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技術 静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法

出願人 富士ゼロックス株式会社
発明者 井口もえ木鳥居靖子高橋左近
出願日 2019年9月20日 (1年10ヶ月経過) 出願番号 2019-172163
公開日 2021年4月1日 (3ヶ月経過) 公開番号 2021-051109
状態 未査定
技術分野 電子写真における現像剤
主要キーワード ポリタングステン酸ナトリウム ピーク径 Siモル ブリリアントカーミン6B 低密度画像 ストロンチウム源 溶融シリカ粒子 後加熱前
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (2)

課題

かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーを提供すること。

解決手段

トナー粒子と、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子と、シリカ粒子と、を含み、前記シリカ粒子の一次粒子個数基準粒子径分布における少なくとも1つのピーク粒子径Dが、前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも大きい、静電荷像現像用トナー。

概要

背景

特許文献1には、トナー母体粒子と、チタン酸ストロンチウム微粒子と、平均粒径がチタン酸ストロンチウム微粒子の平均粒径の1/10以上1/3以下である疎水性無機微粒子とを含む電子写真用トナーが開示されている。
特許文献2には、一次粒子の平均粒径が30nm以上300nm以下のチタン酸ストロンチウ粒子研磨粒子として含む現像剤が開示されている。
特許文献3には、トナー粒子と、一次粒子の個数平均粒径が10nm以上80nm以下であるチタン酸ストロンチウム粒子と、ヒュームドシリカとを有するトナーが開示されている。
特許文献4には、トナー粒子と、シリカ粒子と、平均一次粒径が10nm以上100nm以下であるチタン酸ストロンチウム粒子とを含む静電荷像現像用トナーが開示されている。

概要

かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーを提供すること。トナー粒子と、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子と、シリカ粒子と、を含み、前記シリカ粒子の一次粒子の個数基準粒子径分布における少なくとも1つのピーク粒子径Dが、前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも大きい、静電荷像現像用トナー。なし

目的

特開2005−148405号公報
特開2011−203758号公報
特開2018−200395号公報
特開2019−028235号公報






本開示は、トナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含み、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも小さい静電荷像現像用トナーに比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーを提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

トナー粒子と、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子と、シリカ粒子と、を含み、前記シリカ粒子の一次粒子個数基準粒子径分布における少なくとも1つのピーク粒子径Dが、前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも大きい、静電荷像現像用トナー

請求項2

前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に含まれるSiのモル量がSrのモル量に対して0.25モル%以上10モル%以下である、請求項1に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項3

前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に含まれるSiのモル量がSrのモル量に対して1モル%以上5モル%以下である、請求項2に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項4

前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50が30nm以上80nm以下である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項5

前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50が30nm以上60nm以下である、請求項4に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項6

前記シリカ粒子の前記粒子径Dが40nm以上120nm以下である、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項7

前記シリカ粒子の前記粒子径Dが60nm以上110nm以下である、請求項6に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項8

前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50と、前記シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dとが、10nm≦D−D50≦100nmの関係を満足する、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項9

前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50と、前記シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dとが、20nm≦D−D50≦90nmの関係を満足する、請求項8に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項10

前記シリカ粒子がゾルゲルシリカ粒子を含み、前記シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布におけるゾルゲルシリカ粒子が構成する少なくとも1つのピークの粒子径Dが、前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも大きい、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項11

前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50と、前記ゾルゲルシリカ粒子が構成する少なくとも1つのピークの粒子径Dとが、10nm≦D−D50≦100nmの関係を満足する、請求項10に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項12

前記ゾルゲルシリカ粒子の含水率が1質量%以上10質量%以下である、請求項10又は請求項11に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項13

前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の含有量M1と、粒子径が前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50よりも大きいシリカ粒子の含有量M2とが、質量基準で1.2≦M2/M1≦5.0の関係を満足する、請求項1〜請求項12のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。

請求項14

請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナーを含む静電荷像現像剤

請求項15

請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナーを収容し、画像形成装置着脱されるトナーカートリッジ

請求項16

請求項14に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像トナー画像として現像する現像手段を備え、画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ

請求項17

像保持体と、前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、請求項14に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、を備える画像形成装置。

請求項18

像保持体の表面を帯電する帯電工程と、帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、請求項14に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、を有する画像形成方法

技術分野

背景技術

0002

特許文献1には、トナー母体粒子と、チタン酸ストロンチウム微粒子と、平均粒径がチタン酸ストロンチウム微粒子の平均粒径の1/10以上1/3以下である疎水性無機微粒子とを含む電子写真用トナーが開示されている。
特許文献2には、一次粒子の平均粒径が30nm以上300nm以下のチタン酸ストロンチウ粒子研磨粒子として含む現像剤が開示されている。
特許文献3には、トナー粒子と、一次粒子の個数平均粒径が10nm以上80nm以下であるチタン酸ストロンチウム粒子と、ヒュームドシリカとを有するトナーが開示されている。
特許文献4には、トナー粒子と、シリカ粒子と、平均一次粒径が10nm以上100nm以下であるチタン酸ストロンチウム粒子とを含む静電荷像現像用トナーが開示されている。

先行技術

0003

特開2005−148405号公報
特開2011−203758号公報
特開2018−200395号公報
特開2019−028235号公報

発明が解決しようとする課題

0004

本開示は、トナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含み、シリカ粒子の一次粒子の個数基準粒子径分布における全ピーク粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも小さい静電荷像現像用トナーに比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーを提供することを課題とする。

課題を解決するための手段

0005

前記課題を解決するための手段には、下記の態様が含まれる。

0006

<1>トナー粒子と、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子と、シリカ粒子と、を含み、前記シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dが、前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも大きい、
静電荷像現像用トナー。
<2> 前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に含まれるSiのモル量がSrのモル量に対して0.25モル%以上10モル%以下である、<1>に記載の静電荷像現像用トナー。
<3> 前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に含まれるSiのモル量がSrのモル量に対して1モル%以上5モル%以下である、<2>に記載の静電荷像現像用トナー。
<4> 前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50が30nm以上80nm以下である、<1>〜<3>のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。
<5> 前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50が30nm以上60nm以下である、<4>に記載の静電荷像現像用トナー。
<6> 前記シリカ粒子の前記粒子径Dが40nm以上120nm以下である、<1>〜<5>のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。
<7> 前記シリカ粒子の前記粒子径Dが60nm以上110nm以下である、<6>に記載の静電荷像現像用トナー。
<8> 前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50と、前記シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dとが、10nm≦D−D50≦100nmの関係を満足する、<1>〜<7>のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。
<9> 前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50と、前記シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dとが、20nm≦D−D50≦90nmの関係を満足する、<8>に記載の静電荷像現像用トナー。
<10> 前記シリカ粒子がゾルゲルシリカ粒子を含み、前記シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布におけるゾルゲルシリカ粒子が構成する少なくとも1つのピークの粒子径Dが、前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも大きい、<1>〜<7>のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。
<11> 前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50と、前記ゾルゲルシリカ粒子が構成する少なくとも1つのピークの粒子径Dとが、10nm≦D−D50≦100nmの関係を満足する、<10>に記載の静電荷像現像用トナー。
<12> 前記ゾルゲルシリカ粒子の含水率が1質量%以上10質量%以下である、<10>又は<11>に記載の静電荷像現像用トナー。
<13> 前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の含有量M1と、粒子径が前記Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の前記メジアン径D50よりも大きいシリカ粒子の含有量M2とが、質量基準で1.2≦M2/M1≦5.0の関係を満足する、<1>〜<12>のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナー。
<14> <1>〜<13>のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナーを含む静電荷像現像剤。
<15> <1>〜<13>のいずれか1項に記載の静電荷像現像用トナーを収容し、画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジ。
<16> <14>に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像トナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
<17> 像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、
<14>に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、
を備える画像形成装置。
<18> 像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、
<14>に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、
を有する画像形成方法。

発明の効果

0007

<1>に係る発明によれば、トナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含み、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも小さい静電荷像現像用トナーに比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<2>に係る発明によれば、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に含まれるSiのモル量がSrのモル量に対して0.25モル%未満又は10モル%超である場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<3>に係る発明によれば、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に含まれるSiのモル量がSrのモル量に対して1モル%未満又は5モル%超である場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<4>に係る発明によれば、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50が30nm未満又は80nm超である場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<5>に係る発明によれば、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50が30nm未満又は60nm超である場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<6>に係る発明によれば、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径が40nm未満又は120nm超である場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<7>に係る発明によれば、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径が60nm未満又は110nm超である場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<8>に係る発明によれば、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50と、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径Dとが、10nm≦D−D50≦100nmの関係を満足しない場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<9>に係る発明によれば、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50と、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径Dとが、20nm≦D−D50≦90nmの関係を満足しない場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<10>に係る発明によれば、シリカ粒子が気相法シリカ粒子のみである場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<11>に係る発明によれば、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50と、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布におけるゾルゲルシリカ粒子が構成する全ピークの各粒子径Dとが、10nm≦D−D50≦100nmの関係を満足しない場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<12>に係る発明によれば、ゾルゲルシリカ粒子の含水率が1質量%未満又は10質量%超である場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
<13>に係る発明によれば、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の含有量M1と、粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きいシリカ粒子の含有量M2とが、質量基準で1.2≦M2/M1≦5.0の関係を満足しない場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。

0008

<14>に係る発明によれば、静電荷像現像用トナーがトナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含み、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも小さい場合に比べて、かぶりの発生を抑制する静電荷像現像剤が提供される。
<15>に係る発明によれば、静電荷像現像用トナーがトナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含み、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも小さい場合に比べて、かぶりの発生を抑制するトナーカートリッジが提供される。
<16>に係る発明によれば、静電荷像現像用トナーがトナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含み、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも小さい場合に比べて、かぶりの発生を抑制するプロセスカートリッジが提供される。
<17>に係る発明によれば、静電荷像現像用トナーがトナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含み、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも小さい場合に比べて、かぶりの発生を抑制する画像形成装置が提供される。
<18>に係る発明によれば、静電荷像現像用トナーがトナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含み、シリカ粒子の一次粒子の個数基準の粒子径分布における全ピークの各粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも小さい場合に比べて、かぶりの発生を抑制する画像形成方法が提供される。

