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技術 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置

出願人 東京エレクトロン株式会社
発明者 畠山真一飯野洋行
出願日 2019年4月16日 (1年10ヶ月経過) 出願番号 2019-077944
公開日 2020年10月29日 (3ヶ月経過) 公開番号 2020-177982
状態 未査定
技術分野 流動性材料の適用方法、塗布方法 半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)
主要キーワード 傾斜体 凹部型 表面周辺 供給過程 界面位置 界面制御 外側下方 排液路
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (9)

課題

基板塗布膜を形成するにあたり、当該基板の側端面における前記塗布膜の形成を適切に行う。

解決手段

基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記基板を回転させながら、前記基板の全面に前記塗布膜を形成するための塗布液を塗布し、前記基板の側端面まで前記塗布液を回り込ませる第1の工程と、前記第1の工程の後、前記塗布液の塗布によって形成された塗布膜を溶解させない第1の液体を、前記基板の上面側から少なくとも前記側端面に供給する第2の工程と、前記第2の工程の後、さらに前記第1の液体を供給しながら、前記基板の下面側から、前記塗布膜を溶解させる第2の液体を、前記側端面における所望の位置まで供給する第3の工程と、前記第3の工程の後、前記第1の液体の供給と前記第2の液体の供給を停止する第4の工程と、を有する。

概要

背景

特許文献1には、基板被着された被膜のうち、基板の端縁部の被膜を除去する被膜除去方法において、前記端縁部に赤外線照射して前記端縁部の被膜を予め加熱する加熱過程と、被膜を溶解除去する溶解液を、前記加熱過程で加熱された被膜に供給する溶解液供給過程と、を備えた被膜除去方法が開示されている。

概要

基板に塗布膜を形成するにあたり、当該基板の側端面における前記塗布膜の形成を適切に行う。基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記基板を回転させながら、前記基板の全面に前記塗布膜を形成するための塗布液を塗布し、前記基板の側端面まで前記塗布液を回り込ませる第1の工程と、前記第1の工程の後、前記塗布液の塗布によって形成された塗布膜を溶解させない第1の液体を、前記基板の上面側から少なくとも前記側端面に供給する第2の工程と、前記第2の工程の後、さらに前記第1の液体を供給しながら、前記基板の下面側から、前記塗布膜を溶解させる第2の液体を、前記側端面における所望の位置まで供給する第3の工程と、前記第3の工程の後、前記第1の液体の供給と前記第2の液体の供給を停止する第4の工程と、を有する。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記基板を回転させながら、前記基板の全面に前記塗布膜を形成するための塗布液を塗布し、前記基板の側端面まで前記塗布液を回り込ませる第1の工程と、前記第1の工程の後、前記塗布液の塗布によって形成された塗布膜を溶解させない第1の液体を、前記基板の上面側から少なくとも前記側端面に供給する第2の工程と、前記第2の工程の後、さらに前記第1の液体を供給しながら、前記基板の下面側から、前記塗布膜を溶解させる第2の液体を、前記側端面における所望の位置まで供給する第3の工程と、前記第3の工程の後、前記第1の液体の供給と前記第2の液体の供給を停止する第4の工程と、を有する塗布膜形成方法。

請求項2

前記第1の工程と前記第2の工程との間に、前記基板を加熱する加熱工程を有する、請求項1に記載の塗布膜形成方法。

請求項3

前記第3の工程において、前記第1の液体と前記第2の液体の各単位時間当たりの供給量の少なくとも一方を調整して、前記側端面における前記第1の液体と前記第2の液体と界面位置を制御する、請求項1または2のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。

請求項4

前記第3の工程において、前記基板の回転速度を調整して、前記側端面における前記第1の液体と前記第2の液体との界面位置を制御する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。

請求項5

前記第4の工程において、前記第2の液体の供給を停止した後に、前記第1の液体の供給を停止する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。

請求項6

前記第1の液体は、前記基板の表面側中心部から前記基板に供給し、前記第2の液体は、前記基板の裏面側の少なくとも一か所から供給する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。

