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技術 マスクの形成方法

出願人 東京エレクトロン株式会社
発明者 八重樫英民岡田聡一郎
出願日 2018年9月19日 (2年2ヶ月経過) 出願番号 2018-175200
公開日 2020年3月26日 (7ヶ月経過) 公開番号 2020-046549
状態 未査定
技術分野
  • -
主要キーワード 水溶性領域 露光雰囲気 水蒸気雰囲気 塩基性ガス 感光性有機膜 分解過程 未露光領域 フロー
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2020年3月26日)のものです。
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図面 (20)

課題

パターンの精度を向上することができるマスク形成方法を提供する。

解決手段

マスクの形成方法は、被加工物上感光性有機膜を形成する工程と、前記感光性有機膜の選択的な露光及び露光後ベークを行うことにより、感光性有機膜に酸性官能基を有する第1の領域及び酸性の官能基が保護された保護基を有する第2の領域を生成する工程と、気相又は固相物質を用いて、第1の領域に塩基性物質浸透させることにより、第1の領域に塩を生成する工程と、塩を現像液に溶解させて第1の領域を除去する工程と、を有する。

概要

背景

半導体装置高集積化に伴って、半導体装置の製造に用いるレジストマスクに形成するパターン微細化が進められている。パターンが微細になるほど、高い精度が要求される。例えば、露光雰囲気である空気中に発生した酸の触媒反応に起因したレジスト表面の不具合を抑制するために、露光後ベークの前にレジスト表面に塩基性物質浸透させる方法が開示されている(特許文献1)。

概要

パターンの精度を向上することができるマスク形成方法を提供する。マスクの形成方法は、被加工物上感光性有機膜を形成する工程と、前記感光性有機膜の選択的な露光及び露光後ベークを行うことにより、感光性有機膜に酸性官能基を有する第1の領域及び酸性の官能基が保護された保護基を有する第2の領域を生成する工程と、気相又は固相物質を用いて、第1の領域に塩基性物質を浸透させることにより、第1の領域に塩を生成する工程と、塩を現像液に溶解させて第1の領域を除去する工程と、を有する。

目的

特開2000−131854号公報






本開示は、パターンの精度を向上することができるマスクの形成方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
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牽制数
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請求項1

被加工物上感光性有機膜を形成する工程と、前記感光性有機膜の選択的な露光及び露光後ベークを行うことにより、前記感光性有機膜に酸性官能基を有する第1の領域及び前記酸性の官能基が保護された保護基を有する第2の領域を生成する工程と、気相又は固相物質を用いて、前記第1の領域に塩基性物質浸透させて前記第1の領域に塩を生成する工程と、前記塩を現像液に溶解させて前記第1の領域を除去する工程と、を有する、マスク形成方法

請求項2

前記第1の領域に前記塩基性物質を浸透させる際に、前記感光性有機膜を塩基性ガス暴露する、請求項1に記載のマスクの形成方法。

請求項3

前記第1の領域及び前記第2の領域を生成する工程と前記第1の領域を除去する工程との間に、前記感光性有機膜を水蒸気雰囲気に暴露する工程を有する、請求項2に記載のマスクの形成方法。

請求項4

前記第1の領域に前記塩基性物質を浸透させる際に、前記感光性有機膜上に前記塩基性物質を含有する膜を形成し、加熱により前記塩基性物質を前記膜から前記第1の領域に浸透させる、請求項1に記載のマスクの形成方法。

請求項5

前記感光性有機膜を選択的に露光する際に、前記感光性有機膜に極端紫外光照射する、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のマスクの形成方法。

請求項6

前記塩基性物質は、アンモニアメチルアミンエチルアミンモルホリン若しくはピリジン又はこれらの任意の組み合わせである、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のマスクの形成方法。

請求項7

前記現像液として水又はアルカリ水溶液を用いる、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のマスクの形成方法。

