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技術 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法

出願人 株式会社ブイ・テクノロジー
発明者 梶山康一水村通伸
出願日 2017年7月10日 (2年2ヶ月経過) 出願番号 2017-134579
公開日 2019年1月31日 (7ヶ月経過) 公開番号 2019-016734
状態 未査定
技術分野 薄膜トランジスタ エレクトロルミネッセンス光源 要素組合せによる可変情報用表示装置2
主要キーワード 略十字形状 プラスティック基板 千鳥配置 TTF 網掛け表示 レーザーアニール処理 準備工程 緩衝層
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (13)

課題

折り曲げ巻回等の外力に対するTFTの耐久性を向上させながら、基板割れ欠けを防ぐことができる。

解決手段

可撓性基板20には、薄膜トランジスタが設けられた第1面と反対側の第2面に凹部23が形成され、凹部23は、第1面と略直交する第1方向から見て、薄膜トランジスタと重ならない位置に配置される。

概要

背景

特許文献1には、フレキシブルディスプレイを駆動するための薄膜トランジスタアレイ基板であって、プラスティック基板応力緩和する島状の緩衝層を形成し、その上部にTFTを形成することにより、半導体材料を問わず高い湾曲耐性を確保する薄膜トランジスタアレイ基板が開示されている。

概要

折り曲げ巻回等の外力に対するTFTの耐久性を向上させながら、基板割れ欠けを防ぐことができる。可撓性基板20には、薄膜トランジスタが設けられた第1面と反対側の第2面に凹部23が形成され、凹部23は、第1面と略直交する第1方向から見て、薄膜トランジスタと重ならない位置に配置される。

目的

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、折り曲げ、巻回等の外力に対する薄膜トランジスタ(TFT)の耐久性を向上させながら、基板の割れや欠けを防ぐことができる薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
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牽制数
0件

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請求項1

可撓性基板と、前記可撓性基板の第1面に設けられた薄膜トランジスタと、を備え、前記可撓性基板には、前記第1面と反対側の第2面に凹部が形成され、前記凹部は、前記第1面と略直交する第1方向から見て、前記薄膜トランジスタと重ならない位置に配置されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板

請求項2

前記薄膜トランジスタは、前記第1面に沿った第2方向に略沿って複数設けられ、前記凹部は、前記第2方向に略沿って帯状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。

請求項3

前記凹部は、前記第1方向に沿った面、かつ前記第2方向と略直交する面で切断したときに、前記第1面側が前記第2面側よりも短い略矩形形状であることを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタ基板。

請求項4

前記可撓性基板は、前記第1方向から見たときに、前記薄膜トランジスタと重なる部分の厚さが前記凹部が形成された部分の厚さの倍以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ基板。

請求項5

前記可撓性基板は、前記第2面と前記凹部との境界部分及び前記凹部の底面端部に円弧形状が形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ基板。

請求項6

支持基板の第1面に凹部及び凸部を形成する第1工程と、前記凹部及び前記凸部を覆うように前記第1面に樹脂を塗布して可撓性基板を形成する第2工程と、前記可撓性基板の前記支持基板が設けられた面と反対側の面である第2面の、前記第1工程において前記凸部が形成されていない領域に薄膜トランジスタを形成する第3工程と、前記可撓性基板を前記支持基板から剥離する第4工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。

請求項7

前記第1工程において、前記凸部を帯状に形成し、前記第3工程において、前記凸部の長手方向に略沿って複数の前記薄膜トランジスタを形成することを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。

請求項8

前記第1工程において、前記凹部及び前記凸部の角部に円弧形状を形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。

請求項9

前記第1工程において、前記第1面にアライメントマークを形成し、前記第3工程において、前記アライメントマークに基づいて前記薄膜トランジスタを形成することを特徴とする請求項6から8のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。

請求項10

前記第2工程において、前記第2面にアライメントマークを形成し、前記第3工程において、前記アライメントマークに基づいて前記薄膜トランジスタを形成することを特徴とする請求項6から8のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。