図面の簡単な説明

0009

本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジの一例を示す概略構成図である。

0010

以下に、本開示の実施形態について説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、実施形態の範囲を制限するものではない。

0011

本開示において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。

0012

本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

0013

本開示において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。

0014

本開示において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。

0015

本開示において各成分は該当する物質複数種含んでいてもよい。本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。

0016

本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。

0017

本開示において、「静電荷像現像用トナー」を単に「トナー」ともいい、「静電荷像現像剤」を単に「現像剤」ともいう。

0018

<静電荷像現像用トナー>
本実施形態に係るトナーは、トナー粒子とSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子とを含む。
本実施形態に係るトナーに含まれるシリカ粒子は、一次粒子の個数基準の粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dが、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の個数基準のメジアン径D50よりも大きい。

0019

本実施形態に係るトナーは、かぶりの発生を抑制する。「かぶり」とは、記録媒体の画像形成面に意図しない点状の画像が出現する現象である。本実施形態に係るトナーがかぶりの発生を抑制する機序として次のことが推測される。

0020

トナーの外添剤としてチタン酸ストロンチウム粒子が知られており、チタン酸ストロンチウム粒子は、帯電制御剤研磨剤などとしてトナーに外添されている。
本発明者らが検討したところ、チタン酸ストロンチウム粒子を外添したトナーを用いて画像形成するとかぶりが発生することがあり、特に、高温高湿環境(例えば温度30℃且つ相対湿度85%)で間欠的に継続して低密度画像を形成した後に低温低湿環境(例えば温度10℃且つ相対湿度15%)で連続的に高密度画像を形成するとかぶりが発生しやすかった。これは、現像手段内において次の現象が起こることによるものと推測される。
高温高湿環境ではトナー粒子が比較的軟らかくなっているところ、トナーの消費が比較的遅い低密度画像の形成を継続することによってトナーが現像手段内で長期にわたり攪拌されることになり、チタン酸ストロンチウム粒子がトナー粒子に埋没する。その後に、高密度画像を連続的に画像形成すると、現像手段内のトナーが消費され、その分トナーが現像手段内に補給され、チタン酸ストロンチウム粒子が埋没したトナーとチタン酸ストロンチウム粒子が埋没していないトナーとが現像手段内に混在することになる、つまり、表面性状の相違するトナーが現像手段内に混在することになる。
そして、表面性状の異なるトナーどうしが摩擦すると、これらトナー間摩擦帯電、つまり、一方のトナーから他方のトナーへの電荷移動が起こり(特に低温低湿環境で起こりやすい。)、帯電量の不十分なトナーが生じる。帯電量の不十分なトナーは現像の際に像保持体に付着せず飛散して、その結果、かぶりが発生する。

0021

本発明者らがさらに検討したところ、チタン酸ストロンチウム粒子よりも粒子径の大きいシリカ粒子を外添し、且つ、チタン酸ストロンチウム粒子にSi(ケイ素)をドープすることによって、先述の画像形成においてかぶりの発生を抑制できた。
まず、粒子径の比較的大きいシリカ粒子がトナー粒子表面に存在することによって、トナー粒子表面に存在するチタン酸ストロンチウム粒子へのトナーの衝突が抑制され、チタン酸ストロンチウム粒子がトナー粒子に埋没することが抑制されると推測される。
また、チタン酸ストロンチウム粒子にSiをドープすることによってチタン酸ストロンチウム粒子の摩擦帯電列がシリカ粒子に近くなり、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子及びシリカ粒子を外添したトナーは、Siがドープされていないチタン酸ストロンチウム粒子及びシリカ粒子を外添したトナーに比べて、トナー間の摩擦帯電を起こしにくいと推測される。
したがって、本実施形態に係るトナーは、先述の画像形成を行ってもトナー間の摩擦帯電が起こりにくく、帯電量の不十分なトナーの混在及びトナーの飛散が抑制され、その結果、かぶりの発生が抑制されるものと推測される。

0022

本実施形態に係るトナーに含まれるSiドープチタン酸ストロンチウム粒子とシリカ粒子の粒子径の測定方法は次のとおりである。
トナーをメタノールに分散させ、超音波印加したのちに遠心し、トナー粒子を沈降させ、外添剤を含む上澄みを回収する。別の遠心管密度勾配液(例えばポリタングステン酸ナトリウム又は塩化セシウムの密度勾配液)を作製しておき、前記上澄みを重層し、遠心する。シリカ粒子を含む分画、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子を含む分画を、それぞれの密度から推定して抽出し、乾燥させて各粒子を得る。
次いで、シリカ粒子(又はSiドープチタン酸ストロンチウム粒子)を電解質水溶液アイトン水溶液)に添加し、超音波を30秒以上印加して一次粒子の状態に分散させる。この分散液を試料にして、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置(例えば、マイクロトラックベル社製、マイクロトラックMT3000II)を用いて、少なくとも粒子3000個の粒子径を測定する。シリカ粒子については、個数基準の頻度分布小径側から描き、各ピークの粒子径を求める。Siドープチタン酸ストロンチウム粒子については、個数基準の累積分布を小径側から描き、メジアン径D50(累積が50%になる粒子径)を求める。

0023

以下、本実施形態に係るトナーの成分、構造及び特性について詳細に説明する。

0024

[トナー粒子]
トナー粒子は、例えば、結着樹脂と、必要に応じて、着色剤と、離型剤と、その他添加剤と、を含んで構成される。

0025

−結着樹脂−
結着樹脂としては、例えば、スチレン類(例えばスチレンパラクロロスチレン、α−メチルスチレン等)、(メタアクリル酸エステル類(例えばアクリル酸メチルアクリル酸エチルアクリル酸n−プロピルアクリル酸n−ブチル、アクリル酸ラウリルアクリル酸2−エチルヘキシルメタクリル酸メチルメタクリル酸エチルメタクリル酸n−プロピル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸2−エチルヘキシル等)、エチレン性不飽和ニトリル類(例えばアクリロニトリルメタクリロニトリル等)、ビニルエーテル類(例えばビニルメチルエーテルビニルイソブチルエーテル等)、ビニルケトン類(例えばビニルメチルケトンビニルエルケトン、ビニルイソプロペニルケトン等)、オレフィン類(例えばエチレンプロピレンブタジエン等)等の単量体単独重合体、又はこれら単量体を2種以上組み合せた共重合体からなるビニル系樹脂が挙げられる。
結着樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂ポリエステル樹脂ポリウレタン樹脂ポリアミド樹脂セルロース樹脂ポリエーテル樹脂変性ロジン等の非ビニル系樹脂、これらと前記ビニル系樹脂との混合物、又は、これらの共存下でビニル系単量体重合して得られるグラフト重合体等も挙げられる。
これらの結着樹脂は、1種類単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。

0026

結着樹脂としては、ポリエステル樹脂が好適である。
ポリエステル樹脂としては、例えば、公知の非晶性ポリエステル樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂は、非晶性ポリエステル樹脂と共に、結晶性ポリエステル樹脂を併用してもよい。但し、結晶性ポリエステル樹脂は、全結着樹脂に対して、含有量が2質量%以上40質量%以下(好ましくは2質量%以上20質量%以下)の範囲で用いることがよい。

0027

樹脂の「結晶性」とは、示差走査熱量測定DSC)において、階段状の吸熱量変化ではなく、明確な吸熱ピークを有することを指し、具体的には、昇温速度10(℃/min)で測定した際の吸熱ピークの半値幅が10℃以内であることを指す。
一方、樹脂の「非晶性」とは、半値幅が10℃を超えること、階段状の吸熱量変化を示すこと、又は明確な吸熱ピークが認められないことを指す。

0028

・非晶性ポリエステル樹脂
非晶性ポリエステル樹脂としては、例えば、多価カルボン酸多価アルコールとの縮重合体が挙げられる。非晶性ポリエステル樹脂としては、市販品を使用してもよいし、合成したものを使用してもよい。

0029

多価カルボン酸としては、例えば、脂肪族ジカルボン酸(例えばシュウ酸マロン酸マレイン酸フマル酸シトラコン酸イタコン酸グルタコン酸、コハク酸アルケニルコハク酸アジピン酸セバシン酸等)、脂環式ジカルボン酸(例えばシクロヘキサンジカルボン酸等)、芳香族ジカルボン酸(例えばテレフタル酸イソフタル酸フタル酸ナフタレンジカルボン酸等)、これらの無水物、又はこれらの低級(例えば炭素数1以上5以下)アルキルエステルが挙げられる。これらの中でも、多価カルボン酸としては、例えば、芳香族ジカルボン酸が好ましい。
多価カルボン酸は、ジカルボン酸と共に、架橋構造又は分岐構造をとる3価以上のカルボン酸を併用してもよい。3価以上のカルボン酸としては、例えば、トリメリット酸ピロメリット酸、これらの無水物、又はこれらの低級(例えば炭素数1以上5以下)アルキルエステル等が挙げられる。
多価カルボン酸は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。

0030

多価アルコールとしては、例えば、脂肪族ジオール(例えばエチレングリコールジエチレングリコールトリエチレングリコールプロピレングリコールブタンジオールヘキサンジオールネオペンチルグリコール等)、脂環式ジオール(例えばシクロヘキサンジオールシクロヘキサンジメタノール水添ビスフェノールA等)、芳香族ジオール(例えばビスフェノールAのエチレンオキサイド付加物、ビスフェノールAのプロピレンオキサイド付加物等)が挙げられる。これらの中でも、多価アルコールとしては、例えば、芳香族ジオール、脂環式ジオールが好ましく、より好ましくは芳香族ジオールである。
多価アルコールとしては、ジオールと共に、架橋構造又は分岐構造をとる3価以上の多価アルコールを併用してもよい。3価以上の多価アルコールとしては、例えば、グリセリントリメチロールプロパンペンタエリスリトールが挙げられる。
多価アルコールは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。

0031

非晶性ポリエステル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、50℃以上80℃以下が好ましく、50℃以上65℃以下がより好ましい。
ガラス転移温度は、示差走査熱量測定(DSC)により得られたDSC曲線より求め、より具体的にはJIS K7121:1987「プラスチック転移温度測定方法」のガラス転移温度の求め方に記載の「補外ガラス転移開始温度」により求められる。

