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技術 モジュールおよびその製造方法

出願人 太陽誘電株式会社株式会社FPCコネクト
発明者 笹島裕一高野貴之近藤敏文水口修
出願日 2019年3月20日 (1年10ヶ月経過) 出願番号 2019-053664
公開日 2020年9月24日 (4ヶ月経過) 公開番号 2020-155639
状態 未査定
技術分野 半導体または固体装置のマウント 半導体または固体装置の組立体 プリント板の構造
主要キーワード SiCトランジスタ 積層金属層 空間層 導電性接合層 金属粒 無加圧 Cu粒子 ナノペースト
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (8)

課題

厚い金属層を容易に形成すること。

解決手段

本発明は、絶縁層の下面に貼られた第1金属層と、前記絶縁層の上面に搭載された電子部品と、前記第1金属層および前記絶縁層を貫通する貫通孔内面および前記第1金属層の下面に設けられて前記電子部品と接続され、前記第1金属層との合計の厚さは前記絶縁層よりも厚いめっき金属層と、を備えるモジュールである。

概要

背景

絶縁層の上面にベアチップ等の電子部品を搭載し、絶縁層を貫通する貫通孔を介し絶縁層の下面から電子部品に接続する金属層を設けることが知られている(例えば特許文献1)。

概要

厚い金属層を容易に形成すること。本発明は、絶縁層の下面に貼られた第1金属層と、前記絶縁層の上面に搭載された電子部品と、前記第1金属層および前記絶縁層を貫通する貫通孔の内面および前記第1金属層の下面に設けられて前記電子部品と接続され、前記第1金属層との合計の厚さは前記絶縁層よりも厚いめっき金属層と、を備えるモジュールである。

目的

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、厚い金属層を容易に形成することを目的とする

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

絶縁層の下面に貼られた第1金属層と、前記絶縁層の上面に搭載された電子部品と、前記第1金属層および前記絶縁層を貫通する貫通孔内面および前記第1金属層の下面に設けられて前記電子部品と接続され、前記第1金属層との合計の厚さは前記絶縁層よりも厚いめっき金属層と、を備えるモジュール

請求項2

前記めっき金属層の下面に設けられた第2金属層と、前記めっき金属層の下面と前記第2金属層の上面とを接合する導電性接合層と、を備える請求項1に記載のモジュール。

請求項3

前記貫通孔の内面および前記第1金属層の下面に設けられ前記第1金属層および前記めっき金属層と異なる材料からなる第3金属層を備え、前記めっき金属層は、前記第3金属層の下面および前記貫通孔の内面に対応する側面に設けられる請求項1または2に記載のモジュール。

請求項4

前記電子部品と前記絶縁層の上面とを接合する絶縁性接合層を備え、前記貫通孔は前記絶縁性接合層を貫通する請求項1から3のいずれか一項に記載のモジュール。

請求項5

前記第1金属層は、圧延金属層またはめっき金属層である請求項1から4のいずれか一項に記載のモジュール。

請求項6

前記電子部品は複数設けられ、前記めっき金属層は前記複数の電子部品のうち少なくとも2つの電子部品の間を電気的に接続する請求項1から5のいずれか一項に記載のモジュール。

請求項7

下面に第1金属層が貼られた絶縁層の上面に電子部品を搭載する工程と、前記第1金属層および前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内面および前記第1金属層の下面にめっき法を用い、前記貫通孔を介し前記電子部品に接続するめっき金属層を形成する工程と、を含み、前記第1金属層および前記めっき金属層の合計の厚さは前記絶縁層より厚いモジュールの製造方法。

請求項8

前記めっき金属層の下面と第2金属層の上面とを導電性接合層を介し接合する工程を含む請求項7に記載のモジュールの製造方法。

技術分野

0001

本発明はモジュールおよびその製造方法に関し、例えば電子部品を搭載するモジュールおよびその製造方法に関する。

背景技術

0002

絶縁層の上面にベアチップ等の電子部品を搭載し、絶縁層を貫通する貫通孔を介し絶縁層の下面から電子部品に接続する金属層を設けることが知られている(例えば特許文献1)。

