図面 (/)

技術 先進CMP及び凹部流れのための間隙充填膜の修正

出願人 アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
発明者 チェン,エリカゴデット,ルドヴィークネマニ,シュリニヴァスディー.イー,エリーワイ.
出願日 2016年9月29日 (5年4ヶ月経過) 出願番号 2018-520451
公開日 2018年10月25日 (3年3ヶ月経過) 公開番号 2018-531518
状態 特許登録済
技術分野 洗浄、機械加工
主要キーワード オープンエリア 間隙充填 ピッチ比 特徴寸法 不活性イオン Siダングリングボンド 化学機械研磨プロセス 金属間誘電体
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2018年10月25日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (11)

課題・解決手段

本明細書で説明される実施態様は、間隙充填材料を生成するための方法に関する。間隙充填材料が堆積した後で、間隙充填材料にCMPプロセスが実行される前に、1以上のイオン注入プロセスが、堆積した間隙充填材料を処理するために使用される。1以上のイオン注入プロセスは、第1のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第1のイオン種注入すること、及びその後に第1のイオンエネルギーよりも小さい第2のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第2のイオン種を注入することを含む。1以上のイオン注入プロセスは、CMPディッシングを最小化し、凹部プロファイルを改良する。

概要

背景

半導体処理では、デバイスが、連続的に減少する特徴寸法によって製造されている。しばしば、これらの先進技術ノードでデバイスを製造するために利用される特徴は、高アスペクト比構造物を含み、絶縁材料などの間隙充填材料を用いて、高アスペクト比の構造物の間の間隙充填することが、しばしば、必要である。絶縁材料が間隙充填の用途に使用される実施例は、浅溝分離(STI)、金属間誘電体層(ILD)、プリメタル誘電体(PMD)、パッシベーション層パターニングの用途などを含む。デバイスの形状寸法縮小し、サーマルバジェットが低減されるので、高アスペクト比の空間のボイドがない充填は、既存の堆積プロセスの制限により次第に困難になる。

間隙充填材料は、流動可能化学気相堆積(FCVD)、スピンオン原子層堆積(ALD)、プラズマ化学気相堆積(PECVD)、又は低圧化学気相堆積(LPCVD)などの、様々な堆積プロセスによって堆積され得る。堆積したままの間隙充填材料は、通常、品質が悪く、高い湿潤エッチング速度比(WERR)及び高い応力によって特徴付けられる。間隙充填材料の品質を改善するために、硬化及び/又はアニーリングなどの後続プロセスが実行される。それでもなお、間隙充填材料は、未だ、化学機械研磨(CMP)プロセスによってもたらされるディシンング、及び平坦でない凹部プロファイルなどの、幾つかの重要な課題に直面する。

したがって、間隙充填材料を生成するための改良されたプロセスが必要である。

概要

本明細書で説明される実施態様は、間隙充填材料を生成するための方法に関する。間隙充填材料が堆積した後で、間隙充填材料にCMPプロセスが実行される前に、1以上のイオン注入プロセスが、堆積した間隙充填材料を処理するために使用される。1以上のイオン注入プロセスは、第1のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第1のイオン種注入すること、及びその後に第1のイオンエネルギーよりも小さい第2のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第2のイオン種を注入することを含む。1以上のイオン注入プロセスは、CMPディッシングを最小化し、凹部プロファイルを改良する。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

間隙充填材料を処理するための方法であって、第1のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内に第1のイオン種注入すること、第2のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内に第2のイオン種を注入することであって、前記第1のイオンエネルギーが前記第2のイオンエネルギーよりも大きい、注入すること、前記第2のイオン種に晒された後で前記間隙充填材料をアニーリングすること、及び前記間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することであって、前記間隙充填材料のディッシングが8nm未満である、実行することを含む、方法。

