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技術 熱処理方法および熱処理装置

出願人 株式会社SCREENホールディングス
発明者 上野智宏布施和彦大森麻央
出願日 2018年9月20日 (2年3ヶ月経過) 出願番号 2018-175937
公開日 2020年3月26日 (9ヶ月経過) 公開番号 2020-047825
状態 未査定
技術分野 アニール ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 半導体装置の製造処理一般
主要キーワード 稼働停止状態 予備加熱段階 コイル定数 アラーム発報 加熱処理済み 反射リング 受け渡し相手 非加熱処理
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図面 (13)

課題

劣化が進行したダミーウェハー誤処理を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。

解決手段

ダミーウェハーに対してハロゲンランプによる予備加熱処理およびフラッシュランプによるフラッシュ加熱処理を行ってサセプタ等のチャンバー内構造物温調するダミーランニングを行う。このときに、予備加熱処理またはフラッシュ加熱処理を行う毎に予備加熱カウンターまたはフラッシュ加熱カウンターをインクリメントする。ダミーウェハーの損耗値である予備加熱カウンターまたはフラッシュ加熱カウンターが所定の閾値以上となった場合にはアラーム発報する。これにより、熱処理装置のオペレータは、ダミーウェハーの劣化が限界値に到達したことを認識し、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を防止することができる。

概要

背景

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニールFLA)が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ(以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する)を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間(数ミリ秒以下)に昇温させる熱処理技術である。

キセノンフラッシュランプの放射分光分布紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。

このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。

典型的には、熱処理に限らず半導体ウェハーの処理はロット同一条件にて同一内容の処理を行う対象となる1組の半導体ウェハー)単位で行われる。枚葉式の基板処理装置では、ロットを構成する複数枚の半導体ウェハーに対して連続して順次に処理が行われる。フラッシュランプアニール装置においても、ロットを構成する複数の半導体ウェハーが1枚ずつチャンバー搬入されて順次に熱処理が行われる。

ところが、ロットを構成する複数の半導体ウェハーを順次に処理する過程で半導体ウェハーを保持するサセプタ等のチャンバー内構造物の温度が変化することがある。このような現象は、暫く稼働停止状態にあったフラッシュランプアニール装置にて新たに処理を開始する場合や半導体ウェハーの処理温度等の処理条件を変化させた場合に生じる。ロットの複数の半導体ウェハーを処理する過程でサセプタ等のチャンバー内構造物の温度が変化すると、ロットの初期の半導体ウェハーと後半の半導体ウェハーとで処理時の温度履歴が異なるという問題が生じる。

このような問題を解決するために、ロットの処理を開始する前に、処理対象ではないダミーウェハーをチャンバー内に搬入してサセプタに支持し、処理対象のロットと同一条件にてフラッシュ加熱処理を行うことにより、事前にサセプタ等のチャンバー内構造物を昇温しておくことが行われていた(ダミーランニング)。特許文献1には、10枚程度のダミーウェハーにフラッシュ加熱処理を行ってサセプタ等のチャンバー内構造物の温度を処理時の安定温度に到達させることが開示されている。

概要

劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。ダミーウェハーに対してハロゲンランプによる予備加熱処理およびフラッシュランプによるフラッシュ加熱処理を行ってサセプタ等のチャンバー内構造物を温調するダミーランニングを行う。このときに、予備加熱処理またはフラッシュ加熱処理を行う毎に予備加熱カウンターまたはフラッシュ加熱カウンターをインクリメントする。ダミーウェハーの損耗値である予備加熱カウンターまたはフラッシュ加熱カウンターが所定の閾値以上となった場合にはアラーム発報する。これにより、熱処理装置のオペレータは、ダミーウェハーの劣化が限界値に到達したことを認識し、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を防止することができる。

目的

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
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請求項1

ダミーウェハーを管理する熱処理方法であって、熱処理によるダミーウェハーの損耗値を計数する計数工程と、前記ダミーウェハーの損耗値が所定の閾値以上であったときに警告を発報する発報工程と、を備えることを特徴とする熱処理方法。

請求項2

請求項1記載の熱処理方法において、前記計数工程および前記発報工程は熱処理装置にて前記ダミーウェハーの処理を行っているときに実行されることを特徴とする熱処理方法。

請求項3

請求項1記載の熱処理方法において、熱処理装置にて損耗値が前記閾値に到達している前記ダミーウェハーの搬送開始の指示を受けたときに前記発報工程が実行されることを特徴とする熱処理方法。

請求項4

請求項3記載の熱処理方法において、前記搬送開始の指示を受けたときにさらに前記ダミーウェハーの搬送を禁止することを特徴とする熱処理方法。

請求項5

請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理方法において、前記損耗値は、連続点灯ランプによる予備加熱回数またはフラッシュランプによるフラッシュ加熱の回数であることを特徴とする熱処理方法。

請求項6

ダミーウェハーを管理する熱処理装置であって、ダミーウェハーに熱処理を行う熱処理部と、前記熱処理部に前記ダミーウェハーを搬送する搬送部と、熱処理による前記ダミーウェハーの損耗値を計数する計数部と、前記ダミーウェハーの損耗値が所定の閾値以上であったときに警告を発報する発報部と、を備えることを特徴とする熱処理装置。

請求項7

請求項6記載の熱処理装置において、前記熱処理部にて前記ダミーウェハーの熱処理を行っているときに、前記計数部が前記ダミーウェハーの損耗値を計数するとともに、当該損耗値が前記閾値に到達したときに前記発報部が警告を発報することを特徴とする熱処理装置。

請求項8

請求項6記載の熱処理装置において、損耗値が前記閾値に到達している前記ダミーウェハーの搬送開始の指示を受けたときに前記発報部が警告を発報することを特徴とする熱処理装置。

請求項9

請求項8記載の熱処理装置において、前記搬送開始の指示を受けたときに前記搬送部による前記ダミーウェハーの搬送を禁止することを特徴とする熱処理装置。

請求項10

請求項6から請求項9のいずれかに記載の熱処理装置において、前記熱処理部は、連続点灯ランプおよびフラッシュランプを備え、前記損耗値は、前記連続点灯ランプによる予備加熱の回数または前記フラッシュランプによるフラッシュ加熱の回数であることを特徴とする熱処理装置。

技術分野

0001

本発明は、ダミーウェハーを管理する熱処理方法および熱処理装置に関する。

背景技術

0002

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニールFLA)が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ(以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する)を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間(数ミリ秒以下)に昇温させる熱処理技術である。

0003

キセノンフラッシュランプの放射分光分布紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。

0004

このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。

0005

典型的には、熱処理に限らず半導体ウェハーの処理はロット同一条件にて同一内容の処理を行う対象となる1組の半導体ウェハー)単位で行われる。枚葉式の基板処理装置では、ロットを構成する複数枚の半導体ウェハーに対して連続して順次に処理が行われる。フラッシュランプアニール装置においても、ロットを構成する複数の半導体ウェハーが1枚ずつチャンバー搬入されて順次に熱処理が行われる。

0006

ところが、ロットを構成する複数の半導体ウェハーを順次に処理する過程で半導体ウェハーを保持するサセプタ等のチャンバー内構造物の温度が変化することがある。このような現象は、暫く稼働停止状態にあったフラッシュランプアニール装置にて新たに処理を開始する場合や半導体ウェハーの処理温度等の処理条件を変化させた場合に生じる。ロットの複数の半導体ウェハーを処理する過程でサセプタ等のチャンバー内構造物の温度が変化すると、ロットの初期の半導体ウェハーと後半の半導体ウェハーとで処理時の温度履歴が異なるという問題が生じる。

0007

このような問題を解決するために、ロットの処理を開始する前に、処理対象ではないダミーウェハーをチャンバー内に搬入してサセプタに支持し、処理対象のロットと同一条件にてフラッシュ加熱処理を行うことにより、事前にサセプタ等のチャンバー内構造物を昇温しておくことが行われていた(ダミーランニング)。特許文献1には、10枚程度のダミーウェハーにフラッシュ加熱処理を行ってサセプタ等のチャンバー内構造物の温度を処理時の安定温度に到達させることが開示されている。

