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技術 チップバリスタ

出願人 TDK株式会社
発明者 内田雅幸
出願日 2018年12月12日 (2年0ヶ月経過) 出願番号 2018-232715
公開日 2020年6月18日 (6ヶ月経過) 公開番号 2020-096075
状態 未査定
技術分野 サーミスタ・バリスタ
主要キーワード 素体部分 差動伝送用 低静電容量化 信号精度 イミュニティ試験 n型半導体 均一幅 半導体セラミック
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2020年6月18日)のものです。
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図面 (9)

課題

高い信号精度を実現することができるチップバリスタおよび差動伝送用送受信装置を提供する。

解決手段

チップバリスタ1は、素体10内に2つの機能層(すなわち、第一機能層42および第二機能層44)を含んでおり、2つの機能層42、44は実質的に同じ静電容量を有している。チップバリスタ1では、アルカリ金属含有部12によって、素体10が外表面10a〜10fから高抵抗化されているが、アルカリ金属含有部12は第一機能層42および第二機能層44には達していない。そのため、アルカリ金属含有部12は第一機能層42および第二機能層44の静電容量に影響することなく、チップバリスタ1の寄生容量を抑制している。したがって、チップバリスタ1は、容量バラツキが抑制された2つの機能層42、44を含む。

概要

背景

チップバリスタとして、機能層バリスタ層)と機能層を挟むように機能層に接して配置された内部電極とを有するバリスタ素体と、バリスタ素体の端部に対応する内部電極に接続されるように配置された端子電極とを備えた積層型チップバリスタが知られている(たとえば、特許文献1参照)。

概要

高い信号精度を実現することができるチップバリスタおよび差動伝送用送受信装置を提供する。チップバリスタ1は、素体10内に2つの機能層(すなわち、第一機能層42および第二機能層44)を含んでおり、2つの機能層42、44は実質的に同じ静電容量を有している。チップバリスタ1では、アルカリ金属含有部12によって、素体10が外表面10a〜10fから高抵抗化されているが、アルカリ金属含有部12は第一機能層42および第二機能層44には達していない。そのため、アルカリ金属含有部12は第一機能層42および第二機能層44の静電容量に影響することなく、チップバリスタ1の寄生容量を抑制している。したがって、チップバリスタ1は、容量バラツキが抑制された2つの機能層42、44を含む。

目的

本発明は、高い信号精度を実現することができるチップバリスタおよび差動伝送用送受信装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

互いに対向する第一面と第二面とを有し、積層構造を有する素体と、前記素体の所定の層内おいて第一面と第二面との対向方向に沿って延在する第一導体と、前記素体の前記第一導体とは異なる層内において第一面と第二面との対向方向に沿って延在し、前記第一導体と前記素体の積層方向において重なる重畳部を形成する第二導体と、前記素体の前記第一導体と前記第二導体との中間に位置する層内において、前記第一導体および前記第二導体と交差する方向に沿って延在し、前記重畳部と前記素体の積層方向において重なる機能部を有し、前記機能部と前記第一導体との間に第一機能層を形成するとともに前記機能部と前記第二導体との間に第二機能層を形成する第三導体と、前記素体の前記第一面側に設けられ、前記第一導体に接続された第一電極と、前記素体の前記第二面側に設けられ、前記第二導体に接続された第二電極と、前記素体の表面に設けられ、前記第三導体に接続された第三電極と、アルカリ金属を含有させることにより電気抵抗が高められた前記素体の部分であって、前記素体の表面を構成するとともに、前記第一導体、前記第二導体および前記第三導体と前記素体との界面に沿って前記素体の表面から内部に延びるアルカリ金属含有部とを備え、前記アルカリ金属含有部が前記第一機能層および前記第二機能層に達していない、チップバリスタ

請求項2

前記第一導体と前記素体との界面に沿って前記アルカリ金属含有部が達する位置から前記重畳部までの距離、および、前記第二導体と前記素体との界面に沿って前記アルカリ金属含有部が達する位置から前記重畳部までの距離が、前記第三導体と前記素体との界面に沿って前記アルカリ金属含有部が達する位置から前記重畳部までの距離より長い、請求項1に記載のチップバリスタ。

請求項3

前記積層方向および前記第一面と前記第二面との対向方向に直交する方向に関し、前記素体の長さに対する前記第一導体の長さおよび前記第二導体の長さの割合が0.1〜0.6の範囲である、請求項1または2に記載のチップバリスタ。

