図面 (/)

技術 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法

出願人 セイコーエプソン株式会社
発明者 伊藤智
出願日 2019年2月15日 (1年9ヶ月経過) 出願番号 2019-025273
公開日 2020年8月31日 (2ヶ月経過) 公開番号 2020-134613
状態 特許登録済
技術分野 要素組合せによる可変情報用表示装置1 要素組合せによる可変情報用表示装置2
主要キーワード レンズ集合体 透光性膜 長手形状 斜め成分 凹レンズ群 引回し配線 気密空間 各単色光
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2020年8月31日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (20)

課題

光の利用効率の低下が抑制される電気光学装置電位機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。

解決手段

本発明の電気光学装置100は、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体200と、前記絶縁性基体200に対して離間して配置される画素電極28と、前記画素電極28に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記絶縁性基体200は、基部21と、前記基部21と前記画素電極28との間に位置し、前記画素電極28の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極28と重なるレンズを有するレンズ部22と、を備え、前記基部21と前記レンズ22とは、空間Sを介して配置されている。

概要

背景

液晶装置等の電気光学装置が知られている。液晶装置は、例えばプロジェクターライトバルブとして用いられる。特許文献1には、液晶装置の一例が開示される。当該液晶装置は、素子基板と、対向基板と、これらの間に配置される液晶層とを有する。素子基板は、基板と、画素ごとに設けられる画素電極と、画素電極に対応して設けられるスイッチング素子とを備える。また、素子基板における光の利用効率の向上を図るために、基板と画素電極との間には、レンズを有するレンズ層が設けられる。レンズ層は、基板に接触しており、レンズ層の屈折率は、基板の屈折率よりも高い。

概要

光の利用効率の低下が抑制される電気光学装置、電位機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。本発明の電気光学装置100は、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体200と、前記絶縁性基体200に対して離間して配置される画素電極28と、前記画素電極28に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記絶縁性基体200は、基部21と、前記基部21と前記画素電極28との間に位置し、前記画素電極28の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極28と重なるレンズを有するレンズ部22と、を備え、前記基部21と前記レンズ22とは、空間Sを介して配置されている。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

透光性および絶縁性を有する絶縁性基体と、前記絶縁性基体に対して離間して配置される画素電極と、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記絶縁性基体は、基部と、前記基部と前記画素電極との間に位置し、前記画素電極の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極と重なるレンズを有するレンズ部と、を備え、前記基部と前記レンズとは、空間を介して配置されていることを特徴とする電気光学装置

請求項2

前記画素電極と前記絶縁性基体との間に配置され、前記平面視で前記レンズと重なる第2レンズを有する第2レンズ部をさらに備える請求項1に記載の電気光学装置。

請求項3

前記レンズ部は、前記空間に連通する貫通孔を有し、前記絶縁性基体は、前記レンズ部上に配置され、前記貫通孔を塞いで配置される、透光性および絶縁性を有する透光層をさらに備える請求項1または2に記載の電気光学装置。

請求項4

前記透光層は、前記貫通孔を通じて前記基部に接続される接続部を備える請求項3に記載の電気光学装置。

請求項5

前記レンズ部は、前記空間に連通する第2貫通孔を有する請求項3または4に記載の電気光学装置。

請求項6

前記基部から前記画素電極に向かって光が透過する請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電気光学装置。

請求項7

前記絶縁性基体、前記画素電極および前記スイッチング素子を備える素子基板と、対向電極を有する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に配置される液晶と、をさらに備え、前記対向基板は、光を収束または発散させる光学部材を備えていない請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電気光学装置。

請求項8

請求項1ないし7のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器

請求項9

透光性および絶縁性を有する絶縁性基体を形成する工程と、前記絶縁性基体上にスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子と電気的に接続される画素電極を形成する工程と、を備え、前記絶縁性基体を形成する工程において、基部と、前記基部と前記画素電極との間に位置し、前記画素電極の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極と重なるレンズを有するレンズ部を、空間を介して形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、電気光学装置電子機器、および電気光学装置の製造方法に関する。

背景技術

0002

液晶装置等の電気光学装置が知られている。液晶装置は、例えばプロジェクターライトバルブとして用いられる。特許文献1には、液晶装置の一例が開示される。当該液晶装置は、素子基板と、対向基板と、これらの間に配置される液晶層とを有する。素子基板は、基板と、画素ごとに設けられる画素電極と、画素電極に対応して設けられるスイッチング素子とを備える。また、素子基板における光の利用効率の向上を図るために、基板と画素電極との間には、レンズを有するレンズ層が設けられる。レンズ層は、基板に接触しており、レンズ層の屈折率は、基板の屈折率よりも高い。

先行技術

0003

特開2018−100994号公報

発明が解決しようとする課題

0004

レンズ性能を高める観点から、基板とレンズ層との屈折率の差を大きくすることが好ましい。屈折率の差を大きくするためには、例えばレンズ層の屈折率を大きくすることが考えらえる。しかし、一般的に、レンズ層の屈折率を大きくすると、スイッチング素子の形成時におけるアニール処理に対する耐熱性が低下したり、レンズ層に生じ得る反りが増大したりするという傾向がある。その結果、レンズ性能が低下して、光の利用効率が低下してしまうという課題があった。

課題を解決するための手段

0005

本発明の電気光学装置の一態様は、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体と、前記絶縁性基体に対して離間して配置される画素電極と、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記絶縁性基体は、基部と、前記基部と前記画素電極との間に位置し、前記画素電極の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極と重なるレンズを有するレンズ部と、を備え、前記基部と前記レンズとの間には、空間を介して配置されているが設けられる。

0006

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体を形成する工程と、前記絶縁性基体上にスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子と電気的に接続される画素電極を形成する工程と、を備え、前記絶縁性基体を形成する工程において、基部と、前記基部と前記画素電極との間に位置し、前記画素電極の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極と重なるレンズを有するレンズ部を、空間を介して形成する。

