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技術 ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法

出願人 エルジー・ケム・リミテッド
発明者 ウン・キュ・ホチュン・ワン・キムソン・ホ・ジャンブ・ゴン・シンジョン・ホ・パクジュン・ファン・ユンソ・ヨン・チョ
出願日 2018年10月19日 (2年3ヶ月経過) 出願番号 2020-508513
公開日 2020年10月29日 (3ヶ月経過) 公開番号 2020-530945
状態 未査定
技術分野 半導体のドライエッチング ライトガイド一般及び応用 回折格子、ホログラム光学素子
主要キーワード ステンレス材質 区間領域 底面材 整列ステップ サンプル基材 中間モールド ブラックシリコン 曲線領域
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2020年10月29日)のものです。
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図面 (20)

課題・解決手段

ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法が提供される。プラズマエッチング方法は、プラズマエッチング装置内に、メッシュ部が上面に備えられたファラデーケージを設けるステップと、開口部を有する金属マスクが一面上に備えられた石英基材をファラデーケージ内に設けるステップと、プラズマエッチングを用いて石英基材をエッチングするパターニングステップとを含む。その中で、ファラデーケージの底面は、金属マスクより低いイオン化傾向を有する金属を含む。

概要

背景

ディスプレイに所望のイメージ使用者に見せるために、可視光の状態を変更するための導光板を用いることができる。導光板は、反射屈折または回折などにより入射する可視光と相互作用が可能であり、このような相互作用を調節して使用者に所望のイメージを見せることができる。導光板に入射した光は、導光板に備えられた構造物と相互作用をして回折が起こり、これは光の波動性に起因するものであって光波の干渉として表現される。導光板内に入射した光が周期的な構造物に接する場合、光の回折によって互いに異なる方向のビームに分割されて使用者に見えることがある。

ディスプレイに所望のイメージを使用者に見せるために、可視光の状態を変更するための導光板を用いることができる。導光板は、反射、屈折または回折などにより入射する可視光と相互作用が可能であり、このような相互作用を調節して使用者に所望のイメージを見せることができる。導光板に入射した光は、導光板に備えられた構造物と相互作用をして回折が起こり、これは光の波動性に起因するものであって光波の干渉として表現される。導光板内に入射した光が周期的な構造物に接する場合、光の回折によって互いに異なる方向のビームに分割されて使用者に見えることがある。

ディスプレイを通して使用者に所望のイメージを歪みなく見せるために、導光板に入射する光がディスプレイ上で一定の強度で出力されるように導光板の微細構造物を形成するための方法の研究が必要である。

概要

ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法が提供される。プラズマエッチング方法は、プラズマエッチング装置内に、メッシュ部が上面に備えられたファラデーケージを設けるステップと、開口部を有する金属マスクが一面上に備えられた石英基材をファラデーケージ内に設けるステップと、プラズマエッチングを用いて石英基材をエッチングするパターニングステップとを含む。その中で、ファラデーケージの底面は、金属マスクより低いイオン化傾向を有する金属を含む。

目的

本発明の一実施態様は、プラズマエッチング装置内に、メッシュ部が上面に備えられたファラデーケージを設けるステップと、開口部を有する金属マスクが一面上に備えられた石英基材を前記ファラデーケージ内に設けるステップと、プラズマエッチングを用いて前記石英基材をエッチングするパターニングステップとを含み、前記ファラデーケージの底面は、前記金属マスクより低いイオン化傾向を有する金属を含む、ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

プラズマエッチング装置内に、メッシュ部が上面に備えられたファラデーケージを設けるステップと、開口部を有する金属マスクが一面上に備えられた石英基材を前記ファラデーケージ内に設けるステップと、プラズマエッチングを用いて前記石英基材をエッチングするパターニングステップとを含み、前記ファラデーケージの底面は、前記金属マスクより低いイオン化傾向を有する金属を含む、ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法

請求項2

前記ファラデーケージの底面は、前記金属マスクの標準還元電位より1V以上高い金属を含む、請求項1に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項3

前記パターニングステップは、前記プラズマエッチング装置の出力を0.75kW以上4kW以下に調節することを含む、請求項1または2に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項4

前記パターニングステップは、前記プラズマエッチング装置に反応性ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを10sccm以上75sccm以下で供給することを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項5

前記パターニングステップは、前記プラズマエッチング装置に反応性ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを供給するが、前記混合ガスの総流量中の酸素ガス流量含有量は、1%以上20%以下である、請求項1から4のいずれか一項に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項6

前記金属マスクは、アルミニウムおよびクロムのうちの少なくとも1種を含み、前記ファラデーケージの底面は、銅を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項7

前記メッシュ部は、0.5Ω/□以上の面抵抗を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項8

前記メッシュ部は、金属メッシュ上にフッ化炭素ラジカル吸着されたものである、請求項7に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項9

前記ファラデーケージの底面にサンプル基材を設け、平面プラズマエッチングを行って、前記ファラデーケージ内の高エッチング領域を確認するステップと、傾斜面を有する支持台を用意し、前記傾斜面の下部領域を前記ファラデーケージの高エッチング領域に位置させる支持台整列ステップとをさらに含み、前記石英基材を前記ファラデーケージ内に設けるステップは、前記支持台の傾斜面上に前記石英基材を設ける、請求項1から8のいずれか一項に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項10

前記パターニングステップにおけるエッチング率は、前記傾斜面の上部領域から下部領域へ減少後に反転して増加する、請求項9に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項11

