技術 表示装置

0001

本発明は、表示装置に関する。

0002

それぞれ配向が異なる複数種類の副画素を設けた所謂マルチドメイン方式の表示装置が知られている（例えば特許文献１、特許文献２等）。

0003

特開２０００−２９０７２号公報
国際公開第２０１４／１８５１２２号

0004

マルチドメイン方式を採用した場合、液晶表示パネルで行われる反転駆動の方式によっては、反転駆動の切り替わり前後で輝度差が生じることによるフリッカが視認されることがあった。

0005

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、フリッカをより確実に抑制することができる表示装置を提供することを目的とする。

0006

本発明の一態様による表示装置は、第１色の副画素と、第２色の副画素と、第３色の副画素とを含む第１画素と、前記第１色の副画素と、前記第２色の副画素と、第４色の副画素とを含む第２画素とを備え、前記第１画素と前記第２画素は、行方向及び列方向に交互に配置され、前記第３色の副画素と前記第４色の副画素は、前記列方向に交互に配置され、前記副画素が有する画素電極は、所定方向に延出するブランチ電極を含み、前記列方向に隣り合う２つの前記第１色の副画素の一方が有する前記ブランチ電極の主部の第１延出方向と他方が有する前記ブランチ電極の主部の第２延出方向とは異なり、前記列方向に隣り合う２つの前記第２色の副画素の一方が有する前記ブランチ電極の主部の前記第１延出方向と他方が有する前記ブランチ電極の主部の前記第２延出方向とは異なり、前記第１延出方向及び前記第２延出方向は、前記行方向及び前記列方向と異なり、前記第３色の副画素が有する前記ブランチ電極及び前記第４色の副画素が有する前記ブランチ電極は、屈曲する屈曲部を含む。

0007

図１は、実施形態に係る表示装置の一例を表す説明図である。
図２は、図１の表示装置のシステム例を表すブロック図である。
図３は、副画素を駆動する駆動回路の一例を示す回路図である。
図４は、表示部の一例を示す断面図である。
図５は、走査線と、信号線と、画素電極との配置関係及び形状を示す模式図である。
図６は、副画素をスイッチングするための主要構成を模式的に示す断面図である。
図７は、図５とは異なる走査線と、信号線と、画素電極との関係を示す模式図である。
図８は、図５とは異なる走査線と、信号線と、画素電極との関係を示す模式図である。
図９は、カラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。
図１０は、カラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。
図１１は、カラム反転駆動方式で駆動した場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。
図１２は、実施形態におけるＸ×Ｙ＝２×４（８つ）の画素にそれぞれ割り当てられる色及び画素電極の種類の一例を示す模式図である。
図１３は、図１２に示す８つの画素にカラム反転を適用した場合の極性分布を示す説明図である。
図１４は、比較例によるＸ×Ｙ＝４×２の画素領域にカラム反転を適用した場合の極性分布を示す説明図である。
図１５は、比較例の示す輝度視野角特性図である。
図１６は、変形例１におけるＸ×Ｙ＝２×４（８つ）の画素にそれぞれ割り当てられる色及び画素電極の種類の一例を示す模式図である。
図１７は、図１６に示す８つの画素にカラム反転を適用した場合の極性分布を示す説明図である。
図１８は、変形例２におけるＸ×Ｙ＝２×４（８つ）の画素にそれぞれ割り当てられる色及び画素電極の種類の一例を示す模式図である。

0008

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

0009

図１は、実施形態に係る表示装置１の一例を表す説明図である。図２は、図１の表示装置１のシステム例を表すブロック図である。図１を含め、説明で参照する図は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状と同一とは限らない。

0010

表示装置１は、表示部２と、ドライバＩＣ３と、バックライト６と、を備えている。表示装置１は、透過型、又は半透過型の表示装置であってもよく、バックライト６を備えない、反射型の表示装置であってもよい。図示しないフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ（Flexible PrintedCircuits））は、ドライバＩＣ３への外部信号又はドライバＩＣ３を駆動する駆動電力を伝送する。表示部２は、透光性絶縁基板、例えばガラス基板１１と、ガラス基板１１の表面にあり、画素Ｐｉｘが行列方向に沿ってマトリクス状に多数配置されてなる表示領域２１と、水平ドライバ（水平駆動回路）２３と、第１垂直ドライバ２２Ａと、第２垂直ドライバ２２Ｂとを備えている。第１垂直ドライバ２２Ａと、第２垂直ドライバ２２Ｂは、垂直駆動回路である。第１垂直ドライバ２２Ａと第２垂直ドライバ２２Ｂは、表示領域２１を挟むように配置されているが、第１垂直ドライバ２２Ａまたは第２垂直ドライバ２２Ｂのいずれか一方のみであってもよい。ガラス基板１１は、能動素子（例えば、トランジスタ）を含む多数の画素回路が配置形成される第１基板と、この第１の基板と所定の間隙をもって対向して配置される第２基板とを含む。そして、ガラス基板１１は、第１基板、第２基板の間に液晶が封入されることで形成された液晶層５４（図４参照）を有する。水平ドライバ２３と、第１垂直ドライバ２２Ａと、第２垂直ドライバ２２Ｂは、第１基板に形成されるので、周辺回路ともよばれる。以下、複数の画素Ｐｉｘが並ぶ行方向をＸ方向とし、列方向をＹ方向とする。また、Ｘ−Ｙ平面に直交する方向をＺ方向とする。

0011

表示部２の額縁領域１１ｇｒ、１１ｇｌは、ガラス基板１１上に形成され、液晶素子ＬＣ（図３参照）を含む画素Ｐｉｘが多数配置されてなる表示領域２１の外側にある、非表示領域である。第１垂直ドライバ２２Ａと、第２垂直ドライバ２２Ｂは、額縁領域１１ｇｒ、１１ｇｌに配置されている。

0012

バックライト６は、表示部２の裏面側（画像を表示する面とは反対側の面）に配置されている。バックライト６は、表示部２に向けて光を照射し、表示領域２１の全面に光を入射させる。バックライト６は、例えば光源と、光源から出力された光を導いて、表示部２の裏面に向けて出射させる導光板と、を含む。

0013

表示部２は、ガラス基板１１上に、表示領域２１と、インターフェース（Ｉ／Ｆ）及びタイミングジェネレータの機能を備えるドライバＩＣ３と、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂ及び水平ドライバ２３とを備えている。

0014

表示領域２１は、液晶層５４（図４参照）を含む副画素Ｖｐｉｘが、表示上の１画素を構成するユニットがＸ−Ｙ平面に沿って配置されている。画素Ｐｉｘは、３つの副画素Ｖｐｉｘを含む。表示領域２１には、Ｘ方向に沿って複数の走査線２４が配線されている。また、表示領域２１には、Ｘ方向と交差する方向に複数の信号線２５が配線されている。

0015

表示領域２１は、Ｘ−Ｙ平面視点において、走査線２４と信号線２５がブラックマトリクスと重なる領域に配置されている。また、表示領域２１は、ブラックマトリクスが配置されていない領域が開口部となる。

0016

表示部２には、外部から外部信号である、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号が入力され、ドライバＩＣ３に与えられる。ドライバＩＣ３は、外部電源の電圧振幅のマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を、液晶の駆動に必要な内部電源の電圧振幅にレベル変換（昇圧）し、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を生成する。ドライバＩＣ３は、生成したマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号をそれぞれ第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂ及び水平ドライバ２３に与える。ドライバＩＣ３は、副画素Ｖｐｉｘ毎の画素電極７２（図５参照）に対して各画素Ｐｉｘ共通に与える共通電位を生成して表示領域２１に与える。