図面の簡単な説明

0007

第1実施形態における電気光学装置の平面図である。
第1実施形態における電気光学装置の断面図である。
第1実施形態における素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
第1実施形態における電気光学装置の一部拡大図である。
第1実施形態における素子基板の断面図である。
第1実施形態における導光部が有するレンズ層を説明するための図である。
第1実施形態における導光部が有する遮光膜を説明するための図である。
第1実施形態における素子基板の製造方法を説明するためのフローである。
第1実施形態における基部形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態における基部形成工程を説明するための平面図である。
第1実施形態における犠牲層形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態における犠牲層形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態における犠牲層形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態における犠牲層形成工程を説明するための平面図である。
第1実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態における空間形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態における空間形成工程を説明するための平面図である。
第1実施形態における空間形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態における空間形成工程を説明するための断面図である。
第1実施形態における第1透光層形成工程および遮光膜形成工程を説明するための断面図である。
第2実施形態における電気光学装置の一部拡大図である。
変形例におけるレンズ層を有する構造体を示す断面図である。
電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。
電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

実施例

0008

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

0009

1.電気光学装置
1−1.第1実施形態
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリックス方式液晶表示装置を例に説明する。

0010

1−1a.基本構成
図1は、第1実施形態における電気光学装置100の概略平面図である。図2は、第1実施形態における電気光学装置100の概略断面図であって、図1中のA−A線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1および図2のそれぞれに示す互いに直交するx軸、y軸、およびz軸を適宜用いて説明する。

0011

図1および図2に示す電気光学装置100は、透過型の液晶表示装置である。図2に示すように、電気光学装置100は、透光性を有する素子基板2と、透光性を有する対向基板4と、枠状のシール部材8と、「液晶」としての液晶層9とを有する。シール部材8は、素子基板2と対向基板4との間に配置される。液晶層9は、素子基板2、対向基板4およびシール部材8によって囲まれる領域内に配置される。ここで、素子基板2、液晶層9および対向基板4の並ぶ方向がz方向であり、素子基板2の表面がx−y平面に平行である。また、素子基板2が有する後述のレンズ層22の厚さ方向に平行なz方向からみることを「平面視」と言う。

0012

本実施形態では、電気光学装置100に対して光LLが素子基板2から入射し、液晶層9を透過して対向基板4から出射される場合を例に説明する。なお、本明細書では、電気光学装置100に入射する入射光、電気光学装置100を透過する光、および電気光学装置100から出射される出射光は、区別せずに光LLとして示す。また、光LLは可視光であり、本明細書において、透光性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が50%以上であることをいう。また、図1に示すように、電気光学装置100は、平面視で、四角形状をなすが、電気光学装置100の平面視形状はこれに限定されず、例えば、円形等であってもよい。

0013

図1に示すように、素子基板2は、平面視で対向基板4を包含する大きさである。図2に示すように、素子基板2は、絶縁性基体200と、配線層26と、複数の画素電極28と、第1配向膜29とを有する。絶縁性基体200、配線層26、複数の画素電極28および第1配向膜29は、この順に並ぶ。第1配向膜29が最も液晶層9側に位置する。絶縁性基体200は、基部21および導光部20を有する。画素電極28は、透光性を有しており、例えばITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電材料で構成される。第1配向膜29は、液晶層9の液晶分子配向させる。第1配向膜29の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、素子基板2については、後で説明する。

0014

図2に示すように、対向基板4は、基体41と、絶縁層42と、対向電極45と、第2配向膜46と、を有する。基体41、絶縁層42、対向電極45および第2配向膜46は、この順に並ぶ。第2配向膜46が最も液晶層9側に位置する。基体41は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。基体41は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。絶縁層42は、例えば酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系無機材料で形成される。対向電極45は、例えばITOまたはIZO等の透明導電材料で構成される。第2配向膜46は、液晶層9の液晶分子を配向させる。第2配向膜46の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

0015

シール部材8は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材8は、素子基板2および対向基板4のそれぞれに対して固着される。シール部材8の一部には、液晶分子を含む液晶材注入するための注入口81が形成されており、注入口81は各種樹脂材料を用いて形成される封止材80により封止される。

0016

液晶層9は、正または負の誘電方性を有する液晶分子を含む。液晶層9は、液晶分子が第1配向膜29および第2配向膜46の双方に接するように素子基板2および対向基板4によって挟持される。液晶層9が有する液晶分子の配向は、液晶層9に印加される電圧に応じて変化する。液晶層9は、印加される電圧に応じて光LLを変調させることで階調表示を可能とする。

0017

また、素子基板2の対向基板4側の面には、図1に示すように、複数の走査線駆動回路11と信号線駆動回路12と、複数の外部端子14とが配置される。外部端子14には、走査線駆動回路11および信号線駆動回路12のそれぞれから引き回される引回し配線15が接続される。

0018

かかる構成の電気光学装置100は、画像等を表示する表示領域A10と、表示領域A10を平面視で囲む周辺領域A20と有する。表示領域A10には、行列状に配列される複数の画素Pが設けられる。周辺領域A20には、走査線駆動回路11および信号線駆動回路12等が配置される。

0019

1−1b.電気的な構成
図3は、第1実施形態における素子基板2の電気的な構成を示す等価回路図である。図3に示すように、素子基板2には、n本の走査線261とm本の信号線262とn本の容量線263とが設けられる。nおよびmはそれぞれ2以上の整数である。n本の走査線261とm本の信号線262との各交差に対応して「スイッチング素子」としてのTFT260が配置される。

0020

n本の走査線261は、それぞれy方向に延在し、x方向に等間隔で並ぶ。走査線261は、TFT260のゲートに電気的に接続される。また、n本の走査線261は、図1に示す走査線駆動回路11に電気的に接続される。n本の走査線261には、走査線駆動回路11から走査信号G1、G2、…、およびGnが線順次で供給される。

0021

図3に示すm本の信号線262は、それぞれx方向に延在し、y方向に等間隔で並ぶ。信号線262は、TFT260のソースに電気的に接続される。また、m本の信号線262は、図1に示す信号線駆動回路12に電気的に接続される。m本の信号線262には、図1に示す信号線駆動回路12から画像信号S1、S2、…、およびSmが並行に供給される。