背景技術

0002

特許文献1には、フレキシブルディスプレイを駆動するための薄膜トランジスタアレイ基板であって、プラスティック基板応力緩和する島状の緩衝層を形成し、その上部にTFTを形成することにより、半導体材料を問わず高い湾曲耐性を確保する薄膜トランジスタアレイ基板が開示されている。

先行技術

0003

特開2014−138179号公報

発明が解決しようとする課題

0004

特許文献1に記載の発明は、プラスティック基板と緩衝層との材質が異なるため、温度変化等により薄膜トランジスタアレイ基板に内部応力が発生する可能性がある。また、プラスティック基板に緩衝層を設けるため、薄膜トランジスタアレイ基板を曲げるときにプラスティック基板と緩衝層との境界部分に力が加わりやすい。その結果、プラスティック基板から緩衝層が剥がれ、薄膜トランジスタアレイ基板に割れ欠けが生じるおそれがある。

0005

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、折り曲げ、巻回等の外力に対する薄膜トランジスタ(TFT)の耐久性を向上させながら、基板の割れや欠けを防ぐことができる薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

上記課題を解決するために、本発明に係る薄膜トランジスタ基板は、例えば、可撓性基板と、前記可撓性基板の第1面に設けられた薄膜トランジスタと、を備え、前記可撓性基板には、前記第1面と反対側の第2面に凹部が形成され、前記凹部は、前記第1面と略直交する第1方向から見て、前記薄膜トランジスタと重ならない位置に配置されることを特徴とする。

0007

本発明に係る薄膜トランジスタ基板によれば、可撓性基板の薄膜トランジスタと重ならない位置に凹部が形成される。そのため、TFTと重ならない位置における可撓性基板の厚さは、TTFと重なる位置における可撓性基板の厚さより薄い。したがって、可撓性基板の厚さの薄い部分が先に湾曲し、TFTと重なる位置の可撓性基板の変形が抑えられる。これにより、折り曲げ、巻回等の外力に対するTFTの耐久性を向上させることができる。また、凹部を形成することで可撓性基板の一部を変形しやすくするため、内部応力や熱膨張率差異による基板の割れや欠けを防ぐことができる。

0008

ここで、前記薄膜トランジスタは、前記第1面に沿った第2方向に略沿って複数設けられ、前記凹部は、前記第2方向に略沿って帯状に形成されてもよい。これにより、凹部の延設方向と略直交する方向への薄膜トランジスタ基板の巻き取りが容易となる。また、薄膜トランジスタ基板1が凹部の延設方向に湾曲し難くなり、TFTに力が加わることを抑制できる。

0009

ここで、前記凹部は、前記第1方向に沿った面、かつ前記第2方向と略直交する面で切断したときに、前記第1面側が前記第2面側よりも短い略矩形形状であってもよい。これにより、薄膜トランジスタ基板を変形させたときに、凹部の対向する壁面が当接し難くなり、塵埃の発生が抑制される。

0010

ここで、前記可撓性基板は、前記第1方向から見たときに、前記薄膜トランジスタと重なる部分の厚さが前記凹部が形成された部分の厚さの倍以上であってもよい。これにより、凹部が形成された部分が変形しやすくなり、TFTに力が加わることを抑制できる。

0011

ここで、前記可撓性基板は、前記第2面と前記凹部との境界部分及び前記凹部の底面端部に円弧形状が形成されてもよい。これにより、薄膜トランジスタ基板を巻回したとき等にエッジで薄膜トランジスタ基板を削らないようにし、塵埃の発生を防止することができる。

0012

上記課題を解決するために、本発明に係る薄膜トランジスタ基板の製造方法は、例えば、支持基板の第1面に凹部及び凸部を形成する第1工程と、前記凹部及び前記凸部を覆うように前記第1面に樹脂を塗布して可撓性基板を形成する第2工程と、前記可撓性基板の前記支持基板が設けられた面と反対側の面である第2面の、前記第1工程において前記凸部が形成されていない領域に薄膜トランジスタを形成する第3工程と、前記可撓性基板を前記支持基板から剥離する第4工程と、を含むことを特徴とする。