0017

第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、シフトレジスタを含み、さらにラッチ回路等を含む。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、ラッチ回路が、垂直クロックパルスに同期してドライバＩＣ３から出力される表示データを１水平期間で順次サンプリングしラッチする。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、ラッチ回路においてラッチされた１水平ライン分のデジタルデータを垂直走査パルスとして順に出力し、走査の対象になる走査線２４に与えることによって副画素Ｖｐｉｘを行単位で順次選択する。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査線２４を挟むように配置されている。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、例えば、走査線２４の表示領域２１の上寄り、垂直走査上方向から、表示領域２１の下寄り、垂直走査下方向へ順にデジタルデータを出力する。また、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査線２４の表示領域２１の下寄り、垂直走査下方向から、表示領域２１の上寄り、垂直走査上方向へ順にデジタルデータを出力することもできる。なお、垂直走査における上方向とは、走査線２４の並び方向に沿う二方向のうちいずれか任意の一方向である。下方向とは、上方向の反対側の方向である。

0018

水平ドライバ２３には、所定ビット数（例えば６ビット）の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の表示データが与えられる。水平ドライバ２３は、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂによる垂直走査によって選択された行の各副画素Ｖｐｉｘに対して、画素Ｐｉｘ毎に、もしくは複数画素Ｐｉｘ毎に、あるいは全画素Ｐｉｘ一斉に、信号線２５を介して表示データを書き込む。実施形態では、赤（Ｒ）が第１色であり、緑（Ｇ）が第２色であり、青（Ｂ）が第３色であり、白（Ｗ）が第４色であるが、これは一例であってこれに限られるものでない。第１色、第２色、第３色、第４色はそれぞれ異なる色に適宜変更可能である。例えば、第４色はイエロー（Ｙ）であってもよい。また、第１色、第２色、第３色はそれぞれ、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）であってもよい。その場合、第４色は、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）以外の色である。

0019

図３は、副画素Ｖｐｉｘを駆動する駆動回路の一例を示す回路図である。表示領域２１には、図３に示す各副画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）Ｔｒに表示データとして画素信号を供給する信号線２５、各薄膜トランジスタＴｒを駆動する走査線２４等の配線が形成されている。このように、信号線２５は、上述したガラス基板１１の表面と平行な平面に延在し、副画素Ｖｐｉｘに画像を表示するための画素信号を供給する。副画素Ｖｐｉｘは、薄膜トランジスタＴｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。薄膜トランジスタＴｒは、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。薄膜トランジスタＴｒのソース及びドレインのうち一方は信号線２５に接続され、ゲートは走査線２４に接続され、ソース及びドレインのうち他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端が薄膜トランジスタＴｒに接続され、他端が共通電極ｃｏｍに接続されている。

0020

副画素Ｖｐｉｘは、走査線２４により、表示領域２１の同じ行に属する他の副画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査方向の走査線２４に交互に垂直走査パルスを印加する。また、副画素Ｖｐｉｘは、信号線２５により、表示領域２１の同じ列に属する他の副画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。信号線２５は、水平ドライバ２３と接続され、水平ドライバ２３より画素信号が供給される。共通電極ｃｏｍは、不図示の駆動電極ドライバと接続され、駆動電極ドライバより電圧が供給される。さらに、副画素Ｖｐｉｘは、共通電極ｃｏｍにより、表示領域２１の同じ列に属する他の副画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。

0021

図１及び図２に示す第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、垂直走査パルスを、図３に示す走査線２４を介して、副画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタＴｒのゲートに印加することにより、表示領域２１に形成されている副画素Ｖｐｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。図１及び図２に示す水平ドライバ２３は、画素信号を、図３に示す信号線２５を介して、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂにより順次選択される１水平ラインを含む各副画素Ｖｐｉｘにそれぞれ供給する。そして、これらの副画素Ｖｐｉｘでは、供給される画素信号に応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバは、その１水平ラインに対応する共通電極ｃｏｍを印加するようになっている。

0022

次に、表示領域２１の構成を詳細に説明する。図４は、表示部２の一例を示す断面図である。表示部２は、図４に示すように、第１基板（上側基板）５０と、この第１基板５０に対してＺ方向に対向して配置された第２基板（下側基板）５２と、第１基板５０と第２基板５２との間に挿設された液晶層５４とを備えている。なお、第１基板５０は、液晶層５４とは反対側の面に、バックライト６が配置されている。第１基板５０及び第２基板５２ならびに第１基板５０及び第２基板５２に含まれる積層される構成は、Ｘ−Ｙ平面に沿う。

0023

液晶層５４は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものである。液晶層５４に含まれる液晶分子が、副画素Ｖｐｉｘ単位で液晶素子ＬＣを構成する。実施形態では、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）又はＩＰＳ等の横電界モードが採用されている。すなわち、液晶分子は、２つの基板（第１基板５０と第２基板５２）の間で、当該２つの基板と平行な面内で回転する。具体的には、液晶分子は、当該２つの基板の積層方向（Ｚ方向）に立ち上がる方向の回転をせず、当該積層方向に直交する平面に沿って配向角度を変化させるように駆動される。

0024

第１基板５０は、ガラスなどの透光性基板７１を用いた画素基板６０と、画素基板６０の液晶層５４側に積層された第１配向膜６２と、画素基板６０の液晶層５４とは反対側に積層された第１偏光板６３と、を有する。画素基板６０については後述する。第１配向膜６２は、液晶層５４内の液晶分子を所定の方向に配向させるものであり、液晶層５４と直接に接している。第１配向膜６２は、例えば、ポリイミドなどの高分子材料からなり、例えば、塗布したポリイミド等に対して配向処理を施すことにより形成されたものである。第１偏光板６３は、バックライト６側から入射してきた光を直線偏光に変換する機能を有している。

0025

第２基板５２は、ガラスなどの透光性基板を用いた対向基板６４と、この対向基板６４の液晶層５４側に形成されたカラーフィルタ６６と、カラーフィルタ６６の液晶層５４側に形成された第２配向膜６７と、対向基板６４の液晶層５４側とは反対側に形成された位相差板６８と、位相差板６８の対向基板６４側とは反対側に形成された第２偏光板６９と、を含む。カラーフィルタ６６は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域を含む。実施形態のカラーフィルタ６６は、着色されておらず全ての色の光を透過させる領域を含む。以下、この着色されていない領域を白（Ｗ）の色領域と記載する。カラーフィルタ６６は、格子状のブラックマトリクスの開口部に例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４色の色領域を形成する。副画素Ｖｐｉｘの色は、カラーフィルタ６６が設けられている場合のカラーフィルタ６６の色に応じて決定される。

0026

カラーフィルタ６６は、液晶層５４とＺ方向に対向する。なお、カラーフィルタ６６は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタ６６は、緑（Ｇ）の色領域の輝度が、赤（Ｒ）の色領域及び青（Ｂ）の色領域の輝度よりも高い。なお、副画素Ｖｐｉｘ毎にカラーフィルタ６６を仕切るブラックマトリクスが形成されていてもよい。このブラックマトリクスは、二次元配置された副画素Ｖｐｉｘと副画素Ｖｐｉｘとの境界に配置されることで、格子形状となる。そして、ブラックマトリクスは、光の吸収率が高い材料で形成される。

0027

第２配向膜６７は、第１配向膜６２と同様に、液晶層５４内の液晶分子を所定の方向に配向させるものであり、液晶層５４と直接に接している。第２配向膜６７は、例えば、ポリイミドなどの高分子材料からなり、例えば、塗布したポリイミド等に対して配向処理を施すことにより形成されたものである。位相差板６８は、第１偏光板６３及び第２偏光板６９に生じる偏光板起因の視野角を補償する機能を有する。第２偏光板６９は、偏光板吸収軸と平行な直線偏光成分を吸収し、直交する偏光成分を透過する機能を有している。第２偏光板６９は、液晶のＯＮ／ＯＦＦ状態に依存して光を透過／遮断する機能を有している。位相差板６８の反対側に位置する第２偏光板６９の一面が、実施形態における表示面である。

