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技術 被加工物の研削方法

出願人 株式会社ディスコ
発明者 廣沢俊一郎
出願日 2018年3月5日 (2年1ヶ月経過) 出願番号 2018-038560
公開日 2019年9月12日 (7ヶ月経過) 公開番号 2019-150925
状態 未査定
技術分野 円筒・平面研削 3次曲面及び複雑な形状面の研削,研磨等 洗浄、機械加工 ダイシング
主要キーワード 表面保護工 ポーラス部材 ハードプレート ハーフカット溝 デバイス回路 シャープエッジ 円形板状 仕上げ厚
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2019年9月12日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (8)

課題

被加工物研削する場合に、被加工物の外周部を除去せずともエッジチッピング及びウェーハ割れの発生を抑止できるようにする。

解決手段

被加工物Wの表面Waを保護部材Tで覆う工程と、被加工物Wの裏面Wb側から、外周縁Wdより所定距離内側の位置で外周縁Wdに沿って円形に被加工物Wに対して透過性を有するレーザ光線照射変質層Mを形成する工程と、変質層Mが形成された被加工物Wの保護部材Tをテーブル70で保持する工程と、被加工物Wの裏面Wbを研削し、被加工物Wを仕上がり厚さに形成するとともに、被加工物Wの厚さが変質層Mに到達した時点で外周縁Wdに沿って形成された変質層Mを起点に被加工物Wを内周部W1と外周部W2とに分割する工程と、を含み、裏面Wb研削途中に被加工物Wを内周部W1と外周部W2とに分割することにより、チッピング及び割れが内周部W1のデバイス領域Wa1に伝搬されることを防ぐ研削方法である。

概要

背景

半導体デバイス製造工程においては、円板形状である被加工物の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にデバイス回路を形成する。このように多数のデバイスが形成された被加工物を分割予定ラインに沿って分割することにより、個々の半導体チップを形成する。そして、半導体チップの小型化及び軽量化を図るために、通常、被加工物を分割予定ラインに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに先立って、被加工物の裏面を研削して所定の厚さに薄化している。

被加工物の表面の外周部のエッジ段差がある場合や被加工物の該エッジ形状が特殊な形(例えば、断面が形状)になっている場合においては、被加工物の裏面研削中に被加工物の外周部のエッジチッピングやエッジからのクラック内周部に向かって伸長するウェーハ割れが発生することがある。

その対策として、被加工物の外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有する波長レーザ光線照射し、被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割して、被加工物から外周部を除去する。その後、裏面研削を行い被加工物(内周部)を予定仕上がり厚さに形成する研削方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。

概要

被加工物を研削する場合に、被加工物の外周部を除去せずともエッジチッピング及びウェーハ割れの発生を抑止できるようにする。被加工物Wの表面Waを保護部材Tで覆う工程と、被加工物Wの裏面Wb側から、外周縁Wdより所定距離内側の位置で外周縁Wdに沿って円形に被加工物Wに対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層Mを形成する工程と、変質層Mが形成された被加工物Wの保護部材Tをテーブル70で保持する工程と、被加工物Wの裏面Wbを研削し、被加工物Wを仕上がり厚さに形成するとともに、被加工物Wの厚さが変質層Mに到達した時点で外周縁Wdに沿って形成された変質層Mを起点に被加工物Wを内周部W1と外周部W2とに分割する工程と、を含み、裏面Wb研削途中に被加工物Wを内周部W1と外周部W2とに分割することにより、チッピング及び割れが内周部W1のデバイス領域Wa1に伝搬されることを防ぐ研削方法である。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

格子状に形成された複数の分割予定ライン区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の裏面を、研削砥石研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物の表面を表面保護部材で覆う表面保護工程と、該被加工物の裏面側から、外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有するレーザ光線照射変質層を形成する変質層形成工程と、該変質層が形成された該被加工物の表面保護部材を鉛直方向の回転軸で回転するチャックテーブルで保持する保持工程と、該保持工程実施後の該被加工物の裏面を研削し、該被加工物をチップ仕上がり厚さに形成するとともに、該被加工物の厚さが該変質層に到達した時点で外周縁に沿って円形に形成された該変質層を起点に該被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割する研削工程と、を含み、裏面研削途中に該被加工物を該内周部と該外周部とに分割することにより、被加工物のエッジ起因によるチッピング及び割れが該内周部のデバイス領域伝搬されることを防止することを特徴とする研削方法。