請求項4

前記第一面と前記第二面との対向方向に関し、前記第三電極の長さに対する前記第三導体の長さの割合が0.2〜0.6の範囲である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のチップバリスタ。

請求項5

前記第一面と前記第二面との対向方向に関し、前記第三導体の機能部の長さが前記重畳部の長さより短い、請求項1〜4のいずれか一項に記載のチップバリスタ。

請求項6

請求項1〜5のいずれか一項に記載のチップバリスタを備え、前記チップバリスタの前記第一電極が一方のチャネルに接続されるとともに前記第二電極が他方のチャネルに接続され、前記第三電極が接地されている、差動伝送用送受信装置

技術分野

0001

本発明は、チップバリスタに関する。

背景技術

0002

チップバリスタとして、機能層バリスタ層)と機能層を挟むように機能層に接して配置された内部電極とを有するバリスタ素体と、バリスタ素体の端部に対応する内部電極に接続されるように配置された端子電極とを備えた積層型チップバリスタが知られている(たとえば、特許文献1参照)。

先行技術

0003

特開2002−184608号公報

発明が解決しようとする課題

0004

発明者らは、たとえば車載用差動伝送用送受信装置ESD(Electrostatic Discharge:静電気放電)のようなサージ電圧から保護するために、差動伝送用送受信装置にチップバリスタを適用する技術について研究を重ね、その結果、2つのチャネルにそれぞれに取り付けられたチップバリスタ間の容量バラツキ通信エラーの原因となり得るとの知見を得た。

0005

発明者らは、鋭意研究の末、上記容量バラツキを抑制することで、信号エラーを低減することができる技術を新たに見出した。

0006

本発明は、高い信号精度を実現することができるチップバリスタおよび差動伝送用送受信装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0007

本発明の一形態に係るチップバリスタは、互いに対向する第一面と第二面とを有し、積層構造を有する素体と、素体の所定の層内おいて第一面と第二面との対向方向に沿って延在する第一導体と、素体の第一導体とは異なる層内において第一面と第二面との対向方向に沿って延在し、第一導体と素体の積層方向において重なる重畳部を形成する第二導体と、素体の第一導体と第二導体との中間に位置する層内において、第一導体および第二導体と交差する方向に沿って延在し、重畳部と素体の積層方向において重なる機能部を有し、機能部と第一導体との間に第一機能層を形成するとともに機能部と第二導体との間に第二機能層を形成する第三導体と、素体の第一面側に設けられ、第一導体に接続された第一電極と、素体の第二面側に設けられ、第二導体に接続された第二電極と、素体の表面に設けられ、第三導体に接続された第三電極と、アルカリ金属を含有させることにより電気抵抗が高められた素体の部分であって、素体の表面を構成するとともに、第一導体、第二導体および第三導体と素体との界面に沿って素体の表面から内部に延びるアルカリ金属含有部とを備え、アルカリ金属含有部が第一機能層および第二機能層に達していない。

0008

上記チップバリスタは、素体内に2つの機能層(すなわち、第一機能層および第二機能層)を含む。第一機能層および第二機能層は、第一導体と第二導体とが重なる重畳部において、第三導体の機能部が第一導体および第二導体のそれぞれと重なることにより形成される。そのため、第三導体の機能部と第一導体との対向面積と、第三導体の機能部と第二導体との対向面積とは、同一化が図られている。さらに、上記チップバリスタでは、アルカリ金属含有部によって、第一機能層および第二機能層を除く素体の一部が高抵抗化されている。そのため、第一導体、第二導体、第三導体、第一電極、第二電極および第三電極のいずれか2つの間に生じる寄生容量が抑制されている。したがって、上記チップバリスタにおいては、容量バラツキが抑制された2つの機能層を含み、これらの機能層を差動伝送用送受信装置に適用することで、高い信号精度を実現することができる。

0009

他の形態に係るチップバリスタは、第一導体と素体との界面に沿ってアルカリ金属含有部が達する位置から重畳部までの距離、および、第二導体と素体との界面に沿ってアルカリ金属含有部が達する位置から重畳部までの距離が、第三導体と素体との界面に沿ってアルカリ金属含有部が達する位置から重畳部までの距離より長い。

0010

他の形態に係るチップバリスタは、積層方向および第一面と第二面との対向方向に直交する方向に関し、素体の長さに対する第一導体の長さおよび第二導体の長さの割合が0.1〜0.6の範囲である。この場合、チップバリスタは高いESD耐性を備えつつ、高い信頼性を備える。

