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技術 露光装置、露光方法、および物品製造方法

出願人 キヤノン株式会社
発明者 西村光英遠藤正俊本島順一
出願日 2018年2月28日 (2年0ヶ月経過) 出願番号 2018-035418
公開日 2019年9月12日 (6ヶ月経過) 公開番号 2019-152685
状態 未査定
技術分野 ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等
主要キーワード 補間補正 面位置データ 補正不可 追い込み サーボ駆動 多項式近似 関数近似 補正式
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (11)

課題

フォーカス精度の向上に有利な露光装置を提供すること。

解決手段

基板露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記基板上のショット領域に対する前記ステージのフォーカス駆動のために得られた計測値補正値とに基づいて、前記ステージのフォーカス駆動を制御する制御部とを有し、前記制御部は、露光時の画角に応じて前記補正値を決定する。

概要

背景

半導体デバイスなどの製造工程(リソグラフィ工程)で用いられる装置の1つとして、マスクパターン基板転写する露光装置がある。このような露光装置では、基板上のショット領域にマスクのパターンを高精度に重ね合わせるために投影光学系の結像面フォーカス面)に基板の表面を精度よく配置することが求められる。

特許文献1には、基板を走査しながら露光を行う走査露光装置において、制御系製造誤差計測器計測誤差、制御系の制御誤差等により生じる基板の表面の位置ずれ補正する方法が提案されている。特許文献2には、ステップアンドリピート方式の露光装置において、投影光学系の光軸と垂直な方向(XY方向)への基板ステージの駆動によって生じる光軸と平行な方向(Z方向)における基板の表面の位置ずれを補正する方法が提案されている。特許文献3には、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置において、露光領域到達前に精度良くフォーカス計測を実施する方法が提案されている。

概要

フォーカス精度の向上に有利な露光装置を提供すること。基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記基板上のショット領域に対する前記ステージのフォーカス駆動のために得られた計測値補正値とに基づいて、前記ステージのフォーカス駆動を制御する制御部とを有し、前記制御部は、露光時の画角に応じて前記補正値を決定する。

目的

本発明は、例えば、フォーカス精度の向上に有利な露光装置を提供する

効果

実績

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請求項1

基板露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記基板上のショット領域に対する前記ステージのフォーカス駆動のために得られた計測値補正値とに基づいて、前記ステージのフォーカス駆動を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、露光時の画角に応じて前記補正値を決定することを特徴とする露光装置。

請求項2

前記制御部は、複数の画角のそれぞれに応じた複数の補正式に基づいて前記露光時の画角に対する補正式を決定し、該決定された補正式を用いて前記補正値を決定することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。

請求項3

前記補正式は、前記基板における前記ショット領域の位置に応じた補正値を表す式であることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。

請求項4

前記複数の補正式は、前記複数の画角の他、前記ステージのステップ方向のそれぞれに応じた複数の補正式であることを特徴とする請求項2または3に記載の露光装置。

請求項5

前記制御部は、前記複数の補正式のうち前記露光時の画角の前後2つの画角に対する補正式のパラメータを補間することにより前記露光時の画角に対する補正式を決定することを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。

請求項6

前記制御部は、前記露光時の画角が前記複数の画角のうちの最小画角より小さい場合は、該最小画角に対する補正式を前記露光時の画角に対する補正式として決定し、前記露光時の画角が前記複数の画角のうちの最大画角より大きい場合は、該最大画角に対する補正式を前記露光時の画角に対する補正式として決定することを特徴とする請求項5に記載の露光装置。

請求項7

基板を保持して移動するステージを用いて、前記基板を露光する露光方法であって、前記基板上のショット領域に対する前記ステージのフォーカス駆動のための計測値を得るフォーカス計測を行う工程と、前記フォーカス計測により得られた前記計測値に対する補正値をオフセットとして前記ステージの指令値に反映させた後、前記フォーカス駆動を行う工程と、前記フォーカス駆動の終了後、前記ショット領域を露光する工程と、を有し、前記補正値は、露光時の画角に応じて決定されることを特徴とする露光方法。

請求項8

予め、複数の画角のそれぞれに応じた複数の補正式に基づいて前記露光時の画角に対する補正式を決定し、該決定された補正式を用いて前記補正値を決定する工程を更に有することを特徴とする請求項7に記載の露光方法。

