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技術 積層半導体装置を製造する製造方法、トリミングする領域の大きさを決定する決定方法、電極を形成する位置を決定する決定方法、積層半導体装置を製造する製造システム、トリミング装置、および積層装置

出願人 株式会社ニコン
発明者 釜下敦
出願日 2019年2月14日 (1年9ヶ月経過) 出願番号 2019-024038
公開日 2020年8月31日 (2ヶ月経過) 公開番号 2020-136329
状態 未査定
技術分野 洗浄、機械加工 半導体装置の製造処理一般
主要キーワード トリミング幅 トリミングブレード マージンα テーブル支 垂直フレーム 水平フレーム 活性化装置 ブランク領域
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (20)

課題

安価なコストで積層半導体装置ボイドを除去する。

解決手段

第1の基板と第2の基板とを積層して積層半導体装置を製造する製造方法であって、第1の基板と第2の基板とを積層する積層工程と、積層工程の後に、第1の基板と第2の基板の間気泡の位置に基づいて、第1の基板および第2の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングするトリミング工程とを含む。トリミング工程においてトリミングする領域の大きさは、上記気泡のうち少なくとも一部の気泡が除去される大きさであってもよい。

概要

背景

互に積層される基板の表面に対して特定の気体を供給しつつ基板を積層することにより、積層された基板の周縁部にボイドが発生するのを抑制するものがある(例えば、特許文献1を参照)。しかしながら、この場合には特定の気体を供給するための機構を設ける必要があり、積層された基板の製造コストが嵩んでいた。
特開2015−041744号公報

概要

安価なコストで積層半導体装置のボイドを除去する。第1の基板と第2の基板とを積層して積層半導体装置を製造する製造方法であって、第1の基板と第2の基板とを積層する積層工程と、積層工程の後に、第1の基板と第2の基板の間気泡の位置に基づいて、第1の基板および第2の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングするトリミング工程とを含む。トリミング工程においてトリミングする領域の大きさは、上記気泡のうち少なくとも一部の気泡が除去される大きさであってもよい。

目的

効果

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請求項1

第1の基板と第2の基板とを積層して積層半導体装置を製造する製造方法であって、前記第1の基板と前記第2の基板とを積層する積層工程と、前記積層工程の後に、前記第1の基板と前記第2の基板の間気泡の位置に基づいて、前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングするトリミング工程と、を含む製造方法。

請求項2

前記トリミング工程において前記トリミングする領域の大きさは、前記気泡のうち少なくとも一部の気泡が除去される大きさである請求項1に記載の製造方法。

請求項3

前記積層工程より前に、前記トリミングする領域よりも内側に、少なくとも1つの金属製の電極を形成するとともに、前記トリミングする領域内には前記電極を形成しない、電極形成工程をさらに含む請求項2に記載の製造方法。

請求項4

前記トリミング工程の後に、前記トリミングされた基板を薄化する薄化工程と、前記トリミングされた基板における薄化した面に第3の基板を積層する第2の積層工程と、前記トリミングされた基板と前記第3の基板を積層した後に、前記トリミングされた基板と前記第3の基板の間の気泡の位置に基づいて、前記トリミングされた基板および前記第3の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングする第2のトリミング工程とをさらに含む請求項3に記載の製造方法。

請求項5

前記第2のトリミング工程でトリミングする領域は、前記トリミング工程でトリミングする領域よりも小さい請求項4に記載の製造方法。

請求項6

前記トリミングする領域の大きさは、前記気泡の位置と、金属製の電極の位置とに応じて設定される請求項2から5のいずれか1項に記載の製造方法。

請求項7

前記トリミングする領域の大きさは、前記トリミングされる基板の周縁から前記領域までの距離が、前記周縁からの前記気泡の距離よりも大きく、前記電極が形成されない領域の前記周縁からの距離よりも小さくなるように設定される請求項6に記載の製造方法。

請求項8

積層された第1の基板および第2の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングする領域の大きさを決定する決定方法であって、前記第1の基板と前記第2の基板の間の気泡の位置に基づいて、トリミングする領域の大きさを決定する決定方法。

請求項9

前記第1の基板と前記第2の基板の間の気泡のうち少なくとも一部の気泡が除去される領域をトリミングする領域として決定する請求項8に記載の決定方法。

請求項10

積層される第1の基板および第2の基板の少なくとも一方に電極を形成する位置を決定する決定方法であって、前記第1の基板と前記第2の基板とを積層した場合に前記第1の基板と前記第2の基板との間に生じる気泡の位置を予測するステップと、前記予測した前記気泡の位置に基づいて、前記電極を形成する位置を決定するステップと、を含む決定方法。

請求項11

前記第1の基板と前記第2の基板の間の気泡のうち少なくとも一部の気泡の位置よりも内側を、前記電極を形成する位置として決定する請求項10に記載の決定方法。

請求項12

第1の基板と第2の基板とを積層して積層半導体装置を製造する製造システムであって、前記第1の基板と前記第2の基板とを積層する積層装置と、積層の後に、前記第1の基板と前記第2の基板の間の気泡の位置に基づいて、前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングするトリミング装置と、を含む製造システム。

請求項13

積層された第1の基板および第2の基板の少なくとも一方の周縁部を、前記第1の基板と前記第2の基板の間の気泡の位置に基づいてトリミングするトリミング装置。

請求項14

第1の基板と第2の基板とを積層した場合に予測される前記第1の基板と前記第2の基板との間の気泡の位置に基づいて電極が形成された前記第1の基板と前記第2の基板とを積層する積層装置。

技術分野

0001

本発明は、積層半導体装置を製造する製造方法、トリミングする領域の大きさを決定する決定方法電極を形成する位置を決定する決定方法、積層半導体装置を製造する製造システムトリミング装置、および積層装置に関する。

背景技術

0002

互に積層される基板の表面に対して特定の気体を供給しつつ基板を積層することにより、積層された基板の周縁部にボイドが発生するのを抑制するものがある(例えば、特許文献1を参照)。しかしながら、この場合には特定の気体を供給するための機構を設ける必要があり、積層された基板の製造コストが嵩んでいた。
特開2015−041744号公報

0003

本発明の第1の態様においては、積層半導体装置を製造する製造方法が提供される。積層半導体装置を製造する製造方法は、第1の基板と第2の基板とを積層して積層半導体装置を製造する製造方法であって、第1の基板と第2の基板とを積層する積層工程と、積層工程の後に、第1の基板と第2の基板の間気泡の位置に基づいて、第1の基板および第2の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングするトリミング工程とを含む。