先行技術

0008

特開2017−092102号公報

発明が解決しようとする課題

0009

処理対象ではないダミーウェハーは複数回のダミーランニングで使用され、繰り返して加熱処理に供されることとなる。その結果、ダミーウェハーの劣化が進行し、それにともなうウェハー割れや反りが生じ易くなる。ダミーランニングの際にダミーウェハーの割れや反りが生じると、チャンバー内汚染搬送トラブルの原因となる。このため、ダミーウェハーの劣化状態を的確に把握し、劣化が進行したダミーウェハーについては適当なタイミングで交換することが必要となる。しかしながら、従来は作業者目視や紙に書いておくことでダミーウェハーの処理履歴を管理していたため、劣化状態を十分に把握できておらず、劣化が過度に進行したダミーウェハーを誤って搬送して加熱処理を行うという問題があった。

0010

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0011

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、ダミーウェハーを管理する熱処理方法において、熱処理によるダミーウェハーの損耗値を計数する計数工程と、前記ダミーウェハーの損耗値が所定の閾値以上であったときに警告を発報する発報工程と、を備えることを特徴とする。

0012

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る熱処理方法において、前記計数工程および前記発報工程は熱処理装置にて前記ダミーウェハーの処理を行っているときに実行されることを特徴とする。

0013

また、請求項3の発明は、請求項1の発明に係る熱処理方法において、熱処理装置にて損耗値が前記閾値に到達している前記ダミーウェハーの搬送開始の指示を受けたときに前記発報工程が実行されることを特徴とする。

0014

また、請求項4の発明は、請求項3の発明に係る熱処理方法において、前記搬送開始の指示を受けたときにさらに前記ダミーウェハーの搬送を禁止することを特徴とする。

0015

また、請求項5の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記損耗値は、連続点灯ランプによる予備加熱回数またはフラッシュランプによるフラッシュ加熱の回数であることを特徴とする。

0016

また、請求項6の発明は、ダミーウェハーを管理する熱処理装置において、ダミーウェハーに熱処理を行う熱処理部と、前記熱処理部に前記ダミーウェハーを搬送する搬送部と、熱処理による前記ダミーウェハーの損耗値を計数する計数部と、前記ダミーウェハーの損耗値が所定の閾値以上であったときに警告を発報する発報部と、を備えることを特徴とする。

0017

また、請求項7の発明は、請求項6の発明に係る熱処理装置において、前記熱処理部にて前記ダミーウェハーの熱処理を行っているときに、前記計数部が前記ダミーウェハーの損耗値を計数するとともに、当該損耗値が前記閾値に到達したときに前記発報部が警告を発報することを特徴とする。

0018

また、請求項8の発明は、請求項6の発明に係る熱処理装置において、損耗値が前記閾値に到達している前記ダミーウェハーの搬送開始の指示を受けたときに前記発報部が警告を発報することを特徴とする。

0019

また、請求項9の発明は、請求項8の発明に係る熱処理装置において、前記搬送開始の指示を受けたときに前記搬送部による前記ダミーウェハーの搬送を禁止することを特徴とする。

0020

また、請求項10の発明は、請求項6から請求項9のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記熱処理部は、連続点灯ランプおよびフラッシュランプを備え、前記損耗値は、前記連続点灯ランプによる予備加熱の回数または前記フラッシュランプによるフラッシュ加熱の回数であることを特徴とする。

発明の効果

0021

請求項1から請求項5の発明によれば、ダミーウェハーの損耗値が所定の閾値以上であったときに警告を発報するため、ダミーウェハーの劣化を適切に管理することができ、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を防止することができる。

0022

特に、請求項4の発明によれば、損耗値が閾値に到達しているダミーウェハーの搬送を禁止するため、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理をより確実に防止することができる。

0023

請求項6から請求項10の発明によれば、ダミーウェハーの損耗値が所定の閾値以上であったときに警告を発報するため、ダミーウェハーの劣化を適切に管理することができ、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を防止することができる。

0024

特に、請求項9の発明によれば、損耗値が閾値に到達しているダミーウェハーの搬送を禁止するため、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理をより確実に防止することができる。

図面の簡単な説明

0025

本発明に係る熱処理装置を示す平面図である。
図1の熱処理装置の正面図である。
熱処理部の構成を示す縦断面図である。
保持部の全体外観を示す斜視図である。
サセプタの平面図である。
サセプタの断面図である。
移載機構の平面図である。
移載機構の側面図である。
複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。
制御部の構成を示すブロック図である。
第1実施形態のダミーウェハーの管理手順を示すフローチャートである。
第2実施形態のダミーウェハーの管理手順を示すフローチャートである。

実施例

0026

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

0027

<第1実施形態>
まず、本発明に係る熱処理装置について説明する。図1は、本発明に係る熱処理装置100を示す平面図であり、図2はその正面図である。熱処理装置100は基板として円板形状の半導体ウェハーWにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。熱処理装置100に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置100による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図1図3の各図においては、それらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。

0028

図1および図2に示すように、熱処理装置100は、未処理の半導体ウェハーWを外部から装置内に搬入するとともに処理済みの半導体ウェハーWを装置外搬出するためのインデクサ部101、未処理の半導体ウェハーWの位置決めを行うアライメント部230、加熱処理後の半導体ウェハーWの冷却を行う2つの冷却部130,140、半導体ウェハーWにフラッシュ加熱処理を施す熱処理部160並びに冷却部130,140および熱処理部160に対して半導体ウェハーWの受け渡しを行う搬送ロボット150を備える。また、熱処理装置100は、上記の各処理部に設けられた動作機構および搬送ロボット150を制御して半導体ウェハーWのフラッシュ加熱処理を進行させる制御部3を備える。

0029

インデクサ部101は、複数のキャリアC(本実施形態では2個)を並べて載置するロードポート110と、各キャリアCから未処理の半導体ウェハーWを取り出すとともに、各キャリアCに処理済みの半導体ウェハーWを収納する受渡ロボット120とを備えている。未処理の半導体ウェハーWを収容したキャリアCは無人搬送車AGV、OHT)等によって搬送されてロードポート110に載置されるともに、処理済みの半導体ウェハーWを収容したキャリアCは無人搬送車によってロードポート110から持ち去られる。

0030

また、ロードポート110においては、受渡ロボット120がキャリアCに対して任意の半導体ウェハーWの出し入れを行うことができるように、キャリアCが図2の矢印CUにて示す如く昇降移動可能に構成されている。なお、キャリアCの形態としては、半導体ウェハーWを密閉空間に収納するFOUP(front opening unified pod)の他に、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納した半導体ウェハーWを外気曝すOC(open cassette)であっても良い。

0031

また、受渡ロボット120は、図1の矢印120Sにて示すようなスライド移動、矢印120Rにて示すような旋回動作および昇降動作が可能とされている。これにより、受渡ロボット120は、2つのキャリアCに対して半導体ウェハーWの出し入れを行うとともに、アライメント部230および2つの冷却部130,140に対して半導体ウェハーWの受け渡しを行う。受渡ロボット120によるキャリアCに対する半導体ウェハーWの出し入れは、ハンド121のスライド移動、および、キャリアCの昇降移動により行われる。また、受渡ロボット120とアライメント部230または冷却部130,140との半導体ウェハーWの受け渡しは、ハンド121のスライド移動、および、受渡ロボット120の昇降動作によって行われる。

0032

アライメント部230は、Y軸方向に沿ったインデクサ部101の側方に接続されて設けられている。アライメント部230は、半導体ウェハーWを水平面内で回転させてフラッシュ加熱に適切な向きに向ける処理部である。アライメント部230は、アルミニウム合金製の筐体であるアライメントチャンバー231の内部に、半導体ウェハーWを水平姿勢に支持して回転させる機構、および、半導体ウェハーWの周縁部に形成されたノッチオリフラ等を光学的に検出する機構などを設けて構成される。

