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技術 基板放熱構造物及びその製造方法

出願人 キヤノン電子株式会社
発明者 大澤圭一齊藤恵一
出願日 2017年2月10日 (4年0ヶ月経過) 出願番号 2017-023089
公開日 2018年8月16日 (2年6ヶ月経過) 公開番号 2018-129466
状態 未査定
技術分野 電気装置の冷却等 プリント板の構造 半導体または固体装置の冷却等
主要キーワード 被取付対象物 位置決め柱 間隔規制部材 押圧領域 積層間隔 ジルコニウム銅 半田接合部分 土手状
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重要な関連分野

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図面 (8)

課題

電子部品が搭載された基板の熱をヒートシンクにより放散する構成において、基板とヒートシンクとをその積層方向において精度良く接合する。

解決手段

電子部品12が実装される基板10と基板10が実装されるヒートシンク20との間を所定の間隔に規制する突起部22を備え、基板10とヒートシンク20との間には、半田30で接合された部分と、突起部22のみで接続された部分とが設けられている。

概要

背景

近年の回路形成技術の進歩により、基板上における回路素子高集積化が実現されている。このように基板上に搭載される回路素子においては、大きな電力を必要とするものも多く採用されており、特にそのように大きな電力を必要とするもの等においては、電力の消費に伴う熱をいかに放散させるかが重要な要素となる。

基板の熱を効率よく放散させるためには、基板にヒートシンク接合し、このヒートシンクを介して熱を放散させることが一般的に行われている。その場合、基板とヒートシンクとを半田を介して接合させ、基板の熱を半田接合でヒートシンクに伝達する技術が考えられており、例えば、特許文献1に開示されている。

概要

電子部品が搭載された基板の熱をヒートシンクにより放散する構成において、基板とヒートシンクとをその積層方向において精度良く接合する。電子部品12が実装される基板10と基板10が実装されるヒートシンク20との間を所定の間隔に規制する突起部22を備え、基板10とヒートシンク20との間には、半田30で接合された部分と、突起部22のみで接続された部分とが設けられている。

目的

本発明は、電子部品が搭載された基板の熱をヒートシンクにより放散する構成において、基板とヒートシンクとがその積層方向において精度良く接合された基板放熱構造物及びその製造方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

電子部品実装される基板と前記基板が実装されるヒートシンクとの間を所定の間隔に規制する間隔規制部を備え、前記基板と前記ヒートシンクとの間には、半田接合された部分と、前記間隔規制部のみで接続された部分とが設けられたことを特徴とする基板放熱構造物。

請求項2

前記間隔規制部は、前記基板が実装される前記ヒートシンクの基板実装面上に突設され、且つ前記基板及び前記ヒートシンクを半田で接合する部分を取り囲むように前記ヒートシンクの複数個所に設けられ、前記基板の前記電子部品が実装される面とは反対側の裏面に対してそれぞれ当接されたことを特徴とする請求項1に記載の基板放熱構造物。

請求項3

電子部品が実装された基板とヒートシンクとが所定の間隔を隔てて積層され、前記基板と前記ヒートシンクとがその一部にて半田を介して接合されてなる基板放熱構造物であって、前記所定の間隔と同一の高さを具備し、前記基板と前記ヒートシンクとの間の前記半田が介在しない複数の領域に設けられた間隔規制部を有し、前記基板と前記ヒートシンクとは、前記間隔規制部が設けられた領域では、前記間隔規制部のみを介して接続されている基板放熱構造物。

請求項4

前記間隔規制部は、前記複数の領域にわたって連続して構成されていることを特徴とする請求項3に記載の基板放熱構造物。

請求項5

前記間隔規制部は、前記基板と前記ヒートシンクとのうち外形が小さな方の周縁部に沿う領域に配置されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の基板放熱構造物。

請求項6

前記間隔規制部は、前記ヒートシンクに一体化していることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の基板放熱構造物。

請求項7

前記間隔規制部は、前記基板に一体化していることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の基板放熱構造物。

請求項8

前記ヒートシンクの前記基板との積層面のうち、前記半田が介在する領域の周囲に前記半田の流動を制限する土手部が設けられていることを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項に記載の基板放熱構造物。

