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技術 半導体装置及びその製造方法

出願人 新光電気工業株式会社
発明者 白木聡史
出願日 2018年8月6日 (1年10ヶ月経過) 出願番号 2018-147942
公開日 2020年2月13日 (4ヶ月経過) 公開番号 2020-024998
状態 未査定
技術分野 半導体または固体装置の組立体 粉末冶金 ダイボンディング
主要キーワード 金属焼結材 所定密度 天地逆 アルミニウム線 パワー半導体 樹脂ケース 加圧装置 加熱雰囲気
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (7)

課題

金属焼結材を有する半導体装置信頼性を向上すること。

解決手段

本半導体装置は、金属製のチップ搭載部と、前記チップ搭載部に金属焼結材を介して接合された半導体チップと、を有し、前記金属焼結材は、平面視で前記半導体チップと重複する第1領域と、平面視で前記半導体チップの周囲を囲む第2領域と、を含み、前記第1領域の空隙率は1%以上15%未満であり、前記第2領域の空隙率は15%以上50%以下である。

概要

背景

パワー半導体等の大電流を扱う半導体装置では、半導体チップ発熱量が大きいため、チップ搭載部(配線層リードフレーム等)と半導体チップとの接合に、はんだに代えて耐熱性に優れた金属焼結材を用いる場合がある。このような金属焼結材を有する半導体装置において、信頼性を向上する様々な検討がなされている(例えば、特許文献1、2参照)。

概要

金属焼結材を有する半導体装置の信頼性を向上すること。本半導体装置は、金属製のチップ搭載部と、前記チップ搭載部に金属焼結材を介して接合された半導体チップと、を有し、前記金属焼結材は、平面視で前記半導体チップと重複する第1領域と、平面視で前記半導体チップの周囲を囲む第2領域と、を含み、前記第1領域の空隙率は1%以上15%未満であり、前記第2領域の空隙率は15%以上50%以下である。

目的

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、金属焼結材を有する半導体装置の信頼性を向上することを課題とする

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

金属製のチップ搭載部と、前記チップ搭載部に金属焼結材を介して接合された半導体チップと、を有し、前記金属焼結材は、平面視で前記半導体チップと重複する第1領域と、平面視で前記半導体チップの周囲を囲む第2領域と、を含み、前記第1領域の空隙率は1%以上15%未満であり、前記第2領域の空隙率は15%以上50%以下である半導体装置

請求項2

前記第2領域において、前記チップ搭載部と接する第1面と、前記第1面の反対面である第2面とは平行である請求項1に記載の半導体装置。

請求項3

チップ搭載部のチップ搭載予定領域内、及び前記チップ搭載予定領域の周囲に金属焼結材のペースト印刷し、乾燥させる工程と、前記ペーストの周縁部を加圧する工程と、前記チップ搭載予定領域内に位置する前記ペーストを、加熱雰囲気中で半導体チップを介して加圧し、前記チップ搭載予定領域内及び前記チップ搭載予定領域の周囲に位置する前記ペーストを焼結して金属焼結材を作製し、前記チップ搭載部に前記金属焼結材を介して前記半導体チップを接合する工程と、を有し、前記金属焼結材は、平面視で前記半導体チップと重複する第1領域と、平面視で前記半導体チップの周囲に位置する第2領域と、を含み、前記第1領域の空隙率は、前記第2領域の空隙率よりも低い半導体装置の製造方法。

請求項4

前記第2領域の空隙率は、前記ペーストを印刷する工程で印刷された前記ペーストの空隙率よりも低い請求項3に記載の半導体装置の製造方法。

請求項5

前記第1領域の空隙率は1%以上15%未満であり、前記第2領域の空隙率は15%以上50%以下である請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。

請求項6

前記第2領域は、前記ペーストを印刷する工程で印刷された前記ペーストの最厚部の厚さよりも薄く、前記第1領域は、前記第2領域よりも薄い請求項3乃至5の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