0033

アライメント部230への半導体ウェハーWの受け渡しは受渡ロボット120によって行われる。受渡ロボット120からアライメントチャンバー231へはウェハー中心が所定の位置に位置するように半導体ウェハーWが渡される。アライメント部230では、インデクサ部101から受け取った半導体ウェハーWの中心部を回転中心として鉛直方向軸まわりで半導体ウェハーWを回転させ、ノッチ等を光学的に検出することによって半導体ウェハーWの向きを調整する。向き調整の終了した半導体ウェハーWは受渡ロボット120によってアライメントチャンバー231から取り出される。

0034

搬送ロボット150による半導体ウェハーWの搬送空間として搬送ロボット150を収容する搬送チャンバー170が設けられている。その搬送チャンバー170の三方に熱処理部160の処理チャンバー6、冷却部130の第1クールチャンバー131および冷却部140の第2クールチャンバー141が連通接続されている。

0035

熱処理装置100の主要部である熱処理部160は、予備加熱を行った半導体ウェハーWにキセノンフラッシュランプFLからの閃光(フラッシュ光)を照射してフラッシュ加熱処理を行う基板処理部である。この熱処理部160の構成についてはさらに後述する。

0036

2つの冷却部130,140は、概ね同様の構成を備える。冷却部130,140はそれぞれ、アルミニウム合金製の筐体である第1クールチャンバー131,第2クールチャンバー141の内部に、金属製の冷却プレートと、その上面に載置された石英板とを備える(いずれも図示省略)。当該冷却プレートは、ペルチェ素子または恒温水循環によって常温(約23℃)に温調されている。熱処理部160にてフラッシュ加熱処理が施された半導体ウェハーWは、第1クールチャンバー131または第2クールチャンバー141に搬入されて当該石英板に載置されて冷却される。

0037

第1クールチャンバー131および第2クールチャンバー141はともに、インデクサ部101と搬送チャンバー170との間にて、それらの双方に接続されている。第1クールチャンバー131および第2クールチャンバー141には、半導体ウェハーWを搬入出するための2つの開口が形設されている。第1クールチャンバー131の2つの開口のうちインデクサ部101に接続される開口はゲートバルブ181によって開閉可能とされている。一方、第1クールチャンバー131の搬送チャンバー170に接続される開口はゲートバルブ183によって開閉可能とされている。すなわち、第1クールチャンバー131とインデクサ部101とはゲートバルブ181を介して接続され、第1クールチャンバー131と搬送チャンバー170とはゲートバルブ183を介して接続されている。

0038

インデクサ部101と第1クールチャンバー131との間で半導体ウェハーWの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ181が開放される。また、第1クールチャンバー131と搬送チャンバー170との間で半導体ウェハーWの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ183が開放される。ゲートバルブ181およびゲートバルブ183が閉鎖されているときには、第1クールチャンバー131の内部が密閉空間となる。

0039

また、第2クールチャンバー141の2つの開口のうちインデクサ部101に接続される開口はゲートバルブ182によって開閉可能とされている。一方、第2クールチャンバー141の搬送チャンバー170に接続される開口はゲートバルブ184によって開閉可能とされている。すなわち、第2クールチャンバー141とインデクサ部101とはゲートバルブ182を介して接続され、第2クールチャンバー141と搬送チャンバー170とはゲートバルブ184を介して接続されている。

0040

インデクサ部101と第2クールチャンバー141との間で半導体ウェハーWの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ182が開放される。また、第2クールチャンバー141と搬送チャンバー170との間で半導体ウェハーWの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ184が開放される。ゲートバルブ182およびゲートバルブ184が閉鎖されているときには、第2クールチャンバー141の内部が密閉空間となる。

0041

さらに、冷却部130,140はそれぞれ、第1クールチャンバー131,第2クールチャンバー141に清浄窒素ガスを供給するガス供給機構とチャンバー内の雰囲気排気する排気機構を備える。これらのガス供給機構および排気機構は、流量を2段階に切り換え可能とされていても良い。

0042

搬送チャンバー170に設けられた搬送ロボット150は、鉛直方向に沿った軸を中心に矢印150Rにて示すように旋回可能とされる。搬送ロボット150は、複数のアームセグメントからなる2つのリンク機構を有し、それら2つのリンク機構の先端にはそれぞれ半導体ウェハーWを保持する搬送ハンド151a,151bが設けられている。これらの搬送ハンド151a,151bは上下に所定のピッチだけ隔てて配置され、リンク機構によりそれぞれ独立して同一水平方向に直線的にスライド移動可能とされている。また、搬送ロボット150は、2つのリンク機構が設けられるベースを昇降移動することにより、所定のピッチだけ離れた状態のまま2つの搬送ハンド151a,151bを昇降移動させる。

0043

搬送ロボット150が第1クールチャンバー131、第2クールチャンバー141または熱処理部160の処理チャンバー6を受け渡し相手として半導体ウェハーWの受け渡し(出し入れ)を行う際には、まず、両搬送ハンド151a,151bが受け渡し相手と対向するように旋回し、その後(または旋回している間に)昇降移動していずれかの搬送ハンドが受け渡し相手と半導体ウェハーWを受け渡しする高さに位置する。そして、搬送ハンド151a(151b)を水平方向に直線的にスライド移動させて受け渡し相手と半導体ウェハーWの受け渡しを行う。

0044

搬送ロボット150と受渡ロボット120との半導体ウェハーWの受け渡しは冷却部130,140を介して行うことができる。すなわち、冷却部130の第1クールチャンバー131および冷却部140の第2クールチャンバー141は、搬送ロボット150と受渡ロボット120との間で半導体ウェハーWを受け渡すためのパスとしても機能するものである。具体的には、搬送ロボット150または受渡ロボット120のうちの一方が第1クールチャンバー131または第2クールチャンバー141に渡した半導体ウェハーWを他方が受け取ることによって半導体ウェハーWの受け渡しが行われる。搬送ロボット150および受渡ロボット120によって半導体ウェハーWをキャリアCから熱処理部160にまで搬送する搬送機構が構成される。

0045

上述したように、第1クールチャンバー131および第2クールチャンバー141とインデクサ部101との間にはそれぞれゲートバルブ181,182が設けられている。また、搬送チャンバー170と第1クールチャンバー131および第2クールチャンバー141との間にはそれぞれゲートバルブ183,184が設けられている。さらに、搬送チャンバー170と熱処理部160の処理チャンバー6との間にはゲートバルブ185が設けられている。熱処理装置100内にて半導体ウェハーWが搬送される際には、適宜これらのゲートバルブが開閉される。また、搬送チャンバー170およびアライメントチャンバー231にもガス供給部から窒素ガスが供給されるとともに、それらの内部の雰囲気が排気部によって排気される(いずれも図示省略)。

0046

次に、熱処理部160の構成について説明する。図3は、熱処理部160の構成を示す縦断面図である。熱処理部160は、半導体ウェハーWを収容して加熱処理を行う処理チャンバー6と、複数のフラッシュランプFLを内蔵するフラッシュランプハウス5と、複数のハロゲンランプHLを内蔵するハロゲンランプハウス4と、を備える。処理チャンバー6の上側にフラッシュランプハウス5が設けられるとともに、下側にハロゲンランプハウス4が設けられている。また、熱処理部160は、処理チャンバー6の内部に、半導体ウェハーWを水平姿勢に保持する保持部7と、保持部7と搬送ロボット150との間で半導体ウェハーWの受け渡しを行う移載機構10と、を備える。

0047

処理チャンバー6は、筒状のチャンバー側部61の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部61は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓63が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓64が装着されて閉塞されている。処理チャンバー6の天井部を構成する上側チャンバー窓63は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を処理チャンバー6内に透過する石英窓として機能する。また、処理チャンバー6の床部を構成する下側チャンバー窓64も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲンランプHLからの光を処理チャンバー6内に透過する石英窓として機能する。

