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技術 相互接続されたソーラセルの製造方法およびそのような相互接続されたソーラセル

出願人 シュティヒティン・エネルギーオンデルツォイク・セントラム・ネーデルランドネーデルランツェ・オルガニザーティ・フォール・トゥーヘパストナトゥールウェテンシャッペレイク・オンダーズーク・テーエヌオー
発明者 ボスマン,ヨハンビーズマンス,アンネフェレンツカレルヴィクターゲバーツ,ヴェロニクステファニーデベルナルディ,ニコラ
出願日 2017年4月26日 (2年10ヶ月経過) 出願番号 2018-556470
公開日 2019年6月6日 (9ヶ月経過) 公開番号 2019-515500
状態 不明
技術分野
  • -
主要キーワード 隔離要素 金属含有インク 導電性グリッド スルーコンタクト ギガワット 相互接続要素 ソーラセル 絶縁インク
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図面 (7)

課題・解決手段

本発明は、相互接続されたソーラセル作製方法に関する。方法は、a)基板上に連続的な層スタックを設けるステップであり、層スタックが、上部電極層と、基板に隣接した下部電極層と、光起電力活性層と、下部電極層に隣接したバリア層とを備え、光起電力層およびバリア層が、上部電極層と下部電極層との間に挟まれる、ステップと、b)バリア層を露出させる第1のトレンチを得るために、第1の波長を有する第1のレーザビームを用いて上部電極層および光起電力層を選択的に除去するステップと、c)基板を露出させる第2のトレンチを得るために、第2の波長を有する第2のレーザビームを用いて、第1のトレンチの内側のバリア層および下部電極層を選択的に除去するステップと、d)第1および第2のトレンチに電気絶縁要素を充填するステップとを有する。第1のレーザビームの第1の波長は、光起電力層のバンドギャップエネルギーに対応する波長よりも長い。

概要

背景

[0002]米国特許出願公開第20080314439号から、薄膜ソーラセルパネルを製造するプロセスが知られている。絶縁基板上に形成された薄膜層スタックから、モノリシック集積された薄膜光起電力セルアレイを形成するプロセスは、薄膜層のスタック内に少なくとも1つのセル隔離スクライブを形成することを含む。第2の電気接触層隔離スクライブは、各セル隔離スクライブに対して、対応するセル隔離スクライブに隣接して形成される。ビアスクライブが、薄膜層のスタック内において、各セル隔離スクライブと、対応する第2の電気接触層隔離スクライブとの間に形成される。絶縁インクが各セル隔離スクライブ内に配置され、導電性インクが各ビアスクライブ内に配置されてビアが形成される。導電性インクはまた、薄膜層のスタックの上部表面に沿って配置され、少なくとも1つの導電性グリッドを形成する。

[0003]従来のモノリシックに相互接続されたCIGSモジュールの主な技術的問題は、CIGS材料の横方向の導電率ゆえの、P1スクライブ内でのシャントの存在である。レーザ技術を使用してバックエンドで相互接続されるCIGSモジュールの問題は、主にレーザスクライビング時の材料の溶融挙動によって引き起こされるP3スクライブ内のシャントの生成である。P1およびP3内でのこれらシャントは、ソーラセルモジュールによって実現され得る効率を制限している。

[0004]代替として、「従来の」P1、P2、P3バックエンド相互接続を使用することができるが、P1、P2およびP3スクライブの作製には、より高価なピコ秒レーザが必要である。

[0005]従って、本発明の目的は、相互接続されたソーラセルの効率を高めるための製造方法を提供すること、および、そのような、より効率的な相互接続されたソーラセルを提供することである。

