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技術 発光装置

出願人 株式会社半導体エネルギー研究所
発明者 山崎舜平平形吉晴青山智哉千田章裕
出願日 2020年3月24日 (9ヶ月経過) 出願番号 2020-052695
公開日 2020年9月24日 (3ヶ月経過) 公開番号 2020-155407
状態 未査定
技術分野 位置入力装置 エレクトロルミネッセンス光源
主要キーワード 直流低電圧電源 光学式タッチセンサ 電子機 n型半導体 有色層 二液混合型 有機ラジカル電池 非意図的
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (18)

課題

破損しにくい発光装置表示装置を提供する。

解決手段

素子層と、素子層上の基板と、を有し、基板の少なくとも一部は、前記素子層側に曲がっており、基板は、透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、前記基板側に向けて発光する発光素子を有する発光装置を提供する。または、素子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う基板と、を有し、基板は、透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、基板側に向けて発光する発光素子を有する発光装置を提供する。

概要

背景

近年、発光装置表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められて
いる。

例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、
又は破損しにくいこと等が求められている。また、発光装置や表示装置の高機能化、高付
加価値化を実現するために、タッチ操作が可能な発光装置や表示装置が求められている。

EL現象を利用した発光素子EL素子とも記す)は、薄型軽量化が容易である、入力信
号に対し高速応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。

例えば、特許文献1に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタ有機
EL素子を備えたフレキシブルアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

概要

破損しにくい発光装置や表示装置を提供する。素子層と、素子層上の基板と、を有し、基板の少なくとも一部は、前記素子層側に曲がっており、基板は、透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、前記基板側に向けて発光する発光素子を有する発光装置を提供する。または、素子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う基板と、を有し、基板は、透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、基板側に向けて発光する発光素子を有する発光装置を提供する。

目的

本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

第1の基板と、前記第1の基板上方トランジスタと、前記トランジスタ上方の発光素子と、前記発光素子上方の第1の導電層と、前記第1の導電層上方の絶縁層と、前記絶縁層上方の第2の導電層と、前記第2の導電層上方の第2の基板と、FPCと、を有し、前記トランジスタ及び前記発光素子は、画素に配置され、前記画素を有する領域において、前記第1の導電層は、前記絶縁層を介して前記第2の導電層と重なる領域を有し、前記第2の基板は、平坦な領域と、前記第1の基板側に曲がった第1の領域と、を有し、前記画素を有する領域は、前記第1の領域と重なる領域を有し、前記FPCは、第3の導電層に電気的に接続され、前記第3の導電層は、外部接続電極としての機能を有し、前記第3の導電層は、前記平坦な領域と重なる領域に配置され、前記第3の導電層は、前記画素を有する領域の外側に配置され、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と同一の材料を有する発光装置作製方法であって、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と同一の工程を経て作製され、前記発光装置は、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを用いて前記第2の基板の上面への被検出物近接または接触を検知する機能を有する発光装置の作製方法。

請求項2

第1の基板と、前記第1の基板上方のトランジスタと、前記トランジスタ上方の発光素子と、前記発光素子上方の第1の導電層と、前記第1の導電層上方の絶縁層と、前記絶縁層上方の第2の導電層と、前記第2の導電層上方の第2の基板と、FPCと、を有し、前記トランジスタ及び前記発光素子は、画素に配置され、前記画素を有する領域において、前記第1の導電層は、前記絶縁層を介して前記第2の導電層と重なる領域を有し、前記第2の基板は、平坦な領域を有し、前記第2の基板は、前記第1の基板側に曲がった第1の領域を有し、前記第2の基板は、前記第1の基板側に曲がった第2の領域を有し、前記平坦な領域は、前記第1の領域と前記第2の領域との間に配置され、前記画素を有する領域は、前記第1の領域と重なる領域または前記第2の領域と重なる領域を有し、前記FPCは、第3の導電層に電気的に接続され、前記第3の導電層は、外部接続電極としての機能を有し、前記第3の導電層は、前記平坦な領域と重なる領域に配置され、前記第3の導電層は、前記画素を有する領域の外側に配置され、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と同一の材料を有する発光装置の作製方法であって、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と同一の工程を経て作製され、前記発光装置は、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを用いて前記第2の基板の上面への被検出物の近接または接触を検知する機能を有する発光装置の作製方法。

請求項3

第1の基板と、前記第1の基板上方のトランジスタと、前記トランジスタ上方の発光素子と、前記発光素子上方の第1の導電層と、前記第1の導電層上方の絶縁層と、前記絶縁層上方の第2の導電層と、前記第2の導電層上方の第2の基板と、FPCと、を有し、前記トランジスタ及び前記発光素子は、画素に配置され、前記画素を有する領域において、前記第1の導電層は、前記絶縁層を介して前記第2の導電層と重なる領域を有し、前記第2の基板は、平坦な領域と、前記第1の基板側に曲がった第1の領域と、を有し、前記画素を有する領域は、前記第1の領域と重なる領域を有し、前記FPCは、第3の導電層に電気的に接続され、前記第3の導電層は、外部接続電極としての機能を有し、前記第3の導電層は、前記平坦な領域と重なる領域に配置され、前記第3の導電層は、前記画素を有する領域の外側に配置され、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と同一の材料を有する発光装置であって、前記発光装置は、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを用いて前記第2の基板の上面への被検出物の近接または接触を検知する機能を有する発光装置。

請求項4

第1の基板と、前記第1の基板上方のトランジスタと、前記トランジスタ上方の発光素子と、前記発光素子上方の第1の導電層と、前記第1の導電層上方の絶縁層と、前記絶縁層上方の第2の導電層と、前記第2の導電層上方の第2の基板と、FPCと、を有し、前記トランジスタ及び前記発光素子は、画素に配置され、前記画素を有する領域において、前記第1の導電層は、前記絶縁層を介して前記第2の導電層と重なる領域を有し、前記第2の基板は、平坦な領域を有し、前記第2の基板は、前記第1の基板側に曲がった第1の領域を有し、前記第2の基板は、前記第1の基板側に曲がった第2の領域を有し、前記平坦な領域は、前記第1の領域と前記第2の領域との間に配置され、前記画素を有する領域は、前記第1の領域と重なる領域または前記第2の領域と重なる領域を有し、前記FPCは、第3の導電層に電気的に接続され、前記第3の導電層は、外部接続電極としての機能を有し、前記第3の導電層は、前記平坦な領域と重なる領域に配置され、前記第3の導電層は、前記画素を有する領域の外側に配置され、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と同一の材料を有する発光装置であって、前記発光装置は、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを用いて前記第2の基板の上面への被検出物の近接または接触を検知する機能を有する発光装置。

技術分野

0001

本発明は、発光装置表示装置電子機器照明装置、又はそれらの作製方法に関する。
特に、エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence、以下EL
とも記す)現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製
方法に関する。