請求項7

前記第2領域において、前記チップ搭載部と接する第1面と、前記第1面の反対面である第2面とは平行である請求項3乃至6の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

請求項8

前記ペーストの周縁部を加圧する工程で加圧される領域は、平面視で、前記ペーストの前記チップ搭載予定領域の最外周よりも内側から、前記ペーストの最外周に至る額縁状の領域である請求項3乃至7の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

請求項9

前記ペーストの周縁部を加圧する工程では、前記ペーストの周縁部を加熱しながら加圧し、前記ペーストの周縁部を加圧する工程の加熱温度は、前記半導体チップを接合する工程の加熱温度よりも低い請求項3乃至8の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。

背景技術

0002

パワー半導体等の大電流を扱う半導体装置では、半導体チップ発熱量が大きいため、チップ搭載部(配線層リードフレーム等)と半導体チップとの接合に、はんだに代えて耐熱性に優れた金属焼結材を用いる場合がある。このような金属焼結材を有する半導体装置において、信頼性を向上する様々な検討がなされている(例えば、特許文献1、2参照)。

先行技術

0003

特開2017−108192号公報
特開2014−029897号公報

発明が解決しようとする課題

0004

ところで、金属焼結材を有する半導体装置を作製する際に、チップ搭載部のチップ搭載予定領域及びその周囲に金属焼結材のペースト印刷し、金属焼結材のペーストを半導体チップを介して加熱しながら加圧して焼結させる場合がある。

0005

この場合、チップ搭載予定領域に位置する金属焼結材のペーストは半導体チップに加圧されるが、チップ搭載予定領域の周囲に位置する金属焼結材のペーストは加圧されない。加圧されないペーストは焼結が十分に進行しないため、弱い接合状態の脆い金属片が半導体チップの周囲に残存することになる。そのため、後工程で脆い金属片が脱落して半導体装置の動作不良の原因となる場合があり、半導体装置の信頼性を低下させていた。

0006

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、金属焼結材を有する半導体装置の信頼性を向上することを課題とする。

課題を解決するための手段

0007

本半導体装置は、金属製のチップ搭載部と、前記チップ搭載部に金属焼結材を介して接合された半導体チップと、を有し、前記金属焼結材は、平面視で前記半導体チップと重複する第1領域と、平面視で前記半導体チップの周囲を囲む第2領域と、を含み、前記第1領域の空隙率は1%以上15%未満であり、前記第2領域の空隙率は15%以上50%以下であることを要件とする。

発明の効果

0008

開示の技術によれば、金属焼結材を有する半導体装置の信頼性を向上することができる。

図面の簡単な説明

0009

第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する図である。
第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図(その1)である。
第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図(その2)である。
第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図(その3)である。
第2の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
第3の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。

実施例

0010

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

0011

〈第1の実施の形態〉
[第1の実施の形態に係る半導体装置の構造]
まず、第1の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する図であり、図1(a)は平面図、図1(b)は図1(a)のA−A線に沿う断面図である。

0012

図1を参照するに、半導体装置1は、絶縁基板10と、配線層11と、配線層12と、金属焼結材13と、半導体チップ14とを有している。

0013

なお、本実施の形態では、便宜上、半導体装置1の半導体チップ14側を上側又は一方の側、配線層12側を下側又は他方の側とする。又、各部位の半導体チップ14側の面を一方の面又は上面、配線層12側の面を他方の面又は下面とする。但し、半導体装置1は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を絶縁基板10の一方の面10aの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁基板10の一方の面10aの法線方向から視た形状を指すものとする。

0014

以下、半導体装置1の各構成要素について詳説する。なお、図1の例では、半導体装置1の平面形状は正方形であるが、これには限定されず、半導体装置1は任意の平面形状とすることができる。