請求項9

前記土手部が、前記間隔規制部を兼ねていることを特徴とする請求項8に記載の基板放熱構造物。

請求項10

電子部品が実装される基板とヒートシンクとがその一部にて半田を介して接合された基板放熱構造物の製造方法であって、前記ヒートシンクは、前記基板との間で前記半田を介在させない複数の領域に、前記基板と前記ヒートシンクとを所定の間隔で隔てて積層するために前記所定の間隔と同一の高さを具備する複数の間隔規制部を有し、前記ヒートシンクのうち前記基板が実装される基板実装面であって且つ前記複数の領域以外の部分に、前記所定の間隔以上の厚さの半田膜を形成する工程と、前記ヒートシンクの前記半田膜上に前記基板を積層して前記基板に対して前記間隔規制部を当接させる工程と、を有することを特徴とする基板放熱構造物の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、通電により発熱する電子部品が搭載された基板の熱をヒートシンクを介して放散する基板放熱構造物及びその製造方法に関する。

背景技術

0002

近年の回路形成技術の進歩により、基板上における回路素子高集積化が実現されている。このように基板上に搭載される回路素子においては、大きな電力を必要とするものも多く採用されており、特にそのように大きな電力を必要とするもの等においては、電力の消費に伴う熱をいかに放散させるかが重要な要素となる。

0003

基板の熱を効率よく放散させるためには、基板にヒートシンクを接合し、このヒートシンクを介して熱を放散させることが一般的に行われている。その場合、基板とヒートシンクとを半田を介して接合させ、基板の熱を半田接合でヒートシンクに伝達する技術が考えられており、例えば、特許文献1に開示されている。

先行技術

0004

特開平7−122868号公報

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、基板とヒートシンクとを半田接合させ、基板の熱を半田接合でヒートシンクに伝達するものにおいては、半田が流動性を有するものであるため、基板とヒートシンクとの間隔が一定とならなかったり、基板の表面の平行度を確保できなかったりするというように、基板とヒートシンクとをその積層方向において精度良く接合することができなくなる虞がある。

0006

本発明は、電子部品が搭載された基板の熱をヒートシンクにより放散する構成において、基板とヒートシンクとがその積層方向において精度良く接合された基板放熱構造物及びその製造方法を提供するものである。

課題を解決するための手段

0007

本発明は、電子部品が実装される基板と前記基板が実装されるヒートシンクとの間を所定の間隔に規制する間隔規制部を備え、前記基板と前記ヒートシンクとの間には、半田で接合された部分と、前記間隔規制部のみで接続された部分とが設けられたことを特徴とする基板放熱構造物にある。

発明の効果

0008

本発明によれば、基板の熱をヒートシンクで放熱する機能を持たせつつ、基板をヒートシンクに対して高精度に実装された基板放熱構造物を実現できる。例えば、基板とヒートシンクとの間の複数の領域に、基板とヒートシンクとの積層間隔と同一の高さを具備する間隔規制部が配置され、間隔規制部が設けられた領域では、基板とヒートシンクとが間隔規制部のみを介して接合されているので、この間隔規制部材によって、基板とヒートシンクとの間隔や、基板の表面の平行度が確保されることとなり、基板とヒートシンクとをその積層方向において精度良く接合することができる。

図面の簡単な説明

0009

本発明の基板放熱構造物の第1の実施の形態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)はヒートシンクの基板との積層面の構成を示す図である。
図1に示した基板放熱構造物の製造方法を説明するための図である。
図1に示した基板放熱構造物においてヒートシンクが複数の突起部を有することによる効果を説明するための図である。
本発明の基板放熱構造物の第2の実施の形態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)はヒートシンクの基板との積層面の構成を示す図である。
本発明の基板放熱構造物の第3の実施の形態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)はヒートシンクの基板との積層面の構成を示す図である。
本発明の基板放熱構造物の第4の実施の形態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)はヒートシンクの基板との積層面の構成を示す図である。
本発明の基板放熱構造物の第5の実施の形態を示す図であり、(a)はヒートシンクの基板との積層途中の状態を示す図であり、(b)はヒートシンクの基板との積層後の状態を示す図である。

