図面 (/)

技術 プリント配線板

出願人 イビデン株式会社
発明者 谷口普崇
出願日 2019年7月25日 (1年11ヶ月経過) 出願番号 2019-136989
公開日 2021年2月18日 (4ヶ月経過) 公開番号 2021-022615
状態 未査定
技術分野 半導体または固体装置のマウント 熱電素子 半導体または固体装置の冷却等 プリント板への電気部品等の実装構造
主要キーワード 吸熱素子 低熱伝導率材料 ボトム位置 放熱素子 搭載順序 ボトム面 高熱伝導率材料 ポリマー系樹脂
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2021年2月18日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (7)

課題

信頼性の高いプリント配線板を提供する。

解決手段

プリント配線板10は、第5面Fと第5面Fと反対側の第6面Sとを有するコア基板30とコア基板30の第5面F上に形成されている第1ビルドアップ層55Fとコア基板の第6面S上に形成されている第2ビルドアップ層55Sとを有する。コア基板30は、第5面Fと第5面Fと反対側の第6面Sとを有するコア材20zとコア材20zの第5面上に形成されている第5導体層34Fとコア材20zの第6面S上に形成されている第6導体層34Sと第5導体層34Fと第6導体層34Sとを接続するスルーホール導体36とを有し、第5面Fから第6面Sに至る開口31を有する。開口31には、複数のP型熱電素子32Pと複数のN型の熱電素子32Nが収容されている。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32N及びコア基板30間のスペース樹脂53で充填されている。

概要

背景

特許文献1は、ペルチェ素子を内蔵しているメタル基板を開示している。

概要

信頼性の高いプリント配線板を提供する。プリント配線板10は、第5面Fと第5面Fと反対側の第6面Sとを有するコア基板30とコア基板30の第5面F上に形成されている第1ビルドアップ層55Fとコア基板の第6面S上に形成されている第2ビルドアップ層55Sとを有する。コア基板30は、第5面Fと第5面Fと反対側の第6面Sとを有するコア材20zとコア材20zの第5面上に形成されている第5導体層34Fとコア材20zの第6面S上に形成されている第6導体層34Sと第5導体層34Fと第6導体層34Sとを接続するスルーホール導体36とを有し、第5面Fから第6面Sに至る開口31を有する。開口31には、複数のP型熱電素子32Pと複数のN型の熱電素子32Nが収容されている。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32N及びコア基板30間のスペース樹脂53で充填されている。

目的

プリント配線板に複数の電子部品が内蔵されても、小さくて高い冷却効果を有するプリント配線板10を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

第5面と前記第5面と反対側の第6面とを有するコア材と前記コア材を貫通し、複数のP型熱電素子と複数のN型の熱電素子を収容するための開口とを有するコア基板と、前記開口に収容されている複数の前記P型の熱電素子と、前記開口に収容されている複数の前記N型の熱電素子と、前記第5面と前記開口上に形成さている第1樹脂絶縁層を含み、吸熱素子実装される側の第1ビルドアップ層と、前記第6面と前記開口上に形成さている第2樹脂絶縁層を含み、発熱素子が実装される側の第2ビルドアップ層、とを有するプリント配線板であって、前記第2樹脂絶縁層の厚みが、前記第1樹脂絶縁層の厚みよりも厚い。い。

請求項2

請求項1のプリント配線板であって、前記第1樹脂絶縁層上の第1導体層と、前記第1樹脂絶縁層を貫通し、前記第1導体層と前記P型の熱電素子、前記N型の熱電素子とを接続する第1ビア導体と、前記第2樹脂絶縁層上の第2導体層と、前記第2樹脂絶縁層を貫通し、前記第2導体層と前記P型の熱電素子、前記N型の熱電素子とを接続する第2ビア導体とを備え、前記第2ビア導体の長さが、前記第1ビア導体の長さよりも長く、前記第2ビア導体の上面の凹みの上面平坦部面から底部までの距離が、前記第1ビア導体の上面の凹みの上面平坦面から底部までの距離よりも長い。

請求項3

請求項2のプリント配線板であって、前記第1ビルドアップ層が、前記第1樹脂絶縁層上に最外層の第1樹脂絶縁層を備え、前記第2ビルドアップ層が、前記第2樹脂絶縁層上に最外層の第2樹脂絶縁層を備え、前記第1樹脂絶縁層、前記第2樹脂絶縁層は芯材を有しない樹脂から成り、前記最外層の第1樹脂絶縁層、前記最外層の第2樹脂絶縁層は芯材を有する樹脂から成る。

請求項4

請求項3のプリント配線板であって、前記第1ビア導体上には前記最外層の第1樹脂絶縁層を貫通するビア導体が設けられず、前記第2ビア導体上には前記最外層の第2樹脂絶縁層を貫通するビア導体が設けられない。

請求項5

請求項1のプリント配線板であって、前記P型の熱電素子と前記N型の熱電素子は行と列の交点に位置し、両者は交互に配置されている。

請求項6

請求項5のプリント配線板であって、前記行の数と前記列の数は同じである。

技術分野

0001

本発明は、開口にP型熱電素子N型の熱電素子を収容しているプリント配線板に関する。

背景技術

0002

特許文献1は、ペルチェ素子を内蔵しているメタル基板を開示している。

先行技術

0003

特開2012−39050号公報

0004

[特許文献1の課題]
特許文献1は、メタル基板にスルーホールを形成している。そして、特許文献1は、各スルーホールに1個の半導体素子を収容している。そのため、特許文献1によれば、メタル基板に内蔵する半導体素子の数が増えると、基板が大きくなると、予想される。