請求項7

前記第1の液体は、前記基板の表面周辺部の少なくとも1か所から供給し、前記第2の液体は、前記第1の液体の供給位置と対向する位置から供給する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。

請求項8

前記第1の液体の表面張力は、前記第2の液体の表面張力よりも大きい、請求項1〜7のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。

請求項9

基板上に塗布膜を形成する塗布膜形装置であって、前記基板を保持して回転させる回転駆動部と、前記基板の全面に前記塗布膜を形成するための塗布液を塗布する塗布ノズルと、前記塗布液の塗布によって形成された塗布膜を溶解させない第1の液体を、少なくとも前記基板の側端面に供給する第1のノズルと、前記基板の下面側から、前記塗布膜を溶解させる第2の液体を、前記側端面における所望の位置まで供給する第2のノズルと、を有する塗布膜形成装置

技術分野

0001

本開示は、塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置に関する。

背景技術

0002

特許文献1には、基板被着された被膜のうち、基板の端縁部の被膜を除去する被膜除去方法において、前記端縁部に赤外線照射して前記端縁部の被膜を予め加熱する加熱過程と、被膜を溶解除去する溶解液を、前記加熱過程で加熱された被膜に供給する溶解液供給過程と、を備えた被膜除去方法が開示されている。

先行技術

0003

特開2008−205286号公報

発明が解決しようとする課題

0004

本開示にかかる技術は、基板に塗布膜を形成するにあたり、当該基板の側端面における前記塗布膜の塗布を適切に行う。

課題を解決するための手段

0005

本開示の一態様は、基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記基板を回転させながら、前記基板の全面に前記塗布膜を形成するための塗布液を塗布し、前記基板の側端面まで前記塗布液を回り込ませる第1の工程と、前記第1の工程の後、前記塗布液の塗布によって形成された塗布膜を溶解させない第1の液体を、前記基板の上面側から少なくとも前記側端面に供給する第2の工程と、前記第2の工程の後、さらに前記第1の液体を供給しながら、前記基板の下面側から、前記塗布膜を溶解させる第2の液体を、前記側端面における所望の位置まで供給する第3の工程と、前記第3の工程の後、前記第1の液体の供給と前記第2の液体の供給を停止する第4の工程と、を有している。

発明の効果

0006

本開示にかかる技術によれば、基板に塗布膜を形成するにあたり、当該基板の側端面における前記塗布膜の形成を適切に行うことができる。

図面の簡単な説明

0007

実施形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を側面から模式的に示した説明図である。
図1のレジスト塗布装置の構成の概略を平面から模式的に示した説明図である。
図1のレジスト塗布装置における第1のノズルと第2のノズルから液体を供給している様子を示す側面の説明図である。
実施形態にかかるレジスト塗布方法における各処理の工程におけるウェハベベル部の様子を示す説明図であり、(a)はレジスト塗布前の様子、(b)はレジスト塗布後の様子、(c)は第1の液体を供給している様子、(d)は第1の液体と第2の液体を供給している様子、(e)は第2の液体の供給を停止した様子、(f)は処理後のレジスト膜の様子を各々示している。
実施形態にかかるレジスト塗布方法における各処理の工程におけるウェハの回転速度と処理時間を示す表である。
ウェハの下面側の1か所から第2の液体を供給している様子を示す側面の説明図である。
ウェハの上面周縁部上方の1か所から第1の液体を供給し、ウェハの下面側の対向位置から第2の液体を供給している様子を示す側面の説明図である。
レジスト塗布時に、下面側から第2の液体を供給している様子を示すウェハのベベル部の様子を示す説明図である。

実施例

0008

半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、たとえば基板としての半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)等の被処理体上に、反射防止膜やレジスト膜などの塗布膜を形成することが行なわれている。かかる場合、例えばレジスト膜を形成するにあたり、基板の中心部上方からレジスト液をウェハに供給し、当該ウェハを回転させて、ウェハ上のレジスト液をウェハ全面拡散させる、スピンコート法が多く採用されている。

