、制御装置11の仕様に応じて予め組み込まれる。たとえば、制御プログラムは、制御装置11で実現する機能をサポートするプログラムなどである。

0035

また、メモリ112は、プロセッサ111の処理中のデータなどを一時的に格納する。また、メモリ112は、アプリケーションプログラムの実行に必要なデータ及びアプリケーションプログラムの実行結果などを格納してもよい。

0036

アドレスデコーダ113は、アドレスバスに従ってプロセッサ111からの制御信号を各部に供給する。たとえば、アドレスデコーダ113は、プロセッサ111からの制御信号が示すアドレスに基づいて、制御信号を供給する対象を決定する。

0037

ドライバ114は、電磁波発生部12を制御するためのインターフェースである。たとえば、ドライバ114は、プロセッサ111からの制御信号に基づいて電磁波発生部12に電圧を印加する。即ち、ドライバ114は、制御信号をアナログ信号に変換して電磁波発生部12に印加する。

0038

アンプ115は、電磁波受信部18からの電圧を所定の倍率増幅する。アンプ115は、増幅した電圧をA/D変換器116に出力する。

0039

A/D変換器116は、アンプ115が出力した電圧を示すセンサ信号(たとえば、デジタル信号)を生成する。即ち、A/D変換器116は、アンプ115からの電圧をデジタル信号に変換する。A/D変換器116は、センサ信号をプロセッサ111に送信する。

0040

ドライバ117、118、119及び120は、それぞれX軸モータ127、Y軸モータ128、Z軸モータ129及び回転モータ130を制御するためのインターフェースである。たとえば、ドライバ117、118、119及び120は、プロセッサ111からの制御信号に基づいて、それぞれX軸モータ127、Y軸モータ128、Z軸モータ129及び回転モータ130に電圧を印加する。

0041

なお、電磁波受信部18は、アンプ115を含むものであってもよい。また、電磁波受信部18は、アンプ115及びA/D変換器116を含むものであってもよい。

0042

また、ステージ16は、X軸モータ127、Y軸モータ128、Z軸モータ129及び回転モータ130の何れか2つ以上のモータを1つのモータで実現してもよい。

0043

次に、基板20について説明する。
図3は、基板20の上面図である。
図3が示すように、基板20は、基材21、構造体22及び偏光子23などから構成される。

0044

基材21は、たとえば、所定の大きさの矩形に形成される。基材21は、電磁波発生部12が照射する電磁波に対して変化を生じさせない素材から構成される。即ち、基材21は、たとえば、電磁波発生部12が照射する電磁波の周波数帯において透過性を有する素材から構成される。基材21は、シリコンウエハなどから構成される。また、基材21は、ポリエチレンなどの有機材料から構成されてもよい。

0045

基材の厚さは、100〜800μmの範囲である。たとえば、基材21の厚さは、525μm程度である。
なお、基材21の素材及び外寸は、特定の構成に限定されるものではない。

0046

構造体22は、電磁波の透過率における周波数特性においてピークを有する。構造体22は、ピークに寄与する所定の形状の構造体から構成される。構造体22は、例えば、電磁波発生部12が照射する電磁波の周波数帯においてピークを有する。

0047

構造体22に磁性ビーズなどの磁性体が付着すると、構造体22の透過率は、変化する。

0048

図4は、構造体22の構成例を示す。
構造体22は、周期的に複数個配置される周期構造体22aから構成されている。

0049

周期構造体22aは、環状構造である。周期構造体22aは、環の一部が切断する構造である。たとえば、周期構造体22aは、C字型に形成される。

0050

周期構造体22aは、金又はアルミニウムなどの導電体から形成される。構造体22は、複数の層を備える構造であってもよい。たとえば、周期構造体22aは、基材21との接着層としてクロム又はチタンなどの層を備えてもよい。

0051

たとえば、周期構造体22aの外寸は、18μm程度である。また、周期構造体22aの幅(環の幅)は、3μm程度である。また、周期構造体22aの厚さは、0.1μmから50μmの範囲である。周期構造体22aの厚さは、0.2μm程度である。
なお、周期構造体22aは、電磁波に共振するものであればよく、周期構造体22aの形状、大きさ及び個数は、特定の構成に限定されるものではない。

0052

周期構造体22aは、分割リング共振器を形成する。周期構造体22aは、分割リング共振器によってLCR(コイルコンデンサ抵抗回路を形成する。周期構造体22aは、LCR回路によって所定の共振周波数において共振特性を有する。

0053

構造体22は、所定の偏光方向(第1の偏光方向)を有する電磁波を透過させる。即ち、構造体22は、第1の偏光方向の成分を透過させる。ここでは、構造体22は、第1の偏光方向として偏光方向Eの電磁波を透過させる。

0054

偏光子23は、構造体22に並んで形成されている。偏光子23は、第1の偏光方向に対応する偏光方向(第2の偏光方向)の電磁波を透過させる。ここでは、第1の偏光方向は、第2の偏光方向と同一である。

0055

次に、制御装置11が実現する機能について説明する。以下の機能は、制御装置11のプロセッサ111がメモリ112などに格納されるプログラムを実行することで実現される。