先行技術

0003

米国特許第8536700号明細書

発明が解決しようとする課題

0004

電子部品の放熱性を高める場合および/または電子部品に大電流を供給する場合、絶縁層の下面に設けられた金属層を例えば絶縁層より厚くすることが求められる。絶縁層を貫通する貫通孔を介し電子部品に接続する金属層を絶縁層の下面に形成する方法としてはめっき法が考えられる。しかしながら、めっき法を用い例えば絶縁層より厚い金属層を形成すると工程時間が長くなる。また金属層の厚さが不均一となる。

0005

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、厚い金属層を容易に形成することを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

本発明は、絶縁層の下面に貼られた第1金属層と、前記絶縁層の上面に搭載された電子部品と、前記第1金属層および前記絶縁層を貫通する貫通孔の内面および前記第1金属層の下面に設けられて前記電子部品と接続され、前記第1金属層との合計の厚さは前記絶縁層よりも厚いめっき金属層と、を備えるモジュールである。

0007

上記構成において、前記めっき金属層の下面に設けられた第2金属層と、前記めっき金属層の下面と前記第2金属層の上面とを接合する導電性接合層と、を備える構成とすることができる。

0008

上記構成において、前記貫通孔の内面および前記第1金属層の下面に設けられ前記第1金属層および前記めっき金属層と異なる材料からなる第3金属層を備え、前記めっき金属層は、前記第3金属層の下面および前記貫通孔の内面に対応する側面に設けられる構成とすることができる。

0009

上記構成において、前記電子部品と前記絶縁層の上面とを接合する絶縁性接合層を備え、前記貫通孔は前記絶縁性接合層を貫通する構成とすることができる。

0010

上記構成において、前記第1金属層は、圧延金属層またはめっき金属層である構成とすることができる。

0011

上記構成において、前記電子部品は複数設けられ、前記めっき金属層は前記複数の電子部品のうち少なくとも2つの電子部品の間を電気的に接続する構成とすることができる。

0012

本発明は、下面に第1金属層が貼られた絶縁層の上面に電子部品を搭載する工程と、前記第1金属層および前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内面および前記第1金属層の下面にめっき法を用い、前記貫通孔を介し前記電子部品に接続するめっき金属層を形成する工程と、を含み、前記第1金属層および前記めっき金属層の合計の厚さは前記絶縁層より厚いモジュールの製造方法である。

0013

上記構成において、前記めっき金属層の下面と第2金属層の上面とを導電性接合層を介し接合する工程を含む構成とすることができる。

発明の効果

0014

本発明によれば、厚い金属層を容易に形成することができる。

図面の簡単な説明

0015

図1(a)から図1(d)は、実施例1に係るモジュールの製造方法を示す断面図(その1)である。
図2(a)から図2(c)は、実施例1に係るモジュールの製造方法を示す断面図(その2)である。
図3(a)および図3(b)は、実施例1に係るモジュールの製造方法を示す断面図(その3)である。
図4(a)および図4(b)は、比較例1に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。
図5(a)および図5(b)は、実施例1の変形例1に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。
図6は、実施例1の変形例2に係るモジュールの断面図である。
図7は、実施例1の変形例3に係るモジュールの断面図である。

0016

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

0017

図1(a)から図3(b)は、実施例1に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図1(a)に示すように、絶縁層10の下面に金属層22が貼り付けられた絶縁層10を準備する。絶縁層10は例えばポリイミド層等の樹脂層であり可撓性を有する。金属層22は例えばCu(銅)層である。金属層22が貼り付けられた絶縁層10は、例えば銅張積層基板(CCL:Copper Clad Laminate)であり、金属層22は圧延された圧延金属層である。金属層22は電解めっきにより形成されためっき金属層でもよい。絶縁層10の厚さは例えば7.5μmから125μmであり、金属層22の厚さは例えば10μmから30μmである。絶縁層10は金属製のフレームに貼り付けられていてもよいし、絶縁層10が巻き付けられたロール状でもよい。