0048

また、チャンバー側部61の内側の壁面の上部には反射リング68が装着され、下部には反射リング69が装着されている。反射リング68,69は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング68は、チャンバー側部61の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング69は、チャンバー側部61の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング68,69は、ともに着脱自在にチャンバー側部61に装着されるものである。処理チャンバー6の内側空間、すなわち上側チャンバー窓63、下側チャンバー窓64、チャンバー側部61および反射リング68,69によって囲まれる空間が熱処理空間65として規定される。

0049

チャンバー側部61に反射リング68,69が装着されることによって、処理チャンバー6の内壁面に凹部62が形成される。すなわち、チャンバー側部61の内壁面のうち反射リング68,69が装着されていない中央部分と、反射リング68の下端面と、反射リング69の上端面とで囲まれた凹部62が形成される。凹部62は、処理チャンバー6の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーWを保持する保持部7を囲繞する。チャンバー側部61および反射リング68,69は、強度と耐熱性に優れた金属材料(例えば、ステンレススチール)にて形成されている。

0050

また、チャンバー側部61には、処理チャンバー6に対して半導体ウェハーWの搬入および搬出を行うための搬送開口部(炉口)66が形設されている。搬送開口部66は、ゲートバルブ185によって開閉可能とされている。搬送開口部66は凹部62の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ185が搬送開口部66を開放しているときには、搬送開口部66から凹部62を通過して熱処理空間65への半導体ウェハーWの搬入および熱処理空間65からの半導体ウェハーWの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ185が搬送開口部66を閉鎖すると処理チャンバー6内の熱処理空間65が密閉空間とされる。

0051

また、処理チャンバー6の内壁上部には熱処理空間65に処理ガスを供給するガス供給孔81が形設されている。ガス供給孔81は、凹部62よりも上側位置に形設されており、反射リング68に設けられていても良い。ガス供給孔81は処理チャンバー6の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間82を介してガス供給管83に連通接続されている。ガス供給管83は処理ガス供給源85に接続されている。また、ガス供給管83の経路途中にはバルブ84が介挿されている。バルブ84が開放されると、処理ガス供給源85から緩衝空間82に処理ガスが送給される。緩衝空間82に流入した処理ガスは、ガス供給孔81よりも流体抵抗の小さい緩衝空間82内を拡がるように流れてガス供給孔81から熱処理空間65内へと供給される。処理ガスとしては、窒素(N2)等の不活性ガス、または、水素(H2)、アンモニア(NH3)等の反応性ガスを用いることができる(本実施形態では窒素)。

0052

一方、処理チャンバー6の内壁下部には熱処理空間65内の気体を排気するガス排気孔86が形設されている。ガス排気孔86は、凹部62よりも下側位置に形設されており、反射リング69に設けられていても良い。ガス排気孔86は処理チャンバー6の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間87を介してガス排気管88に連通接続されている。ガス排気管88は排気機構190に接続されている。また、ガス排気管88の経路途中にはバルブ89が介挿されている。バルブ89が開放されると、熱処理空間65の気体がガス排気孔86から緩衝空間87を経てガス排気管88へと排出される。なお、ガス供給孔81およびガス排気孔86は、処理チャンバー6の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源85および排気機構190は、熱処理装置100に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置100が設置される工場ユーティリティであっても良い。

0053

また、搬送開口部66の先端にも熱処理空間65内の気体を排出するガス排気管191が接続されている。ガス排気管191はバルブ192を介して排気機構190に接続されている。バルブ192を開放することによって、搬送開口部66を介して処理チャンバー6内の気体が排気される。

0054

図4は、保持部7の全体外観を示す斜視図である。保持部7は、基台リング71、連結部72およびサセプタ74を備えて構成される。基台リング71、連結部72およびサセプタ74はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部7の全体が石英にて形成されている。

0055

基台リング71は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構10の移載アーム11と基台リング71との干渉を防ぐために設けられている。基台リング71は凹部62の底面に載置されることによって、処理チャンバー6の壁面に支持されることとなる(図3参照)。基台リング71の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部72(本実施形態では4個)が立設される。連結部72も石英の部材であり、溶接によって基台リング71に固着される。

0056

サセプタ74は基台リング71に設けられた4個の連結部72によって支持される。図5は、サセプタ74の平面図である。また、図6は、サセプタ74の断面図である。サセプタ74は、保持プレート75、ガイドリング76および複数の基板支持ピン77を備える。保持プレート75は、石英にて形成された略円形平板状部材である。保持プレート75の直径は半導体ウェハーWの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート75は、半導体ウェハーWよりも大きな平面サイズを有する。

0057

保持プレート75の上面周縁部にガイドリング76が設置されている。ガイドリング76は、半導体ウェハーWの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーWの直径がφ300mmの場合、ガイドリング76の内径はφ320mmである。ガイドリング76の内周は、保持プレート75から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング76は、保持プレート75と同様の石英にて形成される。ガイドリング76は、保持プレート75の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート75に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート75とガイドリング76とを一体の部材として加工するようにしても良い。

0058

保持プレート75の上面のうちガイドリング76よりも内側の領域が半導体ウェハーWを保持する平面状の保持面75aとされる。保持プレート75の保持面75aには、複数の基板支持ピン77が立設されている。本実施形態においては、保持面75aの外周円(ガイドリング76の内周円)と同心円の周上に沿って30°毎に計12個の基板支持ピン77が立設されている。12個の基板支持ピン77を配置した円の径(対向する基板支持ピン77間の距離)は半導体ウェハーWの径よりも小さく、半導体ウェハーWの径がφ300mmであればφ270mm〜φ280mm(本実施形態ではφ270mm)である。それぞれの基板支持ピン77は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン77は、保持プレート75の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート75と一体に加工するようにしても良い。

0059

図4戻り、基台リング71に立設された4個の連結部72とサセプタ74の保持プレート75の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ74と基台リング71とは連結部72によって固定的に連結されている。このような保持部7の基台リング71が処理チャンバー6の壁面に支持されることによって、保持部7が処理チャンバー6に装着される。保持部7が処理チャンバー6に装着された状態においては、サセプタ74の保持プレート75は水平姿勢(法線が鉛直方向と一致する姿勢)となる。すなわち、保持プレート75の保持面75aは水平面となる。

0060

処理チャンバー6に搬入された半導体ウェハーWは、処理チャンバー6に装着された保持部7のサセプタ74の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーWは保持プレート75上に立設された12個の基板支持ピン77によって支持されてサセプタ74に保持される。より厳密には、12個の基板支持ピン77の上端部が半導体ウェハーWの下面に接触して当該半導体ウェハーWを支持する。12個の基板支持ピン77の高さ(基板支持ピン77の上端から保持プレート75の保持面75aまでの距離)は均一であるため、12個の基板支持ピン77によって半導体ウェハーWを水平姿勢に支持することができる。

0061

また、半導体ウェハーWは複数の基板支持ピン77によって保持プレート75の保持面75aから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン77の高さよりもガイドリング76の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン77によって支持された半導体ウェハーWの水平方向の位置ずれはガイドリング76によって防止される。

0062

また、図4および図5に示すように、サセプタ74の保持プレート75には、上下に貫通して開口部78が形成されている。開口部78は、放射温度計20(図3参照)がサセプタ74に保持された半導体ウェハーWの下面から放射される放射光赤外光)を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計20が開口部78を介してサセプタ74に保持された半導体ウェハーWの下面から放射された光を受光してその半導体ウェハーWの温度を測定する。さらに、サセプタ74の保持プレート75には、後述する移載機構10のリフトピン12が半導体ウェハーWの受け渡しのために貫通する4個の貫通孔79が穿設されている。