請求項2

前記第1のイオン種が、シリコンを含む、請求項1に記載の方法。

請求項3

前記第2のイオン種が、ヘリウムを含む、請求項2に記載の方法。

請求項4

前記第1のイオン種と前記第2のイオン種が、同じイオン種を含む、請求項1に記載の方法。

請求項5

前記第1のイオン種が、第1の深さで前記間隙充填材料内に注入される、請求項1に記載の方法。

請求項6

前記第2のイオン種が、第2の深さで前記間隙充填材料内に注入され、前記第2の深さが前記第1の深さよりも浅い、請求項5に記載の方法。

請求項7

間隙充填材料を処理するための方法であって、第1のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内にヘリウムイオン種を注入すること、第2のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内にシリコンイオン種を注入することであって、前記第1のイオンエネルギーが前記第2のイオンエネルギーよりも大きい、注入すること、前記シリコンイオン種に晒された後で前記間隙充填材料をアニーリングすること、及びアニーリングされた前記間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することを含む、方法。

請求項8

前記間隙充填材料をアニーリングすることが、蒸気アニーリングを含む、請求項7に記載の方法。

請求項9

前記ヘリウムイオン種が、摂氏450度よりも高い温度で注入される、請求項7に記載の方法。

請求項10

前記ヘリウムイオン種の注入が、平方センチメートル当たり1×1015から約5×1017原子の用量を有する、請求項7に記載の方法。

請求項11

前記シリコンイオン種の注入が、平方センチメートル当たり1×1015から約5×1017原子の用量を有する、請求項7に記載の方法。

請求項12

間隙充填材料を生成するための方法であって、基板上に間隙充填材料を堆積させること、前記間隙充填材料を処理することであって、第1のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内にヘリウムイオン種を注入することと、第2のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内にシリコンイオン種を注入することであって、前記第1のイオンエネルギーが前記第2のイオンエネルギーよりも大きい、注入することとを含む、処理すること、前記シリコンイオン種に晒された後で前記間隙充填材料をアニーリングして、アニーリングされた間隙充填材料を生成すること、及び前記アニーリングされた間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することを含む、方法。

請求項13

前記ヘリウムイオン種が、第1の深さで前記間隙充填材料内に注入される、請求項12に記載の方法。

請求項14

前記シリコンイオン種が、第2の深さで前記間隙充填材料内に注入され、前記第2の深さが前記第1の深さよりも浅い、請求項13に記載の方法。

請求項15

前記ヘリウムイオン種が、摂氏450度よりも高い温度で注入される、請求項12に記載の方法。

技術分野

0001

本開示の実施態様は、広くは、基板上で間隙充填材料を生成するための方法に関する。特に、本明細書で提供される実施態様は、間隙充填材料を生成するためのプロセスフローに関する。

背景技術

0002

半導体処理では、デバイスが、連続的に減少する特徴寸法によって製造されている。しばしば、これらの先進技術ノードでデバイスを製造するために利用される特徴は、高アスペクト比構造物を含み、絶縁材料などの間隙充填材料を用いて、高アスペクト比の構造物の間の間隙充填することが、しばしば、必要である。絶縁材料が間隙充填の用途に使用される実施例は、浅溝分離(STI)、金属間誘電体層(ILD)、プリメタル誘電体(PMD)、パッシベーション層パターニングの用途などを含む。デバイスの形状寸法縮小し、サーマルバジェットが低減されるので、高アスペクト比の空間のボイドがない充填は、既存の堆積プロセスの制限により次第に困難になる。

0003

間隙充填材料は、流動可能化学気相堆積(FCVD)、スピンオン原子層堆積(ALD)、プラズマ化学気相堆積(PECVD)、又は低圧化学気相堆積(LPCVD)などの、様々な堆積プロセスによって堆積され得る。堆積したままの間隙充填材料は、通常、品質が悪く、高い湿潤エッチング速度比(WERR)及び高い応力によって特徴付けられる。間隙充填材料の品質を改善するために、硬化及び/又はアニーリングなどの後続プロセスが実行される。それでもなお、間隙充填材料は、未だ、化学機械研磨(CMP)プロセスによってもたらされるディシンング、及び平坦でない凹部プロファイルなどの、幾つかの重要な課題に直面する。