0013

本発明に係る薄膜トランジスタ基板の製造方法によれば、支持基板の第1面に凹部及び凸部を形成し、凹部及び凸部を覆うように第1面に樹脂を塗布して可撓性基板を形成する。これにより、追加で加工を行なうことなく、可撓性基板に凹部を形成することができる。また、可撓性基板の凹部の形状を、第1面側が第2面側よりも短い略矩形形状にすることが容易となる。

0014

ここで、前記第1工程において、前記凸部を帯状に形成し、前記第3工程において、前記凸部の長手方向に略沿って複数の前記薄膜トランジスタを形成してもよい。これにより、可撓性基板の凹部を帯状にし、可撓性基板の凹部と重ならない位置にTFTを形成することができる。

0015

ここで、前記第1工程において、前記凹部及び前記凸部の角部に円弧形状を形成してもよい。これにより、追加で加工を行なうことなく、可撓性基板の凹部に円弧形状を形成することができる。

0016

ここで、前記第1工程において、前記第1面にアライメントマークを形成し、前記第3工程において、前記アライメントマークに基づいて前記薄膜トランジスタを形成してもよい。これにより、TFTの形成時に、凸部及び凹部の位置、すなわちTFTを形成すべき位置が把握可能となる。

0017

ここで、前記第2工程において、前記第2面にアライメントマークを形成し、前記第3工程において、前記アライメントマークに基づいて前記薄膜トランジスタを形成してもよい。これにより、TFTの形成時に、凸部及び凹部の位置、すなわちTFTを形成すべき位置が把握可能となる。

発明の効果

0018

本発明によれば、折り曲げ、巻回等の外力に対するTFTの耐久性を向上させながら、基板の割れや欠けを防ぐことができる。

図面の簡単な説明

0019

第1の実施の形態に係る薄膜トランジスタ基板1の概略を示す斜視図である。
(A)は、薄膜トランジスタ基板1におけるサブピクセル10の配置を説明する図であり、(B)は(A)の部分拡大図である。
薄膜トランジスタ基板1を模式的に示す断面図である。
薄膜トランジスタ基板1を湾曲させたときの様子を模式的に示す図である。
薄膜トランジスタ基板1における薄肉部24の配置を説明する図であり、(A)は可撓性基板20の概略を示す側面図であり、(B)は可撓性基板20の概略を示す正面図である。
薄膜トランジスタ基板1の製造方法の流れについて説明するフローチャートである。
製造過程における薄膜トランジスタ基板1の様子を模式的に示す図である。
製造過程における薄膜トランジスタ基板1の様子を模式的に示す図である。
製造過程における薄膜トランジスタ基板1の様子を模式的に示す図である。
製造過程における薄膜トランジスタ基板1の様子を模式的に示す図である。
製造過程における薄膜トランジスタ基板1の様子を模式的に示す図である。
製造過程における薄膜トランジスタ基板1の様子を模式的に示す図である。

実施例

0020

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明にかかる薄膜トランジスタ基板は、巻回や折り曲げが可能なフレキシブルディスプレイに用いられる基板であり、フレキシブルディスプレイを駆動するものである。フレキシブルディスプレイには液晶有機ELを用いることができるが、以下有機ELを用いたフレキシブルディスプレイを例に説明する。

0021

図1は、第1の実施の形態に係る薄膜トランジスタ基板1の概略を示す斜視図である。薄膜トランジスタ基板1はシート状であり、薄膜トランジスタ基板1には複数のサブピクセル10が形成されている。サブピクセル10は、薄膜トランジスタ基板1の面方向(x方向及びy方向)に略沿って複数設けられる。なお、図1に示すサブピクセル10の位置及び配置は一例であり、これに限定されるものではない。

