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技術 複数の接地面のサーマルシンク

出願人 ノースロップグラマンシステムズコーポレイション
発明者 ロニー、パトリックヤング、ロバートマイルズクイーン、デイビッドロバートハサウェイ、アーロンアシュリープシビシュ、ジョンケイ.
出願日 2018年8月29日 (2年5ヶ月経過) 出願番号 2020-508606
公開日 2020年10月29日 (3ヶ月経過) 公開番号 2020-530947
状態 未査定
技術分野 半導体集積回路装置の内部配線
主要キーワード 金属メッシュ材 導電性接地 動作要件 冷却層 常伝導金属 超伝導回路 メッシュ層 MMIC
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図面 (6)

課題・解決手段

サーマルシンク層と、第1の動作温度要件を有する第1の組の回路に関連する第1の接地面と、第1の接地面をサーマルシンク層に結合する第1の熱伝導性ビアとを含む集積回路が提供される。回路は、第1の動作温度要件よりも高い第2の動作温度要件を有する第2の組の回路に関連する第2の接地面と、第2の接地面をサーマルシンク層に結合する第2の熱伝導性ビアとをさらに備え、第1の熱伝導性ビアは第2の組の回路よりも小さい勾配で第1の組の回路から熱を除去するために、第2の熱伝導性ビアよりも大きな体積熱伝導性材料を有する。

概要

背景

極低温で動作するモノリシックマイクロ波集積回路MMIC:Monolithic Microwave Integrated circuit)チップは、超伝導回路を有し、超伝導回路は、超伝導回路から基板に向かって下方に熱を除去することにより熱的に管理される必要がある。上面からの熱除去は、超伝導はんだバンプがあるために非効率的である。これは、許容できないほどの高い温度勾配をもたらす。しかしながら、MMICの下位層にある金属メッシュ材料製の接地面により、全体の層が熱平衡となる。このため、MMIC上のデバイスのうちより低い温度に維持する必要のある部分は、より高温部品にさらされることになる。極低温条件では、熱負荷、冷却資源、温度、および回路複雑性は互いに強く結びついている。極低温から室温に上げると、1つのユニット消費電力の節約は数桁に拡大する。極低温チップがますます複雑になるにつれて、より多くの数のデバイスのおよびより多くのバリエーションのデバイスがMMICを占有する。これらの各デバイスには、異なる動作温度要件がある。

典型的な極低温MMICは、導電性材料誘電体交互層で覆われたシリコン基板で構成されている。MMICには複数のデバイスのタイプが存在することができる。例として、MMICには、3つの異なる動作温度で動作する必要がある3つの異なるデバイスのタイプがある。例えば、第1のデバイスは500mK未満で動作する必要があり、第2のデバイスは1K未満で動作する必要があり、第3のデバイスは4K未満で動作する必要がある。単一の接地面では、メッシュ層全体がほぼ均一な温度となる。これは、XおよびY方向に横方向に熱を輸送拡散)する導電性材料の特性によるものである。従って、すべてのデバイスをこの接地面に接続する場合、すべてのデバイスを最も厳しい動作要件、例えば、500mKに維持する必要がある。これは、第3のデバイスのみが4Kに維持される必要があるが、その代わりに0.5Kに維持されるため、MMICのこのセクタを管理するために8倍の冷却資源が必要となる。

概要

サーマルシンク層と、第1の動作温度要件を有する第1の組の回路に関連する第1の接地面と、第1の接地面をサーマルシンク層に結合する第1の熱伝導性ビアとを含む集積回路が提供される。回路は、第1の動作温度要件よりも高い第2の動作温度要件を有する第2の組の回路に関連する第2の接地面と、第2の接地面をサーマルシンク層に結合する第2の熱伝導性ビアとをさらに備え、第1の熱伝導性ビアは第2の組の回路よりも小さい勾配で第1の組の回路から熱を除去するために、第2の熱伝導性ビアよりも大きな体積熱伝導性材料を有する。

目的

第1の誘電体層16は、基板と集積回路10の能動回路との間のバッファ層を提供する

効果

実績

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請求項1

集積回路であって、サーマルシンク層と、第1の動作温度要件を有する第1の組の回路に関連する第1の接地面と、前記第1の接地面を前記サーマルシンク層に結合する第1の熱伝導性ビアと、前記第1の動作温度要件よりも高い第2の動作温度要件を有する第2の組の回路に関連する第2の接地面と、前記第2の接地面を前記サーマルシンク層に結合する第2の熱伝導性ビアとを備え、前記第1の熱伝導性ビアは、前記第2の組の回路よりも小さい勾配で熱を前記第1の組の回路から除去するために、前記第2の熱伝導性ビアよりも大きな体積熱伝導性材料を有する、集積回路。