課題を解決するための手段

0005

本発明に係るプリント配線板は、第5面と前記第5面と反対側の第6面とを有するコア材と前記コア材を貫通し、複数のP型の熱電素子と複数のN型の熱電素子を収容するための開口とを有するコア基板と、前記開口に収容されている複数の前記P型の熱電素子と、前記開口に収容されている複数の前記N型の熱電素子と、前記第5面と前記開口上に形成さている第1樹脂絶縁層を含み、吸熱素子実装される側の第1ビルドアップ層と、前記第6面と前記開口上に形成さている第2樹脂絶縁層を含み、発熱素子が実装される側の第2ビルドアップ層、とを有するプリント配線板であって、前記第2樹脂絶縁層の厚みが、前記第1樹脂絶縁層の厚みよりも厚い。

0006

[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、コア基板に形成されている1個の開口に複数のP型の熱電素子と複数のN型の熱電素子が収容される。そのため、開口の大きさを小さくすることができ、プリント配線板を小さくすることができる。放熱素子よりもサイズの大きな吸熱素子が実装され、より大きな応力の加わる第1ビルドアップ層側の第1樹脂絶縁層の厚みを薄くすることで、第1樹脂絶縁層に設けられるビア導体の長さが短くなり、大きな応力に対する耐性が高まり、該ビア導体の信頼性が向上する。

図面の簡単な説明

0007

図1(A)は本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図1(B)、(C)は電子部品の断面図であり、図1(D)は内蔵部品配線の一部を示す模式図である。
図2(A)、図2(B)は、第1実施形態の電子部品の収容方法を示す図であり、図2(C)は電子部品の配置を示す図である。
第1実施形態のプリント配線板の製造工程図
第1実施形態のプリント配線板の製造工程図
第1実施形態のプリント配線板の製造工程図
図6(A)、図6(B)は電子部品を繋ぐ配線を示す平面図であり、図6(C)、(D)はビア導体の断面図である。

実施例

0008

[第1実施形態]
図1(A)は第1実施形態のプリント配線板10の断面図である。プリント配線板10は、第5面Fと第5面Fと反対側の第6面Sとを有するコア基板30とコア基板30の第5面F上に形成されている第1ビルドアップ層55Fとコア基板の第6面S上に形成されている第2ビルドアップ層55Sとを有する。

0009

コア基板30は、第5面Fと第5面Fと反対側の第6面Sとを有するコア材(絶縁基板)20zとコア材20zの第5面上に形成されている第5導体層34Fとコア材20zの第6面S上に形成されている第6導体層34Sと第5導体層34Fと第6導体層34Sとを接続するスルーホール導体36とを有する。コア基板30は、さらに、第5面Fから第6面Sに至る開口31を有する。開口31には、複数のP型の熱電素子32Pと複数のN型の熱電素子32Nが収容されている。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32N間のスペース樹脂53で充填されている。P型の熱電素子32Pとコア基板30間のスペースは樹脂53で充填されている。N型の熱電素子32Nとコア基板30間のスペースは樹脂53で充填されている。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは樹脂53によってコア基板30に固定されている。

0010

図1(B)にP型の熱電素子32Pが示される。
P型の熱電素子32Pは、両端に電極32P1、32P2を有する。例えば、P型の熱電素子32Pは、第1面F1と第1面F1と反対側の第2面S1とを持つP型の半導体素子321と第1面F1上の第1電極32P1と第2面S1上の第2電極32P2で形成される。P型の半導体素子321は、第1電極32P1と第2電極32P2で挟まれている。
第1電極32P1はコア基板30の第5面Fを向いていて、第2電極32P2はコア基板30の第6面Sを向いている。P型の半導体素子はP型の熱電素子であることが好ましい。
P型の熱電素子32Pは第1電極32P1が第5面Fを向くように開口31に内蔵される。

0011

図1(C)にN型の熱電素子32Nが示される。
N型の熱電素子32Nは、両端に電極32P3、32P4を有する。例えば、N型の熱電素子32Nは、第3面F2と第3面F2と反対側の第4面S2とを持つN型の半導体素子322と第3面F2上の第3電極32P3と第4面S2上の第4電極32P4で形成される。N型の半導体素子322は、第3電極32P3と第4電極32P4で挟まれている。
第3電極32P3はコア基板30の第5面Fを向いていて、第4電極32P4はコア基板30の第6面Sを向いている。N型の半導体素子はN型の熱電素子であることが好ましい。N型の熱電素子32Nは第3電極32P3が第5面Fを向くように開口31に内蔵される。

0012

第1ビルドアップ層55Fは、コア基板30の第5面Fと第5導体層34F上に形成されている第1樹脂絶縁層50Fと、第1樹脂絶縁層50F上に形成されている第1導体層58Fと、第1導体層58Fと第1樹脂絶縁層50F上に形成されている第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150Fと、第3樹脂絶縁層150F上に形成されている第3導体層158F、とを有する。第1樹脂絶縁層50Fは開口31を覆っている。樹脂53と第1樹脂絶縁層50Fは一体的に形成されている。第1樹脂絶縁層50Fに由来する樹脂がP型の熱電素子32Pと開口31から露出するコア基板30の側壁との間のスペースを充填している。第1樹脂絶縁層50Fに由来する樹脂がN型の熱電素子32Nと開口31から露出するコア基板30の側壁との間のスペースを充填している。第1樹脂絶縁層50Fに由来する樹脂がP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nとの間のスペースを充填している。第1樹脂絶縁層50F由来の成分が樹脂53を形成する。樹脂53は、第1樹脂絶縁層50F由来の樹脂と無機粒子を含むことができる。

0013

第1導体層58Fは、開口31の直上に形成されている第1導体回路58FWとコア材20zの直上に形成されているコア材上第1導体回路58FCとを有する。第1導体回路58FWにより、隣接するP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nが接続される。