0015

絶縁基板10は、他の層を形成するための基体となる部分である。絶縁基板10としては、例えば、Al2O3、AlN、SiN等を主成分とするセラミック基板を用いることができる。絶縁基板10として、エポキシ系樹脂ポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性や非感光性絶縁性樹脂(例えば、熱硬化性)を用いてもよい。絶縁基板10の厚さは、要求仕様に応じて適宜決定できるが、例えば、100〜1000μm程度とすることができる。

0016

配線層11は、絶縁基板10の一方の面10aに形成されている。配線層12は、絶縁基板10の他方の面10bに形成されている。配線層11及び12は、例えば、平面形状が正方形のベタ状に形成することができる。配線層11は、半導体チップ14を搭載するチップ搭載部である。配線層11及び12の材料としては、例えば、銅(Cu)等の金属を用いることができる。配線層11及び12の厚さは、例えば、50〜1000μm程度とすることができる。配線層11及び12は、ベタ状の領域以外に任意の形状の配線パターンを含んでもよい。

0017

半導体チップ14は、チップ搭載部である配線層11の一方の面11aに金属焼結材13を介して接合されている。より詳しくは、半導体チップ14の下面側には(例えば、下面側の全面に)、電極(図示せず)が形成されており、半導体チップ14の下面側に形成された電極が金属焼結材13を介して配線層11と電気的に接続されている。

0018

半導体チップ14は、例えば、MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、SBD(ショットキーバリアダイオード:Schottky Diode)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等である。半導体チップ14の大きさは、例えば、1mm角〜10mm角程度とすることができる。半導体チップ14の厚さは、例えば、100〜400μm程度とすることができる。半導体チップ14の材料としては、例えば、Si、SiC、GaN等を用いることができる。

0019

金属焼結材13としては、例えば、銀焼結材や銅焼結材等を用いることができる。金属焼結材13に含まれる金属としては、銀や銅を好適に用いることができるが、銀や銅以外の金属を用いてもよく、又、2種以上の金属の合金や、2種以上の金属の混合物を用いてもよい。

0020

金属焼結材13は、平面視で半導体チップ14と重複する領域131と、平面視で半導体チップ14の周囲を囲む領域132とを含んでいる。なお、領域131と領域132は一体であるが、便宜上、図1(b)では、領域131と領域132との境界破線で示している。

0021

領域131は銀や銅等の金属が所定密度で配置された領域であり、領域132は銀や銅等の金属が領域131より低密度で配置された領域である。言い換えれば、領域131の空隙率は、領域132の空隙率よりも低い。例えば、領域131の空隙率は1%以上15%未満、領域132の空隙率は15%以上50%以下とすることができる。ここで、空隙率とは、対象となる領域全体体積に対する空隙の体積の割合である。

0022

領域131は、領域132よりも薄い。領域131の厚さT1は、略一定である。領域131の厚さT1は、例えば、20〜100μm程度とすることができる。領域132の厚さT2は、略一定である。領域132の厚さT2は、例えば、30〜110μm程度とすることができる。領域132は半導体チップ14の側面の少なくとも一部を被覆している。領域132は半導体チップ14の側面の全部を被覆してもよい。

0023

領域132において、配線層11の一方の面11aと接する第1面132aと、第1面132aの反対面である第2面132bとは平行である。ここで、平行とは、厳密に平行という意味に限られることはなく、製造誤差等を含めて実質的に平行とみなすことができる場合をも含む。具体的には、平行とは、第1面132aと第2面132bとのなす角度が±5度以内であることを指すものとする。

0024

[第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法]
次に、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図2図4は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。なお、図2及び図3において、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線に沿う断面図である。又、図4は、図1(b)に対応する断面を示している。

0025

まず、図2(a)及び図2(b)に示す工程では、一方の面10aに配線層11、他方の面10bに配線層12が形成された絶縁基板10を準備する。絶縁基板10並びに配線層11及び12の材料や厚さは前述の通りである。