概要

本発明は、相互接続されたソーラセルの作製方法に関する。方法は、a)基板上に連続的な層スタックを設けるステップであり、層スタックが、上部電極層と、基板に隣接した下部電極層と、光起電力活性層と、下部電極層に隣接したバリア層とを備え、光起電力層およびバリア層が、上部電極層と下部電極層との間に挟まれる、ステップと、b)バリア層を露出させる第1のトレンチを得るために、第1の波長を有する第1のレーザビームを用いて上部電極層および光起電力層を選択的に除去するステップと、c)基板を露出させる第2のトレンチを得るために、第2の波長を有する第2のレーザビームを用いて、第1のトレンチの内側のバリア層および下部電極層を選択的に除去するステップと、d)第1および第2のトレンチに電気絶縁要素を充填するステップとを有する。第1のレーザビームの第1の波長は、光起電力層のバンドギャップエネルギーに対応する波長よりも長い。

目的

本発明の目的は、相互接続されたソーラセルの効率を高めるための製造方法を提供する

効果

実績

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請求項1

相互接続されたソーラセルを作製する方法であって、a)基板(120)上に連続的な層スタック(100)を設けるステップであって、前記層スタックが、上部電極層(130)と、前記基板に隣接した下部電極層(140)と、光起電力活性層(150)と、前記下部電極層に隣接したバリア層(160)とを備え、前記光起電力活性層(150)および前記バリア層(160)が、前記上部電極層と前記下部電極層との間に挟まれている、ステップと、b)前記バリア層を露出させる第1のトレンチ(210)を得るために、第1の波長を有する第1のレーザビーム(270)を用いて、前記上部電極層および前記光起電力活性層を選択的に除去するステップと、c)前記基板を露出させる第2のトレンチ(312)を得るために、第2の波長を有する第2のレーザビーム(272)を用いて、前記第1のトレンチの内側の前記バリア層および前記下部電極層を選択的に除去するステップであって、前記第2のトレンチおよび前記第1のトレンチが、第1のソーラセル(302)および第2のソーラセル(304)を形成するための、連続的な前記層スタックの分離をもたらし、前記第2のトレンチが、前記第2のソーラセルのバリア層(160b)のうち前記第1のトレンチの内側の部分(314)、および前記第2のソーラセルの下部電極層(140b)のうち前記第1のトレンチの内側の部分(315)を残して、前記第1のトレンチの内側に存在する、ステップと、d)前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチに電気絶縁要素(480)を充填するステップとを含み、前記第1の波長が、前記光起電力活性層のバンドギャップエネルギーに対応する波長よりも長い、方法。

請求項2

e)前記第2のソーラセルの前記下部電極層のうち前記第1のトレンチの内側の前記部分(315)を露出させる第3のトレンチ(514)を得るために、第3の波長を有する第3のレーザビーム(574)を用いて、前記電気絶縁要素(480)、および前記第2のソーラセル(304)のバリア層(160b)のうち前記第1のトレンチ(210)の内側の前記部分(314)を選択的に除去するステップと、f)前記第3のトレンチ(514)の少なくとも一部を覆って電気的相互接続要素(690)を堆積させ、前記第1のソーラセル(302)の上部電極層(630a)を前記第2のソーラセルの前記下部電極層のうち前記第1のトレンチの内側の前記部分(315)に接続するステップとを更に含む、請求項1に記載の方法。

請求項3

前記第1の波長が、1μmと3μmとの間の範囲内にある、請求項1または2に記載の方法。

請求項4

前記第1のレーザビームが、0.25nsと100nsとの間の範囲内のパルス周期を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。

請求項5

前記第2の波長が、0.3μmと1.5μmとの間の範囲内にある、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。

請求項6

前記第2のレーザビームが、0.25nsと100nsとの間の範囲内のパルス周期を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。

請求項7

前記第3の波長が、0.3μmと1.5μmとの間の範囲内にある、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。

請求項8

前記第3のレーザビームが、0.25nsと100nsとの間の範囲内のパルス周期を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。