0014

図6(A)は、第1導体回路58FWを示している平面図である。第1導体回路58FWは、第1電極32P1を覆う第1電極上第1導体回路58FW1と第3電極32P3を覆う第3電極上第1導体回路58FW3と第1電極上第1導体回路58FW1と第3電極上第1導体回路58FW3を繋ぐ第1配線58fWを含む。第1電極上第1導体回路58FW1は第1電極32P1上に位置し、第1電極上第1導体回路58FW1のサイズは第1電極32P1のサイズより大きい。第3電極上第1導体回路58FW3は第3電極32P3上に位置し、第3電極上第1導体回路58FW3のサイズは第3電極32P3のサイズより大きい。第1配線58fWの幅58fWDは第1電極上第1導体回路58FW1の幅58FWD1と等しい。あるいは、第1配線58fWの幅58fWDは第1電極上第1導体回路58FW1の幅58FWD1より小さい。第1配線58fWの幅58fWDは第3電極上第1導体回路58FW3の幅58FWD3と等しい。あるいは、第1配線58fWの幅58fWDは第3電極上第1導体回路58FW3の幅58FWD3より小さい。
第1電極上第1導体回路58FW1内の点線は第1電極用第1ビア導体60F1の頂部の外周を示している。第1電極上第1導体回路58FW1と第1電極32P1は、複数の第1電極用第1ビア導体60F1で接続されている。
第3電極上第1導体回路58FW3内の点線は第3電極用第1ビア導体60F3の頂部の外周を示している。第3電極上第1導体回路58FW3と第3電極32P3は、複数の第3電極用第1ビア導体60F3で接続されている。
1つの第1電極32P1上に1つの第1電極上第1導体回路58FW1が形成されている。1つの第3電極32P3上に1つの第3電極上第1導体回路58FW3が形成されている。

0015

第1ビルドアップ層55Fは、さらに、第1樹脂絶縁層50Fを貫通する第1ビア導体60Fと第3樹脂絶縁層150Fを貫通する第3ビア導体160Fとを有する。第1ビア導体60Fは、第5導体層34Fとコア材上第1導体回路58FCとを接続するビア導体(第5導体層用第1ビア導体)60F5と第1電極32P1と第1電極上第1導体回路58FW1とを接続するビア導体(第1電極用第1ビア導体)60F1と第3電極32P3と第3電極上第1導体回路58FW3とを接続するビア導体(第3電極用第1ビア導体)60F3とを有する。1つの第1電極32P1と1つの第1電極上第1導体回路58FW1を接続する第1電極用第1ビア導体60F1の数は複数である。例えば、1つの第1電極32P1に至る第1電極用第1ビア導体60F1の数は20以上である。放熱の効果を高くすることができる。電子部品32が伸び縮みしても、接続信頼性を高くすることができる。1つの第3電極32P3と1つの第3電極上第1導体回路58FW3を接続する第3電極用第1ビア導体60F3の数は複数である。例えば、1つの第3電極32P3に至る第3電極用第1ビア導体60F3の数は20以上である。放熱の効果を高くすることができる。電子部品32が伸び縮みしても、接続信頼性を高くすることができる。

0016

第1樹脂絶縁層50Fは第5面Fと対向するボトム面BFとボトム面BFと反対側のトップ面TFを有する。第1樹脂絶縁層50Fの厚みTfは、図6(C)に示されるように第1導体層58Fと第5導体層34F、第1電極32P1、第3電極32P3との絶縁距離である。そして、第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3はトップ面TFの位置でトップ径DFを有する。第5導体層用第1ビア導体60F5のトップ径TDFと第1電極用第1ビア導体60F1のトップ径TDFと第3電極用第1ビア導体60F3のトップ径TDFは略等しい。トップ径TDFは図6(C)に示されている。第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3はボトム位置(第5導体層34F、第1電極32P1、第3電極32P3上面)でボトム径BDFを有する。第5導体層用第1ビア導体60F5のボトム径BDFと第1電極用第1ビア導体60F1のボトム径BDFと第3電極用第1ビア導体60F3のボトム径BDFは略等しい。第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3の長さは、第1樹脂絶縁層50Fの厚みTfであり、略等しい。第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3は、上方の第1導体層58Fに浅い(上面平坦面から底部までの距離が短い)凹み58FRが形成されている。

0017

第2ビルドアップ層55Sは、コア基板30の第6面Sと第6導体層34S上に形成されている第2樹脂絶縁層50Sと、第2樹脂絶縁層50S上に形成されている第2導体層58Sと、第2導体層58Sと第2樹脂絶縁層50S上に形成されている第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150Sと、第4樹脂絶縁層150S上に形成されている第4導体層158S、とを有する。

0018

第2導体層58Sは、開口31の直上に形成されている第2導体回路58SWとコア材20zの直上に形成されているコア材上第2導体回路58SCとを有する。
第2導体回路58SWにより、隣接するP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nが接続される。

0019

図6(B)は、第2導体回路58SWを示している平面図である。第2導体回路58SWは、第2電極32P2を覆う第2電極上第2導体回路58SW2と第4電極32P4を覆う第4電極上第2導体回路58SW4と第2電極上第2導体回路58SW2と第4電極上第2導体回路58SW4を繋ぐ第2配線58sWを含む。第2電極上第2導体回路58SW2は第2電極32P2上に位置し、第2電極上第2導体回路58SW2のサイズは第2電極32P2のサイズより大きい。第4電極上第2導体回路58SW4は第4電極32P4上に位置し、第4電極上第2導体回路58SW4のサイズは第4電極32P4のサイズより大きい。第2配線58sWの幅58sWDは第2電極上第2導体回路58SW2の幅58SWD2と等しい。あるいは、第2配線58sWの幅58sWDは第2電極上第2導体回路58SW2の幅58SWD2より小さい。第2配線58sWの幅58sWDは第4電極上第2導体回路58SW4の幅58SWD4と等しい。あるいは、第2配線58sWの幅58sWDは第4電極上第2導体回路58SW4の幅58SWD4より小さい。
第2電極上第2導体回路58SW2内の点線は第2電極用第2ビア導体60S2の頂部の外周を示している。第2電極上第2導体回路58SW2と第2電極32P2は、複数の第2電極用第2ビア導体60S2で接続されている。
第4電極上第2導体回路58SW4内の点線は第4電極用第2ビア導体60S4の頂部の外周を示している。第4電極上第2導体回路58SW4と第4電極32P4は、複数の第4電極用第2ビア導体60S4で接続されている。
1つの第2電極32P2上に1つの第2電極上第2導体回路58SW2が形成されている。1つの第4電極32P4上に1つの第4電極上第2導体回路58SW4が形成されている。