0004

したがって、間隙充填材料を生成するための改良されたプロセスが必要である。

0005

本開示の実施態様は、広くは、基板上で間隙充填材料を生成するための方法に関する。一実施態様では、間隙充填材料を処理するための方法が、第1のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第1のイオン種注入すること、第2のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第2のイオン種を注入することであって、第1のイオンエネルギーが第2のイオンエネルギーよりも大きい、注入すること、第2のイオン種に晒された後で間隙充填材料をアニーリングすること、及び、間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することであって、前記間隙充填材料のディッシングが8nm未満である、実行することを含む。

0006

別の一実施態様では、間隙充填材料を処理するための方法が、第1のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内にヘリウムイオン種を注入すること、第2のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内にシリコンイオン種を注入することであって、第1のイオンエネルギーが第2のイオンエネルギーよりも大きい、注入すること、シリコンイオン種に晒された後で間隙充填材料をアニーリングすること、及び、アニーリングされた間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することを含む。

0007

別の一実施態様では、間隙充填材料を生成するための方法が、基板上に間隙充填材料を堆積させること、及び間隙充填材料を処理することを含む。処理することは、第1のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内にヘリウムイオン種を注入すること、及び第2のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内にシリコンイオン種を注入することを含み、第1のイオンエネルギーは、第2のイオンエネルギーよりも大きい。該方法は、シリコンイオン種に晒した後で間隙充填材料をアニーリングして、アニーリングされた間隙充填材料を生成すること、及びアニーリングされた間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することを更に含む。

0008

本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施態様を参照することによって得ることができる。そのうちの幾つかの実施態様は添付の図面で例示されている。しかし、添付図面は例示的な実施態様のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施態様も許容され得ることに留意されたい。

図面の簡単な説明

0009

本明細書で説明される一実施態様による、基板上で間隙充填材料を生成するための方法を示す。
本明細書で説明される一実施態様による、湿潤エッチング速度比へのイオン注入の影響を示すチャートである。
本明細書で説明される一実施態様による、湿潤エッチング速度比へのイオン注入の影響を示すチャートである。
本明細書で説明される一実施態様による、膜応力へのイオン注入の影響を示すチャートである。
本明細書で説明される一実施態様による、膜応力へのイオン注入の影響を示すチャートである。
本明細書で説明される一実施態様による、ディッシングへのイオン注入の影響を示すチャートである。
本明細書で説明される一実施態様による、ディッシングへのイオン注入の影響を示すチャートである。
本明細書で説明される一実施態様による、ディッシングへのイオン注入の影響を示すチャートである。
本明細書で説明される一実施態様による、異なる温度におけるイオン濃度へのイオン注入の影響を示すチャートである。
本明細書で説明される一実施態様による、基板上で間隙充填材料を処理するための方法を示す。

実施例

0010

理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すために同一の参照番号を使用した。1つの実施態様の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施態様に有益に組み込まれることがあると想定されている。

0011

本明細書で説明される実施態様は、間隙充填材料を生成するための方法に関する。間隙充填材料が堆積した後で、間隙充填材料にCMPプロセスが実行される前に、1以上のイオン注入プロセスが、堆積した間隙充填材料を処理するために使用される。1以上のイオン注入プロセスは、第1のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第1のイオン種を注入すること、及びその後に第1のイオンエネルギーよりも小さい第2のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第2のイオン種を注入することを含む。1以上のイオン注入プロセスは、CMPディッシングを最小化し、凹部プロファイルを改良する。

