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技術 基板処理装置及び基板処理方法

出願人 セメスカンパニー,リミテッド
発明者 パク,シヒョン
出願日 2020年8月14日 (9ヶ月経過) 出願番号 2020-137050
公開日 2021年3月1日 (3ヶ月経過) 公開番号 2021-034731
状態 未査定
技術分野 ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 半導体の洗浄、乾燥 静電気の除去
主要キーワード 前処理位置 移送フレーム スイング移動 インデックスモジュール 液吐出管 中央領 非活性ガス 流体供給ユニット
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (9)

課題

基板に発生された静電気を効率的に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。

解決手段

本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、基板を支持し、支持板を含む支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板の下部に流体を供給する下部流体供給ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板を除電する除電ユニットと、制御器と、を含み、前記除電ユニットは、前記支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートを含み、前記制御器は、前記基板の下部に前記流体を供給して前記基板の下面と前記除電プレートとの間の空間に液膜を形成するように前記下部流体供給ユニットを制御することができる。

概要

背景

半導体素子を製造するためには写真蒸着アッシング蝕刻、そしてイオン注入等のような多様な工程が遂行される。また、このような工程が遂行される前後には基板上に残留されたパーティクル洗浄処理する洗浄工程が遂行される。

洗浄工程ではスピンチャックに支持された基板の一面又は両面に洗浄液を供給する。洗浄液は基板の中央領域に供給され、洗浄液が供給される間に基板はスピンチャックによって回転される。基板に供給された洗浄液は回転する基板が有する遠心力によって基板の縁領域に飛散又は拡散される。

基板に供給される洗浄液は基板の表面と摩擦しながら、静電気を発生させる。発生された静電気は基板を損傷させる。例えば、洗浄液が基板に供給されながら、発生された静電気は基板上に形成されたパターンを損傷させる。したがって、基板に発生された静電気を適切に除去することが要求されている。

図1は一般的な基板処理装置1000を示す図面である。図1を参照すれば、一般的な基板処理装置1000は支持板1100、回転軸1200、支持ピン1300、そしてチョクピン1400を含む。支持板1100は回転軸1200と結合されて回転軸1200と共に回転される。また、支持ピン1300とチョクピン1400は支持板1100に提供され、支持ピン1300とチョクピン1400は各々基板Wの下面と側部を支持する。一般的な基板処理装置1000では基板Wに発生された静電気を除去するために、基板Wを支持する支持ピン1300とチョクピン1400を接地させる。これによって、静電気は支持ピン1300とチョクピン1400を通じて基板Wから除去される。

しかし、一般的な基板処理装置1000で静電気を除去する方式では基板Wに発生された静電気が適切に除去されなくとも多い。さらに具体的に、静電気を除去するチョクピン1400と支持ピン1300は基板Wと点接触する。即ち、静電気が除去される経路はチョクピン1400及び/又は支持ピン1300と基板Wが点接触する地点に限定される。したがって、チョクピン1400及び/又は支持ピン1300と接接触する地点と比較的遠い領域に発生された静電気は適切に除去されないことがあり得る。

概要

基板に発生された静電気を効率的に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、基板を支持し、支持板を含む支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板の下部に流体を供給する下部流体供給ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板を除電する除電ユニットと、制御器と、を含み、前記除電ユニットは、前記支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートを含み、前記制御器は、前記基板の下部に前記流体を供給して前記基板の下面と前記除電プレートとの間の空間に液膜を形成するように前記下部流体供給ユニットを制御することができる。

目的

本発明の目的は基板に発生された静電気を効率的に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

基板を処理する装置において、基板を支持し、支持板を含む支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板の下部に流体を供給する下部流体供給ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板を除電する除電ユニットと、制御器と、を含み、前記除電ユニットは、前記支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートを含み、前記制御器は、前記基板の下部に前記流体を供給して前記基板の下面と前記除電プレートとの間の空間に液膜を形成するように前記下部流体供給ユニットを制御する基板処理装置

請求項2

前記除電プレートは、接地される請求項1に記載の基板処理装置。

請求項3

前記除電ユニットは、前記除電プレートと電気的に連結され、前記支持板に提供される除電ピンをさらに含む請求項1に記載の基板処理装置。

請求項4

前記除電ピンは、接地される請求項3に記載の基板処理装置。

請求項5

前記除電ピンは、前記支持板と電気的に連結され、前記支持板は、接地される請求項4に記載の基板処理装置。

請求項6

前記除電プレートは、前記除電ピンの上端に結合される請求項4に記載の基板処理装置。

請求項7

前記除電プレートは、上部から見る時、リング形状を有する請求項1に記載の基板処理装置。

請求項8

前記除電プレートは、上部から見る時、一部が切断されて曲がったリング形状を有する請求項7に記載の基板処理装置。

請求項9

前記除電プレートは、前記支持ユニットに支持された基板の縁領域に配置される請求項1乃至請求項8のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

