図面 (/)

技術 バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法

出願人 ウィンセミコンダクターズコーポレーション
発明者 チャンジャータウェイジュンルーウェングォロン
出願日 2017年5月8日 (3年3ヶ月経過) 出願番号 2017-092404
公開日 2018年7月12日 (2年1ヶ月経過) 公開番号 2018-110367
状態 特許登録済
技術分野 圧電・機械振動子,遅延・フィルタ回路
主要キーワード 発明提案 拡張面 メタ構造 音響フィルター バルク音波 犠牲構造 底部電極層 基板薄膜
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2018年7月12日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (20)

課題

バルク音響波共振装置空孔を形成する方法を提供する。

解決手段

まず、化合物半導体基板13上に犠牲エピタキシャルメサ構造を形成し、次に、その犠牲エピタキシャルメサ構造および化合物半導体基板上に絶縁層11を形成し、続いて、化学機械研磨工程を用い、その絶縁層11を研磨して研磨表面41を形成し、最後に、その研磨表面層41上にバルク音響波共振構造3を形成する。この最後のステップは、更に、次のステップから構成される。すなわち、研磨表面41上に底部電極層30を形成し、その上に圧電層31を形成し、その上に上部電極層32を形成する。ただし、バルク音響波共振構造3は、犠牲エピタキシャルメサ構造の上に位置する。さらに、犠牲エピタキシャルメサ構造をエッチングして、バルク音響波共振構造3の下に位置する空孔40を形成する。

概要

背景

図5Aから図5Dの断面図を参照しながら、従来技術によるバルク音響波フィルターのための製造方法の各ステップを説明する。図5Aでは、シリコン基板75の上表面をエッチングすることによって窪み74および窪み74’を形成する。シリコン基板75上に犠牲層77を形成した後、化学機械研磨(CMP)で犠牲層77を磨き、シリコン基板75の上表面から犠牲層77を取り除き、図5Bのような構造を形成する。ここで、窪み74および窪み74’が犠牲層77で埋められる。図5Cでは、シリコン基板75の表面上に第一のバルク音響波共振構造70と第二のバルク音響波共振構造70’を形成する。ただし、第一の音響波共振構造70および第二の音響波共振構造70’は、それぞれ同じ厚さの底部電極71と同じ厚さの圧電層72を有し、また、それぞれ上部電極73および上部電極73’を有する。ただし、上部電極73の膜厚は、上部電極73’の膜厚とは異なる。上部電極73および上部電極73’は、膜厚差76を有する。図5Dでは、窪み74および74’に埋め込められた犠牲層77がエッチングされ、窪み74および74’が、それぞれ第一の音響波共振構造70と第二の音響波共振構造70’の二つの空孔を形成する。上部電極73’が上部電極73より厚いので、第二のバルク共振構造70’の共振周波数が第一のバルク音響波共振構造70の共振周波数より低い。第一のバルク音響波共振構造70および第二のバルク音響波共振構造70’は互いに異なる共振周波数を有し、その共振周波数差は前記膜厚差76と相関している。

概要

バルク音響波共振装置の空孔を形成する方法を提供する。まず、化合物半導体基板13上に犠牲エピタキシャルメサ構造を形成し、次に、その犠牲エピタキシャルメサ構造および化合物半導体基板上に絶縁層11を形成し、続いて、化学機械研磨工程を用い、その絶縁層11を研磨して研磨表面41を形成し、最後に、その研磨表面層41上にバルク音響波共振構造3を形成する。この最後のステップは、更に、次のステップから構成される。すなわち、研磨表面41上に底部電極層30を形成し、その上に圧電層31を形成し、その上に上部電極層32を形成する。ただし、バルク音響波共振構造3は、犠牲エピタキシャルメサ構造の上に位置する。さらに、犠牲エピタキシャルメサ構造をエッチングして、バルク音響波共振構造3の下に位置する空孔40を形成する。F

目的

加えて本願は、次のステップを含む、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を更に提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

テップA1、ステップA2、ステップA3、ステップA4、および、ステップA5から構成され、前記ステップA1において、犠牲エピタキシャルメサ構造を、化合物半導体基板上に形成し、前記ステップA2において、絶縁層を、前記犠牲エピタキシャルメサ構造および前記化合物半導体基板の上に形成し、前記ステップA3において、化学機械研磨工程を用いて前記絶縁層を研磨し、研磨表面を形成し、前記ステップA4において、前記研磨表面上にバルク音響波共振構造を形成し、前記バルク音響波共振構造が、前記犠牲エピタキシャルメサ構造の上に位置し、更に、前記ステップA4が、ステップA41、ステップA42、およびステップA43から構成され、前記ステップA41において、前記研磨表面上に底部電極層を形成し、前記ステップA42において、前記底部電極層上に圧電層を形成し、前記ステップA43において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、前記ステップA5において、前記犠牲エピタキシャルメサ構造をエッチングして空孔を形成し、前記空孔が前記バルク音響波共振構造の下に位置する、ことを特徴とするバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。

請求項2

前記ステップA3において、前記犠牲エピタキシャルメサ構造が前記絶縁層の下に隠れたままになる程度に、前記絶縁層を研磨し、前記底部電極層および前記犠牲エピタキシャルメサ構造の間の、前記絶縁層が、周波数調整構造を形成し、前記周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記バルク音響波共振構造は一定の共振周波数を有し、ゆえに前記周波数調整構造の前記膜厚を調整することによって、前記バルク音響波共振構造の前記共振周波数を調律することが可能となる、ことを特徴とする請求項1記載のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。

請求項3

前記空孔を形成する方法は、更に、前記化合物半導体基板上に底部エッチングストップ層を形成し、前記犠牲エピタキシャルメサ構造が、前記底部エッチングストップ層上に形成され、前記エピタキシャルメサ構造が、犠牲エピタキシャル層からなる、ことを特徴とする請求項1記載のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。

請求項4

(1)前記化合物半導体基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInGaPからなり、あるいは(2)前記化合物半導体基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInPからなる、ことを特徴とする請求項3記載のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。