背景技術

0002

近年、発光装置や表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められて
いる。

0003

例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、
又は破損しにくいこと等が求められている。また、発光装置や表示装置の高機能化、高付
加価値化を実現するために、タッチ操作が可能な発光装置や表示装置が求められている。

0004

EL現象を利用した発光素子EL素子とも記す)は、薄型軽量化が容易である、入力信
号に対し高速応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。

0005

例えば、特許文献1に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタ有機
EL素子を備えたフレキシブルアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

先行技術

0006

特開2003−174153号公報

発明が解決しようとする課題

0007

本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供する
ことを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、電子機
器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、信
頼性が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一
とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い
発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、光取り出し効率の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしく
は照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力が低
い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。

0008

なお、本発明の一態様は、上記の課題の全てを解決する必要はないものとする。

課題を解決するための手段

0009

本発明の一態様は、素子層と、素子層上の基板と、を有し、基板の少なくとも一部は、素
子層側に曲がっており、基板は透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、
基板側に向けて発光する発光素子を有する発光装置である。

0010

上記構成において、素子層の少なくとも一部は、基板の素子層側に曲がっている部分と重
なり、同じ方向に曲がっていることが好ましい。

0011

また、本発明の一態様は、素子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う基板
と、を有し、基板は透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、基板側に向
けて発光する発光素子を有する発光装置である。

0012

上記各構成において、素子層と基板の間接着層を有し、接着層は透光性を有し、且つ大
気よりも屈折率が高いことが好ましい。このとき、接着層は、樹脂と、樹脂と屈折率が異
なる粒子とを有することが特に好ましい。

0013

上記各構成において、素子層は、タッチセンサを有することが好ましい。

0014

上記各構成において、基板は、有機樹脂を用いた基板であることが好ましい。基板にガラ
スを用いず、有機樹脂を用いることで、軽量で、壊れにくい発光装置を実現できる。

0015

また、本発明の一態様は、第1の基板、第1の基板上の第1の接着層、及び第1の接着層
上の発光素子を有する素子層と、素子層上の第2の接着層と、第2の接着層上の第2の基
板と、を有し、第2の基板の少なくとも一部は、素子層側に曲がっており、第2の接着層
及び第2の基板は、それぞれ透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、発光素子は、
第2の基板側に向けて発光する発光装置である。

0016

また、本発明の一態様は、第1の基板、第1の基板上の第1の接着層、及び第1の接着層
上の発光素子を有する素子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う第2の基
板と、素子層及び第2の基板の間の第2の接着層と、を有し、第2の接着層及び第2の基
板は、それぞれ透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、発光素子は、第2の基板側
に向けて発光する発光装置である。

0017

上記各構成において、素子層は、受光素子と、受光素子よりも第1の基板側に位置し、受
光素子と重なる遮光層と、遮光層及び発光素子の間の封止層と、を有し、封止層は、大気
よりも屈折率が高いことが好ましい。

0018

また、本発明の一態様は、第1の基板と、第1の基板上の発光素子と、透光性を有する第
2の基板と、第2の基板上の遮光層と、遮光層と重なる、第2の基板及び遮光層の間の受
光素子と、発光素子及び受光素子を囲むように枠状に配置された、第1の基板及び第2の
基板の間の接着層と、を有し、第1の基板の発光素子を有する面と第2の基板の受光素子
を有する面は対向し、発光素子は、第2の基板側に向けて発光する発光装置である。

0019

また、本発明の一態様は、第1の基板、第1の基板上の第1の接着層、第1の接着層上の
発光素子、発光素子上の封止層、封止層上の遮光層、及び遮光層上の受光素子を有する素
子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う第2の基板と、素子層及び第2の
基板の間の第2の接着層と、を有し、封止層、第2の接着層及び第2の基板は、それぞれ
透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、発光素子は、第2の基板側に向けて発光す
る発光装置である。

0020

上記構成において、封止層と第2の基板の間に、発光素子と重なる着色層を有することが
好ましい。

0021

上記各構成において、封止層は、樹脂と、樹脂と屈折率が異なる粒子とを有することが特
に好ましい。

0022

また、上記各構成の発光装置を表示部に有する電子機器や、上記各構成の発光装置を発光
部に有する照明装置も本発明の一態様である。

0023

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光
素子コネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはTCP(Tape Carri
er Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式により
IC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに
照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。

発明の効果

0024

本発明の一態様では、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供す
ることができる。または、本発明の一態様では、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、
もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発
明の一態様では、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄い発光装
置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の
一態様では、光取り出し効率が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を
提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力が低い発光装置、表示装
置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。

図面の簡単な説明

0025

本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。
本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。
本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
実施例の発光装置を示す図。
実施例の発光装置のゲートパッド部の断面観察写真
実施例の発光装置の作製工程を説明する図。
実施例の発光装置を示す図。
実施例の発光装置を示す図。
本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
実施例の発光装置を示す図。
本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。

0026

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。

0027

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

0028

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

0029

(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図1及び図2を用いて説明する。

0030

本発明の一態様の発光装置は、素子層と、素子層上の基板と、を有し、基板の少なくとも
一部は素子層側に曲がっており、基板は透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素
子層は基板側に向けて発光する発光素子を有する。

0031

本発明の一態様では、発光装置の光が取り出される面側にある基板の少なくとも一部が、
素子層側に曲がっているため、発光装置が破損しにくい。基板において素子層側に曲がっ
ている領域の広さや位置は特に限定されず、基板中央部に曲げ線があってもよい。

0032

<構成例1>
図1(A)に示す発光装置100は、素子層101と、素子層101上の基板103と、
を有する。

0033

本実施の形態で示す各発光装置では、素子層101が基板103側に向けて発光する発光
素子を有する。本実施の形態で示す各発光装置では、素子層101が有する発光素子の発
光が、基板103を介して光取り出し部104から取り出される。

0034

図1(A)に示す発光装置100において、基板103の少なくとも一部は素子層101
側に曲がっている。具体的には、基板103の端部は、素子層101側に曲がっている。
ここで、Aの端部とは、少なくともAの側面を含む領域であり、さらに発光装置における
光取り出し部を含んでいてもよい。なお、ここでは基板103の対向する二つの側面にお
いて、各側面を含む端部が素子層101側に曲がっている例を示すが、本発明はこれに限
らない。また、ここでは、曲げ線が基板の辺に平行である例を示すが、本発明はこれに限
らない。つまり、曲げ線は、基板のいずれかの辺に平行であってもよく、基板の長辺に平
行であってもよいし、基板の短辺に平行であってもよい。また、曲げ線が、基板のいずれ
の辺に平行でなくてもよい。

0035

<構成例2>
図1(B)に示す発光装置110は、素子層101と、素子層101上の基板103と、
素子層101及び基板103の間の接着層105と、を有する。

0036

基板103の少なくとも一部は素子層101側に曲がっており、素子層101の少なくと
も一部は基板103の素子層101側に曲がっている部分と重なり、同じ方向に曲がって
いる。言い換えると、基板103の端部及び素子層101の端部は、発光装置110の光
が取り出される面と対向する面側に曲がっている。