0022

フレキシブルディスプレイ(図示省略)のピクセルは、3つのサブピクセル10で構成される。この3つのサブピクセルは、それぞれ赤、青、緑を発光する有機EL素子層(図示せず)を有する。

0023

図2(A)は、薄膜トランジスタ基板1におけるサブピクセル10の配置を説明する図であり、図2(B)は(A)の部分拡大図である。

0024

サブピクセル10は、x方向及びy方向に略沿って格子状に配置される。サブピクセル10は、主として、画素電極11と、薄膜トランジスタ(TFT)12、13と、保持容量14と、を有する。また、サブピクセル10の内部及び隣接するサブピクセル10の間には、配線15、16、17が形成される。なお、図2に示すサブピクセル10の構成及び配置は一例であり、これに限定されるものではない。

0025

図3は、薄膜トランジスタ基板1を模式的に示す断面図である。薄膜トランジスタ基板1は、可撓性基板(フレキシブル基板)20を有する。可撓性基板20は、例えば、エネルギーの供給により硬化する樹脂、例えば、光硬化性樹脂熱硬化性樹脂等により形成される。本実施の形態では、可撓性基板20にポリイミド樹脂を用いる。

0026

可撓性基板20の表面21には、図示しない配線と電気的に接続されたTFT12、13が設けられる。なお、図3では、サブピクセル10が有するTFT12、13のうちTFT12のみを図示し、TFT13については図示を省略する。

0027

可撓性基板20の裏面22には、複数の凹部23が形成される。凹部23は、x方向及びz方向(x方向及びy方向と略直交する方向)に沿った面で切断したときに、表面21側が裏面22側よりも短い略矩形形状である。裏面22と凹部23との境界部分及び凹部23の底面端部には、それぞれ円弧形状23a、23bが形成される。

0028

可撓性基板20には、凹部23が形成されることにより、厚肉部25に比べて厚さが薄い薄肉部24が形成される。厚肉部25の厚さt2は、薄肉部24の厚さt1の倍以上である。凹部23は、z方向から見て、TFT12と重ならない位置に配置される。

0029

図4は、薄膜トランジスタ基板1を湾曲させたときの様子を模式的に示す図である。薄膜トランジスタ基板1を湾曲させると、薄肉部24が先に湾曲し、厚肉部25の湾曲が抑えられる。また、薄膜トランジスタ基板1を湾曲させると、薄肉部24が大きく変形し、厚肉部25の変形が抑えられる。その結果、厚肉部25の上側に設けられたTFT12に力が加わることを抑制できる。

0030

また、円弧形状23bが形成されるため、薄膜トランジスタ基板1が湾曲したときに、凹部23の角部に力が集中して可撓性基板20にクラック等が入ることを防止できる。さらに、円弧形状23aが形成されるため、薄膜トランジスタ基板1を巻回したときに、エッジによりフレキシブルディスプレイの表面(図示省略)が削れて塵埃が発生することを防止できる。

0031

なお、図4では、隣接するTFT12の間隔が大きくなる方向に薄膜トランジスタ基板1を湾曲させたときの様子を示したが、隣接するTFT12の間隔が小さくなる方向に薄膜トランジスタ基板1を湾曲させることも可能である。

0032

図5は、薄膜トランジスタ基板1における凹部23の配置を説明する図であり、(A)は可撓性基板20の概略を示す側面図であり、(B)は可撓性基板20の概略を示す正面図である。図5(B)では、サブピクセル10が形成される位置を二点鎖線で示す。また、図5(B)では、凹部23の位置を網掛け表示している。

0033

TFT12、13は、y方向に略沿って配置されている。凹部23は、TFT12、13と重ならない位置に、y方向に略沿って帯状に形成される。この結果、可撓性基板20(すなわち薄膜トランジスタ基板1)は、凹部23の延設方向と略直交する方向、すなわちx方向(図4矢印参照)に巻き取り可能となる。また、凹部23、すなわち厚肉部25がy方向に略沿って帯状に形成されることで、薄膜トランジスタ基板1がy方向に湾曲し難くなり、TFT12、13に力が加わることを抑制できる。