0020

第2ビルドアップ層55Sは、さらに、第2樹脂絶縁層50Sを貫通する第2ビア導体60Sと第4樹脂絶縁層150Sを貫通する第4ビア導体160Sとを有する。第2ビア導体60Sは、第6導体層34Sとコア材上第2導体回路58SCとを接続するビア導体(第6導体層用第2ビア導体)60S6と第2電極32P2と第2電極上第2導体回路58SW2とを接続するビア導体(第2電極用第2ビア導体)60S2と第4電極32P4と第4電極上第2導体回路58SW4とを接続するビア導体(第4電極用第2ビア導体)60S4とを有する。1つの第2電極32P2と1つの第2電極上第2導体回路58SW2を接続する第2電極用第2ビア導体60S2の数は複数である。例えば、1つの第2電極32P2に至る第2電極用第2ビア導体60S2の数は20以上である。放熱の効果を高くすることができる。電子部品32が伸び縮みしても、接続信頼性を高くすることができる。1つの第4電極32P4と1つの第4電極上第2導体回路58SW4を接続する第4電極用第2ビア導体60S4の数は複数である。例えば、1つの第4電極32P4に至る第4電極用第2ビア導体60S4の数は20以上である。放熱の効果を高くすることができる。電子部品32が伸び縮みしても、接続信頼性を高くすることができる。

0021

第2樹脂絶縁層50Sは第6面Sと対向するボトム面BSとボトム面BSと反対側のトップ面TSを有する。第2樹脂絶縁層50Sの厚みTsは、図6(D)に示されるように第2導体層58Sと第6導体層34S、第2電極32P2、第4電極32P4との絶縁距離である。そして、第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4はトップ面TSの位置でトップ径TDSを有する。第6導体層用第2ビア導体60S6のトップ径TDSと第2電極用第2ビア導体60S2のトップ径TDSと第4電極用第2ビア導体60S4のトップ径TDSは略等しい。トップ径TDSは図6(D)に示されている。第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4はボトム位置(第6導体層34S、第2電極32P2、第4電極32P4)でボトム径BDSを有する。第6導体層用第2ビア導体60S6のボトム径BDSと第2電極用第2ビア導体60S2のボトム径BDSと第4電極用第2ビア導体60S4のボトム径BDSは略等しい。第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4の長さは、第2樹脂絶縁層50Sの厚みTsであり、略等しい。第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4上方の第2導体層58Sに、図6(C)に示される第1導体層58F上の凹み58FRよりも深い(上面平坦面から底部までの距離が長い)凹み58SRが形成されている。

0022

図6(C)に示される第1樹脂絶縁層50Fの厚みTfは、図6(D)に示される第2樹脂絶縁層50Sの厚みTsよりも薄い。第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3の長さTfは、第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4の長さTsよりも短い。第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3のトップ径TDFと、第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4のトップ径TDSは略等しい。第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3のボトム径BDFは、第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4のボトム径BDSよりも大きい。このため、第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3のボトムでの接合力は、接合面積が大きいので、第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4のボトムでの接合力よりも大きい。

0023

LEDや半導体レーザ等の発光素子(放熱素子)よりもサイズの大きなASIC等の集積回路(吸熱素子)が実装され、より大きな応力の加わる第1ビルドアップ層55F側の第1樹脂絶縁層50Fの厚みTfを第2樹脂絶縁層50Sの厚みTsより薄くすることで、第1樹脂絶縁層50Fに設けられる第5導体層用第1ビア導体60F5、第1電極用第1ビア導体60F1、第3電極用第1ビア導体60F3の長さTfが短くなり、大きな応力に対する耐性が高まり、該ビア導体の信頼性が向上する。更に、第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4上方の第2導体層58Sに深い(上面平坦面から底部までの距離が長い)凹み58FRが形成されることで、該第2導体層58Sと第2樹脂絶縁層50Sとの接触面積が増え、熱伝達性が高められている。

0024

第4導体層158Sと第4樹脂絶縁層150S上に開口71Sを有する第2ソルダーレジスト層70Sを形成することができる。開口71Sから露出する第4導体層158Sは、第2パッド73Sを形成する。第2パッド73S上に搭載される電子部品の例は、LEDや半導体レーザ等の発光素子であり、サイズが小さく、駆動時、発熱量が大きい発熱素子である。

0025

第3樹脂絶縁層150Fと第3導体層158F上に開口71Fを有する第1ソルダーレジスト層70Fを形成することができる。開口71Fから露出する第3導体層158Fは、電子部品を搭載するための第1パッド73Fを形成する。第1パッド73F上に搭載される電子部品の例は、ASIC等のサイズの大きな集積回路であり、熱容量が大きく、第2パッド73Sに搭載される発熱素子からの熱を吸熱する吸熱素子を構成する。

