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技術 静電チャックプレートの製造方法

出願人 株式会社ディスコ
発明者 古田健次里百合子
出願日 2017年7月21日 (1年11ヶ月経過) 出願番号 2017-141864
公開日 2019年2月7日 (4ヶ月経過) 公開番号 2019-021867
状態 未査定
技術分野 ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 特殊な電動機、発電機
主要キーワード レーザー照射ユニット 絶縁面 フレームユニット 給電ユニット 電池ホルダ 準備ステップ 静電チャックプレート ボタン型電池
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (7)

課題

従来に比べて低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法を提供する。

解決手段

被加工物静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、ベース基板絶縁体からなる絶縁面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける導電体膜形成ステップと、導電体膜形成ステップの後、ベース基板に対して透過性を有する波長レーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、ベース基板の絶縁面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、を含む。

概要

背景

半導体ウェーハ光デバイスウェーハパッケージ基板等を、切削装置研削装置レーザー加工装置等で加工する際には、これら板状の被加工物に対して、粘着テープ硬質基板等の保護部材貼付するのが一般的である。これにより、加工や搬送等の際に加わる衝撃から被加工物を保護できる。

上述した保護部材は、通常、ある程度の接着力を持つ接着剤によって被加工物に貼付される。そのため、例えば、加工後の被加工物から保護部材を容易に剥離できないことがあった。また、再使用できない使い捨ての粘着テープ等を用いる場合には、被加工物の加工に要するコストも高くなり易い。

そこで、近年では、静電気を利用して被加工物を吸着、保持する静電チャックプレートの開発が進められている(例えば、特許文献1参照)。この静電チャックプレートでは、例えば、静電気による吸着力を発生させるための電極櫛歯状に形成することで、電極への給電を停止した後にも強い吸着力が維持される。

概要

従来に比べて低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法を提供する。被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、ベース基板絶縁体からなる絶縁面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける導電体膜形成ステップと、導電体膜形成ステップの後、ベース基板に対して透過性を有する波長レーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、ベース基板の絶縁面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、を含む。

目的

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とする

効果

実績

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請求項1

被加工物静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、ベース基板絶縁体からなる絶縁面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける導電体膜形成ステップと、該導電体膜形成ステップの後、該ベース基板に対して透過性を有する波長レーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該ベース基板の該絶縁面側に正負電極を形成する電極形成ステップと、を備えることを特徴とする静電チャックプレートの製造方法。

請求項2

該ベース基板は、ガラスで形成されており、該レーザービームの波長は、500nm以上であることを特徴とする請求項1に記載の静電チャックプレートの製造方法。

請求項3

被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、第1面側に金属酸化物を含む導電体膜が設けられた樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、該樹脂シート準備ステップの後、該樹脂シートに対して透過性を有する波長のレーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該樹脂シートの第1面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、該電極形成ステップの後、該電極をベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に貼付し、該電極から該樹脂シートを剥離することで、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を移設する電極移設ステップと、を備えることを特徴とする静電チャックプレートの製造方法。

請求項4

該樹脂シートは、可視域で透明な樹脂シートであり、該レーザービームの波長は、1000nm以上であることを特徴とする請求項3に記載の静電チャックプレートの製造方法。

技術分野

0001

本発明は、板状の被加工物等を保持する際に用いられる静電チャックプレートの製造方法に関する。

背景技術

0002

半導体ウェーハ光デバイスウェーハパッケージ基板等を、切削装置研削装置レーザー加工装置等で加工する際には、これら板状の被加工物に対して、粘着テープ硬質基板等の保護部材貼付するのが一般的である。これにより、加工や搬送等の際に加わる衝撃から被加工物を保護できる。

0003

上述した保護部材は、通常、ある程度の接着力を持つ接着剤によって被加工物に貼付される。そのため、例えば、加工後の被加工物から保護部材を容易に剥離できないことがあった。また、再使用できない使い捨ての粘着テープ等を用いる場合には、被加工物の加工に要するコストも高くなり易い。

