図面 (/)

技術 中間色反射防止ガラス基板およびそれを製造する方法

出願人 エージーシーグラスユーロップエージーシーグラスコムパニーノースアメリカAGC株式会社ケルテックアンジェニウリ
発明者 ナヴェ,バンジャマンブーランジェ,ピエールブサルド,デニス
出願日 2017年3月13日 (4年11ヶ月経過) 出願番号 2018-552706
公開日 2019年5月30日 (2年8ヶ月経過) 公開番号 2019-513676
状態 特許登録済
技術分野 ガラス組成物(第三版) 車両の窓 ガラスの表面処理
主要キーワード 析出ステップ サンシールド 移動基板 表面単位 光学的測定値 グレイジング 多層反射防止コーティング 供給源ガス
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2019年5月30日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (0)

図面はありません

課題・解決手段

本発明は、イオン注入によって中間色反射防止ガラス基板を製造する方法であって、N2供給源ガスイオン化して、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物を形成すること、20kV〜25kVの範囲の加速電圧Aで加速し、かつ6×1016イオン/cm2〜−5.00×1015×A/kV+2.00×1017イオン/cm2の範囲の値にイオン線量を設定することにより、Nの単電荷および多電荷イオンのビームを形成することを含む方法に関する。本発明は、この方法による単電荷および多電荷イオンの混合物でのイオン注入によって処理された領域を含む中間色反射防止ガラス基板にさらに関する。

概要

背景

ほとんどの反射防止ガラス基板は、ガラス表面上でのコーティング析出によって得られる。光反射率の低減は、ガラス基板屈折率より低いか、または屈折率勾配を有する屈折率を有する単層によって得られる。高性能反射防止ガラス基板は、全可視域上の光反射率の有意な低減を得るために干渉効果を利用する多層スタックによって得られる。基板の両面に適用されたそのような高性能反射防止層スタックは、約8%から4%またはさらに低く典型的なガラス基板の光反射率を低減することが可能である。しかしながら、それらは、高い組成および層厚制御による多層析出ステップを必要とするため、困難かつ費用のかかるプロセスとなる。さらに、単一中間色反射防止層および特に通常、物理的蒸着によって析出される多層スタックは、ガラス自体よりも機械的および/または化学的攻撃に対して感応性である。単層反射防止層は、多くの場合、反射において中間でない色を示し、および中間色多層反射防止コーティングは、さらに多数の層を必要とするため、得られる層スタックがさらにより感応性となる。

仏国特許第1300336号明細書には、別の反射防止ガラス基板が開示されている。その反射防止効果は、ガラス基板の表面中へ100nmまたは200nmの深さまで10原子%の濃度で希ガス重イオン注入することによって得られる。しかしながら、希ガスは比較的高価であり、ガラス基板中において、注入された希ガスイオンのそのような高濃度に到達する必要性は、ガラスネットワークに重大な損傷を生じる危険性を増加させる。さらに、これらのガラス基板は、反射において中間ではない。

したがって、当該技術分野において、中間色反射防止ガラス基板を製造する単純で安価な方法を提供することが必要とされている。

概要

本発明は、イオン注入によって中間色反射防止ガラス基板を製造する方法であって、N2供給源ガスイオン化して、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物を形成すること、20kV〜25kVの範囲の加速電圧Aで加速し、かつ6×1016イオン/cm2〜−5.00×1015×A/kV+2.00×1017イオン/cm2の範囲の値にイオン線量を設定することにより、Nの単電荷および多電荷イオンのビームを形成することを含む方法に関する。本発明は、この方法による単電荷および多電荷イオンの混合物でのイオン注入によって処理された領域を含む中間色反射防止ガラス基板にさらに関する。なし

目的

したがって、当該技術分野において、中間色反射防止ガラス基板を製造する単純で安価な方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

中間色反射防止ガラス基板を製造する方法であって、以下の操作:a)N2供給源ガスを提供すること、b)前記N2供給源ガスをイオン化して、Nの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を形成すること、c)前記Nの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を加速電圧加速して、単電荷イオンおよび多電荷イオンのビームを形成すること、ただし前記加速電圧Aは、20kV〜25kVであり、線量Dは、6×1016イオン/cm2〜−5.00×1015×A/kV+2.00×1017イオン/cm2である、d)ガラス基板を提供すること、e)前記Nの単電荷および多電荷イオンのビームの軌道に前記ガラス基板を配置することを含む方法。