請求項5

前記犠牲エピタキシャル層が一定の膜厚を有し、前記犠牲エピタキシャル層の前記膜厚が、50ナノメートルから5000ナノメートルの間であり、前記底部エッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記底部エッチングストップ層の前記膜厚が、20ナノメートルから500ナノメートルの間である、ことを特徴とする請求項3記載のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法。

請求項6

ステップB1、ステップB2、ステップB3、ステップB4、および、ステップB5から構成され、前記ステップB1において、基板上に複数の犠牲メサ構造を形成し、前記複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造から構成され、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造の高さが、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の高さより大きく、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が第一の高低差を有し、前記ステップB2において、前記複数の犠牲メサ構造および前記基板上に絶縁層を形成し、前記ステップB3において、化学機械研磨工程を用いて、前記絶縁層を研磨して研磨表面を形成し、前記ステップB4において、前記研磨表面上に複数のバルク音響波共振構造を形成し、前記複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一の音響波共振構造および少なくとも一つの第二の音響波共振構造から構成され、前記少なくとも一つの第一の音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二の音響波共振構造が、それぞれ、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上に位置し、前記ステップB4は、更に、ステップB41,ステップB42,およびステップB43から構成され、前記ステップB41において、前記研磨表面上に底部電極層を形成し、前記ステップB42において、前記底部電極層上に圧電層を形成し、前記ステップB43において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、前記ステップB5において、前記複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成し、前記複数の空孔が、それぞれ前記複数のバルク音響波共振構造の下に位置し、前記ステップB3において、(1)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造が露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記絶縁層の下に隠れたままになる程度に、前記絶縁層を研磨し、よって、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記絶縁層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚が前記第一の高低差に等しく、あるいは、(2)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記絶縁層の下に隠れたままになる程度に前記絶縁層を研磨し、よって、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記絶縁層が、それぞれ、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が前記第一の高低差に等しく、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造が、第一の共振周波数差を有し、前記第一の共振周波数差が前記第一の高低差に相関し、前記第一の高低差を調整することによって、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の、前記第一の共振周波数差を調律することが可能となる、ことを特徴とするバル音響フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法

請求項7

前記基板が半導体基板であり、前記複数の犠牲メサ構造が、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる、ことを特徴とする請求項6記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項8

前記基板が化合物半導体基板であり、前記ステップB1が、ステップB11、ステップB12、および、ステップB13より構成され、前記ステップB11において、前記基板上に犠牲構造を形成し、前記犠牲構造が、犠牲エピタキシャル層から構成され、前記ステップB12において、前記複数の犠牲メサ構造が同じ高さを有するように、前記犠牲構造をエッチングして前記複数の犠牲メサ構造を形成し、前記ステップB13において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングし、あるいは、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする、ことを特徴とする請求項7記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項9

前記犠牲構造が、更に、第一のエッチングストップ層および第一の微調整層から構成され、前記犠牲エピタキシャル層が、前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層が、前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層が、一定の膜厚を有し、前記ステップB13において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングし、ゆえに、前記第一の高低差が、前記第一の微調整層の前記膜厚によって決まる、ことを特徴とする請求項8記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項10

(1)前記基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層がAlAsあるいはInGaPからなり、前記第一の微調整層がGaAsからなり、あるいは、(2)前記基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層がInPからなり、前記第一の微調整層がInGaAsからなる、ことを特徴とする、請求項9記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項11

前記第一の微調整層の前記膜厚が、1ナノメートルから300ナノメートルの間であり、前記第一のエッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記第一のエッチングストップ層の前記膜厚が、1ナノメートルから50ナノメートルの間である、ことを特徴とする請求項9記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項12

前記周波数調整方法が、更に、複数のステップから構成され、前記基板上に底部エッチングストップ層を形成し、前記底部エッチングストップ層上に前記犠牲構造が形成され、前記犠牲エピタキシャル層が一定の膜厚を有し、前記犠牲エピタキシャル層の前記膜厚が、50ナノメートルから5000ナノメートルの間であり、前記底部エッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記底部エッチングストップ層の前記膜厚が、20ナノメートルから500ナノメートルの間であり、(1)前記基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInGaPからなり、(2)前記基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInPからなる、ことを特徴とする、請求項8記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項13

