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図面 (13)

課題

基板支持器上に搭載される物体に効率良くバイアス電力を供給する技術を提供する。

解決手段

プラズマ処理装置1において、チャンバ10の内部空間10sに、誘電体部20d及び少なくとも一つの電極21a、21c、21h、22a、22b、22c、22h、22gを有する基板支持器16備える。少なくとも一つの電極は、誘電体部上に載置される物体にバイアス電力を供給するために誘電体部の中に設けられている。また、、基板支持器は、第1の静電チャック領域21及び第2の静電チャック領域22を備えている。第1の静電チャック領域は、その上に載置される基板Wを保持する。第2の静電チャック領域は、第1の静電チャック領域を囲むように設けられており、その上に載置されるエッジリングERを保持する。

概要

背景

プラズマ処理装置基板の処理において用いられている。プラズマ処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、基台及び静電チャックを有し、チャンバ内に設けられている。静電チャックは、基台上に設けられている。静電チャックは、その上に載置される基板を保持する。チャンバ内で生成されたプラズマから基板にイオン引き込むために、基台には、高周波電源からバイアス電力が供給される。

基板支持器上には、エッジリングが搭載される。基板は、静電チャック上、且つ、エッジリングによって囲まれた領域内に配置される。基板支持器は、エッジリングを静電引力により保持するように構成されることがある。エッジリングを静電引力により保持するように構成された基板支持器は、下記の特許文献1〜3に記載されている。

概要

基板支持器上に搭載される物体に効率良くバイアス電力を供給する技術を提供する。プラズマ処理装置1において、チャンバ10の内部空間10sに、誘電体部20d及び少なくとも一つの電極21a、21c、21h、22a、22b、22c、22h、22gを有する基板支持器16備える。少なくとも一つの電極は、誘電体部上に載置される物体にバイアス電力を供給するために誘電体部の中に設けられている。また、、基板支持器は、第1の静電チャック領域21及び第2の静電チャック領域22を備えている。第1の静電チャック領域は、その上に載置される基板Wを保持する。第2の静電チャック領域は、第1の静電チャック領域を囲むように設けられており、その上に載置されるエッジリングERを保持する。

目的

特開2002−33376号公報
特表2004−511901号公報
特開2016−122740号公報






本開示は、基板支持器上に搭載される物体に効率良くバイアス電力を供給する技術を提供する

効果

実績

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請求項1

誘電体部と、前記誘電体部上に載置される物体バイアス電力を供給するために前記誘電体部の中に設けられた少なくとも一つの電極と、を備える基板支持器

請求項2

その上に載置される基板を保持するように構成された第1の静電チャック領域と、前記第1の静電チャック領域を囲むように設けられており、その上に載置されるエッジリングを保持するように構成された第2の静電チャック領域と、を備え、前記第2の静電チャック領域は、該第2の静電チャック領域と前記エッジリングとの間で静電引力を発生させ、且つ、該第2の静電チャック領域を介して前記エッジリングに前記バイアス電力を供給するために、その中に設けられた一つ以上の電極を有し、前記一つ以上の電極は、前記少なくとも一つの電極を含む、請求項1に記載の基板支持器。

請求項3

前記少なくとも一つの電極は、前記静電引力を発生するためにそれに電圧印加され、且つ、前記バイアス電力がそれに供給される共通の電極である、請求項2に記載の基板支持器。

請求項4

前記一つ以上の電極は、前記静電引力を発生するために電圧がそれに印加される第1の電極と、前記バイアス電力がそれに供給される第2の電極と、を含み、前記第2の電極は、前記少なくとも一つの電極である、請求項2に記載の基板支持器。

請求項5

前記第2の静電チャック領域は、双極型の静電チャックである、請求項2〜4の何れか一項に記載の基板支持器。

請求項6

前記第2の静電チャック領域は、単極型の静電チャックである、請求項2〜4の何れか一項に記載の基板支持器。

請求項7

前記第2の静電チャック領域は、前記誘電体部の少なくとも一部を更に有し、前記一つ以上の電極は、前記誘電体部の前記少なくとも一部の中に設けられている、請求項2〜6の何れか一項に記載の基板支持器。

請求項8

前記第1の静電チャック領域と前記第2の静電チャック領域は、前記誘電体部を共有しており、前記第1の静電チャック領域は、前記誘電体部の中に設けられており、該第1の静電チャック領域に前記基板を引き付けるための電圧がそれに印加されるチャック電極を有する、請求項7に記載の基板支持器。

請求項9

前記第1の静電チャック領域は、第1の誘電体部と、前記第1の誘電体部の中に設けられており、該第1の静電チャック領域に前記基板を引き付けるための電圧がそれに印加されるチャック電極と、を有し、前記第2の静電チャック領域が有する前記誘電体部である第2の誘電体部は、前記第1の誘電体部から、分離されている、請求項7に記載の基板支持器。

請求項10

前記第2の静電チャック領域が有する前記誘電体部の中に設けられたヒータを更に備える、請求項7〜9の何れか一項に記載の基板支持器。

請求項11

前記第2の静電チャック領域と前記エッジリングとの間に伝熱ガスを供給するためのガスラインを更に備える、請求項2〜10の何れか一項に記載の基板支持器。

請求項12

前記第1の静電チャック領域は、該第1の静電チャック領域の中に設けられており、それにバイアス電力が供給される別の電極を有する、請求項2〜11の何れか一項に記載の基板支持器。

請求項13

導電性を有し、それにバイアス電力が供給される基台を更に備え、前記第1の静電チャック領域及び前記第2の静電チャック領域は、前記基台上に設けられている、請求項2〜11の何れか一項に記載の基板支持器。

請求項14

チャンバと、請求項1〜13の何れか一項に記載の基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた、該基板支持器と、を備えるプラズマ処理装置

請求項15

チャンバと、請求項2〜13の何れか一項に記載の基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた、該基板支持器と、前記第2の静電チャック領域と前記エッジリングとの間で静電引力を発生させるための電圧を発生するように構成された直流電源と、前記第2の静電チャック領域を介して前記エッジリングに供給されるバイアス電力を発生するように構成されたバイアス電源と、を備える、プラズマ処理装置。

請求項16

チャンバと、請求項12に記載の基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた、該基板支持器と、前記第2の静電チャック領域と前記エッジリングとの間で静電引力を発生させるための電圧を発生するように構成された直流電源と、前記第2の静電チャック領域を介して前記エッジリングに供給されるバイアス電力を発生するように構成されたバイアス電源と、前記別の電極に供給される前記バイアス電力を発生するように構成された別のバイアス電源と、を備えるプラズマ処理装置。