0009

このスピンコート法では、ウェハ上のレジスト液は、ウェハの側端面にまで回り込む。そのためレジスト液塗布後には、ウェハの側端面にまで回り込んだレジスト液を除去するため、レジスト液を溶解する、例えばシンナーをウェハの裏面側から供給したり、エッジリムーバーと呼ばれる装置によって、ウェハの側端面のレジスト液を除去するようにしていた。

0010

しかしながら、これらの方法ではウェハの側端面のレジスト膜が全て除去されてしまうため、その後のエッチング処理の際に露出したウェハの側端面がそのままエッチングされてしまい、その後パーティクルが発生したり、ウェハ自体にダメージを与えるおそれがあった。一方でこれらウェハの側端面のレジスト液の除去処理を行なわないと、当該側端面の被膜状況が不安定となり、依然として問題が残る。

0011

これを解決するため、基板上に良好な端面形状を有する被膜を残すための手法として、特許文献1は、基板に被着された被膜のうち、基板の端縁部の被膜を除去する被膜除去方法において、前記端縁部に赤外線を照射して前記端縁部の被膜を予め加熱する加熱過程と、被膜を溶解除去する溶解液を、前記加熱過程で加熱された被膜に供給する溶解液供給過程とを開示している。

0012

しかしながら、特許文献1に記載の技術では、ウェハなどの基板の側端面という微小な領域における塗布膜の界面制御、すなわち側端面のどの位置まで塗布膜を形成するかについては、事実上その制御が困難であった。

0013

本開示にかかる技術は、基板に塗布膜を形成するにあたり、当該基板の側端面における前記塗布膜の形成を適切に行う。

0014

以下、本実施形態にかかる塗布膜形成装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

0015

<塗布膜形成装置>
図1は、本実施形態にかかる塗布膜形成装置としてのレジスト塗布装置1の構成の概略を側面から模式的に示した説明図であり、図2は同じく平面から模式的に示した説明図である。

0016

図1図2に示すように、レジスト塗布装置1は、処理容器2内に、ウェハWの裏面中央部を真空吸着することにより、当該ウェハWを水平に保持する基板保持部であるスピンチャック11を備えている。このスピンチャック11は、軸部12を介して回転駆動機構13に接続されており、当該回転駆動機構13により鉛直軸回りに回転する。

0017

スピンチャック11の下側には、隙間を介して軸部12を取り囲むように円形板14が設けられている。円形板14には、周方向に3か所の貫通孔15形成され、各貫通孔15には各々昇降ピン16が挿通自在である。これら昇降ピン16は、昇降板17に支持されている。昇降板17は、昇降機構18によって昇降自在である。かかる昇降機構18の昇降により、昇降ピン16は吸着保持解除されたウェハWを、スピンチャック11上から持ち上げたり、搬送装置(図示せず)から受け取ったウェハWをスピンチャック11に載置することが可能である。

0018

レジスト塗布装置1の処理容器2内には、スピンチャック11を取り囲むようにカップ体20が設けられている。カップ体20は、回転するウェハWから飛散したり、こぼれ落ち排液を受け止め、当該排液をレジスト塗布装置1外に排出するように構成されている。

0019

詳述すると、カップ体20は、前記した円形板14の周囲に断面形状が山型リング状に設けられた山型ガイド部21を備え、山型ガイド部21の外周端から下方に伸びるように環状の垂直壁22が設けられている。山型ガイド部21は、ウェハWよりこぼれ落ちた液を、ウェハWの外側下方へとガイドする。

0020

山型ガイド部21の外側には、山型ガイド部21を取り囲むように垂直な筒状部23と、この筒状部23の上縁から内側上方へ向けて斜めに伸びる上側ガイド部24とが設けられている。上側ガイド部24には、周方向に複数の開口部25が設けられている。また前記した筒状部23の上端部は、スピンチャック11の上方まで延出し、その端部内縁には、内側上方へ伸びた傾斜体23aが設けられている。

0021

筒状部23の下方側は、山型ガイド部21及び筒状部23の下方に断面が凹部型となるリング状の液受け部26が形成されている。この液受け部26においては、外周側に排液路27が接続されている。また液受け部26における排液路27よりも内周側には、2本の排気管28が設けられている。