0056

ここでは、構造体22に、被検出物が含まれる(含まれ得る)サンプルが添付されているものとする。たとえば、ユーザは、構造体22に、液状のサンプルを添付し乾燥させる。また、被検出物には磁性ビーズなどの磁性体が修飾されているものとする。

0057

まず、プロセッサ111は、電磁波発生部12からの電磁波が偏光子23に照射される位置に基板20を搬送させる制御を行う機能を有する。

0058

ユーザは、基板20をホルダ15にセットする。ここで、ユーザは、検出を開始することを指示する操作を制御装置11に入力してもよい。

0059

ステージ16は、プロセッサ111の制御によってホルダ15を搬送する。即ち、プロセッサ111は、X軸モータ127、Y軸モータ128及びZ軸モータ129を制御して、電磁波発生部12からの照射波が偏光子23に照射される位置に基板20を搬送させる。

0060

なお、ステージ16は、初期状態において電磁波発生部12からの照射波が偏光子23に照射される位置に基板20を支持するものであってもよい。

0061

また、プロセッサ111は、偏光子23に電磁波発生部12からの電磁波を照射させる制御を行う機能を有する。

0062

ステージ16が基板20を搬送した後、電磁波発生部12は、プロセッサ111の制御によって、偏光子23に電磁波を照射する。即ち、プロセッサ111は、ドライバ114を用いて電磁波発生部12に所定の電圧を印加させる。

0063

また、プロセッサ111は、偏光子23を透過した透過波の強度(受信強度)を取得する機能を有する。

0064

電磁波受信部18は、透過波を受信すると、受信強度に対応する電圧をアンプ115に出力する。アンプ115は、電磁波受信部18からの電圧を増幅してA/D変換器116に出力する。

0065

A/D変換器116は、アンプ115からの電圧を示すセンサ信号をプロセッサ111に出力する。

0066

プロセッサ111は、A/D変換器116からのセンサ信号を受信することで、偏光子23を透過した透過波の強度を取得する。

0067

また、プロセッサ111は、ステージ16に、受信強度に基づいて基板20の回転角度を調整させる機能を有する。

0068

ステージ16は、プロセッサ111の制御によって、透過波の強度が最大になるように基板20の回転角度を調整する。
たとえば、プロセッサ111は、ステージ16の回転モータ130を制御して基板20の回転角度を変更させる。プロセッサ111は、回転角度を変更しながら受信強度を取得する。

0069

プロセッサ111が、受信強度が極大となる回転角度を発見するまで、ステージ16は、基板20の回転角度を変更する。たとえば、プロセッサ111は、基板20の回転角度を所定の方向に回転させ続けてもよいし、所定のタイミングで逆の方向に回転させてもよい。

0070

プロセッサ111が、受信強度が極大となる回転角度を発見すると、ステージ16は、当該回転角度に基板20を固定する。

0071

また、プロセッサ111は、電磁波発生部12からの電磁波が構造体22に照射される位置に基板20を搬送させる制御を行う機能を有する。

0072

ステージ16は、プロセッサ111の制御によって、基板20の回転角度の調整が完了した後、ホルダ15を搬送する。即ち、プロセッサ111は、X軸モータ127、Y軸モータ128及びZ軸モータ129を制御して、電磁波発生部12からの照射波が構造体22に照射される位置に基板20を搬送させる。

0073

また、プロセッサ111は、構造体22に電磁波発生部12からの電磁波を照射させる制御を行う機能を有する。

0074

ステージ16が基板20を搬送すると、電磁波発生部12は、プロセッサ111の制御によって偏光子23に電磁波を照射する。なお、プロセッサ111は、偏光子23に電磁波を照射してから電磁波を照射し続けるように制御してもよい。

0075

また、プロセッサ111は、構造体22を透過した透過波の強度を取得する機能を有する。

0076

プロセッサ111が構造体22を透過した透過波の強度を取得する動作例は、プロセッサ111が偏光子23を透過した透過波の強度を取得する動作例と同様であるため、説明を省略する。

0077

また、プロセッサ111は、構造体22を透過した透過波の強度(受信強度)に基づいて被検出物を検出する機能を有する。

0078

前述の通り、磁性体が修飾された被検出物が構造体22に添付されると、構造体22の透過率は、変化する。

0079

図5は、構造体22の透過率の周波数特性を示すグラフである。
図5において、横軸は、電磁波の周波数を示す。縦軸は、透過率を示す。ここで、f1は、電磁波発生部12が照射する電磁波の周波数である。

0080

図5は、グラフ31及びグラフ32を示す。
グラフ31は、被検出物に修飾されている磁性体が存在しない場合における周波数特性を示す。即ち、グラフ31は、被検出物が構造体22に存在しない場合における周波数特性を示す。

0081

図5が示すように、f1を有する電磁波が構造体22に照射される場合、構造体22の透過率は、s1である。

0082

グラフ32は、被検出物に修飾されている磁性体が存在する場合における周波数特性を示す。即ち、グラフ32は、被検出物が構造体22に存在する場合における周波数特性を示す。