0037

<構成例3>
図1(C)に示す発光装置120は、光取り出し部104の構成以外は、図1(B)に示
す発光装置110と同様である。発光装置110では、素子層101の非発光部のみが曲
がっている例を示したが、発光装置120のように、素子層101の発光部の一部を曲げ
てもよい。つまり、発光装置120の光取り出し部104は曲面を有するといえる。

0038

<構成例4>
図1(D)に示す発光装置130は、素子層101と、素子層101の上面及び少なくと
も一つの側面を覆う基板103と、素子層101及び基板103の間の接着層105と、
を有する。

0039

基板103の少なくとも一部は素子層101側に曲がっており、素子層101の2つの側
面の少なくとも一部を覆っている。基板103は、素子層101の下面(素子層の発光面
と対向する面)の一部を覆っていてもよい。

0040

上記発光装置の構成例1〜4では、それぞれ、発光装置の光が取り出される面側にある基
板103の少なくとも一部が、素子層101側に曲がっているため、発光装置を破損しに
くくすることができる。

0041

上記発光装置の各構成例に適用できる応用例1〜4を以下に示す。

0042

<応用例1>
図2(A)に示す発光装置140は、絶縁体107を有する以外は、図1(B)に示す発
光装置110と同様である。本発明の一態様の発光装置では、素子層101の下面(発光
装置の光が取り出される面と対向する面)側に絶縁体107を有する。例えば素子層10
1の下面で導電層が大気に露出する場合等に、絶縁体107を設けることで、本発明の一
態様の発光装置と他の装置とを電気的に絶縁することができる。また、絶縁体107は、
素子層101、基板103、及び接着層105の側面が大気に露出しないよう、これら側
面を覆うことが好ましい。これにより、発光装置の内部に水等の不純物侵入することを
抑制できる。

0043

<応用例2>
図2(B)に示す発光装置150は、駆動回路部106及びFPC108(Flexib
le PrintedCircuit)をそれぞれ1つ有する例である。ここでは、F
PC108が基板103側に設けられる例を示したが、FPC108を素子層101側に
設けてもよい。発光装置150は、駆動回路部106及びFPC108を有する以外は、
図1(B)に示す発光装置110と同様である。

0044

<応用例3>
本発明の一態様では、発光装置の光が取り出される面において、絶縁体107が基板10
3を覆う構成であってもよい(図2(C))。これにより、発光装置の光が取り出される
面が傷つくこと、さらには素子層101に含まれる素子が破壊することを抑制できる。さ
らに、絶縁体107が、基板103及び素子層101の、発光装置の光が取り出される面
と対向する面側に曲がっている側面を覆う構成とすることで、発光装置の内部に水等の不
純物が侵入することを抑制できる。したがって、信頼性が高く、破損しにくい発光装置と
することができる。

0045

<応用例4>
本発明の一態様では、素子層101の下面(発光装置の光が取り出される面と対向する面
)側に蓄電装置111を配置し、蓄電装置111を覆う保護層115を設けてもよい。

0046

保護層115の端部は、基板103の素子層101側に曲がっている部分と重なる構成(
図2(D))であってもよいし、基板103を介さず素子層101と重なる構成(図2
E))であってもよい。また、図2(F)に示すように、素子層101と蓄電装置111
の間に、絶縁体107を有していてもよい。また、図2(G)に示すように、保護層11
5の端部は、基板103を介さず絶縁体107と重なる構成であってもよい。

0047

このとき、基板103側又は素子層101側に設けられたFPCは、素子層101及び保
護層115の間に位置するよう折り曲げられていてもよい。

0048

また、本発明の一態様の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置であってもよい。タッ
センサとしては、抵抗膜方式静電容量方式赤外線方式光学方式電磁誘導方式
表面弾性波方式等、種々の方式を採用することができる。本発明の一態様では、発光装置
を構成する基板の数を増やすことなく、素子層101にタッチセンサを設けることができ
るため、発光装置の薄型化、軽量化が実現でき好ましい。

0049

なお、基板103における素子層101側に曲がっている領域の曲率半径最小値は、1
mm以上150mm以下が好ましく、1mm以上100mm以下がより好ましく、1mm
以上50mm以下がさらに好ましく、2mm以上5mm以下が特に好ましい。また、素子
層101における基板103と同じ方向に曲がっている領域の曲率半径の最小値は、1m
m以上150mm以下が好ましく、1mm以上100mm以下がより好ましく、1mm以
上50mm以下がさらに好ましく、2mm以上5mm以下が特に好ましい。本発明の一態
様の発光装置は、小さな曲率半径(例えば2mm以上5mm以下)で折り曲げても素子が
壊れることがなく、信頼性が高い。小さな曲率半径で折り曲げることで、発光装置を薄型
化することができる。また、光取り出し部104を大きな曲率半径(例えば、5mm以上
100mm以下)で折り曲げることで、発光装置の側面に広い表示部(発光部)を設ける
ことができる。

0050

<材料の一例>
次に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料等を説明する。

0051

素子層101は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素子
を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでい
る。例えば、発光ダイオードLED)、有機EL素子無機EL素子等を用いることが
できる。

0052

素子層101は、発光素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに有
していてもよい。

0053

素子層101において、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられているこ
とが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装
置の信頼性の低下を抑制できる。

0054

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜窒化酸化シリコン膜等の窒素珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
シリコン膜酸化窒化シリコン膜酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

0055

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5[g/m2・day]以下
、好ましくは1×10−6[g/m2・day]以下、より好ましくは1×10−7[g
/m2・day]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/m2・day]以下とする

0056

基板103は透光性を有し、少なくとも素子層101が有する発光素子の発する光を透過
する。基板103は可撓性を有していてもよい。また、基板103の屈折率は、大気の屈
折率よりも高い。

0057

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、基板103として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。

0058

可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の
厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
PEN)等のポリエステル樹脂ポリアクリロニトリル樹脂ポリイミド樹脂ポリメチ
メタクリレート樹脂ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES
)樹脂、ポリアミド樹脂シクロオレフィン樹脂ポリスチレン樹脂ポリアミドイミド
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが
好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いるこ
とができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に
混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。

0059

基板103としては、上記材料を用いた層が、発光装置の表面を傷などから保護するハー
ドコート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、ア
ラミ樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素子
寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。

0060

接着層105は、透光性を有し、少なくとも素子層101が有する発光素子の発する光を
透過する。また、接着層105の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。

0061

接着層105には、二液混合型の樹脂などの常温硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬
化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材
料が好ましい。

0062

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属酸化物酸化
カルシウム酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。

0063

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー酸化チタン等)を混合することにより、発光素
子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。

0064

また、接着層105には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着層
105には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる
。該粒子は光の散乱部材として機能する。