0004

本発明の第2の態様においては、トリミングする領域の大きさを決定する決定方法が提供される。トリミングする領域の大きさを決定する決定方法は、積層された第1の基板および第2の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングする領域の大きさを決定する決定方法であって、第1の基板と第2の基板の間の気泡の位置に基づいて、トリミングする領域の大きさを決定する。

0005

本発明の第3の態様においては、電極を形成する位置を決定する決定方法が提供される。電極を形成する位置を決定する決定方法は、積層される第1の基板および第2の基板の少なくとも一方に電極を形成する位置を決定する決定方法であって、第1の基板と第2の基板とを積層した場合に第1の基板と第2の基板との間に生じる気泡の位置を予測するステップと、予測した気泡の位置に基づいて、電極を形成する位置を決定するステップと、を含む。

0006

本発明の第4の態様においては、積層半導体装置を製造する製造システムが提供される。積層半導体装置を製造する製造システムは、第1の基板と第2の基板とを積層する積層装置と、積層の後に、第1の基板と第2の基板の間の気泡の位置に基づいて、第1の基板および第2の基板の少なくとも一方の周縁部をトリミングするトリミング装置と、を含む。

0007

本発明の第5の態様においては、トリミング装置が提供される。トリミング装置は、積層された第1の基板および第2の基板の少なくとも一方の周縁部を、第1の基板と第2の基板の間の気泡の位置に基づいてトリミングする。

0008

本発明の第6の態様においては、積層装置が提供される。積層装置は、第1の基板と第2の基板とを積層した場合に予測される前記第1の基板と前記第2の基板との間の気泡の位置に基づいて電極が形成された前記第1の基板と前記第2の基板とを積層する。

0009

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群サブコンビネーションもまた、発明となりうる。

図面の簡単な説明

0010

実施の形態1における基板101の概略構成を示す平面図である。
積層基板120の概略構成を示す縦断面図である。
積層基板120の概略構成を示す平面図である。
積層半導体装置の製造工程を示す図である。
積層基板120のトリミング工程後の概略構成を示す平面図である。
積層半導体製造装置200の概略構成を示す図である。
積層装置300の概略構成を示す縦断面図である。
積層装置300の動作を示すフローチャートである。
積層装置300の概略構成を示す縦断面図である。
積層装置300の概略構成を示す縦断面図である。
積層装置300の概略構成を示す縦断面図である。
積層装置300の概略構成を示す縦断面図である。
積層基板120の概略構成を示す縦断面図である。
トリミング装置400の概略構成を示す側面図である。
トリミング装置400によりトリミングされる積層基板120の一例を示す。
距離L1、トリミング幅L2、および電極非形成幅L3の関係を示す図である。
トリミング幅L2および電極非形成幅L3を決定する処理を示すフローチャートである。
研磨装置500の概略構成を示す側面図である。
実施の形態2における積層半導体装置の製造工程を示す図である。
実施の形態3における積層半導体装置の製造工程を示す図である。

実施例

0011

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施の形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

0012

[実施の形態1]
図1は、実施の形態1における基板101の概略構成を示す平面図である。基板101は、複数の素子領域106と、ノッチ107と、複数のアライメントマーク108と、スクライブライン109と、を有する。

0013

基板101は、例えば、シリコン単結晶基板に、ウエハプロセス装置で複数の素子領域106を形成して作製される。また、基板101の材料として、Geを添加したSiGe基板、Ge単結晶基板、III−V族またはII−VI族等の化合物半導体ウエハを用いてもよい。

0014

複数の素子領域106は、基板101の表面に周期的に配される。素子領域106の各々には、フォトリソグラフィ技術等より形成された半導体装置が配置される。また、素子領域106には、基板101を他の基板やリードフレーム電気的に接続する場合に接続電極となるパッドバンプ等も配される。接続電極は例えば銅などの導電体により形成され、基板101の表面上に露出していてもよいし、酸化膜で覆われていてもよい。ノッチ107は、基板101の結晶配向性等を示す指標として設けられる。したがって、ノッチ107の位置を検出することにより、基板101における素子領域106の方向を検知できる。

0015

アライメントマーク108は、素子領域106が形成されていないブランク領域に配され、基板101を位置合わせする場合の指標となる。ブランク領域には、素子領域106を切り分けてダイにする過程で切断されるスクライブライン109も配される。スクライブライン109は、基板101をダイシングする過程で代となって消滅するので、アライメントマーク108を設けることにより、基板101の利用効率を損ねることなくアライメントマーク108を設けることができる。

0016

図2は、基板101と基板102とが積層された積層基板120の概略構成を示す縦断面図である。図3は、積層基板120を基板101の側からみた平面図である。基板102は、基板101と対応する構成を有する。対応する構成の例として、基板102が、基板101と同じ構成であってもよいし、基板101の素子領域106の各々に重なる素子領域を有するが異なる機能の半導体装置を有したものであってもよい。

0017

図2に示すように、積層基板120の基板101と基板102の間にはボイド110が発生することがある。ボイド110は、基板101、102を積層する過程において発生する気泡である。ボイド110は、例えば、基板101、102の周縁部が平坦ではないことにより、積層の過程で当該平坦ではない部分に空気等の気体が残ることで発生する。また、ボイド110は、基板101、102の積層の過程で、基板101、102の中央部分から周縁部に向かって基板101、102間を移動した気体が周縁部から外方に急激に押し出されることにより、断熱膨張による結露が生じることによっても発生する。

0018

なお、「周縁部」とは、基板101、102の周縁から径方向内側に所定の距離の範囲を占める部分をいう。基板101、102の「周縁」とは、基板101、102の径方向の端部をいう。所定の距離とは、例えば、1mm〜3mmである。基板101の周縁の位置と基板102の周縁の位置とが異なる場合には、「周縁部」は、いずれか一方の基板の周縁から所定の距離の範囲を占める部分でもよいし、二つの基板101,102の周縁の中間の位置から所定の距離の範囲を占める部分でもよい。

0019

図2及び図3の例では、ボイド110は、積層基板120の周縁から一定の距離L1に円弧上に多数発生している。さらに、積層基板120の周縁から距離L1よりも内側の位置にも多少のボイド111が発生している。積層基板120がボイド110、111を含んでいると、ボイド110、111の発生個所から剥離するおそれがある。そこで、本実施形態では、積層基板120の周縁部をトリミングすることにより、複数のボイド110、111のうちの少なくとも一部を除去する。