請求項2

前記提供されたガラス基板は、ガラス全重量重量パーセントとして表される以下の組成範囲:SiO235〜85%、Al2O30〜30%、P2O50〜20%、B2O30〜20%、Na2O0〜25%、CaO0〜20%、MgO0〜20%、K2O0〜20%、およびBaO0〜20%を有する、請求項1に記載の中間色反射防止ガラス基板を製造する方法。

請求項3

前記ガラス基板は、ソーダライムガラスシートボロシリケートガラスシートまたはアルミノシリケートガラスシートから選択される、請求項2に記載の中間色反射防止ガラス基板を製造する方法。

請求項4

ガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用であって、前記単電荷および多電荷イオンの混合物は、前記ガラス基板の前記反射率を低減し、かつ同時に前記反射における色を中間に保持するために有効なイオン線量および加速電圧で前記ガラス基板中に注入される、使用。

請求項5

前記単電荷および多電荷イオンの混合物は、前記ガラス基板の前記反射率を最大で6.5%まで低減し、かつ同時に−1≦a*≦1および−1≦b*≦1であるように前記反射における色を中間に保持するために有効なイオン線量および加速電圧で前記ガラス基板中に注入される、請求項4に記載のガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用。

請求項6

前記単電荷および多電荷イオンの混合物は、前記ガラス基板の前記反射率を最大で6.5%まで低減し、かつ同時に−0.3≦a*≦0.3および−0.3≦b*≦0.3であるように前記反射における色を中間に保持するために有効なイオン線量および加速電圧で前記ガラス基板中に注入される、請求項5に記載のガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用。

請求項7

前記加速電圧Aは、20kV〜25kVであり、前記線量Dは、6×1016イオン/cm2〜−5.00×1015×A/kV+2.00×1017イオン/cm2である、請求項4〜6のいずれか一項に記載のガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用。

請求項8

請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法によって製造された中間色反射防止ガラス基板。

請求項9

請求項8に記載の中間色反射防止ガラス基板を含む、モノリシックグレイジングラミネテッドグレイジング、またはガス層が挿入されたマルチプルグレイジング。

請求項10

サンシールド、熱吸収、反紫外線帯電防止、低放出性、加熱、反汚染セキュリティー盗難防止防音防火、反ミスト防水抗菌またはミラー手段をさらに含む、請求項9に記載のグレイジング。

請求項11

前記反射防止ガラス基板は、フロスティング印刷またはスクリーンプロセス印刷されている、請求項9または10に記載のグレイジング。

請求項12

前記基板は、着色されるか、焼戻しされるか、強化されるか、曲げられるか、畳まれるか、または紫外線フィルタリングである、請求項9〜11のいずれか一項に記載のグレイジング。

請求項13

ポリマーアセンブリシートから離れて面するイオン注入処理面を有する本発明の反射防止ガラス基板と、別のガラス基板との間に挿入されたポリマー型アセンブリシートを含むラミネーテッド構造を有する、請求項9〜12のいずれか一項に記載のグレイジング。

請求項14

自動車用ウインドシールドである、請求項13に記載のグレイジング。

技術分野

0001

本発明は、中間色反射防止ガラス基板およびそれを製造する方法に関する。本発明は、特にグレイジングとしての中間色反射防止ガラス基板の使用にも関する。

背景技術

0002

ほとんどの反射防止ガラス基板は、ガラス表面上でのコーティング析出によって得られる。光反射率の低減は、ガラス基板屈折率より低いか、または屈折率勾配を有する屈折率を有する単層によって得られる。高性能反射防止ガラス基板は、全可視域上の光反射率の有意な低減を得るために干渉効果を利用する多層スタックによって得られる。基板の両面に適用されたそのような高性能反射防止層スタックは、約8%から4%またはさらに低く典型的なガラス基板の光反射率を低減することが可能である。しかしながら、それらは、高い組成および層厚制御による多層析出ステップを必要とするため、困難かつ費用のかかるプロセスとなる。さらに、単一中間色反射防止層および特に通常、物理的蒸着によって析出される多層スタックは、ガラス自体よりも機械的および/または化学的攻撃に対して感応性である。単層反射防止層は、多くの場合、反射において中間でない色を示し、および中間色多層反射防止コーティングは、さらに多数の層を必要とするため、得られる層スタックがさらにより感応性となる。