0032

非晶性ポリエステル樹脂の重量平均分子量(Mw)は、5000以上1000000以下が好ましく、7000以上500000以下がより好ましい。
非晶性ポリエステル樹脂の数平均分子量(Mn)は、2000以上100000以下が好ましい。
非晶性ポリエステル樹脂の分子量分布Mw/Mnは、1.5以上100以下が好ましく、2以上60以下がより好ましい。
重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定する。GPCによる分子量測定は、測定装置として東ソー製GPC・HLC−8120GPCを用い、東ソー製カラム・TSKgel SuperHM−M(15cm)を使用し、THF溶媒で行う。重量平均分子量及び数平均分子量は、この測定結果から単分散ポリスチレン標準試料により作成した分子量校正曲線を使用して算出する。

0033

非晶性ポリエステル樹脂は、公知の製造方法により得られる。具体的には、例えば、重合温度を180℃以上230℃以下とし、必要に応じて反応系内を減圧し、縮合の際に発生する水やアルコールを除去しながら反応させる方法により得られる。
原料の単量体が、反応温度下で溶解又は相溶しない場合は、高沸点溶剤溶解補助剤として加え溶解させてもよい。この場合、重縮合反応は溶解補助剤を留去しながら行う。共重合反応において相溶性の悪い単量体が存在する場合は、あらかじめ相溶性の悪い単量体とその単量体と重縮合予定の酸又はアルコールとを縮合させておいてから主成分と重縮合させるとよい。

0034

・結晶性ポリエステル樹脂
結晶性ポリエステル樹脂としては、例えば、多価カルボン酸と多価アルコールとの重縮合体が挙げられる。結晶性ポリエステル樹脂としては、市販品を使用してもよいし、合成したものを使用してもよい。
ここで、結晶性ポリエステル樹脂は、結晶構造を容易に形成するため、芳香環を有する重合性単量体よりも直鎖状脂肪族の重合性単量体を用いた重縮合体が好ましい。

0035

多価カルボン酸としては、例えば、脂肪族ジカルボン酸(例えばシュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、スベリン酸アゼライン酸、セバシン酸、1,9−ノナンジカルボン酸、1,10−デカンジカルボン酸、1,12−ドデカンジカルボン酸、1,14−テトラデカンジカルボン酸、1,18−オクタデカンジカルボン酸等)、芳香族ジカルボン酸(例えばフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタレン−2,6−ジカルボン酸等の二塩基酸等)、これらの無水物、又はこれらの低級(例えば炭素数1以上5以下)アルキルエステルが挙げられる。
多価カルボン酸は、ジカルボン酸と共に、架橋構造又は分岐構造をとる3価以上のカルボン酸を併用してもよい。3価のカルボン酸としては、例えば、芳香族カルボン酸(例えば1,2,3−ベンゼントリカルボン酸、1,2,4−ベンゼントリカルボン酸、1,2,4−ナフタレントリカルボン酸等)、これらの無水物、又はこれらの低級(例えば炭素数1以上5以下)アルキルエステルが挙げられる。
多価カルボン酸としては、これらジカルボン酸と共に、スルホン酸基を持つジカルボン酸、エチレン性二重結合を持つジカルボン酸を併用してもよい。
多価カルボン酸は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。

0036

多価アルコールとしては、例えば、脂肪族ジオール(例えば主鎖部分の炭素数が7以上20以下である直鎖型脂肪族ジオール)が挙げられる。脂肪族ジオールとしては、例えば、エチレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,7−ヘプタンジオール、1,8−オクタンジオール、1,9−ノナンジオール、1,10−デカンジオール、1,11−ウンデカンジオール、1,12−ドデカンジオール、1,13−トリデカンジオール、1,14−テトラデカンジオール、1,18−オクタデカンジオール、1,14−エイコサンデカンジオールなどが挙げられる。これらの中でも、脂肪族ジオールとしては、1,8−オクタンジオール、1,9−ノナンジオール、1,10−デカンジオールが好ましい。
多価アルコールは、ジオールと共に、架橋構造又は分岐構造をとる3価以上のアルコールを併用してもよい。3価以上のアルコールとしては、例えば、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等が挙げられる。
多価アルコールは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。

0037

ここで、多価アルコールは、脂肪族ジオールの含有量を80モル%以上とすることがよく、好ましくは90モル%以上である。

0038

結晶性ポリエステル樹脂の融解温度は、50℃以上100℃以下が好ましく、55℃以上90℃以下がより好ましく、60℃以上85℃以下がさらに好ましい。
融解温度は、示差走査熱量測定(DSC)により得られたDSC曲線から、JIS K7121:1987「プラスチックの転移温度測定方法」の融解温度の求め方に記載の「融解ピーク温度」により求める。

0039

結晶性ポリエステル樹脂の重量平均分子量(Mw)は、6,000以上35,000以下が好ましい。

0040

結晶性ポリエステル樹脂は、例えば、非晶性ポリエステルと同様に、公知の製造方法により得られる。

0041

結着樹脂の含有量は、トナー粒子全体に対して、40質量%以上95質量%以下が好ましく、50質量%以上90質量%以下がより好ましく、60質量%以上85質量%以下が更に好ましい。

0043

着色剤は、必要に応じて表面処理された着色剤を用いてもよく、分散剤と併用してもよい。また、着色剤は、複数種を併用してもよい。

0044

着色剤の含有量は、トナー粒子全体に対して、1質量%以上30質量%以下が好ましく、3質量%以上15質量%以下がより好ましい。

0045

−離型剤−
離型剤としては、例えば、炭化水素系ワックスカルナウバワックスライスワックスキャンデリラワックス等の天然ワックスモンタンワックス等の合成又は鉱物石油系ワックス脂肪酸エステルモンタン酸エステル等のエステル系ワックス;などが挙げられる。離型剤は、これに限定されるものではない。

0046

離型剤の融解温度は、50℃以上110℃以下が好ましく、60℃以上100℃以下がより好ましい。
融解温度は、示差走査熱量測定(DSC)により得られたDSC曲線から、JIS K7121:1987「プラスチックの転移温度測定方法」の融解温度の求め方に記載の「融解ピーク温度」により求める。

0047

離型剤の含有量は、トナー粒子全体に対して、1質量%以上20質量%以下が好ましく、5質量%以上15質量%以下がより好ましい。

0048

−その他の添加剤−
その他の添加剤としては、例えば、磁性体、帯電制御剤、無機粉体等の公知の添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、内添剤としてトナー粒子に含まれる。

0049

−トナー粒子の特性等−
トナー粒子は、単層構造のトナー粒子であってもよいし、芯部(コア粒子)と芯部を被覆する被覆層シェル層)とで構成された所謂コアシェル構造のトナー粒子であってもよい。
コア・シェル構造のトナー粒子は、例えば、結着樹脂と必要に応じて着色剤及び離型剤等のその他添加剤とを含んで構成された芯部と、結着樹脂を含んで構成された被覆層と、で構成されていることがよい。

0050

トナー粒子の体積平均粒径(D50v)は、2μm以上10μm以下が好ましく、4μm以上8μm以下がより好ましい。
トナー粒子の体積平均粒径(D50v)は、コールターマルチサイザーII(ベックマン・コールター社製)を用い、電解液はISOTON−II(ベックマン・コールター社製)を使用して測定される。
測定に際しては、分散剤として、界面活性剤アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムが好ましい)の5質量%水溶液2ml中に測定試料を0.5mg以上50mg以下加える。これを電解液100ml以上150ml以下中に添加する。
試料を懸濁した電解液は超音波分散器で1分間分散処理を行い、コールターマルチサイザーIIにより、アパーチャー径100μmのアパーチャーを用いて2μm以上60μm以下の範囲の粒径の粒子の粒度分布を測定する。サンプリングする粒子数は50000個である。体積基準の粒度分布を小径側から描いて、累積50%となる粒径を体積平均粒径D50vとする。

0051

トナー粒子の平均円形度は、0.94以上1.00以下が好ましく、0.95以上0.98以下がより好ましい。
トナー粒子の平均円形度は、(円相当周囲長)/(周囲長)[(粒子像と同じ投影面積をもつ円の周囲長)/(粒子投影像の周囲長)]により求められる。具体的には、次の方法で測定される値である。
まず、測定対象となるトナー粒子を吸引採取し、扁平な流れを形成させ、瞬時にストロボ発光させることにより静止画像として粒子像を取り込み、その粒子像を画像解析するフロー式粒子像解析装置(シスメックス社製のFPIA−3000)によって求める。そして、平均円形度を求める際のサンプリング数は3500個とする。
トナーが外添剤を有する場合、界面活性剤を含む水中に、測定対象となるトナー(現像剤)を分散させた後、超音波処理を行って外添剤を除去したトナー粒子を得る。

0052

[Siドープチタン酸ストロンチウム粒子]
本開示においてSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50とは、一次粒子の個数基準のメジアン径D50である。

0053

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子は、少なくともSiがドープされたチタン酸ストロンチウム粒子であり、SiとSi、Sr、Ti及びO以外の元素(例えばSi、Sr及びTi以外の金属元素)とがドープされていてもよい。Siドープチタン酸ストロンチウム粒子は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。

0054

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に含まれるSiのモル量は、Srのモル量に対して0.25モル%以上10モル%以下であることが好ましい。以下、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に含まれるSrモル量に対するSiモル量を「Siドープ量」ともいう。Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のSiドープ量は、蛍光X線分析によって確認できる。

0055

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のSiドープ量は、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の摩擦帯電列をシリカ粒子に近づける観点から、0.25モル%以上が好ましく、0.5モル%以上がより好ましく、1モル%以上が更に好ましい。
また、チタン酸ストロンチウム粒子は通常は粒子形状が立方体又は直方体であるところ、Siがドープされるとチタン酸ストロンチウムの結晶性が低下し、粒子形状が丸みを帯びた形状になり、トナー粒子に埋没しにくくなると推測される。この観点からも、Siドープ量は上記の範囲が好ましい。
Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のSiドープ量は、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子を製造する際に結晶成長させて所望の粒子径とする観点と、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子に帯電制御の作用を期待する観点とから、10モル%以下が好ましく、7モル%以下がより好ましく、5モル%以下が更に好ましい。