0004

そこで、近年では、静電気を利用して被加工物を吸着、保持する静電チャックプレートの開発が進められている(例えば、特許文献1参照)。この静電チャックプレートでは、例えば、静電気による吸着力を発生させるための電極櫛歯状に形成することで、電極への給電を停止した後にも強い吸着力が維持される。

先行技術

0005

特開2016−51836号公報

発明が解決しようとする課題

0006

上述した櫛歯状の電極に代表される静電チャックプレートの電極は、ウェットエッチングによって形成されることが多い。しかしながら、このウェットエッチングには、電極のパターンに合わせたマスクが必要なので、コストが掛かり易いという問題があった。そのため、より低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法が求められていた。

0007

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、従来に比べて低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法を提供することである。

課題を解決するための手段

0008

本発明の一態様によれば、被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、ベース基板絶縁体からなる絶縁面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける導電体膜形成ステップと、該導電体膜形成ステップの後、該ベース基板に対して透過性を有する波長レーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、を備える静電チャックプレートの製造方法が提供される。

0009

上述した本発明の一態様において、該ベース基板は、ガラスで形成されており、該レーザービームの波長は、500nm以上であることが好ましい。

0010

本発明の別の一態様によれば、被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、第1面側に金属酸化物を含む導電体膜が設けられた樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、該樹脂シート準備ステップの後、該樹脂シートに対して透過性を有する波長のレーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該樹脂シートの第1面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、該電極形成ステップの後、該電極をベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に貼付し、該電極から該樹脂シートを剥離することで、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を移設する電極移設ステップと、を備える静電チャックプレートの製造方法が提供される。

0011

上述した本発明の別の一態様において、該樹脂シートは、可視域で透明な樹脂シートであり、該レーザービームの波長は、1000nm以上であることが好ましい。

発明の効果

0012

本発明の一態様に係る静電チャックプレートの製造方法、及び本発明の別の一態様に係る静電チャックプレートの製造方法では、レーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、正負の電極を形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正負の電極を形成できる。

図面の簡単な説明

0013

図1(A)は、ベース基板に導電体膜が形成された状態を模式的に示す断面図であり、図1(B)は、導電体膜がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図であり、図1(C)は、完成した静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。
完成した静電チャックプレートの構造を模式的に示す平面図である。
静電チャックプレートが使用されたフレームユニットの構造を模式的に示す斜視図である。
静電チャックプレートが使用されたフレームユニットの構造を模式的に示す断面図である。
フレームユニットに被加工物を吸着させる様子を模式的に示す斜視図である。
図6(A)は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で導電体膜がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図であり、図6(B)は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でベース基板に貼付された電極から樹脂シートが剥離される様子を模式的に示す断面図であり、図6(C)は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で製造された静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。

実施例

0014

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法は、導電体膜形成ステップ(図1(A)参照)、及び電極形成ステップ(図1(B)、図1(C)及び図2参照)を含む。

0015

導電体膜形成ステップでは、少なくとも第1面が絶縁体からなるベース基板の第1面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける。電極形成ステップでは、このベース基板に対して透過性を有する波長のレーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、ベース基板の第1面側に正負の電極を形成する。以下、本実施形態に係るウェーハ加工方法について詳述する。

0016

本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法では、まず、金属酸化物を含む導電体膜をベース基板に設ける導電体膜形成ステップを行う。図1(A)は、ベース基板1の第1面(絶縁面)1a側に導電体膜3が形成された状態を模式的に示す断面図である。

0017

図1(A)に示すように、ベース基板1は、例えば、可視域の光(波長:360nm〜830nm)に対して透明なソーダガラスホウケイ酸ガラス石英ガラス等のガラス材を用いて円盤状に形成されており、概ね平坦な第1面1a及び第2面1bを有している。すなわち、このベース基板1の第1面1a及び第2面1bは、絶縁体で構成されている。

0018

ベース基板1の直径は、例えば、吸着の対象である被加工物11(図5等参照)の直径と同程度、又はそれ以上であることが望ましい。また、ベース基板1の厚みは、代表的には、1mm〜30mm程度である。ただし、ベース基板1の材質、形状、構造、大きさ、厚み等に制限はない。