0026

第1樹脂絶縁層50F、第2樹脂絶縁層50Sは、芯材を備えない低熱伝導率材料(0.35W/mk)から構成される。例えばABF(Ajinomoto Build-up Film:味の素ファインテクノ株式会社製)を用いることができる。第1樹脂絶縁層50F、第2樹脂絶縁層50Sはそれぞれ、無機繊維を含まず、極小無機フィラーを含有する樹脂から構成される。詳しくは、第1樹脂絶縁層50F、第2樹脂絶縁層50Sは、エポキシ系樹脂と、ポリマー系樹脂と、硬化剤と、を含む。そして、無機フィラーの径は0.05〜10μm(平均フィラー粒子径)、最大径10μmである。無機フィラー量は35〜75w%である。開口31内に充填されている第1樹脂絶縁層50F由来の樹脂53は、第1樹脂絶縁層50Fと同じ物性を備える。コア材20zの熱伝導率は第1樹脂絶縁層50F、第2樹脂絶縁層50Sと同程度である。

0027

第1樹脂絶縁層50F上の第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150F、第2樹脂絶縁層50S上の第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150Sは、芯材を備える高熱伝導率材料(0.5W/mk)から構成される。例えばGHPL830NS(三菱ガス化学製)プリプレグ銅箔を積層した銅張り積層板を用いることができる。

0028

P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nの周囲は、熱伝導率の低い第1樹脂絶縁層50F、第2樹脂絶縁層50S、樹脂53が配置され、断熱構造が構成される。このため、第1電極用第1ビア導体60F1、第3電極用第1ビア導体60F3、第2電極用第2ビア導体60S2、第4電極用第2ビア導体60S4を介して効率的に放熱させることができる。第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150F、第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150Sの熱伝導率が高いため、第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150S上に表面実装されるLED等の発熱素子からの熱を、第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150F上に表面実装されるASIC等のサイズの大きな吸熱素子へと効率的に伝えることができる。第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150F、第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150Sの熱伝導率は、第1樹脂絶縁層50F、第2樹脂絶縁層50Sの1.2倍以上であることが望ましい。

0029

特に、第1実施形態のプリント配線板では、第1電極上第1導体回路58FW1と第1電極32P1とを接続する第1電極用第1ビア導体60F1上、第3電極上第1導体回路58FW3と第3電極32P3とを接続する第3電極用第1ビア導体60F3上には、第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150Fを貫通するビア導体が設けられない。また、第2電極上第2導体回路58SW2と第2電極32P2とを接続する第2電極用第2ビア導体60S2上、第4電極上第2導体回路58SW4と第4電極32P4とを接続する第4電極用第2ビア導体60S4上には、第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150Sを貫通するビア導体が設けられない。ビア導体が設けられないため、絶縁信頼性が高い。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nからの熱が、熱伝導率が低く断熱構造が構成される第1樹脂絶縁層50F、第2樹脂絶縁層50Sを介すること無く、第1電極用第1ビア導体60F1、第3電極用第1ビア導体60F3、第2電極用第2ビア導体60S2、第4電極用第2ビア導体60S4を介して伝えられ、熱伝導率が高い第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150F、第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150Sを介して、上述された発熱素子からの熱を吸熱素子へと効率的に逃がすことができる。

0030

更に、第1実施形態のプリント配線板では、第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150F、第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150Sが芯材を有し剛性が高いため、内層側に芯材を有さず剛性の低い第1樹脂絶縁層50F、第2樹脂絶縁層50Sを配置しても信頼性が低下し難い。

0031

P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nと第1導体回路58FWと第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3と第2導体回路58SWと第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4の接続方法が模式的に図1(D)と図6(A)、図6(B)に示されている。図1(D)は断面図である。これらの図に示されるように、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは、第1導体回路58FWと第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3と第2導体回路58SWと第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4を介し、直列に接続されている。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは、交互に接続されている。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは交互に配置されていて、両者は直列に繋げられている。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32N間の第1導体回路58FWでの接続とP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32N間の第2導体回路58SWでの接続は交互に繰り返される。

0032

図1(A)に示されるように、第2パッド73Sは、プラス電位を持つ第2パッド(プラスパッド)73SPとマイナス電位を持つ第2パッド(マイナスパッド)73SNを有する。そして、複数のP型の熱電素子32Pと複数のN型の熱電素子32Nは、プラスパッド73SPとマイナスパッド73SN間に配置されている。プラスパッド73SPからP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nを介しマイナスパッド73SNに至る配線(内蔵部品用配線)はプリント配線板10内で独立している。内蔵部品用配線は、第1導体回路58FWと第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3と第2導体回路58SWと第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極用第2ビア導体60S4を含む。内蔵部品用配線は内蔵部品用配線以外のプリント配線板内の導体回路に繋がっていない。プリント配線板10内を伝送するデータが劣化しがたい。開口31を囲んでいるスルーホール導体36Sは内蔵部品用配線に含まれる。例えば、内蔵部品用配線に含まれるスルーホール導体36Sの数は2である。図6(A)の左上の第1導体回路58FWLUは、開口31上の位置からコア材20z上の位置へ延びていて、スルーホール導体36Sに繋がっている。図6(A)の左下の第1導体回路58FWLLは、開口31上の位置からコア材20z上の位置へ延びていて、スルーホール導体36Sに繋がっている。
プラスパッドより低い電位を持つ第2パッドはマイナスパッドに含められる。

0033

P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは、第2ビア導体60Sを介し、第2導体回路58SWに接続されている。そのため、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nがコア基板内に内蔵されても、第2導体回路58SWを介し、熱をP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nに伝えることができる。効率的に熱をP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nに伝えることができる。プリント配線板に実装されるLEDや半導体レーザ等の発光素子(放熱素子)の温度上昇を抑えることができる。例えば、熱は第1パッド73F上に搭載されるLEDや半導体レーザ等の発光素子(放熱素子)から生じる。断面方向において、コア基板30はプリント配線板の略中心に位置する。断面方向は第5面Fに対し垂直である。