0065

樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が0.1以上あることが好ましく、
0.3以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、イミド樹脂シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン
、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。

0066

酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼオ
ライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上さ
せることができる。

0067

散乱部材として十分に機能させるため、粒子の粒径は可視光の波長よりも大きいことが好
ましい。また、一次粒径が可視光の波長より小さくても、これらが凝集した二次粒子を形
成することで散乱部材として機能させてもよい。具体的には粒子の粒径は0.05μm以
上5μm以下が好ましく、0.1μm以上2μm以下がより好ましい。また、接着層10
5の厚さの1/2より小さいことが好ましい。

0068

接着層105のヘイズ値が50%以下、より好ましくは30%以下、さらに好ましくは1
0%以下となるように、散乱部材を有することが好ましい。

0069

樹脂と粒子の混合比率は、樹脂の屈折率と、粒子の粒径および屈折率とにより適宜調整す
ることができるが、たとえば樹脂に対して1wt%以上10wt%以下とすることができ
る。

0070

発光素子が有する反射性導電膜が、等間隔で複数並ぶことになる。高精細化の進んだ発
光装置では、画素密度、すなわち解像度が250ppi以上、さらには300ppi以上
となることもある。このように微細な幅で、等間隔に反射性の導電膜が並ぶと、外部の光
が該導電膜で反射したとき、その反射光回折格子原理画面縞模様を発生させると
いう問題が生じる。また外部の景色が該導電膜で反射して画面に写り込んでしまうという
問題も生じる。

0071

接着層105が散乱部材を有することで、発光装置の外部の光が発光素子を構成する電極
で反射しても、その反射光は接着層105を通過する際に散乱する。そのため本発明の一
態様の発光装置において画面に縞模様を生じにくくさせることができる。また、外部の景
色の写り込みを抑制することができる。

0072

また、接着層105が散乱部材を有する構成とすると、基板103の外側に光を散乱させ
る構成を設ける場合に比べて、カラーフィルタから近い位置で光を散乱させることができ
る。そのため発光素子から取り出された光がぼけて発光装置の表示が不鮮明になることを
抑制できる。具体的には、カラーフィルタから光が取り出される側に100μm以下、よ
り好ましくは10μm以下、さらに好ましくは1μm以下の領域に散乱部材を有する層を
設けることが好ましい。これにより、発光がぼけて発光装置の表示が不鮮明になることを
抑制できる。

0073

このように接着層105が散乱部材を有する構成は、隣接する発光素子との距離が近く、
反射光により画面に縞模様が生じやすい高精細な発光装置、具体的には解像度が250p
pi以上、256ppi以上、または300ppi以上の発光装置により好適である。

0074

絶縁体107には、基板103や接着層105に用いることができる有機樹脂を用いるこ
とができる。また、無機絶縁膜を用いてもよい。絶縁体107の透光性の有無は問わない
。ただし、図2(C)のように、発光装置の光が取り出される面において、絶縁体107
が基板103を覆う場合は、透光性を有する絶縁材料を用いる。なお、基板103と絶縁
体107が接着剤等によって貼り合わされていてもよい。

0075

蓄電装置111は、電力を蓄える機能を有する蓄電池コンデンサを有する。例えば、ゲ
ル状電解質を用いるリチウムポリマー電池等のリチウム二次電池リチウムイオン電池
ニッケル水素電池ニカド電池有機ラジカル電池鉛蓄電池空気二次電池ニッケル
亜鉛電池、銀亜鉛電池などの二次電池や、大容量のコンデンサ(例えば、積層セラミック
コンデンサ、電気二重層コンデンサなど)を有する。

0076

保護層115には、例えば基板103と同様の材料を用いることができる。また、保護層
115の透光性の有無は問わない。厚さの薄い金属材料合金材料を用いてもよい。

0077

以上に示したように、本発明の一態様の発光装置は、基板の少なくとも一部が素子層側に
曲がっているため、破損しにくい。また、基板に有機樹脂等を用いることで、軽量な発光
装置を実現できる。したがって、本発明の一態様では、携帯性ハンドリング性が高い発
光装置を実現できる。

0078

また、本発明の一態様の発光装置では、接着層105に散乱部材を有することで、反射光
により画面に縞模様が発生することを抑制できる。縞模様の発生を抑制するために、円偏
光板等を設けることもできるが、円偏光板を設けると、発光素子から取り出される光量も
大幅に減少してしまう。すると発光装置として必要な輝度を得るためには発光素子の輝度
を上げることになり、発光装置の消費電力が増加する。本発明の一態様では、発光素子か
ら取り出される光量を低下させることなく縞模様の発生を抑制できる。したがって、本発
明の一態様を適用することで、光取り出し効率が高く、消費電力の低い発光装置とするこ
とができる。

0079

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

0080

(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図3図8を用いて説明する。

0081

<具体例1>
図3(A)に実施の形態1で例示した発光装置150(図2(B))の平面図を示し、図
3(A)における一点鎖線A1−A2間の断面図の一例を図3(B)に示す。

0082

図3(B)に示す発光装置は、素子層101、接着層105、基板103を有する。素子
層101は、基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、導電層1
57、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、封止層213、絶
縁層261、着色層259、遮光層257、及び絶縁層255を有する。

0083

導電層157は、接続体215を介してFPC108と電気的に接続する。

0084

発光素子230は、下部電極231、EL層233、及び上部電極235を有する。下部
電極231は、トランジスタ240のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。
下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はトップエミッ
ション構造である。上部電極235は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する

0085

発光素子230と重なる位置に、着色層259が設けられ、絶縁層211と重なる位置に
遮光層257が設けられている。着色層259及び遮光層257は絶縁層261で覆われ
ている。発光素子230と絶縁層261の間は封止層213で充填されている。

0086

発光装置は、光取り出し部104及び駆動回路部106に、トランジスタ240等の複数
のトランジスタを有する。トランジスタ240は、絶縁層205上に設けられている。絶
縁層205と基板201は接着層203によって貼り合わされている。また、絶縁層25
5と基板103は接着層105によって貼り合わされている。絶縁層205や絶縁層25
5に透水性の低い膜を用いると、発光素子230やトランジスタ240に水等の不純物が
侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。接着層203は、
接着層105と同様の材料を用いることができる。

0087

具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層205やトランジスタ240、発光素子
230を作製し、該作製基板を剥離し、接着層203を用いて基板201上に絶縁層20
5やトランジスタ240、発光素子230を転置することで作製できる発光装置を示して
いる。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層255、着色層259及び
遮光層257を作製し、該作製基板を剥離し、接着層105を用いて基板103上に絶縁
層255、着色層259及び遮光層257を転置することで作製できる発光装置を示して
いる。

0088

基板に、耐熱性が低い材料(樹脂など)を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけるこ
とが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。また、
発光装置の基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、基板と発光素子の間に、
高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では
、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性
の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それ
らを耐熱性の低い基板へと転置することで、信頼性の高い発光装置を作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光装置を実現でき
る。作製方法の詳細は後述する。