ステップC1、ステップC2、ステップC3、ステップC4、ステップC5、および、ステップC6から構成され、前記ステップC1において、基板上に複数の犠牲メサ構造を形成し、前記複数の犠牲メサ構造が同じ高さを有し、前記複数の犠牲メサ構造が、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造から構成され、前記ステップC2において、前記複数の犠牲メサ構造および前記基板上に絶縁層を形成し、前記ステップC3において、前記複数の犠牲メサ構造が露わになるよう、前処理の化学機械研磨工程を用いて、前記絶縁層を研磨し、前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングし、あるいは、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングし、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造の高さが、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の高さより大きく、前記ステップC5において、複数のバルク音響波共振構造を形成し、前記複数のバルク音響波共振構造が、少なくとも一つの第一の音響波共振構造および少なくとも一つの第二の音響波共振構造から構成され、前記少なくとも一つの第一の音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二の音響波共振構造が、それぞれ、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上に位置し、(a)前記ステップC5が、ステップC51、ステップC52、ステップC53、ステップC54、および、ステップC55から構成され、前記ステップC51において、前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層上に第二の研磨層を形成し、前記研磨層が絶縁体からなり、前記ステップC52において、(1)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造が露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第二の研磨層の下に隠れるように、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨し、ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚が、前記第一の高低差に等しく、あるいは、(2)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第二の研磨層の下に隠れるように、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨し、ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、それぞれ、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造、および、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が、第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一の高低差に等しく、前記ステップC53において、前記研磨表面上に底部電極層を形成し、前記ステップC54において、前記底部電極層上に圧電層を形成し、前記ステップC55において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、(b)拡張面が前記前処理研磨表面と同一であり、前記ステップC5が、ステップC51’、ステップC52’、ステップC53’、ステップC54’、および、ステップC55’から構成され、前記ステップC51’において、前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層上に第二の研磨層を形成し、前記第二の研磨層が、金属および合金よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなり、前記ステップC52’において、前記複数の犠牲メサ構造が前記第二の研磨層の下に隠れたままになる程度に、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨して研磨表面を形成し、前記ステップC53’において、前記第二の研磨層をパターイングし、(1)前記ステップC4において、前記少なくとも第二の犠牲メサ構造をエッチングし、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成し、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成し、前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚が前記第一の高低差に等しく、あるいは、(2)前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造がエッチングされ、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成し、前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造を形成し、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成し、前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が、第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一の高低差に等しく、前記ステップC54’において、前記研磨表面上に圧電層を形成し、前記ステップC55’において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、あるいは、(c)前記ステップC5が、ステップC51''、ステップC52''、ステップC53''、ステップC54''、ステップC55''、および、ステップC56''から構成され、前記ステップC51''において、前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層上に第二の研磨層を形成し、前記第二の研磨層が、金属、合金、および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなり、前記ステップC52''において、(1)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造が露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第二の研磨層の下に隠れたままになる程度に、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨し、ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚が、前記第一の高低差に等しく、あるいは、(2)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第二の研磨層の下に隠れたままになる程度に、化学機械研磨工程を用いて、前記第二の研磨層を研磨し、ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層が、それぞれ、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が、第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一の高低差に等しく、前記ステップC53''において、前記第二の研磨層をパターニングし、前記ステップC54''において、前記研磨表面上に底部電極層を形成し、前記ステップC55''において、前記底部電極層上に圧電層を形成し、前記ステップC56''において、前記圧電層上に上部電極層を形成し、前記ステップC6において、前記複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成し、前記複数の空孔が、それぞれ前記複数のバルク音響波共振構造の下に位置し、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造が、第一の共振周波数差を有し、前記第一の共振周波数差が、前記第一の高低差に相関し、ゆえに、前記第一の高低差を調整することによって、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の、前記第一の共振周波数差を調律することが可能となる、ことを特徴とするバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項14

前記基板が半導体基板であり、前記複数の犠牲メサ構造が、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料である、ことを特徴とする請求項13記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項15

前記基板が、化合物半導体基板であり、前記ステップC1が、ステップC11およびステップC12より構成され、前記ステップC11において、前記基板上に犠牲構造を形成し、前記犠牲構造が犠牲エピタキシャル層で構成され、前記ステップC12において、前記犠牲構造をエッチングして前記複数の犠牲メサ構造を形成し、前記複数の犠牲メサ構造が同じ高さを有する、ことを特徴とする請求項14記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項16

(1)前記犠牲構造が、更に、第一のエッチングストップ層および第一の微調整層から構成され、前記犠牲エピタキシャル層が前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層が前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層が前記第一のエッチングストップ層上に形成され、前記第一の微調整層が一定の膜厚を有し、前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の第一の微調整層をエッチングし、ゆえに、前記第一の高低差が、前記第一の微調整層の前記膜厚によって決まり、あるいは、(2)前記犠牲構造が、更に、第一のエッチングストップ層、第一の微調整層、および上部エッチングストップ層から構成され、前記犠牲エピタキシャル層が前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層が前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層が前記第一のエッチングストップ層上に形成され、前記上部エッチングストップ層が前記第一の微調整層上に形成され、前記第一の微調整層が一定の膜厚を有し、前記ステップC4が、ステップC41およびステップC42から構成され、前記ステップC41において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記上部エッチングストップ層をエッチングし、前記ステップC42において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングし、ゆえに、前記第一の高低差が、前記第一の微調整層の前記膜厚で決まる、ことを特徴とする請求項15記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項17

(1)前記基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層がAlAsあるいはInGaPからなり、前記第一の微調整層がGaAsからなり、前記上部エッチングストップ層がInGaPからなり、あるいは(2)前記基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層がInPからなり、前記第一の微調整層がInGaAsからなり、前記上部エッチングストップ層がInPからなる、ことを特徴とする、請求項16記載の、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項18

前記第一の微調整層の前記膜厚が、1ナノメートルから300ナノメートルの間であり、前記第一のエッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記第一のエッチングストップ層の前記膜厚が、1ナノメートルから50ナノメートルの間であり、前記上部エッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記上部エッチングストップ層の前記膜厚が、50ナノメートルから300ナノメートルの間である、ことを特徴とする請求項16記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項19

前記周波数調整方法が、更に、複数のステップから構成され、前記基板上に底部エッチングストップ層を形成し、前記底部エッチングストップ層上に前記犠牲構造を形成し、前記犠牲エピタキシャル層が一定の膜厚を有し、前記犠牲エピタキシャル層の前記膜厚が、50ナノメートルから5000ナノメートルであり、前記底部エッチングストップ層が一定の膜厚を有し、前記底部エッチングストップ層の前記膜厚が、20ナノメートルから500ナノメートルの間であり、(1)前記基板がGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層がGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInGaPからなり、あるいは(2)前記基板がInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層がInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層がInPからなる、ことを特徴とする請求項15記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項20

前記ステップC51’において、前記第二の研磨層が、Ru、Ti、Mo、Pt、Au、Al、および、Wからなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる、ことを特徴とする請求項13記載のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法。