0020

図4は、積層半導体装置の製造工程を示す図である。図4(a)は積層工程後の積層基板120を示し、図4(b)はトリミング工程後の積層基板120を示し、図4(c)は薄化工程後の積層基板120を示す。図5は、図4(c)の積層基板120を基板101の側から見た平面図である。

0021

積層工程において、基板101と基板102とが積層される。これにより積層基板120が形成される。図4(b)に示すように、積層工程時に図2および図3で説明したボイド110、111が発生している。

0022

トリミング工程において、基板101と基板102の間のボイド110の位置に基づいて、基板101および基板102の少なくとも一方の周縁部をトリミングする。図4(b)の例においては、積層基板120のうち基板101の周縁部が厚み方向全体にわたって取り除かれるとともに、基板102の周縁部が厚み方向の一部だけ取り除かれている。トリミングされる積層基板120の径方向の幅であるトリミング幅L2は、基板101と基板102の間の複数のボイド110の位置に基づいて設定される。図4(b)の例で、トリミングする領域の大きさであるトリミング幅L2は、基板101と基板102の間の複数のボイド110、111のうち少なくとも一部のボイド110が除去される幅である。

0023

薄化工程において、積層基板120のうち基板101の露出している側が研磨されて、薄化される。付言すれば、薄化される基板101は、積層基板120のうちトリミング工程で厚み方向全体にわたって周縁部が取り除かれた基板である。

0024

以上の通り、実施の形態1では、積層工程、トリミング工程、および、薄化工程をこの順序で行う。これにより、図4(b)および図5に示すように、トリミング工程において積層基板120に生じたボイド110が除去される。なお、図5に示す例においては、トリミング幅L2よりも径方向内側にあるボイド111については、除去されていないが、後述する方法でトリミング幅L2を決定するときに、ボイド111を除去するようにトリミング幅L2を決定してもよい。

0025

積層半導体装置は、その後個片化されてパッケージ化される。なお、図2から図5は工程の順序を説明するものであって、各工程、上記距離L1、トリミング幅L2等の詳細については後述する。

0026

図6は、積層半導体製造装置200の概略構成を示す図である。積層半導体製造装置200は、搬送装置210と、積層装置300と、トリミング装置400と、研磨装置500と、基板収納部600と、制御部700とを備える。

0027

搬送装置210は、複数の腕部211と、把持部212とを有する。複数の腕部211は、その接続部においてアクチュエータを備えており、アクチュエータの作用により、把持部212で把持した基板101(または基板102、以下、特にことわらない限り図6の説明について同様)を回転もしくは進退させ、各装置に搬入し、もしくは各装置から搬出する。搬送装置210は、把持部212の付け根にもアクチュエータを備えており、把持部212が基板101を保持した状態で、把持部212を回転させ、基板101を反転させることができる。

0028

把持部212は、基板101を吸着可能なように真空、負圧による吸引部を備えており、この吸引部による吸引を制御することにより基板101を着脱する。なお、把持部212による把持は、吸引に限らず、例えば静電吸着により吸着するように構成してもよい。搬送装置210は、以上のような動作により、基板101を各装置間で搬送し、かつ、上向きもしくは下向きである予定された向きで各装置に引き渡すことができる。

0029

基板収納部600は、基板101を単体ストックする基板カセットや、基板ホルダ220を単体で、もしくは基板101を載置したままの状態でストックする基板ホルダラックを備える。加工前の基板101は、外部装置より基板収納部600に搬入され、同様に、加工後の基板101は、基板収納部600より外部装置へ搬出される。基板収納部600は、加工の途中段階の基板101を一時的に保管する場所としての機能も有する。

0030

基板収納部600に収容された一対の基板101、102は、搬送装置210によって積層装置300内に搬入される。積層装置300は、搬入された一対の基板101、102を積層して接合する。積層された積層基板120は、搬送装置210によって積層装置300から搬出され、トリミング装置400内に搬入される。トリミング装置400は、積層基板120の周縁部をトリミング幅L2でトリミングする。

0031

トリミングされた基板101は、搬送装置210によってトリミング装置400から搬出され、研磨装置500内に搬入される。研磨装置500では、基板101を所定の厚さになるまで研磨して薄化する。研磨装置500によって薄化された基板101は、搬送装置210によって基板収納部600に搬入される。

0032

制御部700は、搬送装置210、積層装置300、トリミング装置400、研磨装置500、および基板収納部600における動作を制御することによって、積層半導体製造装置200全体の動作を制御する。

0033

図7は、積層装置300の概略構成を示す縦断面図である。積層装置300は、枠体310と、上ステージ322と、下ステージ332とを有する。

0034

枠体310は、水平な床面301に対して平行な底板312および天板316と、床板に対して垂直な複数の支柱314とを有する。底板312、支柱314および天板316は、積層装置300の他の部材を収容する直方体の枠体310を形成する。

0035

上ステージ322は、天板316の図中下面に、下向きに固定される。上ステージ322は、真空チャック静電チャック等の保持機能を有し、基板101を保持した基板ホルダ220を保持できる。

0036

天板316の下面には、顕微鏡324、活性化装置326が上ステージ322の側方に固定される。顕微鏡324は、後述する下ステージ332に保持された基板101の上面を観察できる。活性化装置326は、下ステージ332に保持された基板101の上面を清浄化するプラズマを発生する。

0037

下ステージ332は、底板312の上面に配されたX方向駆動部331に重ねられたY方向駆動部333の図中上面に搭載される。X方向駆動部331は、底板312と平行に、図中に矢印Xで示す方向に移動する。Y方向駆動部333は、X方向駆動部331上で、底板312と平行に、図中に矢印Yで示す方向に移動する。これら、X方向駆動部331およびY方向駆動部333の移動を組み合わせることにより、下ステージ332は、底板312と平行に、二次元的に移動できる。

0038

また、下ステージ332は、底板312に対して垂直に、矢印Zで示す方向に昇降する昇降駆動部338により支持される。これにより、下ステージ332は、Y方向駆動部333に対して昇降できる。

0039

Y方向駆動部333には、顕微鏡334および活性化装置326が、それぞれ下ステージ332の側方に更に搭載される。顕微鏡334は、上ステージ322に保持された下向きの基板101の下面を観察できる。活性化装置336は、上ステージ322に保持された基板101の下面を清浄化するプラズマを発生する。