前記パターニングステップは、前記石英基材の一側に第1傾斜パターン部および前記石英基材の他側に第2傾斜パターン部を同時に形成するものであり、前記第1傾斜パターン部は、深さ勾配を有する傾斜溝パターンを含み、前記第2傾斜パターン部は、0nm〜50nmの深さ偏差を有する傾斜溝パターンを含む、請求項9に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項12

前記傾斜面の最上部のエッチング速度と前記傾斜面の最下部のエッチング速度との差は、30%以内である、請求項9に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項13

前記第1傾斜パターン部は、エッチング率が反転して増加する前の領域、または前記エッチング率が反転した後に増加する領域で形成される、請求項11に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項14

前記支持台は、前記金属マスクの標準還元電位以上の標準還元電位を有する金属を含む、請求項9に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項15

パターニングされた石英基材のエッチング部の底面は、針状構造物の高さが50nm以下に制御されたものである、請求項1に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

請求項16

パターニングされた前記石英基材は、回折格子導光板モールド基材である、請求項1に記載のファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法。

技術分野

0001

本明細書は、2017年10月20日付で韓国特許提出された韓国特許出願第10−2017−0136547号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本発明に組み込まれる。

0002

本明細書は、ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法に関する。

背景技術

0003

ディスプレイに所望のイメージ使用者に見せるために、可視光の状態を変更するための導光板を用いることができる。導光板は、反射屈折または回折などにより入射する可視光と相互作用が可能であり、このような相互作用を調節して使用者に所望のイメージを見せることができる。導光板に入射した光は、導光板に備えられた構造物と相互作用をして回折が起こり、これは光の波動性に起因するものであって光波の干渉として表現される。導光板内に入射した光が周期的な構造物に接する場合、光の回折によって互いに異なる方向のビームに分割されて使用者に見えることがある。

0004

ディスプレイに所望のイメージを使用者に見せるために、可視光の状態を変更するための導光板を用いることができる。導光板は、反射、屈折または回折などにより入射する可視光と相互作用が可能であり、このような相互作用を調節して使用者に所望のイメージを見せることができる。導光板に入射した光は、導光板に備えられた構造物と相互作用をして回折が起こり、これは光の波動性に起因するものであって光波の干渉として表現される。導光板内に入射した光が周期的な構造物に接する場合、光の回折によって互いに異なる方向のビームに分割されて使用者に見えることがある。

0005

ディスプレイを通して使用者に所望のイメージを歪みなく見せるために、導光板に入射する光がディスプレイ上で一定の強度で出力されるように導光板の微細構造物を形成するための方法の研究が必要である。

先行技術

0006

韓国登録特許公報:KR10−1131101B1

発明が解決しようとする課題

0007

本発明は、ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法を提供しようとする。

0008

ただし、本発明が解決しようとする課題は上述した課題に制限されず、言及されていない他の課題は下記の記載から当業者に明確に理解されるであろう。

課題を解決するための手段

0009

本発明の一実施態様は、プラズマエッチング装置内に、メッシュ部が上面に備えられたファラデーケージを設けるステップと、開口部を有する金属マスクが一面上に備えられた石英基材を前記ファラデーケージ内に設けるステップと、プラズマエッチングを用いて前記石英基材をエッチングするパターニングステップとを含み、前記ファラデーケージの底面は、前記金属マスクより低いイオン化傾向を有する金属を含む、ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法を提供する。

発明の効果

0010

本発明の一実施態様に係るエッチング方法によれば、プラズマエッチングによる石英基材のエッチング時、エッチング部の底面に発生する針状構造物の形成を最小化することができる。具体的には、本発明の一実施態様に係るエッチング方法によれば、ファラデーケージの底面の金属材質と金属マスクの金属材質を適切に選択する簡単な方法でエッチング部の底面に形成される針状構造物の形成を効果的に制御することができる。

0011

本発明の一実施態様に係るエッチング方法によれば、1回のエッチング工程により、基材上に互いに異なる傾斜パターン部を同時に形成することができるという利点がある。

0012

本発明の一実施態様に係るエッチング方法によれば、簡単な工程で優れた精度を有する回折格子導光板モールド基材を製造することができるという利点がある。

0013

本発明の一実施態様に係るエッチング方法によれば、石英基材上に均一な傾きで傾斜パターンを形成することができ、さらに、傾斜パターンが深さ勾配を有するように調節することができるという利点がある。

図面の簡単な説明

0014

本発明の一実施態様に係るエッチング方法を模式化したものである。
本発明の一実施態様に係る製造方法により製造されたパターニングされた石英基材を用いて製造された回折格子導光板の一例を示すものである。
参考例1および参考例2によるファラデーケージの高エッチング領域を確認するステップのための模式図を示すものである。
参考例1および参考例2によるファラデーケージの高エッチング領域を示すものである。
実施例1〜2、および比較例1〜2による傾斜エッチング時の位置ごとの垂直方向のエッチング深さを示すものである。
実施例1によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例1によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例2によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例2によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例2によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例2によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
比較例1によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
比較例1によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
比較例1によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
比較例2によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
比較例2によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
図5によるデータを、針状構造物が発生するエッチング速度(etch rate)および針状構造物が発生する区間切り替えグラフを示すものである。
実施例1、実施例3〜4および、比較例3による傾斜エッチング時の位置ごとの垂直方向のエッチング深さを、針状構造物が発生するエッチング速度(etch rate)および針状構造物が発生する区間に切り替えたグラフを示すものである。
比較例3によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
比較例3によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
比較例3によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例3によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例3によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例4によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例4によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例4によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。
実施例4によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。

実施例

0015

本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

0016

本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合のみならず、2つの部材の間にさらに他の部材が存在する場合も含む。