請求項21

基板上に絶縁層が形成され、前記絶縁層が複数の空孔を有し、複数のバルク音響波共振構造が、それぞれ前記複数の空孔の上に位置し、前記複数の音響波共振構造が、第一のバルク音響波共振構造および第二のバルク音響波共振構造より構成され、前記複数の空孔が、第一の空孔および第二の空孔より構成され、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造が、それぞれ前記第一の空孔および前記第二の空孔の上に位置し、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造が、第一の共振周波数差を有し、前記複数のバルク音響波共振構造が、それぞれ、拡張面上に形成された底部電極層、前記底部電極層上に形成された圧電層、前記圧電層上に形成された上部電極層、および、周波数調整構造から構成され、前記周波数調整構造が、構造A、構造B、および、構造Cの内の一つを有し、前記構造Aにおいて、前記絶縁層が研磨上部表面を有し、前記拡張面が、前記絶縁層の前記研磨上部表面と同一であり、前記第二のバルク音響波共振構造が第二の周波数調整構造を有し、前記第二の周波数調整構造が、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層および前記第二の空孔の間に、形成され、前記第二の周波数調整構造が一定の膜厚を有し、前記膜厚が、前記第一のバルク音響波調整構造および前記第二のバルク音響波調整構造の前記第一の共振周波数差に相関し、前記構造Bにおいて、前記絶縁層が研磨上部表面を有し、前記拡張面が、前記絶縁層の前記研磨上部表面と同一であり、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造が、それぞれ、第一の周波数調整構造および第二の周波数調整構造を有し、前記第一の周波数調整構造が、前記拡張面の下、かつ、前記第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層および前記第一の空孔の間に、形成され、前記第二の周波数調整構造が、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の底部電極層および第二の空孔の間に、形成され、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共振周波数差と相関し、前記構造Cにおいて、第二の研磨層が、前記絶縁層および前記複数の空孔上に形成され、前記第二の研磨層が、研磨上部表面を有し、前記拡張面が、前記第二の研磨層の前記研磨上部表面と同一であり、前記拡張面の下、かつ、前記第一のバルク音響波共振構造の底部電極層および前記第一の空孔の間に位置する前記第二の研磨層が、前記第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造を形成し、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の底部電極層および前記第二の空孔の間に位置する前記第二の研磨層が、前記第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成し、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造が第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差が、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造の、前記第一の共振周波数差と相関する、ことを特徴とするバルク音響波フィルター。

請求項22

前記基板が半導体基板である、ことを特徴とする請求項21記載のバルク音響波フィルター。

請求項23

前記第一の周波数調整構造が、金属、合金、および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなり、前記第二の周波数調整構造が、金属、合金、および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる、ことを特徴とする請求項21記載のバルク音響波フィルター。

請求項24

前記第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層が、同じ材料からなり、前記第二の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層が、同じ材料からなる、ことを特徴とする請求項21記載のバルク音響波フィルター。

技術分野

0001

本願は、バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法に関する。特に、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための高精度周波数調整方法に関する。

背景技術

0002

図5Aから図5Dの断面図を参照しながら、従来技術によるバルク音響波フィルターのための製造方法の各ステップを説明する。図5Aでは、シリコン基板75の上表面をエッチングすることによって窪み74および窪み74’を形成する。シリコン基板75上に犠牲層77を形成した後、化学機械研磨(CMP)で犠牲層77を磨き、シリコン基板75の上表面から犠牲層77を取り除き、図5Bのような構造を形成する。ここで、窪み74および窪み74’が犠牲層77で埋められる。図5Cでは、シリコン基板75の表面上に第一のバルク音響波共振構造70と第二のバルク音響波共振構造70’を形成する。ただし、第一の音響波共振構造70および第二の音響波共振構造70’は、それぞれ同じ厚さの底部電極71と同じ厚さの圧電層72を有し、また、それぞれ上部電極73および上部電極73’を有する。ただし、上部電極73の膜厚は、上部電極73’の膜厚とは異なる。上部電極73および上部電極73’は、膜厚差76を有する。図5Dでは、窪み74および74’に埋め込められた犠牲層77がエッチングされ、窪み74および74’が、それぞれ第一の音響波共振構造70と第二の音響波共振構造70’の二つの空孔を形成する。上部電極73’が上部電極73より厚いので、第二のバルク共振構造70’の共振周波数が第一のバルク音響波共振構造70の共振周波数より低い。第一のバルク音響波共振構造70および第二のバルク音響波共振構造70’は互いに異なる共振周波数を有し、その共振周波数差は前記膜厚差76と相関している。

発明が解決しようとする課題

0003

しかしながら、上部電極73および73’の膜厚差76を調節することによって、第一のバルク音響波共振構造70および第二のバルク音響波共振構造70’の共振周波数差を調律することは、基本的に、第一のバルク音響波共振構造70と第二のバルク音響波共振構造70’の間の構造的相違から共振周波数差の調律することと同意である。ただし、これは、第一のバルク音響波共振構造70および第二のバルク音響波共振構造70’の製造を複雑にし、第一のバルク音響波共振構造70および第二のバルク音響波共振構造70’の性能特性に影響を与えてしまう。

0004

したがって、本願は、上記欠点を避け、デバイス特性を大幅に向上し、経済性も加味した新構造を開発したものである。よって、ここに本願を発明提案する。

課題を解決するための手段

0005

上記問題を解決し期待される効果をえるため、本願は次のステップからなるバルク音響波共振装置のための空孔製造方法を提案する。
ステップA1:化合物半導体基板上に犠牲エピタキシャルメサ構造を形成する。
ステップA2:前記犠牲エピタキシャルメサ構造および前記化合物半導体基板上に絶縁層を形成する。
ステップA3:化学機械研磨プロセスで前記絶縁層を研磨して研磨表面を形成する。
ステップA4:前記研磨表面上にバルク音響波共振構造を形成する。ただし、バルク音波共振装置構造は前記犠牲エピタキシャルメサ構造の上に位置する。
前記ステップA4は、更に次のステップ(A41-A43)からなる。
ステップA41:前記研磨表面上に下部電極層を形成する。
ステップA42:前記下部電極層上に圧電層を形成する。
ステップA43:前記圧電層上に上部電極を形成する。
そしてステップA5:前記犠牲エピタキシャルメサ構造をエッチングし、空孔を形成する。ただし、前記空孔は前記バルク音響波共振構造の下に位置する。

0006

ある実施形態においては、前記ステップA3で絶縁層を削る際前記犠牲エピタキシャルメサ構造を露わにしない。この場合、底部電極層と犠牲エピタキシャルメサ構造の間の絶縁層が周波数調整構造を形成し、前記周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記バルク音響波共振構造は共振周波数を有し、ゆえに前記周波数調整構造の膜厚を調整することによって前記バルク音響波共振構造の共振周波数を調律することが可能となる。