請求項2

前記表面保護部材は粘着テープであることを特徴とする請求項1記載の研削方法。

技術分野

0001

本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物研削する方法に関する。

背景技術

0002

半導体デバイス製造工程においては、円板形状である被加工物の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にデバイス回路を形成する。このように多数のデバイスが形成された被加工物を分割予定ラインに沿って分割することにより、個々の半導体チップを形成する。そして、半導体チップの小型化及び軽量化を図るために、通常、被加工物を分割予定ラインに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに先立って、被加工物の裏面を研削して所定の厚さに薄化している。

0003

被加工物の表面の外周部のエッジ段差がある場合や被加工物の該エッジ形状が特殊な形(例えば、断面が形状)になっている場合においては、被加工物の裏面研削中に被加工物の外周部のエッジチッピングやエッジからのクラック内周部に向かって伸長するウェーハ割れが発生することがある。

0004

その対策として、被加工物の外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有する波長レーザ光線照射し、被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割して、被加工物から外周部を除去する。その後、裏面研削を行い被加工物(内周部)を予定仕上がり厚さに形成する研削方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。

先行技術

0005

特開2006−108532号公報

発明が解決しようとする課題

0006

しかしながら、上記特許文献1に記載されている研削方法では被加工物の外周部を除去する工程が増えることで時間が取られる。また、外周部を除去することで被加工物の外径が小さくなり、裏面研削工程で被加工物を保持する保持部材や被加工物を保持部材に搬送する搬送部材を被加工物の外径に合わせた大きさで新たに作製する必要が生じる。

0007

よって、被加工物を研削する場合には、被加工物の外周部を除去しなくても被加工物のエッジチッピング及びウェーハ割れの発生を抑止できるようにするという課題がある。

課題を解決するための手段

0008

上記課題を解決するための本発明は、格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の裏面を、研削砥石で研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物の表面を表面保護部材で覆う表面保護工程と、該被加工物の裏面側から、外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層を形成する変質層形成工程と、該変質層が形成された該被加工物の表面保護部材を鉛直方向の回転軸で回転するチャックテーブルで保持する保持工程と、該保持工程実施後の該被加工物の裏面を研削し、該被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、該被加工物の厚さが該変質層に到達した時点で外周縁に沿って円形に形成された該変質層を起点に該被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割する研削工程と、を含み、裏面研削途中に該被加工物を該内周部と該外周部とに分割することにより、被加工物のエッジ起因によるチッピング及び割れが該内周部のデバイス領域伝搬されることを防止する研削方法である。

0009

前記表面保護部材は粘着テープであると好ましい。

発明の効果

0010

本発明に係る研削方法は、被加工物の裏面側から、外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層を形成する変質層形成工程と、変質層が形成された被加工物の表面保護部材を鉛直方向の回転軸で回転するチャックテーブルで保持する保持工程と、保持工程実施後の被加工物の裏面を研削し、被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、被加工物の厚さが変質層に到達した時点で外周縁に沿って円形に形成された変質層を起点に被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割する研削工程と、を含むため、裏面研削途中に被加工物を内周部と外周部とに分割することにより、被加工物のエッジ起因によるチッピング及び割れが内周部のデバイス領域に伝搬されることを防止できる。
分割された外周部は、例えば、被加工物の外周縁が特異な形状である場合であっても、分割された外周部がチャックテーブルの保持面に倣うため、外周部単体でチャックテーブルに固定することができる。
また、研削後の被加工物は内周部、外周部ともに予定の仕上がり厚さまで同じ厚さに研削されているため、研削後に例えばチップ分割を行う場合に、ブレードダイシング又はレーザダイシングがともに実施可能となり、外周部を除去する工程が不要になることから手間及び時間を取られることも無くなる。
さらに、外周部を除去しないため、被加工物の結晶方位を示すノッチオリエンテーションフラットを残存させた状態でその後の工程を実施できる。