0017

本明細書において、使われる用語「〜(する)ステップ」または「〜のステップ」は、「〜のためのステップ」を意味しない。

0018

本発明におけるファラデーケージは、導体からなる密閉空間を意味し、プラズマ内にファラデーケージを設けると、ケージ外表面にシース(sheath)が形成されて内部は電場が一定の状態に維持される。この時、ファラデーケージの上面をメッシュ部に形成すれば、シースがメッシュ部の表面に沿って形成される。そのため、ファラデーケージを用いたプラズマエッチングを行う場合、メッシュ部の表面に水平に形成されたシースと垂直な方向に加速されたイオンは、ファラデーケージの内部に入射した後、入射する時の方向性を維持しながら基材まで到達して基材をエッチングする。さらに、本発明におけるファラデーケージ内部の基材の表面は、メッシュ面に対して水平または傾いた状態で固定されており、イオンはメッシュ面に垂直な方向に入射するので、基材の表面に対して垂直または傾いた方向へのエッチングが可能である。具体的には、本発明の一実施態様に係るファラデーケージは、上面が導電性を有するメッシュ部から構成された導電体ケージであってもよい。また、本発明の一実施態様によれば、前記プラズマエッチングのエッチング方向は、前記ファラデーケージのメッシュ部の表面に垂直な方向であってもよい。

0019

ファラデーケージを用いたプラズマエッチングの場合、メッシュ部を通過したイオンは、基材に向けて移動する間、ファラデーケージの内部に存在する中性粒子衝突して運動エネルギーを失い、これによって、イオンの密度はメッシュ部の距離に反比例する傾向を有する。すなわち、イオンが入射するメッシュ部に近いほど高いエッチング速度を示し、メッシュ部から遠くなるほど低いエッチング速度を示す。既存のファラデーケージを用いたプラズマエッチングは、基材の直径が増加する場合、または傾斜エッチングにおいてメッシュ部と基材の下端の距離が過度に遠くなる場合、エッチング均一度問題のため制限的に使用されるしかなかった。具体的には、既存のファラデーケージを用いたプラズマエッチング時、ファラデーケージの位置ごとに高エッチング領域と低エッチング領域とが不規則に混在して、エッチング時の正確度を高めることが困難であり、イオンの進行距離が長くなる場合、イオンビームの直径が大きくなるイオンビーム分散効果などの限界が存在していた。

0020

また、プラズマエッチング、具体的には、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置(ICP−RIE)を用いた石英基材のエッチング工程時、自己マスキング現象(self−masking mechanism)によってエッチング領域内に低い反射率を有する針状構造物が形成される問題点がある。このような針状構造物は、ブラックシリコンとも称され、数十から数百nmの直径の針状にエッチング領域に存在して、石英基材の表面の反射率を大きく低下させ、精密なエッチングを妨げる要素として作用する。

0021

本発明者らは、ファラデーケージを用いたプラズマエッチングに関する研究を続けた結果、前記針状構造物の発生を抑制できる因子を見出して、下記のような発明を導出するに至った。

0022

以下、本明細書についてより詳細に説明する。

0023

本発明の一実施態様は、プラズマエッチング装置内に、メッシュ部が上面に備えられたファラデーケージを設けるステップと、開口部を有する金属マスクが一面上に備えられた石英基材を前記ファラデーケージ内に設けるステップと、プラズマエッチングを用いて前記石英基材をエッチングするパターニングステップとを含み、前記ファラデーケージの底面は、前記金属マスクより低いイオン化傾向を有する金属を含む、ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法を提供する。

0024

本発明者らは、ファラデーケージを用いたプラズマエッチングに関する研究を続けた結果、ファラデーケージの底面材質とパターニングのための金属マスク材質とのイオン化傾向の差によってエッチング対象である石英基材に発生する針状構造物の形成を制御できることを見出した。具体的には、本発明者らは、ファラデーケージの底面材質のイオン化傾向が金属マスク材質のイオン化傾向より低いときに、石英基材のパターニング時、針状構造物の発生を最小化できることを見出した。

0025

本発明の一実施態様によれば、前記石英基材は、ガラスまたはシリコンウエハであってもよい。

0026

本発明の一実施態様によれば、前記ファラデーケージの底面は、前記金属マスクの標準還元電位より1V以上高い金属を含むことができる。具体的には、前記ファラデーケージの底面は、前記金属マスクの標準還元電位より1V以上高い金属からなってもよい。また、前記ファラデーケージの底面を構成する金属の平均標準還元電位は、前記金属マスクの標準還元電位より1V以上高くてもよい。前記ファラデーケージの底面を構成する金属の平均標準還元電位は、前記ファラデーケージの底面を構成する金属の含有量と標準還元電位を考慮して計算される。例えば、18wt%のCr、8wt%のNi、および74wt%のFeからなるSUS304の場合、平均標準還元電位は−0.333Vであってもよい。参照として、Crの標準還元電位は−0.74V、Feの標準還元電位は−0.45V、Niの標準還元電位は−0.26V、Alの標準還元電位は−1.66V、Cuの標準還元電位は0.34Vである。

0027

本発明の一実施態様によれば、前記ファラデーケージの底面は、前記金属マスクの標準還元電位より1V以上、1.5V以上、または1.9V以上高い金属を含むことができる。また、本発明の一実施態様によれば、前記ファラデーケージの底面を構成する金属の平均標準還元電位は、前記金属マスクの標準還元電位より1V以上、1.5V以上、または1.9V以上高いものであってもよい。