0012

図1は、本明細書で説明される一実施態様による、基板上で間隙充填材料を生成するための方法100を示している。ブロック110では、間隙充填材料が、基板上に堆積する。基板は、一般的に、その上に形成された特徴を有し、1以上の処理チャンバが、基板上の特徴の間に間隙充填材料を堆積させるために使用され得る。間隙充填材料は、FVCD、スピンオン、ALD、PECVD、又はLPCVDなどの、任意の適切なプロセスによって堆積され得る。間隙充填材料は、誘電体材料などの任意の適切な材料であり得る。一実施態様では、複数のフィンが、基板上で間隔を空けて形成され、間隙充填材料、又は浅溝分離(STI)構造物が、基板上のフィンの間に堆積する。STI構造物は、二酸化ケイ素などの絶縁材料によって形成され得る。別の一実施態様では、間隙充填材料が、複数の多結晶シリコンゲートの間に堆積したレベル間誘電体(ILD)層であり、ILD層が、二酸化ケイ素によって形成され得る。

0013

STI構造物又はILD層などの間隙充填材料は、堆積プロセスに続いて硬化されて、湿気残留有機物を除去し、材料を硬くして材料の密度を高める。硬化は、通常、摂氏約100度以下の温度の低温プロセスを使用して実行される。そのようなプロセスには、誘導結合プラズマ紫外線、オゾン、電子ビーム酸性若しくは塩基性蒸気、加熱された脱イオン水のような水性環境、及びそのような処理の組み合わせ若しくは一連のものへの曝露が含まれる。

0014

次に、ブロック120では、1以上のイオン注入プロセスが、間隙充填材料に実行され得る。堆積し硬化されたままの間隙充填材料は、後続のCMPプロセス及び非平坦な凹部プロファイルによって生じるディッシング問題と共に、高いWERR及び高い応力を有することがある。ディッシングとは、CMPプロセスの終了時点での間隙充填材料の最も低いポイントと間隙充填材料の最も高いポイントとの間の高さにおける差異として定義される。ディッシング問題によってもたらされた平坦ではない表面は、後続の凹部プロセス又は湿式乾式洗浄プロセスによって悪化され得る。凹部プロセスは、間隙充填材料上で実行されるエッチングプロセスなどの除去プロセスである。WERR、応力、及びディッシングを低減させるために、間隙充填材料は、1以上のイオン注入プロセスによって処理され得る。

0015

1以上のイオン注入プロセスは、概して、イオン種を間隙充填材料の中へ組み込み、間隙充填材料内の結合を破壊する。結果として、後続のアニーリングプロセス中に、間隙充填材料の反応性及び転化率が増加する。1以上のイオン注入プロセスは、間隙充填材料のWERRも改良する。図2A及び図2Bは、本明細書で説明される実施態様による、WERRへのイオン注入の影響を示すチャートである。一実施態様では、シリコンイオン種が、間隙充填材料の中へ注入される。図2Aは、WERRへのイオンエネルギーの影響を示すチャートを示している。図2Aで示されているように、2などの低いWERRが、両方のイオンエネルギーレベルに対して、100nm以下の浅い注入深さで達成されている。しかし、間隙充填材料の中へより深く(例えば、100nmより深く)低いWERRを達成するために、30keVなどのより低いイオンエネルギーと比較して、60keVなどのより高いイオンエネルギーが使用され得る。

0016

別の一実施態様では、ヘリウムイオン種が、間隙充填材料の中へ注入される。図2Bは、WERRへのイオンエネルギーの影響を示すチャートを示している。図2Bで示されているように、WERRは、隙間がないエリアオープンエリアの両方において、ヘリウムイオン種が注入された間隙充填材料に対して、低いままである。隙間がないエリアは、特定のエリア内に相対的により多くの特徴が配置されていることを指し、オープンエリアは、特定のエリア内に相対的により少ない特徴が配置されていることを指す。

0017

図3A及び図3Bは、本明細書で説明される実施態様による、膜応力へのイオン注入の影響を示すチャートである。図3A及び図3Bで示されているように、Siイオン種とHeイオン種の両方に対して、膜応力、又は間隙充填材料の応力は、注入量が増加するに従って、より圧縮性になる。注入量は、平方センチメートル当たり約1×1015から約5×1017原子の範囲内にあり得る。