請求項10

前記支持ユニットは、前記支持板に提供され、基板の側部を支持するチョクピンを含み、前記除電プレートは、前記チョクピンの間に配置される請求項1乃至請求項8のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

請求項11

前記チョクピンは、上部から見る時、前記支持板に円周方向に沿って配置し、前記除電プレートは、前記円周方向に沿って配置される前記チョクピンの間に配置される請求項9に記載の基板処理装置。

請求項12

前記除電プレートは、導電性素材を含む材質で提供される請求項1乃至請求項8のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

請求項13

基板を処理する方法において、前記基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートの間の空間に流体を供給して液膜を形成し、前記液膜が前記基板と前記除電プレートを電気的に連結して前記基板を除電する基板処理方法

請求項14

前記除電プレートは、接地される請求項13に記載の基板処理方法。

請求項15

前記除電プレートが上部から見る時、前記基板の縁領域に配置されて前記基板の縁領域を除電する請求項13に記載の基板処理方法。

請求項16

基板を処理する装置において、基板を支持し、支持板を含む支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板が処理される処理空間を有する処理容器と、前記支持ユニットに支持された基板の下部に流体を供給する下部流体供給ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板の上面に処理液を供給する上部流体供給ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板を除電する除電ユニットと、制御器と、を含み、前記除電ユニットは、前記支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートを含み、前記制御器は、前記基板の下部に前記流体を供給して前記基板の下面と前記除電プレートとの間の空間に液膜を形成するように前記下部流体供給ユニットを制御する基板処理装置。

請求項17

前記除電プレートは、接地される請求項16に記載の基板処理装置。

請求項18

前記除電ユニットは、前記除電プレートと電気的に連結され、前記支持板に提供される除電ピンをさらに含む請求項16に記載の基板処理装置。

請求項19

前記除電ピンは、接地される請求項18に記載の基板処理装置。

請求項20

前記除電ピンは、前記支持板と電気的に連結され、前記支持板は接地される請求項19に記載の基板処理装置。

技術分野

0001

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に係る。

背景技術

0002

半導体素子を製造するためには写真蒸着アッシング蝕刻、そしてイオン注入等のような多様な工程が遂行される。また、このような工程が遂行される前後には基板上に残留されたパーティクル洗浄処理する洗浄工程が遂行される。

0003

洗浄工程ではスピンチャックに支持された基板の一面又は両面に洗浄液を供給する。洗浄液は基板の中央領域に供給され、洗浄液が供給される間に基板はスピンチャックによって回転される。基板に供給された洗浄液は回転する基板が有する遠心力によって基板の縁領域に飛散又は拡散される。

0004

基板に供給される洗浄液は基板の表面と摩擦しながら、静電気を発生させる。発生された静電気は基板を損傷させる。例えば、洗浄液が基板に供給されながら、発生された静電気は基板上に形成されたパターンを損傷させる。したがって、基板に発生された静電気を適切に除去することが要求されている。

0005

図1は一般的な基板処理装置1000を示す図面である。図1を参照すれば、一般的な基板処理装置1000は支持板1100、回転軸1200、支持ピン1300、そしてチョクピン1400を含む。支持板1100は回転軸1200と結合されて回転軸1200と共に回転される。また、支持ピン1300とチョクピン1400は支持板1100に提供され、支持ピン1300とチョクピン1400は各々基板Wの下面と側部を支持する。一般的な基板処理装置1000では基板Wに発生された静電気を除去するために、基板Wを支持する支持ピン1300とチョクピン1400を接地させる。これによって、静電気は支持ピン1300とチョクピン1400を通じて基板Wから除去される。

0006

しかし、一般的な基板処理装置1000で静電気を除去する方式では基板Wに発生された静電気が適切に除去されなくとも多い。さらに具体的に、静電気を除去するチョクピン1400と支持ピン1300は基板Wと点接触する。即ち、静電気が除去される経路はチョクピン1400及び/又は支持ピン1300と基板Wが点接触する地点に限定される。したがって、チョクピン1400及び/又は支持ピン1300と接接触する地点と比較的遠い領域に発生された静電気は適切に除去されないことがあり得る。