0083

グラフ32は、グラフ31と異なる。たとえば、グラフ32の極小における周波数は、グラフ31のそれよりも小さい。

0084

図5が示すように、f1を有する電磁波が構造体22に照射される場合、構造体22の透過率は、s1と異なるs11である。

0085

プロセッサ111は、受信強度に基づいて構造体22の透過率を算出する。たとえば、プロセッサ111は、電磁波発生部12が照射する電磁波の強度(照射強度)と受信強度とに基づいて構造体22の透過率を算出する。

0086

プロセッサ111は、構造体22の透過率がs1である場合(たとえば、構造体22の透過率とs1との差が所定の閾値以下である場合)、構造体22に被検出物が存在しないと判定する。即ち、プロセッサ111は、構造体22の透過率がs1であれば、サンプルに被検出物が存在しないと判定する。

0087

また、プロセッサ111は、構造体22の透過率がs1でない場合(たとえば、構造体22の透過率とs1との差が所定の閾値を超える場合)、構造体22に被検出物が存在すると判定する。即ち、プロセッサ111は、構造体22の透過率がs1でなければ、サンプルに被検出物が存在すると判定する。

0088

プロセッサ111は、被検出物が存在するか判定すると、判定結果を出力する。たとえば、プロセッサ111は、表示部に判定結果を表示させる。また、プロセッサ111は、通信インターフェースなどを通じて外部装置に判定結果を送信してもよい。

0089

次に、制御装置11の動作例について説明する。
図6は、制御装置11の動作例について説明するためのフローチャートである。ここでは、構造体22に、被検出物が含まれる(含まれ得る)サンプルが添付されているものとする。

0090

まず、制御装置11のプロセッサ111は、照射強度を取得する(ACT11)。照射強度を取得すると、プロセッサ111は、ステージ16に、電磁波発生部12からの電磁波が偏光子23に照射される位置に基板20を搬送させる(ACT12)。

0091

基板20が搬送されると、プロセッサ111は、電磁波発生部12に、偏光子23に電磁波を照射させる(ACT13)。なお、プロセッサ111は、電磁波発生部12に電磁波を照射し続けさせる。

0092

偏光子23に電磁波が照射されると、プロセッサ111は、電磁波受信部18を用いて受信強度を取得する(ACT14)。

0093

受信強度を取得すると、プロセッサ111は、基板20の回転角度の調整が完了したか判定する(ACT15)。基板20の回転角度の調整が完了していないと判定すると(ACT15、NO)、プロセッサ111は、ステージ16に、基板20を回転させる(ACT16)。基板20を回転させると、プロセッサ111は、ACT14に戻る。

0094

基板20の回転角度の調整が完了したと判定すると(ACT15、YES)、プロセッサ111は、ステージ16に、電磁波発生部12からの電磁波が構造体22に照射される位置に基板20を搬送させる(ACT17)。基板20が搬送されると、プロセッサ111は、電磁波受信部18を用いて受信強度を取得する(ACT18)。

0095

受信強度を取得すると、プロセッサ111は、受信強度などに基づいて構造体22に被検出物が存在するか判定する(ACT19)。構造体22に被検出物が存在するか判定すると、プロセッサ111は、判定結果を出力する(ACT20)。判定結果を出力すると、プロセッサ111は、動作を終了する。

0096

なお、ステージ16は、基板20を移動及び回転させなくともよい。この場合、ステージ14は、電磁波発生部12及び光学系13を移動及び回転させてもよい。また、ステージは、光学系17及び電磁波受信部18を移動及び回転させてもよい。

0097

また、第1の偏光方向と第2の偏光方向とは、異なってもよい。たとえば、第1の偏光方向と第2の偏光方向とは、直交してもよい。この場合、プロセッサ111は、偏光子23からの透過波の強度が最小になるように基板20の回転角度を調整する。

0098

以上のように構成された検出装置は、基板に形成されている偏光子を透過する電磁波の強度に基づいて基板の回転角度を調整する。検出装置は、基板の回転角度が調整された状態でサンプルが添付されている構造体を透過する電磁波の強度を取得する。検出装置は、当該強度に基づいて被検出物を検出する。

0099

そのため、検出装置は、基板に対して適切な偏光方向を有する電磁波を照射することができる。即ち、検出装置は、基板に適切に電磁波を照射することができる。よって、検出装置は、効果的に被検出物を検出することができる。

0100

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

0101

1…検出装置、11…制御装置、12…電磁波発生部、13…光学系、14…ステージ、15…ホルダ、16…ステージ、17…光学系、18…電磁波受信部、19…ステージ、20…基板、21…基材、22…構造体、22a…周期構造体、23…偏光子、31…グラフ、32…グラフ、111…プロセッサ、112…メモリ、113…アドレスデコーダ、114…ドライバ、115…アンプ、116…A/D変換器、117…ドライバ、118…ドライバ、119…ドライバ、120…ドライバ、127…X軸モータ、128…Y軸モータ、129…Z軸モータ、130…回転モータ。

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