0022

図3に示すn本の走査線261とm本の信号線262とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う2つの走査線261と隣り合う2つの信号線262とで囲まれる領域が画素Pに対応する。1つの画素Pには、1つの画素電極28が形成される。画素電極28は、TFT260に電気的に接続される。

0023

n本の容量線263は、それぞれy方向に延在し、x方向に等間隔で並ぶ。また、n本の容量線263は、複数の信号線262および複数の走査線261と絶縁され、これらに対して離間して形成される。容量線263には、グランド電位等の固定電位が印加される。また、容量線263と画素電極28との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量264が液晶容量と並列に配置される。

0024

走査信号G1、G2、…、およびGnが順次アクティブとなり、n本の走査線261が順次選択されると、選択される走査線261に接続されるTFT260がオン状態となる。すると、m本の信号線262を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号S1、S2、…、およびSmが、選択される走査線261に対応する画素Pに取り込まれ、画素電極28に印加される。これにより、画素電極28と図2に示す対向基板4が有する対向電極45との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量264によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光LLが変調され階調表示が可能となる。

0025

1−1c.電気光学装置100の具体的な構成
図4は、第1実施形態における電気光学装置100の一部拡大図であって、図2中の領域Bにおける一部拡大図である。図5は、第1実施形態における素子基板2の断面図である。図6は、第1実施形態における導光部20が有するレンズ層22を説明するための図である。図7は、第1実施形態における導光部20が有する遮光膜201を説明するための図である。なお、図5および図6に示すレンズ221の数は、説明の便宜上、図2における素子基板2でのものと異なる。

0026

1−1cA.素子基板2の構成
図4に示すように、素子基板2は、絶縁性基体200と、配線層26と、画素電極28と、第1配向膜29とを有する。絶縁性基体200は、基部21と、導光部20とを有する。

0027

図5に示すように、基部21は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。基部21は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。基部21は、凹部211を有する。凹部211は、+z側の表面に形成された窪みである。凹部211は、平面視で四角形状をなす。

0028

基部21上には、導光部20が配置される。導光部20は、「レンズ部」としてのレンズ層22と、「透光層」としての第1透光層23と、第2透光層24と、遮光膜201とを有する。

0029

レンズ層22は、基部21上に配置される。レンズ層22は、複数のレンズ221を有するレンズ集合体220を備える。レンズ221は、基部21側に向かって突出し、凸曲面を有する凸レンズで構成される。レンズ221は、半球状をなす。複数のレンズ221は、互いに密接して配置される。また、レンズ集合体220は、凹部211の底面と離間している。そのため、レンズ集合体220と基部21との間には、空間Sが形成される。なお、レンズ層22のうち平面視でレンズ集合体220よりも外側の部分が、基部21に接触している。

0030

図6に示すように、レンズ集合体220は、平面視で凹部211に包含される。すなわち、レンズ集合体220は平面視で凹部211と重なり、かつ、レンズ集合体220の平面視での外形2201は凹部211の開口縁2110よりも小さい。図6では、理解を容易にするために、外形2201を太線で示す。また、複数のレンズ221は、平面視において、x方向およびy方向に行列状に配列される。なお、複数のレンズ221の配列は行列状に限定されない。また、レンズ221の数は、複数であればよく、図示の数に限定されない。なお、レンズ集合体220の平面視での外形2201は、長手形状をなすが、これに限定されず任意である。例えば、平面視での外形2201は、円形、または四角形以外の多角形等であってもよい。

0031

レンズ層22は、「貫通孔」としての第1孔222と、「第2貫通孔」としての第2孔223とを有する。第1孔222と第2孔223との間には、平面視でレンズ集合体220が位置する。第1孔222および第2孔223は、それぞれ、平面視でレンズ集合体220と離間する。また、第1孔222および第2孔223は、それぞれ、平面視で凹部211と重なる。図示では、第1孔222のy方向に沿った長さL1と、第2孔223のy方向に沿った長さL2とは、それぞれ、レンズ集合体220のy方向に沿った長さL0とほぼ等しい。なお、長さL1および長さL2は、それぞれ、長さL0よりも長くても短くてもよい。また、長さL1および長さL2は、ほぼ等しいが、互いに異なっていてもよい。また、第1孔222の幅および第2孔223の幅は、ほぼ等しいが、互いに異なっていてもよい。当該幅は、x方向に沿った長さである。

0032

図5に示すように、レンズ層22上には、第1透光層23が配置される。第1透光層23は、透光性および絶縁性を有する。第1透光層23は、平板状をなす透光性基部231と、第1接続部232と、第2接続部233とを有する。第1接続部232は、「接続部」の一例である。透光性基部231は、レンズ層22の+z軸側の面上に配置される。すなわち、透光性基部231と基部21との間にレンズ層22が配置される。

0033

第1接続部232は、透光性基部231の−z軸側の部分から基部21側に向かって延び、第1孔222内を通じて凹部211の底面に接触している。同様に、第2接続部233は、透光性基部231の−z軸側の部分から基部21側に向かって延び、第2孔223内を通じて凹部211の底面に接触している。図6に示すように、第1接続部232と第2接続部233との間には、平面視でレンズ集合体220が位置する。また、第1接続部232は、第1孔222内を埋めている。同様に、第2接続部233は、第2孔223内を埋めている。

0034

かかる第1透光層23は、第1孔222および第2孔223を塞いでいる。そのため、前述の空間Sは、気密空間となっている。空間S内は、空気等の気体、または真空で構成される。なお、空間Sは気密空間でなくてもよい。

0035

図5に示すように、第1透光層23上には、平板状の第2透光層24が配置される。第2透光層24は、透光性および絶縁性を有する。第2透光層24の平面視での形状は、透光性基部231の平面視での形状に対応している。具体的には、第2透光層24は、平面視で四角形状をなす。