0028

前記ファラデーケージの底面に含まれる金属の標準還元電位が前記のような場合、石英基材のパターニング時、針状構造物の発生が最小化され、ひいては、発生する針状構造物の大きさが最小化できる。

0029

本発明の一実施態様によれば、前記金属マスクは、アルミニウムおよびクロムのうちの少なくとも1種を含む。具体的には、前記金属マスクは、アルミニウムからなるものであってもよい。

0030

本発明の一実施態様によれば、前記ファラデーケージの底面は、鉄、ニッケル、および銅のうちの少なくとも1種を含むものであってもよい。具体的には、前記ファラデーケージの底面は、銅または鉄、クロム、およびニッケルの合金であるステンレス鋼素材金属板であってもよい。

0031

本発明の一実施態様によれば、前記金属マスクは、アルミニウム素材マスクであり、前記ファラデーケージの底面は、銅素材またはSUS304ステンレス鋼素材の金属板であってもよい。

0032

本発明の一実施態様によれば、前記金属マスクは、アルミニウムおよびクロムのうちの少なくとも1種を含み、前記ファラデーケージの底面は、銅を含むものであってもよい。具体的には、前記金属マスクは、純度95%以上のアルミニウムで形成されたものであり、前記ファラデーケージの底面は、純度95%以上の銅板であってもよい。

0033

本願発明のように、ファラデーケージの底面材質のイオン化傾向が金属マスク材質のイオン化傾向より低い場合、および/またはファラデーケージの底面材質の標準還元電位が金属マスク材質の標準還元電位より1V以上高い場合、石英基材のパターニング時、針状構造物の発生が著しく抑制され、発生する針状構造物の大きさを著しく小さく抑制することができる。

0034

本発明の一実施態様によれば、前記パターニングステップは、前記プラズマエッチング装置の出力を0.75kW以上4kW以下に調節することを含むことができる。具体的には、前記プラズマエッチング装置の出力は、0.75kW以上3kW以下、0.75kW以上1.5kW以下、または0.75kW以上1kW以下に調節可能である。

0035

前記プラズマエッチング装置の出力を前記範囲内に調節する場合、石英基材をパターニングする場合に発生する針状構造物の形成をより抑制し、発生する針状構造物の大きさを著しく小さく抑制することができる。

0036

本発明の一実施態様によれば、前記パターニングステップは、前記プラズマエッチング装置に反応性ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを10sccm以上75sccm以下で供給することを含むことができる。具体的には、前記パターニングステップは、前記プラズマエッチング装置に前記混合ガスを15sccm以上75sccm以下、25sccm以上70sccm以下、30sccm以上70sccm以下、40sccm以上60sccm以下、または45sccm以上55sccm以下で供給することを含むことができる。

0037

前記反応性ガスの供給流量を前記範囲に調節する場合、石英基材をパターニングする場合に発生する針状構造物の形成をより抑制し、発生する針状構造物の大きさを著しく小さく抑制することができる。

0038

本発明の一実施態様によれば、前記反応性ガスは、プラズマエッチング時に使用する一般的な反応性ガスを使用することができる。例えば、SF6、CHF3、C4F8、CF4、およびCl2などのガスを用いることができる。

0039

本発明の一実施態様によれば、前記パターニングステップは、前記プラズマエッチング装置に反応性ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを供給するが、前記混合ガスの総流量中の酸素ガス流量の含有量は、1%以上20%以下であってもよい。具体的には、前記混合ガスの総流量中の酸素ガス流量の含有量は、1%以上15%以下、1%以上10%以下、または1%以上5%以下であってもよい。

0040

前記混合ガス流量中の酸素流量の含有量が前記範囲内の場合、石英基材をパターニングする場合に発生する針状構造物の形成をより抑制し、発生する針状構造物の大きさを著しく小さく抑制することができる。

0041

本発明の一実施態様によれば、前記パターニングされた石英基材のエッチング部の底面は、針状構造物の高さが50nm以下に制御されたものであってもよい。

0042

本発明の一実施態様によれば、前記パターニングされた石英基材のエッチング部の底面は、針状構造物の直径が50nm以下に制御されたものであってもよい。

0043

一般的なファラデーケージを用いたプラズマエッチング時、石英基材のエッチング部には100nm以上の高さおよび50nm以上の直径を有する針状構造物が形成されてパターニングの精度が低下することがある。これに対し、本発明の一実施態様に係るエッチング方法は、金属マスクの材質およびファラデーケージの底面材質を調節して、エッチング時に発生する針状構造物の形成を防止することができ、または発生する針状構造物の高さおよび直径を前記範囲内に抑制することができるという利点がある。

0044

前記ファラデーケージのメッシュ部は、プラズマエッチング時、プラズマとの接触面で自由電子を引き寄せてシースを形成させることができる。また、前記メッシュ部は、導電性を有することができ、これによって正電荷を有するイオンを引き寄せて加速させることができる。さらに、前記メッシュ部は、前記ファラデーケージの一面に平坦に備えられ、屈曲部がある場合、屈曲部でのエッチング速度が局部的に異なり得る。

0045

本発明の一実施態様によれば、前記メッシュ部は、0.5Ω/□以上の面抵抗を有するものであってもよい。具体的には、本発明の一実施態様によれば、前記メッシュ部の面抵抗は、0.5Ω/□以上100Ω/□以下であってもよい。