0034

P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは、第1ビア導体60Fを介し、第1導体回路58FWに接続されている。そのため、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nがコア基板内に内蔵されても、第1導体回路58FWを介し、熱を外部に伝えることができる。効率的に熱を外部に伝えることができる。例えば、熱をASIC等のサイズの大きな集積回路、或いは、マザーボードに伝えることができる。プリント配線板に実装される放熱素子の温度上昇を抑えることができる。

0035

コア材20zは、エポキシなどの樹脂とガラスクロス等の補強材で形成されている。コア材20zは、さらに、シリカ等の無機粒子を有しても良い。第1樹脂絶縁層50Fと第2樹脂絶縁層50S、第3樹脂絶縁層150F、第4樹脂絶縁層150Sは、エポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子で形成されている。第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)150F、第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)150Sは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。

0036

第1実施形態のプリント配線板10では、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nに電流を流すことで、第2パッド73Sに実装されている電子部品からの熱を第1パッド73Fを介してサイズの大きな集積回路に伝えることができる。

0037

図2(B)は、コア基板30の開口31に収容されているP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nの配置を示している。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは交互に配置されている。P型の熱電素子32Pの隣にN型の熱電素子32Nが位置している。図2(B)に示されるように、図面上で、P型の熱電素子32Pの上に位置する電子部品はN型の熱電素子32Nであり、P型の熱電素子32Pの下に位置する電子部品はN型の熱電素子32Nであり、P型の熱電素子32Pの右に位置する電子部品はN型の熱電素子32Nであり、P型の熱電素子32Pの左に位置する電子部品はN型の熱電素子32Nである。N型の熱電素子32Nの上に位置する電子部品はP型の熱電素子32Pであり、N型の熱電素子32Nの下に位置する電子部品はP型の熱電素子32Pであり、N型の熱電素子32Nの右に位置する電子部品はP型の熱電素子32Pであり、N型の熱電素子32Nの左に位置する電子部品はP型の熱電素子32Pである。
1つの開口31内に収容されるP型の熱電素子32Pの数とN型の熱電素子32Nの数は等しい。

0038

1つの開口31に複数の種類の電子部品が内蔵される。電子部品の例がP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nである。また、各種の電子部品の数は複数である。隣接する電子部品間にコア基板30が存在しない。隣接する電子部品間にコア材20zが存在しない。そのため、電子部品を収容するための開口31の大きさを小さくすることができる。プリント配線板10の大きさを小さくすることができる。P型の熱電素子32Pの数は10以上であり、N型の熱電素子32Nの数は10以上である。

0039

例えば、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nの形状は、立方体である。各辺の長さの例は1mmである。

0040

図2(B)に示されるように隣接するP型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nとの間にスペースseが存在する。スペースseの幅seDは、10μm以上、50μm以下である。スペースseが存在するので、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32N間の干渉を抑えることができる。
図2(B)に示されるようにコア基板30とP型の熱電素子32Pとの間にスペースswが存在する。コア基板30とN型の熱電素子32Nとの間にスペースswが存在する。スペースswの幅swDは、15μm以上、50μm以下である。スペースswが存在するので、P型の熱電素子32Pと第5導体層34F間の干渉を抑えることができる。N型の熱電素子32Nと第5導体層34F間の干渉を抑えることができる。P型の熱電素子32Pと第6導体層34S間の干渉を抑えることができる。N型の熱電素子32Nと第6導体層34S間の干渉を抑えることができる。

0041

第1実施形態のプリント配線板10によれば、1個の開口31に複数の電子部品(P型の熱電素子32P、N型の熱電素子32N)32が収容される。多数の電子部品がプリント配線板10に内蔵されても、プリント配線板10のサイズを小さくすることができる。プリント配線板に複数の電子部品が内蔵されても、小さくて高い冷却効果を有するプリント配線板10を提供することができる。

0042

スペースseとスペースswに第1樹脂絶縁層50F由来の樹脂53が充填される。このため、開口31内に形成されている樹脂53と第1樹脂絶縁層50Fは一体的に形成される。樹脂53と第1樹脂絶縁層50Fとの間に界面が形成されない。そのため、開口31内の電子部品32が熱膨張熱収縮を繰り返しても樹脂53と第1樹脂絶縁層50Fとの間で剥離が生じない。高い信頼性を有するプリント配線板10を提供することができる。スペースseとスペースswの大きさseD、swDが適切な範囲であるので、スペースse、swに第1樹脂絶縁層50F由来の樹脂53が入り込むことができる。スペースse、swを第1樹脂絶縁層50F由来の樹脂53で充填することができる。

0043

第1配線58fWは異種の電子部品のみを接続している。第2配線58sWは異種の電子部品のみを接続している。同種の電子部品間の干渉を抑えることができる。例えば、個々の電子部品が最大の能力を発揮することができる。放熱の効果を高くすることができる。

0044

[第1実施形態の製造方法]
図3図5は第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す。
両面銅張り積層板20が用意される(図3(A))。両面銅張り積層板20は、第5面Fと第5面Fと反対側の第6面Sとを有するコア材20zとコア材20zの両面に積層されている銅箔22で形成されている。

0045

両面銅張り積層板20にスルーホール導体用の貫通孔が形成される。スルーホール導体用の貫通孔にスルーホール導体36が形成される。その後、サブトラクティブ法で、コア材20zの第5面F上に第5導体層34Fが形成される。コア材20zの第6面S上に第6導体層34Sが形成される。第5導体層34Fと第6導体層34Sはスルーホール導体36で接続される。回路基板が完成する。第5導体層34FはアライメントマークTMを有する。アライメントマークTMを基準として、回路基板の中央部に回路基板を貫通する開口31が形成される。第5面Fと第5面Fと反対側の第6面Sとを有するコア基板30が完成する(図3(B))。コア基板30は、第5導体層34Fと第6導体層34Sとスルーホール導体36と開口31を有する。コア基板30の第5面Fとコア材20zの第5面Fは同じ面であり、コア基板30の第6面Sとコア材20zの第6面Sは同じ面である。