0022

また図2に示したように、カップ体20のX方向負方向(図2の下方向)側には、Y方向(図2の左右方向)に沿って延伸するレール30が形成されている。レール30は、例えばカップ体20のY方向負方向(図2の左方向)側の外方からY方向正方向(図2の右方向)側の外方まで形成されている。レール30には、第1のアーム31、第2のアーム32がレール30に沿って移動自在に設けられている。

0023

第1のアーム31には、塗布液としてレジスト液を供給する、塗布ノズルとしてのレジスト液供給ノズル33が支持されている。第1のアーム31は、ノズル駆動部34により、レール30上を移動自在である。これにより、レジスト液供給ノズル33は、カップ体20のY方向正方向側の外方に設置された待機部35からカップ体20内のウェハWの中心部上方を通って、カップ体20のY方向負方向側の外側に設けられた待機部36まで移動できる。また、ノズル駆動部34によって、第1のアーム31は昇降自在であり、レジスト液供給ノズル33の高さを調節できる。

0024

第2のアーム32には、レジスト液、レジスト膜を溶解させない第1の液体を供給する第1のノズル37が支持されている。第2のアーム32は、ノズル駆動部38によってレール30上を移動自在となっている。これにより、第1のノズル37は、カップ体20のY方向正方向側の外側に設けられた待機部39から、カップ体20内のウェハWの中心部上方まで移動できる。またノズル駆動部38によって、第2のアーム32は昇降自在であり、第1のノズル37の高さを調節できる。

0025

そして、再び図1に戻って説明すると、山型ガイド部21の内周側には、レジスト液、レジスト膜を溶解させる第2の液体を供給する第2のノズル41、42が配置されている。これら第2のノズル41、42からの第2の液体Bの供給方向吐出方向)は、図3にも示したように、ウェハWの周辺部の下面側から外側に名斜めに向けられている。一方で第1の液体Aは。第1のノズル37から、ウェハWの中心部上方に供給される。したがって、第1のノズル37から供給される第1の液体Aは、ウェハWの回転によって拡散してウェハWの上面側から側端面にまで回り込むことが可能であり、一方で第2のノズル41、42から供給される第2の液体Bは、ウェハWの下面側から側端面にまで回り込むことが可能である。

0026

そしてウェハWを回転させながら、第1のノズル37からの第1の液体Aと、第2のノズル41、42からの第2の液体Bとを同時に供給(吐出)させることで、図3に示したように、ウェハWの側端面において、第1の液体Aと第2の液体Bとを衝突させることが可能である。そしてウェハWの回転速度、第1の液体Aと第2の液体Bの単位時間当たりの供給量供給流量)を調節することで、第1の液体Aと第2の液体Bとの衝突位置、すなわち第1の液体Aと第2の液体Bとの界面位置を、上下方向に制御させることが可能である。

0027

以上のレジスト塗布装置1には、図1に示すように制御部100が設けられている。制御部100は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、レジスト塗布装置1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。これによっても例えばスピンチャック11の回転速度、第1のノズル37から供給する第1の液体Aの供給流量、第2のノズル41、42から供給する第2の液体Bの供給流量等を制御することが可能である。なお上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体(図示せず)に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部100にインストールされたものであってもよい。

0028

<塗布膜形成方法>
次に前記したレジスト塗布装置1を用いた塗布膜形成方法としてのレジスト塗布方法について説明する。図4(a)は、レジスト塗布前のウェハWのベベル部50を示しており、ベベル部50は、上下の傾斜部51、52、及び傾斜部51、52の間の側端面53とからなっている。

0029

かかるベベル部50を有するウェハWに対して、まずレジスト液供給ノズル33からレジスト液をウェハWの中心部上方からレジスト液を供給し、ウェハWを回転させて当該レジスト液をウェハW全面上に拡散させる。この例では、レジスト液として、ArF−iレジスト用のレジスト液を用いている。かかるスピンコート法でレジスト液を塗布するにあたり、その供給量、回転速度は、図4(b)に示したように、レジスト液によるレジスト膜Rが、ベベル部50の上下の傾斜部51、52、側端面53を覆う程度に設定する(本開示の第1の工程)。