0089

基板103及び基板201には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。こ
れにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、基板103を
有機樹脂基板とし、基板201を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とすること
で、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光装置を実現
できる。

0090

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置
局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板
の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であるこ
とがより好ましい。

0091

また、基板201に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなること
を抑制でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板201を金属基
板と熱放射率の高い層(例えば、金属酸化物セラミック材料を用いることができる)の
積層構造としてもよい。

0092

<具体例2>
図4(A)に本発明の一態様の発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図
4(A)の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。なお、以下の各具体例では
、具体例1と同様の構成については説明を省略する。

0093

図4(A)に示す発光装置は、素子層101、接着層105、基板103を有する。素子
層101は、基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、絶縁層2
07、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217、封止層213、絶
縁層261、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電層281、導電層28
3、絶縁層291、絶縁層293、絶縁層295、及び絶縁層255を有する。

0094

具体例2では、絶縁層211上に絶縁層217を有する。絶縁層217を設けることで、
基板103と基板201の間隔を調整することができる。

0095

図4(A)では、絶縁層255及び封止層213の間に受光素子を有する例を示す。発光
装置の非発光領域(例えばトランジスタや配線が設けられた領域など、発光素子が設けら
れていない領域)に重ねて受光素子を配置することができるため、画素(発光素子)の開
口率を低下させることなく発光装置にタッチセンサを設けることができる。

0096

本発明の一態様の発光装置が有する受光素子には、例えば、pn型又はpin型のフォト
ダイオードを用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、p型半導体層2
71、i型半導体層273、及びn型半導体層275を有するpin型のフォトダイオ
ドを用いる。

0097

なお、i型半導体層273は、含まれるp型を付与する不純物及びn型を付与する不純物
がそれぞれ1×1020cm−3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100
倍以上である。i型半導体層273には、周期表第13族もしくは第15族の不純物元素
を有するものもその範疇に含む。すなわち、i型の半導体は、価電子制御を目的とした不
純物元素を意図的に添加しないときに弱いn型の電気伝導性を示すので、i型半導体層2
73は、p型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的
に添加されたものをその範疇に含む。

0098

遮光層257は、受光素子よりも基板201側に位置しており、受光素子と重なる。受光
素子と封止層213との間に位置する遮光層257によって、発光素子230の発する光
が受光素子に照射されることを抑制できる。

0099

導電層281及び導電層283は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層281
は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層283は、
受光素子に入射する光を遮る導電層を用いることが好ましい。

0100

光学式タッチセンサを基板103と封止層213の間に有すると、発光素子230の発光
の影響を受けにくく、S/N比を向上させることができるため、好ましい。

0101

<具体例3>
図4(B)に本発明の一態様の発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図
4(B)の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。

0102

図4(B)に示す発光装置は、素子層101、接着層105、基板103を有する。素子
層101は、基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、絶縁層2
07、絶縁層209a、絶縁層209b、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217
、封止層213、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電層280、導電層
281、及び絶縁層255を有する。

0103

図4(B)では、絶縁層205及び封止層213の間に受光素子を有する例を示す。受光
素子を絶縁層205及び封止層213の間に設けることで、トランジスタ240を構成す
る導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や
受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させる
ことなく、タッチ操作が可能な発光装置を作製できる。

0104

<具体例4>
図5(A)に本発明の一態様の発光装置の別の例を示す。図5(A)の発光装置は、タッ
チ操作が可能な発光装置である。

0105

図5(A)に示す発光装置は、素子層101、接着層105、基板103を有する。素子
層101は、基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、導電層1
56、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶
縁層217、封止層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、導電層272
、導電層274、絶縁層276、絶縁層278、導電層294、及び導電層296を有す
る。

0106

図5(A)では、絶縁層255及び封止層213の間に静電容量式のタッチセンサを有す
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。

0107

導電層156及び導電層157は、接続体215を介してFPC108と電気的に接続す
る。導電層294及び導電層296は、導電性粒子292を介して導電層274と電気的
に接続する。したがって、FPC108を介して静電容量式のタッチセンサを駆動するこ
とができる。

0108

<具体例5>
図5(B)に本発明の一態様の発光装置の別の例を示す。図5(B)の発光装置は、タッ
チ操作が可能な発光装置である。

0109

図5(B)に示す発光装置は、素子層101、接着層105、基板103を有する。素子
層101は、基板201、接着層203、絶縁層205、複数のトランジスタ、導電層1
56、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶
縁層217、封止層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、導電層270
、導電層272、導電層274、絶縁層276、及び絶縁層278を有する。

0110

図5(B)では、絶縁層255及び封止層213の間に静電容量式のタッチセンサを有す
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。

0111

導電層156及び導電層157は、接続体215aを介してFPC108aと電気的に接
続する。導電層270は、接続体215bを介してFPC108bと電気的に接続する。
したがって、FPC108aを介して発光素子230やトランジスタ240を駆動し、F
PC108bを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。

0112

<具体例6>
図6(A)に本発明の一態様の発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。

0113

図6(A)に示す発光装置は、素子層101、基板103、接着層105を有する。素子
層101は、基板202、絶縁層205、複数のトランジスタ、絶縁層207、導電層2
08、絶縁層209a、絶縁層209b、複数の発光素子、絶縁層211、封止層213
、及び着色層259を有する。

0114

発光素子230は、下部電極231、EL層233、及び上部電極235を有する。下部
電極231は、導電層208を介してトランジスタ240のソース電極又はドレイン電極
と電気的に接続する。下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子
230はボトムエミッション構造である。下部電極231は透光性を有し、EL層233
が発する光を透過する。

0115

発光素子230と重なる位置に、着色層259が設けられ、発光素子230が発する光は
、着色層259を介して基板103側に取り出される。発光素子230と基板202の間
は封止層213で充填されている。基板202は、前述の基板201と同様の材料を用い
て作製できる。

0116

<具体例7>
図6(B)に本発明の一態様の発光装置の別の例を示す。

0117

図6(B)に示す発光装置は、素子層101、接着層105、基板103を有する。素子
層101は、基板202、絶縁層205、導電層310a、導電層310b、複数の発光
素子、絶縁層211、導電層212、及び封止層213を有する。

0118

導電層310a及び導電層310bは、発光装置の外部接続電極であり、FPC等と電気
的に接続させることができる。

0119

発光素子230は、下部電極231、EL層233、及び上部電極235を有する。下部
電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はボトムエミッショ
ン構造である。下部電極231は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する。導
電層212は、下部電極231と電気的に接続する。

0120

基板103は、光取り出し構造として、半球レンズマイクロレンズアレイ凹凸構造
施されたフィルム光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レ
ンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着
剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板103を形成することができ
る。