0046

コア基板30の第6面S上にテープ18が貼られ、開口31が塞がれる(図3(C))。アライメントマークTMを基準として、まず、開口31から露出するテープ上にP型の熱電素子32Pが1個ずつ搭載される。この時、図2(A)に示されるように、P型の熱電素子32Pは、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nを搭載するための空間SPが隣り合うように、テープ18上に搭載される(図3(D))。P型の熱電素子32Pは行と列に配置され、P型の熱電素子32Pと空間SPが交互に配置される。P型の熱電素子32Pの搭載が完了する。1つの開口31内に収容される全てのP型の熱電素子32Pがテープ18上に搭載される。その後、アライメントマークTMを基準として、開口31とP型の熱電素子32Pから露出するテープ上にN型の熱電素子が1個ずつ搭載される。この時、図2(B)に示されるように、空間SPにN型の熱電素子32Nが置かれる。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは隣り合っている。N型の熱電素子32Nは行と列に配置され、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nが交互に配置される(図4(A))。図2(C)に示されるように、P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nは行と列の交点に配置される。行の数と列の数は同じである。行の数は4以上であり、列の数は4以上である。第1実施形態のプリント配線板の製造方法では、まず、開口31内に全てのP型の熱電素子32Pが収容される。その後、開口31内に全てのN型の熱電素子32Nが収容される。このため、2種類の電子部品32P、32Nを正しい位置に収容することができる。同一のアライメントマークTMを基準として、開口31の形成と電子部品32P、32Nの搭載が行われる。このため、開口31と電子部品32P、32N間の位置精度を高くすることができる。P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32N間の位置精度を高くすることができる。スペースseの幅seDを所定の範囲(10μm以上、50μm以下)にすることができる。スペースswの幅swDを所定の範囲(15μm以上、50μm以下)にすることができる。

0047

P型の熱電素子32PとN型の熱電素子32Nの搭載順序は自由である。

0048

電子部品32P、32Nがテープ18上に搭載されると、未硬化の樹脂絶縁層形成用フィルムがコア基板30の第5面F上に積層される。この時、樹脂絶縁層形成用フィルムは開口31を覆っている。その後、加熱プレスにより、樹脂絶縁層形成用フィルムが軟化する。樹脂絶縁層形成用フィルム由来の無機粒子を含む樹脂で、スペースseとスペースswが充填される(図4(B))。樹脂絶縁層形成用フィルムとスペースseを充填している樹脂とスペースswを充填している樹脂が硬化する。コア基板30と開口31上に第1樹脂絶縁層50Fが形成される。スペースseとスペースswを充填している樹脂53が形成される。第1樹脂絶縁層50Fと樹脂53は一体的に形成されている。

0049

第1樹脂絶縁層50Fは第5面Fと対向するボトム面BFとボトム面BFと反対側のトップ面TFを有する。

0050

コア基板30からテープ18が除去される。コア基板30の第6面Sと開口31上に第2樹脂絶縁層50Sが形成される(図4(C))。

0051

第2樹脂絶縁層50Sは第6面Sと対向するボトム面BSとボトム面BSと反対側のトップ面TSを有する。

0052

第1樹脂絶縁層50F上に第1導体層58Fが形成される。同時に、第1樹脂絶縁層50Fを貫通する第1ビア導体60Fが形成される。第1導体層58Fと第1ビア導体60Fはセミアディティブ法で形成される。第1樹脂絶縁層50Fを貫通する第1ビア導体用の開口が形成される。そして、その開口を充填することで、第1ビア導体60Fは形成される。第1ビア導体用の開口は、第1樹脂絶縁層50Fのトップ面TFの位置にトップ径TDFを有する。
第1導体層58Fは、1つの第1電子部品32P上に形成されている第1電極上第1導体回路58FW1と1つの第2電子部品32N上に形成されている第3電極上第1導体回路58FW3を含む。第1電極上第1導体回路58FW1と第3電極上第1導体回路58FW3は複数形成されている。1つの第1配線58fWにより、隣り合う第1電子部品32Pと第2電子部品32Nが接続される。1つの第1配線58fWにより、1つの第1電子部品32Pと1つの第2電子部品32Nが接続される。
第1ビア導体60Fは第1導体層58Fと第5導体層34Fを接続する第5導体層用第1ビア導体60F5と第1電極32P1と第1導体回路58FWとを接続する第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極32P3と第1導体回路58FWとを接続する第3電極用第1ビア導体60F3とを有する。第5導体層用第1ビア導体60F5はトップ面TFの位置にトップ径TDFを有する。第1電極用第1ビア導体60F1はトップ面TFの位置にトップ径TDFを有する。第3電極用第1ビア導体60F3はトップ面TFの位置にトップ径TDFを有する。第5導体層用第1ビア導体60F5のトップ径TDFと第1電極用第1ビア導体60F1のトップ径TDFと第3電極用第1ビア導体60F3のトップ径TDFは略等しい。第1電極用第1ビア導体60F1と第3電極用第1ビア導体60F3は、アライメントマークTMを基準として形成されている。
1つの第1電極32P1と第1導体回路58FWは、複数の第1電極用第1ビア導体60F1で接続される。例えば、1つの第1電極32P1と第1導体回路58FWを接続する第1電極用第1ビア導体60F1の数は30以上、40以下である。
1つの第3電極32P3と第1導体回路58FWは、複数の第3電極用第1ビア導体60F3で接続される。例えば、1つの第3電極32P3と第1導体回路58FWを接続する第3電極用第1ビア導体60F3の数は30以上、40以下である。