請求項17

チャンバと、請求項13に記載の基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた、該基板支持器と、前記第2の静電チャック領域と前記エッジリングとの間で静電引力を発生させるための電圧を発生するように構成された直流電源と、前記第2の静電チャック領域を介して前記エッジリングに供給されるバイアス電力を発生するように構成されたバイアス電源と、前記基台に供給されるバイアス電力を発生するように構成された別のバイアス電源と、を備えるプラズマ処理装置。

請求項18

チャンバと、請求項12に記載の基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた、該基板支持器と、前記第2の静電チャック領域と前記エッジリングとの間で静電引力を発生させるための電圧を発生するように構成された直流電源と、バイアス電力を発生するように構成されたバイアス電源と、前記バイアス電源に接続された共通の電気的パスと、前記別の電極に供給されるバイアス電力のための第1の電気的パスであり、前記共通の電気的パスから分岐された、該第1の電気的パスと、前記第2の静電チャック領域を介して前記エッジリングに供給されるバイアス電力のための第2の電気的パスであって、前記共通の電気的パスから分岐された該第2の電気的パスと、前記第1の電気的パス及び前記第2の電気的パスのうち少なくとも一方の電気的パス上に設けられたインピーダンス回路と、を備え、前記第2の静電チャック領域を介して前記エッジリングに供給される前記バイアス電力及び前記別の電極に供給される前記バイアス電力は、前記バイアス電源によって発生された前記バイアス電力を前記第1の電気的パス及び前記第2の電気的パスに分配することにより生成される、プラズマ処理装置。

請求項19

チャンバと、請求項13に記載の基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた、該基板支持器と、前記第2の静電チャック領域と前記エッジリングとの間で静電引力を発生させるための電圧を発生するように構成された直流電源と、バイアス電力を発生するように構成されたバイアス電源と、前記バイアス電源に接続された共通の電気的パスと、前記基台に供給されるバイアス電力のための第1の電気的パスであり、前記共通の電気的パスから分岐された、該第1の電気的パスと、前記第2の静電チャック領域を介して前記エッジリングに供給されるバイアス電力のための第2の電気的パスであり、前記共通の電気的パスから分岐された、該第2の電気的パスと、前記第1の電気的パス及び前記第2の電気的パスのうち少なくとも一方の電気的パス上に設けられたインピーダンス回路と、を備え、前記第2の静電チャック領域を介して前記エッジリングに供給される前記バイアス電力及び前記基台に供給される前記バイアス電力は、前記バイアス電源によって発生された前記バイアス電力を前記第1の電気的パス及び前記第2の電気的パスに分配することにより生成される、プラズマ処理装置。

技術分野

0001

本開示の例示的実施形態は、基板支持器及びプラズマ処理装置に関するものである。

背景技術

0002

プラズマ処理装置が基板の処理において用いられている。プラズマ処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、基台及び静電チャックを有し、チャンバ内に設けられている。静電チャックは、基台上に設けられている。静電チャックは、その上に載置される基板を保持する。チャンバ内で生成されたプラズマから基板にイオン引き込むために、基台には、高周波電源からバイアス電力が供給される。

0003

基板支持器上には、エッジリングが搭載される。基板は、静電チャック上、且つ、エッジリングによって囲まれた領域内に配置される。基板支持器は、エッジリングを静電引力により保持するように構成されることがある。エッジリングを静電引力により保持するように構成された基板支持器は、下記の特許文献1〜3に記載されている。

先行技術

0004

特開2002−33376号公報
特表2004−511901号公報
特開2016−122740号公報

発明が解決しようとする課題

0005

本開示は、基板支持器上に搭載される物体に効率良くバイアス電力を供給する技術を提供する。

課題を解決するための手段

0006

一つの例示的実施形態において、基板支持器が提供される。基板支持器は、誘電体部及び少なくとも一つの電極を備える。少なくとも一つの電極は、誘電体部上に載置される物体にバイアス電力を供給するために誘電体部の中に設けられている。

発明の効果

0007

一つの例示的実施形態によれば、基板支持器上に搭載される物体に効率良くバイアス電力を供給することが可能となる。

図面の簡単な説明

0008

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置のチャンバ内の構成を詳細に示す図である。
別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
図12の(a)は、第1の静電チャック領域の別の例を示す部分拡大図であり、図12の(b)及び図12の(c)の各々は、第2の静電チャック領域の別の例を示す部分拡大図である。

実施例

0009

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

0010

一つの例示的実施形態において、基板支持器が提供される。基板支持器は、誘電体部及び少なくとも一つの電極を備える。少なくとも一つの電極は、誘電体部上に載置される物体にバイアス電力を供給するために誘電体部の中に設けられている。この実施形態に係る基板支持器では、バイアス電力が供給される電極が、その上に物体が載置される誘電体部の中に設けられている。したがって、バイアス電力が、基板支持器上に載置される物体に対して効率的に供給され得る。

0011

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、第1の静電チャック領域及び第2の静電チャック領域を備えていてもよい。第1の静電チャック領域は、その上に載置される基板を保持するように構成されている。第2の静電チャック領域は、第1の静電チャック領域を囲むように設けられており、その上に載置されるエッジリングを保持するように構成されている。第2の静電チャック領域は、第2の静電チャック領域とエッジリングとの間で静電引力を発生させ、且つ、第2の静電チャック領域を介してエッジリングにバイアス電力を供給するために、その中に設けられた一つ以上の電極を有する。この実施形態において、一つ以上の電極は、上記の少なくとも一つの電極を含む。

0012

上記実施形態において、一つ以上の電極は、第2の静電チャック領域とエッジリングとの間で静電引力を発生させるために電圧印加され、且つ、バイアス電力が供給される共通の電極を含み得る。或いは、上記実施形態において、一つ以上の電極は、第2の静電チャック領域とエッジリングとの間で静電引力を発生させるために電圧が印加され電極、及び、バイアス電力が供給される電極を含み得る。かかる一つ以上の電極が第2の静電チャック領域内に設けられているので、第2の静電チャック領域にエッジリングを保持した状態で、第2の静電チャック領域を介してエッジリングにバイアス電力を供給することが可能である。したがって、基板支持器は、バイアス電力をエッジリングに対して独立的且つ安定的に供給可能な構造を提供している。

0013

一つの例示的実施形態において、少なくとも一つの電極は、静電引力を発生するためにそれに電圧が印加され、且つ、バイアス電力がそれに供給される共通の電極であってもよい。この実施形態では、静電引力を発生するためにそれに電圧が印加される電極に、バイアス電力が供給される。したがって、バイアス電力がそれに供給される専用の電極は、第2の静電チャック領域から省略され得る。故に、第2の静電チャック領域の構造が、簡易な構造となり得る。その結果、基板支持器は、低コスト且つ容易に作成され得る。