0056

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50は、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子がトナー粒子に埋没しにくい観点から、30nm以上が好ましく、35nm以上がより好ましい。Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50は、比較的少ない外添量でトナー粒子表面をある程度被覆する観点から、80nm以下が好ましく、70nm以下がより好ましく、60nm以下が更に好ましい。

0057

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の外添量は、トナー粒子100質量部に対して、0.3質量部以上5質量部以下が好ましく、0.5質量部以上3質量部以下がより好ましく、0.5質量部以上2質量部以下が更に好ましい。

0058

−Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の製造方法−
Siドープチタン酸ストロンチウム粒子は、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子そのものであってもよく、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の表面を疎水化処理した粒子でもよい。Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の製造方法は、特に制限されないが、粒子径を制御する観点から湿式製法であることが好ましい。

0059

・Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の製造
Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の湿式製法は、例えば、酸化チタン源とストロンチウム源ドーパント源との混合液アルカリ水溶液を添加しながら反応させ、次いで酸処理を行う製造方法である。本製造方法においては、酸化チタン源とストロンチウム源の混合割合反応初期の酸化チタン源濃度、アルカリ水溶液を添加するときの温度及び添加速度などによって、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の粒子径が制御される。

0060

酸化チタン源としてはチタン化合物加水分解物鉱酸解膠品が好ましい。ストロンチウム源としては、硝酸ストロンチウム塩化ストロンチウム等が挙げられる。

0061

酸化チタン源とストロンチウム源の混合割合は、Sr/Tiモル比で0.9以上1.4以下が好ましく、1.05以上1.20以下がより好ましい。反応初期の酸化チタン源濃度は、TiO2として0.05モル/L以上1.3モル/L以下が好ましく、0.5モル/L以上1.0モル/L以下がより好ましい。

0062

ドーパント源としては、Siの酸化物(例えば、二酸化ケイ素)が挙げられる。ドーパント源としてのSi酸化物は、例えば、硝酸塩酸又は硫酸に溶解した溶液として添加する。ドーパント源の添加量は、ストロンチウム源に含まれるSr100モルに対して、ドーパント源に含まれるSiが0.25モル以上10モル以下となる量が好ましく、0.5モル以上7モル以下となる量がより好ましく、1モル以上5モル以下となる量が更に好ましい。

0063

アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液が好ましい。アルカリ水溶液を添加するときの反応液の温度が高いほど、結晶性の良好な粒子が得られる。アルカリ水溶液を添加するときの反応液の温度は、例えば60℃以上100℃以下の範囲である。アルカリ水溶液の添加速度が遅いほど粒子の粒子径が大きくなり、添加速度が速いほど粒子の粒子径が小さくなる。アルカリ水溶液の添加速度は、仕込み原料に対し、例えば0.001当量/h以上1.2当量/h以下が好ましく、0.002当量/h以上1.1当量/h以下がより好ましい。

0064

アルカリ水溶液を添加した後、未反応のストロンチウム源を取り除く目的で酸処理を行う。酸処理は、例えば塩酸を用いて、反応液のpHを2.5乃至7.0、より好ましくは4.5乃至6.0に調整する。酸処理後、反応液を固液分離し、固形分を乾燥処理してSiドープチタン酸ストロンチウム粒子が得られる。

0065

・表面処理
Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の表面処理は、例えば、疎水化処理剤であるケイ素含有有機化合物と溶媒とを混合してなる処理液を調製し、攪拌下、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子と処理液とを混合し、さらに攪拌を続けることで行われる。表面処理後は、処理液の溶媒を除去する目的で乾燥処理を行う。

0066

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の表面処理に用いるケイ素含有有機化合物としては、アルコキシシラン化合物シラザン化合物シリコーンオイル等が挙げられる。

0067

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の表面処理に用いるアルコキシシラン化合物としては、例えば、テトラメトキシシランテトラエトキシシランメチルトリメトキシシランエチルトリメトキシシランプロピルトリメトキシシランブチルトリメトキシシランヘキシルトリメトキシシランn−オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランメチルトリエトキシシランエチルトリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシランヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、o−メチルフェニルトリメトキシシラン、p−メチルフェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランベンジルトリエトキシシラン;ジメチルジメトキシシランジメチルジエトキシシランメチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシランジフェニルジメトキシシランジフェニルジエトキシシラン;トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン;が挙げられる。

0068

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の表面処理に用いるシラザン化合物としては、例えば、ジメチルジシラザン、トリメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンペンタメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。

0069

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の表面処理に用いるシリコーンオイルとしては、例えば、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサンフェニルメチルポリシロキサン等のシリコーンオイル;アミノ変性ポリシロキサンエポキシ変性ポリシロキサンカルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサンフッ素変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル;等が挙げられる。

0070

前記処理液の調製に用いる溶媒としては、ケイ素含有有機化合物がアルコキシシラン化合物又はシラザン化合物である場合はアルコール(例えば、メタノール、エタノールプロパノールブタノール)が好ましく、ケイ素含有有機化合物がシリコーンオイルである場合は炭化水素類(例えば、ベンゼントルエンノルマルヘキサンノルマルヘプタン)が好ましい。

0071

前記処理液において、ケイ素含有有機化合物の濃度は、1質量%以上50質量%以下が好ましく、5質量%以上40質量%以下がより好ましく、10質量%以上30質量%以下が更に好ましい。

0072

表面処理に用いるケイ素含有有機化合物の量は、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子100質量部に対して、1質量部以上50質量部以下が好ましく、5質量部以上40質量部以下がより好ましく、5質量部以上30質量部以下が更に好ましい。

0073

[シリカ粒子]
本開示においてシリカ粒子の粒子径分布とは、一次粒子の個数基準の粒子径分布である。

0074

本実施形態に係るトナーに外添されているシリカ粒子は全体として、粒子径分布が単峰性であってもよく多峰性であってもよく、ただし、粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dが、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きい。

0075

シリカ粒子の実施形態例(1)として、粒子径分布が単峰性であり、当該ピークの粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きい形態が挙げられる。

0076

シリカ粒子の実施形態例(2)として、粒子径分布が二峰性であり、大径側のピークの粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きく、小径側のピークの粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも小さい又はメジアン径D50と同じ形態が挙げられる。かぶりの発生をより抑制する観点からは、大径側のピークを構成するシリカ粒子の量が、小径側のピークを構成するシリカ粒子の量よりも多いことが好ましい(質量基準)。

0077

シリカ粒子の実施形態例(3)として、粒子径分布が二峰性であり、大径側のピークの粒子径及び小径側のピークの粒子径がいずれもSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きい形態が挙げられる。かぶりの発生をより抑制する観点からは、小径側のピークを構成するシリカ粒子の量が、大径側のピークを構成するシリカ粒子の量よりも多いことが好ましい(質量基準)。

0078

シリカ粒子の実施形態例(4)として、粒子径分布が三峰性であり、大径側のピークの粒子径及び中間のピークの粒子径がいずれもSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きく、小径側のピークの粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも小さい又はメジアン径D50と同じ形態が挙げられる。かぶりの発生をより抑制する観点からは、中間のピークを構成するシリカ粒子の量が、大径側のピークを構成するシリカ粒子の量及び小径側のピークを構成するシリカ粒子の量よりも多いことが好ましい(質量基準)。

0079

シリカ粒子の粒子径分布が単峰性の場合、分布が狭い形態でもよく、分布が広い形態でもよい。
シリカ粒子の粒子径分布が多峰性の場合、各山の分布が狭い形態でもよく、各山の分布が広い形態でもよい。
シリカ粒子の粒子径分布は、かぶりの発生をより抑制する観点から、単峰性で且つ分布が狭い形態、又は、多峰性(好ましくは二峰性又は三峰性)で且つ各山の分布が狭い形態が好ましい。
本開示においてシリカ粒子に係る「山の分布が狭い」とは、分布の変動係数標準偏差平均値除算した値)が20%以下である形態を意味する。

0080

シリカ粒子として、具体的には、気相法シリカ粒子、湿式法シリカ粒子溶融シリカ粒子等が挙げられる。シリカ粒子としては、粒子径分布が狭い観点と、含水率が適切な範囲である観点とから、ゾルゲルシリカ粒子がより好ましい。ゾルゲルシリカ粒子は一般的に粒子径分布が狭く、1製造ロットのゾルゲルシリカ粒子は例えば、粒子径分布の変動係数(標準偏差を平均値で除算した値)が15%以下である。

0081

シリカ粒子を製造するゾルゲル法は公知である。ゾルゲル法は、例えば、テトラアルコキシシランと水とアルコールとを混合した混合液にアンモニア水滴下シリカゾル懸濁液を調製すること、シリカゾル懸濁液から湿潤シリカゲル遠心分離すること、及び、湿潤シリカゲルを乾燥してシリカ粒子を得ることを含む。テトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランテトラブトキシシラン等が挙げられる。

0082

シリカ粒子の一次粒子の粒子径は、例えば、シリカ粒子をゾルゲル法で製造する場合、シリカゾル懸濁液を調製する際の攪拌速度、又は、シリカゾル懸濁液の調製に要する時間によって制御し得る。シリカゾル懸濁液を調製する際の攪拌速度が速いほど、シリカ粒子の一次粒子の粒子径が小さくなる。シリカゾル懸濁液の調製に要する時間が長いほど、シリカ粒子の一次粒子の粒子径が大きくなる。

0083

シリカ粒子の表面は、疎水化処理が施されていることが好ましい。疎水化処理は、例えば疎水化処理剤にシリカ粒子を浸漬する等して行う。疎水化処理剤は特に制限されないが、例えば、アルコキシシラン化合物、シラザン化合物(例えば、1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン)、シリコーンオイル(例えば、ジメチルシリコーンオイル)、チタネート系カップリング剤アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。疎水化処理剤の量は、通常、例えば、シリカ粒子100質量部に対して、1質量部以上10質量部以下である。

0084

シリカ粒子は、かぶりの発生をより抑制する観点から、粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dが、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きく、且つ、40nm以上120nm以下であることが好ましく、50nm以上110nm以下であることがより好ましく、60nm以上110nm以下であることが更に好ましい。
前記実施形態例(2)においては、大径側のピークの粒子径が上記範囲であることが好ましい。前記実施形態例(3)においては、小径側のピークの粒子径が上記範囲であることが好ましい。前記実施形態例(4)においては、中間のピークの粒子径が上記範囲であることが好ましい。