0028

このように、実施形態では、各副画素Ｖｐｉｘが有する液晶素子ＬＣにおける液晶分子の配向は、第１配向膜６２及び第２配向膜６７に基づいて決定されている。

0029

次に、図５及び図６を用いて、画素基板６０の主要構成について説明する。図５は、走査線２４と、信号線２５と、画素電極７２との配置関係及び形状を示す模式図である。図６は、副画素Ｖｐｉｘをスイッチングするための主要構成を模式的に示す断面図である。画素基板６０は、透光性基板７１に各種回路が形成されたＴＦＴ基板であり、この画素基板６０上に配設された複数の画素電極７２と、共通電極ｃｏｍと、を含む。図６に示すように、画素電極７２と共通電極ｃｏｍとは、第４絶縁膜７３ｄで絶縁され、Ｚ方向に対向している。画素電極７２及び共通電極ｃｏｍは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。

0030

図３に示す副画素Ｖｐｉｘのスイッチング素子である薄膜トランジスタＴｒをトランジスタＴｒ１とする場合、画素基板６０は、透光性基板７１に、上述した各副画素Ｖｐｉｘのスイッチング素子であるトランジスタＴｒ１が形成された半導体層であるアイランド２５ｃ、各画素電極７２に画素信号を供給する信号線２５、トランジスタＴｒ１を駆動する走査線２４等の配線が積層されている。

0031

図５及び図６に示すように、走査線２４は、アイランド２５ｃの一部と立体交差して、トランジスタＴｒ１のゲートとして作用する。トランジスタＴｒ１は、例えばソース線２５ａ，ドレイン線２５ｂ及びアイランド２５ｃの電気的接続関係によってｎチャネルであるチャネル領域ｃｈがパターニングされている。半導体層は、例えば、低温ポリシリコンで形成されている。信号線２５は、透光性基板７１の表面と平行な平面に延在し、画素Ｐｉｘに画像を表示するための画素信号を供給する。半導体層は、一部が信号線２５のソース線２５ａと接し、他の一部が信号線２５と同一の層に形成されたドレイン線２５ｂと電気的に接続している。実施形態のドレイン線２５ｂは、スルーホールＳＨ１において、画素電極７２と電気的に接続している。実施形態において、走査線２４は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属の配線であり、信号線２５は、アルミニウム等の金属の配線である。実施形態の画素基板６０は、透光性基板７１上に、アイランド２５ｃ、第１絶縁膜７３ａ、走査線２４、第２絶縁膜７３ｂ、信号線２５（ソース線２５ａ及びドレイン線２５ｂを含む）、第３絶縁膜７４ａ、共通電極ｃｏｍ、第４絶縁膜７３ｄ、画素電極７２、第１配向膜６２の順で積層されている。

0032

実施形態の第１絶縁膜７３ａ、第２絶縁膜７３ｂ、第３絶縁膜７３ｃ及び第４絶縁膜７３ｄは、例えばＳｉＮｘ（窒化シリコン）又は酸化シリコン等の無機絶縁材料若しくはポリイミド樹脂等の有機系絶縁材料で形成されている。なお、第１絶縁膜７３ａ、第２絶縁膜７３ｂ、第３絶縁膜７３ｃ及び第４絶縁膜７３ｄの各層を形成する材料はこれに限定されない。また、第１絶縁膜７３ａ、第２絶縁膜７３ｂ、第３絶縁膜７３ｃ及び第４絶縁膜７３ｄは、同じ絶縁材料で構成されたものであってもよいし、一部又は全部がそれぞれ異なる絶縁材料で構成されたものであってもよい。

0033

図５に示すように、画素基板６０は、各副画素Ｖｐｉｘに対応して画素電極７２に開口部７９が形成されている。共通電極ｃｏｍと画素電極７２との間に形成される電界のうち、画素電極７２の開口部７９からもれた電界（フリンジ電界）が液晶分子を駆動させる。このように、実施形態の表示部２は、対向する２つの基板（画素基板６０と、対向基板６４）のうち一方の基板（例えば、画素基板６０）に設けられた電極（画素電極７２）に与えられる電位に基づいて、当該２つの基板の間に設けられた液晶層５４の液晶分子を回転させる液晶パネルである。

0034

画素電極７２は、開口部７９を挟んでＸ方向に並ぶブランチ電極７６を含む。言い換えれば、１つの開口部７９は、Ｘ方向に並ぶ２つのブランチ電極７６に挟まれて形成されている。ブランチ電極７６及び開口部７９の延出方向は、電圧印加時の液晶の回転方向に寄与する。なお、電圧非印加時は、第１配向膜６２、第２配向膜６７の配向方向に基づいて決定されており、例えばＹ方向に沿う。実施形態では、開口部７９を挟んで並ぶ複数のブランチ電極７６がＹ方向の両端の接続部７８で接続されているが、開口部７９はなくてもよい。すなわち、画素電極７２は、１つのブランチ電極７６を有する構成であってもよい。また、複数のブランチ電極７６の端部が接続部７８で接続されていない構成とすることもできる。実施形態の記載では、各副画素Ｖｐｉｘの液晶分子の電圧印加時の配向方向を決定しているブランチ電極７６の長手方向に延在する部分を、「ブランチ電極７６の主部」と記載することがある。実施形態では、ブランチ電極７６の主部は、走査線２４と交差する方向に延在し、信号線２５（後述する第１部分２５１又は第２部分２５２）の延在方向に実質沿って延在する。また、ブランチ電極７６の主部に挟まれて形成されている開口部７９の全部又は大部分を、「開口部７９の主部」と記載することがある。

0035

実施形態の副画素Ｖｐｉｘは、ブランチ電極７６の主部の特徴の相違によって副画素Ｖｐｉｘａ、副画素Ｖｐｉｘｂ、副画素Ｖｐｉｘｃ、副画素Ｖｐｉｘｄの４種類に分類される。副画素Ｖｐｉｘａは、第１ブランチ電極７６ａの主部及び第１開口部７９ａの主部の方向が第１延出方向Ｖ１に沿う。副画素Ｖｐｉｘｂは、第１ブランチ電極７６ｂの主部及び第１開口部７９ｂの主部の方向が第２延出方向Ｖ２に沿う。

0036

副画素Ｖｐｉｘｃ及び副画素Ｖｐｉｘｄは、ブランチ電極７６の主部が屈曲部７７を含む。副画素Ｖｐｉｘｃのブランチ電極７６の主部は、第１延出方向Ｖ１に沿う第１延出電極７６１ｃと、第２延出方向Ｖ２に沿う第２延出電極７６２ｃとを含む。第１延出電極７６１ｃと第２延出電極７６２ｃとは、屈曲部７７ｃを挟んで連続する。第１延出電極７６１ｃ、屈曲部７７ｃ及び第２延出電極７６２ｃによって形成される第３開口部７９ｃは、屈曲部７７ｃに対応する位置で屈曲し、当該屈曲を挟んで第１延出方向Ｖ１に沿う部分と第２延出方向Ｖ２に沿う部分とを含む。副画素Ｖｐｉｘｄのブランチ電極７６の主部は、第２延出方向Ｖ２に沿う第３延出電極７６１ｄと、第１延出方向Ｖ１に沿う第４延出電極７６２ｄとを含む。第３延出電極７６１ｄと第４延出電極７６２ｄとは、屈曲部７７ｄを挟んで連続する。第３延出電極７６１ｄ、屈曲部７７ｄ及び第４延出電極７６２ｄによって形成される第４開口部７９ｄは、屈曲部７７ｄに対応する位置で屈曲し、当該屈曲を挟んで第２延出方向Ｖ２に沿う部分と第１延出方向Ｖ１に沿う部分とを含む。