技術分野

0001

本開示は、マスク形成方法に関する。

背景技術

0002

半導体装置高集積化に伴って、半導体装置の製造に用いるレジストマスクに形成するパターン微細化が進められている。パターンが微細になるほど、高い精度が要求される。例えば、露光雰囲気である空気中に発生した酸の触媒反応に起因したレジスト表面の不具合を抑制するために、露光後ベークの前にレジスト表面に塩基性物質浸透させる方法が開示されている(特許文献1)。

先行技術

0003

特開2000−131854号公報

発明が解決しようとする課題

0004

本開示は、パターンの精度を向上することができるマスクの形成方法を提供する。

課題を解決するための手段

0005

本開示の一態様によるマスクの形成方法は、被加工物上感光性有機膜を形成する工程と、前記感光性有機膜の選択的な露光及び露光後ベークを行うことにより、前記感光性有機膜に酸性官能基を有する第1の領域及び前記酸性の官能基が保護された保護基を有する第2の領域を生成する工程と、気相又は固相物質を用いて、前記第1の領域に塩基性物質を浸透させて前記第1の領域に塩を生成する工程と、前記塩を現像液に溶解させて前記第1の領域を除去する工程と、を有する。

発明の効果

0006

本開示によれば、パターンの精度を向上することができる。

図面の簡単な説明

0007

マスクの形成方法の参考例を示すフローチャートである。
参考例におけるフォトレジスト膜構造式の変化を示す図(その1)である。
参考例におけるフォトレジスト膜の構造式の変化を示す図(その2)である。
参考例におけるフォトレジスト膜の内部の変化を示す模式図(その1)である。
参考例におけるフォトレジスト膜の内部の変化を示す模式図(その2)である。
参考例におけるフォトレジスト膜の分解過程を示す模式図である。
参考例における露光領域の除去の過程を示す断面図である。
第1の実施形態に係るマスクの形成方法を示すフローチャートである。
第1の実施形態に係るマスクの形成方法を示す断面図(その1)である。
第1の実施形態に係るマスクの形成方法を示す断面図(その2)である。
第1の実施形態におけるフォトレジスト膜の構造式の変化を示す図である。
第1の実施形態におけるフォトレジスト膜の内部の変化を示す模式図(その1)である。
第1の実施形態におけるフォトレジスト膜の内部の変化を示す模式図(その2)である。
第1の実施形態におけるフォトレジスト膜の分解過程を示す模式図である。
第1の実施形態における露光領域の除去の過程を示す断面図である。
第2の実施形態に係るマスクの形成方法を示すフローチャートである。
第3の実施形態に係るマスクの形成方法を示すフローチャートである。
第4の実施形態に係るマスクの形成方法を示すフローチャートである。
第4の実施形態に係るマスクの形成方法を示す断面図である。

実施例

0008

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

0009

(参考例)
まず、参考例について説明する。図1は、マスクの形成方法の参考例を示すフローチャートである。

0010

参考例は、フォトレジスト膜を形成する工程(ステップS901)、フォトレジスト膜を露光する工程(ステップS902)、露光後ベーク(Post Exposure Bake:PEB)を行う工程(ステップS903)、及びフォトレジスト膜を現像する工程(ステップS904)を有する。

0011

以下、各々の工程について具体的に説明する。図2図3は、参考例におけるフォトレジスト膜の構造式の変化を示す図である。

0012

ステップS901では、被加工物の上にフォトレジスト膜を形成する。参考例では、フォトレジスト膜としてポジ型のフォトレジスト膜を用いる。フォトレジスト膜は、例えば、ベース樹脂及び光酸発生剤(Photo Acid Generator:PAG)を含み、ベース樹脂は、図2(a)に示すように、極性の低い保護基を有する。保護基は、例えばラクトン基若しくはアダマンチル基又はこれらの両方である。

0013

ステップS902では、露光マスクを用いてフォトレジスト膜を選択的に露光する。すなわち、フォトレジスト膜に選択的に露光光照射する。この結果、フォトレジスト膜に、露光領域が形成されると共に、未露光領域が残存する。フォトレジスト膜がポジ型であるため、露光領域にて、光酸発生剤が分解され、酸が発生する。

