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技術 極端紫外線リソグラフィマスクブランク製造システムとそのための操作方法

出願人 アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
発明者 ホフマンラルフビースリーカラフォウドマジードエー
出願日 2019年8月1日 (1年5ヶ月経過) 出願番号 2019-141985
公開日 2019年12月26日 (1年0ヶ月経過) 公開番号 2019-219671
状態 未査定
技術分野 CVD 物理蒸着 ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 気相成長(金属層を除く)
主要キーワード 表面変動 マルチカソード 先行開発 屈折器 円錐シール 堆積パターン 最小フィーチャーサイズ シリコンスタック
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (13)

課題

極端紫外線ブランクを製造するための物理蒸着ステムを提供する。

解決手段

処理システムは、真空チャンバ110,112と、真空チャンバの周囲に取り付けられた複数の処理システムと、真空から出ることなく、複数の処理システムの間でウェハ136を移動させるための真空チャンバ内のウェハハンドリングシステム114,116を含む。極端紫外線ブランクを製造するための物理蒸着システム120,122は、モリブデンモリブデン合金、又はそれらの組合せを含むターゲットを含む。

概要

背景

概要

極端紫外線ブランクを製造するための物理蒸着ステムを提供する。処理システムは、真空チャンバ110,112と、真空チャンバの周囲に取り付けられた複数の処理システムと、真空から出ることなく、複数の処理システムの間でウェハ136を移動させるための真空チャンバ内のウェハハンドリングシステム114,116を含む。極端紫外線ブランクを製造するための物理蒸着システム120,122は、モリブデンモリブデン合金、又はそれらの組合せを含むターゲットを含む。

目的

本発明の実施形態は、真空チャンバと、真空チャンバの周囲に取り付けられた複数の処理システムと、真空から出ることなく、複数の処理システムの間でウェハを移動させるための真空チャンバ内のウェハハンドリングシステムを含む処理システムを提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
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請求項1

真空チャンバと、真空チャンバの周囲に取り付けられた複数の処理システムと、真空から出ることなく、複数の処理システムの間でウェハを移動させるための真空チャンバ内のウェハハンドリングシステムを含む処理システム。

関連出願への相互参照

0001

本出願は、2013年3月12日に出願された米国仮特許出願第61/778,402号の利益を主張し、その内容は参照により本明細書内に援用される。

0002

本出願は、2013年12月23日に出願された同時出願の米国特許出願第14/139,307号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。

0003

本出願は、2013年12月23日に出願された同時出願の米国特許出願第14/139,371号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。

0004

本出願は、2013年12月23日に出願された同時出願の米国特許出願第14/139,457号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。

0005

本出願は、2013年12月23日に出願された同時出願の米国特許出願第14/139,507号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。

技術分野

0006

本発明は、概して、極端紫外線リソグラフィブランク及びそのような極端紫外線リソグラフィブランクのための製造及びリソグラフィシステムに関する。

背景

0007

極端紫外線リソグラフィ(EUV、軟X線投影リソグラフィとしても知られている)は、0.13ミクロン及びそれよりも小さい最小フィーチャーサイズ半導体デバイスの製造のための遠紫外線リソグラフィに代わる候補である。

0008

しかしながら、概して5〜40ナノメートル波長範囲内にある極端紫外光は、実質的に全ての材料に強く吸収される。そのため、極端紫外線システムは、光の透過によってではなく、反射によって動作する。一連ミラー、又はレンズ要素、及び反射要素、又は非反射吸収体マスクパターンコーティングされたマスクブランクの使用を介して、パターニングされた化学光は、レジストがコーティングされた半導体ウェハ上へ反射される。

0009

極端紫外線リソグラフィシステムのレンズ要素及びマスクブランクは、多層反射コーティング材料(例えば、モリブデンシリコン)でコーティングされる。極端紫外線の狭帯域(例えば、13ナノメートルの紫外光に対して12〜14ナノメートルのバンドパス)内の実質的に単一の波長で光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ要素又はマスクブランク毎に約65%の反射値が得られている。