0034

次に、本実施の形態にかかる薄膜トランジスタ基板1の製造方法について説明する。図6は、薄膜トランジスタ基板1の製造方法の流れについて説明するフローチャートである。図7〜12は、製造過程における薄膜トランジスタ基板1の様子を模式的に示す図である。図7、9〜12は、xz平面に沿った面における断面図であり、一部を拡大表示した図である。図8は、平面図である。

0035

キャリアガラス準備工程:ステップS1>
薄膜トランジスタ基板1の製造に当たり、支持基板を準備する。本実施の形態では、支持基板としてキャリアガラス50を用いる。

0036

図7に示すように、キャリアガラス50の上面に凸部51と凹部52とを形成する。凸部51と凹部52とを形成する方法は、キャリアガラス50に印刷を行って凸部51を形成する方法、キャリアガラス50の上面をエッチング等で削って凹部52を形成する方法等が考えられる。印刷は、キャリアガラス50に樹脂を塗布することによって行なわれる。

0037

本実施の形態では、キャリアガラス50の上面に凸部51を印刷することで、キャリアガラス50の上面に凹凸を形成する。キャリアガラス50の上面のうち、印刷が行なわれていない部分が凹部52となる。凸部51は、角部が円弧形状51a、51bとなるように形成される。

0038

図8に示すように、凸部51は、y方向に略沿って帯状に形成される。また、キャリアガラス50に凸部51を印刷するときに、キャリアガラス50の上面にアライメントマーク53を印刷する。本実施の形態では、アライメントマーク53は略十字形状であるが、アライメントマーク53の形状はこれに限られない。また、アライメントマーク53の位置もこれに限られない。

0039

<可撓性基板形成工程:ステップS2>
図9に示すように、凸部51及び凹部52を覆うように、キャリアガラス50の上面(+z側の面)に可撓性基板20となる樹脂を塗布し、可撓性基板20を形成する。本実施の形態では、まずキャリアガラス50の上面に粘着層55となる樹脂を塗布し、その上に可撓性基板20となる樹脂(ここではポリイミド樹脂)を塗布する。

0040

粘着層55は、製造後にキャリアガラス50から可撓性基板20を剥離しやすくするためのものであり、様々な樹脂材料を用いることができる。なお、粘着層55は、必須ではない。

0041

粘着層55となる樹脂やポリイミド樹脂は、溶液状のものを用いる。キャリアガラス50上に溶液状の樹脂を塗布する工程は、例えば、スピンコート法等のコーティング法や、スクリーン印刷等の印刷法を用いて行うことができる。塗布後、粘着層55や可撓性基板20を硬化させる。硬化の方法は樹脂によって異なる(光硬化熱硬化等)が、ポリイミド樹脂は光硬化性樹脂であるため、本実施の形態では光を照射してポリイミド樹脂を硬化させる。これにより、キャリアガラス50に可撓性基板20が形成される。

0042

キャリアガラス50の上面には凸部51と凹部52とが形成されているため、表面(キャリアガラス50と反対側の面)が平坦になるようにポリイミド樹脂を塗布、硬化することで、可撓性基板20の裏面に凹凸が形成される。凸部51の部分が凹部23となり、凸部51の上側に塗布された部分が薄肉部24となる。また、凹部52の上側に塗布された部分が厚肉部25となる。

0043

また、凸部51の角部に円弧形状51a、51bが形成されているため、凹部23に円弧形状23a、23bが形成される。

0044

<TFT形成工程:ステップS3>
可撓性基板20の上側にTFT12、13を形成する。なお、可撓性基板20の上側に下地層を形成し、TFTを下地層の上に形成してもよい。TFT形成工程(ステップS3)は既に公知の技術を用いることができるため、各工程の詳細は省略する。