0036

第2透光層24は、レンズ221を透過する光LLの光路長を調整する。第2透光層24の厚さを調整することで、レンズ221による光LLの集光位置を所望の位置に調整することができる。なお、第2透光層24の屈折率が調整されることによって、光LLの光路長が調整されてもよい。また、第2透光層24の厚さおよび透光性基部231の厚さが調整されることによって、光LLの光路長が調整されてもよい。また、第2透光層24は省略されてもよい。その場合には、透光性基部231の厚さが調整されることによって、光LLの光路長が調整されてもよい。

0037

また、前述のレンズ層22、第1透光層23および第2透光層24は、それぞれ透光性を有する材料で構成されていればよいが、具体的には、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料で構成されることが好ましい。かかる無機材料を用いられることで、樹脂材料を用いる場合に比べ、光学特性に優れるとともに充分に薄いレンズ層22が形成され易い。なお、第1透光層23および第2透光層24についても同様である。

0038

また、ケイ素系の無機材料の中でも、レンズ層22、第1透光層23および第2透光層24は、それぞれ酸化ケイ素を主として構成されることが好ましい。酸化ケイ素を主として用いることで、例えば窒化ケイ素を用いる場合に比べ、透光性を高くすることができる。また、第2透光層24が主として酸化ケイ素で構成されることで、主として窒化ケイ素で構成される場合に比べて、製造時に第2透光層24がそれ以外の他の層に含まれる材料等を吸収することを抑制することができる。そのため、第2透光層24の膜質の低下を抑制することができる。なお、第1透光層23および第2透光層24についても同様である。また、レンズ層22が窒化ケイ素を主として構成されることで、酸化ケイ素を主として形成される場合に比べ、レンズ性能を高めることができる。また、レンズ層22、第1透光層23および第2透光層24は、それぞれ樹脂材料で構成されてもよい。

0039

また、レンズ層22、第1透光層23および第2透光層24は、互いに異なる材料で構成されてもよいが、同材料で構成されることが好ましい。これらが同材料であることで、これらが互いに異なる材料である場合に比べ、界面反射等を抑制することができる。

0040

また、第1透光層23と第2透光層24との間には、遮光性を有する遮光膜201が配置される。当該遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、具体的には、可視光の透過率が10%以下であること、好ましくは5%以下であることをいう。遮光膜201は、例えば、金属または金属化合物で構成される。図7に示すように、遮光膜201は、平面視で四角形の枠状をなす。なお、図7では、理解を容易にするために、遮光膜201にドットが付されている。遮光膜201は、平面視で、レンズ集合体220を囲む。また、遮光膜201は、平面視で、第1孔222および第2孔223と重なる。それゆえ、遮光膜201は、平面視で、第1接続部232および第2接続部233と重なる。なお、遮光膜201の平面視での形状は、図示の四角形の枠状に限定されない。また、本実施形態では、遮光膜201は、平面視でレンズ集合体220と重ならないが、遮光膜201の一部は、平面視でレンズ集合体220と重なってもよい。

0041

図5に示すように、第2透光層24上には、配線層26が配置される。配線層26は、遮光層269と、TFT260、走査線261、容量線263および信号線262等の各種配線と、絶縁体25とを有する。なお、図5に示すTFT260、走査線261、容量線263および信号線262の並び順は一例であって、これらの並び順は図示の例に限定されない。また、前述のように、信号線262はx方向に延在するが、図5では、理解を容易にするよう信号線262の配置は実際の配置と異なる。また、図5では、静電容量64等の各種配線等の図示は省略する。なお、図4についても同様である。

0042

絶縁体25は、透光性および絶縁性を有する。絶縁体25は、第1層間絶縁膜251、第2層間絶縁膜252、第3層間絶縁膜253、第4層間絶縁膜254および第5層間絶縁膜255を有する。第1層間絶縁膜251は、第2透光層24上に配置され、遮光性を有する遮光層269とTFT260との間に位置する。第2層間絶縁膜252は、第1層間絶縁膜251上に配置され、TFT260と走査線261との間に位置する。第3層間絶縁膜253は、第2層間絶縁膜252上に配置され、走査線261と容量線263との間に位置する。第4層間絶縁膜254は、第3層間絶縁膜253上に配置され、容量線263と信号線262との間に配置される。第5層間絶縁膜255は、第4層間絶縁膜254上に配置され、信号線262を覆う。

0043

TFT260、走査線261、容量線263および信号線262等の各種配線と、遮光層269とは、それぞれ、例えば金属または金属化合物等で構成される。また、絶縁体25が有する各層は、例えば酸化ケイ素等のケイ素系の無機材料で構成される。なお、図示はしないが、基部21と絶縁体25との間に、例えば透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で構成された層が配置されてもよい。

0044

かかる配線層26は、光LLが透過する複数の透光領域A11と、各種配線が配置される配線領域A12とを有する。透光領域A11は、平面視でほぼ四角形状をなす。複数の透光領域A11は、平面視で行列状に配置される。また、配線領域A12は、光LLを遮断する。配線領域A12は、平面視で格子状をなす。配線領域A12は、平面視で透光領域A11を囲む。

0045

配線層26上には、複数の画素電極28が配置される。1つの画素電極28と1つの透光領域A11とは、平面視で重なる。1つの画素Pに対して、1つの画素電極28および1つの透光領域A11が設けられる。

0046

以上説明したように、素子基板2は、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体200と、絶縁性基体200に対して離間して配置される画素電極28と、画素電極28に電気的に接続されるTFT260と、を備える。また、絶縁性基体200は、基部21と、基部21と画素電極28との間に位置し、画素電極28の厚さ方向から見た平面視で画素電極28と重なるレンズ221を有するレンズ層22と、を備える。また、基部21とレンズ221との間には、空間Sが設けられる。空間Sが設けられていることで、レンズ集合体220が基部21に接触している場合に比べて、レンズ性能を高めることができる。これは、レンズ層22と空間Sとの屈折率の差が、レンズ層22と基部21との屈折率の差よりも大きいためである。また、空間Sを備えているため、従来のようにレンズ層22の屈折率を高くしなくても、レンズ221と空間Sとの屈折率差を充分に大きくすることができる。そのため、TFT260の形成時におけるアニール処理に対するレンズ層22の耐熱性の低下が抑制される。さらには、レンズ層22の屈折率を高くすることによるレンズ層22の透光性の低下を防ぐことができる。