0037

屈曲部７７ｃと屈曲部７７ｄとは、鋭角の方向が逆である。第１延出電極７６１ｃと第２延出電極７６２ｃが形成する屈曲部７７ｃの鋭角は、Ｘ方向の一方向に向く。第３延出電極７６１ｄと第４延出電極７６２ｄが形成する屈曲部７７ｄの鋭角は、Ｘ方向の他方向に向く。

0038

また、実施形態の信号線２５は、ブランチ電極７６の主部と平行になるよう設けられる。具体的には、信号線２５は、第１延出方向Ｖ１に沿う第１部分２５１と、第２延出方向Ｖ２に沿う第２部分２５２とを含む。第１部分２５１は、第１ブランチ電極７６ａ、第１延出電極７６１ｃ、第４延出電極７６２ｄに沿う。第２部分２５２は、第２ブランチ電極７６ｂ、第２延出電極７６２ｃ、第３延出電極７６１ｄに沿う。

0039

なお、第１延出方向Ｖ１と第２延出方向Ｖ２は、Ｘ方向及びＹ方向のうち少なくとも一方に対して対称の関係となるよう、当該少なくとも一方と形成する鋭角が同一の角度であることが好ましい。第１延出方向Ｖ１と第２延出方向Ｖ２は、対称でなくてもよく、当該少なくとも一方と形成する鋭角が同一角度でなくてもよい。

0040

実施形態では、第１ブランチ電極７６ａ、第２ブランチ電極７６ｂ、第１延出電極７６１ｃ、第２延出電極７６２ｃ、第３延出電極７６１ｄ、第４延出電極７６２ｄ、を区別しない場合、単にブランチ電極７６と記載する。また、第１開口部７９ａ、第２開口部７９ｂ、第３開口部７９ｃ、第４開口部７９ｄを区別しない場合、単に開口部７９と記載する。

0041

実施形態の表示領域２１には、Ｘ方向の一方（図１及び図５の左側）から他方に向かって順に第１列ＣＲ、第２列ＣＧ、第３列ＣＢＷ、第１列ＣＲ、第２列ＣＧ、第３列ＣＢＷ…のように、第１列ＣＲ、第２列ＣＧ、第３列ＣＢＷを１つずつ含む３列の画素列が配置されている。なお、１つの周期内における第１列ＣＲと第２列ＣＧと第３列ＣＢＷのＸ方向に並ぶ順序はこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。

0042

第１列ＣＲ及び第２列ＣＧには、Ｙ方向に沿って副画素Ｖｐｉｘａと副画素Ｖｐｉｘｂが交互に配置されている。第３列ＣＢＷには、Ｙ方向に沿って副画素Ｖｐｉｘｃと副画素Ｖｐｉｘｄが交互に配置されている。

0043

第１列ＣＲの副画素Ｖｐｉｘの色と、第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘの色と、第３列ＣＢＷの副画素Ｖｐｉｘの色とは異なる。副画素Ｖｐｉｘの色の相違は、カラーフィルタ６６が透過する光のスペクトルの相違によって決定される。第１列ＣＲの副画素Ｖｐｉｘと、第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘと、第３列ＣＢＷの副画素Ｖｐｉｘにはそれぞれ異なる色のカラーフィルタ６６が設けられる。各副画素Ｖｐｉｘのカラーフィルタ６６は、ブラックマトリクスで区切られる。

0044

第１列ＣＲの副画素Ｖｐｉｘには、赤（Ｒ）のカラーフィルタ６６が設けられる。第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘには、緑（Ｇ）のカラーフィルタ６６が設けられる。第３列ＣＢＷの副画素Ｖｐｉｘには、青（Ｂ）又は白（Ｗ）のカラーフィルタ６６が設けられる。白（Ｗ）のカラーフィルタは、例えば透明な樹脂が塗布された無色のフィルタか、樹脂が塗布されない無色のフィルタである。なお、白（Ｗ）のカラーフィルタ６６を設けることに代えて、白（Ｗ）の副画素Ｖｐｉｘを設ける目的で、カラーフィルタ６６が設けられていない開口部を設けてもよい。

0045

第１列ＣＲに配置される赤（Ｒ）の副画素Ｖｐｉｘ及び第２列ＣＧに配置される緑の副画素Ｖｐｉｘが有する画素電極７２は、第１画素電極７２ａ又は第２画素電極７２ｂである。また、第３列ＣＢＷに配置される青（Ｂ）及び白（Ｗ）の副画素Ｖｐｉｘが有する画素電極７２は、第３画素電極７２ｃ又は第４画素電極７２ｄである。

0046

１つの画素Ｐｉｘを構成する３つの副画素Ｖｐｉｘは、第１列ＣＲに設けられた１つの副画素Ｖｐｉｘと、第２列ＣＧに設けられた１つの副画素Ｖｐｉｘと、第３列ＣＢＷに設けられた１つの副画素Ｖｐｉｘとを含む。ここで、第３列ＣＢＷに設けられた副画素Ｖｐｉｘのうち、青（Ｂ）の副画素Ｖｐｉｘを含む画素Ｐｉｘを第１画素とする。また、第３列ＣＢＷに設けられた副画素Ｖｐｉｘのうち、白（Ｗ）の副画素Ｖｐｉｘを含む画素Ｐｉｘを第２画素とする。

0047

第１列ＣＲの副画素Ｖｐｉｘａと第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘａとは、Ｘ方向に並ぶ。また、第１列ＣＲの副画素Ｖｐｉｘｂと第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘｂとは、Ｘ方向に並ぶ。このように、第１列ＣＲと第２列ＣＧが含む副画素Ｖｐｉｘは、Ｘ方向に隣り合う２つの副画素Ｖｐｉｘが有するブランチ電極７６の主部及び開口部７９の主部の方向が同一である。１つの画素Ｐｉｘが含む第１列ＣＲの副画素Ｖｐｉｘａと第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘａは、ブランチ電極７６の主部及び開口部７９の主部の方向が同一である。また、１つの画素Ｐｉｘは、このようにブランチ電極７６の主部及び開口部７９の主部の方向が同一である第１列ＣＲの副画素Ｖｐｉｘａと第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘａのうち一方に隣り合う第３列ＣＢＷの副画素Ｖｐｉｘを含む。従って、１つの画素Ｐｉｘが含む副画素Ｖｐｉｘの組み合わせは、２つの副画素Ｖｐｉｘａと１つの副画素Ｖｐｉｘｃ、２つの副画素Ｖｐｉｘａと１つの副画素Ｖｐｉｘｄ、２つの副画素Ｖｐｉｘｂと１つの副画素Ｖｐｉｘｃ又は２つの副画素Ｖｐｉｘｂと１つの副画素Ｖｐｉｘｄのいずれかである。

0048

実施形態の画素Ｐｉｘは、第１列ＣＲの副画素Ｖｐｉｘと、第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘと、第２列ＣＧに隣り合う第３列ＣＢＷの副画素Ｖｐｉｘとを１つずつ含む。ここで、画素Ｐｉｘは、第２列ＣＧに隣り合う第３列ＣＢＷの副画素Ｖｐｉｘに代えて、第１列ＣＲに隣り合う第３列ＣＢＷの副画素Ｖｐｉｘを含んでいてもよい。