0026

そして、チップ搭載部である配線層11の一方の面11aのチップ搭載予定領域140内、及びチップ搭載予定領域140の周囲に金属焼結材(例えば、銀焼結材や銅焼結材)のペースト130を印刷し、乾燥させる。乾燥条件は、例えば、120℃で15分程度とすることができる。ペースト130は、例えば、スクリーン印刷法により印刷することができる。乾燥後のペースト130の最厚部の厚さT3は、例えば、50〜130μm程度とすることができる。ペースト130の空隙率は、例えば、60〜70%程度とすることができる。

0027

なお、ペースト130は、例えば、配線層11の一方の面11aのチップ搭載予定領域140の周囲に額縁状にはみ出るように印刷する。チップ搭載予定領域140の大きさは、例えば、1mm角〜10mm角程度(半導体チップ14の大きさと同じ)であり、この場合、チップ搭載予定領域140の周囲にはみ出る額縁状の領域の幅W1は、例えば、50〜200μm程度とすることができる。

0028

次に、図3(a)及び図3(b)に示す工程では、平面形状が額縁状の加圧部300を備えた加圧装置により、ペースト130の周縁部を矢印方向に加圧し、ペースト130に中央部130cと周縁部130pを形成する。なお、中央部130cと周縁部130pは一体であるが、便宜上、図3(b)では、中央部130cと周縁部130pとの境界を破線で示している。

0029

周縁部130pは、平面視で、ペースト130のチップ搭載予定領域140の最外周よりも内側から、ペースト130の最外周に至る額縁状の領域である。すなわち、ペースト130の加圧は、平面視で、ペースト130のチップ搭載予定領域140の最外周よりも内側から、ペースト130の最外周に至る額縁状の領域に対して行う。周縁部130pにおいて、チップ搭載予定領域140の最外周よりも内側の額縁状の領域の幅W2は、例えば、0.02〜1mm程度とすることができる。加圧時の圧力は、例えば、1MPa〜10MPa程度とすることができる。加圧時間は、例えば、数秒〜1分程度とすることができる。

0030

このように、ペースト130の加圧を、平面視で、ペースト130のチップ搭載予定領域140の最外周よりも内側から、ペースト130の最外周に至る額縁状の領域に対して行うことで、以下の効果を奏する。すなわち、最終的に焼結されて形成される領域131及び132に、十分に加圧されていない脆い部分が含まれることを防止できる。

0031

周縁部130pの厚さT2は、中央部130cの最厚部の厚さT3よりも薄くなる。周縁部130pの厚さT2は、例えば、30〜110μm程度とすることができる。又、加圧部300に加圧された周縁部130pの空隙率は、加圧部300に加圧されていない中央部130cの空隙率(例えば、60〜70%程度)よりも低くなる。

0032

なお、この工程では、必要に応じて、ペースト130の周縁部を加熱しながら加圧してもよい。加熱しながら加圧することにより、周縁部130pを高密度化することが容易となる。

0033

但し、加熱温度が高すぎると周縁部130pと共に中央部130cの焼結が進んでしまい、図4(a)及び図4(b)に示す工程で配線層11に金属焼結材13により半導体チップ14を接合できなくなる。そのため、この工程で加熱する場合の加熱温度は、図4(a)及び図4(b)に示す半導体チップ14を接合する工程の加熱温度よりも低い温度(焼結が十分に進まない程度の範囲内の温度)とする必要がある。この工程で加熱する場合の加熱温度は、例えば、室温以上120℃以下の温度とすることができる。

0034

次に、図4(a)に示す工程では、チップ搭載予定領域140内に位置するペースト130上に半導体チップ14を搭載し、チップ搭載予定領域140内に位置するペースト130を、加熱雰囲気中で半導体チップ14を介して矢印方向に加圧する。加圧時の温度は、例えば、200℃〜280℃程度とすることができる。加圧時の圧力は、例えば、1MPa〜15MPa程度とすることができる。加圧時間は、例えば、1分〜15分程度とすることができる。