請求項9

前記第2の波長が、前記第3の波長と同一である、請求項2〜8のいずれか一項に記載の方法。

請求項10

前記第2のレーザビーム(272)が、前記第3のレーザビーム(574)と同一である、請求項2〜9のいずれか一項に記載の方法。

請求項11

前記上部電極層(130)が、ZnO2Al層とZnO2層とのスタックを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。

請求項12

CdS層が前記光起電力活性層(150)と前記上部電極層(130)との間に置かれており、前記ZnO2層が前記CdS層に隣接しており、前記ZnO2Al層が前記ZnO2層に隣接している、請求項11に記載の方法。

請求項13

前記光起電力活性層(150)がCIGS層を含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。

請求項14

前記光起電力活性層(150)がペロブスカイトを含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。

請求項15

前記下部電極層(140)がモリブデン層を含む、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。

請求項16

前記バリア層(160)がMoSe2層を含む、請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法。

請求項17

前記MoSe2層が、前記下部電極層と前記光起電力活性層との間に界面層を形成している、請求項16に記載の方法。

請求項18

前記バリア層(160)は、前記第1のレーザビーム(270)が前記下部電極層(140)に到達することを防止するストップ層である、請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法。

請求項19

前記電気絶縁要素(480)が絶縁インクである、請求項1〜18のいずれか一項に記載の方法。

請求項20

前記電気的相互接続要素(690)が、透明導電性酸化物層、またはインクもしくはペーストを含む金属層、または凝固金属である、請求項2〜19のいずれか一項に記載の方法。

請求項21

請求項1〜20のいずれか一項に記載の方法により製造された相互接続されたソーラセルであって、基板(120)上の連続的な層スタック(100)であって、前記層スタックが、上部電極層(130)と、前記基板に隣接した下部電極層(140)と、光起電力活性層(150)と、前記下部電極層に隣接したバリア層(160)とを備え、前記光起電力活性層(150)および前記バリア層(160)が、前記上部電極層と前記下部電極層との間に挟まれている、連続的な層スタック(100)と、前記上部電極層および前記光起電力活性層を完全に貫通して前記バリア層を露出させている、前記層スタック内の第1のトレンチ(210)と、前記下部電極層を通り前記基板を露出させている、前記第1のトレンチの内側の第2のトレンチ(312)であって、前記第2のトレンチおよび前記第1のトレンチが、第1のソーラセル(302)および第2のソーラセル(304)を形成するための、連続的な前記層スタックの分離をもたらすように構成されており、前記第2のソーラセルのバリア層(160b)のうち前記第1のトレンチの内側の部分(314)、および前記第2のソーラセルの下部電極層(140b)のうち前記第1のトレンチの内側の部分(315)を有する、第2のトレンチ(312)と、前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチに充填されている電気絶縁要素(480)とを備える、相互接続されたソーラセル。

請求項22

前記電気絶縁要素(480)、および前記第2のソーラセル(304)のバリア層(160b)のうち前記第1のトレンチ(210)の内側の前記部分(314)を通り、前記第2のソーラセルの下部電極層(140b)のうち前記第1のトレンチの内側の前記部分(315)を露出させている第3のトレンチ(514)と、前記第3のトレンチ(514)の少なくとも一部を覆い、前記第1のソーラセル(302)の上部電極層(630a)を、前記第2のソーラセルの前記下部電極層のうち前記第1のトレンチの内側の前記部分(315)に接続している電気的相互接続要素(690)とを更に備える、請求項21に記載の相互接続されたソーラセル。

技術分野

0001

[0001]本発明は、相互接続されたソーラセルの製造方法に関する。また、本発明は、相互接続されたソーラセルに関する。

背景技術

0002

[0002]米国特許出願公開第20080314439号から、薄膜ソーラセルパネルを製造するプロセスが知られている。絶縁基板上に形成された薄膜層スタックから、モノリシック集積された薄膜光起電力セルアレイを形成するプロセスは、薄膜層のスタック内に少なくとも1つのセル隔離スクライブを形成することを含む。第2の電気接触層隔離スクライブは、各セル隔離スクライブに対して、対応するセル隔離スクライブに隣接して形成される。ビアスクライブが、薄膜層のスタック内において、各セル隔離スクライブと、対応する第2の電気接触層隔離スクライブとの間に形成される。絶縁インクが各セル隔離スクライブ内に配置され、導電性インクが各ビアスクライブ内に配置されてビアが形成される。導電性インクはまた、薄膜層のスタックの上部表面に沿って配置され、少なくとも1つの導電性グリッドを形成する。