0014

ステップS903では、フォトレジスト膜の露光後ベークを行う。露光後ベークにより、露光領域において、酸を拡散させ、図2(b)に示すように、フォトレジスト膜に含まれるベース樹脂の脱保護を行う。この結果、露光領域では、図2(c)に示すように、ベース樹脂が脱保護されてカルボキシル基が生成する。

0015

ステップS904では、フォトレジスト膜の現像を行う。この現像では、現像液として、例えば、図3(a)に示すように、水酸化テトラメチルアンモニウム(Tetramethylammonium:TMAH水溶液を用いる。

0016

一般に、脱保護されたフォトレジスト膜は、その極性が高いため、TMAH水溶液に可溶であるといわれている。しかしながら、脱保護されたフォトレジスト膜はそのままではTMAH水溶液に溶解しにくく、実際は、脱保護されたフォトレジスト膜とTMAH水溶液との間で、図3(b)に示すように、フォトレジスト膜のカルボキシル基と[(CH3)4N]+との塩が形成される。そして、図3(c)に示すように、塩が水に溶解してイオン化し、脱保護されたフォトレジスト膜が水に可溶となっている。

0017

ここで、模式図を参照しながら、参考例におけるフォトレジスト膜の分解過程について説明する。図4図5は、参考例におけるフォトレジスト膜の内部の変化を示す模式図である。図6は、参考例におけるフォトレジスト膜の分解過程を示す模式図である。図7は、参考例における露光領域の除去の過程を示す断面図である。

0018

図4(a)及び図6(a)に示すように、フォトレジスト膜902は複数の分子鎖922が絡み合って構成され、フォトレジスト膜902中には分子鎖922の凝集部923が含まれる。また、露光前の段階で、分子鎖922は保護基924を有する。露光が行われると、図4(b)に示すように、露光領域にて、ベース樹脂が脱保護されてカルボキシル基等の脱保護基925が生成する。

0019

その後の現像において、図5(a)に示すように、脱保護基925とTMAH水溶液926との反応により塩927が生成する。但し、塩927は凝集部923の表面にて生成しやすい一方で、凝集部923の内部では塩927が生成しにくい。そして、図5(b)に示すように、生成した塩927はTMAH水溶液926の水928中に溶解する。このため、図6(b)に示すように、一部の凝集部923は、その内部に塩927が生成する前に塊状の形態で除去される。

0020

従って、現像の際には、図7(a)に示すように、被加工物901上に形成されたフォトレジスト膜902において、露光領域904から塊状の凝集部923が離脱していき、結果的に、図7(b)に示すように、未露光領域905の側面に大きな凹凸が形成される。このような理由で、参考例により形成されるマスク900のパターンの精度が低くなってしまう。特に、ラインアンドスペース(L/S)のパターンでは、LER(Line Edge Roughness)が大きくなりやすい。また、塊状の凝集部923の離脱の結果、スカムが発生することもある。

0021

(第1の実施形態)
次に、第1の実施形態について説明する。図8は、第1の実施形態に係るマスクの形成方法を示すフローチャートである。

0022

第1の実施形態に係るマスクの形成方法は、フォトレジスト膜を形成する工程(ステップS101)、フォトレジスト膜を露光する工程(ステップS102)、及び露光後ベークを行う工程(ステップS103)を有する。第1の実施形態に係るマスクの形成方法は、更に、フォトレジスト膜を塩基性ガス暴露する工程(ステップS104)、及びフォトレジスト膜を現像する工程(ステップS105)を有する。

0023

以下、各々の工程について具体的に説明する。図9図10は、第1の実施形態に係るマスクの形成方法を示す断面図である。図11は、第1の実施形態におけるフォトレジスト膜の構造式の変化を示す図である。