0085

シリカ粒子の粒子径分布における少なくとも1つのピークの粒子径Dと、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50とは、10nm≦D−D50≦100nmの関係を満足することが好ましく、20nm≦D−D50≦90nmの関係を満足することがより好ましく、20nm≦D−D50≦80nmの関係を満足することが更に好ましい。上記の関係によって、かぶりの発生がより抑制される。
前記実施形態例(2)においては、大径側のピークの粒子径が上記の関係を満足することが好ましい。前記実施形態例(3)においては、小径側のピークの粒子径が上記の関係を満足することが好ましい。前記実施形態例(4)においては、中間のピークの粒子径が上記の関係を満足することが好ましい。

0086

シリカ粒子は、かぶりの発生をより抑制する観点から、ゾルゲルシリカ粒子を含み、粒子径分布においてゾルゲルシリカ粒子が構成する少なくとも1つのピークの粒子径Dが、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きく、且つ、40nm以上120nm以下であることが好ましく、50nm以上110nm以下であることがより好ましく、60nm以上110nm以下であることが更に好ましい。
前記実施形態例(2)においては、少なくとも大径側のピークをゾルゲルシリカ粒子が構成し、大径側のピークの粒子径が上記範囲であることが好ましい。前記実施形態例(3)においては、少なくとも小径側のピークをゾルゲルシリカ粒子が構成し、小径側のピークの粒子径が上記範囲であることが好ましい。前記実施形態例(4)においては、少なくとも中間のピークをゾルゲルシリカ粒子が構成し、中間のピークの粒子径が上記範囲であることが好ましい。
ここで、粒子径が上記範囲であるゾルゲルシリカ粒子は、疎水化処理されたゾルゲルシリカ粒子が好ましく、シラザン化合物(好ましくは1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン)で疎水化処理されたシリカ粒子がより好ましい。

0087

シリカ粒子は、かぶりの発生をより抑制する観点から、ゾルゲルシリカ粒子を含み、粒子径分布においてゾルゲルシリカ粒子が構成する少なくとも1つのピークの粒子径Dと、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50とが、10nm≦D−D50≦100nmの関係を満足することが好ましく、20nm≦D−D50≦90nmの関係を満足することがより好ましく、20nm≦D−D50≦80nmの関係を満足することが更に好ましい。
前記実施形態例(2)においては、少なくとも大径側のピークをゾルゲルシリカ粒子が構成し、大径側のピークの粒子径が上記の関係を満足することが好ましい。前記実施形態例(3)においては、少なくとも小径側のピークをゾルゲルシリカ粒子が構成し、小径側のピークの粒子径が上記の関係を満足することが好ましい。前記実施形態例(4)においては、少なくとも中間のピークをゾルゲルシリカ粒子が構成し、中間のピークの粒子径が上記の関係を満足することが好ましい。
ここで、粒子径が上記の関係を満足するゾルゲルシリカ粒子は、疎水化処理されたゾルゲルシリカ粒子が好ましく、シラザン化合物(好ましくは1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン)で疎水化処理されたシリカ粒子がより好ましい。

0088

粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きいゾルゲルシリカ粒子(疎水化処理されたゾルゲルシリカ粒子も含む)は、かぶりの発生をより抑制する観点から、含水率が1質量%以上10質量%以下であることが好ましく、2質量%以上8質量%以下であることがより好ましく、3質量%以上6質量%以下であることが更に好ましい。

0089

ゾルゲルシリカ粒子の含水率は、次のように測定する。
試料を温度22℃且つ相対湿度55%のチャンバーに20時間以上静置調湿した後、温度22℃且つ相対湿度55%の室内にて、熱天秤島津製作所製TGA−50型)を用い、チッ素ガス雰囲気中で昇温速度30℃/分にて30℃から250℃まで加熱し、加熱減量(加熱によって失われた質量)を測定する。加熱減量を元に以下の式から含水率を算出する。
含水率(質量%)=(加熱減量)÷(調湿後加熱前の質量)×100

0090

本実施形態に係るトナーは、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子の含有量M1と、粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きいシリカ粒子の含有量M2とが質量基準で、1.2≦M2/M1≦5.0の関係を満足することが好ましい。上記の関係によって、かぶりの発生がより抑制される。

0091

シリカ粒子全体に占める、粒子径がSiドープチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きいシリカ粒子の質量割合は、30質量%以上100質量%以下が好ましく、40質量%以上100質量%以下がより好ましく、50質量%以上100質量%以下が更に好ましい。

0092

シリカ粒子の全外添量は、トナー粒子100質量部に対して、1質量部以上10質量部以下が好ましく、2質量部以上8質量部以下がより好ましく、3質量部以上6質量部以下が更に好ましい。

0093

[その他の外添剤]
本実施形態に係るトナーは、本実施形態の効果を得られる範囲で、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子及びシリカ粒子以外のその他の外添剤を含んでいてもよい。その他の外添剤としては、例えば、下記の無機粒子及び樹脂粒子が挙げられる。

0094

その他の外添剤としては、例えば、無機粒子が挙げられる。該無機粒子として、TiO2、Al2O3、CuO、ZnO、SnO2、CeO2、Fe2O3、MgO、BaO、CaO、K2O、Na2O、ZrO2、CaO・SiO2、K2O・(TiO2)n、Al2O3・2SiO2、CaCO3、MgCO3、BaSO4、MgSO4等が挙げられる。

0095

外添剤としての無機粒子の表面は、疎水化処理が施されていることがよい。疎水化処理は、例えば疎水化処理剤に無機粒子を浸漬する等して行う。疎水化処理剤は特に制限されないが、例えば、シラン系カップリング剤、シリコーンオイル、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。疎水化処理剤の量は、通常、無機粒子100質量部に対して、1質量部以上10質量部以下である。

0096

その他の外添剤としては、樹脂粒子(ポリスチレンポリメチルメタクリレートメラミン樹脂等の樹脂粒子)、クリーニング活剤(例えばフッ素系高分子量体の粒子)等も挙げられる。

0097

本実施形態に係るトナーがその他の外添剤を含む場合、その他の外添剤の外添量は、トナー全体に対して、0.01質量%以上2.0質量%以下が好ましく、0.1質量%以上1.0質量%以下がより好ましい。

0098

[トナーの製造方法]
本実施形態に係るトナーは、トナー粒子を製造後、トナー粒子に対して、外添剤を外添することで得られる。

0099

トナー粒子は、乾式製法(例えば、混練粉砕法等)、湿式製法(例えば、凝集合一法、懸濁重合法、溶解懸濁法等)のいずれにより製造してもよい。これらの製法に特に制限はなく、公知の製法が採用される。これらの中でも、凝集合一法により、トナー粒子を得ることがよい。

0100

具体的には、例えば、トナー粒子を凝集合一法により製造する場合、結着樹脂となる樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液を準備する工程(樹脂粒子分散液準備工程)と、樹脂粒子分散液中で(必要に応じて他の粒子分散液を混合した後の分散液中で)、樹脂粒子(必要に応じて他の粒子)を凝集させ、凝集粒子を形成する工程(凝集粒子形成工程)と、凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を加熱し、凝集粒子を融合・合一して、トナー粒子を形成する工程(融合・合一工程)と、を経て、トナー粒子を製造する。

0101

以下、各工程の詳細について説明する。
以下の説明では、着色剤、及び離型剤を含むトナー粒子を得る方法について説明するが、着色剤、離型剤は、必要に応じて用いられるものである。無論、着色剤、離型剤以外のその他添加剤を用いてもよい。

0102

−樹脂粒子分散液準備工程−
結着樹脂となる樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液と共に、例えば、着色剤粒子が分散された着色剤粒子分散液離型剤粒子が分散された離型剤粒子分散液を準備する。

0103

樹脂粒子分散液は、例えば、樹脂粒子を界面活性剤により分散媒中に分散させることにより調製する。

0104

樹脂粒子分散液に用いる分散媒としては、例えば水系媒体が挙げられる。
水系媒体としては、例えば、蒸留水イオン交換水等の水、アルコール類等が挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。

0105

界面活性剤としては、例えば、硫酸エステル塩系、スルホン酸塩系、リン酸エステル系、せっけん系等のアニオン界面活性剤アミン塩型、4級アンモニウム塩型等のカチオン界面活性剤ポリエチレングリコール系アルキルフェノールエチレンオキサイド付加物系、多価アルコール系等の非イオン系界面活性剤等が挙げられる。これらの中でも特に、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤が挙げられる。非イオン系界面活性剤は、アニオン界面活性剤又はカチオン界面活性剤と併用してもよい。
界面活性剤は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。

0106

樹脂粒子分散液において、樹脂粒子を分散媒に分散する方法としては、例えば回転せん断型ホモジナイザーや、メディアを有するボールミルサンドミル、ダイノミル等の一般的な分散方法が挙げられる。また、樹脂粒子の種類によっては、転相乳化法によって分散媒に樹脂粒子を分散させてもよい。転相乳化法とは、分散すべき樹脂を、その樹脂が可溶な疎水性有機溶剤中に溶解せしめ、有機連続相O相)に塩基を加えて中和したのち、水系媒体(W相)を投入することによって、W/OからO/Wへの転相を行い、樹脂を水系媒体中に粒子状に分散する方法である。

0107

樹脂粒子分散液中に分散する樹脂粒子の体積平均粒径としては、例えば0.01μm以上1μm以下が好ましく、0.08μm以上0.8μm以下がより好ましく、0.1μm以上0.6μm以下がさらに好ましい。
樹脂粒子の体積平均粒径は、レーザ回折式粒度分布測定装置(例えば、堀場製作所製LA−700)の測定によって得られた粒度分布を用い、分割された粒度範囲チャンネル)に対し、体積について小粒径側から累積分布を引き、全粒子に対して累積50%となる粒径を体積平均粒径D50vとして測定される。他の分散液中の粒子の体積平均粒径も同様に測定される。