0030

そして第1のノズル37から第1の液体AをウェハWの中心部上方から供給し、ウェハWを回転させて当該第1の液体AをウェハW全面上に拡散させる。この例で用いた第1の液体Aは、前記ArF−iレジスト用のレジストを溶解させない液体、たとえばMIBC(メチルイソブチルカルビノール)が使用されている。このとき、その供給流量、ウェハWの回転速度は、図4(c)に示したように、第1の液体Aが、ベベル部50の上側の傾斜部51及び側端面53を覆う程度に設定する。

0031

この場合のウェハWの回転速度は1000rpmであり、1秒間回転させながら、スピンコート法によって、ウェハWの上面に第1の液体Aを拡散させることで、ベベル部50の上側の傾斜部51を経て側端面53まで第1の液体Aが回り込む(本開示の第2の工程、図5の処理a)。なお図示の都合上、図4(c)においては、第1のノズル37をベベル部50寄りに位置した様子を示しているが、実際には第1のノズル37はウェハWの中心部上方に位置している(以下、図4(d)、図4(e)も同じ)。

0032

次いで、第1のノズル37から第1の液体AをウェハWの中心部上方から供給している状態で、第2のノズル41、42から、第2の液体BをウェハWの裏面外側方向に向けて供給する。この例で用いた第2の液体Bは、レジスト膜Rを溶解させるシクロヘキサノンである。そうすると、下方から供給された第2の液体Bによって第1の液体Aは押し上げられ、第1の液体Aと第2の液体BとがウェハWの側端面53において衝突し、図4(d)に示したように、第1の液体Aと第2の液体Bとの界面Kが発生する。これはウェハWの回転速度、第1の液体Aと第2の液体Bの供給流量を調節することで実現でき、かつこれらを調節することで、ウェハWの側端面53における所望の位置に出現させることができる(本開示の第3の工程)。この例では、ウェハWの回転速度は1000rpmであり、また10秒間実施した(図5の処理b)。

0033

図4(d)に示した状態においては、ベベル部50における界面K以下の領域では、レジスト膜Rは、これを溶解する第2の液体Bに曝され溶解する。一方で界面Kから上の領域は、レジスト膜Rの表面は、レジスト膜Rを溶解させない第1の液体Aで覆われているので、レジスト膜Rは溶解しない。

0034

その後、図4(e)に示したように、第2の液体Bの供給を停止する。このとき、第1の液体Aは供給し続けている(本開示の第4の工程)。かかる場合、第1の液体Aは、ウェハWの側端面53まで回り込むように供給し続けている。この例では、ウェハWの回転速度は1000rpmであり、また1秒間実施した(図5の処理c)。これによって、第1の液体Aは、ベベル部50に付着している第2の液体Bを洗い流す。

0035

その後、図4(f)に示したように、第1の液体Aの供給も停止する(本開示の第5の工程)。そしてウェハWを所定速度で所定時間回転させる。この例では、2000rpmで10秒間行った(図5の処理d)。これによって、ウェハW上の第1の液体Aが振り切られ、乾燥処理に付される。

0036

このようにしてレジスト膜Rの形成処理が終了する。以上のプロセスによって形成されたレジスト膜Rは、既述したように、界面Kから上の領域のレジスト膜Rは溶解しないので、界面Kであった部分より上の領域のみレジスト膜Rが残置している。そして前記したように、界面Kの位置は、ウェハWの回転速度、第1の液体Aと第2の液体Bの供給流量を調節することで実現できるから、ウェハWの側端面53における所望の位置までレジスト膜Rを形成することが可能である。すなわち、ウェハWの側端面53におけるレジスト膜Rの形成領域を制御することができる。したがって、基板に塗布膜を形成するにあたり、当該基板の側端面における前記塗布膜の形成を適切に行うことが可能である。さらにまたレジスト膜Rの回転塗布時に側端面53などに発生する、クレーターと呼ばれるレジスト液が飛び出した痕跡を、適切に除去することが可能である。