0011

他の形態に係るチップバリスタは、第一面と第二面との対向方向に関し、第三電極の長さに対する第三導体の長さの割合が0.2〜0.6の範囲である。この場合、チップバリスタは高いESD耐性を備えつつ、高い信頼性を備える。

0012

他の形態に係るチップバリスタは、第一面と第二面との対向方向に関し、第三導体の機能部の長さが重畳部の長さより短い。

0013

本発明の一形態に係る差動伝送用送受信装置は、上記チップバリスタを備え、チップバリスタの第一電極が一方のチャネルに接続されるとともに第二電極が他方のチャネルに接続され、第三電極が接地されている。上記差動伝送用送受信装置においては、容量バラツキが抑制された2つの機能層を含むチップバリスタが適用されることで、高い信号精度を実現することができる。

発明の効果

0014

本発明によれば、高い信号精度を実現することができるチップバリスタおよび差動伝送用送受信装置を提供することができる。

図面の簡単な説明

0015

一実施形態に係るチップバリスタを示す概略斜視図である。
図1に示したチップバリスタの各導体および各端子電極を示した図である。
図1に示したチップバリスタのIII−III線断面図である。
図1に示したチップバリスタのIV−IV線断面図である。
一実施形態に係る差動伝送用送受信装置を示した図である。
従来技術に係る差動伝送用送受信装置を示した図である。
第一導体および第二導体の幅が異なる複数の試料を用いた実験測定結果および判定結果を示した表である。
第三導体の幅が異なる複数の試料を用いた実験の測定結果および判定結果を示した表である。

実施例

0016

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

0017

まず、図1図4を参照して、実施形態に係るチップバリスタ1の構成について説明する。

0018

チップバリスタ1は、三端子型積層チップバリスタであり、素体10と端子電極20とを備えて構成されている。チップバリスタ1は、略直方体形状の外形を有し、いわゆる2012サイズ(長手方向長さが2.0mm、短手方向長さが1.25mm、高さが0.5mm)である。

0019

素体10は、略直方体形状の外形を有する積層構造体である。素体10は、長手方向において互いに対向する正方形状の端面10a、10bと、端面10a、10bに直交する長方形状の4つの側面10c〜10fとを有する。4つの側面10c〜10fは、端面10a,10b間を連結するように延びている。

0020

素体10は、バリスタ特性発現する焼結体半導体セラミック)からなる。素体10は、バリスタ特性を発現する焼結体からなる複数の層からなる積層構造体である。実際の素体10では、構成する各層は、その間の境界視認できない程度に一体化されている。素体10は、ZnO(酸化亜鉛)を主成分として含むと共に、副成分としてCo、希土類金属元素IIIb族元素(B、Al、Ga、In)、Si、Cr、Mo、アルカリ金属元素(K、Rb、Cs)及びアルカリ土類金属元素(Mg、Ca、Sr、Ba)などの金属単体やこれらの酸化物を含む。本実施形態において、素体10は、副成分としてCo、Pr、Cr、Ca、K、及びAlを含んでいる。素体10におけるZnOの含有量は、特に限定されないが、素体10を構成する全体の材料を100質量%とした場合に、通常、99.8〜69.0質量%である。希土類金属元素(たとえば、Pr)は、バリスタ特性を発現させる物質として作用する。素体10における希土類金属元素の含有量は、たとえば0.01〜10原子%程度に設定される。

0021

チップバリスタ1は、第一導体32、第二導体34および第三導体36を素体10内に備える。第一導体32、第二導体34および第三導体36は、導電材を含んでいる。各導体32、34、36に含まれる導電材としては、特に限定されないが、PdまたはAg−Pd合金からなることが好ましい。各導体32、34、36の厚み(積層方向長さ)は、たとえば0.1〜10μm程度である。

0022

第一導体32は、均一幅を有する帯状の形状を有し、素体10を構成する層内おいて、端面10a、10bの対向方向に沿って延在している。第一導体32は、一方の端部32aが端面10a(第一面)に露出するとともに他方の端部32bが素体10内に位置している。第一導体32の幅は、たとえば0.4mmである。

0023

第二導体34は、均一幅を有する帯状の形状を有し、第一導体32が形成された層とは異なる層内おいて、端面10a、10bの対向方向に沿って延在している。第二導体34は、一方の端部34aが端面10b(第二面)に露出するとともに他方の端部34bが素体10内に位置している。第二導体34の幅は、第一導体32の幅と同じになるように設計されており、たとえば0.4mmである。