0007

ある実施形態において、更に次のステップから構成される。前記化合物半導体基板上に底部エッチングストップ層を形成し、その上に前記犠牲エピタキシャルメサ構造を形成し、前記犠牲エピタキシャルメサ構造は犠牲エピタキシャル層からなる。

0008

ある実施形態において、(1)前記化合物半導体基板はGaAsからなる。前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなる。前記底部エッチングストップ層はInGaPからなる。あるいは、(2)前記化合物半導体基板はInPからなる。前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなる。前記底部エッチングストップ層はInPからなる。

0009

ある実施形態において、前記犠牲エピタキシャルメサ構造は一定の膜厚を有し、その膜厚は50ナノメートルから5000ナノメートルの間である。前記底部エッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は20ナノメートルから500ナノメートルである。

0010

加えて本願は、次のステップを含む、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を更に提供する。
ステップB1:基板上に複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、前記複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造とから構成される。また、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造は、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造より高い。また、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造は、第一の高低差を有する。
ステップB2:前記複数の犠牲メサ構造および前記基板上に絶縁層を形成する。
ステップB3:前記絶縁層を化学機械研磨工程で研磨し、研磨表面を形成する。
ステップB4:前記研磨表面上に複数のバルク音響波共振構造を形成する。ただし、前記複数のバルク音響波共振構造は少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造と少なくとも第二のバルク音響波共振構造とから構成される。前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造と前記少なくとも第二のバルク音響波共振構造は、それぞれ前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上に位置する。
前記ステップB4は、更に次のステップ(B41-B43)から構成される。
ステップB41:前記研磨表面上に底部電極層を形成する。
ステップB42:前記底部電極層上に圧電層を形成する。
ステップB43:前記圧電層上に上部電極層を形成する。
ステップB5:前記複数の犠牲メサ構造をエッチングして、複数の空孔を形成する。ただし、前記複数の空孔は、それぞれ前記複数のバルク音響波共振構造の下に位置する。
前記ステップB3において、前記絶縁層を研磨し、(1)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造を露わにし、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造を露わにせず(前記絶縁層の下に隠れたままにする)、ゆえに、前記研磨表面下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する絶縁層が前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚は前記第一の高低差と等しい。あるいは(2)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造を剥離せず、ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造と前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する絶縁層が、それぞれ前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造と、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は前記第一の高低差と等しい。また、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造は第一の共振周波数差を有し、前記第一の共振周波数差は前記第一の高低差に相関する。ゆえに前記第一の高低差を調整することによって、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共振周波数差を調律することが可能となる。

0011

ある実施形態では、基板は半導体基板であり、前記複数の犠牲メサ構造は、金属、合金、およびエピタキシャル構造からなるグループから選ばれた少なくとも一つの材料からなる。

0012

ある実施形態では、基板は化合物半導体基板であり、前記ステップB1は次のステップからなる。
ステップB11:基板上に犠牲構造を形成する。ただし、前記犠牲構造は犠牲エピタキシャル層からなる。
ステップB12:前記犠牲構造をエッチングして前記複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、前記複数の犠牲メサ構造は同じ高さを持っている。
ステップB13:前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする。あるいは、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする。

0013

ある実施形態では、更に犠牲構造は第一のエッチングストップ層と第一の微調整層から構成される。ここで、前記犠牲エピタキシャル層は前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層は前記犠牲エピタキシャル層の上に形成され、前記第一の微調整層は前記第一のエッチングストップ層の上に形成される。ただし、前記第一の微調整層は一定の膜厚を有する。ここでステップB13では、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造と前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングする。ゆえに、前記第一の高低差は、前記第一の微調整層の膜厚によって決まる。

0014

ある実施形態では、(1)前記基板はGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層はAlAsかInGaPからなり、前記第一の微調整層はGaAsからなり、あるいは、(2)前記基板はInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層はInPからなり、前記第一の微調整層はInGaAsからなる。

0015

ある実施形態では、前記第一の微調整層の膜厚が1ナノメートルから300ナノメートルであり、前記第一のエッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は1ナノメートルから50ナノメートルである。

0016

ある実施形態では、更に次のステップを含む。前記基板上に下部エッチングストップ層を形成し、前記犠牲構造をその上に形成する。ここで、前記犠牲エピタキシャル層は一定の膜厚を有し、その膜厚は50ナノメートルから5000ナノメートルである。また、前記底部エッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は20ナノメートルから500ナノメートルである。ただし、(1)前記基板はGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層はInGaPからなる。あるいは、(2)前記基板はInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層はInPからなる。