0046

前記メッシュ部の面抵抗が0.5Ω/□以上の場合、プラズマエッチング時、ファラデーケージ内の高エッチング領域と低エッチング領域とが一定に形成される。また、前記メッシュ部の面抵抗が0.5Ω/□未満の場合、プラズマエッチング時、ファラデーケージの位置ごとのエッチング速度が不規則に形成されて、精密なエッチングを行いにくい問題がある。さらに、前記メッシュ部の面抵抗は、0.5Ω/□以上であれば、ファラデーケージ内の高エッチング領域と低エッチング領域とが一定に形成され、面抵抗が100Ω/□を超える場合、効果の上昇はわずかであり、製造費用の増加のみ発生しうる。

0047

本発明の一実施態様によれば、前記メッシュ部は、金属メッシュ上にフッ化炭素ラジカル吸着されたものであってもよい。具体的には、前記フッ化炭素ラジカルは、−CF、−CF2、−CF3、または−C2Fx(x=1〜5の整数)であってもよい。具体的には、前記ファラデーケージの前記メッシュ部は、プラズマエッチング時、Fラジカルによるエッチングおよび表面重合によってフッ化炭素ラジカルがメッシュ部に吸着される。

0048

本発明の一実施態様によれば、前記メッシュ部は、金属のような導電性を有する物質上に前記フッ化炭素ラジカルが吸着されて、前記のような面抵抗を示すことができる。

0049

本発明の一実施態様によれば、前記メッシュ部は、ステンレス材質のメッシュを使用することができる。具体的には、SU304材質の#200(ピッチ125μm、ワイヤ直径50μm、開口率36%)商用メッシュを使用することができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記メッシュ部は、Al、Cu、W、Ni、Fe、およびこれらの少なくとも2種を含む合金を材料とするものであってもよい。さらに、前記メッシュの孔隙率および格子の大きさは、エッチングの用途に応じて自由に調節可能である。

0050

本発明の一実施態様によれば、前記ファラデーケージの底面にサンプル基材を設け、平面プラズマエッチングを行って、前記ファラデーケージ内の高エッチング領域を確認するステップと、傾斜面を有する支持台を用意し、前記傾斜面の下部領域を前記ファラデーケージの高エッチング領域に位置させる支持台整列ステップとをさらに含み、前記石英基材を前記ファラデーケージ内に設けるステップは、前記支持台の傾斜面上に前記石英基材を設けるものであってもよい。

0051

前記ファラデーケージ内の高エッチング領域を確認するステップは、前記ファラデーケージの底面にサンプル基材を設けた後、プラズマエッチングを用いた平面エッチングを行った後、エッチングされたサンプル基材を検査して、ファラデーケージ内の高エッチング領域と低エッチング領域の分布を確認するものであってもよい。

0052

前述のように、本発明に係るファラデーケージは、0.5Ω/□以上の面抵抗を有するメッシュ部を設けることにより、ファラデーケージ内の高エッチング領域と低エッチング領域とが一定に形成され、前記ファラデーケージ内の高エッチング領域を確認するステップにより、一定に形成される高エッチング領域を確認することができる。

0053

本発明の一実施態様によれば、前記高エッチング領域は、前記サンプル基材上に線状に示されるものであってもよい。前記高エッチング領域は、ファラデーケージの下部面に対して幅の狭い直線または曲線領域で示されるものであってもよい。

0054

したがって、本発明の一実施態様によれば、前記高エッチング領域がファラデーケージの下部面に対して線状に示されるので、前記モールド用基材を高エッチング領域に配置することが容易であり得る。これによって、前記モールド用基材上に深さ勾配を有する傾斜パターン部をより精密に形成することができる。

0055

本発明の一実施態様によれば、前記ファラデーケージ内の高エッチング領域を確認するステップの後、前記サンプル基材を前記ファラデーケージから除去することができる。

0056

前記サンプル用基材は、プラズマエッチング時、領域ごとのエッチング速度を確認できるものであれば制限なく適用可能である。

0057

本発明の一実施態様によれば、前記支持台の傾斜面の下部領域を前記高エッチング領域に位置させる場合、下記のパターニングステップにおけるエッチング率は、前記傾斜面の上部領域から下部領域へ減少後に反転して増加する傾向性を示す。具体的には、前記ファラデーケージのメッシュ面の近くに位置する支持台の傾斜面の上部領域は高いエッチング率を示し、下部領域へいくほどエッチング率は次第に低くなる。さらに、前記支持台の下部領域は高エッチング領域に位置するので、エッチング率は反転して次第に増加する傾向性を有する。

0058

本発明の一実施態様によれば、前記石英基材は、前記支持台の傾斜面上に備えられ、前述したエッチング率の傾向性を利用したエッチングの対象になり得る。

0059

本発明の一実施態様によれば、前記パターニングステップは、前記石英基材の一側に第1傾斜パターン部および前記石英基材の他側に第2傾斜パターン部を同時に形成するものであり、前記第1傾斜パターン部は、深さ勾配を有する傾斜溝パターンを含み、前記第2傾斜パターン部は、0nm〜50nmの深さ偏差を有する傾斜溝パターンを含むものであってもよい。

0060

前記第1傾斜パターン部は、前記傾斜面の上部側に備えられた前記モールド用基材の一面上に設けられ、前記第2傾斜パターン部は、前記傾斜面の下部側に備えられた前記モールド用基材の一面上に設けられたものであってもよい。また、前記第1傾斜パターン部は、前記傾斜面の下部側に備えられた前記モールド用基材の一面上に設けられ、前記第2傾斜パターン部は、前記傾斜面の上部側に備えられた前記モールド用基材の一面上に設けられたものであってもよい。

0061

本発明の一実施態様によれば、前記プラズマエッチングは、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置(ICP−RIE)を用いることができる。具体的には、前記パターニングステップは、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置の内部に前記ファラデーケージを設けて行われるものであってもよい。また、前記プラズマエッチングは、ヘリコンプラズマ方式、ヘリカル共振プラズマ方式電子共鳴プラズマ方式も適用可能である。