0063

図7は、移載機構10の平面図である。また、図8は、移載機構10の側面図である。移載機構10は、2本の移載アーム11を備える。移載アーム11は、概ね円環状の凹部62に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム11には2本のリフトピン12が立設されている。各移載アーム11は水平移動機構13によって回動可能とされている。水平移動機構13は、一対の移載アーム11を保持部7に対して半導体ウェハーWの移載を行う移載動作位置(図7実線位置)と保持部7に保持された半導体ウェハーWと平面視で重ならない退避位置(図7二点鎖線位置)との間で水平移動させる。移載動作位置はサセプタ74の下方であり、退避位置はサセプタ74よりも外方である。水平移動機構13としては、個別のモータによって各移載アーム11をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて1個のモータによって一対の移載アーム11を連動させて回動させるものであっても良い。

0064

また、一対の移載アーム11は、昇降機構14によって水平移動機構13とともに昇降移動される。昇降機構14が一対の移載アーム11を移載動作位置にて上昇させると、計4本のリフトピン12がサセプタ74に穿設された貫通孔79(図4,5参照)を通過し、リフトピン12の上端がサセプタ74の上面から突き出る。一方、昇降機構14が一対の移載アーム11を移載動作位置にて下降させてリフトピン12を貫通孔79から抜き取り、水平移動機構13が一対の移載アーム11を開くように移動させると各移載アーム11が退避位置に移動する。一対の移載アーム11の退避位置は、保持部7の基台リング71の直上である。基台リング71は凹部62の底面に載置されているため、移載アーム11の退避位置は凹部62の内側となる。なお、移載機構10の駆動部(水平移動機構13および昇降機構14)が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構10の駆動部周辺の雰囲気が処理チャンバー6の外部に排出されるように構成されている。

0065

図3に戻り、処理チャンバー6の上方に設けられたフラッシュランプハウス5は、筐体51の内側に、複数本(本実施形態では30本)のキセノンフラッシュランプFLからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ52と、を備えて構成される。また、フラッシュランプハウス5の筐体51の底部にはランプ光放射窓53が装着されている。フラッシュランプハウス5の床部を構成するランプ光放射窓53は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュランプハウス5が処理チャンバー6の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓53が上側チャンバー窓63と相対向することとなる。フラッシュランプFLは処理チャンバー6の上方からランプ光放射窓53および上側チャンバー窓63を介して熱処理空間65にフラッシュ光を照射する。

0066

複数のフラッシュランプFLは、それぞれが長尺円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部7に保持される半導体ウェハーWの主面に沿って(つまり水平方向に沿って)互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプFLの配列によって形成される平面も水平面である。

0067

キセノンフラッシュランプFLは、その内部にキセノンガス封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管放電管)と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧印加して絶縁破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノン原子あるいは分子励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプFLにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが0.1ミリセカンドないし100ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプHLの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプFLは、1秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプFLの発光時間は、フラッシュランプFLに電力供給を行うランプ電源コイル定数によって調整することができる。

0068

また、リフレクタ52は、複数のフラッシュランプFLの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ52の基本的な機能は、複数のフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を熱処理空間65の側に反射するというものである。リフレクタ52はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面(フラッシュランプFLに臨む側の面)はブラスト処理により粗面化加工が施されている。

0069

処理チャンバー6の下方に設けられたハロゲンランプハウス4は、筐体41の内側に複数本(本実施形態では40本)のハロゲンランプHLを内蔵している。複数のハロゲンランプHLは処理チャンバー6の下方から下側チャンバー窓64を介して熱処理空間65への光照射を行う。

0070

図9は、複数のハロゲンランプHLの配置を示す平面図である。本実施形態では、上下2段に各20本ずつのハロゲンランプHLが配設されている。各ハロゲンランプHLは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段下段ともに20本のハロゲンランプHLは、それぞれの長手方向が保持部7に保持される半導体ウェハーWの主面に沿って(つまり水平方向に沿って)互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプHLの配列によって形成される平面は水平面である。

0071

また、図9に示すように、上段、下段ともに保持部7に保持される半導体ウェハーWの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプHLの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプHLの配設ピッチが短い。このため、ハロゲンランプHLからの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。

0072

また、上段のハロゲンランプHLからなるランプ群と下段のハロゲンランプHLからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段の各ハロゲンランプHLの長手方向と下段の各ハロゲンランプHLの長手方向とが直交するように計40本のハロゲンランプHLが配設されている。

0073

ハロゲンランプHLは、ガラス管内部に配設されたフィラメント通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素ヨウ素、臭素等)を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプHLは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプHLは少なくとも1秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプHLは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプHLを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーWへの放射効率が優れたものとなる。

0074

また、ハロゲンランプハウス4の筐体41内にも、2段のハロゲンランプHLの下側にリフレクタ43が設けられている(図3)。リフレクタ43は、複数のハロゲンランプHLから出射された光を熱処理空間65の側に反射する。

0075

制御部3は、熱処理装置100に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。図10は、制御部3の構成を示すブロック図である。制御部3のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部3は、各種演算処理を行う回路であるCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用メモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク35を備えている。制御部3のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置100における処理が進行する。例えば、制御部3は、搬送ロボット150および受渡ロボット120を備える搬送機構38を制御して半導体ウェハーWを設定された搬送経路に沿って搬送させる。なお、図1においては、インデクサ部101内に制御部3を示しているが、これに限定されるものではなく、制御部3は熱処理装置100内の任意の位置に配置することができる。

0076

図10に示すように、制御部3は計数部31および発報部32を備える。計数部31および発報部32は、制御部3のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって実現される機能処理部である。計数部31および発報部32の処理内容についてはさらに後述する。

0077

また、制御部3には表示部34および入力部33が接続されている。制御部3は、表示部34に種々の情報を表示する。熱処理装置100のオペレータは、表示部34に表示された情報を確認しつつ、入力部33から種々のコマンドやパラメータを入力することができる。入力部33としては、例えばキーボードマウスを用いることができる。表示部34としては、例えば液晶ディスプレイを用いることができる。本実施形態においては、表示部34および入力部33として、熱処理装置100の外壁に設けられた液晶タッチパネルを採用して双方の機能を併せ持たせるようにしている。

0078

上記の構成以外にも熱処理部160は、半導体ウェハーWの熱処理時にハロゲンランプHLおよびフラッシュランプFLから発生する熱エネルギーによるハロゲンランプハウス4、フラッシュランプハウス5および処理チャンバー6の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、処理チャンバー6の壁体には水冷管(図示省略)が設けられている。また、ハロゲンランプハウス4およびフラッシュランプハウス5は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓63とランプ光放射窓53との間隙にも空気が供給され、フラッシュランプハウス5および上側チャンバー窓63を冷却する。

0079

次に、本発明に係る熱処理装置100の処理動作について説明する。ここでは、通常の半導体ウェハーWに対する処理動作について説明した後、ダミーウェハーの管理について説明する。処理対象となる半導体ウェハーWはイオン注入法により不純物(イオン)が添加された半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置100によるフラッシュ光照射加熱処理(アニール)により実行される。

0080

まず、不純物が注入された未処理の半導体ウェハーWがキャリアCに複数枚収容された状態でインデクサ部101のロードポート110に載置される。そして、受渡ロボット120がキャリアCから未処理の半導体ウェハーWを1枚ずつ取り出し、アライメント部230のアライメントチャンバー231に搬入する。アライメントチャンバー231では、半導体ウェハーWをその中心部を回転中心として水平面内にて鉛直方向軸まわりで回転させ、ノッチ等を光学的に検出することによって半導体ウェハーWの向きを調整する。

0081

次に、インデクサ部101の受渡ロボット120がアライメントチャンバー231から向きの調整された半導体ウェハーWを取り出し、冷却部130の第1クールチャンバー131または冷却部140の第2クールチャンバー141に搬入する。第1クールチャンバー131または第2クールチャンバー141に搬入された未処理の半導体ウェハーWは搬送ロボット150によって搬送チャンバー170に搬出される。未処理の半導体ウェハーWがインデクサ部101から第1クールチャンバー131または第2クールチャンバー141を経て搬送チャンバー170に移送される際には、第1クールチャンバー131および第2クールチャンバー141は半導体ウェハーWの受け渡しのためのパスとして機能するのである。