0017

加えて本願は、更に次のステップからなる、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を提供する。
ステップC1:基板上に、犠牲メサ構造を形成する。ただし、前記複数の犠牲メサ構造の高さは等しい。また、前記複数の犠牲メサ構造は少なくともひとつの第一の犠牲メサ構造と少なくともひとつの第二の犠牲メサ構造とからなる。
ステップC2:前記複数の犠牲メサ構造および前記基板上に絶縁層を形成する。
ステップC3:前処理の化学機械研磨工程で前記絶縁層を研磨して前処理研磨表面を形成し、前記複数の犠牲メサ構造を露わにする。
ステップC4:前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が第一の高低差を有するように、両者あるいは前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする。ただし、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造の高さが、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の高さより大きくなるようにする。
ステップC5:複数のバルク音響波共振構造を形成する。ただし、前記複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造から構成される。ここで、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造は、それぞれ前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上に位置する。ただし、(a)前記ステップC5は次のステップにより構成される。
ステップC51:前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層の上に、第二の研磨層を形成する。ただし、前記第二の研磨層は絶縁体からなる。
ステップC52:前記第二の研磨層を化学機械研磨工程で研磨して研磨表面を形成する。ここで、(1)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造は露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造は露わにならない(前記第二の研磨層の下に隠れる)。ゆえに、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、その膜厚は前記第一の高低差に等しい。あるいは、(2)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造は露わにならない(前記第二の研磨層の下に隠れる)。ゆえに前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、それぞれ前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一の周波数調整構造および前記第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は前記第一の高低差に等しい。
ステップC53:前記研磨層上に底部電極層を形成する。
ステップC54:前記底部電極層の上に圧電層を形成する。
ステップC55:前記圧電層の上に上部電極層を形成する。
(b)拡張面が前記前処理研磨表面と一致し、前記ステップC5は次のステップに分割される。
ステップC51':前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層の上に第二の研磨層を形成する。ただし、前記第二の研磨層は、金属と合金からなるグループから選ばれる少なくとも一つの材料からなる。
ステップC52':前記複数の犠牲メサ構造が露わにならない(前記第二の研磨層の下に隠れる)程度に化学機械研磨工程で前記第二の研磨層を研磨し、研磨表面を形成する。
ステップC53':前記第二の研磨層をパターニングし、前記ステップC4において(1)前記少なくとも第二の犠牲メサ構造をエッチングする。ただし、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面の上前記第二の研磨層が、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成する。ただし、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成する。ここで、前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記膜厚は前記第一の高低差に等しい。あるいは、(2)前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造をエッチングする。ただし、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成する。前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造を形成し、前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する、前記拡張面上の前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の底部電極層を形成する。前記拡張面の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二バルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は、第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は前記第一の高低差に等しい。
ステップC54':前記研磨表面上に圧電層を形成する。
ステップC55':前記圧電層上に上部電極層を形成する。
あるいは、(c)前記ステップC5は次のステップから構成される。
ステップC51'':前記複数の犠牲メサ構造および前記絶縁層の上に第二の研磨層を形成する。ただし、前記第二の研磨層は、金属、合金、および絶縁体からなるグループより選択された少なくとも一つの材料よりなる。
ステップC52'':(1)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造が露わになり、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が露わにならないよう(前記第二の研磨層の下に隠れるよう)、化学機械研磨工程によって前記第二の研磨層を研磨する。ゆえに前記研磨層の下において、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の膜厚は前記第一の高低差に等しい。あるいは、(2)前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の両方が露わにならないよう(前記第二の研磨層の下に隠れるよう)、化学機械研磨工程によって前記第二の研磨層を研磨する。ゆえに前記研磨表面の下において、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の下に位置する前記第二の研磨層は、それぞれ前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は前記第一の高低差に等しい。
ステップC53'':前記第二の研磨層をパターニングする。
ステップC54'':前記研磨表面上に底部電極層を形成する。
ステップC55'':前記底部電極層上に圧電層を形成する。
ステップC56'':前記圧電層上に上部電極層を形成する。
ステップC6:前記複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成する。ただし、前記複数の空孔は、それぞれ前記複数のバルク音響波共振構造の下に位置する。
前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造は、第一の共振周波数差を有し、前記第一の共振周波数差は前記第一の高低差に相関する。ゆえに前記第一の高低差を調節することによって、前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の、前記第一の共振周波数差を調律することが可能となる。

0018

ある実施形態において、前記基板は半導体基板であり、前記複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造からなるグループより選択する少なくとも一つの材料からなる。

0019

ある実施形態において、前記基板は化合物半導体であり、前記ステップC1は次のステップより構成される。
ステップC11:前記基板上に犠牲層を形成する。ただし、前記犠牲層は犠牲エピタキシャル層からなる。
ステップC12:前記犠牲層をエッチングして前記複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、前記複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有する。

0020

ある実施形態において、(1)前記犠牲層は更に第一のエッチングストップ層および第一の微調整層からなる。ただし、前記犠牲エピタキシャル層は前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層は前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層は前記第一のエッチングストップ層上に形成される。ここで、前記第一の微調整層は一定の膜厚を有する。前記ステップC4において、前記少なくとも一つの第一のメサ構造および前記少なくとも一つの第二のメサ構造が、前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングする。こうして前記第一の高低差は前記第一の微調整層の膜厚によって決まる。あるいは(2)、前記犠牲構造は更に第一のエッチングストップ層、第一の微調整層、および上部エッチングストップ層からなる。ただし、前記犠牲エピタキシャル層は前記基板上に形成され、前記第一のエッチングストップ層は前記犠牲エピタキシャル層上に形成され、前記第一の微調整層は前記第一のエッチングストップ層上に形成され、前記上部エッチングストップ層は前記第一の微調整層上に形成される。ここで、前記第一の微調整層は一定の膜厚を有する。前記ステップC4は、次のステップより構成される。
ステップC41:前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の上部エッチングストップ層をエッチングする。
ステップC42:前記少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造および前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造が前記第一の高低差を有するように、前記少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造の前記第一の微調整層をエッチングする。ゆえに前記第一の高低差が前記第一の微調整層の膜厚によって決定される。

0021

ある実施形態では、(1)前記基板はGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層はAlAsかInGaPからなり、前記第一の微調整層はGaAsからなり、前記上部エッチングストップ層はInGaPからなる。あるいは、(2)前記基板はInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、前記第一のエッチングストップ層はInPからなり、前記第一の微調整層はInGaAsからなり、前記上部エッチングストップ層はInPからなる。

0022

ある実施形態では、前記第一の微調整層の膜厚は1ナノメートルから300ナノメートルであり、前記第一のエッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は1ナノメートルから50ナノメートルであり、前記上部エッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は50ナノメートルから300ナノメートルである。

0023

ある実施形態では、更に次のステップから構成される。前記基板上に底部エッチングストップ層を形成し、その上に前記犠牲構造を形成する。ただし、前記犠牲エピタキシャル層は一定の膜厚を有し、その膜厚は50ナノメートルから5000ナノメートルである。また、前記底部エッチングストップ層は一定の膜厚を有し、その膜厚は20ナノメートルから500ナノメートルである。ここで、(1)前記基板はGaAsからなり、前記犠牲エピタキシャル層はGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層はInGaPからなる。あるいは(2)前記基板はInPからなり、前記犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、前記底部エッチングストップ層はInPからなる。