0019

例えば、樹脂セラミックス等の材料でなるベース基板1を用いることもできる。また、ベース基板1は、少なくとも第1面1aが絶縁体で構成されていれば良い。よって、例えば、半導体導体等でなる基板を絶縁体で被覆し、ベース基板1として用いることもできる。

0020

本実施形態の導電体膜形成ステップでは、このベース基板1の第1面1a側全体に、スパッタリング等の方法で金属酸化物を含む導電体膜3を形成する。金属酸化物としては、例えば、酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxide:ITO)等の可視域の光に対して透明な材料を用いることが望ましい。これにより、可視域で導電体膜3が透明になるので、例えば、可視域のレーザービームを用いるレーザー加工等の際に本実施形態の静電チャックプレートを使用できるようになる。導電体膜3の厚みは、代表的には、1μm〜100μm程度である。

0021

ただし、導電体膜3の材質、形状、大きさ、厚み、形成方法等に特段の制限はない、例えば、CVD、真空蒸着、塗布等の方法で導電体膜3を形成しても良い。また、樹脂シート上に設けられた導電体膜をベース基板1の第1面1a側に貼付する方法で導電体膜3を形成することもできる。この場合には、例えば、日東電工株式会社製の透明導電性フィルムLECRYSTA/エレクリスタ登録商標)等を用いると良い。

0022

導電体膜形成ステップの後には、ベース基板1の第1面1a側に設けられた導電体膜3をレーザービームでアブレーション加工し、正負の電極を形成する電極形成ステップを行う。図1(B)は、導電体膜3がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図である。電極形成ステップは、例えば、図1(B)に示すようなレーザー加工装置2を用いて行われる。

0023

レーザー加工装置2は、ベース基板1を吸引、保持するためのチャックテーブル4を備えている。チャックテーブル4は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸周りに回転する。また、チャックテーブル4の下方には、移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブル4は、この移動機構によって加工送り方向(第1水平方向)及び割り出し送り方向(第2水平方向)に移動する。

0024

チャックテーブル4の上面の一部は、ベース基板1を吸引、保持するための保持面4aになっている。保持面4aは、チャックテーブル4の内部に形成された吸引路(不図示)等を介して吸引源(不図示)に接続されている。吸引源の負圧を保持面4aに作用させることで、ベース基板1は、チャックテーブル4に吸引、保持される。

0025

チャックテーブル4の上方には、レーザー照射ユニット6が配置されている。レーザー照射ユニット6は、レーザー発振器(不図示)でパルス発振されたレーザービーム6aを所定の位置に照射集光する。レーザー発振器は、ベース基板1に対して透過性を有し、導電体膜3をアブレーション加工できる波長のレーザービーム6aをパルス発振するように構成されている。

0026

電極形成ステップでは、まず、レーザービーム6aが照射される照射予定ライン(不図示)を導電体膜3に設定する。この照射予定ラインは、導電体膜3を2以上に分離する形状に設定される必要がある。ただし、照射予定ラインを設定するタイミングは任意で良い。少なくとも、導電体膜3に対してレーザービーム6aを照射する前に照射予定ラインが設定されれば良い。

0027

次に、ベース基板1の第2面1b側をチャックテーブル4の保持面4aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ベース基板1は、第1面1a側に設けられている導電体膜3が上方に露出した状態でチャックテーブル4に保持される。その後、チャックテーブル4を回転、移動させて、ベース基板1とレーザー照射ユニット6との位置関係を調整する。

0028

そして、照射予定ライン(不図示)に沿ってレーザービーム6aが照射されるように、レーザー照射ユニット6から導電体膜3に向けてレーザービーム6aを照射しながらチャックテーブル4を移動させる。これにより、アブレーション加工によって導電体膜3の一部を除去し、照射予定ラインに沿う絶縁領域3aを形成できる。

0029

なお、本実施形態では、ベース基板1に対して透過性を有する波長のレーザービーム6aを導電体膜3に照射する。より具体的には、例えば、波長が500nm以上のレーザービーム6aを、0.44J/cm2以上の条件で導電体膜3に照射することが望ましい。これにより、ベース基板1の変質を抑制しながら、導電体膜3の一部を除去して絶縁領域3aを形成できる。