0003

仏国特許第1300336号明細書には、別の反射防止ガラス基板が開示されている。その反射防止効果は、ガラス基板の表面中へ100nmまたは200nmの深さまで10原子%の濃度で希ガス重イオン注入することによって得られる。しかしながら、希ガスは比較的高価であり、ガラス基板中において、注入された希ガスイオンのそのような高濃度に到達する必要性は、ガラスネットワークに重大な損傷を生じる危険性を増加させる。さらに、これらのガラス基板は、反射において中間ではない。

0004

したがって、当該技術分野において、中間色反射防止ガラス基板を製造する単純で安価な方法を提供することが必要とされている。

0005

本発明の一態様によれば、本発明の主題は、中間色反射防止ガラス基板を製造する方法を提供することである。

0006

本発明の別の態様によれば、本発明の主題は、中間色反射防止ガラス基板を提供することである。

0007

本発明は、中間色反射防止ガラス基板を製造する方法であって、以下の操作:
・N2供給源ガスを提供すること、
・N2供給源ガスをイオン化して、Nの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を形成すること、
・Nの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を加速電圧加速して、Nの単電荷イオンおよび多電荷イオンのビームを形成すること、ただし加速電圧Aは、20kV〜25kVであり、線量Dは、6×1016イオン/cm2〜−5.00×1015×A/kV+2.00×1017イオン/cm2である、
・ガラス基板を提供すること、
・Nの単電荷および多電荷イオンのビームの軌道にガラス基板を配置すること
を含む方法に関する。

0008

本発明者らは、驚くべきことに、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物を含み、同一の特定の加速電圧でかつそのような特定の線量において加速され、ガラス基板に適用されるイオンビームを提供する本発明の方法が、低減された反射率をもたらすことを見出した。有利には、結果として生じるガラス基板の反射率は、約8%から最大で6.5%、好ましくは最大で6%、より好ましくは最大で5.5%まで減少する。最も驚くべきことに、注入されたNの濃度が注入深さを通して2原子%未満であり、さらに、反射におけるa*およびb*の色座標によって表される反射における色が中間、すなわち−1≦a*≦1および−1≦b*≦1であるか、または非常に中間、すなわち−0.3≦a*≦0.3および−0.3≦b*≦0.3であるにもかかわらず、この低いレベルの反射率が達成される。

0009

本発明によると、N2供給源ガスがイオン化されて、Nの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を形成する。加速された単電荷イオンおよび多電荷イオンのビームは、種々の量の異なるNイオンを含み得る。好ましくは、加速された単電荷および多電荷イオンのビームは、N+、N2+およびN3+を含む。

0010

それぞれのイオンの電流例を以下の表1に示す(ミリアンペアで測定される)。

0011

0012

本発明によると、重要なイオン注入パラメーターは、イオン加速電圧およびイオン線量である。

0013

表面積またはイオン線量あたり一定量のイオンが得られるように、ガラス基板の配置は、単電荷および多電荷イオンのビームの軌道において選択される。イオン線量または線量は、平方センチメートルあたりのイオン数として表される。本発明の目的に関して、イオン線量は、単電荷イオンおよび多電荷イオンの全線量である。イオンビームは、好ましくは、単電荷および多電荷イオンの連続流を提供する。イオン線量は、イオンビームへの基板の曝露時間を制御することによって制御される。本発明によれば、多電荷イオンは、1正電荷より多くを伴うイオンである。単電荷イオンは、1正電荷を有するイオンである。

0014

本発明の一実施形態において、配置は、ガラス基板の特定の表面積を段階的に処理するように、ガラス基板およびイオン注入ビームを互いに対して移動させることを含む。好ましくは、それらは、0.1mm/秒〜1000mm/秒の範囲の速度で、互いに対して移動される。イオン注入ビームに対するガラスの移動速度は、処理される領域のイオン線量に影響を与えるビームにおける試料滞留時間を制御する適切な様式で選択される。