0062

本発明の一実施態様によれば、前記パターニングステップにおけるエッチング率は、前記傾斜面の上部領域から下部領域へ減少後に反転して増加することができる。

0063

本発明の一実施態様によれば、前記パターニングステップにおけるエッチング方向は、前記ファラデーケージの下面に垂直な方向であってもよい。前記パターニングステップにおけるエッチング方向は、前記ファラデーケージの下面に垂直方向であるので、前記傾斜面を有する支持台を用いて第1傾斜パターン部および第2傾斜パターン部を形成することができる。

0064

本発明の一実施態様によれば、前記支持台の傾斜角は、0゜以上60゜以下、または35゜以上45゜以下であってもよい。前記支持台の傾斜角を調節することにより、前記第1傾斜パターン部および前記第2傾斜パターン部の傾斜角を調節することができる。

0065

前記支持台の傾斜角を前記範囲に調節することにより、前記第1傾斜パターン部および前記第2傾斜パターン部のパターンの平均傾斜角を0゜〜55゜、または30゜〜40゜に調節することができる。例えば、前記支持台の傾斜角を35゜に調節する場合、前記第1傾斜パターン部および前記第2傾斜パターン部のパターンの最小傾斜角は27゜、最大傾斜角は36゜、平均傾斜角は33゜に調節可能である。また、前記支持台の傾斜角を40゜に調節する場合、前記第1傾斜パターン部および前記第2傾斜パターン部のパターンの最小傾斜角は32゜、最大傾斜角は40゜、平均傾斜角は36゜に調節可能である。

0066

本発明は、ファラデーケージのメッシュ部の面抵抗を調節して、前記ファラデーケージ内のプラズマエッチング速度の傾向性を調節することができ、前記傾斜面を有する支持台の位置を調節して、前記第1傾斜パターン部と第2傾斜パターン部とを1回の工程により製造することができる。

0067

本発明の一実施態様によれば、前記金属マスクは、前記第1傾斜パターン部および前記第2傾斜パターン部を形成するためのものであってもよいし、前記マスクの開口パターン部は、前記第1傾斜パターン部と前記第2傾斜パターン部に対応する領域であり得る。

0068

本発明の一実施態様によれば、前記第1傾斜パターン部は、深さ勾配を有する傾斜溝パターンを含むことができる。具体的には、本発明の一実施態様によれば、前記第1傾斜パターン部は、前記エッチング率が反転して増加する前の領域、または前記エッチング率が反転した後に増加する領域で形成されるものであってもよい。

0069

本発明の一実施態様によれば、前記第1傾斜パターン部は、溝パターンの深さが漸進的に増加または減少する領域を含むことができる。具体的には、前記第1傾斜パターン部が前記支持台の傾斜面の上部側で形成される場合、前記石英基材の中心領域へいくほど溝パターンの深さが漸進的に減少することができる。また、前記第1傾斜パターン部が前記支持台の傾斜面の下部側で形成される場合、前記石英基材の中心領域へいくほど溝パターンの深さが漸進的に減少することができる。

0070

本発明の一実施態様によれば、前記第1傾斜パターン部の傾斜溝パターンの最小深さと最大深さとの差は、100nm以上200nm以下であってもよい。

0071

本発明の一実施態様によれば、前記第2傾斜パターン部は、0nm〜50nmの深さ偏差を有する傾斜溝パターンを含むことができる。具体的には、前記第2傾斜パターン部は、相対的に狭い領域に形成されて、溝パターンの深さが一定であり得る。

0072

本発明の一実施態様によれば、前記第2傾斜パターン部の傾斜溝パターンの深さは、前記第1傾斜パターン部の傾斜溝パターンの最大深さの70%〜130%であってもよい。具体的には、本発明の一実施態様によれば、前記第2傾斜パターン部の傾斜溝パターンの深さは、前記第1傾斜パターン部の傾斜溝パターンの最大深さの80%〜120%であってもよい。

0073

本発明の一実施態様によれば、前記傾斜面の最上部のエッチング速度と前記傾斜面の最下部のエッチング速度との差は、30%以内であってもよい。具体的には、本発明の一実施態様によれば、前記傾斜面の最上部のエッチング速度と前記傾斜面の最下部のエッチング速度との差は、20%以内であってもよい。

0074

具体的には、前記パターニングステップにおけるエッチング速度は、前記支持台の傾斜面の上部および下部に高いエッチング速度を示すので、前記第2傾斜パターン部の傾斜溝パターンの深さと前記第1傾斜パターン部の傾斜溝パターンの最大深さとを類似にすることができる。

0075

図1は、本発明の一実施態様に係るエッチング方法を模式化したものである。具体的には、図1は、ファラデーケージ内に傾斜面を有する支持台を設けた後、傾斜面上に石英基材を設け、プラズマエッチングを用いて基材上にパターニングすることを示すものである。図1に示すように、支持台の傾斜面の上部と下部は、高いエッチング速度を有しており、傾斜面の中間部は、相対的に低いエッチング速度を有している。

0076

本発明の一実施態様によれば、前記第2傾斜パターン部は、回折格子導光板から光が入射する領域に対応する領域であり得る。また、前記第1傾斜パターン部は、回折格子導光板から光が抽出される領域に対応するものであってもよい。