0024

ステップS101では、図9(a)に示すように、被加工物101の上にフォトレジスト膜102を形成する。第1の実施形態では、フォトレジスト膜102としてポジ型のフォトレジスト膜を用いる。フォトレジスト膜102は、例えばKrFレジストArFレジスト極端紫外線(Extreme Ultra Violet:EUV)レジスト等の化学増幅型フォトレジストにより形成されている。フォトレジスト膜102は、参考例で用いるフォトレジスト膜と同様に、例えば、ベース樹脂及び光酸発生剤を含み、ベース樹脂は極性の低い保護基を有する(図2(a)参照)。保護基は、例えばラクトン基若しくはアダマンチル基又はこれらの両方である。例えば、フォトレジスト膜102はスピンコーティング法により形成することができる。フォトレジスト膜102は感光性有機膜の一例である。

0025

ステップS102では、図9(b)に示すように、露光マスク110を用いてフォトレジスト膜102を選択的に露光する。すなわち、フォトレジスト膜102に選択的に露光光111を照射する。この結果、フォトレジスト膜102に、露光領域104が形成されると共に、未露光領域105が残存する。フォトレジスト膜102がポジ型であるため、露光領域104にて、光酸発生剤が分解され、酸が発生する。露光に用いられる光源は、フォトレジスト膜102の材料に応じて定められ、例えばKrFエキシマレーザ波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、EUVエキシマレーザ(波長13.5nm)である。

0026

ステップS103では、図9(c)に示すように、熱112を付与し、フォトレジスト膜102の露光後ベークを行う。露光後ベークでは、フォトレジスト膜102を、例えば100℃〜150℃の温度に加熱することにより、露光領域104において、酸を拡散させ、フォトレジスト膜102に含まれるベース樹脂の脱保護を行う(図2(b)参照)。この結果、露光領域104では、ベース樹脂が脱保護されてカルボキシル基が生成する(図2(c)参照)。露光領域104は、酸性の官能基を有する第1の領域の一例であり、未露光領域105は、酸性の官能基が保護された保護基を有する第2の領域の一例である。

0027

ステップS104では、図10(a)に示すように、フォトレジスト膜102を塩基性ガス113に暴露する。例えば、塩基性ガス113としては、アンモニアメチルアミンエチルアミンモルホリン若しくはピリジン又はこれらの任意の組み合わせのガスを用いることができる。塩基性ガス113に含まれる塩基性物質は少なくとも露光領域104に浸透することができ、図11(a)に示すように、塩基性ガスとしてアンモニアを用いた場合、図11(b)に示すように、脱保護されたフォトレジスト膜102のカルボキシル基とアンモニアとが反応したアンモニウム塩が生成する。このアンモニウム塩は水に可溶であるが、周囲に水が存在しないため、アンモニウム塩は固体のまま維持される。このようにして、図10(b)に示すように、露光領域104が水溶性領域104Aとなった固体のフォトレジスト膜102Aが得られる。

0028

ステップS105では、フォトレジスト膜102Aの現像を行う。この現像では、現像液として、例えば水を用いる。現像の結果、図10(c)に示すように、未露光領域105を残存させながら、水溶性領域104A(露光領域104)が除去される。

0029

このようにして、マスク100を形成することができる。

0030

ここで、模式図を参照しながら、第1の実施形態におけるフォトレジスト膜102の分解過程について説明する。図12図13は、第1の実施形態におけるフォトレジスト膜102の内部の変化を示す模式図である。図14は、第1の実施形態におけるフォトレジスト膜の分解過程を示す模式図である。図15は、第1の実施形態における露光領域の除去の過程を示す断面図である。

0031

図12(a)及び図14(a)に示すように、フォトレジスト膜102は複数の分子鎖122が絡み合って構成され、フォトレジスト膜102中には分子鎖122の凝集部123が含まれる。また、露光前の段階で、分子鎖122は保護基124を有する。露光が行われると、図12(b)に示すように、露光領域104にて、ベース樹脂が脱保護されて脱保護基、ここではカルボキシル基125が生成する。