実施例

0010

以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

0011

(第1の実施の形態)
図1は、本発明の基板放熱構造物の第1の実施の形態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)はヒートシンク20の基板10との積層面の構成を示す図である。

0012

本形態は図1に示すように、基板10の裏面13に一定の間隔を隔ててヒートシンク20が積層、接合されてなる基板放熱構造物1である。

0013

基板10は、例えば長方形を具備する銅等の金属基板等であり、一方の面に電子部品12が実装されるとともにこれに接続された配線(不図示)が形成されている。また、基板10には、ヒートシンク20と接合される際にヒートシンク20との位置決めを行うための位置決め孔11が形成されている。なお、基板10としてシリコン基板を用いる場合には、基板10の裏面13には、銅箔等の金属膜が形成される。

0014

ヒートシンク20は、ジルコニウム銅等の金属からなり、一方の面に間隔規制部となる複数の突起部22が円柱状に突出して設けられている。突起部22は、ヒートシンク20の周縁部に沿う領域において、四隅に1つずつと四隅の中間点に1つずつの8つの領域に設けられている。また、ヒートシンク20においても、基板10と同様に、基板10と接合される際に基板10との位置決めを行うための位置決め孔21が形成されている。これにより、基板10とヒートシンク20との間には、半田材30によって半田接合された部分(半田接合部)と、突起部22のみで基板10とヒートシンク20とが接続された部分(間隔保持部)とが形成される。

0015

上記のように構成された基板10とヒートシンク20とが、基板10の電子部品12が実装された面とは反対側の面と、ヒートシンク20の突起部22が設けられた面とが積層面となって積層され、ヒートシンク20の突起部22が設けられた面のうち突起部22が設けられていない領域に塗布された半田材30によって互いに接合されている。その際、半田材30が介在しない領域においては、基板10のヒートシンク20との積層面と突起部22の上面22aとが当接することで、基板10とヒートシンク20とが、突起部22のみを介して接続されている。

0016

上記のように構成された基板放熱構造物1においては、電子部品12等が熱源となって基板10にて発生した熱が、半田材30及び突起部22を介してヒートシンク20に伝達され、それにより、基板10の熱が放散されることになる。また、位置決め孔11や基板10の周辺部品が取り付けられている場合においても、その部品にて発生した熱がヒートシンク20に伝達され、部品における熱が放散されることになる。

0017

以下に、上記のように構成された基板放熱構造物1の製造方法について説明する。

0018

図2は、図1に示した基板放熱構造物1の製造方法を説明するための図である。

0019

図1に示した基板放熱構造物1を製造する場合は、まず、図2(a)に示すように、位置決め柱41を有する治具40上に、突起部22が設けられた面とは反対側の面が搭載面となるようにしてヒートシンク20を搭載する。その際、ヒートシンク20の位置決め孔21に治具40の位置決め柱41を貫入させることで、治具40に対するヒートシンク20の位置決めを行うことができる。

0020

このように治具40上にヒートシンク20を搭載、固定した状態で、ヒートシンク20の基板10との積層面に半田材(クリーム半田等)30を塗布することで半田材からなる半田膜を形成し、この半田膜(半田層)を介してヒートシンク20と基板10とを接合する、いわゆるリフロー工程を行う。まず、図2(b)に示すように、ヒートシンク20の突起部22を含む一部の領域上にマスク50を施す。このマスク50は、後述するように、半田材の塗布領域を規制するものであるが、突起部22に合わせてマスク50の位置合わせを行うことで、ヒートシンク20の基板10との積層面において半田材が塗布されてはいけない領域をマスク50で確実に覆うことができる。

0021

次に、図2(c)に示すように、ヒートシンク20のマスク30が施された面に半田材30を塗布する。この際、半田材30は、少なくともマスク50の厚さ分、すなわち突起部22の高さ以上の厚さの半田膜が形成されるように塗布することが必要である。

0022

次に、図2(d)に示すように、マスク50をヒートシンク20上から取り除く。その際、半田材30がマスク50上に塗布されていたとしても、半田材30のうちマスク50上に塗布されていた部分はマスク50とともに取り除かれることになる。