0018

図4Aから図4Cは、本明細書で説明される実施態様による、ディッシングへのイオン注入の影響を示すチャートである。上述されたように、ディッシングは、後続のCMPプロセスの後で生じ、CMPプロセスの終了時点での間隙充填材料の最も低いポイントと間隙充填材料の最も高いポイントとの間の高さにおける差異(nm)として定義される。図4Aは、シリコンイオン種の注入がない場合と比較して、間隙充填材料内にシリコンイオン種が注入された場合の低減されたディッシングを示している。図4Aで示されているように、隙間がないエリアでは、CMPプロセス中に15%又は35%だけオーバーポリッシュされた間隙充填材料が、CMPプロセスに先立って間隙充填材料内にシリコンイオン種が注入されたときに、0nmのディッシングを有する。同様に、オープンエリアでは、CMPプロセス中に15%又は35%だけオーバーポリッシュされた間隙充填材料が、CMPプロセスに先立って間隙充填材料内にシリコンイオン種が注入されたときに、5nm未満のディッシングを有する。

0019

図4Bも、ヘリウムイオン種の注入がない場合と比較して、間隙充填材料内にヘリウムイオン種が注入された場合の低減されたディッシングを示している。図4Bで示されているように、ピッチ比Aを有する特徴とピッチ比Bを有する特徴内の間隙充填材料に対して、隙間がないエリアとオープンエリアの両方において、ヘリウムイオン種が注入されていない場合と比較して、ヘリウムイオン種が注入された場合の間隙充填材料は、ディッシングがかなり低い。図4Cは、CMPプロセスの後の凹部プロセスの終了時点におけるディッシングを示しているチャートである。図4Cで示されているように、ディッシングは、ヘリウムイオン種が、隙間がないエリアとオープンエリアの両方の中の間隙充填材料内に注入された場合に低減されている。図4Aから図4Cで示されているように、CMPプロセス又は凹部プロセスの後で、間隙充填材料のディッシングは、1以上のイオン注入プロセスが、CMPプロセス及び凹部プロセスに先立って間隙充填材料に実行されたときに、約8nm未満である。

0020

1以上のイオン注入プロセスは、摂氏0度未満から摂氏約500度までの範囲内の任意の適切な温度で実行され得る。ある実施態様では、間隙充填材料への損傷を最小化するために、イオン種は、摂氏約500度などの摂氏450度より高い温度で注入される。注入温度が、摂氏450度よりも高いときに、間隙充填材料内のイオン種の蓄積は低減され、間隙充填材料に対してより低い損傷をもたらすことが、分かってきた。図5は、本明細書で説明される実施態様による、異なる温度におけるイオン濃度へのイオン注入の影響を示すチャートである。図5で示されているように、間隙充填材料内のヘリウムイオン種の濃度は、摂氏300度で実行されたイオン注入プロセスと比較して、イオン注入プロセスが摂氏500度で実行されたときに、より低い。再び、注入されたイオン種のより低い濃度が、間隙充填材料に対する損傷を最小化する。したがって、ある実施態様では、1以上のイオン注入プロセスが、摂氏500度などの、摂氏450度よりも高い温度で実行される。

0021

間隙充填材料内に注入されるイオン種は、シリコンイオン種、ヘリウムイオン種、水素イオン種窒素イオン種、又はアルゴンイオン種などの他の不活性イオン種などの、任意の適切なイオン種であり得る。ある実施態様では、ヘリウムイオン種などの小さいサイズのイオン種が、間隙充填材料に対する損傷を最小化するために、間隙充填材料内に注入される。しかし、図4Aから図4Cで示されているように、シリコンイオン種が注入された間隙充填材料は、ヘリウムイオン種が注入された間隙充填材料よりも改良されたディッシングを示す。したがって、ある実施態様では、2以上のイオン注入プロセスが、間隙充填材料を処理するために実行される。