0037

このような制御において、回転速度が高いほど、遠心力によって水平方向に拡散するので、回転速度により第1の液体A及び第2の液体Bのベベル部50における被覆領域を調整できる。ただ、第1の液体Aのみを供給したとき、回転数により上側の傾斜部51から側端面53にかけての範囲で被覆領域を調整できた。それに対して、第2の液体Bのみを供給したときは、回転数により上側の傾斜部51の範囲内で調整できた。つまり上側の傾斜部51まで上がってしまう。そのため、上記2つの液体を同時に供給する本実施形態では、これら2つの液体が成す界面Kの位置は第1の液体Aの挙動により決定される。したがって界面Kの位置は、回転速度が高いほど上昇し、回転速度が低いほど下降する。

0038

また第1の液体A、第2の液体Bの供給流量については、第1の液体Aについては供給流量が多いほど界面Kの位置を下降させることができ、第2の液体Bについては供給流量が多いほど界面Kの位置を上昇させることができる。したがって、ウェハWの回転速度と第1の液体A、第2の液体Bの供給流量を組み合わせることで、さらに微細な制御を実施することができる。

0039

なお供給した液の垂れ、不測の飛散を抑制しつつ、前記したようなウェハWの側端面53における塗布膜を適切に形成するという観点からすれば、例えば下記の回転速度が提案できる。すなわち、本開示の技術で適用できる回転速度については、100〜2000rpm、より好ましくは500〜1500rpmである。

0040

また同様な観点から、第1の液体Aの供給流量については、15〜150ml/minが適切であり、より好ましくは30〜100ml/minがよい。また第2の液体Bの供給流量については、15〜70ml/minが適切であり、より好ましくは30〜60ml/minがよい。なお第1の液体Aの供給流量の範囲が第2の液体Bの供給流量の範囲よりも広くなっているのは、前記したウェハWの中心部の上方からの供給と、後述するウェハWの周縁部からの供給の場合を併せて含むからである。

0041

前記した実施の形態においては、塗布膜としてレジスト膜を例に挙げたが、もちろんこれに限らず各種の塗布膜に対して本開示にかかる技術は適用可能である。例えばSOC(Spin−on−Carbon)の膜についても適用できる。

0042

また前記実施の形態では、レジスト膜Rを溶解させない第1の液体AとしてMIBCが用いられ、レジスト膜Rを溶解させる第2の液体Bとしてシクロヘキサノンが用いられていたが、もちろんこれに限られない。塗布膜がレジスト膜の場合であっても、他に水を第1の液体Aとして使用することができ、また第2の液体Bについても、他にPGME、PGMEAを使用することが可能である。

0043

ところで、ウェハWのベベル部50の側端面53において、第1の液体Aと第2の液体Bとがぶつかり合う界面Kにおいては、第1の液体Aの表面張力が、第2の液体Bの表面張力よりも小さいと、第2の液体Bが第1の液体Aの内側(ウェハW側)に潜り込んでしまい、第2の液体Bがレジスト膜Rと接する可能性がある。したがって、前記第1の液体Aの表面張力は、前記第2の液体Bの表面張力よりも大きい液体を使用することが望ましい。

0044

また前記実施の形態では、レジスト膜Rの塗布が終了した後、そのまま第1の液体Aを供給して、以後図5に示した処理a〜処理fを行なうようにしたが、レジスト膜Rの塗布が終了した後、一旦乾燥処理のための加熱処理を行なった後に第1の液体Aを供給して、以後図5に示した処理a〜処理fを行なうようにしてもよい。

0045

さらに前記した実施の形態では、第2の液体Bを供給するにあたり2つの第2のノズル41、42を使用したが、図6に示したように、1つの第2のノズル(例えば第2のノズル42)のみから、第2の液体Bを供給するようにしてもよい。