0014

一つの例示的実施形態において、一つ以上の電極は、静電引力を発生するために電圧がそれに印加される第1の電極と、バイアス電力がそれに供給される第2の電極と、を含んでいてもよい。この実施形態において、第2の電極は、上記の少なくとも一つの電極である。

0015

一つの例示的実施形態において、第2の静電チャック領域は、双極型の静電チャックであってもよい。即ち、一つ以上の電極は、双極電極を構成する一対の電極を含んでいてもよい。別の例示指摘実施形態において、第2の静電チャック領域は、単極型の静電チャックであってもよい。

0016

一つの例示的実施形態において、第2の静電チャック領域は、上記誘電体部の少なくとも一部を更に有し得る。一つ以上の電極は、誘電体部の少なくとも一部の中に設けられる。

0017

一つの例示的実施形態において、第1の静電チャック領域と第2の静電チャック領域は、上記誘電体部を共有していてもよい。第1の静電チャック領域は、チャック電極を有していてもよい。チャック電極は、第1の静電チャック領域に基板を引き付けるための電圧がそれに印加される電極であり、誘電体部の中に設けられている。

0018

一つの例示的実施形態において、第1の静電チャック領域は、第1の誘電体部及びチャック電極を有していてもよい。チャック電極は、第1の静電チャック領域に基板を引き付けるための電圧がそれに印加される電極であり、第1の誘電体部の中に設けられている。第2の静電チャック領域が有する上記誘電体部である第2の誘電体部は、第1の誘電体部から、分離されていてもよい。

0019

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、第2の静電チャック領域が有する誘電体部の中に設けられたヒータを更に備えていてもよい。

0020

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、第2の静電チャック領域とエッジリングとの間に伝熱ガスを供給するためのガスラインを更に備えていてもよい。

0021

一つの例示的実施形態において、第1の静電チャック領域は、別の電極を更に備えていてもよい。別の電極は、それにバイアス電力が供給される電極であり、第1の静電チャック領域の中に設けられている。この実施形態によれば、第1の静電チャック領域を介して基板に供給されるバイアス電力と第2の静電チャック領域を介してエッジリングに供給されるバイアス電力を互いに独立的に制御することが可能となる。

0022

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、基台を更に備えていてもよい。基台は、導電性を有する。基台には、バイアス電力が供給され得る。第1の静電チャック領域及び第2の静電チャック領域は、基台上に設けられていてもよい。

0023

別の種々の例示的実施形態においては、プラズマ処理装置が提供される。

0024

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、上述の種々の例示的実施形態のうち何れかの基板支持器である。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。

0025

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、上述の種々の例示的実施形態の基板支持器のうち第1の静電チャック領域及び第2の静電チャック領域を有する何れかの基板支持器である。プラズマ処理装置は、直流電源及びバイアス電源を更に備える。直流電源は、第2の静電チャック領域とエッジリングとの間で静電引力を発生させるための電圧を発生するように構成されている。バイアス電源は、第2の静電チャック領域を介してエッジリングに供給されるバイアス電力を発生するように構成されている。

0026

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において、基板支持器は、第1の静電チャック領域の中に設けられた上記別の電極を有する基板支持器である。この実施形態において、プラズマ処理装置は、別の電極に供給されるバイアス電力を発生するように構成された別のバイアス電源を更に備え得る。

0027

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において、基板支持器は、上記基台を有する基板支持器である。この実施形態において、プラズマ処理装置は、基台に供給されるバイアス電力を発生するように構成された別のバイアス電源を更に備え得る。

0028

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持器、直流電源、共通の電気的パス、第1の電気的パス、第2の電気的パス、及びインピーダンス回路を備える。基板支持器は、第1の静電チャック領域の中に設けられた上記別の電極を有する基板支持器である。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。直流電源は、第2の静電チャック領域とエッジリングとの間で静電引力を発生させるための電圧を発生するように構成されている。バイアス電源は、バイアス電力を発生するように構成されている。共通の電気的パスは、バイアス電源に接続されている。第1の電気的パス及び第2の電気的パスは、共通の電気的パスから分岐されている。第1の電気的パスは、別の電極に供給されるバイアス電力のための電気的パスである。第2の電気的パスは、第2の静電チャック領域を介してエッジリングに供給されるバイアス電力のための電気的パスである。インピーダンス回路は、第1の電気的パス及び第2の電気的パスのうち少なくとも一方の電気的パス上に設けられている。この実施形態において、第2の静電チャック領域を介してエッジリングに供給されるバイアス電力及び別の電極に供給されるバイアス電力は、バイアス電源によって発生されたバイアス電力を第1の電気的パス及び第2の電気的パスに分配することにより生成される。

0029

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持器、直流電源、共通の電気的パス、第1の電気的パス、第2の電気的パス、及びインピーダンス回路を備える。基板支持器は、上記基台を有する基板支持器である。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。直流電源は、第2の静電チャック領域とエッジリングとの間で静電引力を発生させるための電圧を発生するように構成されている。バイアス電源は、バイアス電力を発生するように構成されている。共通の電気的パスは、バイアス電源に接続されている。第1の電気的パス及び第2の電気的パスは、共通の電気的パスから分岐されている。第1の電気的パスは、基台に供給されるバイアス電力のための電気的パスである。第2の電気的パスは、第2の静電チャック領域を介してエッジリングに供給されるバイアス電力のための電気的パスである。インピーダンス回路は、第1の電気的パス及び第2の電気的パスのうち少なくとも一方の電気的パス上に設けられている。この実施形態において、第2の静電チャック領域を介してエッジリングに供給されるバイアス電力及び基台に供給されるバイアス電力は、バイアス電源によって発生されたバイアス電力を第1の電気的パス及び第2の電気的パスに分配することにより生成される。

0030

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

0031

図1は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図1に示すプラズマ処理装置1は、チャンバ10を備えている。図2は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置のチャンバ内の構成を詳細に示す図である。図2に示すように、プラズマ処理装置1は、容量結合型のプラズマ処理装置であり得る。

0032

チャンバ10は、その中に内部空間10sを提供している。内部空間10sの中心軸線は、鉛直方向に延びる軸線AXである。一実施形態において、チャンバ10は、チャンバ本体12を含んでいる。チャンバ本体12は、略円筒形状を有している。内部空間10sは、チャンバ本体12の中に提供されている。チャンバ本体12は、例えばアルミニウムから構成されている。チャンバ本体12は電気的に接地されている。チャンバ本体12の内壁面、即ち内部空間10sを画成する壁面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。