0003

[0003]従来のモノリシックに相互接続されたCIGSモジュールの主な技術的問題は、CIGS材料の横方向の導電率ゆえの、P1スクライブ内でのシャントの存在である。レーザ技術を使用してバックエンドで相互接続されるCIGSモジュールの問題は、主にレーザスクライビング時の材料の溶融挙動によって引き起こされるP3スクライブ内のシャントの生成である。P1およびP3内でのこれらシャントは、ソーラセルモジュールによって実現され得る効率を制限している。

0004

[0004]代替として、「従来の」P1、P2、P3バックエンド相互接続を使用することができるが、P1、P2およびP3スクライブの作製には、より高価なピコ秒レーザが必要である。

0005

[0005]従って、本発明の目的は、相互接続されたソーラセルの効率を高めるための製造方法を提供すること、および、そのような、より効率的な相互接続されたソーラセルを提供することである。

0006

[0006]第1の態様によれば、本発明は、請求項1による方法を提供する。

0007

[0007]好適には、本発明を適用することにより、不感帯幅の狭いシャントフリー相互接続を得ることができる。

0008

[0008]一実施形態では、本方法は更に、e)第2のソーラセルの下部電極層のうち第1のトレンチの内側の部分を露出させる第3のトレンチを得るために、第3の波長を有する第3のレーザビームを用いて、電気絶縁材料、および第2のソーラセルのバリア層のうち第1のトレンチの内側の部分を選択的に除去することと、f)第3のトレンチの少なくとも一部を覆って電気的相互接続要素を堆積させ、第1のソーラセルの上部電極層を、第2のソーラセルの下部電極層のうち第1のトレンチの内側の露出部分に接続することと、を含む。

0009

[0009]一実施形態では、第1の波長は、1μmと3μmとの間の範囲内にある。好適には、そのようなレーザを使用するアプローチは、半透明モジュールを作製するために使用可能な(光学)構造をセル内に作り出す可能性を容易にする。また、2μm波長と0.532μm(532nm)波長レーザ組合せを使用して、ラップスルーコンタクト設計のためのシャントフリービアの作製が可能である。532nm波長レーザのスポットサイズは、P3スクライブの境界上でのいかなる532nm光の吸収をも避けるために、2μm波長レーザのスポットサイズよりも小さくなければならない。例えば、第2のレーザビームの20μmの緑色スポットは、P3スクライブ壁に対し約10μmの間隙を有するべきである。これより近い距離は、隣接するCIGS層内に位相変化を発生させ得る。

0010

[0010]更なる実施形態では、第1のレーザビームは、0.25nsと100nsとの間の範囲内のパルス周期を有する。好適には、そのようなナノ秒パルスレーザビームを使用するアプローチは、半透明モジュールを作製するために使用可能な(光学)構造をセル内に作り出す可能性を容易にする。また、2μm波長と0.532μm波長のナノ秒パルスレーザの組合せを使用して、ラップスルーアプローチのためのシャントフリービアの作製が可能である。532nm波長レーザのスポットサイズは、P3スクライブの境界上でのいかなる532nm光の吸収をも避けるために、2μm波長レーザのスポットサイズよりも小さくなければならない。