0010

問題を引き起こす半導体加工技術欠陥には、様々なクラスがある。不透明欠陥は、典型的には、多層コーティングの最上部又はマスクパターン上の粒子によって引き起こされ、光を反射すべきときに、光を吸収する。透明欠陥は、典型的には、多層コーティングの最上部の上のマスクパターン内のピンホールによって引き起こされ、光が吸収されるべきときに、光が反射される。位相欠陥は、典型的には、多層コーティングの下の傷及び表面変動によって引き起こされ、反射光位相遷移を引き起こす。これら位相遷移は、半導体ウェハの表面上のレジスト内に露光されるパターンを歪ませる、又は変える光波干渉効果をもたらす。サブ0.13ミクロンの最小フィーチャーサイズ用に用いられるに違いないより短波長照射のために、以前は重要ではなかった傷及び表面変動が、今では許容できなくなっている。

0011

粒子欠陥の低減又は除去において進歩がなされてきて、マスク内の不透明欠陥及び透明欠陥の修復において研究がなされてきたが、位相欠陥の問題に対処するためには、今まで何もなされてきていない。遠紫外線リソグラフィに対しては、60度以下の位相遷移を維持するように、表面は処理される。極端紫外線リソグラフィのための同様の処理は、まだ開発されていない。

0012

13ナノメートルの化学線波長に対して、多層コーティングから反射される光の中での180度の位相遷移は、下地表面内の深さがわずか3ナノメートルの傷に対して発生する可能性がある。この深さは、より短い波長ではより浅くなる。同様に、同じ波長で、100ナノメートルの距離上で1ナノメートルよりも急激な表面変動は、同様の位相遷移を引き起こす可能性がある。これら位相遷移は、半導体ウェハの表面に位相欠陥を引き起こし、半導体デバイスに修復不可能な損傷を与える可能性がある。

0013

過去において、遠紫外線リソグラフィ用マスクブランクは、一般的にガラス製であったが、シリコン又は超低熱膨張材料が、極端紫外線リソグラフィ用の代替として提案されてきている。ブランクが、ガラス、シリコン、又は超低熱膨張材料であるかどうかにかかわらず、マスクブランクの表面は、化学機械研磨磁性流体仕上げ、又はイオンビーム研磨などのプロセスによって可能な限り平滑にされる。このようなプロセスに残されている傷は、しばしば「スクラッチディグマークと呼ばれ、それらの深さと幅は、マスクブランクを研磨するために使用される研磨剤中の粒子の大きさに依存する。可視及び遠紫外線リソグラフィでは、これらの傷は、半導体ウェハ上のパターン内に位相欠陥を引き起こすには小さ過ぎる。しかしながら、極端紫外線リソグラフィに対しては、スクラッチディグマークは、位相欠陥として現れるので、重要な問題である。

0014

EUVリソグラフィ用に要求される短い照明波長のため、使用されるパターンマスクは、現在のリソグラフィで使用される透過型マスクの代わりに反射型マスクでなければならない。反射型マスクは、モリブデンとシリコンの交互の薄い層の正確なスタックで構成され、ブラッグ屈折器又はミラーを作る。多層スタック性質及び小さいフィーチャーサイズのため、多層スタックが堆積される基板の表面内の任意の欠陥は拡大され、最終製品に影響を与える。数ナノメートルのスケールの欠陥は、完成したマスク上に印刷可能な欠陥となって表れ、多層スタックの堆積前にマスクブランクの表面から除去する必要がある可能性がある。

0015

光リソグラフィ内で使用される典型的なマスクは、ガラスブランクと、光の透過を遮断するパターニングされたクロム層からなる。EUVリソグラフィでは対照的に、マスクは、反射層と、パターニングされた吸収体層からなる。このアーキテクチャの変化は、大部分の材料でEUV光吸光度が高いことに起因して必要となる。

0016

反射体層は、モリブデンとシリコンの80以上の交互層のスタックである。このスタックの層の厚さと滑らかさの精度は、それぞれ、マスクの高い反射率ならびにラインエッジ粗さを達成するために重要である。