0033

チャンバ本体12の側壁には通路12pが形成されている。基板Wは、内部空間10sとチャンバ10の外部との間で搬送されるときに、通路12pを通過する。この通路12pの開閉のために、ゲートバルブ12gがチャンバ本体12の側壁に沿って設けられている。

0034

プラズマ処理装置1は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器16を更に備える。基板支持器16は、チャンバ10の中で、その上に載置された基板Wを支持するように構成されている。基板Wは、略円盤形状を有する。基板支持器16は、支持部17によって支持されている。支持部17は、チャンバ本体12の底部から上方に延在している。支持部17は、略円筒形状を有している。支持部17は、石英といった絶縁材料から形成されている。

0035

基板支持器16は、基台18及び静電チャック20を有する。基台18及び静電チャック20は、チャンバ10の中に設けられている。基台18は、アルミニウムといった導電性材料から形成されており、略円盤形状を有している。

0036

基台18内には、流路18fが形成されている。流路18fは、熱交換媒体用の流路である。熱交換媒体としては、例えば液状の冷媒が用いられる。流路18fには、熱交換媒体の供給装置(例えば、チラーユニット)が接続されている。この供給装置は、チャンバ10の外部に設けられている。流路18fには、供給装置から配管23aを介して熱交換媒体が供給される。流路18fに供給された熱交換媒体は、配管23bを介して供給装置に戻される。

0037

静電チャック20は、基台18上に設けられている。基板Wは、内部空間10sの中で処理されるときに、静電チャック20上に載置され、静電チャック20によって保持される。また、基板支持器16上には、エッジリングERが搭載される。エッジリングERは、略環形状を有する板である。エッジリングERは、導電性を有する。エッジリングERは、例えばシリコン又は炭化ケイ素から形成されている。エッジリングERは、その中心軸線が軸線AXに一致するように、基板支持器16上に搭載される。チャンバ10内に収容された基板Wは、静電チャック20上、且つ、エッジリングERによって囲まれた領域内に配置される。

0038

プラズマ処理装置1は、ガス供給ライン25を更に備え得る。ガス供給ライン25は、ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばHeガスを、静電チャック20(後述する第1の静電チャック領域)の上面と基板Wの裏面(下面)との間の間隙に供給する。

0039

プラズマ処理装置1は、外周部28及び外周部29を更に備え得る。外周部28は、チャンバ本体12の底部から上方に延在している。外周部28は、略円筒形状を有し、支持部17の外周に沿って延在している。外周部28は、導電性材料から形成されており、略円筒形状を有している。外周部28は、電気的に接地されている。外周部28の表面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。

0040

外周部29は、外周部28上に設けられている。外周部29は、絶縁性を有する材料から形成されている。外周部29は、例えば石英といったセラミックから形成されている。外周部29は、略円筒形状を有している。外周部29は、基台18及び静電チャック20の外周に沿って延在している。

0041

プラズマ処理装置1は、上部電極30を更に備えている。上部電極30は、基板支持器16の上方に設けられている。上部電極30は、部材32と共にチャンバ本体12の上部開口を閉じている。部材32は、絶縁性を有している。上部電極30は、この部材32を介してチャンバ本体12の上部に支持されている。

0042

上部電極30は、天板34及び支持体36を含んでいる。天板34の下面は、内部空間10sを画成している。天板34には、複数のガス吐出孔34aが形成されている。複数のガス吐出孔34aの各々は、天板34を板厚方向(鉛直方向)に貫通している。この天板34は、限定されるものではないが、例えばシリコンから形成されている。或いは、天板34は、アルミニウム製の部材の表面に耐プラズマ性の膜を設けた構造を有し得る。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。

0043

支持体36は、天板34を着脱自在に支持している。支持体36は、例えばアルミニウムといった導電性材料から形成されている。支持体36の内部には、ガス拡散室36aが設けられている。ガス拡散室36aからは、複数のガス孔36bが下方に延びている。複数のガス孔36bは、複数のガス吐出孔34aにそれぞれ連通している。支持体36には、ガス導入ポート36cが形成されている。ガス導入ポート36cは、ガス拡散室36aに接続している。ガス導入ポート36cには、ガス供給管38が接続されている。

0044

ガス供給管38には、ガスソース群40が、バルブ群41、流量制御器群42、及びバルブ群43を介して接続されている。ガスソース群40、バルブ群41、流量制御器群42、及びバルブ群43は、ガス供給部を構成している。ガスソース群40は、複数のガスソースを含んでいる。バルブ群41及びバルブ群43の各々は、複数のバルブ(例えば開閉バルブ)を含んでいる。流量制御器群42は、複数の流量制御器を含んでいる。流量制御器群42の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群40の複数のガスソースの各々は、バルブ群41の対応のバルブ、流量制御器群42の対応の流量制御器、及びバルブ群43の対応のバルブを介して、ガス供給管38に接続されている。プラズマ処理装置1は、ガスソース群40の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスを、個別に調整された流量で、内部空間10sに供給することが可能である。

0045

外周部28とチャンバ本体12の側壁との間には、バッフルプレート48が設けられている。バッフルプレート48は、例えば、アルミニウム製の部材に酸化イットリウム等のセラミックを被覆することにより構成され得る。このバッフルプレート48には、多数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート48の下方においては、排気管52がチャンバ本体12の底部に接続されている。この排気管52には、排気装置50が接続されている。排気装置50は、自動圧力制御弁といった圧力制御器、及び、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、内部空間10sの中の圧力を減圧することができる。

0046

以下、基板支持器16について詳細に説明する。上述したように、基板支持器16は、基台18及び静電チャック20を有している。図1に示すように、基台18には、高周波電源61が整合器62を介して接続されている。高周波電源61は、プラズマ生成用高周波電力を発生する電源である。高周波電源61が発生する高周波電力は、27〜100MHzの範囲内の周波数、例えば40MHz又は60MHzの周波数を有する。整合器62は、高周波電源61の出力インピーダンス負荷側(基台18側)のインピーダンス整合させるための整合回路を有している。なお、高周波電源61は、基台18に電気的に接続されていなくてもよく、整合器62を介して上部電極30に接続されていてもよい。

0047

プラズマ処理装置1では、高周波電源61からの高周波電力が供給されると、チャンバ10内でガスが励起されて、当該ガスからプラズマが生成される。基板Wは、生成されたプラズマからのイオン及び/又はラジカルといった化学種により処理される。