0121

導電層212は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極231の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極235と電気
的に接続する導電層を絶縁層211上、EL層233上、又は上部電極235上などに設
けてもよい。

0122

導電層212は、銅、チタンタンタルタングステンモリブデンクロムネオジム
スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層212の膜厚は、
例えば0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.5
μm以下である。

0123

上部電極235と電気的に接続する導電層の材料にペースト銀ペーストなど)を用いる
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、例えば、絶縁層211上に該導電層を形成しても、EL層233
が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとること
が容易になり好ましい。

0124

<材料の一例>
次に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料等を説明する。基板103及
び接着層105については実施の形態1の記載を参酌できるため説明を省略する。また、
本実施の形態中で先に説明した構成についても説明を省略する。

0125

発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型トラン
スタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型
ボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導
体材料は特に限定されず、例えば、シリコンゲルマニウム等が挙げられる。または、I
n−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウムガリウム亜鉛のうち少なくとも一つ
を含む酸化物半導体を用いてもよい。

0126

トランジスタに用いる半導体材料結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体(微結晶半導体多結晶半導体単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

0127

発光装置が有する発光素子は、一対の電極(下部電極231及び上部電極235)と、該
一対の電極間に設けられたEL層233とを有する。該一対の電極の一方は陽極として機
能し、他方は陰極として機能する。

0128

発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッション
構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用
いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。

0129

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウムインジウム錫酸化物(ITO:I
ndium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金マグネシウム
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例え
ば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。

0130

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。

0131

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。

0132

下部電極231及び上部電極235の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、EL層233に陽極側から正孔注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はEL層233において再結合し、EL層233に含まれる発光物質が発光
する。

0133

EL層233は少なくとも発光層を有する。EL層233は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料電子輸送性の高い物質
電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質)等を含む層をさらに有していてもよい。

0134

EL層233には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。EL層233を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着
法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法塗布法等の方法で形成することができ
る。

0135

絶縁層205、絶縁層255には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透
水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光装置を実現できるため好ましい。

0136

絶縁層207は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。絶縁層207としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。

0137

絶縁層209、絶縁層209a、及び絶縁層209bとしては、それぞれ、トランジスタ
起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である
。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いること
ができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)等を用いること
ができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を用いた積層構造として
もよい。

0138

絶縁層211は、下部電極231の端部を覆って設けられている。絶縁層211の上層
形成されるEL層233や上部電極235の被覆性を良好なものとするため、絶縁層21
1の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。

0139

絶縁層211の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層211の作製が容易
となるため、ネガ型感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい

0140

絶縁層211の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法スパッタ法
蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷オフセット印刷
等)等を用いればよい。

0141

絶縁層217は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料等を用いて形成することができる。例え
ば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いるこ
とができる。また、絶縁層217にかえて、導電層を形成してもよい。例えば、金属材料
を用いて形成することができる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いる
ことができる。絶縁層217の代わりに導電層を用い、導電層と上部電極235とを電気
的に接続させる構成とすることで、上部電極235の抵抗に起因した電位降下を抑制でき
る。また、絶縁層217は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

0142

絶縁層276、絶縁層278、絶縁層291、絶縁層293、絶縁層295は、それぞれ
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層278や絶縁層295
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。

0143

封止層213には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬
化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、PVC(ポリビニルクロライド
樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビ
ニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を用いることができる
。封止層213に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層213を通過して発光素子
230の光が発光装置の外に取り出される場合は、封止層213に屈折率の高いフィラー
や散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材については
、接着層105に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。

0144

導電層156、導電層157、導電層294、及び導電層296は、それぞれ、トランジ
スタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電
層280は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。

0145

例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステ
ン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合
金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それ
ぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化イ
ンジウム(In2O3等)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、イ
ンジウム亜鉛酸化物(In2O3−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコ
ンを含ませたものを用いることができる。

0146

また、導電層208、導電層212、導電層310a及び導電層310bも、それぞれ、
上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。

0147

導電層272及び導電層274、並びに、導電層281及び導電層283は、透光性を有
する導電層である。例えば、酸化インジウム、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛
、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層270は導電層2
72と同一の材料、同一の工程で形成できる。

0148

導電性粒子292は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したもの
を用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。
またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子
を用いることが好ましい。

0149

接続体215としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。

0150

着色層259は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の
光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)の
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用い
ることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォト
リソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

0151

また、隣接する着色層259の間に、遮光層257が設けられている。遮光層257は隣
接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、
着色層259の端部を、遮光層257と重なるように設けることにより、光漏れを抑制す
ることができる。遮光層257は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、
金属材料や顔料染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図3
B)に示すように、遮光層257を駆動回路部106などの光取り出し部104以外の領
域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

0152

また、着色層259と遮光層257を覆う絶縁層261を設けると、着色層259や遮光
層257に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好ま
しい。絶縁層261は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることが
できる。絶縁層261に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。なお、絶縁層261
は不要であれば設けなくてもよい。

0153

<作製方法例>
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法を図7及び図8を用いて例示する。ここでは
、具体例1(図3(B))の構成の発光装置を例に挙げて説明する。

0154

まず、作製基板301上に剥離層303を形成し、剥離層303上に絶縁層205を形成
する。次に、絶縁層205上に複数のトランジスタ、導電層157、絶縁層207、絶縁
層209、複数の発光素子、及び絶縁層211を形成する。なお、導電層157が露出す
るように、絶縁層211、絶縁層209、及び絶縁層207は開口する(図7(A))。

0155

また、作製基板305上に剥離層307を形成し、剥離層307上に絶縁層255を形成
する。次に、絶縁層255上に遮光層257、着色層259、及び絶縁層261を形成す
る(図7(B))。

0156

作製基板301及び作製基板305としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファ
イア基板、セラミック基板金属基板などを用いることができる。

0157

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラスアルミノホウケイ酸ガラス
バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度
が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(B
aO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。

0158

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス
基板からの汚染を防止でき、好ましい。

0159

剥離層303及び剥離層307としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン
、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウムロジウム
、パラジウム、オスミウムイリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合
金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコン
を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶多結晶のいずれでもよい。

0160

剥離層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により形成できる。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

0161

剥離層が単層構造の場合、タングステン層モリブデン層、又はタングステンとモリブ
ンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸
化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステン
とモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タ
ングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当
する。

0162

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
酸素プラズマ処理亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁層との密着性を制御することが可能であ
る。

0163

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

0164

その後、作製基板305の着色層259等が設けられた面又は作製基板301の発光素子
230等が設けられた面に封止層213となる材料を塗布し、封止層213を介して該面
同士が対向するように、作製基板301及び作製基板305を貼り合わせる(図7(C)
)。

0165

そして、作製基板301を剥離し、露出した絶縁層205と基板201を、接着層203
を用いて貼り合わせる。また、作製基板305を剥離し、露出した絶縁層255と基板1
03を、接着層105を用いて貼り合わせる。図8(A)では、基板103が導電層15
7と重ならない構成としたが、導電層157と基板103が重なっていてもよい。