0017

現在の技術は、ガラスの研磨及び洗浄プロセスを利用し、これによって滑らかな基板表面と、反射体層用のイオンビーム堆積を得る。

0018

この処理フローは、厳しい欠陥規格を満たしていない。欠陥の主な原因は、研磨工程ならびにその後の洗浄によって残されたガラス基板内ピット及びバンプである。イオンビーム堆積プロセスは、多層スタック内に埋め込まれた、及び多層スタックの上の粒子を更に残す。

0019

このように、これらの問題に対する答えを見つけ、これらの問題を解決するシステムを開発することは、ますます重要である。消費者の期待を成長させるとともに、増え続ける商業競争圧力を考慮すると、これらの問題に対する答えを見つけることが重要である。また、コストを削減し、効率とパフォーマンスを向上させ、競争圧力を満たすための必要性は、これらの問題に対する答えを見つけるための重要な必要性に更に大きな緊急性を追加する。

0020

これらの問題に対する解決策は、長い間求められてきたが、先行開発は、何の解決策も教示又は示唆してこなかった。したがって、これらの問題に対する解決策は、長い間、当業者には手に入らないものであった。

概要

0021

本発明の実施形態は、真空チャンバと、真空チャンバの周囲に取り付けられた複数の処理システムと、真空から出ることなく、複数の処理システムの間でウェハを移動させるための真空チャンバ内のウェハハンドリングシステムを含む処理システムを提供する。

0022

本発明の実施形態は、モリブデン、モリブデン合金、又はそれらの組合せを含むターゲットを含む、極端紫外線ブランクを製造するための物理蒸着システムを提供する。

0023

本発明の特定の実施形態は、上記のものに加えて、又は上記のものの代わりに、他の工程又は要素を有する。工程又は要素は、添付の図面を参照して以下の詳細な説明を読むことにより当業者に明らかになるであろう。

図面の簡単な説明

0024

本発明の一実施形態に係る統合化された極端紫外線(EUV)マスクの製造システムである。
本発明の一実施形態に係る第1のマルチカソード源である。
本発明の一実施形態に係る第1のマルチカソード源の断面図である。
本発明の一実施形態に係る稼働中の第1のマルチカソード源の断面図である。
本発明の一実施形態に係る、形状が四角形であり、多層スタックを有するマスクブランクである。
本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
本発明の一実施形態に係る、キャリア上の支持部内のマスクブランクである。
超低欠陥のマスクブランクの製造方法である。

詳細な説明

0025

以下の実施形態は、当業者が本発明を行い、使用することを可能にするために、十分に詳細に記載されている。他の実施形態が、本開示に基づいて明らかとなり、本発明の範囲から逸脱することなく、システム、プロセス、又は機械的な変更を行うことができることを理解すべきである。

0026

以下の説明において、多数の特定の詳細が、本発明の完全な理解を提供するために与えられる。しかしながら、本発明は、これらの特定の詳細なしに実施できることは明らかであろう。本発明を不明瞭にすることを避けるために、いくつかの周知の回路システム構成、及びプロセスステップは、詳細には開示されない。

0027

システムの実施形態を示す図面は、半概略であり、縮尺通りではなく、特に、寸法のいくつかは、提案説明を明確にするためのものであり、描画図内で誇張して示されている。同様に、説明を容易にするため、図面内の図は、概して、同様の方向を示すが、図面内のこの描写は、ほとんどの部分に対して任意である。一般的に、本発明は、任意の向きで動作させることができる。

0028

いくつかの構成を共通して有する複数の実施形態が開示され、記載されている場合は、それらの図説記述、及び理解を明瞭かつ容易にするために、類似の構成は、同様の参照番号で記述される。

0029

解説の目的のために、本明細書で使用する用語「水平」は、マスクブランクの平面又は表面に対して平行な平面として定義され、その向きには関係ない。用語「垂直」は、まさに定義されたような水平に対して垂直な方向を指す。用語(例えば、「上方」、「下方」、「底部」、「最上部」、(「側壁」内のような)「側」、「より高い」、「より低い」、「上部」、「上に」、及び「下に」)は、図面内に図示されるように、水平面に対して定義される。用語「上」は、要素間の直接的な接触があることを示す。