請求項9

前記補正式は、前記基板における前記ショット領域の位置に応じた補正値を表す式であることを特徴とする請求項8に記載の露光方法。

請求項10

前記補正値を決定する工程は、前記複数の画角のそれぞれについて、ショット領域毎に、(a)前記ステージのフォーカス駆動のための計測値を得るフォーカス計測を行い、(b)該得られた計測値に応じて前記フォーカス駆動を行い、(c)該フォーカス駆動の終了後に前記フォーカス計測を行い、該フォーカス計測により得られた計測値の目標値に対する残差を算出する、ことを繰り返し行う実測工程と、前記実測工程により前記複数の画角のそれぞれについて得られたショット領域毎の前記残差に基づいて、前記複数の補正式を算出する算出工程と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の露光方法。

請求項11

請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で前記露光された基板を現像する工程と、を含み、前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

技術分野

0001

本発明は、露光装置露光方法、および物品製造方法に関する。

背景技術

0002

半導体デバイスなどの製造工程(リソグラフィ工程)で用いられる装置の1つとして、マスクパターン基板転写する露光装置がある。このような露光装置では、基板上のショット領域にマスクのパターンを高精度に重ね合わせるために投影光学系の結像面フォーカス面)に基板の表面を精度よく配置することが求められる。

0003

特許文献1には、基板を走査しながら露光を行う走査露光装置において、制御系製造誤差計測器計測誤差、制御系の制御誤差等により生じる基板の表面の位置ずれ補正する方法が提案されている。特許文献2には、ステップアンドリピート方式の露光装置において、投影光学系の光軸と垂直な方向(XY方向)への基板ステージの駆動によって生じる光軸と平行な方向(Z方向)における基板の表面の位置ずれを補正する方法が提案されている。特許文献3には、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置において、露光領域到達前に精度良くフォーカス計測を実施する方法が提案されている。

先行技術

0004

特開2015−130407号公報
特開2004−111995号公報
特開2000−208391号公報

発明が解決しようとする課題

0005

露光装置においては一般に、基板面をフォーカス面に配置させるフォーカシングは、高精度化のためにフィードバック制御により行われる。その一方で、フォーカシングを高速化することは、スループットを向上させる上で重要な要請である。スループット向上のためには、基板ステージの移動の加速度を上げる、基板ステージの整定トレランス緩和してフォーカス計測を前倒しして行う、などが考えられる。しかしその場合には、基板ステージの目標位置に対する偏差が残存した状態でフォーカス計測を行うことになるため、計測誤差が増大しうる。そのため、より効果的な補正を行うことが求められている。

0006

本発明は、例えば、フォーカス精度の向上に有利な露光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0007

本発明の一側面によれば、基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記基板上のショット領域に対する前記ステージのフォーカス駆動のために得られた計測値補正値とに基づいて、前記ステージのフォーカス駆動を制御する制御部とを有し、前記制御部は、露光時の画角に応じて前記補正値を決定することを特徴とする露光装置が提供される。

発明の効果

0008

本発明によれば、例えば、フォーカス精度の向上に有利な露光装置を提供することができる。

図面の簡単な説明

0009

実施形態における露光装置の構成を示す図。
被露光領域に配置された計測点の例を示す図。
実施形態におけるフォーカス補正式を算出する処理のフローチャート
露光画角を決定する処理のフローチャート。
異なる画角によるショットレイアウトの例を示す図。
補正式算出処理を示すフローチャート。
露光処理を示すフローチャート。
露光処理における補正式の算出処理を示すフローチャート。
画角毎の補正式の結果の表示例を示す図。
実施形態の効果を説明する図。

実施例

0010

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。

0011

図1は、本実施形態に係る、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置の構成を示す図である。投影光学系1は、不図示のレチクル回路パターン縮小して投影し、その焦点面に回路パターン像を形成する。また、投影光学系1の光軸AXは、図中のZ軸方向と平行な関係にある。基板2には、その表面に感光材が塗布されおり、先の露光工程で互いに同じパターンが形成された、複数の露光対象領域(ショット領域)が配列されている。基板2を保持する基板ステージ3は、Z軸と直交するX軸方向に動くXステージと、Z軸およびX軸と直交するY軸方向に動くYステージと、Z軸方向に動き、かつ、X,Y,Z軸それぞれの方向に平行な軸の周りに回転するZステージとを含みうる。したがって、基板ステージ3を駆動することにより、基板2の表面の位置を投影光学系1の光軸AX方向および光軸AXに直交する平面に沿った方向に調整でき、さらに焦点面すなわち回路パターン像に対する傾きも調整できる。