0030

照射予定ラインの全てに絶縁領域3aが形成されると、導電体膜3は、この絶縁領域3aによって正の電極パターン(正の電極)3b(図1(C)等参照)と負の電極パターン(負の電極)3c(図1(C)等参照)とに分離される。すなわち、ベース基板1の第1面1a側には、正の電極パターン3bと負の電極パターン3cとが形成される。これにより、ベース基板1の第1面1a側に正の電極パターン3bと負の電極パターン3cとを有する静電チャックプレート5(図1(C)等参照)が完成する。

0031

上述のように、本実施形態では、導電体膜3の照射予定ラインに沿ってレーザービーム6aを照射するだけで良いので、マスクが必要なウェットエッチング等の方法に比べて加工に要する時間を短縮し易い。また、ウェットエッチング等のようにマスクを形成しなくて良いので、正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cの形成にかかるコストを低く抑えられる。

0032

図1(C)は、静電チャックプレート5の構造を模式的に示す断面図であり、図2は、静電チャックプレート5の構造を模式的に示す平面図である。図1(C)及び図2に示すように、正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cの形状は、例えば、正の電極と負の電極とを互い違いに整列させてなる一対の櫛歯状にすると良い。

0033

このような櫛歯状の電極では、正の電極と負の電極とが高い密度で配置されるので、例えば、電極と被加工物11との間に作用するグラジエント力等と呼ばれる静電気の力も強くなる。つまり、被加工物11を強い力で吸着、保持できるようになる。また、正の電極及び負の電極への給電を停止した後にも、強い吸着力を維持できるようになる。

0034

ただし、正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cの形状、大きさ等に特段の制限はない。例えば、正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cを曲線や円等で構成することもできる。なお、図2に示すように、絶縁領域3aが形成される照射予定ラインを一筆書きできる形状に設定することで、加工に要する時間を更に短縮できる。

0035

このように、本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法では、レーザービーム6aで導電体膜3をアブレーション加工し、正の電極パターン(正の電極)3b及び負の電極パターン(負の電極)3cを形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cを形成できる。

0036

このようにして製造された静電チャックプレート5は、被加工物11を吸着、保持するための各種の装置に組み込んで使用される。図3は、静電チャックプレート5が使用されたフレームユニット12の構造を模式的に示す斜視図であり、図4は、静電チャックプレート5が使用されたフレームユニット12の構造を模式的に示す断面図である。

0037

図3及び図4に示すように、フレームユニット12は、アルミニウム等の材料でなる環状のフレーム14を備えている。フレーム14の中央部分には、このフレーム14を第1面14aから第2面14bに貫通する開口14cが形成されている。開口14cの形状は、例えば、第1面14a側(又は第2面14b側)から見て概ね円形である。なお、フレーム14の材質、形状、大きさ等に特段の制限はない。

0038

フレーム14の第2面14bには、ポリエチレン(PE)やポリエチレンテレフタラート(PET)等の材料でなるフィルム状のベースシート16が、開口14cを覆うように固定されている。具体的には、円形のベースシート16の第1面16a側の外周部分が、フレーム14の第2面14bに貼付されている。

0039

ベースシート16は、例えば、被加工物11を保護できる程度の柔軟性と、後述する静電気の力を阻害しない程度の絶縁性とを有している。ただし、ベースシート16の材質、形状、厚さ、大きさ等に特段の制限はない。被加工物11は、このベースシート16の第1面16a側で保持される。一方で、ベースシート16の第2面16b側の中央部分には、上述した静電チャックプレート5が設けられている。

0040

静電チャックプレート5は、例えば、接着力のあるカバーシート18によって、導電体膜3(正の電極パターン3b及び負の電極パターン3c)側がベースシート16の第2面16b側に密着する態様で固定される。この場合には、ベース基板1の第2面1b側をベースシート16の第2面16b側に密着させる場合に比べて、導電体膜3から発生する電界を第1面16a側の被加工物11に効率よく作用させることができる。

0041

カバーシート18は、例えば、ベースシート16と同様の材料で形成される円形の基材シートと、基材シートの一方の面に設けられる接着剤層糊層)とを含む。ここで、カバーシート18(基材シート)の直径は、静電チャックプレート5(ベース基板1)の直径よりも大きい。ただし、カバーシート18の材質、形状、厚さ、大きさ、構造等に特段の制限はない。