請求項2

前記サーマルシンク層、前記第1の熱伝導性ビア、および前記第2の熱伝導性ビアは、銅で形成される、請求項1に記載の回路。

請求項3

前記第1の接地面および前記第1の組の回路は、第1の導電性材料で形成され、前記第2の接地面および前記第2の組の回路は、前記第1の導電性材料とは異なる動作温度要件を有する第2の導電性材料で形成される、請求項1に記載の回路。

請求項4

前記第1の接地面はニオブから形成され、前記第2の接地面はアルミニウムから形成される、請求項3に記載の回路。

請求項5

前記第1の接地面および前記第1の組の回路は、基板の上にある第1の誘電体層内に存在し、前記第2の接地面および前記第2の組の回路は、前記基板の上および前記第1の誘電体層の上および下の一方にある第2の誘電体層内に存在する、請求項3に記載の回路。

請求項6

前記第1の接地面および前記第1の組の回路は、基板の上にある第1の誘電体層内に存在し、前記第2の接地面および前記第2の組の回路は、前記第1の誘電体層内において前記第1の接地面および前記第1の組の回路に隣接し、かつ物理的に分離して存在する、請求項3に記載の回路。

請求項7

前記第1の熱伝導性ビアは、基板を介して前記第1の接地面を前記サーマルシンク層に結合する複数の第1の熱伝導性ビアのうちの1つであり、前記第2の熱伝導性ビアは、前記基板を介して前記第2の接地面を前記サーマルシンク層に結合する複数の第2の熱伝導性ビアのうちの1つである、請求項1に記載の回路。

請求項8

前記複数の第1の熱伝導性ビアの各々は第1のサイズを有し、前記複数の第2の熱伝導性ビアの各々は同数の熱伝導性ビアの第2のサイズを有し、前記第1のサイズは、前記第2の組の回路よりもより多くの熱を前記第1の組の回路から除去するために、前記第2のサイズよりも大きいサイズである、請求項7に記載の回路。

請求項9

前記複数の第1の熱伝導性ビアの各々と前記複数の第2の熱伝導性ビアの各々は実質的に同じサイズであり、前記複数の第1の熱伝導性ビアの数は、前記第2の組の回路よりも小さい勾配で前記第1の組の回路から熱を除去するために、前記複数の第2の熱伝導性ビアの数よりも多い、請求項7に記載の回路。

請求項10

モノリシックマイクロ波集積回路MMIC)であって、基板の下にあるサーマルシンク層と、第1の動作温度要件を有する第1の組の超伝導回路に関連する第1の導電性接地面と、前記第1の導電性接地面を前記基板を介して前記サーマルシンク層に結合する第1の組の熱伝導性ビアと、前記第1の動作温度要件よりも高い第2の動作温度要件を有する第2の組の超伝導回路に関連する第2の導電性接地面と、前記第2の導電性接地面を前記基板を介して前記サーマルシンク層に結合する第2の組の熱伝導性ビアとを備え、前記第1の組の熱伝導性ビアは、前記第2の組の超伝導回路よりもより多くの熱を前記第1の組の超伝導回路から除去するために、前記第2の組の熱伝導性ビアよりも大きな体積の熱伝導性材料を有する、モノリシックマイクロ波集積回路。

請求項11

前記サーマルシンク層、前記第1の組の熱伝導性ビア、および前記第2の組の熱伝導性ビアは、銅で形成される、請求項10に記載の回路。

請求項12

前記第1の導電性接地面はニオブから形成され、前記第2の導電性接地面はアルミニウムから形成される、請求項10に記載の回路。

請求項13

前記第1の導電性接地面および前記第1の組の超伝導回路は、前記基板の上にある第1の誘電体層内に存在し、前記第2の導電性接地面および前記第2の組の超伝導回路は、前記基板の上および前記第1の誘電体層の上および下のいずれか一方にある第2の誘電体層内に存在する、請求項10に記載の回路。