0012

4〜11は基板2の表面位置および傾きを検出するために設けた検出光学系の各要素である。4は発光ダイオード半導体レーザ等の高輝度照明用光源、5は照明用レンズである。照明用光源4から射出した光は、照明用レンズ5によって平行な光束となり、マスク6を経て複数個の光束となり、結像レンズ7を経て折曲げミラー8に入射し、折曲げミラー8で方向を変えられ、そして基板2の表面に入射する。すなわち結像レンズ7と折曲げミラー8は、基板2上にマスク6の複数個のピンホール像を形成している。これら複数個のピンホールを通過した光束は、図2に示すように、基板2の被露光領域100の中央部(光軸AXに対応する位置)を含む5箇所の計測点71,72,73,74,75を照射し、各々の箇所で反射される。図2の例では、光軸Axと交わる被露光領域100の中央部に計測点71があり、他の計測点72,73,74,75は、計測点71を中心に等間隔に離れた位置にある。被露光領域100内の5箇所の計測点71,72,73,74,75で反射した光束は、折曲げミラー9により方向を変えられた後、検出レンズ10を介して、素子が2次元的に配置された位置検出素子11上に入射する。このように、結像レンズ7、折曲げミラー8、基板2、折曲げミラー9、および検出レンズ10によって、マスク6のピンホールの像が位置検出素子11上に形成される。したがって、マスク6と基板2と位置検出素子11は、互いに光学的に共役な位置にある。

0013

図1では、位置検出素子11は模式的に示されているが、光学配置上困難な場合には、位置検出素子11は、各ピンホールに対応して複数個配置されてもよい。例えば、位置検出素子11は、2次元的なCCD等からなり、複数個のピンホールを介した複数の光束の位置検出素子11の受光面への入射位置を各々独立に検知することが可能となっている。基板2の投影光学系1に対する光軸AX方向の位置変化は、位置検出素子11上における複数の光束の入射位置のずれとして検出されうる。基板2の被露光領域100内の5つの計測点71〜75における基板2の表面の光軸AX方向の位置の情報は、位置検出素子11からの出力信号として、面位置検出装置14を介して制御装置13(制御部)へ入力される。

0014

基板ステージ3のX軸およびY軸方向の変位は、基板ステージ3上に設けた基準ミラー15とレーザ干渉計17とを用いて周知の方法により測定されうる。基板ステージ3の変位量を示す信号は、レーザ干渉計17から信号線を介して制御装置13へ入力される。また、基板ステージ3の移動はステージ駆動装置12により制御される。ステージ駆動装置12は、信号線を介して制御装置13から指令信号を受け、この信号に応答して基板ステージ3をサーボ駆動する。ステージ駆動装置12は、第1駆動部と第2駆動部とを含み、第1駆動部により基板2の光軸AXと直交する面内における位置x,yおよび回転θを調整し、第2駆動部により基板2の光軸AX方向(Z方向)に関する位置zおよび傾きα,βを調整する。面位置検出装置14は、位置検出素子11からの出力信号(面位置データ)に基づいて基板2の表面位置を検出し、その検出結果を制御装置13へ転送する。制御装置13は、面位置検出装置14による検出結果に基づき、所定の指令信号によりステージ駆動装置12の第2駆動部を作動させ、基板2の光軸AX方向に関する位置および傾きを調整する。記憶装置18は、ステージ駆動に必要なデータを記憶しうる。なお、記憶装置18は、制御装置13の内部に構成されたメモリであってもよい。ユーザインタフェース19は、ユーザがパラメータ設定に関する操作を行うためのコンソール部や、ステージ駆動に関するパラメータの表示を行う表示部等を含みうる。

0015

上記のように、制御装置13は、ステージ駆動装置12を介して、基板ステージ3をZ方向に駆動する際に基板面をフォーカス面に配置させるようにフィードバック制御を行う。ここで、スループット向上のためには、基板ステージ3の移動の加速度を上げる、基板ステージ3の整定トレランスを緩和してフォーカス計測を前倒しして行う等が考えられる。しかしその場合には、基板ステージ3の目標位置に対する偏差が残存した状態でフォーカス計測を行うことになるため、計測誤差が増大しうる。そのため、制御装置13は、ステージ駆動装置12に対して指令値を補正して出力することが必要になる。ここで、上記の残存した基板ステージの計測値の目標値に対する偏差を「フォーカス残差」という。発明者らの検討によれば、このフォーカス残差は、露光画角(ステップサイズ)に依存して変化することが分かった。また、フォーカス残差は、ステップ方向や、露光対象のショット領域の基板における位置にも依存して変化することも分かった。そこで本実施形態では、制御装置13は、画角、ステップ方向、対象ショット領域の基板における位置に応じた補正式を求める。そのために、制御装置13は、フォーカス補正式を算出する処理を実施する。