0015

本発明の方法は、例えば、本発明のイオンビームによって基板表面を連続的に走査することにより、または例えば単回通過もしくは複数回通過で、全幅において、移動基板を処理する複数のイオン供給源の配列を形成することにより、1m2より大きい大型基板を処理するように容易に拡大され得る。

0016

本発明者らは、単電荷および多電荷イオンの混合物を含み、同一の加速電圧で加速されるイオンビームを提供するイオン供給源が、それらが単電荷イオンのものよりも低い多電荷イオンの線量を提供し得るため、特に有用であることを見出した。そのようなビームで提供される、より高い線量およびより低い注入エネルギーを有する単電荷イオンと、より低い線量およびより高い注入エネルギーを有する多電荷イオンとの混合物により、中間色反射防止ガラス基板が得られ得るように思われる。電子ボルト(eV)で表される注入エネルギーは、単電荷イオンまたは多電荷イオンの電荷を加速電圧で掛けることによって計算される。

0017

本発明の好ましい実施形態において、処理される領域下に位置する、処理されるガラス基板の領域の温度は、ガラス基板のガラス転移温度以下である。この温度は、例えば、ビームのイオン電流、ビームにおいて処理された領域の滞留時間、および基板の任意の冷却手段によって影響される。

0018

本発明の一実施形態において、いくつかのイオン注入ビームは、同時にまたは連続してガラス基板を処理するために使用される。

0019

本発明の一実施形態において、ガラス基板の表面単位面積あたりのイオンの全線量は、イオン注入ビームによる単一処理によって得られる。

0020

本発明の別の実施形態において、ガラス基板の表面単位面積あたりのイオンの全線量は、1種以上のイオン注入ビームのいくつかの連続処理によって得られる。

0021

好ましい実施形態において、ガラス基板は、低い反射率効果を最大化するように、本発明による方法によってその両表面上で処理される。

0022

本発明の方法は、好ましくは、10−2mbar〜10−7mbarの範囲の圧力、より好ましくは10−5mbar〜10−6mbarの範囲の圧力において減圧チャンバー中で実行される。

0023

本発明の方法を実行するためのイオン供給源の一例は、Quertech Ingenierie S.A.からのHardion+RCEイオン供給源である。

0024

反射率は、光源D65および2°の観測装置角度を使用して、本発明のイオン注入法で処理された基板の側面上で可視光範囲において測定される。反射における色は、10°の観測装置角度を使用して、光源D65下でのCIELAB色座標a*およびb*によって表され、かつ本発明の方法で処理された基板の側面上で測定される。CIE L*a*b*またはCIELABは、International Commission on Illuminationによって明示された色空間である。

0025

本発明は、ガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用であって、単電荷および多電荷イオンの混合物は、ガラス基板の反射率を低減し、かつ同時に反射における色を中間に保持するために有効なイオン線量および加速電圧でガラス基板中に注入される、使用にも関する。

0026

有利には、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物は、ガラス基板の反射率を最大で6.5%、好ましくは最大で6%、より好ましくは最大で5.5%まで低減するために有効なイオン線量および加速電圧でガラス基板中に注入される。同時に、反射における色は、中間、すなわち−1≦a*≦1および−1≦b*≦1に保持される。

0027

処理前のガラス基板の反射率は、約8%である。

0028

より有利には、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物は、ガラス基板の反射率を最大で6.5%、好ましくは最大で6%、より好ましくは最大で5.5%まで低減するために使用される。同時に、反射における色は、非常に中間、すなわち−0.3≦a*≦0.3および−0.3≦b*≦0.3に保持される。

0029

本発明によれば、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物は、好ましくは、N+、N2+およびN3+を含む。

0030

本発明によれば、ガラス基板の反射率を低減し、かつ同時に反射における色を中間に保持するために有効な加速電圧およびイオン線量は、好ましくは、以下の範囲に含まれる。

0031

0032

本発明は、低減された反射率を有するイオン注入されたガラス基板であって、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物は、本発明の方法に従って注入されている、ガラス基板にも関する。

0033

有利には、本発明のイオン注入されたガラス基板は、最大で6.5%、好ましくは最大で6%、より好ましくは最大で5.5%の反射率を有する。それらは、反射における中間色、すなわち−1≦a*≦1および−1≦b*≦1、好ましくは−0.3≦a*≦0.3および−0.3≦b*≦0.3も有する。