0047

また、前述のように、レンズ層22には、空間Sに連通する「貫通孔」としての第1孔222と、空間Sの連通する第2孔223とが設けられている。また、絶縁性基体200は、レンズ層22上に配置され、第1孔222を塞ぐ、透光性および絶縁性を有する「透光層」としての第1透光層23をさらに備える。第1孔222および第2孔223を塞ぐ第1透光層23を備えることで、レンズ性能に優れる素子基板2を容易かつ高精度に製造することができる。なお、製造方法については後で詳述する。また、第1透光層23を備えることで、空間S内の状態を好適に維持することができる。なお、第1孔222の配置は、図示の例に限定されず任意である。第2孔223についても同様である。

0048

また、前述したように、第1透光層23は、第1孔222を通じて基部21に接続される第1接続部232を備える。同様に、本実施形態では、第1透光層23は、第2孔223を通じて基部21に接続される第2接続部233を備える。第1接続部232を備えることで、第1孔222を好適に塞ぐことができる。同様に、第2接続部233を備えることで、第2孔223を好適に塞ぐことができる。そのため、第1接続部232および第2接続部233を備えることで、これらを備えていない場合に比べ、空間S内の状態が維持され易い。なお、第1透光層23は、透光性基部231のみで構成されてもよい。つまり、第1透光層23は、第1接続部232および第2接続部233を備えていなくてもよい。

0049

また、前述したように、本実施形態では、基部21から画素電極28に向かって光LLが透過する。別の言い方をすれば、レンズ221の凸レンズ面は、空間Sからレンズ221内に向かって光LLを入射させる入射面として機能する。空間Sからレンズ221内に向かって光LLが入射することで、光LLを効果的に収束させるよう屈折させることができる。そのため、例えばTFT260が有する半導体層に光LLを当たり難くすることができ、光LLの利用効率を特に高めることができる。

0050

1−1cB.対向基板4の構成
図4に示すように、対向基板4は、基体41と、絶縁層42と、対向電極45と、第2配向膜46とを有する。本実施形態では、対向基板4は、光LLを収束または発散させる光学部材を備えていない。電気光学装置100は、前述の絶縁性基体200を備える素子基板2を備えているため、素子基板2が光学部材を備えずとも、光LLの利用効率を充分に高めることができる。また、対向基板4が光学部材を備えていないことで、レンズ部材を備えている場合に比べ、電気光学装置100の薄型化を図ることができる。

0051

なお、対向基板4は、光LLを収束または発散させる光学部材を備えていてもよい。

0052

1−1d.電気光学装置100の製造方法
次に、電気光学装置100の製造方法について説明する。まず、電気光学装置100が有する素子基板2の製造方法について説明する。図8は、第1実施形態における素子基板2の製造方法を示すフローである。図8に示すように、素子基板2の製造方法は、絶縁性基体形成工程S10と、配線層形成工程S18と、画素電極形成工程S19と、第1配向膜形成工程S20とを有する。絶縁性基体形成工程S10は、基部形成工程S11と、犠牲層形成工程S12と、レンズ層形成工程S13と、空間形成工程S14と、第1透光層形成工程S15と、遮光膜形成工程S16と、第2透光層形成工程S17とを有する。

0053

図9は、第1実施形態における基部形成工程S11を説明するための断面図である。基部形成工程S11では、例えば石英基板に凹部211が形成されることにより、図9に示す基部21が形成される。凹部211の形成は、例えば、ドライエッチングまたはウェットエッチングにより行われる。また、凹部211は、その深さD1が後述の図15に示すレンズ221の厚さD2によりも大きくなるように形成される。図10は、第1実施形態における基部形成工程を説明するための平面図である。図10に示すように、基部21の凹部211は、例えば平面視で四角形状に形成される。なお、凹部211の平面視での形状は図示の形状に限定されない。

0054

図11図13は、それぞれ、第1実施形態における犠牲層形成工程S12を説明するための断面図である。図14は、それぞれ、第1実施形態における犠牲層形成工程S12を説明するための平面図である。犠牲層形成工程S12では、まず、図11に示すように、基部21上に第1犠牲層51が形成される。第1犠牲層51は、基部21のうち凹部211が形成された+z軸側の面を覆うように形成される。第1犠牲層51は、例えばCVD(chemical vapor deposition)法等の蒸着法により形成される。第1犠牲層51は、例えばシリコンを含む。

0055

次に、図12に示すように、第1犠牲層51上に第2犠牲層52が形成され、その後、第1犠牲層51および第2犠牲層52の各+z軸側の面に対して平坦化処理が行われる。また、第2犠牲層52は、例えばCVD法等の蒸着法により形成される。平坦化処理としては、例えばCMP(chemical mechanical polishing)法等の研磨処理が挙げられる。第2犠牲層52は、例えば酸化ケイ素を含む。第2犠牲層52は、第1犠牲層51とは異なる材料であることが好ましい。

0056

次に、図13に示すように、第2犠牲層52の+z軸側の面に凹レンズ群510が形成される。その後、第2犠牲層52上に第3犠牲層53が形成される。凹レンズ群510は、複数のレンズ用凹部511を含む。レンズ用凹部511は、レンズ221を形成するために、第2犠牲層52に形成される窪みである。レンズ用凹部511は、半球状をなす。図14に示すように、複数のレンズ用凹部511は、平面視において、x方向およびy方向に行列状に配列される。また、複数のレンズ用凹部511は、平面視において凹部211と重なる。複数のレンズ用凹部511の形成は、例えばエッチングにより行われる。また、図13に示すように、第3犠牲層53は、凹レンズ群510を覆うように形成される。第3犠牲層53は、例えばCVD法等の蒸着法により形成される。第3犠牲層53は、例えばシリコンを含む。また、第3犠牲層53は、第1犠牲層51と同一材料であることが好ましい。