0024

図2に示すように、第一導体32と第二導体34とは素体10の積層方向(側面10cと側面10dとの対向方向)から見て互いに位置合わせされており、素体10内に位置する端部32b、34b同士が積層方向において完全に重なっている。第一導体32の端部32bと第二導体34の端部34bとが重なって形成された重畳部40は、積層方向から見て、長辺方向が端面10a、10bの対向方向に平行な長方形状を呈する。

0025

第三導体36は、均一幅を有する帯状の形状を有し、第一導体32と第二導体34との中間に位置する層内に延在している。そのため、素体10の積層方向に関し、第三導体36と第一導体32との離間距離は、第三導体36と第二導体34との離間距離と実質的に同一である。また、第三導体36は、側面10e、10fの対向方向に沿って延在しており、素体10の積層方向から見て、第一導体32および第二導体34と交差している(本実施形態においては直交している)。第三導体36の一方の端部36aは側面10eに露出しており、第三導体36の他方の端部36bは側面10fに露出している。第三導体36の幅は、重畳部40の長辺長さより狭く、たとえば0.12mmである。

0026

また、第三導体36は、素体の積層方向において重畳部40と重なる機能部36cを有する。第三導体36は、第一導体32とは重畳部40においてのみ重なり、第二導体34とも重畳部40においてのみ重なる。そのため、機能部36cの面積は、第三導体36と第一導体32との重畳面積と一致し、かつ、第三導体36と第二導体34との重畳面積とも一致する。

0027

機能部36cは、第一導体32の端部32bとの間に第一機能層42を形成する。第一機能層42は、機能部36cと第一導体32の端部32bとで挟まれた素体部分である。第一機能層42は、たとえば20〜50pF程度の静電容量を有する。また、機能部36cは、第二導体34の端部34bとの間に第二機能層44を形成する。すなわち、第二機能層44は、機能部36cと第二導体34の端部34bとで挟まれた素体部分である。上述したとおり、第三導体36は、第一導体32および第二導体34と実質的に同じ距離だけ離間しており、かつ、第一導体32および第二導体34と重畳面積が実質的に同じであるため、第二機能層44は、第一機能層42の静電容量と実質的に同じ静電容量を有する。

0028

端子電極20の第一電極20Aは、素体10の端面10a側に配置されている。第一電極20Aは、端面10aと、4つの側面10c〜10fの端面10a寄りの部分と、を覆うように形成されている。第一電極20Aは、素体10の端面10aに露出した第一導体32の一方の端部32aを覆うようにも形成されており、第一電極20Aは、第一導体32と直接接続されている。

0029

端子電極20の第二電極20Bは、素体10の端面10b側に配置されている。第二電極20Bは、端面10bと、4つの側面10c〜10fの端面10b寄りの部分と、を覆うように形成されている。第二電極20Bは、素体10の端面10bに露出した第二導体34の一方の端部34aを覆うようにも形成されており、第二電極20Bは、第二導体34と直接接続されている。

0030

端子電極20の第三電極20C、20Dは、対をなしており、素体10の側面10e側および側面10f側にそれぞれ配置されている。具体的には、第三電極20Cは、長方形状を有する側面10eの長辺の中間位置において積層方向に延びて側面10cと側面10dに回り込んでおり、第三電極20Dは、長方形状を有する側面10fの長辺の中間位置において積層方向に延びて、側面10cと側面10dに回り込んでいる。第三電極20C、20Dは、素体10の側面10e、10fに露出した第三導体36の両端部36a、36bをそれぞれ覆うようにも形成されており、第三電極20C、20Dは、第三導体36と直接接続されている。

0031

各電極20A〜20Dは、単層構造であっても複数層構造であってもよい。各電極20A〜20Dは、たとえば焼付電極であり、導電性ペーストを素体10の表面に付与して焼き付けることにより形成される。導電性ペーストには、金属(たとえば、Pd、Cu、Ag、又はAg−Pd合金など)からなる粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。このような焼付電極上に、めっき層を形成することもできる。めっき層は、Niめっき層と、当該Niめっき層上に形成されたSnめっき層とを含んでいてもよい。