0032

その後、フォトレジスト膜102の塩基性ガス113への暴露により塩基性ガス113に含まれる塩基性物質が少なくとも露光領域104に浸透し、図13(a)に示すように、カルボキシル基125と塩基性物質との反応により塩127が生成する。この反応は水の外で行われるため、塩127の水への溶解が生じることはなく、凝集部123の内部においても、カルボキシル基125を十分に塩基性物質と反応させて塩127を生成することができる。

0033

そして、現像の際には、図13(b)及び図14(b)に示すように、水溶性領域104A(露光領域104)の全体で塩127が水128に溶解し、凝集部123が解かれながら、水溶性領域104Aが除去されていく。

0034

従って、図15(a)に示すように、水溶性領域104A(露光領域104)から細かな分子鎖122が離脱していき、結果的に、図15(b)に示すように、未露光領域105の側面の凹凸が極めて小さなものとなる。このように、第1の実施形態によれば、露光マスク110のパターンを高精度で転写したマスク100を形成することができる。特に、ラインアンドスペースのパターンでは、LERを小さく抑えることができる。また、スカムの発生も抑制することができる。

0035

この効果は、特に露光光としてEUVを用いて微細なパターンのマスクを形成する場合に顕著である。これは、未露光領域105の側面の粗さが同一である場合、パターンが微細になるほど、相対的に粗さの影響が大きくなるためである。従って、本実施形態は、EUVを用いた微細なパターンのマスクの形成に極めて有効である。

0036

なお、ステップS104におけるフォトレジスト膜102の塩基性ガス113への暴露は、水蒸気を含む雰囲気で行うことが好ましい。これは、露光領域104中に水も浸透し、露光領域104中で塩基性物質の加水分解が促進されるためである。

0037

(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態について説明する。図16は、第2の実施形態に係るマスクの形成方法を示すフローチャートである。

0038

第2の実施形態に係るマスクの形成方法は、フォトレジスト膜を形成する工程(ステップS101)、フォトレジスト膜を露光する工程(ステップS102)、及び露光後ベークを行う工程(ステップS103)を有する。第2の実施形態に係るマスクの形成方法は、更に、フォトレジスト膜を水蒸気雰囲気に暴露する工程(ステップS201)、フォトレジスト膜を塩基性ガスに暴露する工程(ステップS104)、及びフォトレジスト膜を現像する工程(ステップS105)を有する。

0039

以下、各々の工程について具体的に説明する。

0040

ステップS101〜S103では、第1の実施形態と同様に、フォトレジスト膜102の形成、露光及び露光後ベークを行う(図9(a)〜(c)参照)。

0041

ステップS201では、フォトレジスト膜102を水蒸気雰囲気に暴露する。フォトレジスト膜102を水蒸気雰囲気に暴露することで、水が少なくとも露光領域104に浸透する。

0042

ステップS104では、第1の実施形態と同様に、フォトレジスト膜102を塩基性ガス113に暴露する(図10(a)〜(b)参照)。この結果、第1の実施形態と同様に、露光領域104が水溶性領域104Aとなった固体のフォトレジスト膜102Aが得られる。本実施形態では、塩基性ガス113への暴露に先立って露光領域104に水が浸透しているため、露光領域104中で塩基性物質の加水分解が促進される。従って、より確実に露光領域104を水溶性領域104Aとすることができる。

0043

ステップS201及びS104の処理は、所定回数行う。(ステップS202)。所定回数は1回でもよく、2回以上であってもよい。

0044

ステップS105では、第1の実施形態と同様に、フォトレジスト膜102Aの現像を行う(図10(c)参照)。

0045

このようにして、マスク100を形成することができる。

0046

第2の実施形態によれば、上記のように、露光領域104への水の浸透により塩基性物質の加水分解が促進されるため、より確実に露光領域104を水溶性領域104Aとすることができる。従って、より精度の高いマスク100を形成することができる。

0047

(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態について説明する。図17は、第3の実施形態に係るマスクの形成方法を示すフローチャートである。