0053

第2樹脂絶縁層50S上に第2導体層58Sが形成される。同時に、第2樹脂絶縁層50Sを貫通する第2ビア導体60Sが形成される。第2導体層58Sと第2ビア導体60Sはセミアディティブ法で形成される。第2樹脂絶縁層50Sを貫通する第2ビア導体用の開口が形成される。そして、その開口を充填することで、第2ビア導体60Sは形成される。第2ビア導体用の開口は、第2樹脂絶縁層50Sのトップ面TSの位置にトップ径TDSを有する。
第2導体層58Sは、1つの第1電子部品32P上に形成されている第2電極上第2導体回路58SW2と1つの第2電子部品32N上に形成されている第4電極上第2導体回路58SW4を含む。第2電極上第2導体回路58SW2と第4電極上第2導体回路58SW4は複数形成されている。1つの第2配線58sWにより、隣り合う第1電子部品32Pと第2電子部品32Nが接続される。1つの第2配線58sWにより、1つの第1電子部品32Pと1つの第2電子部品32Nが接続される。
第2ビア導体60Sは第2導体層58Sと第6導体層34Sを接続する第6導体層用第2ビア導体60S6と第2電極32P2と第2導体回路58SWとを接続する第2電極用第2ビア導体60S2と第4電極32P4と第2導体回路58SWとを接続する第4電極用第2ビア導体60S4とを有する。第6導体層用第2ビア導体60S6はトップ面TSの位置にトップ径TDSを有する。第2電極用第2ビア導体60S2はトップ面TSの位置にトップ径TDSを有する。第4電極用第2ビア導体60S4はトップ面TSの位置にトップ径TDSを有する。第6導体層用第2ビア導体60S6のトップ径TDSと第2電極用第2ビア導体60S2のトップ径TDSと第4電極用第2ビア導体60S4のトップ径TDSは略等しい。
1つの第2電極32P2と第2導体回路58SWは、複数の第2電極用第2ビア導体60S2で接続される。例えば、1つの第2電極32P2と第2導体回路58SWを接続する第2電極用第2ビア導体60S2の数は30以上、40以下である。
1つの第4電極32P4と第2導体回路58SWは、複数の第4電極用第2ビア導体60S4で接続される。例えば、1つの第4電極32P4と第2導体回路58SWを接続する第4電極用第2ビア導体60S4の数は30以上、40以下である(図5(A))。

0054

第1導体層58Fと第1樹脂絶縁層50F上に第3樹脂絶縁層150Fが形成される。セミアディティブ法で第3樹脂絶縁層150F上に第3導体層158Fが形成される。同時に、第3樹脂絶縁層150Fを貫通し、第1導体層58Fと第3導体層158Fを接続する第3ビア導体160Fが形成される(図5(B))。例えば、第3導体層158Fと第1導体回路58FWを接続する第3ビア導体160Fは存在しない。

0055

第2導体層58Sと第2樹脂絶縁層50S上に第4樹脂絶縁層150Sが形成される。セミアディティブ法で第4樹脂絶縁層150S上に第4導体層158Sが形成される。同時に、第4樹脂絶縁層150Sを貫通し、第2導体層58Sと第4導体層158Sを接続する第4ビア導体160Sが形成される(図5(B))。例えば、第4導体層158Sと第2導体回路58SWを接続する第4ビア導体160Sは存在しない。

0056

第3導体層158Fと第3樹脂絶縁層150F上に第1開口71Fを有する第1ソルダーレジスト層70Fが形成される。第4導体層158Sと第4樹脂絶縁層150S上に第2開口71Sを有する第2ソルダーレジスト層70Sが形成される。プリント配線板10が完成する(図1(A))。第1開口71Fから露出する第3導体層158Fは電子部品を搭載するためのパッドとして機能する。第2開口71Sから露出する第4導体層158SはLEDや半導体レーザ等の発光素子と接続するためのパッドとして機能する。

0057

実施形態によれば、プリント配線板上に搭載される電子部品の温度を所定範囲内に制御することができる。

0058

30コア基板
31 開口
32PP型の熱電素子
32NN型の熱電素子
34F 第5導体層
50F 第1樹脂絶縁層
50S 第2樹脂絶縁層
60F 第1ビア導体
60S 第2ビア導体
60F1 第1電極用第1ビア導体
60F3 第3電極用第1ビア導体
60S2 第2電極用第2ビア導体
60S4 第4電極用第2ビア導体
150F 第3樹脂絶縁層(最外層の第1樹脂絶縁層)
150S 第4樹脂絶縁層(最外層の第2樹脂絶縁層)

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • 三菱電機株式会社の「 基板収納筐体」が 公開されました。( 2021/04/30)

    【課題・解決手段】ベース110Aとカバー120Aによる筐体内に収納固定された回路基板130には発熱部品131が搭載され,その発生熱が回路基板130の裏面から絶縁シート112を介してベース110Aの内面... 詳細

  • 三菱電機株式会社の「 半導体装置」が 公開されました。( 2021/04/30)

    【課題・解決手段】第1のヒートシンク(51)は、第1の内面(FI1)と第1の外面(FO1)とを有しており、第1の貫通孔(TH1)を有している。第2のヒートシンク(52)は、第1のヒートシンク(51)の... 詳細

  • 株式会社フジクラの「 部品内蔵基板」が 公開されました。( 2021/04/30)

    【課題・解決手段】部品内蔵基板は、積層方向において隣り合う複数の前記配線パターンと前記接続端子とを電気的に接続させる複数のビアを有する。複数のビアはそれぞれ、絶縁層に形成されたビアホールと、ビアホール... 詳細

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