先行技術

0007

韓国特許公開第10−2017−0137875号公報

発明が解決しようとする課題

0008

本発明の目的は基板に発生された静電気を効率的に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

0009

また、本発明の目的は基板に発生された静電気が除去される除電経路をさらに広げることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

0010

また、本発明の目的はは基板を高速に回転させても基板上に発生された静電気を適切に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

0011

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

課題を解決するための手段

0012

本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、基板を支持し、支持板を含む支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板の下部に流体を供給する下部流体供給ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板を除電する除電ユニットと、制御器と、を含み、前記除電ユニットは、前記支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートを含み、前記制御器は、前記基板の下部に前記流体を供給して前記基板の下面と前記除電プレートとの間の空間に液膜を形成するように前記下部流体供給ユニットを制御することができる。

0013

一実施形態によれば、前記除電プレートは接地されることができる。

0014

一実施形態によれば、前記除電プレートと電気的に連結され、前記支持板に提供される除電ピンをさらに含むことができる。

0015

一実施形態によれば、前記除電ピンは接地されることができる。

0016

一実施形態によれば、前記除電ピンは前記支持板と電気的に連結され、前記支持板は接地されることができる。

0017

一実施形態によれば、前記除電プレートは前記除電ピンの上端に結合されることができる。

0018

一実施形態によれば、前記除電プレートは、上部から見る時、リング形状を有することができる。

0019

一実施形態によれば、前記除電プレートは、上部から見る時、一部が切断されて曲がったリング形状を有することができる。

0020

一実施形態によれば、前記除電プレートは前記支持ユニットに支持された基板の縁領域に配置されることができる。

0021

一実施形態によれば、前記支持ユニットは、前記支持板に提供され、基板の側部を支持するチョクピンを含み、前記除電プレートは、前記チョクピンの間に配置されることができる。

0022

一実施形態によれば、前記チョクピンは、上部から見る時、前記支持板に円周方向に沿って配置し、前記除電プレートは前記円周方向に沿って配置される前記チョクピンの間に配置されることができる。

0023

一実施形態によれば、前記除電プレートは導電性素材を含む材質で提供されることができる。

0024

また、本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は、前記基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートの間の空間に流体を供給して液膜を形成し、前記液膜が前記基板と前記除電プレートを電気的に連結して前記基板を除電することができる。

0025

一実施形態によれば、前記除電プレートは接地されることができる。

0026

一実施形態によれば、前記除電プレートが上部から見る時、前記基板の縁領域に配置されて前記基板の縁領域を除電することができる。

発明の効果

0027

本発明の一実施形態によれば、基板に発生された静電気を効率的に除去することができる。

0028

また、本発明の一実施形態によれば、基板に発生された静電気が除去される除電経路をさらに広げることができる。

0029

また、本発明の一実施形態によれば、基板を高速に回転させても基板上に発生された静電気を適切に除去することができる。

0030

本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。

図面の簡単な説明

0031

一般的な基板処理装置を示す図面である。
本発明の実施形態による基板処理設備を示す平面図である。
図2の基板処理装置を示す断面図である。
図3の支持ユニット、下部流体供給ユニット、回転駆動部材の一部を示す断面図である。
図4の下部流体供給ユニットを示す図面である。
図3の支持ユニット、そして本発明の一実施形態に係る除電ユニットの形状を示す斜視図である。
図6の支持ユニット、そして除電ユニットの一部を示す断面図である。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置が基板に発生された静電気を除去する形状を示す図面である。

実施例

0032

下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。

0033

ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、1つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。

0034

単数表現文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。

0035

以下、図2乃至図8を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。

0036

図2は本発明の実施形態による基板処理設備を示す平面図である。図2を参照すれば、基板処理設備1はインデックスモジュール10と工程処理モジュール20を有する。インデックスモジュール10はロードポート120及び移送フレーム140を有する。ロードポート120、移送フレーム140、及び工程処理モジュール20は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート120、移送フレーム140、及び工程処理モジュール20が配列された方向を第1の方向12とし、上部から見る時、第1の方向12と垂直になる方向を第2方向14とし、第1の方向12と第2方向14を含む平面と垂直である方向を第3方向16とする。

0037

ロードポート120には基板Wが収納されたキャリヤー130が安着される。ロードポート120は複数が提供され、これらは第2方向14に沿って一列に配置される。ロードポート120の数は工程処理モジュール20の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー130には基板がWを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット(図示せず)が形成される。キャリヤー130として前面開放一体型ポッド(Front Opening Unified Pod;FOUP)が使用されることができる。