0057

図15および図16は、それぞれ、第1実施形態におけるレンズ層形成工程S13を説明するための断面図である。レンズ層形成工程S13では、まず、図15に示すように、第3犠牲層53上に、複数のレンズ221を有するレンズ集合体220を備えるレンズ層22が形成される。レンズ層22は、例えば酸化ケイ素等を含む。レンズ層22は、例えばCVD法等の蒸着法により形成される。次に、図16に示すように、レンズ層22に第1孔222および第2孔223が形成される。第1孔222および第2孔223の各形成は、例えばエッチングにより行われる。第1孔222および第2孔223は、これらの間に平面視でレンズ集合体220が位置するように形成される。

0058

図17図19および図20は、それぞれ、第1実施形態における空間形成工程S14を説明するための断面図である。図18は、第1実施形態における空間形成工程S14を説明するための平面図である。空間形成工程S14では、まず、図17に示すように、レンズ層22上に第4犠牲層54が形成される。その後、第1空間用孔502および第2空間用孔503が形成される。第4犠牲層54は、例えばCVD法等の蒸着法により形成される。第4犠牲層54は、例えばシリコンを含む。第4犠牲層54は、第3犠牲層53と同一材料であることが好ましい。

0059

第1空間用孔502および第2空間用孔503は、それぞれ、第4犠牲層54の一部および第3犠牲層53の一部が除去されることにより形成される。なお、図示では、当該除去の際に、第2犠牲層52の一部も除去される。第4犠牲層54の構成材料と第3犠牲層53の構成材料とを同一とすることで、第4犠牲層54および第3犠牲層53を一括して除去することができる。また、図18に示すように、第1空間用孔502は、平面視で第1孔222に包含される。すなわち、第1空間用孔502は平面視で第1孔222と重なり、かつ、第1空間用孔502の平面積は第1孔222の平面積よりも大きい。同様に、第2空間用孔503は、平面視で第2孔223に包含される。すなわち、第2空間用孔503は平面視で第2孔223と重なり、かつ、第2空間用孔503の平面積は第2孔223の平面積よりも大きい。

0060

次に、図19に示すように、第1孔222、第2孔223、第1空間用孔502および第2空間用孔503を用いて、エッチングにより第2犠牲層52が除去される。第2犠牲層52を除去するには後述する第1犠牲層51および第3犠牲層53に対して高い選択比を持つガス等による加工が有益である。例えば、第2犠牲層52が酸化ケイ素で構成される場合、フッ化水素(HF)等のフッ素系のエッチングガスを用いたガスエッチング、また、フッ化水素(HF)等のフッ素系のエッチング液を用いたウェットエッチングであることが好ましい。また、当該エッチングの際、第1犠牲層51、第3犠牲層53および第4犠牲層54は、基部21およびレンズ層22を保護する保護層として機能する。保護層としての機能を好適に発揮するために、第1犠牲層51、第3犠牲層53および第4犠牲層54の各構成材料は、第2犠牲層52の構成材料と異なることが好ましい。特に、第2犠牲層52を除去する際に用いられるエッチングガスに対する第1犠牲層51のエッチングレートは、当該エッチングガスに対する第2犠牲層52のエッチングレートよりも遅いことが好ましい。第3犠牲層53および第4犠牲層54についても同様である。

0061

次に、図20に示すように、第1孔422および第2孔423を用いて、第1犠牲層51、第3犠牲層53および第4犠牲層54がエッチングにより除去される。これにより、レンズ集合体220と基部21との間に空間Sが形成される。例えば、第2犠牲層52がシリコンで構成される場合、六フッ化硫黄SF6)等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング、フッ硝酸等を用いたウェットエッチング、または三フッ化塩素(ClF3)等のフッ素系ガスを用いたガスエッチングであることが好ましい。また、第1犠牲層51の構成材料、第3犠牲層53の構成材料および第4犠牲層54の構成材料を同一とすることで、第4犠牲層54および第3犠牲層53を一括して除去することができる。なお、上記ガスエッチングとは、単にガスを供給することによるエッチングである。また、上記ドライエッチングとは、プラズマエッチングおよびイオンビームエッチング等を含み、ガスエッチングを含まない。

0062

図21は、第1実施形態における第1透光層形成工程S15および遮光膜形成工程S16を説明するための断面図である。第1透光層形成工程S15では、レンズ層22上に第1透光層23が形成される。第1透光層23は、例えばCVD法等の蒸着法により、例えば酸化ケイ素等を含む透光性膜が形成され、当該透光性膜に対してCMP法等の研磨処理による平坦化処理が行なわれることにより形成される。第1透光層23の形成の際、第1接続部232が形成されるとともに、第2接続部233が形成される。第1接続部232は、第1孔222を通じて、基部21に接触する。第2接続部233は、第2孔223を通じて、基部21に接触する。

0063

次に、遮光膜形成工程S16では、第1透光層23上に遮光膜201が形成される。遮光膜201は、レンズ集合体220を平面視で囲むように形成される。遮光膜201は、例えば金属または金属化合物を含む層をCVD法等の蒸着法により形成され、その後、マスクを用いてパターニングされことにより形成される。

0064

次に、第2透光層形成工程S17では、図示はしないが、第1透光層23上に遮光膜201を覆う第2透光層24が形成される。第2透光層24は、例えば酸化ケイ素を含む。第2透光層24は、例えばCVD法等の蒸着法により透光性膜が形成され、当該透光性膜に対してCMP法等の研磨処理による平坦化処理が行われることにより形成される。

0065

次に、配線層形成工程S18では、図示はしないが、遮光層269と、TFT260、走査線261、容量線263および信号線262等の各種配線と、絶縁体25とが形成される。具体的には、遮光層269および各種配線は、それぞれ、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜が形成された後、当該金属膜に対してレジストマスクを用いたエッチングが行なわれることにより形成される。絶縁体25が有する各層は、それぞれ、CVD法等の蒸着法、およびCMP等の研磨等による平坦化処理を用いて形成される。

0066

次に、画素電極形成工程S19では、図示はしないが、配線層26上に複数の画素電極28が形成される。具体的には、画素電極28は、例えば透明電極材料からなる層がCVD法等の蒸着法により形成された後、当該層がマスクを用いてパターニングされることにより形成される。