請求項14

前記第1の導電性接地面および前記第1の組の超伝導回路は、前記基板の上にある第1の誘電体層内に存在し、前記第2の導電性接地面および前記第2の組の超伝導回路は、前記第1の誘電体層内において前記第1の導電性接地面および前記第1の組の超伝導回路と隣接し、かつ物理的に分離されている、請求項10に記載の回路。

請求項15

前記第1の組の熱伝導性ビアの各熱伝導性ビアは第1のサイズを有し、前記第2の組の熱伝導性ビアの各熱伝導性ビアは同数の熱伝導性ビアの第2のサイズを有し、前記第1のサイズは、前記第2の組の超伝導回路よりも小さい勾配で熱を前記第1の組の超伝導回路から除去するために、前記第2のサイズよりも大きいサイズである、請求項10に記載の回路。

請求項16

前記第1の組の熱伝導性ビアの各熱伝導性ビアと前記第2の組の熱伝導性ビアの各熱伝導性ビアは、実質的に同じサイズであり、前記第1の組の熱伝導性ビアの数熱伝導性ビアの数は、前記第2の組の超伝導回路よりも小さい勾配で熱を前記第1の組の超伝導回路から除去するために、前記第2の組の熱伝導性ビアの熱伝導性ビアの数よりも多い、請求項10に記載の回路。

技術分野

0001

本発明は、概して、集積回路に関し、より詳細には、複数の接地面のサーマルシンクに関する。

背景技術

0002

極低温で動作するモノリシックマイクロ波集積回路MMIC:Monolithic Microwave Integrated circuit)チップは、超伝導回路を有し、超伝導回路は、超伝導回路から基板に向かって下方に熱を除去することにより熱的に管理される必要がある。上面からの熱除去は、超伝導はんだバンプがあるために非効率的である。これは、許容できないほどの高い温度勾配をもたらす。しかしながら、MMICの下位層にある金属メッシュ材料製の接地面により、全体の層が熱平衡となる。このため、MMIC上のデバイスのうちより低い温度に維持する必要のある部分は、より高温部品にさらされることになる。極低温条件では、熱負荷、冷却資源、温度、および回路複雑性は互いに強く結びついている。極低温から室温に上げると、1つのユニット消費電力の節約は数桁に拡大する。極低温チップがますます複雑になるにつれて、より多くの数のデバイスのおよびより多くのバリエーションのデバイスがMMICを占有する。これらの各デバイスには、異なる動作温度要件がある。

0003

典型的な極低温MMICは、導電性材料誘電体交互層で覆われたシリコン基板で構成されている。MMICには複数のデバイスのタイプが存在することができる。例として、MMICには、3つの異なる動作温度で動作する必要がある3つの異なるデバイスのタイプがある。例えば、第1のデバイスは500mK未満で動作する必要があり、第2のデバイスは1K未満で動作する必要があり、第3のデバイスは4K未満で動作する必要がある。単一の接地面では、メッシュ層全体がほぼ均一な温度となる。これは、XおよびY方向に横方向に熱を輸送拡散)する導電性材料の特性によるものである。従って、すべてのデバイスをこの接地面に接続する場合、すべてのデバイスを最も厳しい動作要件、例えば、500mKに維持する必要がある。これは、第3のデバイスのみが4Kに維持される必要があるが、その代わりに0.5Kに維持されるため、MMICのこのセクタを管理するために8倍の冷却資源が必要となる。

0004

一例では、サーマルシンク層と、第1の動作温度要件を有する第1の組の回路に関連する第1の接地面と、第1の接地面をサーマルシンク層に結合する第1の熱伝導性ビアとを含む集積回路が提供される。回路は、第1の動作温度要件よりも高い第2の動作温度要件を有する第2の組の回路に関連する第2の接地面と、第2の接地面をサーマルシンク層に結合する第2の熱伝導性ビアとをさらに含む。第1の熱伝導性ビアは、第2の熱伝導性ビアよりも大きな体積熱伝導性材料を有する。大きな体積の熱伝導性材料によって、熱を小さい温度勾配で除去することが可能である。