0038

工程処理モジュール20はバッファユニット220、移送チャンバー240、そして工程チャンバー260を有する。移送チャンバー240はその長さ方向が第1方向12と平行に配置される。移送チャンバー240の両側には各々工程チャンバー260が配置される。移送チャンバー240の一側及び他側で工程チャンバー260は移送チャンバー240を基準に対称されるように提供される。移送チャンバー240の一側には複数の工程チャンバー260が提供される。工程チャンバー260の中で一部は移送チャンバー240の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバー260の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー240の一側には工程チャンバー260がAXBの配列に配置されることができる。ここで、Aは第1の方向12に沿って一列に提供された工程チャンバー260の数であり、Bは第3方向16に沿って一列に提供された工程チャンバー260の数である。移送チャンバー240の一側に工程チャンバー260が4つ又は6つ提供される場合、工程チャンバー260は2X2又は3X2の配列に配置されることができる。工程チャンバー260の数は増加するか、或いは減少してもよい。上述したことと異なりに、工程チャンバー260は移送チャンバー240の一側のみに提供されることができる。また、工程チャンバー260は移送チャンバー240の一側及び両側に単層に提供されることができる。

0039

バッファユニット220は移送フレーム140と移送チャンバー240との間に配置される。バッファユニット220は移送チャンバー240と移送フレーム140との間に基板Wが搬送される前に基板Wが留まる空間を提供する。バッファユニット220の内部には基板Wが置かれるスロット(図示せず)が提供される。スロット(図示せず)は相互間に第3方向16に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット220は移送フレーム140と対向する面及び移送チャンバー240と対向する面が開放される。

0040

移送フレーム140はロードポート120に安着されたキャリヤー130とバッファユニット220との間に基板Wを搬送する。移送フレーム140にはインデックスレール142とインデックスロボット144が提供される。インデックスレール142はその横方向が第2方向14と並んで提供される。インデックスロボット144はインデックスレール142上に設置され、インデックスレール142に沿って第2方向14に直線移動される。インデックスロボット144はベース144a、本体144b、及びインデックスアーム144cを有する。ベース144aはインデックスレール142に沿って移動可能するように設置される。本体144bはベース144aに結合される。本体144bはベース144a上で第3方向16に沿って移動可能するように提供される。また、本体144bはベース144a上で回転可能するように提供される。インデックスアーム144cは本体144bに結合され、本体144bに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム144cは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム144cは第3方向16に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム144cの中で一部は工程処理モジュール20からキャリヤー130に基板Wを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー130から工程処理モジュール20に基板Wを搬送する時、使用されることができる。これはインデックスロボット144が基板Wを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Wから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Wに付着されることを防止することができる。

0041

移送チャンバー240はバッファユニット220と工程チャンバー260との間に、そして工程チャンバー260の間に基板Wを搬送する。移送チャンバー240にはガイドレール242とメーンロボット244が提供される。ガイドレール242はその長さ方向が第1の方向12と並んで配置される。メーンロボット244はガイドレール242上に設置され、ガイドレール242上で第1の方向12に沿って直線移動される。メーンロボット244はベース244a、本体244b、及びメーンアーム244cを有する。ベース244aはガイドレール242に沿って移動可能するように設置される。本体244bはベース244aに結合される。本体244bはベース244a上で第3方向16に沿って移動可能するように提供される。また、本体244bはベース244a上で回転可能するように提供される。メーンアーム244cは本体244bに結合され、これは本体244bに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム244cは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム244cは第3方向16に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。

0042

工程チャンバー260には基板Wに対して液処理する工程を遂行する基板処理装置300が提供される。基板処理装置300は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、各々の工程チャンバー260内の基板処理装置300は同一な構造を有することができる。選択的に工程チャンバー260は複数のグループ区分されて、同一なグループに属する工程チャンバー260内に基板処理装置300は互いに同一であり、互いに異なるグループに属する工程チャンバー260内に提供された基板処理装置300の構造は互いに異なりに提供されることができる。

0043

基板処理装置300は基板Wを液処理する。本実施形態には基板の液処理工程を洗浄工程で説明する。このような液処理工程は洗浄工程に限定されなく、写真、アッシング、そして蝕刻等の多様に適用可能である。