0067

次に、第1配向膜形成工程S20では、例えば、ポリイミドからなる層がCVD法等の蒸着法により形成され、その後にラビング処理が施されることにより、第1配向膜29が形成される。以上により、図5に示す素子基板2が形成される。

0068

なお、図1に示す走査線駆動回路11等の各種回路等は、前述の工程または工程間で適宜形成される。また、例えば公知の技術を適宜用いて対向基板4が形成され、素子基板2と対向基板4とがシール部材8を介して貼り合わされる。その後、素子基板2、対向基板4およびシール部材8との間に液晶材が注入されて液晶層9が形成され、その後、封止される。このようにして、図1および図2に示す電気光学装置100を製造することができる。

0069

以上説明したように、電気光学装置100の製造方法は、絶縁性基体形成工程S10と、配線層形成工程S18と、画素電極形成工程S19とを有する。絶縁性基体形成工程S10では、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体200が形成される。配線層形成工程S18では、TFT260が形成される。画素電極形成工程S19では、TFT260と電気的に接続される画素電極28が形成される。また、絶縁性基体形成工程S10は、基部形成工程S11と、レンズ層形成工程S13と、空間形成工程S14とを有する。つまり、絶縁性基体形成工程S10では、基部21と、基部21と画素電極28との間に位置し、画素電極28の厚さ方向から見た平面視で画素電極28と重なるレンズ221を有するレンズ層22とが形成される。また、基部21とレンズ221との間には、空間Sが設けられる。かかる製造方法によれば、基部21とレンズ221との間に空間Sが設けられるので、従来のようにレンズ層22の屈折率を高くしなくても、レンズ221と空間Sとの屈折率差を充分に大きくすることができる。そのため、TFT260の形成時におけるアニール処理に対する耐熱性の低下が抑制される。さらには、レンズ層22の屈折率を高くすることによるレンズ層22の透光性の低下を防ぐことができる。

0070

また、前述したように、第1透光層23は、第1孔222を通じて基部21に接続される第1接続部232を備える。同様に、本実施形態では、第1透光層23は、第2孔223を通じて基部21に接続される第2接続部233を備える。第1透光層23が第1接続部232および第2接続部233を備えることで、第1透光層23が透光性基部231のみで構成される場合に比べ、第2透光層24等の製造時において、レンズ層22が撓むことを抑制することができる。

0071

レンズ層22には、空間Sに連通する「第2貫通孔」としての第2孔223が設けられる。第1孔222に加え、さらに第2孔223が設けられることで、エッチングの効率を高めることができる。よって、空間形成工程S14をより迅速に行うことができる。

0072

1−2.第2実施形態
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図22は、第2実施形態における電気光学装置100Aの一部拡大図である。本実施形態は、素子基板2Aの構成が第1実施形態と異なる。なお、第2実施形態において第1実施形態と同様の事項については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明が適宜省略される。

0073

図22に示す電気光学装置100Aが有する素子基板2Aは、画素電極28と絶縁性基体200との間に配置され、平面視でレンズ221と重なる第2レンズ271を有する「第2レンズ部」としての第2レンズ層27を備える。1つの透光領域A11、1つのレンズ221、1つの第2レンズ271および1つの画素電極28は、平面視で重なる。また、第2レンズ271は、絶縁体25に向かって突出する凸曲面を有する凸レンズで構成される。第2レンズ271は、半球状をなす。

0074

第2レンズ271を備えることで、レンズ221で収束する光LLを、光LLの光軸に対してほぼ平行な状態にすることができる。なお、当該光軸は、z方向に平行である。ほぼ平行な状態にすることで、液晶層9での光LLの収束を抑制できるので、液晶層9における液晶分子に当たる光LLの強度のばらつきを低減することができる。そのため、投射光学系4003にF値の大きいレンズを採用した場合でも、高い光利用効率を得ることが
できる。また、液晶層9を通過する際に、光LLの斜め成分が少なくなるため、コントラストの低下を低減することができる。

0075

1−3.変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

0076

1−3a.第1変形例
前述の各実施形態におけるレンズ221は、凸曲面を有する凸レンズで構成されるが、凹曲面を有する凹レンズであってもよい。同様に、第2実施形態における第2レンズ271は、凸曲面を有する凸レンズで構成されるが、凹曲面を有する凹レンズであってもよい。

0077

1−3b.第2変形例
前述の各実施形態における絶縁性基体200は、基部21とレンズ層22とを備えるが、絶縁性基体200の構成はこれに限定されない。例えば、基部21とレンズ層22とは、一体で構成されてもよい。

0078

1−3c.第3変形例
前述の各実施形態では基部21は、凹部211を有するが、基部21は凹部211を有していなくてもよい。例えば、レンズ層22の+z軸側の面に、凹部が設けられてもよい。その場合、例えば当該凹部の底面にレンズ集合体220を設けることができる。

0079

1−3d.第4変形例
前述の各実施形態では、絶縁性基体200は、第1透光層23を備えるが、第1透光層23を備えなくてもよい。また、レンズ層22には、第1孔222および第2孔223が設けられていなくてもよい。また、例えば、基部21に、その厚さ方向に貫通する孔が形成されてもよい。

0080

図23は、変形例におけるレンズ層22xを有する構造体20xを示す断面図である。絶縁性基体200は、基部21と、前述の第1孔222および第2孔223を有していないレンズ層22xとで構成される構造体20xを備えてもよい。図23に示す構造体20xは、例えば、基部21に対してレンズ層22xを接着剤により張り合わせることにより形成される。ただし、構造体20xでは、接着剤の厚さにバラつきが生じて、基部21からレンズ層22xが剥離するおそれがある。そのため、絶縁性基体200は、図5に示すように、基部21、レンズ層22および第1透光層23を有する構成であることが特に好ましい。基部21、レンズ層22および第1透光層23を有することで、前述のエッチングを用いた方法により空間Sを好適に形成することができるので、基部21にレンズ層22を接着剤により張り合わせる処理を省略できる。それゆえ、レンズ性能に優れた素子基板2を効率良くかつ高精度に形成することができる。