0108

樹脂粒子分散液に含まれる樹脂粒子の含有量は、5質量%以上50質量%以下が好ましく、10質量%以上40質量%以下がより好ましい。

0109

樹脂粒子分散液と同様にして、例えば、着色剤粒子分散液、離型剤粒子分散液も調製される。つまり、樹脂粒子分散液における粒子の体積平均粒径、分散媒、分散方法、及び粒子の含有量に関しては、着色剤粒子分散液中に分散する着色剤粒子、及び離型剤粒子分散液中に分散する離型剤粒子についても同様である。

0110

−凝集粒子形成工程−
次に、樹脂粒子分散液と、着色剤粒子分散液と、離型剤粒子分散液と、を混合する。
そして、混合分散液中で、樹脂粒子と着色剤粒子と離型剤粒子とをヘテロ凝集させ目的とするトナー粒子の径に近い径を持つ、樹脂粒子と着色剤粒子と離型剤粒子とを含む凝集粒子を形成する。

0111

具体的には、例えば、混合分散液に凝集剤を添加すると共に、混合分散液のpHを酸性(例えばpH2以上5以下)に調整し、必要に応じて分散安定剤を添加した後、樹脂粒子のガラス転移温度に近い温度(具体的には、例えば、樹脂粒子のガラス転移温度−30℃以上ガラス転移温度−10℃以下)に加熱し、混合分散液に分散された粒子を凝集させて、凝集粒子を形成する。
凝集粒子形成工程においては、例えば、混合分散液を回転せん断型ホモジナイザーで攪拌下、室温(例えば25℃)で凝集剤を添加し、混合分散液のpHを酸性(例えばpH2以上5以下)に調整し、必要に応じて分散安定剤を添加した後に、加熱を行ってもよい。

0112

凝集剤としては、例えば、混合分散液に含まれる界面活性剤と逆極性の界面活性剤、無機金属塩、2価以上の金属錯体が挙げられる。凝集剤として金属錯体を用いた場合には、界面活性剤の使用量が低減され、帯電特性が向上する。
凝集剤と共に、該凝集剤の金属イオン錯体もしくは類似の結合を形成する添加剤を必要に応じて用いてもよい。この添加剤としては、キレート剤が好適に用いられる。

0113

無機金属塩としては、例えば、塩化カルシウム硝酸カルシウム塩化バリウム塩化マグネシウム塩化亜鉛塩化アルミニウム硫酸アルミニウム等の金属塩ポリ塩化アルミニウムポリ水酸化アルミニウム多硫化カルシウム等の無機金属塩重合体;などが挙げられる。
キレート剤としては、水溶性のキレート剤を用いてもよい。キレート剤としては、例えば、酒石酸クエン酸グルコン酸等のオキシカルボン酸イミノ二酸酢(IDA)、ニトリロ三酢酸NTA)、エチレンジアミン四酢酸EDTA)等のアミノカルボン酸;などが挙げられる。
キレート剤の添加量は、樹脂粒子100質量部に対して0.01質量部以上5.0質量部以下が好ましく、0.1質量部以上3.0質量部未満がより好ましい。

0114

−融合・合一工程−
次に、凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を、例えば、樹脂粒子のガラス転移温度以上(例えば樹脂粒子のガラス転移温度より10℃から30℃高い温度)に加熱して、凝集粒子を融合・合一し、トナー粒子を形成する。

0115

以上の工程を経て、トナー粒子が得られる。
凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を得た後、当該凝集粒子分散液と、樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液と、をさらに混合し、凝集粒子の表面にさらに樹脂粒子を付着するように凝集して、第2凝集粒子を形成する工程と、第2凝集粒子が分散された第2凝集粒子分散液に対して加熱をし、第2凝集粒子を融合・合一して、コア・シェル構造のトナー粒子を形成する工程と、を経て、トナー粒子を製造してもよい。

0116

融合・合一工程終了後、溶液中に形成されたトナー粒子に、公知の洗浄工程、固液分離工程、及び乾燥工程を施して乾燥した状態のトナー粒子を得る。洗浄工程は、帯電性の観点から、イオン交換水による置換洗浄を充分に施すことがよい。固液分離工程は、生産性の観点から、吸引濾過加圧濾過等を施すことがよい。乾燥工程は、生産性の観点から、凍結乾燥気流乾燥流動乾燥振動型流動乾燥等を施すことがよい。

0117

そして、本実施形態に係るトナーは、例えば、得られた乾燥状態のトナー粒子に、外添剤を添加し、混合することにより製造される。混合は、例えばVブレンダーヘンシェルミキサーレーディミキサー等によって行うことがよい。更に、必要に応じて、振動篩分機、風力篩分機等を使ってトナーの粗大粒子を取り除いてもよい。

0118

<静電荷像現像剤>
本実施形態に係る静電荷像現像剤は、本実施形態に係るトナーを少なくとも含むものである。
本実施形態に係る静電荷像現像剤は、本実施形態に係るトナーのみを含む一成分現像剤であってもよいし、当該トナーとキャリアとを混合した二成分現像剤であってもよい。

0119

キャリアとしては、特に制限はなく、公知のキャリアが挙げられる。キャリアとしては、例えば、磁性粉からなる芯材の表面に樹脂を被覆した被覆キャリアマトリックス樹脂中に磁性粉が分散して配合された磁性粉分散型キャリア多孔質の磁性粉に樹脂を含浸させた樹脂含浸型キャリア;などが挙げられる。磁性粉分散型キャリア及び樹脂含浸型キャリアは、当該キャリアの構成粒子を芯材とし、この表面を樹脂で被覆したキャリアであってもよい。

0120

磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケルコバルト等の磁性金属フェライトマグネタイト等の磁性酸化物;などが挙げられる。

0121

被覆用の樹脂及びマトリックス樹脂としては、例えば、ポリエチレンポリプロピレン、ポリスチレン、ポリビニルアセテートポリビニルアルコールポリビニルブチラールポリ塩化ビニルポリビニルエーテルポリビニルケトン、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル酸エステル共重合体オルガノシロキサン結合を含んで構成されるストレートシリコーン樹脂又はその変性品フッ素樹脂ポリエステルポリカーボネートフェノール樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。被覆用の樹脂及びマトリックス樹脂には、導電性粒子等、その他添加剤を含ませてもよい。導電性粒子としては、金、銀、銅等の金属、カーボンブラック、酸化チタン、酸化亜鉛酸化スズ硫酸バリウムホウ酸アルミニウムチタン酸カリウム等の粒子が挙げられる。

0122

芯材の表面を樹脂で被覆するには、被覆用の樹脂、及び各種添加剤(必要に応じて使用する)を適当な溶媒に溶解した被覆層形成用溶液により被覆する方法等が挙げられる。溶媒としては、特に限定されるものではなく、使用する樹脂の種類や、塗布適性等を案して選択すればよい。
具体的な樹脂被覆方法としては、芯材を被覆層形成用溶液中に浸漬する浸漬法;被覆層形成用溶液を芯材表面噴霧するスプレー法;芯材を流動エアーにより浮遊させた状態で被覆層形成用溶液を噴霧する流動床法;ニーダーコーター中でキャリアの芯材と被覆層形成用溶液とを混合し、その後に溶剤を除去するニーダーコーター法;などが挙げられる。

0123

二成分現像剤におけるトナーとキャリアとの混合比(質量比)は、トナー:キャリア=1:100乃至30:100が好ましく、3:100乃至20:100がより好ましい。

0124

<画像形成装置、画像形成方法>
本実施形態に係る画像形成装置は、像保持体と、像保持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、を備える。そして、静電荷像現像剤として、本実施形態に係る静電荷像現像剤が適用される。

0125

本実施形態に係る画像形成装置では、像保持体の表面を帯電する帯電工程と、帯電した像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、本実施形態に係る静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、を有する画像形成方法(本実施形態に係る画像形成方法)が実施される。

0126

本実施形態に係る画像形成装置は、像保持体の表面に形成されたトナー画像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置;像保持体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置;トナー画像の転写後、帯電前の像保持体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置;トナー画像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光照射して除電する除電手段を備える装置;等の公知の画像形成装置が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置が中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー画像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

0127

本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、現像手段を含む部分が、画像形成装置に着脱するカートリッジ構造(プロセスカートリッジ)であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る静電荷像現像剤を収容し、現像手段を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。

0128

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。以下の説明においては、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

0129

図1は、本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
図1に示す画像形成装置は、色分解された画像データに基づく、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)、ブラック(K)の各色の画像を出力する電子写真方式の第1乃至第4の画像形成ユニット10Y、10M、10C、10K(画像形成手段)を備えている。これらの画像形成ユニット(以下、単に「ユニット」と称する場合がある)10Y、10M、10C、10Kは、水平方向に互いに予め定められた距離離間して並設されている。これらユニット10Y、10M、10C、10Kは、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジであってもよい。

0130

各ユニット10Y、10M、10C、10Kの上方には、各ユニットを通して中間転写ベルト(中間転写体の一例)20が延設されている。中間転写ベルト20は、駆動ロール22及び支持ロール24に巻きつけて設けられ、第1のユニット10Yから第4のユニット10Kに向う方向に走行するようになっている。支持ロール24は、図示しないバネ等により駆動ロール22から離れる方向に力が加えられており、両者に巻きつけられた中間転写ベルト20に張力が与えられている。中間転写ベルト20の像保持体側面には、駆動ロール22と対向して中間転写体クリーニング装置30が備えられている。
各ユニット10Y、10M、10C、10Kの現像装置(現像手段の一例)4Y、4M、4C、4Kのそれぞれには、トナーカートリッジ8Y、8M、8C、8Kに収められたイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各トナーの供給がなされる。

0131

第1乃至第4のユニット10Y、10M、10C、10Kは、同等の構成及び動作を有しているため、ここでは中間転写ベルト走行方向の上流側に配設されたイエロー画像を形成する第1のユニット10Yについて代表して説明する。

0132

第1のユニット10Yは、像保持体として作用する感光体1Yを有している。感光体1Yの周囲には、感光体1Yの表面を予め定められた電位に帯電させる帯電ロール(帯電手段の一例)2Y、帯電された表面を色分解された画像信号に基づくレーザ光線3Yによって露光して静電荷像を形成する露光装置(静電荷像形成手段の一例)3、静電荷像に帯電したトナーを供給して静電荷像を現像する現像装置(現像手段の一例)4Y、現像したトナー画像を中間転写ベルト20上に転写する一次転写ロール5Y(一次転写手段の一例)、及び一次転写後に感光体1Yの表面に残存するトナーを除去する感光体クリーニング装置(クリーニング手段の一例)6Yが順に配置されている。
一次転写ロール5Yは、中間転写ベルト20の内側に配置され、感光体1Yに対向した位置に設けられている。各ユニットの一次転写ロール5Y、5M、5C、5Kには、一次転写バイアスを印加するバイアス電源(図示せず)がそれぞれ接続されている。各バイアス電源は、図示しない制御部による制御によって、各一次転写ロールに印加する転写バイアスの値を変える。