0082

半導体ウェハーWを取り出した搬送ロボット150は熱処理部160を向くように旋回する。続いて、ゲートバルブ185が処理チャンバー6と搬送チャンバー170との間を開放し、搬送ロボット150が未処理の半導体ウェハーWを処理チャンバー6に搬入する。このときに、先行する加熱処理済みの半導体ウェハーWが処理チャンバー6に存在している場合には、搬送ハンド151a,151bの一方によって加熱処理後の半導体ウェハーWを取り出してから未処理の半導体ウェハーWを処理チャンバー6に搬入してウェハー入れ替えを行う。その後、ゲートバルブ185が処理チャンバー6と搬送チャンバー170との間を閉鎖する。

0083

処理チャンバー6に搬入された半導体ウェハーWには、ハロゲンランプHLによって予備加熱が行われた後、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射によってフラッシュ加熱処理が行われる。このフラッシュ加熱処理により半導体ウェハーWに注入された不純物の活性化が行われる。

0084

フラッシュ加熱処理が終了した後、ゲートバルブ185が処理チャンバー6と搬送チャンバー170との間を再び開放し、搬送ロボット150が処理チャンバー6からフラッシュ加熱処理後の半導体ウェハーWを搬送チャンバー170に搬出する。半導体ウェハーWを取り出した搬送ロボット150は、処理チャンバー6から第1クールチャンバー131または第2クールチャンバー141に向くように旋回する。また、ゲートバルブ185が処理チャンバー6と搬送チャンバー170との間を閉鎖する。

0085

その後、搬送ロボット150が加熱処理後の半導体ウェハーWを冷却部130の第1クールチャンバー131または冷却部140の第2クールチャンバー141に搬入する。このとき、当該半導体ウェハーWが加熱処理前に第1クールチャンバー131を通ってきている場合には加熱処理後にも第1クールチャンバー131に搬入され、加熱処理前に第2クールチャンバー141を通ってきている場合には加熱処理後にも第2クールチャンバー141に搬入される。第1クールチャンバー131または第2クールチャンバー141では、フラッシュ加熱処理後の半導体ウェハーWの冷却処理が行われる。熱処理部160の処理チャンバー6から搬出された時点での半導体ウェハーW全体の温度は比較的高温であるため、これを第1クールチャンバー131または第2クールチャンバー141にて常温近傍にまで冷却するのである。

0086

所定の冷却処理時間が経過した後、受渡ロボット120が冷却後の半導体ウェハーWを第1クールチャンバー131または第2クールチャンバー141から搬出し、キャリアCへと返却する。キャリアCに所定枚数の処理済み半導体ウェハーWが収容されると、そのキャリアCはインデクサ部101のロードポート110から搬出される。

0087

熱処理部160における加熱処理について説明を続ける。処理チャンバー6への半導体ウェハーWの搬入に先立って、給気のためのバルブ84が開放されるとともに、排気用のバルブ89,192が開放されて処理チャンバー6内に対する給排気が開始される。バルブ84が開放されると、ガス供給孔81から熱処理空間65に窒素ガスが供給される。また、バルブ89が開放されると、ガス排気孔86から処理チャンバー6内の気体が排気される。これにより、処理チャンバー6内の熱処理空間65の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間65の下部から排気される。

0088

また、バルブ192が開放されることによって、搬送開口部66からも処理チャンバー6内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構10の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理部160における半導体ウェハーWの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間65に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。

0089

続いて、ゲートバルブ185が開いて搬送開口部66が開放され、搬送ロボット150により搬送開口部66を介して処理対象となる半導体ウェハーWが処理チャンバー6内の熱処理空間65に搬入される。搬送ロボット150は、未処理の半導体ウェハーWを保持する搬送ハンド151a(または搬送ハンド151b)を保持部7の直上位置まで進出させて停止させる。そして、移載機構10の一対の移載アーム11が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン12が貫通孔79を通ってサセプタ74の保持プレート75の上面から突き出て半導体ウェハーWを受け取る。このとき、リフトピン12は基板支持ピン77の上端よりも上方にまで上昇する。

0090

未処理の半導体ウェハーWがリフトピン12に載置された後、搬送ロボット150が搬送ハンド151aを熱処理空間65から退出させ、ゲートバルブ185によって搬送開口部66が閉鎖される。そして、一対の移載アーム11が下降することにより、半導体ウェハーWは移載機構10から保持部7のサセプタ74に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーWは、保持プレート75上に立設された複数の基板支持ピン77によって支持されてサセプタ74に保持される。また、半導体ウェハーWは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部7に保持される。複数の基板支持ピン77によって支持された半導体ウェハーWの裏面(表面とは反対側の主面)と保持プレート75の保持面75aとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ74の下方にまで下降した一対の移載アーム11は水平移動機構13によって退避位置、すなわち凹部62の内側に退避する。

0091

半導体ウェハーWが保持部7のサセプタ74によって水平姿勢にて下方より保持された後、40本のハロゲンランプHLが一斉に点灯して予備加熱(アシスト加熱)が開始される。ハロゲンランプHLから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓64およびサセプタ74を透過して半導体ウェハーWの下面から照射される。ハロゲンランプHLからの光照射を受けることによって半導体ウェハーWが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構10の移載アーム11は凹部62の内側に退避しているため、ハロゲンランプHLによる加熱の障害となることは無い。

0092

ハロゲンランプHLによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーWの温度が放射温度計20によって測定されている。すなわち、サセプタ74に保持された半導体ウェハーWの下面から開口部78を介して放射された赤外光を放射温度計20が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーWの温度は制御部3に伝達される。制御部3は、ハロゲンランプHLからの光照射によって昇温する半導体ウェハーWの温度が所定の予備加熱温度T1に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプHLの出力を制御する。すなわち、制御部3は、放射温度計20による測定値に基づいて、半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1となるようにハロゲンランプHLの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度T1は、半導体ウェハーWに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、600℃ないし800℃程度とされる(本実施の形態では700℃)。

0093

半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1に到達した後、制御部3は半導体ウェハーWをその予備加熱温度T1に暫時維持する。具体的には、放射温度計20によって測定される半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1に到達した時点にて制御部3がハロゲンランプHLの出力を調整し、半導体ウェハーWの温度をほぼ予備加熱温度T1に維持している。

0094

このようなハロゲンランプHLによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーWの全体を予備加熱温度T1に均一に昇温している。ハロゲンランプHLによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲンランプハウス4におけるハロゲンランプHLの配設密度は、半導体ウェハーWの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーWの面内温度分布を均一なものとすることができる。

0095

半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュランプFLが半導体ウェハーWの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプFLから放射されるフラッシュ光の一部は直接に処理チャンバー6内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ52により反射されてから処理チャンバー6内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーWのフラッシュ加熱が行われる。

0096

フラッシュ加熱は、フラッシュランプFLからのフラッシュ光(閃光)照射により行われるため、半導体ウェハーWの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプFLから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が0.1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーWの表面温度は、瞬間的に1000℃以上の処理温度T2まで上昇し、半導体ウェハーWに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、フラッシュ加熱では半導体ウェハーWの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーWに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、0.1ミリセカンドないし100ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。