0030

本明細書で使用する用語「処理」は、材料又はフォトレジストの堆積、記載された構造を形成するのに必要とされる材料又はフォトレジストのパターニング、露光、現像エッチング、洗浄、及び/又は除去を含む。

0031

本発明の実施形態は、ピットを充填し、欠陥を埋めるために、CVD、PVD、ALD、及び流動性CVDによって、シリコン、酸化ケイ素、及び互換性のある熱膨張係数の関連する膜を堆積するための様々な確立された技術を使用する。いったん堆積されると、膜表面は、更なる多層スタックの堆積用に十分平滑かつ平坦とすることができ、又はその後、CMP、アニーリング、又はイオンビーム研磨を含む多様な確立された平滑化又は研磨技術を更に用いて、平滑化することができる。

0032

ここで、図1を参照すると、本発明の一実施形態に係る、統合化された極端紫外線(EUV)マスク製造システム100がここに図示される。統合化EUVマスク製造システム100は、キャリア上でウェハ又はブランクを処理する処理システムであり、内部でマスクブランク104がロードされるマスクブランクローディングキャリアハンドリングシステム102を含む。

0033

エアロック106は、ウェハハンドリング真空チャンバ108へのアクセスを提供する。図示の実施形態では、ウェハハンドリング真空チャンバ108は、2つの真空チャンバ(第1真空チャンバ110と第2真空チャンバ112)を含む。第1ウェハハンドリングシステム114は、第1真空チャンバ110内にあり、第2ウェハハンドリングシステム116は、第2真空チャンバ112内にある。

0034

ウェハハンドリング真空チャンバ108は、様々な他のシステムの取り付け用に、その周囲に複数のポートを有する。第1真空チャンバ110は、脱ガスシステム118、第1物理蒸着システム120、第2物理蒸着システム122、及び前洗浄システム124を有する。

0035

第2真空チャンバ112は、それに接続された第1マルチカソード源126、流動性化学蒸着(FCVD)システム128、補修キュア)システム130、及び第2マルチカソード源132を有する。FCVDシステム128は、基板、ブランク、又はウェハ136上に平坦化層を堆積させることができ、補修チャンバは、平坦化層を補修することができる。第2のマルチカソード源132は、反射材料の多層スタックを堆積させることができ、他のシステムは、キャッピング層を堆積させることができる。平坦化層、多層スタック、及びキャッピング層の全ては、ウェハ136の一部となる。

0036

第1ウェハハンドリングシステム114は、エアロック106及び第1真空チャンバ110の周囲の1以上の様々なシステム間で、連続真空内スリットバルブを介して、ウェハ(例えば、ウェハ134)を移動させることができる。第2ウェハハンドリングシステム116は、連続的な真空内にウェハを維持しながら、第2真空チャンバ112の周囲に、ウェハ(例えば、ウェハ136)を移動させることができる。第1ウェハハンドリングシステム114及び第2ウェハハンドリングシステム116は、第1真空チャンバ110及び第2真空チャンバ114の周縁部の周りのシステムのうちの1つ又は全てを通して選択的にウェハ136を移動させることができ、これによってウェハ136がエアロック106を介して除去されるまで真空から出ることなく、様々なプロセスが実行されることを可能にする。

0037

ここで図2を参照すると、本発明の一実施形態に係る第1のマルチカソード源126がここに図示される。第1のマルチカソード源126は、上部アダプタ204によってキャップされた円筒状の本体部202を有するベース構造200を含む。

0038

上部アダプタ204は、多くのカソード源(例えば、カソード源206、208、210、212、214)のための、上部アダプタ204の周囲に位置する設備を有する。

0039

ここで図3を参照すると、本発明の一実施形態に係る第1のマルチカソード源126の断面がここに図示される。第1のマルチカソード源126は、ベース構造200、円筒状の本体部202、及び上部アダプタ204を有する。

0040

ベース構造200内には、ウェハ(例えば、ウェハ136)を上に固定することができる回転台300がある。回転台300の上方には、カバーリング302の上方に中間リング304を備えたカバーリング302がある。円錐シールド306が、中間リング304の上方にあり、円錐アダプタ308によって囲まれる。