図面の簡単な説明

0011

被加工物の表面を表面保護部材で覆う状態を示す斜視図である。
被加工物に変質層を形成している状態を示す斜視図である。
被加工物に変質層を形成している状態を示す断面図である。
研削工程を説明する斜視図である。
研削工程において、被加工物の裏面研削途中に被加工物が内周部と外周部とに分割された状態を示す断面図である。
研削前の被加工物の外周側を部分的に示す断面図である。
研削により分割された被加工物の外周部がチャックテーブルの保持面に倣って吸引保持された状態を部分的に示す断面図である。

実施例

0012

以下に、本発明に係る被加工物の研削方法の各工程について説明する。
(1)表面保護工程
図1に示す被加工物Wは、例えば、シリコン母材とする外形円形板状の半導体ウェーハであり、図1においては上側を向いている表面Waには、直交差する複数の分割予定ラインSが形成されており、分割予定ラインSによって格子状に区画された各領域にはIC等のデバイスDがそれぞれ形成されている。以下、デバイスDが複数形成されている領域をデバイス領域Wa1とする。デバイス領域Wa1は、デバイスDの形成されていない領域(外周余剰領域Wa2)によって囲繞されている。被加工物Wの外周縁Wdには、結晶方位等を示すマークであるノッチNが、被加工物Wの中心に向けて径方向内側に窪んだ状態で形成されている。被加工物Wの表面Waに対して反対側の裏面Wbは、研削加工が施される被研削面なる。なお、被加工物Wは、表面WaにデバイスDが形成される前のウェーハであってもよいし、シリコン以外にガリウムヒ素サファイア窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。

0013

本実施形態においては、被加工物Wの外周縁Wdは、面取り加工がされており縦断面が略円弧状となっているが、外周縁Wdが切削等により円形状にトリミングされて断面が矩形状となっていてもよい。また、被加工物Wは、ノッチNではなく、結晶方位を示すオリエンテーションフラットが外周余剰領域Wa2の一部をフラット切欠くことで形成されていてもよい。

0014

被加工物Wの表面Waには、例えば、被加工物Wと略同径の円形の表面保護部材Tが貼着されて、デバイス領域Wa1及び外周余剰領域Wa2は表面保護部材Tで覆われ保護される。表面保護部材Tは、例えば、基材層粘着層とを備える粘着テープであるが、これに限定されるものではなく、ガラス基板等の剛性を有するハードプレート接着剤で表面Waに貼着して表面保護部材としてもよいし、表面Waに液体樹脂を塗布してから該樹脂を乾燥させ硬化させる等して、被加工物Wの表面Waを覆う表面保護部材を形成してもよい。

0015

(2)変質層形成工程
図2に示すレーザ加工装置1は、例えば、被加工物Wを吸引保持する保持テーブル10と、保持テーブル10に保持された被加工物Wに対してレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段11と、を少なくとも備えている。保持テーブル10は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面10a上で被加工物Wを吸引保持する。保持テーブル10は、鉛直方向の軸心回りに回転可能であるとともに、図示しない移動手段によって、X軸方向及びY軸方向に往復移動可能となっている。

0016

レーザ光線照射手段11は、例えば、Y軸方向に水平に延在する円柱状のハウジング110を備えており、ハウジング110の先端部には、照射ヘッド111が配設されている。

0017

ハウジング110内にはレーザ光線発振器112が配設されている。レーザ光線発振器112は、例えばYAGレーザ或いはYVO4レーザ等から構成されており、被加工物Wに対して透過性を有する波長のレーザ光線を発振させることができる。
照射ヘッド111内にはレーザ光線を集光する集光レンズ111aが配設されている。