0034

本発明の好ましい実施形態において、本発明のガラス基板中に注入されるイオンは、Nの単電荷または多電荷イオンである。

0035

本発明の別の好ましい実施形態によれば、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物は、N+およびN2+のそれぞれよりも少ない量のN3+を含む。本発明のより好ましい実施形態によれば、Nの単電荷および多電荷イオンの混合物は、40〜70%のN+、20〜40%のN2+および2〜20%のN3+を含む。

0036

有利には、イオンの注入深さは、0.1μm〜1μm、好ましくは0.1μm〜0.5μmの範囲であることができる。

0037

本発明で使用されるガラス基板は、通常、2つの対面する主要表面を有するガラス基板などのシートである。本発明のイオン注入は、これらの表面の片方または両方で実行され得る。本発明のイオン注入は、ガラス基板の表面の一部においてまたは全表面で実行され得る。

0038

別の実施形態において、本発明は、それらがモノリシックであるか、ラミネテッドであるか、またはガス層が挿入されたマルチプルであるかどうかにかかわらず、本発明の反射防止ガラス基板を含むグレイジングにも関する。

0039

これらのグレイジングは、内外建築物グレイジングとして、およびパネルディスプレイウィンドウ、ガラス家具、例えばカウンター冷蔵ディスプレイケースなどの対象のための保護ガラスとして、また自動車用グレイジング、例えばラミネーテッドウインドシールドミラーコンピュータ用の反光沢スクリーンディスプレイおよび装飾用ガラスとしても使用され得る。

0040

本発明による反射防止ガラス基板を含むグレイジングは、興味深い追加的な特性を有し得る。したがって、それは、セキュリティー機能を有するグレイジング、例えばラミネーテッドグレイジングであり得る。それは、盗難防止防音防火または抗菌機能を有するグレイジングでもあり得る。

0041

グレイジングは、本発明による方法によってその片面において処理された基板が、他の面上で析出された層スタックを含むような様式でも選択され得る。層のスタックは、特定の機能、例えばサンシールド性もしくは熱吸収性を有し得るか、または抗紫外線性、帯電防止性(例えば、わずかに伝導性のドープされた金属酸化物層)および低放出性、例えば銀ベース層もしくはドープされた酸化スズ層を有し得る。それは、微細TiO2層などの抗汚染性を有する層、または撥水性を有する疎水性有機層もしくは抗凝縮性を有する親水性層でもあり得る。

0042

層スタックは、ミラー機能を有する銀を含むコーティングであり得、かつ全ての構造が可能である。したがって、ミラー機能を有するモノリシックグレイジングの場合、面1(すなわち観察者が位置する側面)として処理された面および面2(すなわちミラーが壁部に取り付けられる側面)上の銀コーティングを有する本発明の反射防止ガラス基板を配置することが興味深く、したがって、本発明による反射防止スタック反射像の分割を防ぐ。

0043

(ガラス基板の面が最も外側の面から開始して番号付けられる規約に従って)二重グレイジングの場合、面1としての反射防止処理面、ならびに抗紫外線またはサンシールドのための面2上の他の機能層および低放出性層のための3を使用することが可能である。したがって、二重グレイジングにおいて、基板の1つの面の1つとしての反射防止面と、補足的な機能性を提供する少なくとも1つの層または層のスタックとを有することが可能である。二重グレイジングは、特に少なくとも面2、3または4においていくつかの反射防止処理面も有し得る。モノリシックグレイジング1に関して、反射防止面と関連する帯電防止機能層を析出することが可能である。

0044

基板は、表面処理、特に酸エッチングフロスティング)を受け得、イオン注入処理は、エッチング面または反対面上で行われ得る。

0045

基板またはそれが関連するものの1つは、印刷された装飾用ガラス型であり得、またはスクリーンプロセス印刷され得る。

0046

本発明による反射防止ガラス基板を含む特に興味深いグレイジングは、ポリマーアセンブリシートから離れてイオン注入処理面を有する本発明の反射防止ガラス基板と、別のガラス基板との間にポリマー型アセンブリシートを含む、2つのガラス基板によるラミネーテッド構造を有するグレイジングである。ポリマーアセンブリシートは、ポリビニルブチラル(PVB)型、ポリ酢酸ビニルEVA)型またはポリシクロヘキサンCOP)型であり得る。好ましくは、別のガラス基板は、本発明による反射防止ガラス基板である。