0023

次に、図2(e)に示すように、半田材30が塗布されたヒートシンク20上に基板1を搭載、積層する。その際、基板10の位置決め孔11に治具40の位置決め柱41を貫入させることで、治具40及びヒートシンク20に対する基板10の位置決めを行うことができる。また、半田材30は突起部22の高さ以上の厚さで塗布されているため、基板10をヒートシンク20上に載置しただけでは、基板10のヒートシンク20との積層面と突起部22の上面(基板10の裏面13と平行な平坦面)とは当接しない。

0024

次に、図2(f)に示すように、基板10をヒートシンク20側に向かって押圧する。すると、半田材30が基板10とヒートシンク20との間で面方向に広がって、基板10とヒートシンク20との間隔が狭まっていき、基板10のヒートシンク20との積層面と突起部22の上面とが当接した状態、すなわち、基板10とヒートシンク20との間に間隔保持部が形成された状態で、基板10がヒートシンク20に対して所定の間隔を隔てて実装される。半田材30は、あらかじめ突起部22の高さ以上の厚さで塗布されているため、基板10がヒートシンク20に対して所定の間隔を隔てて実装されると、半田材30が塗布された領域においては、半田材30が面方向に広がって半田接合部となる領域が拡大され、基板10とヒートシンク20とが半田材30を介して仮接合される。その後、このように基板10とヒートシンク20とが半田材30で仮接合された状態で、半田材30が溶融する温度に加熱することにより、基板10とヒートシンク20とを半田接合することで、基板10とヒートシンク20との間に間隔保持部と半田接合部とを形成する。なお、加熱して半田材30を溶融させながら基板10をヒートシンク20側に押圧して間隔保持部と半田接合部とを形成するようにしてもよい。

0025

その後、基板10のヒートシンク20との積層面とは反対側の面に、印刷等のよって配線を形成するとともに、電子部品12を搭載する。

0026

そして、半田材30が固化することで基板10とヒートシンク20とが半田接合された後、基板10とヒートシンク20とを治具40から取り外し、図1に示した基板放熱構造物1が完成する。

0027

以下に、上述した基板放熱構造物1においてヒートシンク20が複数の突起部22を有することによる効果について説明する。

0028

図3は、図1に示した基板放熱構造物1においてヒートシンク20が複数の突起部22を有することによる効果を説明するための図であり、突起部22が設けられた一部の領域の断面を示す。

0029

図1に示した基板放熱構造物1は、上述したように、ヒートシンク20の基板10との積層面においてその周縁部の8箇所に突起部22が配置され、突起部22が配置された領域では、基板10とヒートシンク20とが、基板10のヒートシンク20との積層面と突起部22の上面とが当接することで、突起部22のみを介して接合されている。

0030

それにより、図3に示すように、基板10とヒートシンク20とは、突起部22の高さと同一の間隔dで積層、保持されることとなる。そのため、突起部22の高さを、基板10とヒートシンク20との間にて予め決められた所定の間隔dと同一の高さに設定することで、基板10とヒートシンク20との間隔をその所定の間隔dに一定とすることができる。また、突起部22がヒートシンク20の周縁部の8箇所に配置されているため、ヒートシンク20に対して基板10が傾いてしまうことがなくなり、基板10の表面の平行度が、ヒートシンク20の突起部22が設けられた面を基準として確保され、基板10とヒートシンク20との間隔及び平行度が高精度に製作できる。これにより、ヒートシンク20側を電子機器等の被取付対象物に装着することで、被取付対象物と基板10との相対的な位置決めを、ヒートシンク20を介して高精度に行うことが可能である。