0018

図1(b)に示すように、絶縁層10の上面に絶縁性接合層12を塗布する。接合層12は例えばエポキシ樹脂等からなる樹脂接着剤である。接合層12は耐熱性および低誘電特性に優れた樹脂材料が好ましい。接合層12の塗布は、例えばスピンコート法スプレコート法スクリーン印刷法またはインクジェット法を用いる。接合層12の厚さは硬化後で例えば5μmから50μmである。

0019

図1(c)に示すように、金属層22、絶縁層10および接合層12を貫通する貫通孔16を形成する。貫通孔16は、例えばレーザ光17を照射することにより形成する。貫通孔16の大きさは、例えば30μmから500μmである。なお、必要により貫通孔16の内面の炭化物等を除去し洗浄する。

0020

図1(d)に示すように、接合層12の上面に電子部品14を配置する。電子部品14は、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、バイポーラトランジスタまたはFET(Field Effect Transistor)等のトランジスタまたはダイオードである。トランジスタまたはダイオードには、Si、GaNまたはSiC等を材料とする半導体が用いられる。電子部品14は、例えばベアチップまたはベアチップが実装されたパッケージである。ベアチップが実装されたパッケージは、WLP(Wafer Level Package)またはSIP(Single Inline Package)等のパッケージである。

0021

熱処理することにより、接合層12を硬化させ電子部品14と絶縁層10とを接合する。熱処理は例えば150℃から300℃の温度で実施する。接合層12上に電子部品14を配置する前に熱処理し、接合層12のタック性を高めてもよい。電子部品14のパッド15は貫通孔16に露出する。パッド15はベアチップまたはパッケージの表面に設けられたCu、Au(金)、Ag(銀)またはAl(アルミニウム)等を主材料とした金属層である。

0022

ここで、図1(a)から図1(d)は、電子部品14を絶縁層10に固定するより先に、接合層12、絶縁層10および金属層22に貫通孔16を形成するプロセスである。図1(c)において貫通孔16を形成せず、図1(d)において電子部品14を固定してから接合層12、絶縁層10および金属層22に貫通孔16を形成してもよい。

0023

図2(a)に示すように、金属層22の下面、貫通孔16の内面を洗浄する。洗浄としては例えば水洗および/またはプラズマ処理を行う。続いて、金属層22の下面、貫通孔16の内面に金属層23を形成する。金属層23は、例えばスパッタリング法またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用い形成する。金属層23は、例えば金属層22側から密着層23aおよびシード層23bである。

0024

なお、金属層22は、後述する密着層23aを形成するときの、下地層として機能する。金属層22により、密着層23aの成膜性および金属層22と密着層23aとの密着性を高めることができる。さらには、図3(b)の金属層26は、電極としての厚みを確保するために有効であるが、金属層22も同様に電極の厚みを確保するために有効である。

0025

密着層23aは、金属層22の下面および貫通孔16の内面とシード層23bとの密着性を向上させる層であり、例えばスパッタリング法を用い形成される。密着層23aはTi(チタン)、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)を主材料とする金属層である。シード層23bは密着層23aより抵抗の低い層であり、例えば金属層24と同じ材料の金属層であり、例えばCuを主材料とする。金属層23の厚さは例えば1μm以下である。

0026

図2(b)に示すように、金属層23の下面および貫通孔16に対応する内面に金属層24を形成する。金属層24は、例えばシード層23bに電流を供給することによる電解めっき法を用いて形成する。金属層24は、例えばCuを主材料とする。金属層24の厚さは例えば7.5μmから125μmであり、貫通孔16が埋め込まれる厚さとする。なお、金属層24の貫通孔16付近の下面は平坦であることが好ましい。

0027

図2(c)に示すように、金属層24の下面に接合層25を塗布する。接合層25は、Cu粒子またはAg粒子等の金属粒子等が含まれるCuペーストまたはAgペーストである。金属粒子の粒径が1μm未満のナノペーストでもよい。金属粒子は合金からなる粒子でもよい。接合層25の塗布は、例えば印刷法、スピンコート法、スプレコート法、ディスペンス法またはインクジェット法を用いる。