0045

まず、可撓性基板20の上側にゲート電極61を成膜し、その上からゲート絶縁層62を形成する(図6のステップS31、S32、図10参照)。このとき、一部の配線(電源ライン選択ライン)を形成してもよい。

0046

その後、ゲート絶縁層62の上にa−Si層を形成し、a−Si層にレーザ光を照射することによって脱水素処理を行うとともに、非晶質シリコン結晶化すること(レーザーアニール処理)によって多結晶シリコン(p−Si)層63を得る(図6のステップS33、図10参照)。その上に、ソース電極64、ドレイン電極65を形成する(図6のステップS34、図11参照)。このとき、一部の配線(データライン)を形成してもよい。

0047

次に、TFT保護層66を成膜し(図6のステップS35、図12参照)、その上にITO膜透明電極膜)67を成膜する(図6のステップS36、図12参照)。TFT保護層66には、有機樹脂を用いることができる。TFT保護層66には凹部66aが形成され、ITO膜67がドレイン電極65と当接する。その後、凹部66aにより形成された空間にアクリル樹脂68を注入する(図6のステップS37、図12参照)

0048

これにより、TFT形成工程(ステップS3)が終了する。TFT形成工程(ステップS3)においては、キャリアガラス準備工程(ステップS1)において凸部51が形成されていない領域に、凸部51の長手方向(y方向)に略沿って複数のTFTを形成する。

0049

TFT形成工程(ステップS3)においては、キャリアガラス準備工程(ステップS1)で形成したアライメントマーク53に基づいてTFTを形成する。アライメントマーク53の位置に対する凸部51の位置は予め分かっているため、凸部51の位置が見えなくても、アライメントマーク53を参照することでTFTをどの位置に形成すればよいか明らかになる。

0050

以上の工程により薄膜トランジスタ基板1が形成される。薄膜トランジスタ基板1の形成後、有機ELを成膜し、封止した後、可撓性基板20をキャリアガラス50から剥離する。

0051

なお、本実施の形態では、キャリアガラス準備工程(ステップS1)においてアライメントマーク53を形成したが、キャリアガラス準備工程(ステップS1)ではアライメントマーク53を形成せず、可撓性基板形成工程(ステップS2)において可撓性基板20を形成後、可撓性基板20のキャリアガラス50が設けられた面と反対側の面(+z側の面)にアライメントマークを形成してもよい。この場合には、TFT形成工程(ステップS3)においてアライメントマークが確認しやすく、したがってアライメントマークに基づいてTFTを形成しやすいという利点がある。

0052

本実施の形態によれば、可撓性基板20にTFT12、13が形成され、z方向から見てTFT12、13と重ならない位置に凹部23、すなわち薄肉部24が形成されているため、基板の湾曲、巻回等の外力に対するTFTの耐久性を向上させることができる。

0053

また、本実施の形態では、可撓性基板20の厚さを変えることで薄肉部24及び厚肉部25を形成するため、薄膜トランジスタ基板1の変形や温度変化による内部応力の発生を防ぐことができる。例えば、可撓性を低くする部材を可撓性基板20に設けて薄膜トランジスタ基板を形成する場合には、異なる材質の部材を接着する必要があるため、熱膨張率の差異等が原因で内部応力が発生し、薄膜トランジスタ基板に割れや欠けが発生するおそれがある。また、部材毎に熱膨張率が異なることで、薄膜トランジスタ基板に皺が発生したり変形したりするおそれがある。それに対し、本実施の形態では、可撓性基板20に1つの材料のみを用いるため、このような不具合を防ぐ事ができる。

0054

また、本実施の形態によれば、凹部23をy方向に略沿って帯状に形成することで、薄膜トランジスタ基板1のx方向への巻回、折り曲げ等の変形が容易となり、フレキシブルディスプレイとしての使い勝手を向上させることができる。また、厚肉部25の厚さt2が薄肉部24の厚さt1の倍以上であるため、厚肉部25の変形、すなわちTFT12、13に力が加わることを抑制できる。