0032

素体10は、図3および図4に示すように、アルカリ金属を含有させることにより電気抵抗が高められたアルカリ金属含有部12を有する。アルカリ金属含有部12は、外表面10a〜10f全体に沿って設けられており、素体10の外表面10a〜10fを構成している。また、アルカリ金属含有部12は、素体10の外表面10a〜10fから、第一導体32、第二導体34および第三導体36と素体10との界面に沿って、内部にも延びている。ただし、アルカリ金属含有部12は、第一機能層42および第二機能層44に達しないように設計されている。

0033

アルカリ金属含有部12にはアルカリ金属が存在しており、アルカリ金属は、ZnOの結晶粒内に固溶して存在している、または、ZnOの結晶粒界に存在している。アルカリ金属がZnOの結晶粒内に固溶していると、n型半導体としての性質を示すZnOはアルカリ金属によりドナーが減ぜられて、電気伝導率が低くなり、バリスタ特性が発現し難くなる。アルカリ金属がZnOの結晶粒界に存在することによっても、電気伝導率が低くなると考えられる。したがって、アルカリ金属含有部12は、素体10におけるアルカリ金属含有部12以外の部分に比して、電気伝導率が低く、静電容量も低い。

0034

アルカリ金属含有部12は、次のようにして、形成することができる。高抵抗化されたアルカリ金属含有部12を形成する過程以外の、チップバリスタ1の製造方法については、積層チップバリスタの製造方法で用いられる既知の過程が利用できるため、ここでの詳細な説明は、省略する。

0035

素体10を得た後、素体10の外表面(一対の端面10a,10bおよび4つの側面10c〜10f)からアルカリ金属(たとえば、Li、Na等)を拡散させる。

0036

まず、素体10の外表面にアルカリ金属化合物を付着させる。アルカリ金属化合物の付着には、密閉回転ポットを用いることができる。アルカリ金属化合物としては、特に限定されないが、熱処理することにより、アルカリ金属が素体10の表面から拡散できる化合物であり、アルカリ金属の酸化物、水酸化物塩化物硝酸塩硼酸塩炭酸塩及び蓚酸塩等が用いられる。

0037

そして、このアルカリ金属化合物が付着している素体10を電気炉で、所定の温度および時間で熱処理する。この結果、アルカリ金属化合物からアルカリ金属が素体10の外表面から内部に拡散する。好ましい熱処理温度は、700〜1000℃であり、熱処理雰囲気大気である。熱処理時間(保持時間)は、好ましくは10分〜4時間である。

0038

素体10におけるアルカリ金属元素が拡散した部分、すなわちアルカリ金属含有部12は、上述したように高抵抗化および低静電容量化が図られる。本実施形態では、アルカリ金属元素が端面10a,10bおよび側面10e、10fから拡散するものの、各導体32、34、36が対応する端面10a,10bおよび側面10e、10fに露出していることから、各電極20A〜20Dと各導体32、34、36との電気的な接続に支障が生じることはない。

0039

以上において説明したとおり、チップバリスタ1は、素体10内に2つの機能層(すなわち、第一機能層42および第二機能層44)を含んでいる。そして、2つの機能層42、44は実質的に同じ静電容量を有している。さらに、チップバリスタ1では、アルカリ金属含有部12によって、素体10が外表面10a〜10fから高抵抗化されているが、アルカリ金属含有部12は第一機能層42および第二機能層44には達していない。そのため、アルカリ金属含有部12は第一機能層42および第二機能層44の静電容量に影響することなく、チップバリスタ1の寄生容量(すなわち、第一導体32、第二導体34、第三導体36、第一電極20A、第二電極20Bおよび第三電極20C、20Dのいずれか2つの間に生じる、第一機能層42および第二機能層44以外の容量)を抑制している。したがって、チップバリスタ1は、容量バラツキが抑制された2つの機能層42、44を含む。

0040

チップバリスタ1は、図5に示す態様で、差動伝送用送受信装置50に適用され得る。差動伝送用送受信装置50は、送信側と受信側との間に2つのチャネルCH1、CH2を備え、チップバリスタ1の第一電極20Aが一方のチャネルCH1に接続されるとともに第二電極20Bが他方のチャネルCH2に接続され、第三電極20C、20Dがいずれも接地されている。差動伝送用送受信装置50においては、チップバリスタ1の2つの機能層42、44の容量バラツキが抑制されていることで、容量バラツキに起因する通信エラーが低減され、それにより高い信号精度を実現することができる。

0041

なお、図6に示すように、従来技術に係る差動伝送用送受信装置60では、2つのチャネルCH1、CH2それぞれに異なるバリスタ素子が適用されていた。そのため、2つのバリスタ素子間において容量バラツキが生じやすく、容量バラツキに起因する通信エラーを低減することが困難であった。