0011

[0011]別の態様によれば、本発明は、基板上の連続的な層スタックであって、上部電極層と、基板に隣接した下部電極層と、光起電力活性層と、下部電極層に隣接したバリア層とを備え、光起電力活性層およびバリア層が、上部電極層と下部電極層との間に挟まれている、連続的な層スタックと、上部電極層および光起電力層を完全に貫通してバリア層を露出させている、層スタック内の第1のトレンチと、下部電極層を通り基板を露出させている、第1のトレンチの内側の第2のトレンチであって、第2のトレンチおよび第1のトレンチは、第1のソーラセルおよび第2のソーラセルを形成するために、連続的な層スタックの分離をもたらすように構成されており、第2のソーラセルのバリア層のうち第1のトレンチの内側の部分、および第2のソーラセルの下部電極層のうち第1のトレンチの内側の部分を有する、第2のトレンチと、第1のトレンチおよび第2のトレンチに充填されている電気絶縁材料と、を含む、相互接続されたソーラセルを提供する。

0012

[0012]一実施形態では、相互接続されたソーラセルは更に、電気絶縁材料、および第2のソーラセルのバリア層のうち第1のトレンチの内側の部分を通り、第2のソーラセルの下部電極層のうち第1のトレンチの内側の部分を露出させている第3のトレンチと、第3のトレンチの少なくとも一部を覆い、第1のソーラセルの上部電極層を、第2のソーラセルの下部電極層のうち第1のトレンチの内側の部分と接続する、電気的相互接続要素と、を備える。

0013

[0013]更なる実施形態が、添付の特許請求の範囲に開示されている。

0014

[0014]本発明の実施形態が、単なる例として、本質的に概略的であり従って必ずしも縮尺通りに描かれていない添付の図面を参照して、以下に説明される。更に、図面中の同様の参照符号は同様の要素に関する。

図面の簡単な説明

0015

本発明による連続的な層スタックの実施形態を概略的に示す。
本発明による第1のスクライブの実施形態を概略的に示す。
本発明による第2のスクライブの実施形態を概略的に示す。
本発明による隔離要素の実施形態を概略的に示す。
本発明による第3のスクライブの実施形態を概略的に示す。
本発明による相互接続要素の一実施形態を概略的に示す。

実施例

0016

[0021]図1は本発明による連続的な層スタック100の実施形態を概略的に示す。連続的な層スタック100から、相互接続されたソーラセルのアレイが、理想的には、例えば、年間で最大1ギガワットまたはそれ以上の、高速、大面積低コスト生産を可能にする、スケーラブル連続ロールツーロールプロセスによって製造される。

0017

[0022]連続的な層スタック100は基板120上に置かれる。層スタック100は、上部電極層130、基板に隣接する下部電極層140を備える。層スタック100は、光起電力活性層150と、下部電極層140に隣接するバリア層160とを有し、光起電力活性層150およびバリア層160が、上部電極層130と下部電極層140との間に挟まれている。

0018

[0023]基板120は、剛性の(例えば、ガラス)または可撓性の基板であり得る。基板120は、透明または不透明であり得る。上部電極層130は、ZnO2Al層とZnO2層とのスタックを含み得る。光起電力活性層150と上部電極層130との間にCdS硫化カドミウム)の接合層が用いられても良く、ZnO2層はCdS層に隣接し、ZnO2Al層はZnO2層に隣接している。

0019

[0024]基板120は、最初は、薄く柔軟で、場合によっては透明なホイルとしてロール上に供給されても良い。次いで、基板120は、連続的な層スタック100を基板120上に堆積させるための高速製造プロセスを経由させても良い。製造プロセスは大気条件で行うことができ、真空を必要としない。

0020

[0025]光起電力活性層150は、CIGS(銅インジウムガリウム(ジ)セレニド)層を含む。代替として、光起電力活性層150はペロブスカイトを含む。代替として、光起電力活性層150は、CIGS層とペロブスカイトとの組合せを含む。

0021

[0026]下部電極層140はモリブデン層を含む。バリア層160はMoSe2層を含む。MoSe2層は、下部電極層140と光起電力活性層150との間に界面層を形成する。