0041

ウェハ136上に物理的蒸着法(PVD)によって材料を堆積させるための堆積領域310は、シュラウド314が固定された回転シールド312によって囲まれる。シュラウド314の上方には、多数のターゲットのうちの1つ(例えば、ターゲット316)、堆積材料供給源、及びカソード318がある。

0042

代替の一実施形態では、多数の個々のシュラウド314は、個々のソース(源)にそれぞれ取り付けられ、回転シールド312が回転するとき、静止したままでいる。

0043

ここで図4を参照すると、本発明の一実施形態に係る稼働中の第1のマルチカソード源126の断面がここに図示される。第1のマルチカソード源126の断面は、ターゲット316からウェハ402上の材料の堆積のための位置に移動された図示の回転台300と共にオフアングルの円錐状堆積パターン400を示す。

0044

稼働時には、ウェハ136を有する回転台300は、図3のシュラウド314内の開口の図にある位置に上昇する。第1のマルチカソード源126の設計に応じて、上部アダプタ204に取り付けられた複数のシュラウド314が存在可能であるので、各々のソースは、それ自身のシュラウドを有するか、又は回転シールド312と共に回転する1つのシュラウド又はシュラウド無しで単一の大型回転シールドを有する。

0045

その後、回転シールド312は、適切なカソード318及びターゲット316が、回転台300上のウェハ136上にある角度で材料を堆積させるために配置されるまで、様々なカソードの間で回転させられる。

0046

台300を回転させることにより、ウェハ136は、その表面上にターゲット材料の均一な堆積を受けることになる。

0047

ここで図5を参照すると、本発明の一実施形態に係る、形状が四角形であり、多層スタック502を有するマスクブランク500がここに図示される。

0048

ここで図6を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア600上の支持された位置内のマスクブランク500がここに図示される。マスクブランク500は、上向きの多層スタック502を有し、支持ピン602上のキャリア600上に支持され、保持ピン604によって横方向に適所に保持される。楔形サポート606もまた、マスクブランク500の下端で使用することができる。

0049

ここで図7を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア700上の支持された位置内のマスクブランク500がここに図示される。マスクブランク500は、上向きの多層スタック502を有し、支持ピン702上のキャリア700上に支持され、保持ピン704によって横方向に適所に保持される。楔形サポート706もまた、マスクブランク500の下端で使用することができる。

0050

ここで図8を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア800上の支持された位置内のマスクブランク500がここに図示される。マスクブランク500は、上向きの多層スタック502を有し、支持ピン802上のキャリア800上に支持され、保持ピン804によって横方向に適所に保持される。キャリア800は、支持ピン802の厚さ及びマスクブランク500の厚さよりも僅かに厚い。エッジ外カバーマスク806は、マスクブランク500のエッジを覆い、これによって多層スタック502のエッジ領域内における材料の堆積を防止する。楔形サポート808もまた、マスクブランク500の下端で使用することができる。

0051

ここで図9を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア900上の支持された位置内のマスクブランク500がここに図示される。マスクブランク500は、下向きの多層スタック502を有し、支持ピン902上のキャリア900上に支持され、保持ピン904によって横方向に適所に保持される。キャリア900の底部側は、下からの堆積を可能にするための開口部906を有する。

0052

ここで図10を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア1000上の支持された位置内のマスクブランク500がここに図示される。マスクブランク500は、下向きの多層スタック502を有し、支持ピン1002上のキャリア1000上に支持され、保持ピン1004によって横方向に適所に保持される。キャリア1000の底部側は、下からの堆積を可能にするための開口部1006を有する。

0053

ここで図11を参照すると、本発明の一実施形態に係る、キャリア1100上の支持された位置内のマスクブランク500がここに図示される。マスクブランク500は、下向きの多層スタック502を有し、支持ピン1102上のキャリア1100上に支持され、保持ピン1104によって横方向に適所に保持される。キャリアの底部側は、下からの堆積を可能にするための開口部1106を有する。

0054

ここで図12を参照すると、超低欠陥を有する図5EUVマスクブランク500を製造するための方法1200がここに図示される。方法1200は、図1のEUVマスク製造システム100内の真空にマスクブランクを供給させることから始まる。