0049

図７及び図８は、図５とは異なる走査線２４と、信号線２５と、画素電極７２との関係を示す模式図である。図７及び図８に示すように、画素電極７２と信号線２５は、ポリシリコンの半導体部ＰＬを介して接続されてもよい。半導体部ＰＬと信号線２５との接続部分には、コンタクトホールＣＨ１が形成される。半導体部ＰＬと画素電極７２との接続部分には、コンタクトホールＣＨ２が形成される。また、半導体部ＰＬと画素電極７２とを接続するため、図７及び図８に示すように、Ｘ−Ｙ平面視でコンタクトホールＣＨ２を内側に含むように配置されたアルミ台座ＡＬを設けてもよい。半導体部ＰＬは、走査線２４に対する垂直走査パルスに応じて信号線２５に供給された画素信号に応じた信号を画素電極７２に伝送する。なお、図７に１つの副画素Ｖｐｉｘａと１つの副画素Ｖｐｉｘｂを抜粋して示し、図８に１つの副画素Ｖｐｉｘｃと１つの副画素Ｖｐｉｘｄを抜粋して示しているが、副画素Ｖｐｉｘａと副画素Ｖｐｉｘｂと副画素Ｖｐｉｘｃと副画素Ｖｐｉｘｄの配置及び位置関係は、図５を参照して説明した通りである。

0050

屈曲部７７は、走査線２４と重なるように配置されてもよい。図８に示す例では、屈曲部７７は、Ｘ方向に沿う走査線２４のＹ方向の中心線ＣＬに位置する。一方、図７に示すように、副画素Ｖｐｉｘａ及び副画素Ｖｐｉｘｂの画素電極７２は、Ｘ−Ｙ平面視で走査線２４と重ならない配置である。すなわち、屈曲部７７のＸ方向には、第１列ＣＲ及び第２列ＣＧの副画素Ｖｐｉｘａ及び副画素Ｖｐｉｘｂが配置されない。

0051

次に、副画素Ｖｐｉｘの駆動について説明する。表示装置１は、液晶素子ＬＣに同極性の直流電圧が印加され続けることによって液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等が劣化する可能性がある。表示装置１は、液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等の劣化を防ぐため、駆動信号を基準として画素信号の極性を所定の周期で反転させる駆動方式が採られる。

0052

実施形態の表示装置１のような液晶表示パネルの駆動方式として、カラム反転駆動方式、ライン反転駆動方式、ドット反転駆動方式、フレーム反転駆動方式などの駆動方式が知られている。カラム反転駆動方式は、副画素又は副画素が組み合わされた画素Ｐｉｘの隣り合う１カラム（列）が互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する駆動方式である。これにより、ドット反転駆動方式に比較して、カラム反転駆動方式の駆動方式は信号線２５における充放電が少なく低消費電力になることが知られている。信号処理部２０は、特公平５−４３１１８号公報に記載されている各種回路が適用可能である。

0053

図９及び図１０は、カラム反転駆動方式で駆動した表示領域２１を説明するための模式図である。図１１は、カラム反転駆動方式で駆動した場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。以降の説明では、赤（Ｒ）のカラーフィルタ６６が設けられた副画素Ｖｐｉｘを第１副画素４９Ｒとしている。また、緑（Ｇ）のカラーフィルタ６６が設けられた副画素Ｖｐｉｘを第２副画素４９Ｇとしている。また、青（Ｂ）のカラーフィルタ６６が設けられた副画素Ｖｐｉｘを第３副画素４９Ｂとしている。また、白（Ｗ）の副画素Ｖｐｉｘを第４副画素４９Ｗとしている。また、図９及び図１０では、画素Ｐｉｘにおける第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇと第３副画素４９Ｂ又は第４副画素４９Ｗとの位置関係及び画素電極７２の形状に応じた副画素Ｖｐｉｘの形状を簡略化し、単純な矩形で模式化している。

0054

例えば、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂ（第４副画素４９Ｗ）とに対応する行方向の副画素Ｖｐｉｘ毎に、共通電極ｃｏｍの電位を基準電位とした場合、基準電位に対して高い電位（以下プラス（＋）極性という。）と、基準電位に対して低い電位（以下マイナス（—）極性という。）とで、図９に示す印加状態ＰＣｏｄｄと図１０に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態を交互に繰り返す。実施形態では、基準電位を共通電極ｃｏｍの電位としたが、基準電位は、共通電極ｃｏｍの電位に限定されず、所定の電位であればよい。このように、カラム反転駆動方式は、副画素４９の隣り合う１カラム（列）の画素電極７２が互いに基準の電位に対して電位が異なるように、電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する。そして、隣り合う信号線２５は、互いに異なる電圧（例えば逆極性）が印加され、印加する当該電圧の極性が所定の周期で反転される。

0055

図１１に示すように、図９に示す印加状態ＰＣｏｄｄの期間Ｆｏｄｄと図１０に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態の期間Ｆｅｖｅｎとは、書き込み期間Ｆｇを境に交互に繰り返している。図１１に示すように、画素電極７２の電位の極性反転周期と、信号線２５の電位の極性反転周期とは、期間Ｆｏｄｄ又は期間Ｆｅｖｅｎとほぼ一致する。

0056

以下、副画素Ｖｐｉｘが有する画素電極７２の種類と、カラム反転との関係について図１２及び図１３を参照して説明する。図１２は、実施形態におけるＸ×Ｙ＝２×４（８つ）の画素Ｐｉｘにそれぞれ割り当てられる色及び画素電極７２の種類の一例を示す模式図である。図１３は、図１２に示す８つの画素Ｐｉｘにカラム反転を適用した場合の極性分布を示す説明図である。

0057

図１２に示すように、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘは、それぞれ異なる。２×２の画素Ｐｉｘは、１つの画素Ｐｉｘ１と、画素Ｐｉｘ２と、画素Ｐｉｘ３と、画素Ｐｉｘ４とを含む。画素Ｐｉｘ１及び画素Ｐｉｘ４は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂを含む第１画素である。画素Ｐｉｘ２及び画素Ｐｉｘ３は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第４副画素４９Ｗを含む第２画素である。画素Ｐｉｘ１及び画素Ｐｉｘ２が含む第１副画素４９Ｒの画素電極７２及び第２副画素４９Ｇの画素電極７２は、第１画素電極７２ａである。画素Ｐｉｘ３及び画素Ｐｉｘ４が含む第１副画素４９Ｒの画素電極７２及び第２副画素４９Ｇの画素電極７２は、第２画素電極７２ｂである。画素Ｐｉｘ１が含む第３副画素４９Ｂの画素電極７２と画素Ｐｉｘ２が含む第４副画素４９Ｗの画素電極７２は、第４画素電極７２ｄである。画素Ｐｉｘ３が含む第４副画素４９Ｗの画素電極７２と画素Ｐｉｘ４が含む第３副画素４９Ｂの画素電極７２は、第３画素電極７２ｃである。

0058

画素Ｐｉｘ１のＸ方向に画素Ｐｉｘ２が隣り合う。画素Ｐｉｘ１のＹ方向に画素Ｐｉｘ３が隣り合う。画素Ｐｉｘ３のＸ方向に画素Ｐｉｘ４が隣り合う。画素Ｐｉｘ２のＹ方向に画素Ｐｉｘ４が隣り合う。このように、第１画素と前記第２画素は、Ｘ方向及びＹ方向に交互に配置される。

0059

Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域には、第１副画素４９Ｒ及び第２副画素４９Ｇが４つ設けられ、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが２つ設けられる。ここで、画素電極７２が第１画素電極７２ａである第１副画素４９Ｒの数と、画素電極７２が第２画素電極７２ｂである第１副画素４９Ｒの数とは等しい。また、画素電極７２が第１画素電極７２ａである第２副画素４９Ｇの数と、画素電極７２が第２画素電極７２ｂである第２副画素４９Ｇの数とは等しい。また、画素電極７２が第３画素電極７２ｃである第３副画素４９Ｂの数と、画素電極７２が第４画素電極７２ｄである第３副画素４９Ｂの数とは等しい。また、画素電極７２が第３画素電極７２ｃである第４副画素４９Ｗの数と、画素電極７２が第４画素電極７２ｄである第４副画素４９Ｗの数とは等しい。