0042

ベースシート16の第2面16b側には、正の電極パターン3bに接続される第1配線20aと、負の電極パターン3cに接続される第2配線20bとが配置されている。図3に示すように、フレーム14の第1面14a側には、給電ユニット22が設けられており、第1配線20a及び第2配線20bは、例えば、フレーム4を回り込むようにして給電ユニット22に接続される。

0043

給電ユニット22は、上述した正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cへの給電に使用される電池24を収容するための電池ホルダ22aを備えている。また、電池ホルダ22aに隣接する位置には、正の電極パターン3a及び負の電極パターン3bへの給電と非給電とを切り替えるためのスイッチ22bが設けられている。

0044

例えば、スイッチ22bを導通状態オン状態)にすると、電池ホルダ22aに収容されている電池24の電力が、第1配線20a及び第2配線20bを介して正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cへと供給される。一方で、スイッチ22bを非導通状態オフ状態)にすると、正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cへの給電は停止する。

0045

なお、図3及び図4では、給電ユニット22をフレーム14の第1面14a側に配置しているが、給電ユニット22の配置等に特段の制限はない。少なくとも、この給電ユニット22は、フレームユニット12を使用(すなわち、被加工物11を吸着、保持)する際に邪魔にならない位置に配置されていれば良い。例えば、フレーム14の開口14c内に給電ユニット22を配置することもできる。また、電池24は、ボタン型電池コイン型電池)のような一次電池でも良いし、充電により繰り返し使用可能な2次電池でも良い。

0046

図5は、フレームユニット12に被加工物11を吸着させる様子を模式的に示す斜視図である。被加工物11は、例えば、シリコン(Si)等の材料でなる円盤状のウェーハである。この被加工物11の表面11a側は、格子状に設定された分割予定ラインストリート)13で複数の領域に区画されており、各領域には、IC(IntegratedCircuit)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等のデバイス15が形成されている。

0047

ただし、被加工物11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる被加工物11をフレームユニット12で吸着、保持することもできる。同様に、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。

0048

フレームユニット12に被加工物11を吸着させる際には、まず、被加工物11の裏面11b側とベースシート16の第1面16a側とが接触するように、被加工物11をベースシート16に載せる。より具体的には、被加工物11をベースシート16の静電チャックプレート5に対応する領域(中央部分)に載せる。次に、給電ユニット22のスイッチ22bを導通状態にして、電池24の電力を正の電極パターン3bと負の電極パターン3cとに供給する。

0049

これにより、正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cの周りに電界が発生し、その効果として、被加工物11と導電体膜3との間に静電気の力が作用する。この静電気の力により、被加工物11は、フレームユニット12に吸着、保持される。なお、被加工物11と導電体膜3との間に作用する静電気の力には、クーロン力ジョンソンラーベック力、グラジエント力等がある。

0050

なお、本発明は、上記実施形態等の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、金属酸化物を含む導電体膜3をベース基板1に設けた後に、この導電体膜3をレーザービーム6aでアブレーション加工しているが、別の手順で静電チャックプレート5を製造することもできる。

0051

図6(A)は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で導電体膜3がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図である。変形例に係る静電チャックプレートの製造方法では、まず、金属酸化物を含む導電体膜3が設けられた樹脂シート7を準備する樹脂シート準備ステップを行う。

0052

樹脂シート7は、例えば、可視域の光に対して透明なポリエチレンテレフタラート(PET)等の樹脂材で形成されており、その第1面7a側には、金属酸化物を含む導電体膜3が設けられている。このような導電体膜3付きの樹脂シート7としては、例えば、日東電工株式会社製の透明導電性フィルムELECRYSTA/エレクリスタ(登録商標)等を用いることができる。