0016

図3は、制御装置13により実行されるフォーカス補正式を算出する処理のフローチャートである。この処理は露光処理の前に実施されるが、露光直前に行う必要はなく、制御装置13が、算出した補正式に係る情報を記憶装置18に記憶すればよい。

0017

S101で、制御装置13は補正式を算出するための条件である画角を決定する。図4は、画角の複数の候補を決定する処理のフローチャートである。制御装置13は、S201で、候補となる画角のうちの最小値最大値を決定し、S202で、決定された画角の最小値と最大値の間の画角のピッチを決定する。これらの値はユーザが設定してもよい。制御装置13は、S203で、S201およびS202で決められた画角の最小値、最大値、およびピッチに従って取得される複数の画角のそれぞれによるショットレイアウトを決定する。決定された複数の画角および/またはショットレイアウトは、記憶装置18に記憶される。図5に、画角Aによるショットレイアウトの例と、画角Aより狭い画角Bによるショットレイアウトの例を示す。図4で算出した補正式算出用レイアウトの一例が記載されている。画角Bは画角Aより狭いので、画角Aにより形成されるショット領域の数よりも画角Bにより形成されるショット領域の数の方が多い。

0018

説明を図3に戻す。S102で、基板2が装置内に搬入され基板ステージ3に搭載される。S103で、制御装置13は、S101で決定された画角に従ってS103で露光レイアウトを変更する。S104で、制御装置13は、アライメント計測を実施し、S105で、対象ショット領域がフォーカス計測位置に来るように基板ステージ3を駆動(基板ステージを像面に対して水平方向へ駆動)させ、S106で、フォーカス計測を実施する。S107で、制御装置13は、S106で計測したフォーカス計測値フォーカス目標値とに従って、フォーカス駆動を実施する(基板ステージを像面に対して垂直方向へ駆動)。S108で、制御装置13は、フォーカス計測値のフォーカス目標値からの差をフォーカス残差として算出する。S109で、制御装置13は、対象ショット領域の識別番号とS108で算出されたフォーカス残差とを対応付けて記憶装置18に格納する。ショット領域の識別番号により基板上の当該ショット領域の位置を特定することができる。S110で、制御装置13は、全てのショット領域についての計測が終了したかを判断する。まだ終了していなければ、次のショット領域についてS105〜S109の処理を繰り返す。全てのショット領域についての計測が終了した場合、S111で、制御装置13は、S101で決定された全てのレイアウトについて計測を終了したかを判断する。まだ終了していなければ、次のレイアウトについての計測を行うために、S103に戻って処理を繰り返す。全てのレイアウトについての計測が終了した場合、S112で、制御装置13は、補正式を算出する。

0019

図6は、S112における補正式の算出処理を示すフローチャートである。S301で、制御装置13は、S101で決定した複数の画角を取得する。S302で、制御装置13は、取得した複数の画角のうちから処理の対象とする画角を決定する。以下のS303〜S306では、S302で決定された画角に関して処理が行われる。S303で、制御装置13は、記憶装置18に記憶されているショット領域毎のフォーカス残差の情報を取得する。次に、S304で、制御装置13は、取得されたショット領域毎のフォーカス残差の情報を、基板ステージ3のステップ方向(プラス方向/マイナス方向)で分類する。S305で、制御装置13は、ステップ方向毎に分類されたショット領域毎のフォーカス残差との関係を多項式近似して記憶装置18に記憶する。S307で、制御装置13は、全ての画角について処理を終えたかを判断する。まだ全ての画角についての処理が完了していない場合は、S303に戻り、次の画角について処理を繰り返す。こうして画角毎に補正式が算出される。

0020

図3に戻り、S113で、基板が搬出されて、処理が終了する。以上の、露光処理の事前に行われる補正式算出処理の要点まとめると、この補正式算出処理は、以下の実測工程を含む。(a)基板ステージのフォーカス駆動のための計測値を得るフォーカス計測を行う(S106)。(b)該得られた計測値に応じてフォーカス駆動を行う(S107)。(c)該フォーカス駆動の終了後にフォーカス計測を行い、該フォーカス計測により得られた計測値の目標値に対する残差を算出する。実測工程では、上記(a)〜(c)工程を、複数の画角のそれぞれについて、ショット領域毎に繰り返し行う。さらに、補正式算出処理は、上記した実測工程により複数の画角のそれぞれについて得られたショット領域毎の残差に基づいて、複数の補正式を算出する(S112)。