0018

レーザ光線照射手段11は、レーザ光線発振器112から−Y軸方向に向かって発振させたレーザ光線を出力鏡を通し照射ヘッド111に送り、照射ヘッド111の内部に備えた図示しないミラー反射させ集光レンズ111aに入光させることで、レーザ光線を保持テーブル10で保持された被加工物Wに集光し照射できる。なお、照射ヘッド111により集光されるレーザ光線の集光点位置は、図示しない集光点位置調整手段によって保持テーブル10の保持面10aに対して垂直な方向(Z軸方向)に調整できる。

0019

レーザ加工装置1は、被加工物Wの外周縁Wd及び中心を認識するアライメント手段14を備えている。アライメント手段14は、図示しない光照射手段と、被加工物Wからの反射光を捕らえる光学系および光学系で結像された被写体像光電変換して画像情報を出力する撮像素子(CCD)等で構成されたカメラ140とを備えている。レーザ光線照射手段11はアライメント手段14と一体となって構成されており、両者は連動してZ軸方向へと移動する。

0020

変質層形成工程においては、まず、図2に示すように、裏面Wbを上側に向けて保持テーブル10の保持面10a上に被加工物Wが載置される。そして、図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面10aに伝達されることで、保持テーブル10は保持面10a上で表面保護部材Tを介して被加工物Wを吸引保持する。保持テーブル10の回転中心と被加工物Wの中心とは略合致した状態になっている。

0021

例えば、図示しない移動手段が保持テーブル10をアライメント手段14の下方まで移動させ、エッジアライメントが実施される。即ち、保持テーブル10が回転し、保持テーブル10に保持された被加工物Wの外周縁Wdがカメラ140で複数個撮像される。そして、例えば外周縁Wdの離間した3点の座標が検出され、該3点の座標に基づく幾何学的演算処理により、保持テーブル10上における被加工物Wのより正確な中心座標が求められる。そして、該中心座標の情報及び予め認識されている被加工物Wのサイズの情報を基として、図示しない移動手段が保持テーブル10を水平方向に移動させて、被加工物Wの外周縁Wdより所定距離内側の位置、即ち、例えば後述するレーザ光線がデバイスD及びノッチNに照射されることが無い外周余剰領域Wa2内の所定位置が照射ヘッド111の直下に位置するように、保持テーブル10が所定位置に位置付けられる。
なお、エッジアライメントは、上記のような被加工物Wの中心座標から所定距離径方向外側に離れた位置をレーザ光線照射位置と定める手法に限定されるものではなく、被加工物Wの外周縁Wdの座標位置を基として該座標位置から所定距離径方向内側に離れた位置をレーザ光線照射位置と定める手法であってもよい。

0022

次いで、集光レンズ111aによって集光されるレーザ光線の集光点位置を、被加工物Wの内部の所定の高さ位置に位置付ける。そして、レーザ光線発振器112から被加工物Wに対して透過性を有する波長のレーザ光線を所定の繰り返し周波数パルス発振させ、レーザ光線を保持テーブル10で保持された被加工物Wの内部に集光し照射する。集光点に到達する前のレーザ光線は、被加工物Wに対して透過性を有しているが、集光点に到達したレーザ光線は被加工物Wに対して局所的に非常に高い吸収特性を示す。そのため、集光点付近の被加工物Wはレーザ光線を吸収して変質する。

0023

保持テーブル10を所定の回転速度でZ軸方向の軸心周りに回転させることで、レーザ光線を被加工物Wの外周縁Wdに沿って被加工物Wに照射しつつ、図2、3に示すように被加工物Wの内部に変質層Mを形成していく。変質層Mの被加工物Wの厚さ方向における形成位置は、例えば、被加工物Wの表面Waから研削後の被加工物Wの仕上がり厚さ分だけ上方の位置よりも僅かに上の位置となる。これは、後述する研削工程において分割された円形の内周部W1(図5参照)の外側面に変質層Mを残存させないようにするためである。被加工物Wの外周縁Wd全周に沿って変質層Mを連続的に形成したら、保持テーブル10の回転を停止させると共に、レーザ光線の照射を停止する。このように形成された円形の変質層Mは、周囲よりも強度が低下した領域となっている。