0028

図3(a)に示すように、接合層25の下面に金属層26を配置する。金属層26は、例えばCu箔等の金属箔であり、圧延金属またはめっき金属である。金属層26の厚さは、例えば20μmから100μmである。その後、熱処理することで、接合層25を焼成する。この熱処理のときに、接合層25は加圧されて焼結される。接合層25は、例えば金属層26側から加圧されてもよいし、電子部品14側から加圧されてもよい。金属層26と電子部品14を所望の圧力で押圧することで、接合層25が加圧されてもよい。その結果、金属粒子同士が密着される。接合層25は無加圧で焼成されてもよい。これにより、金属層26と24とが熱的、機械的かつ電気的に接合される。接合層25の厚さは焼成後で例えば5μmから50μmである。熱処理温度は例えば150℃から300℃であり、絶縁層10および接合層12が軟化または変質しない程度の温度とする。

0029

以上により、金属層26、接合層25、金属層24、23および22が積層された積層金属層20が形成される。接合層25は、熱膨張係数の一致をさせるため、Cuペーストが好ましい。またCu粒子の粒径を1μm以下と小さくすることにより、Cuペーストの溶融温度下げることができる。これにより、接合層25の接合温度は低いため絶縁層10および接合層12などの樹脂材料が高温に曝されることを抑制できる。

0030

積層金属層20をめっき金属層のみで形成すると、めっき金属層を形成するためのめっき時間が長くなる。実施例1では、金属層26と金属層22は、予め用意されており、めっき時間が不要となる。接合層25を用いて金属層22と26を貼り合せれば、接合層25、金属層26および22の合計の厚み分のめっき時間を短縮できる。

0031

図3(b)に示すように、金属層26の下面にマスク層(不図示)を形成する。このマスク層は、エッチング用のマスクであり、このマスクを使って積層金属層20をエッチング除去し、所望の形状の電極として形成する。その後、このマスク層を除去する。

0032

図3(a)および図3(b)では、積層金属層20の形成方法としてサブトラクト法を例に説明したが、セミアディティブ法を用いてもよい。セミアディティブ法では、図2(c)の後、接合層25の下面にパターニングを施した金属層26を接合する。金属層26をマスクに接合層25、金属層24、23および22をエッチングする。

0033

また、図2(b)の後に、金属層24、23および22をパターニングする。その後、金属層24の下に接合層25を用いパターニングを施した金属層26を接合してもよい。以上のように、接合層25を採用すれば、前もって用意された金属層26を貼り合せすることができ、金属層26をめっき法で形成するための処理が不要となる。よって、プロセス時間を短縮でき、低コストが可能となる。

0034

接合層25としてCuペーストを用いると、接合層25は焼成および加圧によりある程度の銅のインゴットになる。このため、接合層25の抵抗値を低くできる。なお、接合層25を低温で焼成すると、接合層25はインゴットでなくCu粒子がつながったような状態となることもあるが、この状態においても接合層25の低抵抗値を確保できる。積層金属層20は、厚さを確保できることから、積層金属層20に大電流を流すことが可能となる。また、電子部品14から発生する熱は、積層金属層20がヒートシンクとして機能することから、発生した熱エネルギーを積層金属層20に過渡的に貯めることができる。あるいは、積層金属層20は放熱板として機能し、電子部品14において発生した熱エネルギーを外部に放出させることができる。

0035

[比較例1]
比較例1として、金属層22を省略し、密着層23aであるTi膜またはNi膜を直接に絶縁層10に形成する例を説明する。

0036

図4(a)および図4(b)は、比較例1に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図4(a)に示すように、比較例1では、実施例1に比べ絶縁層10の下面に金属層22が形成されていない。貫通孔16は絶縁層10および接合層12を貫通するように形成されている。

0037

図4(b)に示すように、絶縁層10の下面および貫通孔16の内面に金属層23を形成する。金属層23は、図2(a)と同じ方法で成膜される。金属層23は密着層23aとシード層23bを有し、金属層24は、シード層23bを介してめっき法で成膜される。

0038

比較例1では、金属層22が省略されることから、密着層23aの成膜性に若干の難がある。しかしながら、絶縁層10と密着しやすい金属を選択することで、金属層24の形成は可能である。また金属層24に接合層25を形成すれば、厚い金属層26を貼ることが可能となる。なお、絶縁層10を、プラズマ処理や薬液により粗面化することで、密着層23aの密着度は改善される。