0166

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥
離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により
脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基
板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から
剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層
を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF3
、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金
酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を
含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を用
い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出
させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成され
た作製基板を機械的に除去又は溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスによる
エッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよ
い。

0167

また、上記剥離方法複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。

0168

また、剥離層と被剥離層との界面に液体浸透させて作製基板から被剥離層を剥離しても
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

0169

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過
酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

0170

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィンポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂
上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作
製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属
層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥
離を行ってもよい。

0171

最後に、絶縁層255及び封止層213を開口することで、導電層157を露出させる(
図8(B))。このときの平面図を図13(A)に示す。なお、基板103が導電層15
7と重なる構成の場合は、導電層157を露出させるために、基板103及び接着層10
5も開口する(図8(C))。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーシ
ン法、エッチング法イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層
157上の膜に鋭利刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥が
してもよい。

0172

以上により、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。

0173

以上に示したように、本発明の一態様の発光装置は、基板103と、基板201又は基板
202と、の2枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、2枚
の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率の向
上や表示の鮮明さの向上が容易となる。

0174

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

0175

(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図9を用いて説明する。

0176

図9に示す発光装置は、基板401、トランジスタ240、発光素子230、絶縁層20
7、絶縁層209、絶縁層211、絶縁層217、空間405、絶縁層261、遮光層2
57、着色層259、受光素子(p型半導体層271、i型半導体層273、及びn型半
導体層275を有する)、導電層281、導電層283、絶縁層291、絶縁層293、
絶縁層295、及び基板403を有する。

0177

該発光装置は、基板401及び基板403の間に、発光素子230及び受光素子を囲むよ
うに枠状に配置された接着層(図示しない)を有する。該接着層、基板401及び基板4
03によって、発光素子230は封止されている。

0178

本実施の形態の発光装置では、基板403が透光性を有する。発光素子230の発する光
は、着色層259、基板403等を介して、大気に取り出される。

0179

本実施の形態の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。具体的には、受光素子
を用いて、基板403の表面への被検出物近接又は接触を検知できる。

0180

光学式タッチセンサは、被検出物が接触する表面に傷等がついても検出精度に影響が無い
ため、耐久性が高く好ましい。また、光学式タッチセンサは、非接触によるセンシング
可能である、表示装置に適用しても画像の鮮明さが低下しない、大型の発光装置や表示装
置への適用が可能である等の利点もある。

0181

光学式タッチセンサを基板403と空間405の間に有すると、発光素子230の発光の
影響を受けにくく、S/N比を向上させることができるため、好ましい。

0182

遮光層257は受光素子よりも基板401側に位置しており、受光素子と重なる。遮光層
257によって、発光素子230の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる。

0183

基板401及び基板403に用いる材料に特に限定はない。発光素子からの光を取り出す
側の基板には該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英セラミック、サファ
イア、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光を取り出さない側の基板は、透光
性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属材料や合金材料を用いた
金属基板等を用いることもできる。また、基板401及び基板403には、先の実施の形
態で例示した基板の材料も用いることができる。

0184

発光装置の封止方法は限定されず、例えば、固体封止であっても中空封止であってもよい
。例えば、封止材として、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの
常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることがで
きる。空間405は、窒素やアルゴンなどの不活性気体で充填されていてもよく、封止
層213と同様の樹脂等で充填されていてもよい。また、樹脂内に前述の乾燥剤、屈折率
の高いフィラー、又は散乱部材が含まれていてもよい。

0185

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

0186

本実施例では、本発明の一態様の発光装置について説明する。

0187

本実施例では、まず、素子層101、接着層105、及び基板103を積層した。これら
の積層構造の厚さは140μmであった。そして、基板103の端部及び素子層101の
端部を、発光装置の光が取り出される面と対向する面側に曲げた。その後、絶縁体107
を設けた。絶縁体107が、素子層101、基板103、及び接着層105の側面を覆う
ことで、素子層101に水分等の不純物が侵入することを抑制できる。また、絶縁体10
7により、素子層101とFPC108の接続部119を補強することで、発光装置の信
頼性を高めることができる。

0188

本実施例で作製した発光装置の平面図を図10(A)に示し、図10(A)の一点鎖線A
3−A4間及びA5−A6間の断面図を図10(B)に示す。

0189

なお、本実施例で作製した発光装置において、実施の形態2で説明した具体例2(図4
A))と同様の構成については、説明を省略する場合がある。

0190

本実施例の発光装置は、図10(A)に示すように、光取り出し部104、接続部112
ゲート線駆動回路113、ゲートパッド部114、ソースパッド部116、接続部11
9、ソース線駆動回路用のIC118、FPC108を有する。

0191

図10(B)に示す光取り出し部104の構成は、図4(A)と同様であるため、説明を
省略する。

0192

図10(B)に示す接続部112では、発光素子230の下部電極231と同一の材料、
同一の工程で作製された導電層234と上部電極235が積層され、電気的に接続してい
る。上部電極235は、絶縁層211の開口部で導電層234と接続している。

0193

図10(B)に示すゲートパッド部114では、トランジスタ240のゲート電極と同一
の材料、同一の工程で作製されたゲートライン241と、トランジスタ240のソース
極及びドレイン電極と同一の材料、同一の工程で作製された導電層244と、発光素子2
30の下部電極231と同一の材料、同一の工程で作製された導電層232と、が積層さ
れ、電気的に接続している。導電層244は、ゲート絶縁膜242の開口部でゲートライ
ン241と接続している。導電層232は、絶縁層207及び絶縁層209の開口部で導
電層244と接続している。

0194

ゲートラインの端部に位置するゲートパッド部114や、ソースラインの端部に位置する
ソースパッド部116は、トランジスタの検査工程や、発光装置の不良解析に用いること
ができる。例えば、ゲートパッド部114では、ゲート線駆動回路113からゲートライ
ンに信号が正常に入力されているか、を確認することができる。

0195

導電層232上には、絶縁層211及び絶縁層217を介して発光素子230の上部電極
235が設けられている。ここで、絶縁層211及び絶縁層217の膜厚が小さいと、導
電層232と上部電極235が接続し、ショートしてしまう場合がある。したがって、導
電層232と上部電極235を電気的に絶縁する絶縁層の厚さは十分に大きいことが好ま
しい。

0196

図11に、ゲートパッド部114の断面をSTEM(Scanning Transmi
ssion Electron Microscopy)で観察した結果を示す。

0197

点線で囲った領域に示す通り、導電層232と上部電極235が、絶縁層211及び絶縁
層217の積層構造により電気的に絶縁されていることがわかる。これにより、導電層2
32と上部電極235のショートを抑制し、発光装置の線欠陥を低減することができる。
なお、絶縁層211と絶縁層217に同一の材料を用いたため、図11では、絶縁層21
1と絶縁層217の境界不明瞭となっている。絶縁層211と絶縁層217は異なる材
料で形成されていてもよい。