0077

図2は、本発明の一実施態様に係る製造方法により製造されたパターニングされた石英基材を用いて製造された回折格子導光板の一例を示すものである。具体的には、図2は、前記パターニングされた石英基材を用いて製造された回折格子導光板を示すものであって、回折格子導光板の第1傾斜溝部パターンに対応する領域に光が入射した後、第2傾斜溝部パターンに対応する領域で光が抽出されて使用者にディスプレイ情報が提供されることを示すものである。前記第2傾斜溝部パターンに対応する領域は、傾斜パターン構造物が高さ勾配を有しているので、位置に応じて一定の光が抽出される。

0078

本発明の一実施態様によれば、パターニングされた前記石英基材は、回折格子導光板用モールド基材であってもよい。具体的には、前記パターニングステップは、前記石英基材に回折格子パターンを形成するものであってもよい。より具体的には、前記回折格子パターンは、前述した第1傾斜パターン部および第2傾斜パターン部であってもよい。

0079

本発明の一実施態様は、前記ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法を用いて回折格子パターンが形成された石英基材を用意するステップと、前記回折格子パターンが形成された石英基材上に樹脂組成物を塗布するステップと、前記回折格子パターンが形成される面の反対面上に透明基材を設けるステップと、前記樹脂組成物を硬化して回折格子パターンを形成するステップと、前記石英基材と前記回折パターンとを分離して回折格子導光板を形成するステップとを含む回折格子導光板の製造方法を提供する。

0080

前記樹脂組成物は、当業界で一般的に用いられる樹脂組成物であれば制限なく使用することができる。さらに、前記樹脂組成物を塗布するステップは、スピンコーティングディップコーティングドロップキャスティングなど当業界で一般的に用いられるコーティング方法を用いて行われる。

0081

前記回折格子導光板の製造方法は、前述したファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法でパターニングされた石英基材を用いることを除けば、一般的なパターン層を形成する方法が適用可能である。

0082

前記回折格子導光板は、直接回折格子導光板として使用できる。また、前記回折格子導光板を中間モールドとして用いて、これを複製する方法で最終生産品を製造することもできる。具体的には、前記製造された回折格子導光板を中間モールドとして回折格子導光板用モールドを製造した後、回折格子導光板を製造する場合、中間モールドとして用いられた回折格子導光板の格子パターンの傾きが反転したものを得ることができる。さらに、格子パターンの傾きが反転した回折格子導光板を中間モールドとしても用いて回折格子導光板用モールドを製造した後、回折格子導光板を製造する場合、最初の回折格子導光板と同じ方向の格子パターンを実現することができる。

0083

[実施例]
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は種々の異なる形態に変形可能であり、本発明の範囲が以下に述べる実施例に限定されると解釈されない。本明細書の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

0084

[参考例1]
メッシュ部の面抵抗が0.5605Ω/□であり、底面がステンレス(SUS304)プレートであるファラデーケージを用意した。そして、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置(ICP−RIE)(Oxford社のplasmaLab system100)内に前記ファラデーケージを設けた後、平面エッチングを行って、ファラデーケージ内の高エッチング領域を確認した。

0085

[参考例2]
メッシュ部の面抵抗が0.23Ω/□であり、底面がステンレス(SUS304)プレートであるファラデーケージを用意した。そして、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置(ICP−RIE)(Oxford社のplasmaLab system100)内に前記ファラデーケージを設けた後、平面エッチングを行って、ファラデーケージ内の高エッチング領域を確認した。

0086

図3は、前記参考例1および参考例2によるファラデーケージの高エッチング領域を確認するステップのための模式図を示すものである。

0087

さらに、参考例1および参考例2によるファラデーケージのメッシュ部の面抵抗測定時の条件および面抵抗結果は、下記表1の通りであった。

0088

0089

図4は、参考例1および参考例2によるファラデーケージの高エッチング領域を示すものである。具体的には、図4は、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置(ICP−RIE)内に参考例1および参考例2によるファラデーケージをそれぞれ設けた後、平面エッチングを行って、ファラデーケージ内の高エッチング領域を示すものである。図4にて明るい領域は高エッチング領域を意味する。低い面抵抗値を有するメッシュ部を備えた参考例2によるファラデーケージの場合、高エッチング領域が非常に不規則的であり、広い領域に分布していることを確認することができる。これに対し、0.5Ω/□以上の面抵抗値を有するメッシュ部を備えた参考例1によるファラデーケージの場合、幅の狭い線状の高エッチング領域が現れることを確認することができる。

0090

[実施例1]
厚さ2mmのガラス基材上にAlを蒸着してAl層を形成した。さらに、Al層上にフォトレジストをスピンコーティングした後、405nmのピッチを有するフォトマスクを用いてUV硬化でフォトレジストを現像した後、Al層を選択的にエッチングして、ガラス基材上にAl金属マスクを形成した。

0091

前記参考例1による前記ファラデーケージ内に40゜の傾斜を有するAl材質の支持台を設けた後、前記Al金属マスクが備えられたガラス基材を前記支持台上に設けた。

0092

そして、ICP−RIE(Oxford社のplasmaLab system100)を用いてプラズマエッチングを行い、反応性ガスとして、O2およびC4F8を5:45の比率で混合して50sccmの流速で供給した。また、エッチング条件として、ICP power2kW、作動圧力7〜10mTorrとして3分間エッチングした。