0035

所定時間の加熱及び加圧により、図4(b)に示すように、チップ搭載予定領域140内及びチップ搭載予定領域140の周囲に位置するペースト130が焼結されて金属焼結材13が作製される。これにより、配線層11の一方の面11aに金属焼結材13を介して半導体チップ14が接合され、半導体装置1が完成する。

0036

金属焼結材13は、平面視で半導体チップ14と重複する領域131と、平面視で半導体チップ14の周囲に位置する領域132とを含む。領域131は、ペースト130の中央部130cの全部と周縁部130pの内周側(チップ搭載予定領域140の最外周よりも内側の額縁状の領域)が焼結されて形成される。領域132は、周縁部130pの外周側(チップ搭載予定領域140の周囲の額縁状の領域)が焼結されて形成される。領域132において、配線層11の一方の面11aと接する第1面132aと、第1面132aの反対面である第2面132bとは平行となる。

0037

図4(a)に示す工程では、図3(a)及び図3(b)に示す工程よりも、加圧力が大きく、加圧時間が長い。そのため、領域131は領域132よりも薄くなり、領域131の空隙率は領域132の空隙率よりも低くなる。領域131の厚さT1は、例えば、20〜100μm程度とすることができる。領域132の厚さT2は、例えば、30〜110μm程度とすることができる。領域131の空隙率は、例えば、1%以上15%未満とすることができる。領域132の空隙率は、例えば、15%以上50%以下とすることができる。

0038

このように、半導体装置1では、平面視で半導体チップ14の周囲を囲む金属焼結材13の領域132は焼結前に加圧されるため、加圧されないペースト130に比べて空隙率が低くなる。すなわち、金属焼結材13の領域132では、加圧されないペースト130に比べて接合状態が向上している。そのため、金属焼結材13の領域132が脱落するおそれが低減され、半導体装置1の信頼性を向上することができる。

0039

〈第2の実施の形態〉
第2の実施の形態では、第1の実施の形態と同様の金属焼結材を有する半導体装置の他の例を示す。なお、第2の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

0040

図5は、第2の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図5を参照するに、半導体装置2は、絶縁基板10と、配線層11A、11B、及び11Cと、配線層12と、金属焼結材13A及び13Bと、半導体チップ14A及び14Bと、金属線21と、外部接続端子22及び23と、はんだ24と、ベースプレート25と、樹脂ケース26とを有している。

0041

配線層11A、11B、及び11Cは、絶縁基板10の一方の面10aに形成されている。配線層12は、絶縁基板10の他方の面10bに形成されている。配線層11A、11B、及び12は、例えば、平面形状が正方形のベタ状に形成することができる。配線層11Cは、任意のパターンに形成することができる。配線層11A、11B、11C、及び12の材料としては、例えば、銅(Cu)等を用いることができる。配線層11A、11B、11C、及び12の厚さは、例えば、0.05〜1mm程度とすることができる。

0042

半導体チップ14Aは、チップ搭載部である配線層11A上に金属焼結材13Aを介して接合されている。半導体チップ14Aの下面側に形成された第1電極(図示せず)は、金属焼結材13Aを介して配線層11Aと電気的に接続されている。半導体チップ14Aの上面側に形成された第2電極(図示せず)は、金属線21(例えば、金線銅線アルミニウム線)を介して外部接続端子22や配線層11Cと電気的に接続されている。

0043

半導体チップ14Bは、チップ搭載部である配線層11B上に金属焼結材13Bを介して接合されている。半導体チップ14Bの下面側に形成された電極(図示せず)は、金属焼結材13Bを介して配線層11Bと電気的に接続されている。

0044

半導体チップ14A及び14Bは、例えば、MOSFET、SBD、IGBT等である。これらが混在してもよく、例えば、半導体チップ14AがMOSFET、半導体チップ14BがSBDであってもよい。半導体チップ14A及び14Bの大きさは、例えば、1mm角〜10mm角程度とすることができる。半導体チップ14A及び14Bの厚さは、例えば、100〜400μm程度とすることができる。半導体チップ14A及び14Bの材料としては、例えば、Si、SiC、GaN等を用いることができる。但し、半導体チップ14Aと半導体チップ14Bは、大きさ、厚さ、材料が異なっていてもよい。