0024

ある実施形態において、前記ステップC51’では、前記第二の研磨層は、Ru,Ti、Mo、Pt、Au、Al、Wからなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。

0025

加えて、本願は、絶縁層、複数のバルク音響波共振層、および次の構造の内の一つから構成される、バルク音響波フィルターを更に提供する。構造A、構造B,および構造C:基板の上に前記絶縁層を形成し、前記絶縁層は複数の空孔を有し、前記複数のバルク音響波共振構造は、それぞれ前記複数の空孔の上に位置し、前記複数のバルク音響波共振構造は第一のバルク音響波共振構造および第二のバルク音響波共振構造から構成され、前記複数の空孔は第一および第二の空孔から構成され、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造は、それぞれ前記第一の空孔および前記第二の空孔の上に位置する。ただし、前記第一のバルク音響波共振構造および前記第二のバルク音響波共振構造は第一の共振周波数差を有し、前記複数のバルク音響波共振構造は、それぞれ底部電極層、圧電層および上部電極層からなる。前記底部電極層は拡張面上に形成され、その上に前記圧電層が形成され、更にその上に前記上部電極層が形成される。ここで、構造Aは次のようである。前記絶縁層は研磨上部表面を有し、前記拡張面は、前記絶縁層の前記研磨上部表面と同一である。
ただし、前記第二のバルク音響波共振構造は、第二の周波数調整構造を有し、前記第二の周波数調整構造は、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層と前記第二の空孔との間、に形成される。前記第二の周波数調整構造は一定の膜厚を有し、前記第二の周波数調整構造の前記膜厚は、前記第一および第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共鳴周波数差に相関する。ここで、構造Bは次のようである。前記絶縁層は研磨上部表面を有し、前記拡張面は、前記絶縁層の前記研磨上部表面と同一である。ただし、前記第一および第二のバルク音響波共振構造は、それぞれ第一および第二の周波数調整構造を有する。ここで、前記第一の周波数調整構造は、前記拡張面の下、かつ、前記第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層と前記第一の空孔との間に形成され、前記第二の周波数調整構造は、前記拡張面の下、かつ、前記第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層および前記第二の空孔の間に形成される。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は、前記第一のおよび第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共振周波数差に相関している。ここで、構造Cは次のようである。前記複数の空孔の上において、前記絶縁層上に第二の研磨層が形成され、前記第二の研磨層は研磨上部表面を有し、前記拡張面は前記第二の研磨層の前記研磨上部表面に一致している。ただし、前記拡張面の下において、前記第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層と前記第一の空孔との間に形成された前記第二の研磨層は、前記第一のバルク音響波共振構造の第一の周波数調整構造を形成し、前記拡張面の下において、前記第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層と前記第二の空孔との間に形成された前記第二の研磨層は、前記第二のバルク音響波共振構造の第二の周波数調整構造を形成する。ただし、前記第一および第二の周波数調整構造は第一の膜厚差を有し、前記第一の膜厚差は、前記第一および第二のバルク音響波共振構造の前記第一の共振周波数差に相関する。

0026

ある実施形態において、前記基板は半導体基板である。

0027

ある実施形態において、前記第一の周波数調整構造は、金属、合金および絶縁体からなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。前記第二の周波数調整構造は、金属、合金および絶縁体からなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。

0028

ある実施形態において、前記第一の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造の前記底部電極層は、同じ材料よりなる。前記第二の周波数調整構造および前記少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造の前記底部電極層は、同じ材料よりなる。

0029

以下、本願の特徴と効果を更に理解するため、いくつかの好ましい実施形態を図面を用いてより詳細に説明する。

図面の簡単な説明

0030

本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のエピタキシャル構造を示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態を示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の二つの実施形態を示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の二つの実施形態を示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である。
従来技術のバルク音響波フィルターを製造する方法のステップを示す断面図である。
従来技術のバルク音響波フィルターを製造する方法のステップを示す断面図である。
従来技術のバルク音響波フィルターを製造する方法のステップを示す断面図である。
従来技術のバルク音響波フィルターを製造する方法のステップを示す断面図である。

実施例

0031

本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のステップを示す断面図である、図1Aから1Fを参照する。本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法は、以下のステップからなる。
ステップA1:(図1B参照)化合物半導体基板13上に犠牲エピタキシャルメサ構造60を形成する。形成ステップは下記の通りである。(図1A参照)前記化合物半導体基板13上に犠牲エピタキシャル構造28を形成する。(図1B参照)前記犠牲エピタキシャル構造28をエッチングして前記犠牲エピタキシャルメサ構造60を形成する。
ステップA2:(図1C参照)犠牲エピタキシャルメサ構造60および化合物半導体基板13の上に絶縁層11を形成する。ただし、絶縁層11は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiO2)およびポリマーからなるグループより選択する少なくとも一つの材料からなる。
ステップA3:(図1D参照)化学機械研磨工程を用いて絶縁層11を研磨して研磨表面41を形成する。
ステップA4:(図1E参照)研磨表面41上にバルク音響波共振構造3を形成する。ただし、バルク音響波共振構造3は、犠牲エピタキシャルメサ構造60の上に位置する。
前記ステップA4は、更に次のステップからなる。
ステップA41:研磨表面41上に底部電極層30を形成する。底部電極層30上に圧電層31を形成する。圧電層31上に上部電極層32を形成する。
ステップA5:(図1F参照)犠牲エピタキシャルメサ構造60をエッチングして空孔40を形成する。ただし、空孔40はバルク音響波共振構造3の下に位置する。
ステップA3では、犠牲エピタキシャルメサ構造60が露わにならない(絶縁層11の下に隠れたままになる)程度に絶縁層11を研磨する。ただし、底部電極層30および犠牲エピタキシャルメサ構造60の間の絶縁膜11は、周波数調整構造50を形成し、この周波数調整層50は一定の膜厚Tを有し、バルク音響波共振構造3は共振周波数Fを有し、ゆえに共振調整構造50の膜厚Tを調整することによって、バルク音響波共振構造3の共振周波数Fを調律することが可能となる。周波数調整構造50の膜厚Tが増大するにつれ、バルク音響波共振構造3の共振周波数Fは減少する。反対に周波数調整構造50の膜厚Tが減少するにつれ、バルク音響波共振構造3の共振周波数Fは増大する。本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の主な特徴は、化合物半導体基板13を使って犠牲エピタキシャル構造28を犠牲層として形成し、それから化学機械研磨工程で絶縁層11を研磨することである。その利点は、周波数調整構造50の膜厚Tを正確に調整しやすくすることである。また、バルク音響波共振構造3の周波数Fを正確に調律しやすくすることである。しかしながら、もし周波数調整構造50の膜厚Tが圧過ぎると、バルク音響波共振構造3の共振状態に影響してしまう。そこで、周波数調整構造50の膜厚Tは1000ナノメートル以下にすることが求められる。また、いくつかの好ましい実施形態においては、周波数調整構造50の膜厚Tは300ナノメートルかそれ以下である。