0044

図3図2の基板処理装置を示す断面図である。図3を参照すれば、基板処理装置300は処理容器320、支持ユニット340、昇降ユニット360、上部流体供給ユニット380、下部流体供給ユニット390、除電ユニット400、そして制御器500を含むことができる。

0045

処理容器320は内部に基板が処理される処理空間を提供する。処理容器320は上部が開放された筒形状を有する。処理容器320は内部回収筒322及び外部回収筒326を有する。各々の回収筒322、326は工程に使用された処理液の中で互いに異なる処理液を回収する。内部回収筒322は基板支持ユニット340を囲む環状のリング形状に提供され、外部回収筒326は内部回収筒326を囲む環状のリング形状に提供される。内部回収筒322の内側空間322a及び内部回収筒322は内部回収筒322に処理液が流入される第1流入口322aとして機能する。内部回収筒322と外部回収筒326との間の空間326aは外部回収筒326に処理液が流入される第2流入口326aとして機能する。一例によれば、各々の流入口322a、326aは互いに異なる高さに位置されることができる。各々の回収筒322、326の底面の下には回収ライン322b、326bが連結される。各々の回収筒322、326に流入された処理液は回収ライン322b、326bを通じて外部の処理液再生ステム(図示せず)に提供されて再使用されることができる。

0046

支持ユニット340は処理空間で基板Wを支持する。支持ユニット340は工程進行の中で基板Wを支持及び回転させる。支持ユニット340は支持板342、支持ピン344、チョクピン346、そして回転駆動部材350を有する。支持板342は大体に円形板形状に提供され、上面及び底面を有する。下部面は上部面に比べて小さい直径を有する。上面及び底面はその中心軸が互いに一致するように位置される。支持板342には支持ピン344、そしてチョクピン346が提供されることができる。支持ピン344、そしてチョクピン346は各々基板Wの側部と背面を支持することができる。したがって、支持板342は基板Wを支持することができる。

0047

支持ピン344は複数が提供される。支持ピン344は支持板342の上面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置し、支持板342から上部に突出される。支持ピン344は相互間の組み合わせによって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン344は支持板342の上部面から基板Wが一定距離離隔されるように基板Wの後面縁を支持する。また、支持ピン344はリフトピンとして提供されることができる。支持ピン344は上下方向に移動されることができる。支持ピン344は上下方向に移動して基板Wを上下方向に移動させることができる。

0048

チャックピン346は複数が提供される。チャックピン346は本体342の中心から支持ピン344より遠く離れるように配置される。チョクピン346は支持板342の上面から上に突出されるように提供される。チョクピン346は支持板342が回転される時、基板Wが正位置から側方向に離脱されないように基板Wの側部を支持する。チョクピン346は支持板342の半径方向に沿って外側位置と内側位置との間に直線移動が可能するように提供される。外側位置は内側位置に比べて支持板342の中心から遠く離れた場所である。基板Wが支持板342にローディング又はアンローディングされる時、チョクピン346は外側位置に位置され、基板Wに対して工程遂行の時、チョクピン346は内側位置に位置される。内側位置はチョクピン346と基板Wの側部が互いに接触される位置であり、外側位置はチョクピン346と基板Wが互いに離隔される場所である。

0049

回転駆動部材350は支持板342を回転させる。支持板342は回転駆動部材350によってその中心軸を中心に回転可能である。回転駆動部材350は中空軸352及び駆動器354を含む。中空軸352は第3方向16に向かう筒形状を有する。中空軸352の上端は支持板342の底面に固定結合される。駆動器354は支持軸348が回転されるように駆動力を提供する。駆動器354はモーターである。駆動器354は中心が上下方向に開放された中空モーターである。中空軸352は駆動器354によって回転され、支持板342は中空軸352と共に回転可能である。

0050

昇降ユニット300は処理容器320を上下方向に直線移動させる。処理容器320が上下に移動されることによって、支持板342に対する処理容器320の相対高さが変更される。昇降ユニット360は基板Wが支持板342にローディングされるか、或いはアンローディングされる時、支持板342が処理容器320の上部に突出されるように処理容器320は下降される。また、工程が進行される時には基板Wに供給された処理液の種類に応じて処理液が既設定された回収筒322、326に流入されるように処理容器320の高さが調節する。昇降ユニット360はブラケット362、移動軸364、そして駆動器366を有する。ブラケット362は処理容器320の外壁固定設置され、ブラケット362には駆動器366によって上下方向に移動される移動軸364が固定結合される。選択的に、昇降ユニット360は支持板342を上下方向に移動させることができる。