0005

さらに別の例では、基板の下にあるサーマルシンク層と、第1の動作温度要件を有する第1の組の導電回路に関連する第1の導電性接地面と、第1の導電性接地面を基板を介してサーマルシンク層に結合する第1の組の熱伝導性ビアとを含むモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)が提供される。回路は、第1の動作温度要件よりも高い第2の動作温度要件を有する第2の組の導電回路に関連する第2の導電性接地面と、第2の導電性接地面を基板を介してサーマルシンク層に結合する第2の組の熱伝導性ビアとをさらに含み、第1の組の熱伝導性ビアは、第2の組の超伝導回路よりも小さい勾配で熱を第1の組の超伝導回路から除去するために、第2の組の熱伝導性ビアよりも大きな体積の熱伝導性材料を有する。

図面の簡単な説明

0006

例示的な集積回路の一部の断面図を示す図である。
別の例示的な集積回路の一部の断面図を示す図である。
図2の線A−Aに沿った集積回路の一部の断面図を示す図である。
図2の線A−Aに沿った集積回路の一部の断面図の別の可能な例を示す図である。
さらに別の例示的な集積回路の一部の断面図を示す図である。

実施例

0007

本開示は、異なる動作温度要件で動作する複数組回路用の個別の専用接地面を含む集積回路(例えば、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC))について説明する。各個別の接地面は、個々のサーマルビアコンタクト)によって基板の底部側のサーマルシンク層に結合される。個々の組の回路を必要な動作温度要件に維持するために、個別の接地面の各々から適切なヒートシンクを可能にするようにサーマルシンク層が適切に冷却される。サーマルビアは、各接地面の適切な冷却を提供するために、接地面および接地面と関連する回路の異なる動作温度要件に基づいて、異なるサイズにしたり、または同じサイズのサーマルビアを異なる数にしたりすることができる。即ち、所定の接地面をサーマルシンク層に結合するサーマルビアの熱伝導性材料の体積は、より高い動作温度要件を有する回路に関連する接地面を結合するサーマルビアの熱伝導性材料の体積よりも大きく、かつより低い動作温度要件を有する回路に関連する接地面を結合するサーマルビアの熱伝導性材料の体積よりも小さい。これにより、異なる動作温度要件を有する回路に基づいて、比例するサーマルシンク容量が提供される。

0008

本事例は、異なる動作温度要件を有する導電性接地面および関連する超伝導回路に関して説明される。しかしながら、他の例には、導電性接地面および関連する超伝導回路と非超伝導接地面および関連する回路との混合、または異なる動作温度要件を有する非超伝導回路および関連する回路の混合が含まれる。

0009

図1は、例示的な集積回路10の一部の断面図を示している。集積回路10の一部は、基板14の上にある第1の誘電体層16と、第1の誘電体層16の上にある第2の誘電体層18と、第2の誘電体層18の上にある第3の誘電体層20とを含む。基板14は、シリコンガラス、または他の基板材料製とすることができる。サーマルシンク層12は、基板14の底部に存在する。第1の誘電体層16は、基板と集積回路10の能動回路との間のバッファ層を提供する。第1の導電性接地面22および第1の組の超伝導回路24は第2の誘電体層18内に配置され、第2の導電性接地面28および第2の組の回路30は第3の誘電体層20内に存在する。第1の導電性接地面22および第1の組の超伝導回路24は第1の動作温度要件を有し、第2の導電性接地面28および第2の組の超伝導回路30は第2の動作温度要件を有する。

0010

第1の動作温度要件は、第2の動作温度要件とは異なり、かつ第2の動作温度要件よりも低く、これにより、第2の動作温度は、第1の動作温度要件よりも高くなる。動作温度要件という用語は、接地面の回路材料および1組の回路が、それらの特性を維持するように動作するのに必要な動作温度であって、その動作温度またはその動作温度未満の動作温度を指す。例えば、第1の導電性接地面および第1の組の超伝導回路は、超伝導にするために動作温度を500ミリケルビン以下に維持する必要があるニオブの利用を含み得、第2の導電性接地面及び第2の組の超伝導回路は、超伝導にするために動作温度を4ケルビン以下に維持する必要があるアルミニウムの利用を含み得る。つまり、動作温度要件が低い1組の回路は、動作温度要件が高い1組の回路よりも多くの冷却資源を必要とし、かつより多くの熱を吸収する必要がある。