0040

また更に、Y方向駆動部333は、下ステージ332を貫通して垂直に昇降する複数のプッシュアップピン339を有する。プッシュアップピン339は、下ステージ332から図中上方に突出した場合に、基板ホルダ220の縁部224を支持して、基板101および基板ホルダ220を下ステージ332に対して昇降させる。

0041

図8は、積層装置300の動作を示すフローチャートである。図9から図12は、積層装置300の概略構成を示す縦断面図である。

0042

一対の基板101、102を積層する場合、まず、搬送装置210が、基板収納部600から積層装置300に基板101、102を搬入する(S101)。

0043

搬送装置210は、基板101および基板ホルダ220を反転させて、基板101が基板ホルダ220の下面に保持された状態で、下ステージ332から上方に突出したプッシュアップピン339の上端に載せる。

0044

次に、プッシュアップピン339が上昇して、基板ホルダ220の上面を上ステージ322の下面に向かって押し付ける。更に、真空チャック、静電チャック等の保持機構の動作により、上ステージ322は基板ホルダ220および基板101を保持する。

0045

次に、搬送装置210は、上面に基板101を保持した他の基板ホルダ220を下ステージ332のプッシュアップピン339に受け渡し、次いで、プッシュアップピン339が下降する。更に、真空チャック、静電チャック等の保持機構の動作により、下ステージ332は基板ホルダ220および基板102を保持する。

0046

次に、制御部700は、顕微鏡324、334を較正する(S102)。まず、下ステージ332を搭載したX方向駆動部331およびY方向駆動部333を移動させることにより、顕微鏡324、334が互いを観察できる状態にする。これにより、顕微鏡324、334の位置が相互に一致した場合の、下ステージ332の位置を検出する。制御部700は、この状態の下ステージ332の位置を初期位置として記憶して、下ステージ332の移動量を制御する場合の基準とする。

0047

次に、顕微鏡324、334で、基板101、102の各々におけるアライメントマーク108の位置を検出する(S103)。即ち、図9に示すように、下ステージ332を移動させながら顕微鏡324、334により基板101、102を観察して、基板101、102の各々に設けられたアライメントマーク108の位置を検出する。

0048

次いで、制御部700は、顕微鏡324、334の各々と上ステージ322または下ステージ332との相対位置が予め判っているので、アライメントマーク108を検出した時点の下ステージ332の位置に基づいて、一対の基板101、102の相対位置を算出して記憶する。制御部700は、ステップS102において検出した初期位置と、ステップS103において検出した基板101、102の相対位置とに基づいて、一対の基板101、102のアライメントマーク108の位置ずれ量が閾値以下となる下ステージ332の移動量を算出する。

0049

次に、基板101の位置合わせをさせる場合の上方を保持したまま、X方向駆動部331およびY方向駆動部333が動作して、下ステージ332の位置を初期位置にリセットする(S104)。これにより、上ステージ322と下ステージ332は、互いにずれた位置に移動する。

0050

次に、一対の基板101、102の各々の接合面を活性化する(S105)。即ち、図10に示すように、活性化装置326、336を動作させながら、図中に矢印Sで示すように下ステージ332を水平に移動させて、活性化装置326、336により走査することにより、基板101、102の接合面全体を活性化する。なお、基板101に、素子、回路端子等が形成されている場合、接合面は、その回路等が形成された面であってもよい。

0051

基板101、102の活性化方法としては、例えば、下ステージ332に保持された基板102を、天板316に支持された活性化装置326で発生したプラズマPに暴露して、基板102の表面を清浄化する。また、上ステージ322に保持された基板101を、Y方向駆動部333に搭載された活性化装置336で発生したプラズマPに暴露して、基板101の表面を清浄化する。これにより、一対の基板101、102は、清浄化された表面を接触させると互いが接合する状態になる。

0052

なお、図示の積層装置300は、基板101、102を活性化する場合に使用する活性化装置326を備えている。しかしながら、別途用意された活性化装置326を用いて予め活性化した基板101を搬入することにより、積層装置300の活性化装置326を省略した構造にすることもできる。また、この場合は、基板101を発生するプラズマを真空環境で発生させることができる。

0053

基板101は、プラズマに暴露する方法の他に、不活性ガスを用いたスパッタエッチング等によりを活性化することもできる。また、紫外線照射、オゾンアッシャー等により基板101を活性化することもできる。更に、例えば、液体または気体のエッチャントを用いて、基板101の表面を化学的に清浄化することにより活性化してもよい。

0054

次に、図11に示すように、制御部700は、算出した下ステージ332の移動量に基づいて、下ステージ332に保持された基板102を、上ステージ322に保持された基板101に対して位置合わせする(S106)。

0055

次に、下ステージ332が上昇して、一対の基板101、102を相互に積層する(S107)。即ち、図12に示すように、昇降駆動部338が下ステージ332を上昇させて、一対の基板101、102の接合面を相互に接触させる。一対の基板101、102の接合面は、ステップS105において活性化されているので、接触した基板101、102は互いに化学的に結合して積層基板120を形成する。搬送装置210は、積層基板120を搬出する(S109)。

0056

なお、基板の「積層」は、接着剤などを介さずに直接重ね合わせた二つの基板を、予め定められた値を超える接合強度が得られるように恒久的に一体化することを含む。予め定められた値の例は、薄化工程において二つの基板が剥離しない程度の強度である。また、「積層」は、基板が接続電極を備える場合に、二つの基板の接続電極が互いに電気的に結合され、基板の間で電気的な導通が確保された状態にすることを含む。さらに、「積層」は上記の通り、二つの基板の積層面を活性化することにより、二つの基板が重ね合わされて積層面同士が化学的に結合された状態を含んでもよい。さらに、「積層」は二つの基板を重ね合わせた後に、アニール処理等により接合強度を高めた状態を含んでもよい。

0057

図13は、積層装置300に保持された状態の基板101、102の概略構成を示す縦断面図である。図13において、基板101、102は、上下の基板ホルダ220に挟まれている。基板ホルダ220は、保持部222および縁部224を有する。保持部222は、保持する基板101、102の面積と略同じ広さを有し、静電チャック等により基板101、102を吸着して保持する。これにより、基板101、102は保持部222に密着した状態になる。

0058

縁部224は、保持部222によりも径方向外側に延在する。これにより、基板ホルダ220の保持部222に保持された基板101、102に直接に接触することなく、基板ホルダ220を外部から取り扱うことができる。