0031

なお、本形態においては、突起部22が、ヒートシンク20の基板10との積層面においてヒートシンク20の周縁部に沿う8つの領域に配置されているが、突起部22は、上述したように、基板10とヒートシンク20との間隔をその所定の間隔に一定とするとともに、ヒートシンク20に対して基板10が傾いてしまうことを回避できるものであれば、ヒートシンク20の周縁部に配置されていなくてもよいし、その数も複数であれば8つに限らない。ただし、突起部22が3箇所以上に配置され、その3箇所の点によって囲まれた領域に、ヒートシンク20の中心が含まれるようなものであれば、リフロー工程にて基板10を押圧する際に、押圧領域精細に特定することなく、基板10が傾いてしまうことを未然に回避できる。また、突起部22がヒートシンク20の周縁部に沿う領域に配置されているものにおいても、突起部22がヒートシンク20の周縁部以外の領域のみに配置されているものと比べて、リフロー工程にて基板10を押圧する際における押圧領域の特定に精細さは要求されにくい。なお、基板10とヒートシンク20の外形が異なる場合は、基板10とヒートシンク20とのうち外形が小さな方の周縁部に沿う領域に突起部22が配置されていることで、上記効果を得ることができる。

0032

(第2の実施の形態)
図4は、本発明の基板放熱構造物の第2の実施の形態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)はヒートシンク120の基板10との積層面の構成を示す図である。

0033

本形態は図4に示すように、図1に示したものに対して、ヒートシンク120の基板10との積層面に土手部123が設けられている点が異なる基板放熱構造物101である。土手部123は、その高さが突起部22よりも低く、位置決め孔21を取り囲むように設けられている。

0034

上記のように構成された基板放熱構造物101においては、リフロー工程にて基板10を押圧する際に、溶融した半田材30が位置決め孔11に入り込んでしまうことを回避することができる。すなわち、本形態における土手部123は、ヒートシンク120の基板10との積層面のうち、半田材30が介在する領域の周囲に半田材30の流動を制限するために設けられている。

0035

本形態における基板放熱構造物101は、特に、位置決め孔11に部品が取り付けられるものにおいては、溶融した半田材30が位置決め孔11等に入り込んでしまうことにより、その後、部品が取り付けられなくなったり、位置決め孔11に入り込んだ半田材30によって電気的短絡が生じたりすることが未然に回避できる。

0036

(第3の実施の形態)
図5は、本発明の基板放熱構造物の第3の実施の形態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)はヒートシンク220の基板10との積層面の構成を示す図である。

0037

本形態は図5に示すように、図4に示したものに対して、土手部223と突起部222の構成が異なる基板放熱構造物201である。本形態の基板放熱構造物201においては、土手部223の高さが突起部222と同じ高さとなっており、また、突起部222がヒートシンク220の周縁部に沿って土手状に連続している。すなわち、本形態の基板放熱構造物201においては、突起部が複数の領域にわたって連続して構成された形状となっている。

0038

上記のように構成された基板放熱構造物201においては、土手部223の高さが突起部22と同じ高さとなっていることで、土手部223が間隔規制部材を兼ねることができる。

0039

(第4の実施の形態)
図6は、本発明の基板放熱構造物の第4の実施の形態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)はヒートシンク320の基板10との積層面の構成を示す図である。

0040

本形態は図6に示すように、図1に示したものに対して、突起部322の形状が異なる基板放熱構造物301である。本形態の基板放熱構造物301における突起部322は、ヒートシンク320側を底面とした円錐台の形状を有している。

0041

上記のように構成された基板放熱構造物301においては、リフロー工程にて基板10を押圧し、基板10が突起部322の上面と当接した際、突起部322が円錐台の形状を有するものであることで、押圧力に対する突起部322の耐性が強くなり、強い力で基板10が押圧された場合でも突起部322が破損してしまうことが回避される。

0042

なお、上述した4つの実施の形態においては、間隔規制部材として、ヒートシンク20,120,220,320の基板10との積層面に、ヒートシンク20,120,220,320と一体化して設けられた突起部22,222,322を例に挙げて説明したが、間隔規制部として、基板10のヒートシンク20との積層面に基板10と一体化した突起部を設けてもよい。ただし、ヒートシンク20の基板10との積層面を基準として基板10の表面の平行度を確保するためには、間隔規制部はヒートシンクに一体化して設けられていることが好ましい。また、間隔規制部は、基板10とヒートシンク20との間隔を調整しつつ平行度を保てればよいので、基板10及びヒートシンク20と別体の構成でもよい。