0011

第1のサーマルビア26は、第1の導電性接地面22をサーマルシンク層12に接続し、第2のサーマルビア32は、第2の導電性接地面28を基板12を介してサーマルシンク層12に接続する。サーマルシンク層12は、熱伝導性材料で形成されている。熱伝導性材料は、熱を容易に伝達するように、比較的優れた熱伝導体である材料である。超伝導材料は、優れた導電性材料であるが、(超伝導ではない常伝導金属と比較して)熱伝導性の低い材料である。従って、サーマルシンク層12は超伝導材料で形成されていない。さらに、第1のサーマルビア26および第2のサーマルビア32は、熱伝導性材料で形成することができる。その熱伝導性材料は、導電性接地層からサーマルシンク層12に熱を伝導するのに比較的優れた材料である。サーマルシンク層12は、外部ソースによって冷却される。一例では、サーマルシンク層12、第1のサーマルビア26、および第2のサーマルビア32は全て銅で形成されている。熱伝導性材料の代替例には、金、銀、タングステンモリブデンイリジウム、およびロジウムが含まれる。

0012

図1に示すように、第1のサーマルビア26に関連する熱伝導性材料の厚さおよび結果としての体積は、第2のサーマルビア32に関連する熱伝導性材料の厚さおよび結果としての体積よりも大きい。従って、熱は、第2の導電性接地面28および第2の組の超伝導回路30内に存在する勾配よりも小さい勾配で、第1の導電性接地面22および第1の組の超伝導回路24から除去される。これにより、異なる動作温度要件を有する接地面を冷却するための単一の冷却層を提供することが可能となる。

0013

従って、同じサーマルシンク層12を使用することにより、第1の導電性接地面22および第1の組の超伝導回路24の温度を、第2の導電性接地面28および第2の組の超伝導回路30よりも低い温度に維持することができる。サーマルシンク層12は、第1の動作温度要件よりも高い温度に冷却することができるが、第1の導電性接地面22および第1の組の超伝導回路24を第1の動作温度要件で維持し、第2の導電性接地面28および第2の組の超伝導回路30を第2の動作温度要件で維持する。

0014

図1は、単一の第1のサーマルビア26および単一の第2のサーマルビア32を示しているが、第1の導電性接地面22および第1の組の超伝導回路24の温度を第1の動作温度要件以下に、かつ第2の導電性接地面28および第2の組の超伝導回路30の温度を第2の動作温度要件以下に維持するために、第2のサーマルビアに対する第1のサーマルビアの熱伝導性材料の比例体積(proportional volume)が維持される限り、より多くの第1のサーマルビアおよび第2のサーマルビアが存在することができる。

0015

図2は、別の例示的な集積回路40の一部の断面図を示している。集積回路40の一部は、基板44の上にある第1の誘電体層46と、第1の誘電体層46の上にある第2の誘電体層48と、第2の誘電体層48の上にある第3の誘電体層50とを含む。基板44は、シリコン、ガラス、または他の基板材料製とすることができる。サーマルシンク層42は、基板44の底部に存在する。第1の誘電体層46は、基板44と集積回路40の能動回路との間のバッファ層を提供する。第1の導電性接地面52および第1の組の超伝導回路54は、第2の誘電体層48内に配置され、第2の導電性接地面56および第2の組の回路58は、第1の導電性接地面52および第1の組の超伝導回路54に隣接した関係で第2の誘電体層48内に配置される。第1の導電性接地面52および第1の組の超伝導回路54は第1の動作温度要件を有し、第2の導電性接地面56および第2の組の超伝導回路58は第2の動作温度要件を有する。

0016

この例では、第1の動作温度要件は第2の動作温度要件とは異なり、かつ第2の動作温度要件よりも低いので、図1の例と同様に、第2の動作温度要件は、第1の動作温度要件よりも高くなっている。第1の導電性接地面52および第1の組の超伝導回路54は、超伝導にするために動作温度を500ミリケルビン以下に維持する必要があるニオブの利用を含み得、第2の超伝導接地面56および第2の組の超伝導回路58は、超伝導にするために動作温度を4ケルビン以下に維持する必要があるアルミニウムの利用を含み得る。

0017

第1の組のサーマルビア62は、第1の導電性接地面52をサーマルシンク層42に接続し、第2の組のサーマルビア60は、第2の導電性接地面60を基板44を介してサーマルシンク層42に接続する。サーマルシンク層42は、熱伝導性材料で形成されている。さらに、第1の組のサーマルビア62および第2の組のサーマルビア60は、熱伝導性材料から形成することができる。一例では、サーマルシンク層44、第1の組のサーマルビア62、および第2の組のサーマルビア60はすべて銅で形成される。