0060

図１２及び図１３では、第３副画素４９Ｂの画素電極７２が第４画素電極７２ｄであり、かつ、第４副画素４９Ｗの画素電極７２が第３画素電極７２ｃである第３列ＣＢＷを列Ｃ１としている。列Ｃ１には、画素Ｐｉｘ１の第３副画素４９Ｂ（第４画素電極７２ｄ）と、画素Ｐｉｘ３の第４副画素４９Ｗ（第３画素電極７２ｃ）とがＹ方向に交互に並ぶ。また、第３副画素４９Ｂの画素電極７２が第３画素電極７２ｃであり、かつ、第４副画素４９Ｗの画素電極７２が第４画素電極７２ｄである第３列ＣＢＷを列Ｃ２としている。列Ｃ２には、画素Ｐｉｘ２の第４副画素４９Ｗ（第４画素電極７２ｄ）と、画素Ｐｉｘ４の第３副画素４９Ｂ（第３画素電極７２ｃ）とがＹ方向に交互に並ぶ。

0061

図１２及び図１３では、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域がＹ方向に２つ分連続しているが、実際には、このような画素領域が表示領域２１にマトリクス状に配置されている。

0062

図１３に示すように、カラム反転が適用されることで、Ｘ方向に隣り合う１カラム（列）毎に互いに電位が異なるように電圧が印加される。ここで、１つの画素Ｐｉｘの画素領域は、３カラムを含む。このため、Ｘ方向に隣り合う位置関係にある２つの画素Ｐｉｘは、カラム単位で極性が反転する関係になる。具体的には、画素Ｐｉｘ１の第１列ＣＲの極性と画素Ｐｉｘ２の第１列ＣＲの極性とは異なる。また、画素Ｐｉｘ１の第２列ＣＧの極性と画素Ｐｉｘ２の第２列ＣＧの極性とは異なる。また、画素Ｐｉｘ１の列Ｃ１の極性と画素Ｐｉｘ２の列Ｃ２の極性とは異なる。画素Ｐｉｘ３の極性と画素Ｐｉｘ４の極性との関係も、このような画素Ｐｉｘ１の極性と画素Ｐｉｘ２の極性との関係と同様である。なお、カラム反転では、カラム単位の極性がＹ方向に並ぶ複数の画素Ｐｉｘで共通になる。すなわち、画素Ｐｉｘ１と画素Ｐｉｘ３は、カラム単位の極性が共通になる。また、画素Ｐｉｘ２と画素Ｐｉｘ４は、カラム単位の極性が共通になる。

0063

印加状態ＰＣｏｄｄでは、画素Ｐｉｘ１及び画素Ｐｉｘ３が配置される第１列ＣＲの極性はプラスであり、画素Ｐｉｘ２及び画素Ｐｉｘ４が配置される第１列ＣＲの極性はマイナスである。このように、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内で、第１画素電極７２ａを有するプラス極性の第１副画素４９Ｒ（画素Ｐｉｘ１）と、第１画素電極７２ａを有するマイナス極性の第１副画素４９Ｒ（画素Ｐｉｘ２）と第２画素電極７２ｂを有するプラス極性の第１副画素４９Ｒ（画素Ｐｉｘ３）と、第２画素電極７２ｂを有するマイナス極性の第１副画素４９Ｒ（画素Ｐｉｘ４）は、それぞれ１つずつになる。

0064

極性及び画素電極７２が有するブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向によって決定される液晶分子の配向に偏りが生じると、反転駆動の切り替わり前後で輝度差が生じることによるフリッカが視認されることがある。これに対し、実施形態では、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内で、第１画素電極７２ａを有するプラス極性の第１副画素４９Ｒ（画素Ｐｉｘ１）と、第１画素電極７２ａを有するマイナス極性の第１副画素４９Ｒ（画素Ｐｉｘ２）と第２画素電極７２ｂを有するプラス極性の第１副画素４９Ｒ（画素Ｐｉｘ３）と、第２画素電極７２ｂを有するマイナス極性の第１副画素４９Ｒ（画素Ｐｉｘ４）は、それぞれ１つずつになる。このため、赤（Ｒ）は、特定の極性と、特定のブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向との組み合わせに偏ることがない。従って、極性とブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向との対応関係の観点で、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素領域単位でフリッカを抑制するための仕組みを設けることができる。

0065

また、印加状態ＰＣｏｄｄでは、画素Ｐｉｘ１及び画素Ｐｉｘ３が配置される第２列ＣＧの極性はマイナスであり、画素Ｐｉｘ２及び画素Ｐｉｘ４が配置される第２列ＣＧの極性はプラスである。このように、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内で、第１画素電極７２ａを有するプラス極性の第２副画素４９Ｇ（画素Ｐｉｘ２）と、第１画素電極７２ａを有するマイナス極性の第２副画素４９Ｇ（画素Ｐｉｘ１）と第２画素電極７２ｂを有するプラス極性の第２副画素４９Ｇ（画素Ｐｉｘ４）と、第２画素電極７２ｂを有するマイナス極性の第２副画素４９Ｇ（画素Ｐｉｘ３）は、それぞれ１つずつになる。従って、緑（Ｇ）も、赤（Ｒ）と同様、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素領域単位でフリッカを抑制するための仕組みを設けることができる。

0066

また、印加状態ＰＣｏｄｄでは、画素Ｐｉｘ１及び画素Ｐｉｘ３が配置される列Ｃ１の極性はプラスであり、画素Ｐｉｘ２及び画素Ｐｉｘ４が配置される列Ｃ２の極性はマイナスである。このため、画素Ｐｉｘ１に含まれる第３副画素４９Ｂの極性がプラスになり、画素Ｐｉｘ４に含まれる第３副画素４９Ｂの極性がマイナスになる。ここで、画素Ｐｉｘ１に含まれる第３副画素４９Ｂの第４画素電極７２ｄは、第４延出電極７６２ｄが第１延出方向Ｖ１に沿い、第３延出電極７６１ｄが第２延出方向Ｖ２に沿う（図５参照）。すなわち、画素Ｐｉｘ１に含まれる第３副画素４９Ｂの第４画素電極７２ｄは、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分とを含む。また、画素Ｐｉｘ４に含まれる第３副画素４９Ｂの第３画素電極７２ｃは、第１延出電極７６１ｃが第１延出方向Ｖ１に沿い、第２延出電極７６２ｃが第２延出方向Ｖ２に沿う（図５参照）。すなわち、画素Ｐｉｘ４に含まれる第３副画素４９Ｂの第３画素電極７２ｃは、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分とを含む。このように、青（Ｂ）は、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内で、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分と、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分とを含む。従って、青（Ｂ）も、赤（Ｒ）及び緑（Ｇ）と同様、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素領域単位でフリッカを抑制するための仕組みを設けることができる。