0051

上部流体供給ユニット380は基板Wの上面に処理液を供給する。基板の上面はパターンが形成されたパターン面である。液供給ユニット380は複数に提供され、各々は互いに異なる種類の処理液を供給することができる。例えば、処理液はケミカルリンス液有機溶剤、そして洗浄液である。ケミカルは酸又は塩基性質を有する液である。ケミカルは硫酸(H2SO4)、リン酸(P2O5)、フッ酸(HF)、そして水酸化アンモニウム(NH4OH)を含むことができる。リンス液は純水(H20)である。有機溶剤はイソプロピルアルコール(IPA)液である。洗浄液は脱イオン水である。洗浄液は純水である。上部流体供給ユニット380は移動部材381及びノズル389を含む。

0052

移動部材381はノズル389を工程位置及び待機位置に移動させる。ここで、工程位置はノズル389が基板支持ユニット340に支持された基板Wと対向される位置であり、待機位置はノズル389が工程位置をずれた位置として定義する。一例によれば、工程位置は前処理位置及び後処理位置を含む。前処理位置はノズル389が第1供給位置に処理液を供給する位置であり、後処理位置はノズル389が第2供給位置に処理液を供給する位置に提供される。第1供給位置は第2供給位置より基板Wの中心にさらに近い位置であり、第2供給位置は基板の端部を含む位置である。選択的に第2供給位置は基板の端部に隣接する領域である。

0053

移動部材381は支持軸386、アーム382、そして駆動部材388を含む。支持軸386は処理容器320の一側に位置される。支持軸386はその横方向が第3方向に向かうロード形状を有する。支持軸386は駆動部材388によって回転可能するように提供される。支持軸386は昇降移動が可能するように提供される。アーム382は支持軸386の上端に結合される。アーム382は支持軸386から垂直に延長される。アーム382の終端にはノズル389が固定結合される。支持軸386が回転されることによって、ノズル389はアーム382と共にスイング移動可能である。ノズル390はスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。選択的に、アーム382はその長さ方向に向かって前進及び後進移動が可能するように提供されることができる。上部から見る時、ノズル389が移動される経路は工程位置で基板Wの中心軸と一致されることができる。

0054

下部流体供給ユニット390は基板Wの下面を洗浄及び乾燥処理することができる。下部流体供給ユニット390は基板Wの下部に流体を供給することができる。流体は処理液である。処理液は洗浄液である。基板Wの下面はパターンが形成される面と反対になる非パターン面である。下部流体供給ユニット390は上部流体供給ユニット380と同時に液を供給することができる。これと異なりに、下部流体供給ユニット390は上部流体供給ユニット380と独立的に液を供給することができる。下部流体供給ユニット390は回転されないように固定されることができる。

0055

図4図3の支持ユニット、下部流体供給ユニット、回転駆動部材の一部を示す断面図であり、図5図4の下部流体供給ユニットを示す図面である。図4図5を参照すれば、下部流体供給ユニット390はカバー392、固定シャフト394、液吐出管396、ガス吐出管398、そしてベアリング399を含むことができる。

0056

カバー392は固定シャフト394の上端に提供されることができる。カバー392には複数のホールが形成されることができる。カバー392に形成された複数のホールには後述する流体吐出管396、398が挿入されることができる。カバー392は流体吐出管396、398の位置が変更されることを防止することができる。カバー392は固定シャフト394に脱着可能に提供されることができる。

0057

固定シャフト394は内部空間を有することができる。固定シャフト394は中空軸352内に提供されることができる。固定シャフト394は中空軸352と互いに離隔されるように位置されることができる。固定シャフト394は中空軸352の内面から一定距離離隔されるように位置されることができる。また、固定シャフト394は支持板342に形成された開口に挿入されることができる。固定シャフト394は上部から見る時、支持板342の中央領域に形成された開口に挿入されることができる。固定シャフト394が有する内部空間には流体吐出管396、398が提供されることができる。

0058

流体吐出管396、398は基板Wの下面に流体を供給することができる。流体吐出管396、398は支持板342に支持された基板Wの下面に流体を供給することができる。流体吐出管396、398は液吐出管396、そしてガス吐出管398を含むことができる。液吐出管396とガス吐出管398は固定シャフト394の内部空間に提供されることができる。