0047

特に2つの加熱処理された、すなわち曲げおよび/または焼戻しされた基板を有するこの構造により、自動車用グレイジング、特に非常に有利な性質のウインドシールドを得ることが可能となる。基準によると、自動車は、直入射において少なくとも75%の高い光透過率を有するウインドシールドを有する必要がある。従来のウインドシールドのラミネーテッド構造中の熱処理された反射防止ガラス基板の組み込みにより、グレイジングの光透過率が特に向上し、そのエネルギー透過率は、他の手段によってわずかに低減され得るが、なお光透過率基準の範囲内に残る。したがって、ウインドシールドのサンシールド効果は、例えば、ガラス基板の吸収によって改善され得る。基準的なラミネーテッドウインドシールドの光反射値は、8%から5%未満され得る。

0048

本発明によるガラス基板は、ガラスの全重量重量パーセントとして表される以下の組成範囲
SiO2 35〜85%、
Al2O3 0〜30%、
P2O5 0〜20%、
B2O3 0〜20%、
Na2O 0〜25%、
CaO 0〜20%、
MgO 0〜20%、
K2O 0〜20%、および
BaO 0〜20%
を有する、いずれの厚さのガラスシートでもあり得る。

0049

本発明によるガラス基板は、好ましくは、ソーダライムガラスシート、ボロシリケートガラスシートまたはアルミノシリケートガラスシートから選択されるガラスシートである。特に好ましい実施形態において、ガラスシートは、透明ガラスシートである。

0050

本発明によるガラス基板は、好ましくは、イオン注入を受ける側面上にコーティングを有さない。

0051

本発明によるガラス基板は、ガラス注入処理後にその最終寸法へと切断される大型ガラスシートであり得、または既に最終サイズに切断されたガラスシートであり得る。

0052

有利には、本発明のガラス基板は、フロートガラス基板であり得る。本発明のイオン注入法は、フロートガラス基板の空気側面上および/またはフロートガラス基板のスズ側面上で行われ得る。好ましくは、本発明のイオン注入法は、フロートガラス基板の空気側面上で行われる。

0053

本発明の実施形態において、ガラス基板は、あらかじめ化学強化されたガラス基板であり得る。

0054

光学的特性は、Hunterlab Ultrascan Pro分光光度計を使用して測定された。

0055

特定の実施形態の詳細な説明
以下の表中に詳述された種々のパラメーターに従って、単電荷および多電荷イオンのビームを発生するためにRCEイオン供給源を使用してイオン注入実施例を調製した。使用されたイオン供給源は、Quertech Ingenierie S.A.からのHardion+RCEイオン供給源であった。

0056

全ての試料は、10×10cm2のサイズを有し、かつ20〜30mm/秒の速度でイオンビームを通るようにガラス基板を置き換えることにより、全表面上で処理された。

0057

処理されているガラス基板の領域の温度は、ガラス基板のガラス転移温度以下の温度に保持された。

0058

全ての実施例に関して、注入は、10−6mbarの圧力において減圧チャンバー中で行われた。

0059

Nのイオンを4mmの通常の透明ソーダライムガラスおよびアルミノシリケートガラス基板中に注入した。本発明のイオン注入法によって注入される前、ガラス基板の反射率は約8%であった。重要な注入パラメーターおよび光学的測定値は、以下の表に見ることができる。

0060

0061

本発明の実施例E1〜E6から見ることができるように、加速電圧Aが20kV〜25kVであり、線量が6×1016イオン/cm2〜−5.00×1015×A/kV+2.00×1017イオン/cm2であるイオン注入のために使用される、選択された重要なパラメーターは、一方では、最大で6.5%、最大で6.0%または最大で5.5%の低減された反射率をもたらし、かつ他方では、これらの実施例の反射における色は、中間、すなわち−1≦a*≦1および−1≦b*≦1である。実施例E3、E4およびE5に関して選択された重要な注入パラメーターは、反射において非常に中間の色、すなわち−0.3≦a*≦0.3および−0.3≦b*≦0.3をもたらす。

実施例

0062

さらに、本発明の実施例E1〜E6においてXPS測定を行い、Nの注入イオン原子濃度が注入深さを通して8原子%未満であることが見出された。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