0039

電子部品14の放熱性を高めるためおよび/または電子部品14に供給する電流を大きくするため、金属層24を厚くすることが求められる。しかし、比較例1のように、めっき法を用い、金属層24を絶縁層10より厚くしようとすると、めっき工程の工程時間が長くなる、および/または金属層24が均一に成膜しにくい。このように、厚い金属層を容易に形成することが難しい。また、めっき法以外の方法を用い金属層24を形成すると、金属層24と電子部品14とを貫通孔16を介し接続させることが難しくなる。

0040

実施例1によれば、図1(d)のように、下面に金属層22(第1金属層)が貼られた絶縁層10の上面に電子部品14を搭載する。図1(c)のように、金属層22および絶縁層10を貫通する貫通孔16を形成する。図2(a)および図2(b)のように、貫通孔16の内面および金属層22の下面にめっき法を用い、貫通孔16を介し電子部品14に接続する金属層24(めっき金属層)を形成する。

0041

電子部品14からの放熱性を向上させるためおよび/または電子部品14に供給する電流を大きくするため、金属層22と24の合計の厚さは、絶縁層10の厚さより大きいことが好ましく、絶縁層10の厚さの1.5倍以上が好ましく、2倍以上がより好ましい。

0042

このように、金属層22と24の合計の厚さを絶縁層10より厚くする場合に、めっき法を用い形成する金属層24が薄くても金属層22と24の合計の厚さを厚くできる。金属層24が薄いため、めっき工程の工程時間を短くできる。また、金属層24の厚さが不均一であっても、他の金属層の厚さの均一性が高ければ、金属層22と24全体の厚さの不均一を小さくできる。さらに、貫通孔16内はめっき法により埋め込むため金属層22と24を電子部品14と容易に接続させることができる。

0043

さらに、積層金属層20は、金属層22、密着層23a、シード層23b、金属層24、接合層25および金属層26からなる。電子部品14からの放熱性を向上させるためおよび/または電子部品14に供給する電流を大きくするため、積層金属層20の厚さは、絶縁層10の厚さより大きいことが好ましく、絶縁層10の厚さの1.5倍以上が好ましく、2倍以上がより好ましい。

0044

また、図2(b)から図3(a)のように、金属層24の下面と金属層26(第2金属層)の上面とを接合層25(導電性接合層)を介しを接合する。これにより、積層金属層20をより厚くできる。

0045

さらに、積層金属層20は、貫通孔16の内面および金属層22の下面に設けられ金属層22および24と異なる材料からなる密着層23a(第3金属層)を含む。金属層24は、密着層23aの下面および貫通孔16の内面に対応する側面に設けられる。これにより、金属層22と24との密着性を向上できる。

0046

さらに、電子部品14と絶縁層10の上面とを接合する接合層12(絶縁性接合層)を備える。貫通孔16は接合層12を貫通する。これにより、電子部品14と絶縁層10とを接合できかつ金属層24を電子部品14に接続できる。積層金属層20の厚さは、絶縁層10と接合層12との合計の厚さより大きいことが好ましく、1.5倍以上がより好ましく、2倍以上がさらに好ましい。

0047

金属層22は、圧延金属層またはめっき金属層である。圧延された金属層では結晶粒が横方向(平面方向)に長くなる。よって反りの抑制があり、シートとしての平坦性がよいため、作業性に優れる。一方、スパッタリング法では、金属粒が塊状で飛来し成膜されるため、結晶粒は縦方向(積層方向)に長くなる。めっき法では多結晶でそれぞれが縦方向に成長する。このため、スパッタリング法で形成された金属層23およびめっき法で形成された金属層24では結晶粒は圧延された金属層22に比べ縦方向(積層方向)に長くなる。これにより、金属層23および金属層24との密着性が向上する。

0048

[実施例1の変形例1]
図5(a)および図5(b)は、実施例1の変形例1に係るモジュールの製造方法を断面図である。まず、実施例1と同様に図1(a)から図2(c)の工程を行う。つまり絶縁層10の上には、電子部品14が設けられ、金属層24の下には、Cuペースト等からなる接合層25が設けられた、完成前のモジュールが用意されている。