0021

次に、本実施形態における露光処理を、図7のフローチャートを参照して説明する。まず、S401で、制御装置13は、露光レイアウトに合わせた補正式を算出する。図8に、S401における補正式の算出処理のフローチャートを示す。S501で、制御装置13は、対象の露光レシピにおける露光時の画角(すなわちレイアウト)の情報を取得する。S502で、制御装置13は、取得したレイアウトが補正可能かを判断する。例えば、補正式を求めた際のレイアウトと露光条件において、基板ステージの主体となる駆動方向が同一かで判断する。補正不可能と判断された場合は、補正式の係数を0とする。補正が可能と判断された場合は、S503で、制御装置13は、S501で取得した露光時の画角がS101で決定した複数の画角の最小値と最大値の間の範囲外かを確認する。S501で取得した画角がその範囲外である場合は、S504で、S101で決定した複数の画角のうち露光画角に最も近い画角の補正式を取得する。すなわち、露光時の画角が複数の画角のうちの最小画角より小さい場合は、該最小画角に対する補正式を露光時の画角に対する補正式として決定する。また、露光時の画角が複数の画角のうちの最大画角より大きい場合は、該最大画角に対する補正式を露光時の画角に対する補正式として決定する。

0022

一方、S501で取得した画角がその範囲内である場合は、S505で、露光画角の前後2つの画角の補正式を取得する。例えば、S101で決定した複数の画角が1.0[mm]ピッチで取得されていて、S501で取得された露光画角が22.5[mm]であった場合には、22.5[mm]の前後の、23.0[mm]と22.0[mm]の2つの画角の補正式を取得する。S506で、制御装置13は、S505で取得した2つの画角の補正式から、パラメータを補間することにより露光時の画角に応じた補正式を決定する。

0023

以下の例では、簡単のため補正式の次数は1次とし、さらに補正式を算出する際は取得した露光画角の前後2つの画角で直線近似を行うこととする。露光画角22.5[mm]の補正式を求める場合、23.0[mm](Z=5.0X+10.0とする)と22.0[mm](Z=10.0X+20.0とする)の補正式から補間補正式を算出する。ただしここでは、Xをショット領域の基板のX方向における位置、ZをZ方向の補正値とする。両補正式の係数同士を線形補間するとともに切片同士を線形補間する。これにより、22.5[mm]の補正式は、Z=7.5X+15となる。

0024

図7に戻り、S402で基板が搬入され、S403でアライメント計測が実施される。制御装置13は、S404で、S401で算出した露光画角に合った補正式から各ショット領域でのZ方向の補正値を算出する。制御装置13は、S405で、フォーカス計測を実施し、S404で求めた補正値をオフセットとして基板ステージの指令値に反映した後、S407でフォーカス追い込み駆動を行う。フォーカス追い込み駆動終了後、制御装置13は、S408で露光を行う。制御装置13は、S409で、露光中のフォーカス計測を実施し、S410でフォーカス残差を記憶する(学習する)。

0025

S411で、制御装置13は、全ての露光対象のショット領域が露光されたかを判断する。全てのショット領域の露光が完了していない場合には、S404に戻り、未露光の次のショット領域について処理を繰り返す。全てのショット領域に露光が終了した場合、S412で基板を搬出すると同時に、S413で、新たに使用した露光画角の補正式を算出する。新たに算出した補正式は、図6で求め、記憶した補正式と同様に記憶される。これにより、補間補正式算出精度の向上が図られる。

0026

図9は、ユーザインタフェース19による、S112で算出された画角毎の補正式の結果の表示例を示している。項目91は画角を示す。項目92および93は、基板ステージのステップ方向を示す。項目94は、算出された補正係数を示す。関数近似した補正式の各係数を"Coefficient"、切片を"intercept"として表されている。

0027

図10は、本実施形態による補正の効果を示す図である。図10において、横軸はフォーカス残差を取得した画角を、縦軸基板面内でのフォーカス残差3σを示している。図10に示されるように、本実施形態によれば、全ての露光画角でフォーカス残差の補正が可能となるため、各画角でフォーカス精度を向上させることができる。

0028

<物品製造方法の実施形態>
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイス微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化成膜蒸着ドーピング平坦化、エッチングレジスト剥離ダイシングボンディングパッケージング等)を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。

0029

<他の実施形態>
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。

0030

1:投影光学系、2:基板、3:基板ステージ、12:ステージ駆動装置、13:制御装置、14:面位置検出装置

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