0053

樹脂シート準備ステップの後には、樹脂シート7の第1面7a側に設けられた導電体膜3をレーザービーム6aでアブレーション加工し、正負の電極を形成する電極形成ステップを行う。電極形成ステップは、例えば、レーザー加工装置2を用いて行われる。この変形例で使用されるレーザー加工装置2の構成の大部分は、上記実施形態で使用されるレーザー加工装置2と同じだが、そのレーザー発振器は、樹脂シート7に対して透過性を有し、導電体膜3をアブレーション加工できる波長のレーザービーム6aをパルス発振するように構成される。

0054

変形例に係る電極形成ステップでは、まず、レーザービーム6aが照射される照射予定ライン(不図示)を導電体膜3に設定する。この照射予定ラインは、導電体膜3を2以上に分離する形状に設定される必要がある。ただし、照射予定ラインを設定するタイミングは任意で良い。少なくとも、導電体膜3に対してレーザービーム6aを照射する前に照射予定ラインが設定されれば良い。

0055

次に、樹脂シート7の第2面7b側をチャックテーブル4の保持面4aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、樹脂シート7は、第1面7a側に設けられている導電体膜3が上方に露出した状態でチャックテーブル4に保持される。次に、チャックテーブル4を回転、移動させて、樹脂シート7とレーザー照射ユニット6との位置関係を調整する。

0056

そして、導電体膜3に設定される照射予定ライン(不図示)に沿ってレーザービーム6aが照射されるように、レーザー照射ユニット6から導電体膜3に向けてレーザービーム6aを照射しながらチャックテーブル4を移動させる。これにより、アブレーション加工によって導電体膜3の一部を除去し、照射予定ラインに沿う絶縁領域3aを形成できる。

0057

なお、この変形例では、樹脂シート7に対して透過性を有する波長のレーザービーム6aを導電体膜3に照射する。より具体的には、例えば、波長が1000nm以上のレーザービーム6aを、0.44J/cm2以上8.84J/cm2未満の条件で導電体膜3に照射することが望ましい。これにより、紫外域(波長:360nm未満)のレーザービームを用いる場合のように樹脂シート7を変質、損傷させることなく、導電体膜3の一部を除去して絶縁領域3aを形成できる。

0058

照射予定ラインの全体に絶縁領域3aが形成されると、導電体膜3は、この絶縁領域3aによって正の電極パターン(正の電極)3bと負の電極パターン(負の電極)3cとに分離される。すなわち、樹脂シート7の第1面7a側に、正の電極パターン3bと負の電極パターン3cとが形成される。

0059

電極形成ステップの後には、ベース基板1の第1面(絶縁面)1a側に正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cを移設する電極移設ステップを行う。この電極移設ステップでは、例えば、樹脂シート7上の正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cをベース基板1の第1面1a側に貼付してから、樹脂シート7を剥離する。

0060

図6(B)は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でベース基板1に貼付された正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cから樹脂シート7が剥離される様子を模式的に示す断面図である。図6(B)に示すように、正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cは、接着剤9を用いてベース基板1の第1面1a側に貼付される。なお、ベース基板1は、上記実施形態で使用されるベース基板1と同じで良い。

0061

接着剤9を用いてベース基板1の第1面1a側に正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cを貼付した後には、この正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cから樹脂シート7を剥離する。これにより、ベース基板1の第1面1a側に正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cが移設され、静電チャックプレート5aが完成する。図6(C)は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で製造された静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。

0062

このように、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でも、レーザービーム6aで導電体膜3をアブレーション加工し、正の電極パターン(正の電極)3b及び負の電極パターン(負の電極)3cを形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正の電極パターン3b及び負の電極パターン3cを形成できる。

0063

その他、上記実施形態や変形例等に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

0064

1ベース基板
1a 第1面(絶縁面)
1b 第2面
3導電体膜
3a絶縁領域
3b 正の電極パターン(正の電極)
3c 負の電極パターン(負の電極)
5,5a静電チャックプレート
7樹脂シート
7a 第1面
7b 第2面
9接着剤
2レーザー加工装置
4チャックテーブル
4a 保持面
6レーザー照射ユニット
6aレーザービーム
12フレームユニット
14フレーム
14a 第1面
14b 第2面
14c 開口
16ベースシート
16a 第1面
16b 第2面
18カバーシート
20a 第1配線
20b 第2配線
22給電ユニット
22a電池ホルダ
22b スイッチ
24 電池

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