0067

また、印加状態ＰＣｏｄｄでは、画素Ｐｉｘ２に含まれる第４副画素４９Ｗの極性がマイナスになり、画素Ｐｉｘ３に含まれる第４副画素４９Ｗの極性がプラスになる。ここで、画素Ｐｉｘ２に含まれる第４副画素４９Ｗの第４画素電極７２ｄは、第４延出電極７６２ｄが第１延出方向Ｖ１に沿い、第３延出電極７６１ｄが第２延出方向Ｖ２に沿う（図５参照）。すなわち、画素Ｐｉｘ２に含まれる第４副画素４９Ｗの第４画素電極７２ｄは、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分とを含む。また、画素Ｐｉｘ３に含まれる第４副画素４９Ｗの第３画素電極７２ｃは、第１延出電極７６１ｃが第１延出方向Ｖ１に沿い、第２延出電極７６２ｃが第２延出方向Ｖ２に沿う（図５参照）。すなわち、画素Ｐｉｘ３に含まれる第４副画素４９Ｗの第３画素電極７２ｃは、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分とを含む。このように、白（Ｗ）は、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内で、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分と、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分とを含む。従って、白（Ｗ）も、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）と同様、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素領域単位でフリッカを抑制するための仕組みを設けることができる。

0068

なお、印加状態ＰＣｅｖｅｎの極性は、印加状態ＰＣｏｄｄと逆になる。すなわち、単に極性が逆になるだけであるため、印加状態ＰＣｅｖｅｎであっても、印加状態ＰＣｏｄｄと同様、特定の極性と特定のブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向との組み合わせへの偏りが生じない。

0069

なお、図７及び図８を参照して説明したように、図１２に示す屈曲部７７は、走査線２４と重なるように配置される。一方、第１列ＣＲ及び第２列ＣＧの画素電極７２は、Ｘ−Ｙ平面視で走査線２４と重ならない配置である。このように、屈曲部７７のＸ方向には、第１副画素４９Ｒ及び第２副画素４９Ｇが配置されない。また、図１２に示すように、Ｙ方向に隣り合う２つの走査線２４間に第３副画素４９Ｂと第４副画素４９Ｗの境界線ＢＬがある。

0070

図１４は、比較例によるＸ×Ｙ＝４×２の画素領域にカラム反転を適用した場合の極性分布を示す説明図である。比較例では、実施形態の列Ｃ１と列Ｃ２に代えて、列Ｃ３と列Ｃ４が設けられている。列Ｃ３と列Ｃ４は、第１列ＣＲ及び第２列ＣＧと同様、第１画素電極７２ａと第２画素電極７２ｂとがＹ方向に交互に並ぶカラム（列）である。このため、図１４に示すように、印加状態ＰＣｏｄｄの青（Ｂ）において、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分のみが生じ、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分と第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分が生じない。また、白（Ｗ）において、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分のみが生じ、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分が生じない。このように、比較例では、特定の極性と特定のブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向との組み合わせへの偏りが生じる。印加状態ＰＣｅｖｅｎには、印加状態ＰＣｏｄｄと逆の極性になり、やはり特定の極性と特定のブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向との組み合わせへの偏りが生じる。

0071

図１５は、比較例の輝度視野角特性図である。図１５では、図１４における画素行Ｌａの輝度視野角特性と、画素行Ｌｂの輝度視野角特性とを個別に示している。図１４を参照して説明したように、青（Ｂ）及び白（Ｗ）で特定の極性と特定のブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向との組み合わせへの偏りが生じると、図１５に示すような輝度視野角特性に対応する輝度分布の偏りによって、視野角によってはフリッカが視認されることがある。特に低周波で駆動するほどフリッカがより顕著に認識される。

0072

これに対し、実施形態によれば、特定の極性と特定のブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向との組み合わせへの偏りが生じない。このため、比較例でフリッカが認識された周波数においてもフリッカをより確実に抑制することができる。

0073

また、カラム反転によって、液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等の劣化を抑制することができる。すなわち、実施形態によれば、液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等の劣化の抑制とフリッカの抑制とを両立することができる。

0074

また、屈曲部７７を走査線２４と重ねることで、屈曲部７７ｃを挟んで設けられる第１延出電極７６１ｃの延出長と第２延出電極７６２ｃの延出長の関係を均等又は均等に近い関係にしやすくなる。屈曲部７７ｄを挟んで設けられる第３延出電極７６１ｄの延出長と第４延出電極７６２ｄの延出長の関係についても同様である。このため、特定のブランチ電極７６、開口部７９の主部の方向の偏りによるフリッカをより確実に抑制することができる。

0075

また、第１部分２５１と第２部分２５２をブランチ電極７６の主部と平行にすることで、信号線２５と画素電極７２とをより密集させて配置することができる。

0076

また、屈曲部７７ｃを挟んで設けられる第１延出電極７６１ｃの延出方向と第２延出電極７６２ｃの延出方向及び屈曲部７７ｄを挟んで設けられる第４延出電極７６２ｄの延出方向と第３延出電極７６１ｄの延出方向を、第１延出方向Ｖ１と第２延出方向Ｖ２に沿わせることで、第１画素電極７２ａ、第２画素電極７２ｂと第３画素電極７２ｃ、第４画素電極７２ｄとをより密集させて配置することができる。

0077

また、Ｙ方向に隣り合う第１画素と第２画素において、第１画素の第３副画素４９Ｂに設けられた画素電極７２が有する屈曲部７７の鋭角と第２画素の第４副画素４９Ｗに設けられた画素電極７２が有する屈曲部７７の鋭角とが逆向きであることで、第１画素電極７２ａ、第２画素電極７２ｂと第３画素電極７２ｃ、第４画素電極７２ｄとをより密集させて配置することができる。

0078

（変形例）
以下、実施形態の変形例について、図１６から図１８を参照して説明する。

0079

（変形例１）
図１６は、変形例１におけるＸ×Ｙ＝２×４（８つ）の画素Ｐｉｘにそれぞれ割り当てられる色及び画素電極７２の種類の一例を示す模式図である。変形例１の画素Ｐｉｘは、実施形態の画素Ｐｉｘ１、画素Ｐｉｘ２、画素Ｐｉｘ３及び画素Ｐｉｘ４に加えて、さらに画素Ｐｉｘ５、画素Ｐｉｘ６、画素Ｐｉｘ７及び画素Ｐｉｘ８を含む。

0080

画素Ｐｉｘ５及び画素Ｐｉｘ８は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂを含む第１画素である。画素Ｐｉｘ６及び画素Ｐｉｘ７は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第４副画素４９Ｗを含む第２画素である。画素Ｐｉｘ５及び画素Ｐｉｘ６が含む第１副画素４９Ｒの画素電極７２及び第２副画素４９Ｇの画素電極７２は、第１画素電極７２ａである。画素Ｐｉｘ７及び画素Ｐｉｘ８が含む第１副画素４９Ｒの画素電極７２及び第２副画素４９Ｇの画素電極７２は、第２画素電極７２ｂである。画素Ｐｉｘ５が含む第３副画素４９Ｂの画素電極７２と画素Ｐｉｘ６が含む第４副画素４９Ｗの画素電極７２は、第３画素電極７２ｃである。画素Ｐｉｘ７が含む第４副画素４９Ｗの画素電極７２と画素Ｐｉｘ８が含む第３副画素４９Ｂの画素電極７２は、第４画素電極７２ｄである。

0081

Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内で、画素Ｐｉｘ５のＸ方向に画素Ｐｉｘ６が隣り合う。画素Ｐｉｘ５のＹ方向に画素Ｐｉｘ７が隣り合う。画素Ｐｉｘ７のＸ方向に画素Ｐｉｘ８が隣り合う。画素Ｐｉｘ６のＹ方向に画素Ｐｉｘ８が隣り合う。

0082

また、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内に画素Ｐｉｘ１、画素Ｐｉｘ２、画素Ｐｉｘ３及び画素Ｐｉｘ４を含む画素領域と、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内に画素Ｐｉｘ５、画素Ｐｉｘ６、画素Ｐｉｘ７及び画素Ｐｉｘ８を含む画素領域とは、Ｙ方向に交互に配置される。