0049

図5(a)に示すように、上面に金属層26が貼り付けられた絶縁層27が用意され、絶縁層27は接合層25を介して金属層24の下面に接合する。その後に図5(b)に示すように絶縁層10の下面に金属層28が貼り付けられる。絶縁層27は例えばポリイミド層等の樹脂層であり、CCLシート(またはCCL基板)である。絶縁層27の厚さは例えば7.5μmから125μmである。

0050

図5(a)および図5(b)では、金属層26、絶縁層27および金属層28は、絶縁層10の全面に形成されており、金属層26、絶縁層27および金属層28を、単にヒートシンクおよび/または放熱板として機能させている。金属層26、絶縁層27および金属層28は所望の形状にパターニングされていてもよい。つまり金属層26および28を電極および/または配線として機能させてもよい。

0051

例えば、金属層28は、エッチング法を用い電極および/または配線などからなる導電パターンとして加工される。金属層28を電極として用いる場合には、絶縁層27の部分にビアを形成し、金属層26と28とを電気的に接続してもよい。絶縁層27にビアを形成するため、絶縁層27は加工性に劣るセラミックより、樹脂層が好ましい。また、金属層26も同様に、エッチング法を用い電極および/または配線などからなる導電パターンとして加工されてもよい。この場合、導電パターンの周囲の空間層樹脂等の絶縁層で埋めることが好ましい。なお、絶縁層27の両面に金属層26および28が貼られたものを用意し、金属層26の上面を接合層25を介し金属層24に接合してもよい。

0052

[実施例1の変形例2]
図6は、実施例1の変形例2に係るモジュールの断面図である。図6に示すように、実施例1と同様に、絶縁層10上に接合層12を用い電子部品14aおよび14bを搭載する。電子部品14aは例えばSiCトランジスタである。電子部品14bはダイオードである。積層金属層20は、前述した様に、電子部品14aと14bとを電気的に接続する配線および/または電極として機能する。電子部品14aおよび14bの上面は接合層36により金属層32の下面に接合されている。

0053

なお、絶縁基板30の下面および上面には金属層32および34が設けられて用意されている。絶縁基板30は、例えばセラミックス基板である。金属層32および34は例えばCu層である。絶縁基板30、金属層32および34は電子部品14aおよび14bの熱を過渡的に貯めるヒートシンクとして機能し、更には外部に熱を放出する放熱板として機能する。接合層36は、例えば樹脂接着剤、金属ペースト等の導電性接着剤、または半田である。絶縁層10と絶縁基板30との間は封止部材38が充填されている。封止部材38は、例えば樹脂等の絶縁体であり電子部品14aおよび14bを封止する。

0054

[実施例1の変形例3]
図7は、実施例1の変形例3に係るモジュールの断面図である。実施例1と同様に、絶縁層10上の接合層12を用い電子部品14aから14dが固着搭載されている。電子部品14aは例えばSiCトランジスタである。電子部品14bは例えばダイオードである。電子部品14cは例えばディスクリートチップ抵抗チップコンデンサおよび/またはチップインダクタである。電子部品14cでは、5面に電極15aが設けられている。例えば直方体である電子部品14cの両端の各々において、矩形の端面とこの端面と連続して形成される4つの面(上面、下面、その間の二つの側面)とに電極15aが設けられている。積層金属層20は電極15aに接続されている。電子部品14dは例えば集積回路であり、パワー素子を駆動するドライバである。絶縁層10上に電子部品14aから14dを覆うように封止部材38が設けられている。封止部材38は、例えば樹脂等の絶縁体であり電子部品14aから14dを封止する。

0055

実施例1の変形例2および3のモジュールでは、電子部品14aから14dは複数設けられ、積層金属層20は複数の電子部品14aから14dのうち少なくとも2つの電子部品を電気的に接続する配線として機能する。厚い積層金属層20を配線として用いることにより、電流容量を大きくできる。

実施例

0056

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

0057

10、27絶縁層
12、25接合層
14、14a−14d電子部品
15パッド
16貫通孔
22、23、24、26、28金属層
23a密着層
23bシード層
30 絶縁基板

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