0024

(3)保持工程
変質層Mが形成された被加工物Wは、図4に示す研削装置7のチャックテーブル70に搬送される。チャックテーブル70は、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面700で被加工物Wを吸引保持する。チャックテーブル70は、その下方に接続された回転軸73により鉛直方向(Z軸方向)の軸心周りに回転可能であるとともに、Y軸方向に移動可能となっている。
図4に示すように、裏面Wbを上側に向けて保持面700上に被加工物Wが載置される。そして、図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面700に伝達されることで、チャックテーブル70は保持面700上で表面保護部材Tを介して被加工物Wを吸引保持する。

0025

(4)研削工程
チャックテーブル70に保持された被加工物Wの裏面Wbが、図4に示す研削手段71によって研削される。研削手段71は、例えば、Z軸方向の軸心周りに回転可能な回転軸710と、回転軸710の下端に接続された円板状のマウント713と、マウント713の下面に着脱可能に接続された研削ホイール714とを備える。研削ホイール714は、ホイール基台714bと、ホイール基台714bの底面に環状に配設された略直方体形状の複数の研削砥石714aとを備える。研削砥石714aは、例えばレジンボンドメタルボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。

0026

回転軸710内部には、研削水供給源に連通し研削水の通り道となる図示しない流路が、回転軸710の軸方向(Z軸方向)に貫通して設けられており、該流路は、ホイール基台714bの底面において研削砥石714aに向かって研削水を噴出可能に開口している。

0027

まず、図4に示すように、被加工物Wを保持したチャックテーブル70が+Y方向へ移動して、研削ホイール714の回転中心が被加工物Wの回転中心に対して所定の距離だけずれ、研削砥石714aの回転軌跡が被加工物Wの回転中心を通るように、チャックテーブル70が研削手段71に対して位置付けられる。次いで、回転軸710が回転するのに伴って、図4に示すように、研削ホイール714が回転する。また、研削手段71が−Z方向へと送られ、研削砥石714aが被加工物Wの裏面Wbに当接することで研削加工が行われる。研削中は、チャックテーブル70が回転するのに伴って被加工物Wも回転するので、研削砥石714aが被加工物Wの裏面Wbの全面の研削加工を行う。また、研削砥石714aと被加工物Wの裏面Wbとの接触箇所に対して研削水が供給され、研削水による接触箇所の冷却及び研削屑洗浄除去が行われる。

0028

研削を続行することで、被加工物Wの厚さが変質層Mに到達した時点で外周縁Wdに沿って円形に形成された変質層Mを起点に被加工物Wが、図5に示すように内周部W1と内周部W1を囲繞する外周部W2とに分割される。即ち、変質層Mを除去しつつ変質層Mに沿って研削圧力が作用することで亀裂が被加工物Wの厚さ方向に向かって伸長し、被加工物Wは円形の内周部W1と円環状の外周部W2とに分割される。また、被加工物WがデバイスDを備えるチップの仕上げ厚さまで研削され、次いで、研削手段71が+Z方向に上昇し、研削砥石714aが被加工物Wから離間し研削が終了する。

0029

本発明に係る研削方法は、被加工物Wの裏面Wb側から、外周縁Wdより所定距離内側の位置で外周縁Wdに沿って円形に被加工物Wに対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層Mを形成する変質層形成工程と、変質層Mが形成された被加工物Wの表面保護部材Tを鉛直方向の回転軸73で回転するチャックテーブル70で保持する保持工程と、保持工程実施後の被加工物Wの裏面Wbを研削し、被加工物Wをチップの仕上がり厚さに形成するとともに、被加工物Wの厚さが変質層Mに到達した時点で外周縁Wdに沿って円形に形成された変質層Mを起点に被加工物Wを内周部W1と内周部W1を囲繞する外周部W2とに分割する研削工程と、を含むため、裏面Wb研削途中に被加工物Wを内周部W1と外周部W2とに分割することにより、被加工物Wのエッジ起因によるチッピング及び割れが内周部W1のデバイス領域Wa1に伝搬されることを防止できる。
また、本実施形態のように、面取り加工がされており縦断面が略円弧状となっている被加工物Wを従来の研削方法で研削すると、外周縁Wdは尖ったシャープエッジになりやすく、エッジチッピング等が特に発生しやすいが、本発明に係る研削方法ではシャープエッジを起因とするチッピングの発生を抑止できる。