0083

変形例１では、実施形態の列Ｃ１、列Ｃ２に代えて、列Ｃ５、列Ｃ６が配置される。列Ｃ５には、画素Ｐｉｘ１の第３副画素４９Ｂ（第４画素電極７２ｄ）と、画素Ｐｉｘ３の第４副画素４９Ｗ（第３画素電極７２ｃ）と、画素Ｐｉｘ５の第３副画素４９Ｂ（第３画素電極７２ｃ）と、画素Ｐｉｘ７の第４副画素４９Ｗ（第４画素電極７２ｄ）とがＹ方向に周期的に並ぶ。列Ｃ６は、画素Ｐｉｘ２の第４副画素４９Ｗ（第４画素電極７２ｄ）と、画素Ｐｉｘ４の第３副画素４９Ｂ（第３画素電極７２ｃ）と、画素Ｐｉｘ６の第４副画素４９Ｗ（第３画素電極７２ｃ）と、画素Ｐｉｘ８の第３副画素４９Ｂ（第４画素電極７２ｄ）とがＹ方向に周期的に並ぶ。このように、変形例１では、第３副画素４９Ｂ又は第４副画素４９Ｗの一方を挟んでＹ方向に配置される２つの他方は、屈曲部７７の鋭角の向きが逆である。なお、図１６に示すように、画素Ｐｉｘ５、画素Ｐｉｘ６、画素Ｐｉｘ７及び画素Ｐｉｘ８を含む画素領域内では、信号線２５は、第３画素電極７２ｃ及び第４画素電極７２ｄが有するブランチ電極７６の主部に沿わない。

0084

図１７は、図１６に示す８つの画素Ｐｉｘにカラム反転を適用した場合の極性分布を示す説明図である。印加状態ＰＣｏｄｄでは、画素Ｐｉｘ５及び画素Ｐｉｘ７が配置される列Ｃ５の極性はプラスであり、画素Ｐｉｘ６及び画素Ｐｉｘ８が配置される列Ｃ６の極性はマイナスである。このため、画素Ｐｉｘ５に含まれる第３副画素４９Ｂの極性がプラスになり、画素Ｐｉｘ８に含まれる第３副画素４９Ｂの極性がマイナスになる。ここで、画素Ｐｉｘ５に含まれる第３副画素４９Ｂの第３画素電極７２ｃは、第１延出電極７６１ｃが第１延出方向Ｖ１に沿い、第２延出電極７６２ｃが第２延出方向Ｖ２に沿う（図５参照）。すなわち、画素Ｐｉｘ５に含まれる第３副画素４９Ｂの第３画素電極７２ｃは、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分とを含む。また、画素Ｐｉｘ８に含まれる第３副画素４９Ｂの第４画素電極７２ｄは、第４延出電極７６２ｄが第１延出方向Ｖ１に沿い、第３延出電極７６１ｄが第２延出方向Ｖ２に沿う（図５参照）。すなわち、画素Ｐｉｘ８に含まれる第３副画素４９Ｂの第４画素電極７２ｄは、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分とを含む。このように、青（Ｂ）は、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内で、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分と、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分とを含む。

0085

また、印加状態ＰＣｏｄｄでは、画素Ｐｉｘ６に含まれる第４副画素４９Ｗの極性がマイナスになり、画素Ｐｉｘ７に含まれる第４副画素４９Ｗの極性がプラスになる。ここで、画素Ｐｉｘ６に含まれる第４副画素４９Ｗの第３画素電極７２ｃは、第１延出電極７６１ｃが第１延出方向Ｖ１に沿い、第２延出電極７６２ｃが第２延出方向Ｖ２に沿う（図５参照）。すなわち、画素Ｐｉｘ６に含まれる第４副画素４９Ｗの第３画素電極７２ｃは、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分とを含む。また、画素Ｐｉｘ７に含まれる第４副画素４９Ｗの第４画素電極７２ｄは、第４延出電極７６２ｄが第１延出方向Ｖ１に沿い、第３延出電極７６１ｄが第２延出方向Ｖ２に沿う（図５参照）。すなわち、画素Ｐｉｘ７に含まれる第４副画素４９Ｗの第３画素電極７２ｄは、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分とを含む。このように、白（Ｗ）は、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素Ｐｉｘを含む画素領域内で、第１延出方向Ｖ１に沿うプラス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うプラス極性部分と、第１延出方向Ｖ１に沿うマイナス極性部分と、第２延出方向Ｖ２に沿うマイナス極性部分とを含む。

0086

従って、画素Ｐｉｘ５、画素Ｐｉｘ６、画素Ｐｉｘ７及び画素Ｐｉｘ８を含む画素領域においても、画素Ｐｉｘ１、画素Ｐｉｘ２、画素Ｐｉｘ３及び画素Ｐｉｘ４を含む画素領域と同様、Ｘ×Ｙ＝２×２の画素領域単位でフリッカを抑制するための仕組みを設けることができる。また、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗのそれぞれの屈曲部７７の鋭角の向きを、カラム（列）内で複数種類にすることができる。このため、カラム（列）単位で第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗのパターンの偏りを抑制することができる。

0087

（変形例２）
図１８は、変形例２におけるＸ×Ｙ＝２×４（８つ）の画素Ｐｉｘにそれぞれ割り当てられる色及び画素電極７２の種類の一例を示す模式図である。変形例２では、実施形態に比して第３副画素４９ＢのＸ−Ｙ平面視の大きさをより大きくし、第４副画素４９ＷのＸ−Ｙ平面視の大きさをより小さくしている。変形例２では、１つの第３副画素４９Ｂの大きさは、１つの第１副画素４９Ｒ及び１つの第２副画素４９Ｇの大きさよりも大きい。また、１つの第４副画素４９Ｗの大きさは、１つの第１副画素４９Ｒ及び１つの第２副画素４９Ｇの大きさよりも小さい。

0088

実施形態では、第３副画素４９Ｂであるか第４副画素４９Ｗであるかに関わらず、第３画素電極７２ｃ及び第４画素電極７２ｄのＸ−Ｙ平面視の形状及び大きさは統一されている。これに対し、変形例２では、青（Ｂ）のカラーフィルタ６６とＸ−Ｙ平面視で重なる位置にある第３画素電極７２ｃ及び第４画素電極７２ｄのＹ方向の幅が、白（Ｗ）のカラーフィルタ６６とＸ−Ｙ平面視で重なる（又はカラーフィルタ６６が設けられない）位置にある第３画素電極７２ｃ及び第４画素電極７２ｄのＹ方向の幅に比して大きくなる。第３副画素４９Ｂに設けられるカラーフィルタ６６のＹ方向の幅も、第３画素電極７２ｃ及び第４画素電極７２ｄと同様、白（Ｗ）に比して大きくなる。

0089

変形例２における第３副画素４９Ｂと第４副画素４９Ｗの面積比率をＢ：Ｗとした場合、１：１〜５：１の範囲内で任意に決定可能であるが、１：１〜３：１の範囲内であることが望ましい。

0090

変形例２によれば、第３副画素４９Ｂの大きさをより大きくすることで、青（Ｂ）の輝度をより確保することができる。

0091

なお、信号線２５は第１部分２５１と第２部分２５２を含む構成に限定されない。信号線２５は、Ｙ方向に沿っていてもよい。

0092

また、実施形態及び変形例において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

0093

１表示装置
２４走査線
２５信号線
４９Ｒ 第１副画素
４９Ｇ 第２副画素
４９Ｂ 第３副画素
４９Ｗ 第４副画素
７２画素電極
７６ブランチ電極
７７屈曲部
７９ 開口部
Ｐｉｘ 画素
Ｖ１ 第１延出方向
Ｖ２ 第２延出方向