0022

[0027]図2は、本発明による第1のスクライブP3の実施形態を概略的に示す。第1のトレンチ210が、上部電極層130および光起電力層150を選択的に除去し、従ってバリア層160を露出させることにより得られる。これは、第1のレーザからの第1の波長を有する第1のレーザビーム270を使用することにより行われる。

0023

[0028]本発明によれば、第1の波長は1μmと3μmとの間の範囲内にある。約2μmの波長を使用することができる。第1の波長は、光起電力層150のバンドギャップエネルギー波長よりも大きく設定される。すなわち、光起電力層150のバンドギャップがEb=hc/λであり、ここでhはプランク定数、λはバンドギャップエネルギー波長と見なすことができる対応する波長である場合、第1のレーザビーム270の波長はバンドギャップエネルギー波長λよりも大きくなければならない。第1のレーザビーム270は、0.25nsと100nsとの間の範囲内のパルス周期を有する。

0024

[0029]ナノ秒のパルスレーザビームであり得る第1のレーザビーム270を使用することによって、層スタック100の保持すべき領域を容易に保護することができる。更に、2μmのナノ秒のレーザビームを使用するアプローチは、半透明モジュールを作製するために使用可能な(光学)構造をセル内に作り出す可能性を容易にする。また、2μm波長と0.532μm(532nm)波長のナノ秒パルスレーザの組合せを使用して、ラップスルーアプローチのためのシャントフリービアの作製が可能である。532nm波長レーザのスポットサイズは、P3スクライブの境界上でのいかなる532nm光の吸収をも避けるために、2μm波長レーザのスポットサイズよりも小さくなければならない。例えば、第2のレーザビームの20μmの緑色スポットは、P3スクライブ壁に対し約10μmの間隙を有するべきである。これより近い距離は、隣接するCIGS層内に位相変化を発生させ得る。

0025

[0030]バリア層160は、第1のレーザビーム270が下部電極層140に到達することを防止する停止層である。バリア層160は、レーザスクライブP3後のMoSe2のデブリであり得る。

0026

[0031]図3は、本発明による第2のスクライブP1の実施形態を概略的に示す。第2のトレンチ312は、第1のトレンチ210の内側のバリア層160および下部電極層140を、基板120を露出させるために選択的に除去することによって得られる。これは、第2のレーザからの第2の波長を有する第2のレーザビーム272を使用することにより行われる。従って、第2のトレンチ312と第1のトレンチ210との組合せによって、第1のソーラセル302と第2のソーラセル304とを形成するための連続的な層スタック100の分離がもたらされる。第2のトレンチ312は第1のトレンチ210内に形成され、このP1スクライブは、第2のソーラセルのバリア層160bのうち第1のトレンチの内側の部分314、および第2のソーラセル304の下部電極層140bのうち第1のトレンチ210の内側の部分315を残す。部分314と部分315とは互いに積層され、第2のトレンチ312と境界を接する第1のトレンチ210内にある。

0027

[0032]第2の波長は、0.3μmと1.5μmとの間の範囲内で選択される。0.532μmまたは1.064μm(1064nm)の波長を用いることができる。より短い波長(0.532μm)が、より薄いスクライブを作製するのにより好適である。第2のレーザビーム272は、0.25nsと100nsとの間の範囲内のパルス周期を有することができる。ナノ秒のパルスレーザビームであり得る第2のレーザビーム272を使用することによって、層スタック100の保持すべき領域を容易に保護することができる。

0028

[0033]図4は、本発明による、第1および第2のトレンチ210、312内の隔離要素の実施形態を概略的に示す。第1のトレンチ210および第2のトレンチ312は電気絶縁材料480で充填されて隔離要素を形成する。電気絶縁材料480は絶縁インクであり得る。現在使用されているインクUV硬化性であるが、他のメカニズム、例えば熱メカニズム(例えば、レーザまたは赤外線ビームを使用する)を使用することもできる。