0059

図13に示すように、上下の基板ホルダ220は共に略一定の厚さを有するが、積層基板120を上方から支持する一方の基板ホルダ220は、縁部224が平坦であるのに対して、保持部222の中央が下方に隆起した形状を有する。ただし、図13において、基板ホルダ220の保持部222の隆起は誇張して描かれている。

0060

上側の基板ホルダ220の保持部222の中央が上記のように隆起していることにより、基板101、102を積層する過程において、積層された基板101、102の中央部分が最初に接触して周縁に向かって接合が順次進むので、基板101、102の間の気体は、積層された基板101、102の縁部側に向かって移動し、基板101、102の外部に排出される。このため、積層された基板101、102の間に気体が残存することが抑制され、ボイドの発生を抑制することができる。

0061

図14は、トリミング装置400の概略構成を示す側面図である。トリミング装置400は、基台403と、テーブル支持部404と、回転定盤405と、第1ステージ406と、垂直フレーム407と、第2ステージ408と、水平フレーム409と、第3ステージ410と、回転軸411と、ブレードホルダ416と、エアシリンダ417と、トリミングブレード420と、顕微鏡430と、モータM1〜M5とを有する。トリミング装置400は、積層された基板101および基板102の少なくとも一方の周縁部を、基板101と基板102の間のボイド110の位置に基づいてトリミングする。

0062

回転定盤405は、積層基板120を、基板101が上向きに露出する状態で吸着により保持する。トリミングブレード420は、回転定盤405の上方に設置され、回転定盤405に保持された積層基板120の表面と対向する。トリミング装置400は、トリミングブレード420を積層基板120に上方から接触させた状態で双方を相対移動させることにより積層基板120の表面の任意の箇所をトリミングする。積層基板120は搬送装置210によりトリミング装置400に搬入され、回転定盤405に載置される。

0063

第1ステージ406は、基台403上に紙面に垂直な方向であるY方向に延びて設けられたレール上を移動自在に設けられる。第2ステージ408は、第1ステージ406から垂直に延びる垂直フレーム407上を移動自在に設けられる。第3ステージ410は、第2ステージ408から水平に延びる水平フレーム409上を移動自在に設けられる。

0064

第1ステージ406内にはモータM1が設けられており、これを制御部700により回転駆動することにより第1ステージ406がY方向に移動する。第2ステージ408内にはモータM2が設けられており、これを制御部700により回転駆動することにより第2ステージ408が垂直フレーム407に沿ってZ方向に移動する。

0065

第3ステージ410内にはモータM3が設けられており、これを制御部700により回転駆動することにより第3ステージ410が水平フレーム409に沿ってX方向に移動する。このため、モータM1,M2,M3の回転動作を組み合わせることにより、第3ステージ410を回転定盤405上方の任意の位置に移動させることができる。

0066

回転定盤405は、基台403上に設けられたテーブル支持部404から上方に延びて設けられた回転軸411の上端部に水平に取り付けられる。回転軸411は、テーブル支持部404内に設けられたモータM4を制御部700により回転駆動することによりZ軸回りに回転させることができ、これにより回転定盤405がXY面内で回転する。

0067

トリミングブレード420は、第3ステージ410から下方に延びて設けられたブレードホルダ416の下端部に取り付けられる。ブレードホルダ416の内部には、モータM5とトリミングブレード420とを接続するシャフトを備えており、ウォームギアを介すことにより、円盤状のトリミングブレード420がX軸周りに回転する。ブレードホルダ416は、第3ステージ410内に設けられたトリミングブレード420を昇降移動させる昇降機構としてのエアシリンダ417の駆動により上下方向に移動可能である。

0068

第3ステージ410のうち、回転定盤405に保持された積層基板120の表面と対向する位置には、顕微鏡430が設置される。顕微鏡430を用いることにより、積層基板120のアライメントマーク108を観察できる。従って、顕微鏡430により得られた映像から、回転定盤405に載置された積層基板120の正確な位置を知ることができる。積層基板120のアライメントマーク108が観察できれば、この位置を基準として積層基板120のトリミングができる。

0069

図15は、トリミング装置400により積層基板120がトリミングされている工程を示す。トリミングブレード420はX軸周りに回転しており、エアシリンダ417のZ軸方向への下降によりトリミングブレード420が基板101の表面に押し当てられて積層基板120がトリミングされる。

0070

トリミング幅L2は、モータM1,M2,M3の回転動作を組み合わせて第3ステージ410を位置決めすることにより制御される。トリミングの深さは、エアシリンダ417の上下動により制御される。回転定盤405は回転中心Cを中心としてZ軸周りに回転しているので、積層基板120もZ軸周りに回転し、これにより積層基板120は回転中心C周り円周状にトリミングされる。

0071

図16は、距離L1、トリミング幅L2および電極非形成幅L3の関係を示す図である。図17は、トリミング幅L2および電極非形成幅L3を決定する処理を示すフローチャートである。図17に示される実施形態において、トリミング工程においてトリミングする領域の大きさは、ボイド110の位置と、金属製の電極の位置とに応じて設定される。例えば、トリミング工程においてトリミングする領域の大きさは、トリミングされる積層基板120の周縁からトリミングする領域までの距離が、積層基板120の周縁からのボイド110の距離よりも大きく、電極112が形成されない領域の積層基板120の周縁からの距離よりも小さくなるように、下記の通り設定される。なお、トリミングする領域の大きさは、ボイド110の位置のみに基づいて設定されてもよい。

0072

図17のフローチャートにおいて、まず、ボイド110の発生位置が実測される(S201)。この場合に、製造ラインで製造する予定の基板101、102と同一の構成を有する基板101、102を実際に積層して積層基板120を形成する。積層基板120で発生したボイド110を検出して、積層基板120の周縁からの距離L1を実測することにより、複数のボイド110に対するそれぞれの距離L1のデータを収集する。この場合に、基板101、102がシリコン基板であれば、赤外線を用いることによりボイド110を検出することができる。

0073

ここで、距離L1は、基板101、102の種類、表面粗さ、活性化条件、接合時間、基板101、102の表面に形成された膜の材質、膜の密度等に依存する。なお、距離L1のデータを収集する場合に、製造ラインで製造する予定の基板101、102と同一の構成を有する基板101、102を用いることに代えて、電極等が形成されていないダミーの基板を積層して距離L1のデータを収集してもよい。この場合であっても、ダミーの基板の種類、表面粗さ、活性化条件、接合時間、膜の材質、膜の密度等は、製造ラインで製造する予定の基板101、102に近い方が好ましい。