0022

図6は、本明細書で説明される一実施態様による、基板上で間隙充填材料を処理するための方法600を示す。ブロック602では、第1のイオン種が、第1のイオンエネルギーで間隙充填材料内に注入される。一実施態様では、第1のイオン種が、ヘリウムイオン種である。第1のイオンエネルギーで、第1のイオン種が、第1の深さで間隙充填材料内に注入される。ブロック604では、第2のイオン種が、第2のイオンエネルギーで間隙充填材料内に注入される。一実施態様では、第2のイオン種が、シリコンイオン種であり、第2のイオンエネルギーが、第1のイオンエネルギー未満である。より低いイオンエネルギーで、シリコンイオン種は、第1の深さよりも浅い第2の深さで間隙充填材料内に注入される。結果として、後続のCMPプロセスの後で、ディッシングが改良される。何故ならば、シリコンイオン種が注入された間隙充填材料は、ヘリウムイオン種が注入された間隙充填材料と比較して、ディッシングにおけるより優れた結果を示すからである。第1及び第2のイオン種の深さは、CMPプロセスによって除去されるべき間隙充填材料の量によって決定され得る。第1及び第2のイオン種は、シリコンイオン種、ヘリウムイオン種、水素イオン種、窒素イオン種、又はアルゴンイオン種などの他の不活性イオン種などの、任意の適切なイオン種であり得る。ある実施態様では、第1のイオン種が、第2のイオン種と同じである。同じイオン種の2つの注入プロセスは、注入されたイオン種の均一性を改良する助けとなる。

0023

図1に戻って参照すると、ブロック130では、1以上のイオン注入プロセスの後で、間隙充填材料がアニーリングされ得る。間隙充填材料のアニーリングは、堆積チャンバ、イオン注入チャンバ、又は急速熱処理チャンバなどの異なるアニーリング装置の何れかの中で実行され得る。アニーリングプロセスは、摂氏約500度の温度で実行され得る。水蒸気が、アニーリングプロセス中に供給されて、間隙充填材料を蒸気アニーリングし得る。一実施態様では、間隙充填材料が、二酸化ケイ素である。蒸気中の酸素原子は、Siダングリングボンドに結合されることによって、二酸化ケイ素の間隙充填材料の中へ有利に組み込まれ、二酸化ケイ素材料の酸素含有量を増加させ得ると、信じられている。蒸気アニーリングプロセスは、増加したSi‐O結合に対する酸素原子の利用可能性による二酸化ケイ素材料の収縮を妨げもし得ることが、考えられている。

0024

ブロック140で示されているように、アニーリングプロセスの後で、CMPプロセスが、間隙充填材料に実行される。前述したように、CMPプロセスによってもたらされたディッシングは、プロセスフローにおける1以上のイオン注入プロセスの追加によって最小化される。

0025

以上の記述は本開示の実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施態様及び更なる実施態様を考案してもよく、本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • 東芝メモリ株式会社の「 研磨方法、研磨剤、及び研磨用洗浄剤」が 公開されました。( 2021/09/30)

    【課題】研磨の各工程に応じて特性を変化させることが可能な研磨剤を用いた研磨方法を提供する。【解決手段】実施形態の研磨方法は、研磨対象物5の被研磨面5aを研磨布2に対向させて、研磨対象物5を保持する工程... 詳細

  • リンテック株式会社の「 ワーク加工用シート」が 公開されました。( 2021/09/30)

    【課題】電子線やγ線などの物理的なエネルギーを与えることなく、ワークの加工時に発生する切削片、特に糸状の切削片の発生を抑制することができるワーク加工用シートを提供する。【解決手段】基材11と、基材11... 詳細

  • リンテック株式会社の「 ワーク加工用シート」が 公開されました。( 2021/09/30)

    【課題】優れたピックアップ性を有するワーク加工用シートを提供する。【解決手段】基材11と、基材11における片面側に積層された粘着剤層12とを備えるワーク加工用シート1A,1B,1Cであって、基材11が... 詳細

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