0198

図12(A)に示すように、上記発光装置(図10(A)、(B))の端部を、素子層1
01側に曲げた。図13(B)に一点鎖線で示すように、曲げ線は基板の辺に平行である
。ここでは、基板103、接着層105、及び素子層101の端部を、素子層101側に
曲げた。側面の曲率半径は4mmとした。また、図13(B)に示すように、発光部(光
取り出し部104)の一部を曲げ、発光装置が側面においても発光する構成とした。

0199

なお、図13(C)に示すように、素子層101の基板103と重ならない領域の幅を基
板103よりも狭くし、基板103と重なる領域のみ、素子層101の端部を曲げてもよ
い。また、素子層101全体の幅を基板103よりも狭くし、素子層101は曲げない構
成としてもよい。

0200

また、図12(A)に示す発光装置の裏側(つまり光を取り出す側)の平面図を図13
D)に示す。

0201

そして、図12(A)に示す形状に変形させた発光装置を、図12(B)に示す型299
に入れて固定した。型は、1つのパーツからなる構成に限定されず、例えば、図12(C
)に示すように、複数のパーツで構成されていてもよい。

0202

型299に発光装置を入れた状態(図12(D))で、型299に樹脂を注ぎ、樹脂を硬
化させることで絶縁体107を形成した。本実施例では、樹脂として可視光を透過するエ
キシ樹脂を用いた。

0203

絶縁体107は、図2(A)に示すように、素子層101の下面(発光装置の光が取り出
される面と対向する面)側にのみ形成してもよいし、図2(C)に示すように、発光装置
の光が取り出される面を覆っていてもよい。例えば、発光装置の光が取り出される面では
、発光装置の光取り出し効率の低下を抑制するため、光取り出し部104と重なる領域に
は絶縁体107を形成しないことが好ましい。

0204

例えば、基板103の表面を保護するセパレートフィルムをつけたまま絶縁体107を形
成し、その後セパレートフィルムを剥離することで、発光装置の光が取り出される面の、
光取り出し部104と重なる領域に絶縁体107が形成されることを抑制できる。

0205

また、発光装置の光が取り出される面側にある、FPC108の圧着部を補強するために
、接続部119と重なる領域には絶縁体107を形成することが好ましい。なお、絶縁体
107とは異なる樹脂やテープ等で圧着部を補強してもよい。

0206

以上により、発光装置の光が取り出される面側にある基板の少なくとも一部が、素子層側
に曲がっている本発明の一態様の発光装置を作製した(図12(E))。

0207

図12(E)に示す発光装置の光を取り出す側の平面図を図13(E)に示す。なお、絶
縁体107が発光装置の光が取り出される面を覆う場合の、発光装置の光を取り出す側の
平面図を図13(F)に示す。

0208

図14(A)、(B)に実際に作製した本発明の一態様の発光装置を示す。該発光装置の
厚さは8000μmであった。

0209

また、本発明の一態様の発光装置は、側面を用いた表示と、側面を用いない表示(正面の
みの表示)を切り替えることができる構成としてもよい。また、側面と正面でそれぞれ独
立に表示をしてもよいし、側面と正面で一つの画像を表示してもよいし、これらが切り替
え可能であってもよい。

0210

また、基板103の一つの側面において、側面を含む端部が素子層101側に曲がってい
る例を図15に示す。図15(A)に本発明の一態様の発光装置160を3方向から見た
斜視図を示す。

0211

このような発光装置を用いた携帯情報端末300を図15(B)〜(D)に示す。図15
(B)は、携帯情報端末300の外形を説明する斜視図である。図15(C)は、携帯
報端末300の上面図である。図15(D)は、携帯情報端末300の使用状態を説明す
る図である。

0212

携帯情報端末300は、例えば電話機電子手帳、又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ
又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。

0213

携帯情報端末300は、文字画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば
、3つの操作ボタン109を一の面に表示することができる(図15(B))。また、破
線の矩形で示す情報117を他の面に表示することができる(図15(C))。なお、情
報117の例としては、SNS(ソーシャルネットワーキングサービス)からの通知
内容、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名、電子メール
などの送信者名、日時、時刻バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または
、情報117が表示されている位置に、情報117の代わりに、操作ボタン109、アイ
コンなどを表示してもよい。なお、図15(B)、(C)では、上側に情報117が表示
される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図17(A)、
(B)に示すように、横側に表示されていてもよい。

0214

図15(C)に示すように、携帯情報端末300は、側面に表示を行うことができるため
使用者は、例えば洋服胸ポケットに携帯情報端末300を収納した状態で、その表示
を確認することができる(図15(D))。

0215

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末300の上方
から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末300をポケットから取り出す
ことなく、表示を確認することができる。これにより、例えば緊急の要件であれば電話を
受け、不要の要件であれば着信を拒否することができる。

0216

なお、携帯情報端末300は、振動センサ等と、当該振動センサ等に検知された振動に基
づいて、着信を拒否するモードに移行するプログラムを記憶した記憶装置を備えることが
できる。これにより、使用者は携帯情報端末300を服の上から軽く叩いて振動を与える
ことにより着信を拒否するモードに移行させることができる。

実施例

0217

図16(A)、(B)に実際に作製した本発明の一態様の発光装置を示す。なお、素子層
101、接着層105、及び基板103の構成は、図10(A)、(B)と同様である。

0218

100発光装置
101素子層
103基板
104光取り出し部
105接着層
106駆動回路部
107絶縁体
108FPC
108a FPC
108b FPC
109 操作ボタン
110 発光装置
111蓄電装置
112 接続部
113ゲート線駆動回路
114ゲートパッド部
115 保護層
116ソースパッド部
117 情報
118 IC
119 接続部
120 発光装置
130 発光装置
140 発光装置
150 発光装置
156導電層
157 導電層
160 発光装置
201 基板
202 基板
203 接着層
205絶縁層
207 絶縁層
208 導電層
209 絶縁層
209a 絶縁層
209b 絶縁層
211 絶縁層
212 導電層
213封止層
215接続体
215a 接続体
215b 接続体
217 絶縁層
230発光素子
231 下部電極
232 導電層
233EL層
234 導電層
235 上部電極
240トランジスタ
241ゲートライン
242ゲート絶縁膜
244 導電層
255 絶縁層
257遮光層
259着色層
261 絶縁層
270 導電層
271p型半導体層
272 導電層
273 i型半導体層
274 導電層
275n型半導体層
276 絶縁層
278 絶縁層
280 導電層
281 導電層
283 導電層
291 絶縁層
292導電性粒子
293 絶縁層
294 導電層
295 絶縁層
296 導電層
301作製基板
303剥離層
305 作製基板
307 剥離層
310a 導電層
310b 導電層
401 基板
403 基板
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