0074

上記ステップS201で得られた距離L1のデータに基づいて、トリミング幅L2が決定される(S202)。この場合に、トリミング幅L2は、積層基板120のトリミングにより少なくとも一部のボイド110が除去されるように、すなわち、積層基板120のトリミング領域内に少なくとも一部のボイド110が含まれるように、決定される。例えば、複数のボイド110の積層基板120の周縁からの距離L1の平均Laを算出し、図16に示すように当該平均Laにマージンα加算して、La+αをトリミング幅L2に決定する。

0075

マージンαの一例は、基板101と基板102とを積層する場合に生じる位置ずれの値である。マージンαは位置ずれの値に限られず、当該位置ずれよりもさらに大きな値としてもよい。また、トリミングする領域内に、所定の割合または個数のボイドが入るようにトリミング幅L2を決定してもよいし、距離L1が最も大きいボイドの距離L1以上になるように即ち全てのボイドがトリミングする領域に入るようにトリミング幅L2を決定してもよい。

0076

上記ステップS202で得られたトリミング幅L2に基づいて、電極112が形成されない幅である電極非形成幅L3が決定される(S203)。この場合に、電極非形成幅L3はトリミング幅L2よりも大きくなるよう決定される。例えば、図16に示すように、トリミング幅L2にマージンβを加算して、L2+βを電極非形成幅L3に決定する。マージンβの一例は、マージンαと同様である。以上のように決定された電極非形成幅L3に基づいて、基板101、102に電極112を形成する電極形成工程が実現される。電極形成工程は、トリミングする領域よりも内側に、少なくとも1つの金属製の電極112を形成し、トリミングする領域内には電極112を形成しない工程である。電極形成工程は、積層工程より前に実行される。なお、電極112は、基板101および基板102の一方に形成されてもよい。

0077

これにより、電極非形成幅L3よりも径方向の内側には少なくとも1つの電極112が形成され、電極非形成幅L3内には電極112は形成されないように基板101、102が製造される。仮に、ステップS201において積層された基板101、102において、電極非形成幅L3内に電極112が存在してしまっていたとすると、製造ラインで用いる基板101、102を形成するプロセスを変更することとなる。

0078

以上の決定方法によれば、複数のボイド110の積層基板120の周縁からの距離L1の平均La、トリミング幅L2、電極非形成幅L3については、La<L2<L3の関係が成立する。これにより、トリミング工程において電極112の材料、例えば銅が削られることによるコンタミネーションを抑制することができる。なお、基板101、102が30cmウエハの場合、La、L2、L3は例えばそれぞれ数mmであり、α、βはサブmm程度である。

0079

なお、トリミング幅L2を決定する場合に、距離L1の平均La以外の値を用いてもよい。例えば、収集したデータの所定割合以上が含まれる距離に、マージンαを加算してトリミング幅L2としてもよい。所定割合は、50%、90%、100%等であってよい。これにより、当該所定割合に概ね応じた割合でボイド110が除去される。上記決定方法によってトリミング幅L2が決定されると、個々の積層基板120のボイド110の位置に関わらず、当該トリミング幅L2でトリミングが実行されることになる。

0080

また、トリミング幅L2を決定するときに、複数のボイド110の積層基板120の周縁からの距離L1のうちの最大値、すなわち積層基板120の周縁から最も遠い位置に生じたボイド110の距離L1を用いて、L1<L2<L3の関係が成立するように、L2を決定してもよい。更に、電極非形成幅L3が予め決定されている場合は、トリミング幅L2を決定するときに、L1<L2<L3の関係が成立するように、L2を決定してもよい。

0081

なお、図17に示される決定方法では、積層された基板101と基板102との間のボイド110の位置に基づいてトリミングする領域の大きさを設定したが、基板101と基板102の間のボイド110の位置および電極を形成する位置に基づいて、トリミングする領域の大きさを設定してもよい。

0082

図18は、実施の形態1における研磨装置500の概略構成を示す側面図である。研磨装置500は、例えば、液体供給装置を備えるCMP装置を用いることができる。研磨装置500は、基台503と、テーブル支持部504と、回転定盤505と、第1ステージ506と、垂直フレーム507と、第2ステージ508と、水平フレーム509と、第3ステージ510と、回転軸511と、スピンドル516と、エアシリンダ517と、研磨ヘッド520と、研磨パッド521と、モータM6〜M10とを有する。

0083

回転定盤505は、積層基板120を基板101が上向きに露出する状態で吸着により保持する。研磨ヘッド520は、回転定盤505の上方に設置され、研磨ヘッド520の下面には、回転定盤505に保持された基板101の表面と対向する研磨パッド521が配置される。

0084

研磨装置500では、研磨パッド521の直径は積層基板120の直径よりも小さく、研磨パッド521を積層基板120に上方から接触させた状態で双方を相対移動させることにより積層基板120の表面全体を研磨できるようになっている。積層基板120は搬送装置210により研磨装置500に搬入され、回転定盤505に載置される。

0085

第1ステージ506は、基台503上に紙面に垂直な方向であるY方向に延びて設けられたレール上を移動自在に設けられる。第2ステージ508は、第1ステージ506から垂直に延びる垂直フレーム507上を移動自在に設けられる。第3ステージ510は、第2ステージ508から水平に延びる水平フレーム509上を移動自在に設けられる。

0086

第1ステージ506内にはモータM6が設けられており、これを制御部700により回転駆動することにより第1ステージ506が上記レールに沿ってY方向に移動する。第2ステージ508内にはモータM7が設けられており、これを制御部700により回転駆動することにより第2ステージ508が垂直フレーム507に沿ってZ方向に移動する。

0087

第3ステージ510内にはモータM8が設けられており、これを制御部700により回転駆動することにより第3ステージ510が水平フレーム509に沿ってX方向に移動する。このため、モータM6,M7,M8の回転動作を組み合わせることにより、第3ステージ510を回転定盤505上方の任意の位置に移動させることができる。

0088

回転定盤505は、基台503上に設けられたテーブル支持部504から上方に延びて設けられた回転軸511の上端部に水平に取り付けられる。回転軸511は、テーブル支持部504内に設けられたモータM9を制御部700により回転駆動することによりZ軸回りに回転し、これにより回転定盤505がXY面内で回転する。

0089

研磨ヘッド520は、第3ステージ510から下方に延びて設けられたスピンドル516の下端部に取り付けられる。スピンドル516は、第3ステージ510内に設けられたモータM10を制御部700により回転駆動することによりZ軸回りに回転し、これにより研磨ヘッド520全体が回転して研磨パッド521がXY面内で回転する。スピンドル516は、第3ステージ510内に設けられた研磨ヘッド520を昇降移動させる昇降機構としてのエアシリンダ517の駆動により上下方向に移動可能である。