0048

静電チャック20は、第1の静電チャック領域21及び第2の静電チャック領域22を有している。第1の静電チャック領域21及び第2の静電チャック領域22は、基台18上に設けられている。プラズマ処理装置1の基板支持器16では、第1の静電チャック領域21及び第2の静電チャック領域22は、互いに連続しており、一体になっている。なお、図1では、第1の静電チャック領域21と第2の静電チャック領域22との間の境界は、破線で示されている。

0049

第1の静電チャック領域21は、その上(即ち、その上面の上)に載置される基板Wを保持するように構成されている。第1の静電チャック領域21は、円盤形状を有する領域である。第1の静電チャック領域21の中心軸線は、軸線AXに略一致している。第1の静電チャック領域21は、第2の静電チャック領域22と、誘電体部20dを共有している。誘電体部20dは、窒化アルミニウム酸化アルミニウムといった誘電体から形成されている。誘電体部20dは、略円盤形状を有している。一実施形態において、第2の静電チャック領域22における誘電体部20dの厚みは、第1の静電チャック領域21における誘電体部20dの厚みよりも小さい。第2の静電チャック領域22における誘電体部20dの上面の鉛直方向における位置は、第1の静電チャック領域21における誘電体部20dの上面の鉛直方向における位置よりも低くてもよい。

0050

第1の静電チャック領域21は、電極21a(チャック電極)を有する。電極21aは、膜状の電極であり、第1の静電チャック領域21における誘電体部20dの中に設けられている。電極21aには、直流電源55がスイッチ56を介して接続されている。直流電源55からの直流電圧が電極21aに印加されると、第1の静電チャック領域21と基板Wとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Wは第1の静電チャック領域21に引き付けられ、第1の静電チャック領域21によって保持される。

0051

第1の静電チャック領域21は、電極21cを更に有していてもよい。電極21cは、膜状の電極であり、第1の静電チャック領域21における誘電体部20dの中に設けられている。なお、電極21aは、鉛直方向において、電極21cよりも第1の静電チャック領域21の上面の近くで延在し得る。電極21cには、バイアス電源63が整合器64及びフィルタ65を介して接続されている。なお、バイアス電源63は、整合器64及びフィルタ65を介して、基台18に電気的に接続されていてもよい。この場合に、第1の静電チャック領域21は、電極21cを有していなくてもよい。

0052

バイアス電源63は、チャンバ10内で生成されたプラズマから基板Wにイオンを引き込むためのバイアス電力を発生する。バイアス電源63が発生するバイアス電力は、周期性を有し得る。一実施形態において、バイアス電源63が発生するバイアス電力は、高周波電力である。この場合に、バイアス電源63が発生するバイアス電力は、高周波電源61が発生する高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。バイアス電源63が発生するバイアス電力の周波数は、400kHz〜13.56MHzの範囲内の周波数であり、例えば、400kHzである。

0053

整合器64は、バイアス電源63と電極21cとの間で接続されている。整合器64は、バイアス電源63の出力インピーダンスと負荷側(電極21c側)のインピーダンスを整合させるように構成されている。フィルタ65は、整合器64と電極21cとの間で接続されている。フィルタ65は、高周波電源61が発生する高周波電力を遮断するか、或いは、低減する電気フィルタである。フィルタ65は、高周波電源61が発生する高周波電力がバイアス電源63に流入することを阻止するか、或いは、バイアス電源63に流入する高周波電力を低減する。

0054

別の実施形態において、バイアス電源63が発生するバイアス電力は、周期的に発生されるパルス状の高周波電力であってもよい。即ち、バイアス電源63からの電極21cに対する高周波電力の供給及び供給停止が、交互に切り替えられてもよい。更に別の実施形態において、バイアス電源63は、バイアス電力として、パルス状の負極性の直流電圧を電極21cに周期的に印加するように構成されていてもよい。この場合において、バイアス電源63は、パルス状の負極性の直流電圧を例えば400kHzといった周波数で規定される周期で周期的に発生し得る。パルス状の負極性の直流電圧のレベルは、当該パルス状の負極性の直流電圧が電極21cに印加されている期間内において、変化してもよい。

0055

第1の静電チャック領域21は、ヒータ21hを更に有していてもよい。ヒータ21hは、第1の静電チャック領域21における誘電体部20dの中に設けられている。なお、電極21a及び電極21cは、鉛直方向において、ヒータ21hよりも第1の静電チャック領域21の上面の近くで延在し得る。ヒータ21hは、抵抗加熱素子であり得る。ヒータ21hには、ヒータコントローラ68が接続されている。ヒータコントローラ68は、ヒータ21hに電力を供給する。ヒータコントローラ68は、ヒータ21hに供給する電力のレベルを制御するように構成されている。なお、第1の静電チャック領域21は、複数個のヒータを有していてもよい。

0056

第1の静電チャック領域21は、ガス供給ライン25の一部を更に有していてもよい。ガス供給ライン25は、上述したように、第1の静電チャック領域21と基板Wの裏面との間の間隙に伝熱ガス、例えばHeガスを供給するために設けられたガスラインである。ガス供給ライン25は、伝熱ガスのソースであるガス供給機構に接続される。

0057

第2の静電チャック領域22は、第1の静電チャック領域21を囲むように設けられている。第2の静電チャック領域22は、略環状の領域である。第2の静電チャック領域22の中心軸線は、軸線AXに略一致している。第2の静電チャック領域22は、その上(即ち、その上面の上)に載置されるエッジリングERを保持するように構成されている。第2の静電チャック領域22は、第1の静電チャック領域21と、誘電体部20dを共有している。

0058

第2の静電チャック領域22は、一つ以上の電極を有する。一つ以上の電極は、エッジリングERと第2の静電チャック領域22との間で静電引力を発生させ、且つ、第2の静電チャック領域22を介してエッジリングERにバイアス電力を供給するために、第2の静電チャック領域22の中に設けられている。一つ以上の電極は、第2の静電チャック領域22において誘電体部20dの中に設けられている。

0059

一実施形態において、第2の静電チャック領域22は、第1の電極及び第2の電極を含む。第1の電極は、静電引力を発生するために電圧がそれに印加される電極である。第2の電極は、バイアス電力がそれに供給される電極である。

0060

一実施形態において、第2の静電チャック領域22は、双極型の静電チャックを構成している。即ち、第2の静電チャック領域22は、双極電極を構成する一対の電極を含む。具体的に、プラズマ処理装置1の基板支持器16では、第2の静電チャック領域22は、双極電極を構成する一対の第1の電極として、電極22a及び電極22bを有する。電極22a及び電極22bの各々は、膜状の電極である。電極22a及び電極22bは、鉛直方向において略同一の高さ位置で延在していてもよい。