0081

1−3e.第5変形例
基部21とレンズ層22との間には、任意の要素が配置されてもよい。ただし基部21とレンズ層22とは、図5に示すように互いに接触する部分を有することが好ましい。同様に、レンズ層22と第1透光層23との間には、任意の要素が配置されてもよい。ただし、レンズ層22と第1透光層23とは、図5に示すように互いに接触していることが好ましい。

0082

1−3f.第6変形例
第1実施形態において、平面視で第1孔222および第2孔223との間に、レンズ集合体220が配置されたが、第1孔222および第2孔223の配置はこれに限定されず、任意である。例えば、第1孔222および第2孔223は、それぞれ、平面視でほぼ四角形状をなす外形2201のうちの1辺のみに配置されてもよい。また、例えば、第1孔222が、外形2201のうちの長辺に沿って配置され、第2孔223が外形2201のうちの短辺に沿って配置されてもよい。また、エッチング効率の向上の観点から、例えば、第1孔222および第2孔223が、それぞれ外形2201のうちの長辺に沿って配置されてもよい。また、第1実施形態において、第1孔222の平面積および第2孔223の平面積は、ほぼ等しいが、これらは互いに異なっていてもよい。

0083

1−5g.第7変形例
前述の各実施形態において、「スイッチング素子」は、TFT260であるが、これに限定されない。「スイッチング素子」は、例えばMOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)等であってもよい。

0084

1−5h.第8変形例
前述の各実施形態では、光LLは、素子基板2から入射するが、光LLは、対向基板4から入射してもよい。

0085

2.電子機器
電気光学装置100は、各種電子機器に用いることができる。

0086

図24は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター2000を示す斜視図である。パーソナルコンピューター2000は、各種の画像を表示する電気光学装置100と、電源スイッチ2001やキーボード2002が設置された本体部2010とを有する。

0087

図25は、電子機器の一例であるスマートフォン3000を示す斜視図である。スマートフォン3000は、操作ボタン3001と、各種の画像を表示する電気光学装置100とを有する。操作ボタン3001の操作に応じて電気光学装置100に表示される画面内容が変更される。

0088

図26は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置4000は、例えば、3板式のプロジェクターである。電気光学装置1rは、赤色の表示色に対応する電気光学装置100であり、電気光学装置1gは、緑の表示色に対応する電気光学装置100であり、電気光学装置1bは、青色の表示色に対応する電気光学装置100である。すなわち、投射型表示装置4000は、赤、緑および青の表示色に各々対応する3個の電気光学装置1r、1g、1bを有する。

0089

照明光学系4001は、光源である照明装置4002からの出射光のうち赤色成分rを電気光学装置1rに供給し、緑色成分gを電気光学装置1gに供給し、青色成分bを電気光学装置1bに供給する。各電気光学装置1r、1g、1bは、照明光学系4001から供給される各単色光表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系4003は、各電気光学装置1r、1g、1bからの出射光を合成して投射面4004に投射する。

0090

前述のパーソナルコンピューター2000、スマートフォン3000、および投射型表示装置4000は、それぞれ、前述の電気光学装置100を備える。電気光学装置100を備えるため、パーソナルコンピューター2000、スマートフォン3000および投射型表示装置4000における各表示の品質を高めることができる。

0091

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

0092

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、PDA(Personal Digital Assistants)、デジタルスチルカメラテレビビデオカメラカーナビゲーション装置車載用表示器電子手帳電子ペーパー電卓ワードプロセッサーワークステーションテレビ電話、およびPOS(Point of sale)端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンタースキャナー複写機ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

0093

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機EL(electro luminescence)、無機ELまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

0094

2…素子基板、4…対向基板、8…シール部材、9…液晶層、11…走査線駆動回路、12…信号線駆動回路、14…外部端子、15…配線、20…導光部、21…基部、22…レンズ層、23…第1透光層、24…第2透光層、25…絶縁体、26…配線層、27…第2レンズ層、28…画素電極、29…第1配向膜、41…基体、42…絶縁層、45…対向電極、46…第2配向膜、51…第1犠牲層、52…第2犠牲層、53…第3犠牲層、54…第4犠牲層、64…静電容量、80…封止材、81…注入口、100…電気光学装置、200…絶縁性基体、201…遮光膜、211…凹部、220…レンズ集合体、221…レンズ、222…第1孔、223…第2孔、231…透光性基部、232…第1接続部、233…第2接続部、251…第1層間絶縁膜、252…第2層間絶縁膜、253…第3層間絶縁膜、254…第4層間絶縁膜、255…第5層間絶縁膜、260…TFT、261…走査線、262…信号線、263…容量線、264…蓄積容量、269…遮光層、271…第2レンズ、502…第1空間用孔、503…第2空間用孔、510…凹レンズ群、511…レンズ用凹部、2110…開口縁、2201…外形、A10…表示領域、A11…透光領域、A12…配線領域、A20…周辺領域、LL…光、P…画素、S…空間。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • muiLab株式会社の「 操作表示パネル組込物品」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題・解決手段】空間に自然に調和してユーザにとって視覚的ノイズとならず、かつ、ユーザが使用したいと思ったときや必要な時には、自然素材の手触りを感じながら直感的に操作可能な、操作表示パネルが組み込まれ... 詳細

  • 東レ株式会社の「 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、並びに有機ELディスプレイ及びその製造方法」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題・解決手段】高感度であり、現像後に低テーパー形状のパターンを形成することができ、熱硬化前後におけるパターン開口寸法幅の変化を抑制することが可能であって、遮光性に優れた硬化膜及びそれを形成するネガ... 詳細

  • 株式会社半導体エネルギー研究所の「 発光装置」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】トランジスタの閾値電圧のばらつきによる、発光素子の輝度のばらつきを抑制する。また、電界発光層の劣化による、発光素子の輝度の低下を抑制する。【解決手段】発光素子101と、ソースが発光素子のアノー... 詳細

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

関連する公募課題一覧

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