0097

フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプHLが消灯する。これにより、半導体ウェハーWが予備加熱温度T1から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーWの温度は放射温度計20によって測定され、その測定結果は制御部3に伝達される。制御部3は、放射温度計20の測定結果より半導体ウェハーWの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーWの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構10の一対の移載アーム11が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン12がサセプタ74の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーWをサセプタ74から受け取る。続いて、ゲートバルブ185により閉鎖されていた搬送開口部66が開放され、リフトピン12上に載置された処理後の半導体ウェハーWが搬送ロボット150の搬送ハンド151b(または搬送ハンド151a)により搬出される。搬送ロボット150は、搬送ハンド151bをリフトピン12によって突き上げられた半導体ウェハーWの直下位置にまで進出させて停止させる。そして、一対の移載アーム11が下降することにより、フラッシュ加熱後の半導体ウェハーWが搬送ハンド151bに渡されて載置される。その後、搬送ロボット150が搬送ハンド151bを処理チャンバー6から退出させて処理後の半導体ウェハーWを搬出する。

0098

ところで、典型的には、半導体ウェハーWの処理はロット単位で行われる。ロットとは、同一条件にて同一内容の処理を行う対象となる1組の半導体ウェハーWである。本実施形態の熱処理装置100においても、ロットを構成する複数枚(例えば、25枚)の半導体ウェハーWが1つのキャリアCに収容されてインデクサ部101のロードポート110に載置され、そのキャリアCから半導体ウェハーWが1枚ずつ順次に処理チャンバー6に搬入されて加熱処理が行われる。

0099

ここで、しばらく処理を行っていなかった熱処理装置100にてロットの処理を開始する場合、概ね室温の処理チャンバー6にロットの最初の半導体ウェハーWが搬入されて予備加熱およびフラッシュ加熱処理が行われることとなる。このような場合は、例えばメンテナンス後に熱処理装置100が起動されてから最初のロットを処理する場合や先のロットを処理した後に長時間が経過した場合などである。加熱処理時には、昇温した半導体ウェハーWからサセプタ74等のチャンバー内構造物に熱伝導が生じるため、初期には室温であったサセプタ74が半導体ウェハーWの処理枚数が増えるにつれて徐々に蓄熱により昇温することとなる。また、ハロゲンランプHLから出射された赤外光の一部は下側チャンバー窓64に吸収されるため、半導体ウェハーWの処理枚数が増えるにつれて下側チャンバー窓64の温度も徐々に昇温することとなる。

0100

そして、約10枚の半導体ウェハーWの加熱処理が行われたときにサセプタ74および下側チャンバー窓64の温度が一定の安定温度に到達する。安定温度に到達したサセプタ74では、半導体ウェハーWからサセプタ74への伝熱量とサセプタ74からの放熱量とが均衡する。サセプタ74の温度が安定温度に到達するまでは、半導体ウェハーWからの伝熱量がサセプタ74からの放熱量よりも多いため、半導体ウェハーWの処理枚数が増えるにつれてサセプタ74の温度が徐々に蓄熱により上昇する。これに対して、サセプタ74の温度が安定温度に到達した後は、半導体ウェハーWからの伝熱量とサセプタ74からの放熱量とが均衡するため、サセプタ74の温度は一定の安定温度に維持されることとなる。また、下側チャンバー窓64の温度が安定温度に到達した後は、下側チャンバー窓64がハロゲンランプHLの照射光から吸収する熱量と下側チャンバー窓64から放出される熱量とが均衡するため、下側チャンバー窓64の温度も一定の安定温度に維持されることとなる。

0101

このように室温の処理チャンバー6にて処理を開始すると、ロットの初期の半導体ウェハーWと途中からの半導体ウェハーWとで処理チャンバー6の構造物の温度が異なることに起因して温度履歴が不均一になるという問題があった。また、初期の半導体ウェハーWについては低温のサセプタ74に支持されてフラッシュ加熱処理が行われるためにウェハー反りが生じることもあった。このため、ロットの処理を開始する前に、処理対象ではないダミーウェハーを処理チャンバー6内に搬入して処理対象の半導体ウェハーWと同様の予備加熱およびフラッシュ加熱処理を行ってサセプタ74等のチャンバー内構造物を安定温度に昇温するダミーランニングが実施されている。10枚程度のダミーウェハーに予備加熱およびフラッシュ加熱処理を行うことにより、サセプタ74等のチャンバー内構造物を安定温度に昇温することができる。このようなダミーランニングは、室温の処理チャンバー6にて処理を開始する場合のみならず、予備加熱温度T1や処理温度T2を変更する場合にも実行される。既述したように、ダミーウェハーには繰り返して予備加熱およびフラッシュ加熱処理が行われるため、ダミーウェハーの劣化が進行してウェハー割れや反りが生じ易くなる。このため、ダミーウェハーの劣化状態を適切に管理することが必要となる。以下、熱処理装置100におけるダミーウェハーの管理について説明する。

0102

図11は、第1実施形態のダミーウェハーの管理手順を示すフローチャートである。ダミーウェハーは、処理対象となる半導体ウェハーWと同様の円板形状のシリコンウェハーであり、半導体ウェハーWと同様のサイズおよび形状を有する。但し、ダミーウェハーには、パターン形成やイオン注入はなされていない。すなわち、ダミーウェハーはいわゆるベアウェハーである。

0103

ダミーランニングを行うに際しては、まず搬送を開始しようとするウェハーがダミーウェハーであるか否かが確認される(ステップS11)。ダミーウェハーは、通常の半導体ウェハーWを収容するキャリアCとは異なるダミーウェハー専用のキャリアC(ダミーキャリア)に収容されて運用される。そのようなダミーウェハー専用のキャリアCがインデクサ部101のロードポート110に載置されると、キャリアCに付されたタグが読み取られて当該キャリアCがダミーキャリアであることが制御部3によって認識される。制御部3は、搬送を開始しようとするウェハーがダミーキャリアに収容されたウェハーであるときに当該ウェハーをダミーウェハーであると判断する。搬送を開始しようとするウェハーがダミーウェハーでない場合には、ダミーランニングは開始されない。なお、ダミーウェハー専用のキャリアCの形態自体は通常の半導体ウェハーWを収容するキャリアCと同じであり、本実施形態ではFOUPである。

0104

搬送を開始しようとするウェハーがダミーウェハーである場合、ステップS11からステップS12に進み、そのダミーウェハーが搬送機構38(受渡ロボット120および搬送ロボット150)によってインデクサ部101から熱処理部160に搬送される。ダミーウェハーの搬送手順は、上述した処理対象となる半導体ウェハーWの搬送手順と概ね同様である。

0105

次に、ハロゲンランプHLを用いた予備加熱を実行するか否かが判断される(ステップS13)。通常の半導体ウェハーWの熱処理とは異なり、ダミーランニングのときにはダミーウェハーに予備加熱を行うことなくフラッシュ加熱のみを行うこともある。このような場合には、予備加熱は実行されない。ステップS13の判断は、熱処理装置100のオペレータが適宜判断するようにしても良いし、予め設定されたレシピから制御部3が判断するようにしても良い。

0106

予備加熱が実行される場合には、通常の半導体ウェハーWに対するのと同様に、ハロゲンランプHLからの光照射によってダミーウェハーが予備加熱される。そして、制御部3の計数部31(図10)が予備加熱カウンターに1を加算する(ステップS14)。予備加熱カウンターとは、当該ダミーウェハーに対して行われたハロゲンランプHLによる予備加熱の回数を示すパラメータである。図10に示すように、制御部3の記憶部である磁気ディスク35にはダミーデータベース39が格納されている。ダミーデータベース39には、ダミーキャリアとそれに収容された複数のダミーウェハーの予備加熱回数およびフラッシュ加熱回数とが関連付けられて登録されている。制御部3の計数部31は、処理中のダミーウェハーの予備加熱回数をダミーデータベース39から抽出し、その値を予備加熱カウンターとする。そして、ハロゲンランプHLによる予備加熱が当該ダミーウェハーに行われたときに、計数部31が予備加熱カウンターに1を加算するのである。