0018

図3は、線A−Aに沿った集積回路40の一部の断面図を示している。図2〜3に示すように、第1の組のサーマルビア62に関連する熱伝導性材料の厚さおよび結果としての体積は、第2の組のサーマルビア60に関連する熱伝導性材料の厚さおよび結果としての体積よりも大きい。従って、第1の導電性接地面52および第1の組の超伝導回路54から伝達および除去される熱は、第2の導電性接地面56および第2の組の超伝導回路58から伝達および除去される熱よりも小さい勾配で行われる。

0019

同じサーマルシンク層42を使用することにより、第1の導電性接地面52および第1の組の超伝導回路54の温度を、第2の導電性接地面56および第2の組の超伝導回路58よりも低い温度に維持することができる。サーマルシンク層42は、第1の動作温度要件よりも高い温度に冷却されることができるが、第1の導電性接地面52および第1の組の超伝導回路54を第1の動作温度要件で維持し、第2の導電性接地面56および第2の組の超伝導回路58を第2の動作温度要件で維持する。

0020

図3の例では、第1の組のサーマルビア62と第2の組のサーマルビア60との間に1対1の対応があることを理解されたい。図4は、別の例示的な集積回路の一部の断面図を示している。この例では、第1の組のサーマルビア68および第2の組のサーマルビア66の各サーマルビアは、実質的に同じ深さおよび幅を有し、その結果、実質的に同じ体積を有する。しかしながら、第1の組のサーマルビア68におけるサーマルビアの数は、第2の組のサーマルビア66におけるサーマルビアの数よりも多い。結果として、第1の組のサーマルビア68における熱伝導性材料の体積は、第2の組のサーマルビア66における熱伝導性材料の体積よりも大きい。従って、第2の導電性接地面56および第2の組の超伝導回路56に比べて、第1の導電性接地面52および第1の組の超伝導回路54に対してより大きな冷却が提供される。第1の組のビア68における追加の熱伝導性材料のために、回路の複雑性がこの体積内で増大する。

0021

図5は、さらに別の例示的な集積回路70の一部の断面図を示している。集積回路70の一部は、基板74の上にある第1の誘電体層76と、第1の誘電体層76の上にある第2の誘電体層78と、第2の誘電体層78の上にある第3の誘電体層80とを含む。基板74は、シリコン、ガラス、または他の基板材料製とすることができる。サーマルシンク層72は、基板74の底部に存在する。第1の誘電体層76は、基板と集積回路70の能動回路との間のバッファ層を提供する。第1の導電性接地面82および第1の組の超伝導回路84は第2の誘電体層78内に配置され、第2の導電性接地面88および第2の組の回路90は第3の誘電体層80内に存在する。第1の導電性接地面82および第1の組の超伝導回路84は第1の動作温度要件を有し、第2の導電性接地面88および第2の組の超伝導回路90は第2の動作温度要件を有する。

0022

第1の組のサーマルビア86は、第1の導電性接地面82をサーマルシンク層72に接続し、第2の組のサーマルビア92は、第2の導電性接地面88を基板74を介してサーマルシンク層72に接続する。第1の組のサーマルビア86におけるビアの数は、第2の組のサーマルビア92におけるビアの数よりも多い。サーマルシンク層91は、熱伝導性材料で形成されている。第1の組のサーマルビア86および第2の組のサーマルビア92は、熱伝導性材料で形成することができる。その熱伝導性材料は、導電性接地層からサーマルシンク層72に熱を伝導するのに比較的優れた材料である。サーマルシンク層72は、外部ソースによって冷却される。一例では、サーマルシンク層72、第1の組のサーマルビア86、および第2の組のサーマルビア92は、すべて銅で形成されている。この例では、より高い動作温度要件を維持するために、接地面88は、より大きい勾配を有し、かつ接地面82よりもより少ない同じようなサイズのビアを必要とする。その低い動作温度要件を維持するために、接地面82は、より小さい勾配を有し、かつ接地面88よりもより多くの同じようなサイズのビアを必要とする。

0023

上述したものは、本発明の事例である。当然ながら、本発明を説明する目的で、構成要素または方法の考えられるすべての組み合わせを説明することは不可能であるが、当業者は、本発明の多くのさらなる組み合わせおよび置換が可能であることを認識するであろう。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲を含む、本出願の範囲内にあるすべてのそのような変更、修正、および変形を包含することを意図している。

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