0055

マスクブランクは、ステップ1202で脱気され、予備洗浄される。平坦化が、ステップ1204で起こる。平坦化層は、ステップ1206で、CVD法により堆積され、補修される。多層堆積がステップ1208でPVDによって行われ、キャッピング層がステップ1210で塗布される。脱ガス、前洗浄、平坦化、多層堆積、及びキャップ層アプリケーションは、真空からマスクブランクを除去することなく、EUVマスク製造システム100内ですべて実行される。

0056

図1の統合化EUVマスク製造システム100は、任意のタイプのリソグラフィブランク(例えば、マスクブランク及びミラーブランク)ならびにリソグラフィによる半導体製造プロセス用のマスクを製造するために使用することができる。

0057

本発明の実施形態は、EUVマスクブランクに必要な層構造を堆積させるための統合化されたツールの概念を提供する。これらは、ガラスブランク上の欠陥(数〜数十nmサイズ範囲内のピット、傷、及び粒子)を平坦化するための層の平滑化、ブラッグ反射器用のモリブデンとシリコンの多層スタックならびに(モリブデン/シリコンスタック酸化から保護するのに使用される)ルテニウムキャッピング層の堆積を含む。

0058

これらの工程を1つのプロセスツール統合することにより、ハンドリングの工程数を制限することによって、より良好なインタフェース制御ならびにより良好な欠陥性能を達成することが可能であることが見出された。

0059

マスクブランクのハンドリングが、複数の処理工程を通して最小となるように、基板がキャリア上に配置される。これは、基板上のハンドリングに関連した粒子の可能性を低減させる。

0060

クラスタツールの使用はまた、乾式洗浄プロセスの統合が基板の清浄度を向上させ、こうして真空を破ることなしに層スタック密着性を向上させることを可能にする。

0061

統合化極端紫外線(EUV)マスク製造システム内へ基板をロードした後、マスクブランクは、まず流動性CVDプロセス内(例えば、AMATエテル膜内)の平坦化層でコーティングされ、これによって基板表面上のピット及び傷を埋め、ならびに任意の残っている小さな粒子を平坦化する。

0062

次に、基板を多層堆積用の堆積チャンバに移動させる。チャンバは、複数のターゲットを統合化し、これによって基板を搬送する必要なく、スタック全体を1つのチャンバ内で堆積させることができる。

0063

得られたシステムは、分かりやすく、費用対効果が高く、複雑でなく、汎用性が高く、既知の技術を適応させることによって、驚くべきことに、自明なことではなく、実現することができるので、EUVマスクブランクを効率的かつ経済的に製造するのに直ちに適している。

0064

本発明の実施形態は、EUVマスクブランク用の原子レベルで平坦で、低欠陥で、平滑な表面を提供する。しかしながら、本発明の実施形態は、他の種類の(例えば、ミラー用の)ブランクを製造するためにも使用することができる。ガラス基板上に、本発明の実施形態は、EUVミラーを形成するために使用することができる。更に、本発明の実施形態は、UV、DUV、電子ビーム可視光赤外線、イオンビーム、X線、及び半導体リソグラフィの他のタイプで使用される、原子レベルで平坦で、低欠陥で、平滑な、他の表面構造に適用することができる。本発明の実施形態はまた、ウェハスケールからデバイスレベルまで、更には大面積ディスプレイ及び太陽電池用途までを範囲とすることができる様々なサイズの構造内で使用することができる。

0065

本発明のもう一つの重要な側面は、コストを削減し、システムを簡素化し、パフォーマンスを向上させるという歴史的傾向を有益に支持し、提供することである。

0066

本発明のこれらの及び他の有益な側面は、その結果、技術の状態を少なくとも次のレベルに更に進める。

0067

本発明は、特定の最良の態様に関連して説明されてきたが、多くの代替、修正、及び変形が前述の説明に照らして当業者には明らかとなるであろうことが理解されるべきである。したがって、付属の特許請求の範囲内に入るそのような代替、修正、及び変形のすべてを包含することが意図される。本明細書に記載又は添付の図面に図示されるすべての事項は、例示的かつ非限定的な意味で解釈されるべきである。

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