0061

電極22aには、直流電源71が、スイッチ72及びフィルタ73を介して接続されている。フィルタ73は、高周波電力及びバイアス電力を遮断するか、或いは、低減する電気フィルタである。フィルタ73は、高周波電力及びバイアス電力が直流電源71に流入することを阻止するか、或いは、直流電源71に流入する高周波電力及びバイアス電力を低減する。

0062

電極22bには、直流電源74が、スイッチ75及びフィルタ76を介して接続されている。フィルタ76は、高周波電力及びバイアス電力を遮断するか、或いは、低減する電気フィルタである。フィルタ76は、高周波電力及びバイアス電力が直流電源74に流入することを阻止するか、或いは、直流電源74に流入する高周波電力及びバイアス電力を低減する。

0063

直流電源71及び直流電源74はそれぞれ、電極22aと電極22bとの間で電位差が生じるように、直流電圧を電極22a及び電極22bに印加する。なお、電極22a及び電極22bの各々の設定電位は、正電位、負電位、及び0Vのうち何れであってもよい。例えば、電極22aの電位が正電位に設定され、電極22bの電位が負電位に設定されてもよい。また、電極22aと電極22bとの間の電位差は、二つの直流電源ではなく、単一の直流電源を用いて形成されてもよい。

0064

電極22aと電極22bとの間で電位差が生じると、第2の静電チャック領域22とエッジリングERとの間で静電引力が発生する。エッジリングERは、発生した静電引力により第2の静電チャック領域22に引き付けられ、第2の静電チャック領域22によって保持される。

0065

第2の静電チャック領域22は、第2の電極として、電極22cを更に有する。電極22cは、膜状の電極であり、第2の静電チャック領域22における誘電体部20dの中に設けられている。なお、電極22a及び電極22bは、鉛直方向において、電極22cよりも第2の静電チャック領域22の上面の近くで延在し得る。電極22cには、バイアス電源81が整合器82及びフィルタ83を介して接続されている。

0066

バイアス電源81は、バイアス電力を発生する電源である。バイアス電源81が発生するバイアス電力は、バイアス電源63が発生するバイアス電力である高周波電力と同じ周波数を有する高周波電力であり得る。或いは、バイアス電源81は、バイアス電力として、バイアス電源63と同様に、パルス状の負極性の直流電圧を周期的に発生してもよい。整合器82は、バイアス電源81の出力インピーダンスと負荷側(電極22c側)のインピーダンスを整合させるように構成されている。フィルタ83は、整合器82と電極22cとの間で接続されている。フィルタ83は、高周波電源61が発生する高周波電力を遮断するか、或いは、低減する電気フィルタである。フィルタ83は、高周波電源61が発生する高周波電力がバイアス電源81に流入することを阻止するか、或いは、バイアス電源81に流入する高周波電力を低減する。

0067

第2の静電チャック領域22は、ヒータ22hを更に有していてもよい。ヒータ22hは、第2の静電チャック領域22における誘電体部20dの中に設けられている。なお、電極22a、電極22b、及び電極22cは、鉛直方向において、ヒータ22hよりも第2の静電チャック領域22の上面の近くで延在し得る。ヒータ22hは、抵抗加熱素子であり得る。ヒータ22hには、ヒータコントローラ85が接続されている。ヒータコントローラ85は、ヒータ22hに電力を供給する。ヒータコントローラ85は、ヒータ22hに供給する電力のレベルを制御するように構成されている。なお、第2の静電チャック領域22は、複数個のヒータを有していてもよい。また、ヒータ21hとヒータ22hには、電力が、同一且つ単一のヒータコントローラから供給されてもよい。

0068

第2の静電チャック領域22は、ガスライン22gを更に有していてもよい。ガスライン22gは、第2の静電チャック領域22とエッジリングERとの間に伝熱ガス、例えばHeガスを供給するために設けられたガスラインである。ガスライン22gは、伝熱ガスのソースであるガス供給機構86に接続されている。

0069

一実施形態においては、図2に示すように、プラズマ処理装置1は、制御部MCを更に備えていてもよい。制御部MCは、プロセッサ記憶装置入力装置表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置1の各部を制御する。具体的に、制御部MCは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいてプラズマ処理装置1の各部を制御する。制御部MCによる制御により、レシピデータによって指定されたプロセスがプラズマ処理装置1において実行される。

0070

プラズマ処理装置1の基板支持器16では、電極22a、電極22b、及び電極22cが第2の静電チャック領域22内に設けられている。したがって、第2の静電チャック領域22にエッジリングERを保持した状態で、第2の静電チャック領域22を介してエッジリングERにバイアス電力を供給することが可能である。したがって、プラズマ処理装置1の基板支持器16は、バイアス電力をエッジリングERに対して独立的且つ安定的に供給可能な構造を提供している。

0071

また、プラズマ処理装置1の基板支持器16では、第1の静電チャック領域21が電極21cを有し、第2の静電チャック領域22が電極22cを有する。電極21c及び電極22cには個別にバイアス電力が供給される。したがって、第1の静電チャック領域21を介して基板Wに供給されるバイアス電力と第2の静電チャック領域22を介してエッジリングERに供給されるバイアス電力を互いに独立的に制御することが可能となる。

0072

以下、図3を参照する。図3は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図3に示すプラズマ処理装置1Bを、プラズマ処理装置1とプラズマ処理装置1Bとの相違点の観点から説明する。

0073

プラズマ処理装置1Bでは、第2の静電チャック領域22とエッジリングERとの間で静電引力を発生するために電圧が印加される電極とバイアス電力が供給される電極が共通の電極である。具体的に、プラズマ処理装置1Bでは、バイアス電源81は、整合器82及びフィルタ83を介して、電極22a及び電極22bの双方に接続されている。プラズマ処理装置1Bでは、バイアス電源81からのバイアス電力は、電極22a及び電極22bに分配される。

0074

バイアス電源81は、ブロッキングコンデンサ87を介して電極22aに接続されていてもよい。また、バイアス電源81は、ブロッキングコンデンサ88を介して電極22bに接続されていてもよい。ブロッキングコンデンサ87及びブロッキングコンデンサ88は、バイアス電源81に直流電流が流入することを阻止するか、或いは、バイアス電源81に流入する直流電流を低減する。

0075

プラズマ処理装置1Bの基板支持器16では、静電引力を発生させるために電圧が印加される電極22a及び電極22bに、バイアス電力が供給される。したがって、バイアス電力がそれに供給される専用の電極22cが、第2の静電チャック領域22から省略され得る。故に、第2の静電チャック領域22の構造が、簡易な構造となり得る。その結果、プラズマ処理装置1Bの基板支持器16は、低コスト且つ容易に作成され得る。