0042

チップバリスタ1は、図3および図4に示すように、第一導体32と素体10との界面に沿ってアルカリ金属含有部12が達する位置から重畳部40までの距離A、および、第二導体34と素体10との界面に沿ってアルカリ金属含有部12が達する位置から重畳部40までの距離Aは、第三導体36と素体10との界面に沿ってアルカリ金属含有部12が達する位置から重畳部40までの距離Bより長くなっている。チップバリスタ1では、熱が比較的伝わりにくいアルカリ金属含有部12が外表面10a〜10f全体に沿って設けられている。上記距離Bを上記距離Aより短く設計することで、素体10内部の熱の第三導体36を介した放熱が促進され、それによりチップバリスタ1の故障および劣化を抑制することができる。

0043

また、チップバリスタ1は、側面10e、10fの対向方向に関し、素体10の長さC’に対する第一導体32の長さおよび第二導体34の割合(C/C’)が0.1〜0.6の範囲となっている。そのため、チップバリスタ1は、高いESD耐性を備えつつ、高い信頼性を備える。

0044

発明者らは、C/C’の割合の好適化のため、第一導体32および第二導体34の幅が異なる複数の試料を準備し、各試料についてバリスタ電圧VlmA[V]およびESD耐量[kV]を測定する実験をおこなった。ESD耐量は、IEC(International Electrotechnical Commission)の規格IEC61000−4−2に定められている静電気放電イミュニティ試験に基づいて、放電電圧印加電圧)を変化させたときの、バリスタ電圧V1mAの変化を測定した。その実験結果は、図7の表に示すとおりであった。

0045

図7の表に示すように、実験では、8つの試料(すなわち、0.06mm幅の試料1、0.1mm幅の試料2、0.2mm幅の試料3、0.4mm幅の試料4、0.6mm幅の試料5、0.7mm幅の試料6、0.8mm幅の試料7、0.9mm幅の試料8)を準備した。バリスタ電圧VlmAに関しては、試料1〜6において十分に低い値が得られたが、試料7、8において高い値が得られた。ESD耐量に関しては、試料2〜6において十分に高い値が得られたが、試料1、7、8において低い値が得られた。これらの結果から、C/C’の割合が0.1〜0.6の範囲である試料2〜6において、高いESD耐性と高い信頼性が得られることがわかった。

0046

チップバリスタ1は、端面10a、10bの対向方向に関し、第三電極20C、20Dの長さD’に対する第三導体36の長さDの割合(D/D’)が0.2〜0.6の範囲となっている。そのため、チップバリスタ1は、高いESD耐性を備えつつ、高い信頼性を備える。

0047

発明者らは、D/D’の割合の好適化のため、第三導体36の幅が異なる複数の試料を準備し、各試料についてバリスタ電圧VlmA[V]およびESD耐量[kV]を測定する実験をおこなった。その実験結果は、図8の表に示すとおりであった。

0048

図8の表に示すように、実験では、9つの試料(すなわち、0.03mm幅の試料1、0.06mm幅の試料2、0.1mm幅の試料3、0.12mm幅の試料4、0.16mm幅の試料5、0.18mm幅の試料6、0.2mm幅の試料7、0.24mm幅の試料8、0.3mm幅の試料9)を準備した。バリスタ電圧VlmAに関しては、試料1〜7において十分に低い値が得られたが、試料8、9において低い値が得られた。ESD耐量に関しては、試料3〜9において十分に高い値が得られたが、試料1、2において低い値が得られた。これらの結果から、D/D’の割合が0.2〜0.6の範囲である試料3〜7において、高いESD耐性と高い信頼性が得られることがわかった。

0049

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

0050

たとえば、チップバリスタの外形寸法、素体の外形寸法等については適宜増減することができる。また、各導体および各端子電極の寸法についても、適宜増減することができる。さらに、素体、各導体および各端子電極を構成する材料は、チップバリスタに適用可能な公知の材料に、適宜変更することができる。

0051

1…チップバリスタ、10…素体、12…アルカリ金属含有部、20A…第一電極、20B…第二電極、20C、20D…第三電極、32…第一導体、34…第二導体、36…第三導体、36c…機能部、40…重畳部、42…第一機能層、44…第二機能層、50、60…差動伝送用送受信装置、CH1、CH2…チャネル。

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