0133

以下、第1のユニット10Yにおいてイエロー画像を形成する動作について説明する。
まず、動作に先立って、帯電ロール2Yによって感光体1Yの表面が−600V乃至−800Vの電位に帯電される。
感光体1Yは、導電性(例えば20℃における体積抵抗率1×10−6Ωcm以下)の基体上に感光層を積層して形成されている。この感光層は、通常は高抵抗(一般の樹脂の抵抗)であるが、レーザ光線が照射されると、レーザ光線が照射された部分の比抵抗が変化する性質を持っている。そこで、帯電した感光体1Yの表面に、図示しない制御部から送られてくるイエロー用の画像データに従って、露光装置3からレーザ光線3Yを照射する。それにより、イエローの画像パターンの静電荷像が感光体1Yの表面に形成される。

0134

静電荷像とは、帯電によって感光体1Yの表面に形成される像であり、レーザ光線3Yによって、感光層の被照射部分の比抵抗が低下し、感光体1Yの表面の帯電した電荷が流れ、一方、レーザ光線3Yが照射されなかった部分の電荷が残留することによって形成される、いわゆるネガ潜像である。
感光体1Y上に形成された静電荷像は、感光体1Yの走行に従って予め定められた現像位置まで回転する。そして、この現像位置で、感光体1Y上の静電荷像が、現像装置4Yによってトナー画像として現像され可視化される。

0135

現像装置4Y内には、例えば、少なくともイエロートナーとキャリアとを含む静電荷像現像剤が収容されている。イエロートナーは、現像装置4Yの内部で攪拌されることで摩擦帯電し、感光体1Y上に帯電した帯電荷同極性(負極性)の電荷を有して現像剤ロール現像剤保持体の一例)上に保持されている。そして、感光体1Yの表面が現像装置4Yを通過していくことにより、感光体1Y表面上の除電された潜像部にイエロートナーが静電的に付着し、潜像がイエロートナーによって現像される。イエローのトナー画像が形成された感光体1Yは、引続き予め定められた速度で走行され、感光体1Y上に現像されたトナー画像が予め定められた一次転写位置へ搬送される。

0136

感光体1Y上のイエロートナー画像が一次転写位置へ搬送されると、一次転写ロール5Yに一次転写バイアスが印加され、感光体1Yから一次転写ロール5Yに向う静電気力がトナー画像に作用し、感光体1Y上のトナー画像が中間転写ベルト20上に転写される。このとき印加される転写バイアスは、トナーの極性(−)と逆極性の(+)極性であり、第1のユニット10Yでは制御部(図示せず)によって例えば+10μAに制御されている。
一方、感光体1Y上に残留したトナーは感光体クリーニング装置6Yで除去されて回収される。

0137

第2のユニット10M以降の一次転写ロール5M、5C、5Kに印加される一次転写バイアスも、第1のユニットに準じて制御されている。
こうして、第1のユニット10Yにてイエローのトナー画像が転写された中間転写ベルト20は、第2乃至第4のユニット10M、10C、10Kを通して順次搬送され、各色のトナー画像が重ねられて多重転写される。

0138

第1乃至第4のユニットを通して4色のトナー画像が多重転写された中間転写ベルト20は、中間転写ベルト20と、中間転写ベルトの内面に接する支持ロール24と、中間転写ベルト20の像保持面側に配置された二次転写ロール(二次転写手段の一例)26とから構成された二次転写部へと至る。一方、記録紙(記録媒体の一例)Pが供給機構を介して二次転写ロール26と中間転写ベルト20とが接触した隙間に予め定められたタイミングで給紙され、二次転写バイアスが支持ロール24に印加される。このとき印加される転写バイアスは、トナーの極性(−)と同極性の(−)極性であり、中間転写ベルト20から記録紙Pに向う静電気力がトナー画像に作用し、中間転写ベルト20上のトナー画像が記録紙P上に転写される。この際の二次転写バイアスは二次転写部の抵抗を検出する抵抗検出手段(図示せず)により検出された抵抗に応じて決定されるものであり、電圧制御されている。

0139

この後、記録紙Pは定着装置(定着手段の一例)28における一対の定着ロール圧接部(ニップ部)へと送り込まれ、トナー画像が記録紙P上へ定着され、定着画像が形成される。

0140

トナー画像を転写する記録紙Pとしては、例えば、電子写真方式の複写機プリンター等に使用される普通紙が挙げられる。記録媒体としては、記録紙P以外にも、OHPシート等も挙げられる。
定着後における画像表面の平滑性をさらに向上させるには、記録紙Pの表面も平滑であることが好ましく、例えば、普通紙の表面を樹脂等でコーティングしたコート紙、印刷用アート紙等が好適に使用される。

0141

カラー画像の定着が完了した記録紙Pは、排出部へ向けて搬出され、一連カラー画像形成動作が終了される。

0142

<プロセスカートリッジ、トナーカートリッジ>
本実施形態に係るプロセスカートリッジは、本実施形態に係る静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジである。

0143

本実施形態に係るプロセスカートリッジは、上記構成に限られず、現像手段と、その他、必要に応じて、例えば、像保持体、帯電手段、静電荷像形成手段、及び転写手段等のその他手段から選択される少なくとも一つと、を備える構成であってもよい。

0144

以下、本実施形態に係るプロセスカートリッジの一例を示すが、これに限定されるわけではない。以下の説明においては、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

0145

図2は、本実施形態に係るプロセスカートリッジを示す概略構成図である。
図2に示すプロセスカートリッジ200は、例えば、取り付けレール116及び露光のための開口部118が備えられた筐体117により、感光体107(像保持体の一例)と、感光体107の周囲に備えられた帯電ロール108(帯電手段の一例)、現像装置111(現像手段の一例)、及び感光体クリーニング装置113(クリーニング手段の一例)を一体的に組み合わせて保持して構成し、カートリッジ化されている。
図2中、109は露光装置(静電荷像形成手段の一例)、112は転写装置(転写手段の一例)、115は定着装置(定着手段の一例)、300は記録紙(記録媒体の一例)を示している。

0146

本実施形態に係るトナーカートリッジは、本実施形態に係るトナーを収容し、画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジである。トナーカートリッジは、画像形成装置内に設けられた現像手段に供給するための補給用のトナーを収容するものである。

0147

図1に示す画像形成装置は、トナーカートリッジ8Y、8M、8C、8Kが着脱される構成を有する画像形成装置であり、現像装置4Y、4M、4C、4Kは、各々の現像装置(色)に対応したトナーカートリッジと、図示しないトナー供給管で接続されている。トナーカートリッジ内に収容されているトナーが少なくなった場合には、このトナーカートリッジが交換される。

0148

以下、実施例により発明の実施形態を詳細に説明するが、発明の実施形態は、これら実施例に限定されるものではない。以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「%」は質量基準である。

0149

<トナー粒子の作製>
非晶性ポリエステル樹脂分散液(A1)の作製]
・テレフタル酸:70部
・フマル酸:30部
・エチレングリコール:44部
・1,5−ペンタンジオール:46部
攪拌装置窒素導入管温度センサ及び精留塔を備えたフラスコに上記の材料を入れ、窒素ガス気流下、1時間を要して温度を210℃まで上げ、上記の材料の合計100部に対してチタンテトラエトキシド1部を投入した。生成する水を留去しながら0.5時間を要して240℃まで温度を上げ、240℃で1時間脱水縮合反応を継続した後、反応物を冷却した。こうして、重量平均分子量94500、ガラス転移温度61℃の非晶性ポリエステル樹脂を得た。
温度調節手段及び窒素置換手段を備えた容器に、酢酸エチル40部及び2−ブタノール25部を投入して混合溶剤とした後、非晶性ポリエステル樹脂100部を徐々に投入し溶解させ、ここに、10%アンモニア水溶液(樹脂の酸価に対してモル比で3倍量相当量)を入れて30分間攪拌した。次いで、容器内を乾燥窒素置換し、温度を40℃に保持して、混合液を攪拌しながらイオン交換水400部を滴下し、乳化を行った。滴下終了後、乳化液を25℃に戻し、体積平均粒径210nmの樹脂粒子が分散した樹脂粒子分散液を得た。この樹脂粒子分散液にイオン交換水を加えて固形分量を20%に調整して、非晶性ポリエステル樹脂分散液(A1)とした。

0150

結晶性ポリエステル樹脂分散液(B1)の作製]
セバシン酸ジメチル:97部
イソフタル酸ジメチル−5−スルホン酸ナトリウム:3部
・エチレングリコール:100部
ジブチル錫オキサイド触媒) :0.3部
加熱乾燥した三口フラスコに上記の材料を入れ、三口フラスコ内の空気を窒素ガスで置換して不活性雰囲気とし、機械攪拌にて180℃で5時間攪拌還流を行った。次いで、減圧下にて240℃まで徐々に昇温を行い2時間攪拌し、粘稠な状態となったところで空冷し、反応を停止させた。こうして、重量平均分子量9700、融解温度84℃の結晶性ポリエステル樹脂を得た。
結晶性ポリエステル樹脂90部とアニオン性界面活性剤(第一工業製薬(株)製、ネオゲンRK)1.8部とイオン交換水210部とを混合し、100℃に加熱して、ホモジナイザー(IKA社製ウルトラタラックスT50)を用いて分散した後、圧力吐出型ゴーリンホモジナイザーで分散処理を1時間行い、体積平均粒径205nmの樹脂粒子が分散した樹脂粒子分散液を得た。この樹脂粒子分散液にイオン交換水を加えて固形分量を20%に調整して、結晶性ポリエステル樹脂分散液(B1)とした。