0059

液吐出管396は基板Wの下面に処理液を吐出する。液吐出管396から吐出された処理液は基板Wの下面を洗浄処理する。液吐出管396は上に向かう液吐出端を有する。例えば、液吐出端は垂直上に向かうように提供されることができる。液吐出管396は複数に提供され、各々は互いに異なる種類の液を吐出することができる。液吐出管396はカバー392に固定されることができる。液吐出管396はカバー392の中心から離隔されるように位置される。液吐出管396はカバー392の中心を囲むように配列される。液吐出管396から吐出される処理液はケミカル、リンス液及び/又は洗浄液を含むことができる。ケミカルは酸又は塩基性質を有する液である。ケミカルは硫酸(H2SO4)、リン酸(P2O5)、フッ酸(HF)、そして水酸化アンモニウム(NH4OH)を含むことができる。リンス液、洗浄液は純水(H20)である。選択的に液吐出端は上に行くほど、基板Wの中心から遠くなるように上向傾いた方向に向かうように提供されることができる。

0060

ガス吐出管398は乾燥ガスを吐出する。ガス吐出管398はカバー392に固定されることができる。ガス吐出管398はカバー392の中心軸上に位置される。ガス吐出管398はガス吐出端を含む。ガス吐出端は垂直上に向かうように提供されることができる。ガス吐出管398から吐出されるガスは基板Wの下面に供給される。ガス吐出管398から吐出されたガスは基板Wの下面を乾燥処理する。例えば、乾燥ガスは非活性ガス又はエアである。非活性ガスは窒素ガス(N2)である。

0061

ベアリング399は支持板342と固定シャフト394との間に提供されることができる。ベアリング399は支持板342が回転する時、固定シャフト394と支持板342が互いに摩擦されることを防止することができる。

0062

図6図3の支持ユニット、そして本発明の一実施形態に係る除電ユニットの形状を示す斜視図であり、図7図6の支持ユニット、そして除電ユニットの一部を示す断面図である。

0063

図6図7を参照すれば、除電ユニット400は支持ユニット340に支持された基板Wを除電することができる。除電ユニット400は支持ユニット340に支持された基板Wに発生された静電気が除去される経路を提供することができる。除電ユニット400は支持ユニット340に提供されることができる。除電ユニット400は支持ユニット340が含む支持板342に提供されることができる。除電ユニット400は除電プレート410、そして除電ピン430を含むことができる。

0064

除電プレート410は支持ユニット340に支持された基板Wの下面と離隔されるように提供されることができる。除電プレート410は上部から見る時、リング形状を有することができる。除電プレート410は上部から見る時、リング形状を有するプレートである。除電プレート410は上部から見る時、円周の一部が切断されて曲がったリング形状を有することができる。除電プレート410は導電性素材を含む材質で提供されることができる。除電プレート410は複数に提供されることができる。除電プレート410の中で一部は第1長さに提供され、除電プレート410の中で他の一部は第2長さに提供されることができる。第1長さと第2長さは互いに異なる長さである。第2長さは第1長さより小さい長さである。

0065

除電ピン430は除電プレート410と電気的に連結されることができる。除電ピン430は接地されることができる。例えば、除電ピン430は支持板342と電気的に連結され、支持板342は接地されることができる。さらに具体的には支持板342は回転駆動部材350と電気的に連結され、回転駆動部材350は接地されることができる。即ち、回転駆動部材350が接地されてこれと電気的に連結される支持板342、除電ピン430、そして除電プレート410は接地されることができる。

0066

除電ピン430には除電プレート410が結合されることができる。除電プレート410は除電ピン430の上端に結合されることができる。ここで、除電プレート410が除電ピン430と結合されることは除電プレート410と除電ピン430が各々の構成で提供されて物理的に結合されること及び/又は除電プレート410と除電ピン430が一体の構成で提供されることを含むことと理解されなければならない。

0067

除電ピン430は複数に提供されることができる。複数に提供される除電ピン430の各々には除電プレート410が結合されることができる。除電ピン430の中で一部は第1長さを有する除電プレート410が結合され、除電ピン430の中で他の一部は第2長さを有する除電プレート410が結合されることができる。また、除電プレート410はその中心に除電ピン430が結合されることができ、これと異なりに除電プレート410の一端に除電ピン430が結合されてもよい。

0068

上述した説明では1つの除電ピン430に1つの除電プレート410が結合されることと説明したが、これに限定されることではない。例えば、1つの除電プレート410に複数の除電ピン430が結合されてもよい。

0069

除電ユニット400は複数に提供されることができる。複数に提供される除電ユニット400は上部から見る時、支持板342の縁領域に配置されることができる。即ち、除電プレート410、そして除電ピン430は上部から見る時、支持板342の縁領域に配置されることができる。したがって、除電ユニット400は支持ユニット340に支持された基板Wの縁領域下部に配置されることができる。