0046

またさらに第1の液体Aについては、前記実施の形態ではウェハWの中心部上方から第1のノズル37によって供給するようにしたが、図7に示したように、ウェハWの周縁部上方に第1のノズル61を位置させて、ウェハWのベベル部にのみ第1の液体Aを供給するようにしてもよい。これによって、第1の液体Aの供給量を節約することができる。なおかかる場合、第2の液体Bを供給する第2のノズル42については、図7に示したように、ウェハWを挟んで第1のノズル61と対向する位置に配置し、界面Kを形成する関係上第1の液体Aと平面視で同じ位置のベベル部に供給する必要がある。

0047

前記実施の形態では、レジスト膜Rの塗布後によれば、第1の液体Aを供給し、次いで第1の液体Aと共に第2の液体Bを供給して界面Kを形成し、ウェハWの側端面53において、所望の位置までレジスト膜Rを形成するようにしていたが、図8に示したように、レジスト膜Rの回転塗布時に、ウェハWの下面側から第2の液体Bを供給して、界面Mにて、レジスト液の回り込みをブロックするようにしてもよい。かかる場合、レジスト液をブロックするという観点からすれば、第2の液体Bに代えて、レジスト液に対する溶解性非溶解性を問わず、各種の液体を使用することができる。

0048

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

0049

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
(1)基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
前記基板を回転させながら、
前記基板の全面に前記塗布膜を形成するための塗布液を塗布し、前記基板の側端面まで前記塗布液を回り込ませる第1の工程と、
前記第1の工程の後、前記塗布液の塗布によって形成された塗布膜を溶解させない第1の液体を、前記基板の上面側から少なくとも前記側端面に供給する第2の工程と、
前記第2の工程の後、さらに前記第1の液体を供給しながら、前記基板の下面側から、前記塗布膜を溶解させる第2の液体を、前記側端面における所望の位置まで供給する第3の工程と、
前記第3の工程の後、前記第1の液体の供給と前記第2の液体の供給を停止する第4の工程と、
を有する塗布膜形成方法。
(2)前記第1の工程と前記第2の工程との間に、前記基板を加熱する加熱工程を有する、(1)に記載の塗布膜形成方法。
(3)前記第3の工程において、前記第1の液体と前記第2の液体の各単位時間当たりの供給量の少なくとも一方を調整して、前記側端面における前記第1の液体と前記第2の液体と界面位置を制御する、(1)または(2)のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
(4)前記第3の工程において、前記基板の回転速度を調整して、前記側端面における前記第1の液体と前記第2の液体との界面位置を制御する、(1)〜(3)のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
(5)前記第4の工程において、前記第2の液体の供給を停止した後に、前記第1の液体の供給を停止する、(1)〜(4)のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
これによって、塗布液の境界を第2の液体が余計に侵食することを防ぐことができ、所望の領域に塗布液を形成することができる。
(6)前記第1の液体は、前記基板の表面側中心部から前記基板に供給し、前記第2の液体は、前記基板の裏面側の少なくとも一か所から供給する、(1)〜(5)のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
(7)前記第1の液体は、前記基板の表面周辺部の少なくとも1か所から供給し、前記第2の液体は、前記第1の液体の供給位置と対向する位置から供給する、(1)〜(5)のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
(8)前記第1の液体の表面張力は、前記第2の液体の表面張力よりも大きい、(1)〜(7)のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
(9)基板上に塗布膜を形成する塗布膜形装置であって、
前記基板の全面に前記塗布膜を形成するための塗布液を塗布する塗布ノズルと、
前記塗布液の塗布によって形成された塗布膜を溶解させない第1の液体を、少なくとも前記側端面に供給する第1のノズルと、
前記基板の下面側から、前記塗布膜を溶解させる第2の液体を、前記側端面における所望の位置まで供給する第2のノズルと、を有する塗布膜形成装置。

0050

1レジスト塗布装置
2処理容器
11スピンチャック
13回転駆動機構
33レジスト液供給ノズル
37 第1のノズル
41、42 第2のノズル
50ベベル部
51、52 傾斜部
53側端面
100 制御部
A 第1の液体
B 第2の液体
K、M 界面
W ウェハ

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