0043

また、基板10とヒートシンク20,120,220,320とは、同一の材料からなるものであってもよいし、異なる材料からなるものであってもよい。

0044

(第5の実施の形態)
図7は、本発明の基板放熱構造物の第5の実施の形態を示す図であり、(a)はヒートシンク420の基板410との積層途中の状態を示す図であり、(b)はヒートシンク420の基板410との積層後の状態を示す図である。

0045

本形態は、図7に示すように、ヒートシンク420の基板実装面上には、突起部422が設けられ、この突起部422上には、基板410が有する貫通孔413に挿通されて基板410とヒートシンク420との相対位置を決定するための位置決め凸部423が設けられている。このような構成によれば、ヒートシンク420の突起部422を指標にしてヒートシンク420と基板410との位置決めを行うことができ、更に、位置決め後に基板410をヒートシンク420側に押圧することにより、突起部422のうち位置決め凸部423を取り囲むように設けられた当接面424を基板410の裏面に当接させることにより、基板410とヒートシンク420との間隔を所定の間隔dに規制することが可能となる。したがって、ヒートシンク420自体の位置決めと、ヒートシンク420に対する基板410の位置決めとを切り分けることができるため、例えば、基板410の配線レイアウトなどの自由度を向上でき、また電子部品等の実装スペースを十分に確保できる。

0046

具体的には、図7(a)に示すように基板410とヒートシンク420との間に半田材30を押し込んで、図7(b)に示すように基板410の裏面を当接面424に当接させることにより、基板410がヒートシンク420に対して所定の間隔dで位置決めされる。このような基板410がヒートシンク420に実装された組立体を、半田材30が溶融する温度に加熱し、その後に冷却することにより、所定の間隔dで組み立てられた基板410とヒートシンク420とが半田接合される。

0047

なお、本形態においては、基板410が有する貫通孔413を基板410の表裏におけるスルーホールとし、ヒートシンク420の位置決め凸部423と電気的に導通させることにより、半田接合部分以外の放熱構造をそれぞれ設けてもよい。

0048

(他の実施の形態)
以上、本発明を第1乃至第5の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上述した第1乃至第5の実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明は、カメラ等による画像認識技術により間隔規制部を位置決めマークとして使い、ヒートシンク上に半田材を塗布するときに、ヒートシンクとマスクとの相対的な位置決めを行うようにしてもよい。これにより、余分な位置決めの構造を持たなくて良くなるので、高精度にヒートシンク上の所定位置に半田材を塗布することが可能となる。

0049

また、上述した各実施の形態では、基板とヒートシンクとの接合においてヒートシンクの上面に半田をパターニングして半田接合するようにしたが、本発明は勿論これに限定されず、例えば、基板のうちヒートシンクとの接合が行われる裏面上に半田をパターニングして半田接合してもよい。

0050

さらに、本発明は、例えば、基板上に対して電子部品を半田接合で実装するときに使う半田材と、基板及びヒートシンクの間で半田接合する場合に使う半田材を用いるときには、それぞれを同一の半田材としてもよいし、異なる種類の半田材を用いてもよいが、リフロー工程を効率良く行うためには、基板及びヒートシンク間で使う半田材の融点の方を電子部品実装用の半田材の融点よりも相対的に低い低融点材料を用いるのが好ましい。これにより、リフロー工程にて半田接合のために同一の雰囲気下で加熱を行ったときに、基板及びヒートシンク間で使う半田材の方を早く溶融させることができる。すなわち、1回のリフロー工程で、基板上に対する電子部品の半田接合と、基板及びヒートシンクの間で行う半田接合とを効率良く実施することができる。また、リフロー工程における熱処理回数が少なくて済むため、電子部品又は基板(あるいは基板上に設けられた配線)等への熱ストレスを抑えることができる。

0051

1,101,201,301基板放熱構造物
10,410基板
11,21位置決め孔
12電子部品
13 裏面
20,120,320,420ヒートシンク
22,222,322,422突起部
22a 上面
30半田材
40治具
41位置決め柱
50マスク
123,223土手部
413貫通孔
423位置決め凸部
424 当接面

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