0029

[0034]図5は、本発明による第3のスクライブP2の実施形態を概略的に示す。第3のトレンチ514は、電気絶縁材料480、および第2のソーラセル304のバリア層160bのうち第1のトレンチ210の内側の部分314を選択的に除去することによって得られる。第3のトレンチ514は、第2のソーラセル304の下部電極層140bのうち第1のトレンチ210の内側の部分315を露出させる。これは、第3のレーザからの第3の波長を有する第3のレーザビーム574を使用することにより行われる。

0030

[0035]第3の波長は0.3μmと1.5μmとの間の範囲内にある。1.064μmの波長を用いることができる。第3のレーザビーム574は、0.25nsと100nsとの間の範囲内のパルス周期を有することができる。第2の波長は第3の波長と同一であり得る。その上、第2のレーザビーム272は第3のレーザビーム574と同一である。第2のレーザビーム272を生成する第2のレーザは、第3のレーザビーム574を生成する第3のレーザと同じまたは類似の仕様を有し得る。実際には、第2のレーザは第3のレーザと同一であり得る。

0031

[0036]図6は本発明による相互接続要素の一実施形態を概略的に示す。第3のトレンチ514の少なくとも一部を覆って、電気的相互接続要素690が堆積され、第1のソーラセル302の上部電極層630aを、第2のソーラセル304の下部電極層140bのうち第1のトレンチ210の内側の部分315に接続する。電気的相互接続要素690は、透明導電性酸化物層、または、プリンタによって、もしくは印刷技術を使用して製造された、金属含有インクもしくはペーストもしくは分散系に基づく金属層であり得る。透明導電性酸化物層は不感帯を減少させる。相互接続されたソーラセルは、相互接続されたソーラセル構成と考えることができる。

0032

[0037]好適には、本発明を適用することによって、相互接続要素690に接触する、層スタック100の保持すべき領域を、ナノ秒パルスレーザビームの使用によって容易に保護することができる。更に、2μmのナノ秒パルスレーザを使用した幅広のP3スクライブの作製と、絶縁インクの適用とを組み合わせることにより、P1スクライブおよびP2スクライブのために他のナノ秒パルスレーザの使用が可能となる。これにより、不感帯幅が縮小されたシャントフリー相互接続が可能になる。2μmの波長のレーザを使用することにより、P3スクライブのMo層上にデブリ(MoSe2)が残され、電気絶縁要素480およびバリア層160を介してレーザに対するインカプリング清浄なP2スクライブを作製することが実際に可能になる。

0033

[0038]図面の前述の説明では、本発明をその特定の実施形態を参照して説明してきた。しかし、添付の特許請求の範囲に要約される本発明の範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更がなされ得ることは明らかであろう。

0034

[0039]加えて、特定の状況または材料を本発明の教示に適合させるために、本発明の本質的な範囲から逸脱せずに、多くの修正を行うことができる。従って、本発明は開示された特定の実施形態に限定されず、本発明は添付の特許請求の範囲内に当てはまる全ての実施形態を含むことが意図される。

0035

[0040]特に、本発明の様々な態様の特定の特徴を組み合わせることができる。本発明の一態様は、本発明の別の態様に関連して説明された特徴を追加することによって、更に好適に強化され得る。

0036

[0041]本発明は、添付の特許請求の範囲およびその技術的等価物によってのみ限定されることを理解されたい。本文書およびその請求項において、「含む」という動詞およびその活用形は、その語に続く項目が含まれ、具体的に記載されない項目が除外されないことを意味するために、非限定的な意味で使用される。加えて、不定詞「a」または「an」による要素への言及は、文脈が、要素のうちの1つ、かつ1つのみが存在することを明確に要求しない限り、2つ以上の要素が存在する可能性を排除しない。従って、不定冠詞「a」または「an」は、通常、「少なくとも1つ」を意味する。

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