0076

また、プラズマ処理装置1Bの基板支持器16では、バイアス電力が供給される電極22a及び電極22bの各々とエッジリングERとの間の距離を短くすることができる。したがって、電極22a及び電極22bの各々とエッジリングERとの間の静電容量が大きくなる。故に、電極22a及び電極22bに供給されてエッジリングERに結合するバイアス電力が増加する。一方、電極22a及び電極22bに供給されて基板Wに供給されるバイアス電力は、減少する。故に、エッジリングERに供給するバイアス電力の独立制御性が高くなる。

0077

以下、図4を参照する。図4は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図4に示すプラズマ処理装置1Cを、プラズマ処理装置1Bとプラズマ処理装置1Cとの相違点の観点から説明する。

0078

プラズマ処理装置1Cでは、バイアス電源63は、整合器64を介して基台18に接続されている。プラズマ処理装置1Cでは、バイアス電源63からのバイアス電力及びバイアス電源81からのバイアス電力が第2の静電チャック領域22を介してエッジリングERに供給される。したがって、バイアス電源81から供給するバイアス電力を減少させることが可能である。

0079

以下、図5を参照する。図5は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図5に示すプラズマ処理装置1Dを、プラズマ処理装置1Cとプラズマ処理装置1Dとの相違点の観点から説明する。

0080

プラズマ処理装置1Dは、高周波電源91を更に備える。高周波電源91は、整合器92、フィルタ83、及びブロッキングコンデンサ87を介して電極22aに接続されている。また、高周波電源91は、整合器92、フィルタ83、及びブロッキングコンデンサ88を介して電極22bに接続されている。高周波電源91は、高周波電源61が発生する高周波電源の周波数と同じ周波数を有する高周波電力を発生する。プラズマ処理装置1Dでは、高周波電源91からの高周波電力が、第2の静電チャック領域22及びエッジリングERを介してプラズマに結合する。その結果、エッジリングの上方の領域におけるプラズマの密度を、基板Wの上方の領域におけるプラズマの密度に対して独立的に制御することが可能となる。

0081

なお、プラズマ処理装置1Dにおいて、第2の静電チャック領域22が電極22cを有している場合には、高周波電源91及びバイアス電源81は、電極22cに接続されていてもよい。

0082

以下、図6を参照する。図6は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図6に示すプラズマ処理装置1Eを、プラズマ処理装置1Cとプラズマ処理装置1Eとの相違点の観点から説明する。

0083

プラズマ処理装置1Eは、共通の電気的パス100、第1の電気的パス101、及び第2の電気的パス102を備えている。共通の電気的パス100は、高周波電源61及びバイアス電源63に接続されている。第1の電気的パス101及び第2の電気的パス102は、共通の電気的パス100から分岐されている。第1の電気的パス101は、基台18に接続している。第2の電気的パス102は、ブロッキングコンデンサ87を介して電極22aに接続している。また、第2の電気的パス102は、ブロッキングコンデンサ88を介して電極22bに接続している。プラズマ処理装置1Eでは、高周波電源61からの高周波電力及びバイアス電源63からのバイアス電力が、基台18、電極22a、及び電極22bに分配される。したがって、プラズマ処理装置1Eは、バイアス電源81、整合器82、及びフィルタ83を備えていない。

0084

第2の電気的パス102上には、インピーダンス回路103が設けられている。インピーダンス回路103は、可変インピーダンス素子を有し得る。可変インピーダンス素子としては、可変容量コンデンサが例示される。インピーダンス回路103のインピーダンスを調整することにより、バイアス電源63から基台18に供給されるバイアス電力に対してバイアス電源63から電極22a及び電極22bに供給されるバイアス電力の比率を調整することができる。また、インピーダンス回路103のインピーダンスを調整することにより、高周波電源61から基台18に供給される高周波電力に対して、高周波電源61から電極22a及び電極22bに供給される高周波電力の比率を調整することができる。かかるプラズマ処理装置1Eでは、プラズマ処理装置1Cに比べて、バイアス電源の個数を減少させることができる。したがって、プラズマ処理装置1Eは、比較的安価に提供され得る。

0085

なお、第1の電気的パス101上にインピーダンス回路103と同様のインピーダンス回路が設けられていてもよい。第1の電気的パス101上にインピーダンス回路が設けられている場合には、インピーダンス回路103は第2の電気的パス102上に設けられていてもよく、設けられていなくてもよい。

0086

また、プラズマ処理装置1Eにおいて、第2の静電チャック領域22が電極22cを有している場合には、高周波電源61及びバイアス電源63は、第2の電気的パス102を介して電極22cに接続されていてもよい。

0087

以下、図7を参照する。図7は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図7に示すプラズマ処理装置1Fを、プラズマ処理装置1Dとプラズマ処理装置1Fとの相違点の観点から説明する。

0088

プラズマ処理装置1Fの基板支持器16では、第1の静電チャック領域21は、第1の誘電体部21dを有しており、第2の静電チャック領域22は、第2の誘電体部22dを有している。第1の誘電体部21d及び第2の誘電体部22dの各々は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムといった誘電体から形成されている。

0089

第1の誘電体部21dは、略円盤形状を有している。第1の誘電体部21dの中心軸線は、軸線AXに略一致している。第1の誘電体部21dの中には、電極21a及びヒータ21hが設けられている。

0090

第2の誘電体部22dは、第1の誘電体部21dを囲むように延在している。第2の誘電体部22dは、略環状の板である。第2の誘電体部22dの中心軸線は、軸線AXに略一致している。第2の誘電体部22dの中には、電極22a、電極22b、及びヒータ22hが設けられている。一実施形態において、第2の誘電体部22dの厚みは、第1の誘電体部21dの厚みよりも小さい。第2の誘電体部22dの上面の鉛直方向における位置は、第1の誘電体部21dの上面の鉛直方向における位置よりも低くてもよい。

0091

プラズマ処理装置1Fの基板支持器16では、第1の誘電体部21d及び第2の誘電体部22dは、互いに分離されている。即ち、第1の誘電体部21dと第2の誘電体部22dとの間には、間隙が存在している。

0092

また、プラズマ処理装置1Fの基板支持器16では、基台18は、第1部分181及び第2部分182に分離されている。即ち、第1部分181と第2部分182の間には、間隙が存在している。第1部分181には、高周波電源61及びバイアス電源63が電気的に接続されている。第1部分181は、その上に設けられた第1の静電チャック領域21を支持している。第2部分182は、その上に設けられた第2の静電チャック領域22を支持している。

0093

なお、プラズマ処理装置1Fの基板支持器16の第1の誘電体部21dの中に電極21cが設けられている場合には、高周波電源61及びバイアス電源63は、電極21cに接続されていてもよい。