0048

第3の実施形態に係るマスクの形成方法は、フォトレジスト膜を形成する工程(ステップS101)、フォトレジスト膜を露光する工程(ステップS102)、及び露光後ベークを行う工程(ステップS103)を有する。第3の実施形態に係るマスクの形成方法は、更に、フォトレジスト膜を塩基性ガスに暴露する工程(ステップS104)、フォトレジスト膜を水蒸気雰囲気に暴露する工程(ステップS301)、及びフォトレジスト膜を現像する工程(ステップS105)を有する。

0049

以下、各々の工程について具体的に説明する。

0050

ステップS101〜S104では、第1の実施形態と同様に、フォトレジスト膜102の形成、露光、露光後ベーク及び塩基性ガス113への暴露を行う(図9(a)〜図10(b)参照)。

0051

ステップS301では、フォトレジスト膜102を水蒸気雰囲気に暴露する。ステップS104で塩基性ガス113に含まれる塩基性物質が露光領域104に浸透しているところ、フォトレジスト膜102を水蒸気雰囲気に暴露することで、水が露光領域104に浸透し、塩基性物質の加水分解が促進される。従って、より確実に露光領域104を水溶性領域104Aとすることができる。

0052

ステップS105では、第1の実施形態と同様に、フォトレジスト膜102Aの現像を行う(図10(c)参照)。

0053

このようにして、マスク100を形成することができる。

0054

第3の実施形態によれば、上記のように、露光領域104への水の浸透により塩基性物質の加水分解が促進されるため、より確実に露光領域104を水溶性領域104Aとすることができる。従って、より精度の高いマスク100を形成することができる。

0055

(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態について説明する。図18は、第4の実施形態に係るマスクの形成方法を示すフローチャートである。

0056

第4の実施形態に係るマスクの形成方法は、フォトレジスト膜を形成する工程(ステップS101)、フォトレジスト膜を露光する工程(ステップS102)、及び露光後ベークを行う工程(ステップS103)を有する。第1の実施形態に係るマスクの形成方法は、更に、フォトレジスト膜上に、塩基性物質を含有する膜を形成する工程(ステップS401)、塩基性物質を含有する膜を加熱する工程(ステップS402)、及びフォトレジスト膜を現像する工程(ステップS105)を有する。

0057

以下、各々の工程について具体的に説明する。図19は、第4の実施形態に係るマスクの形成方法を示す断面図である。

0058

ステップS101〜S103では、第1の実施形態と同様に、フォトレジスト膜102の形成、露光及び露光後ベークを行う(図9(c)参照)。

0059

ステップS401では、図19(a)に示すように、フォトレジスト膜102上に、塩基性物質を含有する膜141を形成する。膜141としては、例えば、ポリビニルアルコールPVA)等の水溶性ポリマーに、塩基性物質、例えばアンモニア、メチルアミン、エチルアミン、モルホリン若しくはピリジン又はこれらの任意の組み合わせを溶解させた樹脂膜を用いることができる。

0060

ステップS402では、膜141を加熱する。膜141の加熱により、膜141に含まれる塩基性物質は少なくとも露光領域104に浸透し、脱保護されたフォトレジスト膜102のカルボキシル基と塩基性物質とが反応したアンモニウム塩等の塩が生成する。この塩は水に可溶であるが、周囲に水が存在しないため、塩は固体のまま維持される。このようにして、図19(b)に示すように、露光領域104が水溶性領域104Aとなった固体のフォトレジスト膜102Aが得られる。

0061

ステップS105では、図19(c)に示すように、第1の実施形態と同様に、フォトレジスト膜102Aの現像を行う。

0062

このようにして、マスク100を形成することができる。

0063

第4の実施形態によっても、第1の実施形態と同様に、露光マスク110のパターンを高精度で転写したマスク100を形成することができる。

0064

なお、各実施形態において、現像液にTMAH等のアルカリ水溶液を用いてもよい。

0065

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

0066

100マスク
101被加工物
102、102Aフォトレジスト膜
104露光領域
104A水溶性領域
105未露光領域
111露光光
112 熱
141 膜

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