0090

基板101の薄化工程は、研磨装置500により基板101が所定の厚さになるまで研磨することにより実現される。研磨装置500では、回転定盤505に載置された基板101に対し、所定の接触圧で研磨パッド521を押し当て、モータM6,M7を駆動して研磨ヘッド520をXY方向に揺動させる。基板101の研磨中には、研磨液供給装置より研磨液であるシリカ粒を含んだスラリーを圧送して研磨パッド521の下面側に研磨液が供給される。このように基板101の表面は、研磨液の供給を受けつつ基板101自身の回転運動と研磨パッド521の回転及び揺動運動とにより満遍なく研磨される。

0091

なお、研磨装置500は、研磨するCMP装置本体に連続して、研磨後の基板101を洗浄する洗浄装置および洗浄後の基板101を乾燥する乾燥装置を備えてもよい。この場合、搬送装置210によって搬出される基板101は、研磨された後に洗浄及び乾燥を施された、異物の付着のない基板101とすることができる。

0092

以上、実施の形態1に係る積層半導体製造装置200によれば、積層基板120における基板101と基板102の間のボイド110をトリミングにより除去する。これにより、安価なコストでボイド110を除去することができ、積層半導体装置の製造コストを低減することができる。

0093

実施の形態1において、基板101および基板102を積層して製造される積層型デバイスは、CMOSイメージセンサまたは裏面照射型撮像装置であってもよい。この場合、基板101から得られる第1のダイは、フォトダイオードを有する画素が設けられた光センサの基板であり、基板102から得られる第2のダイは、光センサの出力信号演算処理する演算素子を有する論理回路が設けられた基板であってもよい。第2のダイには、光センサから受ける信号をAD変換するAD変換器が設けられていてもよい。

0094

[変形例1]
上記実施の形態1では、図17のS201において、製造ラインで積層する基板101、102と同じ製造工程で製造された基板101、102を積層した積層基板120に実際に生じたボイド110を検出することにより、距離L1のデータを収集した。しかしながら、距離L1のデータはシミュレーションでボイド110が生じる位置を予測することにより生成してもよい。この場合、積層する基板101、102の種類、表面粗さ、活性化条件、接合時間、膜の材質、膜の密度等の条件を考慮したモデルを生成し、生成したモデルを使用してボイドの発生する距離L1のデータを生成する。シミュレーションであるという点から、ボイドが実際に発生した位置に基づく例とはなっていないが、予測によるボイドの位置に基づく例とはなっているといえる。この場合には、ボイドの検出のために、製造ラインで積層する基板101、102と同じ製造工程で製造された基板101、102を積層しなくてもよいという利点がある。

0095

上記のように、図17のS201に代えて、シミュレーションで予測したボイド110が生じる位置を用い、S203において電極非形成幅L3を決定することにより、積層される基板101および基板102の少なくとも一方に電極を形成する位置を決定する決定方法が提供される。この決定方法は、基板101と基板102とを積層した場合に基板101と基板102との間に生じるボイド110の位置を予測するステップと、予測したボイド110の位置に基づいて、電極を形成する位置を決定するステップと、を含む。

0096

また、上記実施の形態1における積層装置300は、シミュレーションで予測したボイド110が生じる位置を用いて決定された電極非形成幅L3に基づいて電極が形成された基板101と基板102とを積層してもよい。

0097

[変形例2]
上記実施の形態1では、トリミングする領域の大きさをトリミング幅L2により規定したが、トリミングする領域の大きさは、トリミングする領域の面積、トリミングの終点位置、トリミングする時間の長さによって規定してもよい。

0098

[実施の形態2]
図19は、実施の形態2における積層半導体装置の製造工程を示す図である。図19(a)は積層工程後の積層基板120を示し、図19(b)はトリミング工程後の積層基板120を示し、図19(c)は薄化工程後の積層基板120を示す。さらに、図19(d)は第2の積層工程後の積層基板121を示し、図19(e)は第2のトリミング工程後の積層基板121を示し、図19(f)は第2の薄化工程後の積層基板121を示す。図19(a)〜(c)は、図4(a)〜(c)と同じであるため、説明を省略する。

0099

第2の積層工程において、積層基板120の薄化した面に対してさらに基板103が積層されることにより、積層基板121が形成される。図19(d)の例では積層基板120のうちの基板101に、基板103が積層される。基板103は、基板101と対応する構成を有する。対応する構成は、例えば、基板103が、基板101と同じ構成であってもよいし、基板101の素子領域106の各々に重なる素子領域を有するが異なる機能の半導体装置を有したものであってもよいことは、基板102と同様である。

0100

第2のトリミング工程は、積層基板120と基板103を積層した後に、積層基板120と基板103の間のボイドの位置に基づいて、積層基板120および基板103の少なくとも一方の周縁部をトリミングする。第2のトリミング工程において、積層基板121を構成する基板101、102、103のうち基板101の周縁部が、すでにトリミングされた周縁からトリミング幅L4でトリミングされ、基板102の周縁部がトリミング幅L2+L4でトリミングされる。図19(e)の例においては、積層基板121のうち、基板101、102の周縁部が厚み方向全体にわたって取り除かれるとともに、基板103の周縁部が厚み方向の一部だけ取り除かれている。

0101

図19(e)に示される第2のトリミング工程でトリミングする領域は、図19(b)に示されるトリミング工程でトリミングする領域よりも小さい。すなわち、第2のトリミング工程でトリミングされるトリミング幅L4は、積層基板121における基板101と基板103の間のボイド110の位置に基づいて決定される。このとき、基板101と基板103の間のボイド110は、基板101と基板102の間のボイド110と比較してトリミングされた基板の周縁から近い位置にできるため、トリミング幅L4は、トリミング幅L2より狭くてもよい。これにより、積層基板121の面積を維持して、積層半導体装置の回収効率を上げることができる。

0102

第2の薄化工程において、積層基板121のうち基板102が薄化される。付言すれば、基板102は、積層基板102のうちトリミング工程で厚み方向全体にわたって周縁部が取り除かれた基板である。

0103

以上の通り、実施の形態2では、積層基板120について積層工程、トリミング工程、および、薄化工程をこの順序で行い、その後、積層基板121についても積層工程、トリミング工程、および、薄化工程をこの順序で行う。これにより、各積層工程で生じ得るボイド110が除去される。これにより、基板を3枚積層する場合においても、安価なコストでボイド110を除去することができ、積層半導体装置の製造コストを低減することができる。