0094

以下、図8を参照する。図8は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図8に示すプラズマ処理装置1Gを、プラズマ処理装置1Eとプラズマ処理装置1Gとの相違点の観点から説明する。

0095

プラズマ処理装置1Gの基板支持器16では、プラズマ処理装置1Fの基板支持器16と同様に、第1の静電チャック領域21が、第1の誘電体部21dを有し、第2の静電チャック領域22は第2の誘電体部22dを有する。但し、プラズマ処理装置1Gの基板支持器16では、基台18は、プラズマ処理装置1Fの基板支持器16の基台18とは異なり、二つの部分(第1部分181及び第2部分182)に分離されていない。プラズマ処理装置1Gの基板支持器16の基台18には、溝18gが形成されていてもよい。溝18gは、基台18の上面において開口している。溝18gの底は、溝18gの上端開口と基台18の下面との間に位置している。溝18gは、その上で第1の静電チャック領域21が延在する基台18の領域とその上で第2の静電チャック領域22が延在する基台18の領域との間で延在している。

0096

以下、図9を参照する。図9は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図9に示すプラズマ処理装置1Hを、プラズマ処理装置1Eとプラズマ処理装置1Hとの相違点の観点から説明する。

0097

プラズマ処理装置1Hでは、第1の電気的パス101は、電極21aに接続されている。第1の電気的パス101は、コンデンサ110を含む。コンデンサ110は、固定容量コンデンサ又は可変容量コンデンサであり得る。コンデンサ110は、バイアス電源81に直流電流が流入することを阻止するか、或いは、バイアス電源81に流入する直流電流を低減し得る。また、コンデンサ110は、電極22a及び電極22bの各々と電極21aとの間での高周波電力及びバイアス電力の各々の分配比率を調整し得る。

0098

また、プラズマ処理装置1Hでは、フィルタ112が、直流電源55と電極21aとの間で接続されていてもよい。フィルタ112は、高周波電源61が発生する高周波電力及びバイアス電源63が発生するバイアス電力を遮断するか、或いは、低減する電気フィルタである。フィルタ112は、高周波電源61が発生する高周波電力及びバイアス電源63が発生するバイアス電力が直流電源55に流入することを阻止するか、或いは、直流電源55に流入する高周波電力及びバイアス電力を低減する。

0099

以下、図10を参照する。図10は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図10に示すプラズマ処理装置1Jは、高周波電源61が基台18に電気的に接続されている点で、プラズマ処理装置1Hと異なる。プラズマ処理装置1Jの他の構成は、プラズマ処理装置1Hの対応の構成と同一である。

0100

以下、図11を参照する。図11は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図11に示すプラズマ処理装置1Kは、バイアス電源63が、ヒータ21h及びヒータ22hに電気的に接続されている点で、プラズマ処理装置1Jと異なる。プラズマ処理装置1Hの他の構成は、プラズマ処理装置1Jの対応の構成と同一である。

0101

以下、図12の(a)、図12の(b)、及び図12の(c)を参照する。図12の(a)は、第1の静電チャック領域の別の例を示す部分拡大図であり、図12の(b)及び図12の(c)の各々は、第2の静電チャック領域の別の例を示す部分拡大図である。図12の(a)に示すように、上述した種々の実施形態に係る基板支持器16の第1の静電チャック領域21において、電極21aと電極21cそれぞれの高さ方向の位置は、互いに同一であってもよい。また、図12の(b)及び図12の(c)に示すように、上述した種々の実施形態に係る基板支持器16の第2の静電チャック領域22において、電極22a、電極22b、及び電極22cそれぞれの高さ方向の位置は、互いに同一であってもよい。図12の(b)に示すように、電極22cは、水平方向において、電極22aと電極22bとの間に設けられていてもよい。或いは、図12の(c)に示すように、電極22bは、水平方向において、電極22aと電極22cとの間に設けられていてもよい。なお、図12の(b)及び図12の(c)に示す第2の静電チャック領域22を有する基板支持器16において、第1の静電チャック領域21の電極21cは、電極22cと同一の高さ方向の位置で延在していてもよい。

0102

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

0103

例えば、基板支持器16は、上述した第1の静電チャック領域21と第2の静電チャック領域22のうち一方のみを有していてもよく、これらの双方を有していてもよい。即ち、基板支持器16は、誘電体部と少なくとも一つの電極を備えていればよい。少なくとも一つの電極は、誘電体部上に載置される物体にバイアス電力を供給するために誘電体部の中に設けられている。物体は、基板W又はエッジリングERのうち少なくとも一方である。少なくとも一つの電極は、第1の静電チャック領域21において誘電体部の中に設けられた電極のみを含んでいてもよい。或いは、少なくとも一つの電極は、第2の静電チャック領域22において誘電体部の中に設けられた電極のみを含んでいてもよい。或いは、少なくとも一つの電極は、第1の静電チャック領域21において誘電体部の中に設けられた電極及び第2の静電チャック領域22において誘電体部の中に設けられた電極の双方を含んでいてもよい。第1の静電チャック領域21において誘電体部の中に設けられた電極としては、電極21a、電極21c、又はヒータ21hのような電極が例示される。第2の静電チャック領域22において誘電体部の中に設けられた電極としては、電極22a、電極22b、電極22c、又はヒータ22hのような電極が例示される。

0104

また、第2の静電チャック領域22は、単極型の静電チャックであってもよい。即ち、第2の静電チャック領域22は、双極電極を構成する一対の電極ではなく、静電引力を発生するために単一の電圧が印加される一つ以上の電極を有していてもよい。

0105

また、プラズマ処理装置1E,1Hの各々の第1及び第2の静電チャック領域21,22並びに基台18は、プラズマ処理装置1Fの第1及び第2の静電チャック領域21,22並びに基台18と同様に構成されていてもよい。

0106

また、プラズマ処理装置1,1B,1C,1D,1E,1H,1J,1Kの各々の第1及び第2の静電チャック領域21,22並びに基台18は、プラズマ処理装置1Gの第1及び第2の静電チャック領域21,22並びに基台18と同様に構成されていてもよい。

0107

また、上述した種々の実施形態の基板支持器16を備えるプラズマ処理装置は、任意のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。そのようなプラズマ処理装置は、例えば、誘導結合型のプラズマ処理装置、電子サイクロトロン共鳴ECR)プラズマ処理装置、又はマイクロ波といった表面波によりプラズマを生成するプラズマ処理装置である。

0108

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

0109

16…基板支持器、21…第1の静電チャック領域、22…第2の静電チャック領域、22a,22b,22c…電極、W…基板、ER…エッジリング。

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