0151

[離型剤粒子分散液(W1)の作製]
パラフィンワックス(日本精(株)製 HNP−9) :100部
・アニオン性界面活性剤(第一工業製薬(株)製、ネオゲンRK):1部
・イオン交換水:350部
上記の材料を混合して100℃に加熱し、ホモジナイザー(IKA社製ウルトラタラックスT50)を用いて分散した後、圧力吐出型ゴーリンホモジナイザーで分散処理し、体積平均粒径200nmの離型剤粒子が分散した離型剤粒子分散液を得た。この離型剤粒子分散液にイオン交換水を加えて固形分量を20%に調整して、離型剤粒子分散液(W1)とした。

0152

[着色剤粒子分散液(K1)の作製]
・カーボンブラック(キャボット社製、Regal330) :50部
イオン系界面活性剤ネオゲンRK(第一工業製薬(株)製):5部
・イオン交換水:195部
上記の材料を混合し、アルティマイザ(スギマシン社製)を用いて240MPaで10分分散処理し、固形分量20%の着色剤粒子分散液(K1)を得た。

0153

[トナー粒子の調製]
・イオン交換水:200部
・非晶性ポリエステル樹脂分散液(A1) :150部
・結晶性ポリエステル樹脂分散液(B1) :10部
・離型剤粒子分散液(W1) :10部
・着色剤粒子分散液(K1) :15部
・アニオン性界面活性剤(TaycaPower、テイカ(株)製):2.8部
上記の材料を丸型ステンレス製フラスコに入れ、0.1Nの硝酸を添加してpHを3.5に調整した後、ポリ塩化アルミニウム(王子製紙(株)製、30%粉末品)2部をイオン交換水30部に溶解させたポリ塩化アルミニウム水溶液を添加した。ホモジナイザー(IKA社製ウルトラタラックスT50)を用いて30℃において分散した後、加熱用オイルバス中で45℃まで加熱し、体積平均粒径が4.9μmとなるまで保持した。次いで、非晶性ポリエステル樹脂分散液(A1)60部を追加し30分間保持した。次いで、体積平均粒径5.2μmとなったところで、さらに非晶性ポリエステル樹脂分散液(A1)60部を追加し30分間保持した。続いて、10%のNTA(ニトリロ三酢酸)金属塩水溶液キレスト70、キレスト株式会社製)20部を加え、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を添加してpHを9.0に調整した。次いで、アニオン性界面活性剤(TaycaPower)1部を投入して攪拌を継続しながら85℃まで加熱し、5時間保持した。次いで、20℃/分の速度で20℃まで冷却した。次いで、濾過し、イオン交換水で充分に洗浄し、乾燥させることにより、体積平均粒径5.7μm、平均円形度0.971のトナー粒子(1)を得た。

0154

<チタン酸ストロンチウム粒子の作製>
[Siドープチタン酸ストロンチウム粒子(1)の作製]
脱硫及び解膠したチタン源であるメタチタン酸をTiO2として0.7モル採取し、反応容器に入れた。次いで、反応容器に、塩化ストロンチウム水溶液を、Sr/Tiモル比が1.1になるように0.77モル添加した。次いで、反応容器に、二酸化ケイ素を硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム100モルに対してSiが1モルになる量添加した。3つの材料の混合液における初期TiO2濃度が0.75モル/Lになるようにした。次いで、混合液を攪拌し、混合液を90℃に加温し、液温を90℃に維持し攪拌しながら、10N水酸化ナトリウム水溶液153mLを2時間かけて添加し、さらに、液温を90℃に維持しながら1時間攪拌を続けた。次いで、反応液を40℃まで冷却し、pH5.5になるまで塩酸を添加し1時間攪拌を行った。次いで、デカンテーションと水への再分散とを繰り返すことによって沈殿物を洗浄した。洗浄した沈殿物を含むスラリーに塩酸を加えpH6.5に調整し、濾過により固液分離を行い、固形分を乾燥させた。乾燥した固形分にi−ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液を、固形分100部に対してi−ブチルトリメトキシシランが20部になる量添加して1時間攪拌を行った。濾過により固液分離を行い、固形分を130℃の大気中で7時間乾燥し、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子(1)を得た。

0155

[Siドープチタン酸ストロンチウム粒子(2)〜(8)の作製]
Siドープチタン酸ストロンチウム粒子(1)の作製と同様にして、ただし、ストロンチウム100モルに対するSi添加量及び/又は10N水酸化ナトリウム水溶液の滴下時間を表1に記載するとおりに変更して、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子(2)〜(8)を作製した。

0156

Siドープチタン酸ストロンチウム粒子(1)〜(8)それぞれの、メジアン径D50と、Siドープ量(Srのモル量に対するSiのモル量、モル%)とを既述の方法で測定した。

0157

[チタン酸ストロンチウム粒子(9)の作製]
Siドープチタン酸ストロンチウム粒子(1)の作製と同様にして、ただしSi源を添加せず、チタン酸ストロンチウム粒子(9)を作製した。

0158

0159

<シリカ粒子の作製>
ゾルゲル法又は気相法でシリカ粒子を作製し、疎水化処理をし、必要に応じて分級を行い、表2に記載のシリカ粒子を得た。ゾルゲシリカ粒子の含水率は、疎水化処理した後における乾燥処理の温度及び時間を調節することにより制御した。

0160

0161

表2において「HMDS」とは、1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザンである。「単分散」とは、単峰性で且つ変動係数が20%以下である粒子径分布を指す。ゾルゲル法で製造したシリカ粒子(1)〜(7)は、粒子径分布の変動係数が15%以下であった。シリカ粒子(9)の粒子径分布は、120nmと、それよりも小径側とに、ピークを有しており、120nmのピークを構成するシリカ粒子の割合が多かった。

0162

<キャリアの作製>
トルエン14部とスチレン−メチルメタクリレート共重合体重合質量比90:10、重量平均分子量8万)2部とカーボンブラック(キャボット社製R330)0.2部とを混合しスターラーで10分間攪拌し分散液を調製した。次いで、分散液とフェライト粒子(体積平均粒径36μm)100部とを真空脱気ニーダーに入れて60℃において30分間攪拌し、次いで、加温しながら減圧して脱気し乾燥させてキャリアを得た。

0163

<実施例1>
トナー粒子(1)100部に、Siドープチタン酸ストロンチウム粒子(1)とシリカ粒子(1)とを表3に記載の量で外添し、サンプルミルに入れ、10000rpmで30秒間混合した。次いで、目開き45μmの振動篩いで分して、体積平均粒子径5.7μmのトナーを調製した。
トナーとキャリアとをトナー:キャリア=5:95(質量比)の割合でVブレンダーに入れ20分間攪拌し、現像剤を得た。

0164

<実施例2〜36、比較例1〜20>
実施例1と同様にして、ただし、チタン酸ストロンチウム粒子の種類及び外添量とシリカ粒子の種類及び外添量とを表3及び表4に記載の仕様に変更して、トナー及び現像剤を得た。

0165

性能評価
[かぶり]
トナーカートリッジに各例のトナーを充填し、画像形成装置(富士ゼロックス社製ApeosPort−IV C5575の改造機)に装着した。この画像形成装置の現像装置に各例の現像剤を充填した。
温度30℃/相対湿度85%の環境に24時間放置した。放置後、A4サイズの紙に、120秒おきに1枚の速度で画像密度1%の画像の画像形成を10万枚行った。
次いで、温度10℃/相対湿度15%の環境に24時間放置した。放置後、A4サイズの紙に連続で、画像密度40%の画像の画像形成を10枚行った。10枚の画像を肉眼倍率5倍のルーペで観察し、かぶりの状態を下記のとおり分類した。
G1:10枚すべてにかぶりは認められない。
G2:1枚にかぶりがルーペで僅かに認められるが、問題にならない程度である。
G3:複数枚にかぶりがルーペで僅かに認められるが軽微であり、実用に差支えない。
G4:複数枚にかぶりが肉眼で認められ、実用に適しない。
G5:10枚すべてにかぶりが肉眼で認められ、実用に不適である。

0166

クラウド量]
上記の画像形成後の現像機アッパーカバー上をメンディングテープを用いてOHPシート上にテープ転写し、テープ転写したメンディングテープの濃度を等間隔に、画像濃度計X−Rite938(X−Rite社製)で8点測定し、メンディングテープのみの濃度との差をクラウド量として定量化した。最大値の濃度によりクラウド量を下記のとおり分類した。G3までが実用に適する。
G1:0≦Δ濃度≦0.2
G2:0.2<Δ濃度≦0.4
G3:0.4<Δ濃度≦0.6
G4:0.6<Δ濃度≦0.8
G5:0.8<Δ濃度

0167

表3において「粒子径D」は、シリカ粒子を2種又は3種用いた場合、チタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きくメジアン径D50に最も近いピーク径である。表3において「外添量M2」は、ピーク径がチタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50よりも大きいシリカ粒子の合計外添量である。
表3及び表4において「メジアン径D50より大きいピークの有無」は、シリカ粒子の粒子径分布における、チタン酸ストロンチウム粒子のメジアン径D50より大きいピークの有無である。

0168

実施例

0169

0170

1Y、1M、1C、1K感光体(像保持体の一例)
2Y、2M、2C、2K帯電ロール(帯電手段の一例)
3露光装置(静電荷像形成手段の一例)
3Y、3M、3C、3Kレーザ光線
4Y、4M、4C、4K現像装置(現像手段の一例)
5Y、5M、5C、5K一次転写ロール(一次転写手段の一例)
6Y、6M、6C、6K感光体クリーニング装置(クリーニング手段の一例)
8Y、8M、8C、8Kトナーカートリッジ
10Y、10M、10C、10K画像形成ユニット
20中間転写ベルト(中間転写体の一例)
22駆動ロール
24支持ロール
26二次転写ロール(二次転写手段の一例)
28定着装置(定着手段の一例)
30中間転写体クリーニング装置
P 記録紙(記録媒体の一例)
107 感光体(像保持体の一例)
108 帯電ロール(帯電手段の一例)
109 露光装置(静電荷像形成手段の一例)
111 現像装置(現像手段の一例)
112転写装置(転写手段の一例)
113 感光体クリーニング装置(クリーニング手段の一例)
115 定着装置(定着手段の一例)
116取り付けレール
117筐体
118露光のための開口部
200プロセスカートリッジ
300 記録紙(記録媒体の一例)

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