0070

支持板342には複数のチョクピン346が提供されることができる。複数のチョクピン346は上部から見る時、支持板342に円周方向に沿って配置されることができる。除電プレート410と除電ピン430はこのようなチョクピン346の間に配置されることができる。除電ピン430はチョクピン346が配置される円周上に配置されることができる。また、除電プレート410はチョクピン346が配置される円周と同一な曲率を有する切断されて曲がったリング形状に提供されることができる。また、除電プレート410はチョクピン346が配置される円周と重畳される形状を有し、配置されることができる。

0071

再び図3を参照すれば、制御器500は基板処理設備1を制御することができる。また、制御器500は基板処理装置300を制御することができる。制御器500は回転駆動部材350を制御することができる。制御器500は駆動器354を制御することができる。また、制御器500は上部供給ユニット380と下部供給ユニット390を制御することができる。また、制御器500は以下では説明する基板処理方法を遂行できるように基板処理装置300を制御することができる。例えば、制御器500は以下では説明する基板処理方法を遂行できるように下部供給ユニット390を制御することができる。

0072

以下では本発明の一実施形態による基板処理方法に対して詳細に説明する。図8は本発明の一実施形態に係る基板処理装置が基板に発生された静電気を除去する形状を示す図面である。図8を参照すれば、下部流体供給ユニット390は基板Wの下面に流体Lを供給することができる。下部流体供給ユニット390は基板Wの下面に処理液である流体Lを供給することができる。下部流体供給ユニット390が供給する流体Lは液相を有する流体Lである。下部流体供給ユニット390は回転する基板Wの下面に流体Lを供給することができる。下部流体供給ユニット390は回転する基板Wの下面中心領域に流体Lを供給することができる。

0073

基板Wの下面中心領域に供給された流体Lは回転する基板Wの遠心力によって縁領域に拡散又は飛散されることができる。したがって、基板Wの下面に供給された流体Lは除電プレート410と基板Wの下面との間の空間で液膜を形成することができる。形成された液膜は基板Wに発生された静電気が提供される経路を提供することができる。即ち、基板Wに発生された静電気は基板Wと液膜に沿って除電プレート410に伝達され、除電プレート410に伝達された静電気は接地された除電ピン430を通じて除去されることができる。

0074

一般的な基板処理装置では基板Wに発生された静電気を除去するために接地されたピンを利用した。この場合、基板Wに発生された静電気は基板Wと点接触するピンを通じて除去される。しかし、基板Wと点接触するピンを通じて静電気を除去する場合、静電気が移動する経路が点接触された地点に限定されて静電気除去効率が低下される。本発明の一実施形態によれば、除電プレート410が基板Wの下面と離隔され、離隔された間の空間に流体Lが液膜を形成する。したがって、静電気が除去される経路をさらに広げることができ、静電気除去効率を高めることがきる。

0075

また、静電気が除去される経路を広げるために、基板Wの下面と直接的に接触する接地プレートを配置することを考慮してもよい。しかし、この場合、基板Wの下面が接地プレートと接触されながら、損傷される恐れがある。したがって、本発明の一実施形態によれば、静電気の除去は流体Lが形成する液膜を媒介で行われる。これによって、基板Wの下面にスクラッチが発生する等、基板Wが破損されるリスクをさらに最小化することができる。

0076

また、除電プレート410が支持板342の縁領域に配置されながら、支持板342を高速に回転させても、基板Wの下面と除電プレート410との間に液膜を維持することができる。したがって、静電気除去において、支持板342の回転速度が制限されることを最小化することができる。

0077

また、基板Wの下面に流体Lが供給される途中に、流体Lが基板Wと衝突して静電気を発生させることができる。静電気が発生された後に、基板Wを除電する場合、静電気発生時点と静電気除電の時点との間に基板Wが損傷されることができる。しかし、本発明の一実施形態によれば、基板Wの下面に流体Lが供給される途中に静電気が発生しても、発生された静電気は直ちに除電プレート410を通じて除去される。したがって、基板Wが破損されることをさらに最小化することができる。

0078

以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び/又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。

0079

300基板処理装置
200処理容器
340支持ユニット
360昇降ユニット
380 上部流体供給ユニット
390 下部流体供給ユニット
392カバー
394固定シャフト
396液吐出管
398ガス吐出管
399ベアリング
400除電ユニット
410除電プレート
430除電ピン
500 制御器

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