0093

[実施例2]
ファラデーケージの底面を、SUS304プレートではないCuプレートを適用したことを除き、実施例1と同様の方法でガラス基材をエッチングした。

0094

[比較例1]
ファラデーケージの底面を、SUS304ではないAlプレートを適用したことを除き、実施例1と同様の方法でガラス基材をエッチングした。

0095

[比較例2]
ファラデーケージの底面を、SUS304ではないガラス(SiO2)を適用したことを除き、実施例1と同様の方法でガラス基材をエッチングした。

0096

図5は、実施例1〜2、および比較例1〜2による傾斜エッチング時の位置ごとの垂直方向のエッチング深さを示すものである。図5横軸は、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から他の側までの距離を意味し、縦軸は、位置ごとにエッチングされた垂直深さを示すものである。図5にて、実施例1〜2、および比較例1〜2それぞれのデータにおいて円形で表示されたものは、針状構造物が発見される区間を表示したものである。また、図5にて、各グラフの円で表示されたものは、針状構造物が形成される区間を意味するものであって、例えば、比較例1および2の場合、エッチング領域である約5mm〜約55mmの区間領域ですべて針状構造物が発生したことを意味する。

0097

図6Aおよび図6Bは、実施例1によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。具体的には、図6Aは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約55mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージであり、図6Bは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約40mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージである。図6Aおよび図6Bにおける符号は、図5における位置による符号と同じ位置を示すものである。

0098

図7A〜図7Dは、実施例2によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。具体的には、図7Aは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約5mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージであり、図7Bは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約20mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージであり、図7Cは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約25mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージであり、図7Dは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約55mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージである。図7A〜図7Dにおける符号は、図5における位置による符号と同じ位置を示すものである。

0099

図8A〜図8Cは、比較例1によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。具体的には、図8Aは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約10mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージであり、図8Bは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約40mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージであり、図8Cは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約45mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージである。図8A〜図8Cにおける符号は、図5における位置による符号と同じ位置を示すものである。

0100

図9Aおよび図9Bは、比較例2によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。具体的には、図9Aは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約15mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージであり、図9Bは、メッシュ面に近く位置するガラス基材の一側から約45mmの距離におけるエッチング部を撮影したイメージである。図9Aおよび図9Bにおける符号は、図5における位置による符号と同じ位置を示すものである。

0101

さらに、図10は、図5によるデータを、針状構造物が発生するエッチング速度(etch rate)および針状構造物が発生する区間に切り替えたグラフを示すものである。具体的には、図10の横軸は、図5のエッチングされた垂直深さにエッチング時間の3分を割って換算されたエッチング速度を意味し、縦軸は、ガラス基材内に針状構造物が発生した区間を示すものである。

0102

前記図5図10を参照すれば、比較例1および2に比べて、実施例1および2による傾斜エッチング時に針状構造物が出現するエッチング速度の範囲が大きく狭くなり、針状構造物が発生する区間を大きく低減可能であることを確認することができる。

0103

[比較例3]
支持台の材質をテフロン登録商標高分子に変更したことを除けば、実施例1と同様の方法でガラス基材をエッチングした。

0104

[実施例3]
支持台の材質をCuに変更したことを除けば、実施例1と同様の方法でガラス基材をエッチングした。

0105

[実施例4]
支持台の材質をCuに変更し、ファラデーケージの底面をCuプレートで適用したことを除き、実施例1と同様の方法でガラス基材をエッチングした。

0106

図11は、実施例1、実施例3〜4および、比較例3による傾斜エッチング時の位置ごとの垂直方向のエッチング深さを、針状構造物が発生するエッチング速度(etch rate)および針状構造物が発生する区間に切り替えたグラフを示すものである。具体的には、図11の横軸は、領域ごとにエッチングされた垂直深さにエッチング時間の3分を割って換算されたエッチング速度を意味し、縦軸は、ガラス基材内に針状構造物が発生した区間を示すものである。

0107

図12A〜図12Cは、比較例3によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。具体的には、図12Aは、エッチング速度が約45nm/minでのエッチング部を撮影したイメージであり、図12Bは、エッチング速度が約60nm/minでのエッチング部を撮影したイメージであり、図12Cは、エッチング速度が約80nm/minでのエッチング部を撮影したイメージである。図12A〜図12Cにおける符号は、図11におけるエッチング速度による符号と同じ位置を示すものである。

0108

図13Aおよび図13Bは、実施例3によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。具体的には、図13Aは、エッチング速度が約60nm/minでのエッチング部を撮影したイメージであり、図13Bは、エッチング速度が約100nm/minでのエッチング部を撮影したイメージである。図13Aおよび図13Bにおける符号は、図11におけるエッチング速度による符号と同じ位置を示すものである。

0109

図14A〜図14Dは、実施例4によりエッチングされたガラス基材のエッチング部を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したイメージである。具体的には、図14Aは、エッチング速度が約30nm/minでのエッチング部を撮影したイメージであり、図14Bは、エッチング速度が約60nm/minでのエッチング部を撮影したイメージであり、図14Cは、エッチング速度が約70nm/minでのエッチング部を撮影したイメージであり、図14Dは、エッチング速度が約110nm/minでのエッチング部を撮影したイメージである。図14A〜図14Dにおける符号は、図11におけるエッチング速度による符号と同じ位置を示すものである。

0110

具体的には、図11〜図14によれば、支持台の材質が金属ではない高分子である比較例3の場合、針状構造物の発生する区間が広く分布し、針状構造物が出現するエッチング速度の範囲も広く分布することが分かる。これに対し、金属マスクと同一またはそれ以上の標準還元電位を有する金属材質の支持台を用いる場合、比較例に比べて針状構造物が発生する区間およびエッチング速度の範囲が著しく減少したことを確認することができる。特に、実施例4のように、支持台およびファラデーケージの底面を金属マスク材質の標準還元電位より高いCu材質で適用する場合、はるかに針状構造物の出現を抑制することができた。

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