0030

また、研削後の被加工物Wは内周部W1、外周部W2ともに予定の仕上がり厚さまで同じ厚さに研削されているため、研削後に例えばチップ分割を行う場合に、ブレードダイシング又はレーザダイシングがともに実施可能となり、外周部W2を除去する工程が不要になることから手間及び時間を取られることも無くなる。

0031

本実施形態においては、裏面Wb研削後に被加工物Wは未だチップに分割されていないため、さらに、ブレードダイシング又はレーザダイシング等が実施されて、個々のチップに分割される。
なお、例えば、図1に示す表面保護部材Tが貼着される前の被加工物Wは、先ダイシングが施されていてもよい。即ち、回転する切削ブレードで被加工物Wの表面Wa側から分割予定ラインSに沿ってチップの仕上がり厚さ以上の深さの切削溝ハーフカット溝)が被加工物Wに形成されている。さらに、本発明に係る研削方法が先に説明したのと同様に、先ダイシングされた被加工物Wに施されることで、(4)研削工程において被加工物Wの裏面Wbを研削して切削溝を被研削面に露出させることにより、被加工物Wが、内周部W1、分割された外周部W2ともに予定の仕上がり厚さまで同じ厚さに研削され、かつ、内周部W1が個々のチップに分割される。
図1に示す表面保護部材Tが貼着される前の被加工物Wは、切削ブレードを用いた先ダイシングの代わりに、被加工物Wに対して透過性を有する波長のレーザ光線を分割予定ラインSに沿って照射して、被加工物W内部の所定深さの位置に変質層を形成するステルスダイシングが施されていてもよい。この場合においても、(4)研削工程において被加工物Wの裏面Wbを研削して分割予定ラインSに沿った変質層に研削圧力を加えることにより、被加工物Wが、内周部W1、分割された外周部W2ともに予定の仕上がり厚さまで同じ厚さに研削され、かつ、内周部W1が個々のチップに分割される。

0032

さらに、外周部W2を除去しないため、被加工物Wの結晶方位を示すノッチN(又は、オリエンテーションフラット)を残存させた状態でその後の工程が実施できるようになる。

0033

研削前の被加工物Wの外周側を部分的に表す図6及び研削により分割された被加工物Wの外周部W2を表す図7に示すように、分割された外周部W2がチャックテーブル70の保持面700に倣うため、外周部W2単体でチャックテーブル70に固定することができ、被加工物Wの保持面700上における不測のずれ等が生じない。
これは、例えば、被加工物Wの表面Waに形成されたデバイスDが高さがある場合(例えば、ハイバンプである場合)でも同様である。即ち、従来の研削方法では、被加工物Wがハイバンプを備えているような場合には、デバイス領域Wa1と外周余剰領域Wa2との高さの違いから、裏面研削にて被加工物Wの外周側のチャックテーブル70による吸着が不能になることがあった。しかし、本発明に係る研削方法においては、裏面Wbの研削により内周部W1と外周部W2とが分割されると、外周部W2が単体で保持面700側に引き下げられてチャックテーブル70により吸着されるため、上記のように吸着不能とはならない。

0034

なお、本発明に係る研削方法は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている各種装置の各構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。

0035

W:被加工物Wa:被加工物の表面 Wa1:デバイス領域Wa2:外周余剰領域
Wd:外周縁N:ノッチS:分割予定ラインD:デバイスT:表面保護部材
1:レーザ加工装置10:保持テーブル10a:保持面
11:レーザ光線照射手段 110:ハウジング111:照射ヘッド111a:集光レンズ112:レーザ光線発振器
14:アライメント手段 140:カメラ
7:研削装置70:チャックテーブル700:保持面 71:研削手段 710:回転軸714a:研削砥石

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