0045

配線層12の下面は、はんだ24を介して金属製のベースプレート25の上面と接合されている。ベースプレート25の上面外縁部には、絶縁基板10に実装された半導体チップ14A及び14B等を収容するように、枡状の樹脂ケース26が固定されている。配線層11Cと接続された外部接続端子22、及び配線層11Bと接続された外部接続端子23は、樹脂ケース26から外部に突出しており、半導体チップ14A及び14Bと外部回路との接続を可能としている。

0046

金属焼結材13Aは、金属焼結材13と同様の材料及び構造の接合材であり、領域131Aの空隙率は、領域132Aの空隙率よりも低い。同様に、金属焼結材13Bは、金属焼結材13と同様の材料及び構造の接合材であり、領域131Bの空隙率は、領域132Bの空隙率よりも低い。

0047

半導体装置2の製造工程では、平面視で半導体チップ14Aの周囲を囲む金属焼結材13Aの領域132Aは焼結前に加圧されるため、加圧前に比べて空隙率が低くなる。又、半導体装置2の製造工程では、平面視で半導体チップ14Bの周囲を囲む金属焼結材13Bの領域132Bは焼結前に加圧されるため、加圧前に比べて空隙率が低くなる。

0048

すなわち、半導体装置1と同様に、金属焼結材13Aの領域132A及び金属焼結材13Bの領域132Bでは、加圧されないペースト130に比べて接合状態が向上している。そのため、金属焼結材13Aの領域132A及び金属焼結材13Bの領域132Bが脱落するおそれが低減され、半導体装置2の信頼性を向上することができる。

0049

〈第3の実施の形態〉
第3の実施の形態では、第1の実施の形態と同様の金属焼結材を有する半導体装置の他の例を示す。なお、第3の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

0050

図6は、第3の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図6を参照するに、半導体装置3は、ダイパッド30と、金属焼結材13と、半導体チップ14と、金属線31と、外部接続端子32と、モールド樹脂33とを有している。ダイパッド30及び外部接続端子32は、金属板エッチング加工又はプレス加工して形成されたリードフレームである。

0051

半導体チップ14は、チップ搭載部であるダイパッド30(銅等の金属製)の一方の面30aに、金属焼結材13を介して接合されている。半導体チップ14の下面側に形成された第1電極(図示せず)は、金属焼結材13を介してダイパッド30と電気的に接続されている。半導体チップ14の上面側に形成された第2電極(図示せず)は、金属線31(例えば、金線や銅線やアルミニウム線)を介して外部接続端子32と電気的に接続されている。

0052

ダイパッド30の一方の面30aの一部には、ダイパッド30に実装された半導体チップ14等を封止するように、モールド樹脂33が形成されている。外部接続端子32及びダイパッド30は、モールド樹脂33から外部に突出しており、半導体チップ14と外部回路との接続を可能としている。

0053

半導体装置3の製造工程では、平面視で半導体チップ14の周囲を囲む金属焼結材13の領域132は焼結前に加圧されるため、加圧前に比べて空隙率が低くなる。すなわち、半導体装置1と同様に、金属焼結材13の領域132では、加圧されないペースト130に比べて接合状態が向上している。そのため、金属焼結材13の領域132が脱落するおそれが低減され、半導体装置3の信頼性を向上することができる。

0054

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

0055

1、2、3半導体装置
10絶縁基板
10a、10b、11a、30a 面
11、11A、11B、11C、12配線層
13、13A、13B金属焼結材
14、14A、14B半導体チップ
21、31金属線
22、23、32外部接続端子
25ベースプレート
26樹脂ケース
30ダイパッド
33モールド樹脂
130ペースト
130c 中央部
130p周縁部
131、131A、131B、132、132A、132B 領域
132a 第1面
132b 第2面
140チップ搭載予定領域

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