0055

また、本実施の形態によれば、薄肉部24及び厚肉部25の角部に円弧形状23a、23bが形成されるため、薄膜トランジスタ基板1を巻回等したときにエッジで薄膜トランジスタ基板1を削ることがない。また、x方向及びz方向に沿った面で切断したときに、凹部23の表面21側が裏面22側よりも短いため、薄膜トランジスタ基板1をx方向に略沿って変形させたときに、凹部23の対向する壁面が当接し難くなり、塵埃の発生を防ぐ事ができる。

0056

また、本実施の形態によれば、薄膜トランジスタ基板1の製造において、キャリアガラス50の上面に凸部51及び凹部52を形成し(ステップS1)、凸部51及び凹部52を覆うようにキャリアガラス50の上面に可撓性基板20となる樹脂膜を形成する(ステップS2)ため、可撓性基板20に追加で加工を行なうことなく、可撓性基板20に薄肉部24及び厚肉部25を形成することができる。また、このように薄膜トランジスタ基板1を製造する事で、x方向及びz方向に沿った面で切断したときの凹部23の形状を、表面21側が裏面22側よりも短い略矩形形状としたり、薄肉部24及び厚肉部25の角部に円弧形状23a、23bを形成したりすることが容易となる。

0057

また、キャリアガラス50の上面又は可撓性基板20にアライメントマークを形成することで、TFTの形成時に、凸部51及び凹部52の位置、すなわちTFTを形成すべき位置が把握可能となる。

0058

なお、本実施の形態では、ゲート電極61の上側(可撓性基板20の反対側)にソース電極64及びドレイン電極65を形成したボトムゲート型のTFTを形成したが、ソース電極64及びドレイン電極65の上側にゲート電極61を形成したトップゲート型のTFTを形成してもよい。

0059

また、本実施の形態では、薄膜トランジスタ基板1の上に有機ELを設けた例を用いて説明したが、薄膜トランジスタ基板1の上に液晶を設ける場合には一部の工程が不要となる。例えば、可撓性基板20の上側に形成する下地層、特にガスバリア層は不要である。また、TFT保護層66の形状も異なる上、アクリル樹脂68を注入する工程(ステップS37)も不要である。

0060

また、本実施の形態では、薄肉部24及び厚肉部25をy方向に略沿って帯状に形成したが、薄肉部24及び厚肉部25の配置はこれに限られない。例えば、z方向から見て、TFT12、13と重なる位置に略矩形形状の厚肉部25を形成し、厚肉部25をy方向に略沿って隣接して配置することで、厚肉部25を帯状にしてもよい。また、本実施の形態では、TFT12、13をy方向に略沿って設けたが、TFT12、13の配置もこれに限られない。例えば、TFT12、13が千鳥配置されていてもよい。

0061

以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。

0062

また、本発明において、「略」とは、厳密に同一である場合のみでなく、同一性を失わない程度の誤差や変形を含む概念である。例えば、略矩形形状とは、厳密に矩形の場合には限られない。また、例えば、単に「y方向に沿って」と表現する場合において、厳密にy方向に沿っている場合のみでなく、y方向に略沿っている場合、例えばy方向と数度の誤差を含む方向に沿っている場合を含むものとする。

0063

1 :薄膜トランジスタ基板
10 :サブピクセル
11 :画素電極
12、13 :TFT
14 :保持容量
15、16、17:配線
20 :可撓性基板
21 :表面
22 :裏面
23 :凹部
23a、23b :円弧形状
24 :薄肉部
25 :厚肉部
50 :キャリアガラス
51 :凸部
51a、51b :円弧形状
52 :凹部
53 :アライメントマーク
55 :粘着層
61 :ゲート電極
62 :ゲート絶縁層
63 :多結晶シリコン層
64 :ソース電極
65 :ドレイン電極
66 :TFT保護層
66a :凹部
67 :ITO膜
68 :アクリル樹脂

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