0107

続いて、計数部31によって1を加算された予備加熱カウンターが予め設定されている所定の閾値以上となっているか否かが制御部3によって判定される(ステップS15)。予備加熱カウンターの閾値としては例えば500回が設定されている。予備加熱カウンターが閾値以上となっている場合には、ステップS15からステップS16に進み、制御部3の発報部32がアラームを発報する。例えば、発報部32は表示部34にダミーウェハーの予備加熱回数が使用限度に到達した旨の警告を表示する。発報部32がアラームを発報した後、引き続きステップS17に進み、フラッシュランプFLを用いたフラッシュ加熱を実行するか否かが判断される。

0108

一方、予備加熱カウンターが閾値未満である場合にも、ステップS17に進み、フラッシュランプFLを用いたフラッシュ加熱を実行するか否かが判断される。また、ステップS13にて予備加熱を実行しないと判断された場合にもステップS17に進む。ダミーランニングのときには予備加熱のみを行ってフラッシュ加熱を行わないこともある。ステップS17の判断も、熱処理装置100のオペレータが適宜判断するようにしても良いし、予め設定されたレシピから制御部3が判断するようにしても良い。

0109

フラッシュ加熱が実行される場合には、通常の半導体ウェハーWに対するのと同様に、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射によってダミーウェハーがフラッシュ加熱される。そして、制御部3の計数部31がフラッシュ加熱カウンターに1を加算する(ステップS18)。フラッシュ加熱カウンターとは、当該ダミーウェハーに対して行われたフラッシュ加熱の回数を示すパラメータである。計数部31は、処理中にダミーウェハーのフラッシュ加熱回数をダミーデータベース39から抽出し、その値をフラッシュ加熱カウンターとする。そして、フラッシュランプFLによるフラッシュ加熱が当該ダミーウェハーに行われたときに、計数部31がフラッシュ加熱カウンターに1を加算するのである。

0110

続いて、計数部31によって1を加算されたフラッシュ加熱カウンターが予め設定されている所定の閾値以上となっているか否かが制御部3によって判定される(ステップS19)。フラッシュ加熱カウンターの閾値としては例えば50回が設定されている。フラッシュ加熱カウンターが閾値以上となっている場合には、ステップS19からステップS20に進み、発報部32がアラームを発報する。例えば、発報部32は表示部34にダミーウェハーのフラッシュ加熱回数が使用限度に到達した旨の警告を表示する。

0111

一方、予備加熱カウンターおよびフラッシュ加熱カウンターの双方がそれぞれの閾値未満である場合には、アラーム発報はなされない。この場合、加熱処理後のダミーウェハーが搬送機構38によって熱処理部160からインデクサ部101の元のキャリアCに戻される。また、ステップS16またはステップS20の少なくとも一方にてアラームが発報された場合にも、ダミーウェハーは搬送機構38によってインデクサ部101の元のキャリアCに戻される。

0112

第1実施形態においては、ダミーランニングの過程、すなわち熱処理装置100にてダミーウェハーの処理を行っているときに、予備加熱カウンターおよびフラッシュ加熱カウンターをインクリメントし、それらのカウンターが閾値以上となったときにアラームを発報するようにしている。予備加熱カウンターおよびフラッシュ加熱カウンターは、ダミーウェハーの劣化の程度を示す損耗値として把握される指標である。要するに、第1実施形態では、ダミーランニングの途中でダミーウェハーの損耗値が閾値以上となったときにアラームを発報しているのである。これにより、熱処理装置100のオペレータは、ダミーウェハーの劣化が設定された限界値に到達したことを認識することができ、当該ダミーウェハーを新しいダミーウェハーに交換することとなる。その結果、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を防止することができる。

0113

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置100の構成および半導体ウェハーWの処理手順は第1実施形態と同様である。第2実施形態においては、ダミーウェハーの管理形態が第1実施形態と異なる。

0114

図12は、第2実施形態のダミーウェハーの管理手順を示すフローチャートである。第2実施形態では、ダミーウェハーを収容したキャリアC(ダミーキャリア)がインデクサ部101のロードポート110に載置され、熱処理装置100のオペレータがダミーランニングの処理開始を入力部33から指示する(ステップS21)。処理開始が指示されると、制御部3は、対象となるダミーウェハーの予備加熱回数をダミーデータベース39から抽出して予備加熱カウンターとする。また、制御部3は、当該ダミーウェハーのフラッシュ加熱回数をダミーデータベース39から抽出してフラッシュ加熱カウンターとする。そして、制御部3は、対象となるダミーウェハーの予備加熱カウンターが予め設定された所定の閾値以上であるか否かを判定する(ステップS22)。予備加熱カウンターの閾値としては、第1実施形態と同じく例えば500回が設定されている。

0115

予備加熱カウンターが閾値未満である場合には、ステップS23に進み、制御部3は、そのダミーウェハーのフラッシュ加熱カウンターが予め設定された所定の閾値以上であるか否かを判定する(ステップS23)。フラッシュ加熱カウンターの閾値としても、第1実施形態と同じく例えば50回が設定されている。そして、フラッシュ加熱カウンターも閾値未満である場合には、対象となるダミーウェハーの搬送が開始されてダミーランニングが実行される(ステップS24)。

0116

一方、予備加熱カウンターまたはフラッシュ加熱カウンターが閾値以上である場合には、ステップS25に進み、発報部32がアラームを発報する。さらに、制御部3は、搬送機構38による搬送動作を禁止する(ステップS26)。

0117

第2実施形態においては、熱処理装置100にてダミーウェハーの搬送を開始しようとしたときに、そのダミーウェハーの損耗値が閾値以上である場合にアラームを発報している。これにより、熱処理装置100のオペレータは、ダミーウェハーの劣化が設定された限界値に到達したことを認識することができ、当該ダミーウェハーの処理を中止することとなる。

0118

仮に、アラームが発報されたにも関わらず、オペレータが強引にダミーウェハーの処理を開始させようとしても、制御部3が搬送機構38による搬送動作を禁止しているため、当該ダミーウェハーが熱処理部160に搬送されて処理されることは防がれる。その結果、劣化が進行したダミーウェハーの誤処理を確実に防止することができる。

0119

<変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第2実施形態は、ダミーウェハーの熱処理を行う場合のみならず、ダミーウェハーの非加熱処理を行う場合にも適用することができる。非加熱処理とは、ダミーウェハーに対する熱処理を行わずに、インデクサ部101と熱処理部160との間にてダミーウェハーの搬送のみを行う処理である。このような非加熱処理は、例えば、搬送機構38のティーチング作業を行った後に、教示内容通りの位置にダミーウェハーを搬送できているか否かを確認するために行われる。熱処理の回数を重ねて劣化が進行したダミーウェハーには反りが生じている場合があり、非加熱処理であってもそのようなダミーウェハーを搬送機構38によって搬送しようとすると搬送トラブルとなることがある。ダミーウェハーの非加熱処理に第2実施形態を適用すれば、ダミーウェハーの変形に起因した搬送トラブルを未然に防止することができる。

0120

また、上記実施形態においては、フラッシュランプハウス5に30本のフラッシュランプFLを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプFLの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプFLはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲンランプハウス4に備えるハロゲンランプHLの本数も40本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。

0121

また、上記実施形態においては、1秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプHLを用いて半導体ウェハーWの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプHLに代えて放電型のアークランプ(例えば、キセノンアークランプ)を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。この場合、ダミーウェハーの予備加熱もアークランプからの光照射によって行われることとなる。

0122

また、熱処理装置100によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板太陽電池用の基板であっても良い。

0123

3 制御部
4ハロゲンランプハウス
5フラッシュランプハウス
6処理チャンバー
7 保持部
10 移載機構
31計数部
32発報部
33 入力部
34 表示部
35磁気ディスク
38搬送機構
39ダミーデータベース
65熱処理空間
74サセプタ
100熱処理装置
101インデクサ部
120受渡ロボット
130,140 冷却部
150搬送ロボット
151a,151b搬送ハンド
160熱処理部
FLフラッシュランプ
HLハロゲンランプ
W 半導体ウェハー

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