0104

尚、図19(e)および図19(f)では、基板102および基板101をトリミングし、基板102を薄化した例を示したが、積層基板121と基板103を積層した後、基板103をトリミングし、基板103を薄化してもよい。

0105

また、実施の形態2において、基板101、102、103を積層して製造される積層型デバイスは、CMOSイメージセンサまたは裏面照射型の撮像装置であってもよい。この場合、基板102から得られる第1のダイは、フォトダイオードを有する画素が設けられた光センサの基板であり、基板101から得られる第2のダイは、光センサの出力信号を演算処理する演算素子を有する論理回路が設けられた基板であってもよい。第2のダイには、光センサから受ける信号をAD変換するAD変換器が設けられていてもよい。基板103から得られる第3のダイには、第2のダイにおける演算処理の結果を記憶する記憶素子とするメモリ回路が設けられていてもよく、第2のダイから受ける信号に基づいて画像処理する処理回路や、第1のダイおよび第2のダイを制御する制御回路等が設けられていてもよい。第1のダイが得られる基板を基板103とし、第3のダイが得られる基板を基板101としてもよいが、画素が設けられた基板を先に接合することが好ましい。

0106

[実施の形態3]
図20は、実施の形態3における積層半導体装置の製造工程を示す図である。図20(d)は第2の積層工程後の積層基板121を示し、図20(e)は第2のトリミング工程後の積層基板121を示し、図20(f)は第2の薄化工程後の積層基板121を示す。さらに、図20(g)は第3の積層工程後の基板122を示し、図20(h)は第3のトリミング工程後の基板122を示し、図20(i)は第3の薄化工程後の基板122を示す。図20(d)は図19(a)〜(c)の続きであり、図20において、図20(d)より前の工程は省略されている。図20(d)〜(f)は、図19(d)〜(f)と同じであるため、説明を省略する。

0107

第3の積層工程において、積層基板121に対してさらに基板104が積層されることにより、積層基板122が形成される。図20(g)の例においては、積層基板121のうちの基板102に、基板104が積層される。基板104は、基板102と対応する構成を有する。対応する構成は、例えば、基板104が、基板102と同じ構成であってもよいし、基板102の素子領域の各々に重なる素子領域を有するが異なる機能の半導体装置を有したものであってもよい。

0108

第3のトリミング工程において、積層基板122を構成する基板101、102、103,104のうち基板101および基板102の周縁部がトリミング幅L5でトリミングされ、基板103の周縁部がL2+L4+L5のトリミング幅でトリミングされる。図20(h)の例においては、積層基板122のうち、基板101、102、103の周縁部が厚み方向全体にわたって取り除かれるとともに、基板104の周縁部が厚み方向の一部だけ取り除かれている。

0109

この場合のトリミング幅L5は、積層基板122における基板102と基板104の間のボイド110の位置に基づいて決定される。このとき、基板102と基板104の間のボイド110は、基板101と基板102の間のボイド110と比較して基板の周縁から近い位置にできるため、トリミング幅L5は、トリミング幅L2より狭くてもよい。同様の理由により、トリミング幅L5はトリミング幅L4より狭くてもよい。これにより、積層された基板122の面積を維持して、積層半導体装置の回収効率を上げることができる。

0110

以上の通り、実施の形態2では、積層基板120について積層工程、トリミング工程、および、薄化工程をこの順序で行い、その後、積層基板121についても積層工程、トリミング工程、および、薄化工程をこの順序で行い、さらに積層基板122ついても積層工程、トリミング工程、および、薄化工程をこの順序で行う。これにより、各積層工程で生じ得るボイド110が除去される。これにより、基板を4枚積層する場合においても、安価なコストでボイド110を除去することができ、積層半導体装置の製造コストを低減することができる。

0111

尚、図20(e)および図20(f)では、基板102および基板101をトリミングし、基板102を薄化した例を示したが、積層基板121と基板103を積層した後、基板103をトリミングし、基板103を薄化してもよい。また、図20(h)および図20(i)では、基板103、基板102および基板101をトリミングし、基板103を薄化した例を示したが、積層基板121と基板104を積層した後、基板104をトリミングし、基板104を薄化してもよい。

0112

[他の実施の形態1]
上記実施の形態1から3では、基板101を2枚から4枚積層する場合について説明した。しかしながら、基板101を5枚以上積層する場合についても本発明は適用可能である。この場合においても、積層工程、トリミング工程および薄化工程をこの順序で繰り返していくことにより、ボイド110を除去することができる。

0113

[他の実施の形態2]
上記実施の形態1では、トリミング工程において、基板101と基板102の周縁部をトリミングすることにより、基板101と基板102の間のボイド110を除去した。しかしながら、周縁部がトリミングされる基板は、基板101と基板102の少なくとも一方の基板であればよく、例えば、基板101の周縁部のみをトリミングすることにより、ボイド110を除去してもよい。同様に、図19に示される実施の形態2において、基板101と基板102の周縁部のみをトリミングすることにより、ボイド110を除去してもよく、図20に示される実施の形態3において、基板101から基板103の周縁部のみをトリミングすることにより、ボイド110を除去してもよい。

0114

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

0115

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

0116

100〜104基板、106素子領域、107ノッチ、108アライメントマーク、109スクライブライン、110、111ボイド、112電極、120〜122積層基板、200積層半導体製造装置、210搬送装置、211 腕部、212把持部、220基板ホルダ、222 保持部、224 縁部、300積層装置、301 床面、310枠体、312底板、314支柱、316天板、322 上ステージ、324、334顕微鏡、326、336活性化装置、331 X方向駆動部、332 下ステージ、333 Y方向駆動部、338昇降駆動部、339プッシュアップピン、400トリミング装置、403基台、404テーブル支持部、 405回転定盤、406 第1ステージ、407垂直フレーム、408 第2ステージ、409水平フレーム、410 第3ステージ、411回転軸、416ブレードホルダ、417エアシリンダ、420トリミングブレード、430 顕微鏡、500研磨装置、503 基台、504 テーブル支持部、506 第1ステージ、507 垂直フレーム、508 第2ステージ、509 水平フレーム、510 第3ステージ、505 回転定盤、511 回転軸、516スピンドル、517 エアシリンダ、520研磨ヘッド、521研磨パッド、L1〜L5 距離、M1〜M10モータ、C 回転中心

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