0032

本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図1Gと1Hを参照する。図1Hにみられる実施形態を形成する主な方法は、基本的に、図1Fにみられる実施形態を形成する方法と同じである。ただし、ステップA3において、犠牲エピタキシャルメサ構造60が露わになるまで絶縁層11を研磨する点が異なる。(図1G参照)。つづいて研磨表面41上にバルク音響波共振構造3を形成し、犠牲エピタキシャルメサ構造60をエッチングして空孔40を形成する。(図1H参照)。本実施形態において、バルク音響波共振構造3は、図1Fの実施形態にみられるような周波数調整構造50を持っていない。

0033

本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態のエピタキシャル構造を示す断面図である、図1Iを参照する。図1Iの実施形態のエピタキシャル構造の主な構造は、基本的に、図1Aの実施形態と同じである。ただし、化合物半導体基板13の裏面に更にエッチング防止層12が形成されている点が異なる。エッチング防止層12の役割は、化合物半導体基板13の裏面を保護し、製造工程中のエッチングプロセスの間のエッチング(特に、ウェットエッチングエッチャントによるエッチング)によるダメージから化合物半導体基板13の裏面を防御することである。エッチング防止層12は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiO2)、アルミニウム窒化物(AlN)、およびフォトレジストからなるグループより選択する少なくとも一つの材料からなる。エッチング防止層12の好ましい材料はシリコン窒化物である。通常、エッチング防止層12は、基板薄膜化工程を実施するため、ステップA5の後に取り除かれる。本願の他のすべての実施形態において、基板は半導体基板であっても化合物半導体基板であっても構わない。エッチング防止層12は、基板の裏面を守るため、半導体基板の裏面に形成してもよいし、化合物半導体基板の裏面に形成しても構わない。

0034

本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図1Jおよび1Kを参照する。図1Jの実施形態のエピタキシャル構造の主な構造は、基本的に、図1Aの実施形態のそれと同じである。ただし、底部エッチングストップ層20が化合物半導体基板13の上に更に形成されており、その上に犠牲エピタキシャル構造28が形成されている点が異なる。犠牲エピタキシャル構造28をエッチングして犠牲エピタキシャルメサ構造60を形成する際、犠牲エピタキシャルメサ構造60の周りの犠牲エピタキシャル構造28をエッチングすると、底部エッチングストップ層20のところでエッチングが止まる。犠牲エピタキシャルメサ構造60の下には、底部エッチングストップ層20が残る。図1Kにみられるバルク音響波共振装置の実施形態は、図1Jにみられる実施形態のエピタキシャル構造から形成される。図1Kの実施形態の主な構造は、基本的に、図1Fの実施形態のそれと同じである。ただし、底部エッチングストップ層20が、化合物半導体基板13上に更に形成される点が異なる。ステップA2では、絶縁層11が犠牲エピタキシャルメサ構造60および底部エッチングストップ層20の上に形成される。ゆえに、ステップA5で犠牲エピタキシャルメサ構造60をエッチングした後、底部エッチングストップ層20上に空孔40が形成される。幾つかの実施形態において、化合物半導体基板13はGaAsからなり、犠牲エピタキシャル構造28は犠牲エピタキシャル層からなり、犠牲エピタキシャル層はGaAsからなる。ただし、犠牲エピタキシャル層は50ナノメートルから5000ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。底部エッチングストップ層20は、20ナノメートルから500ナノメートルの間の一定の膜厚を有するInGaPからなる。他のいくつかの実施形態では、化合物半導体基板13はInPからなり、犠牲エピタキシャル構造28は犠牲エピタキシャル層からなり、犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなる。ただし、犠牲エピタキシャル層は50ナノメートルから5000ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。底部エッチングストップ層20は、20ナノメートルから500ナノメートルの間の一定の膜厚を有するInPからなる。

0035

本願のバルク音響波共振装置の空孔を形成する方法の一実施形態を示す断面図である、図1Lを参照する。図1Lに見られるバルク音響波共振装置の実施形態も、図1Jに見られる実施形態のエピタキシャル構造から形成される。図1Lの実施形態の主な構造は、基本的に、図1Kの実施形態のそれと同じである。ただし、ステップA3において、犠牲エピタキシャルメサ構造60が露わになるよう絶縁層11が研磨され、その後研磨表面41上にバルク音響波共振構造3を形成し、犠牲エピタキシャルメサ構造60をエッチングして空孔40を形成する点が異なる。(図1Gおよび1Hに同様)。ゆえに、バルク音響波共振構造3は、図1Kに見られる実施形態のような周波数調整構造50を持たない。

0036

更に、本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である、図2Aから2Fを参照する。図2Fに示すように、本実施形態の構造は、基板10上に形成される、少なくとも一つの第一バルク音響波共振装置1および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置1’を、それぞれ有する。本実施形態において、少なくとも一つの第一バルク音響波共振装置1は直列共振装置であり、少なくとも一つの第二バルク音響波共振装置1’はシャント共振装置である。少なくとも一つの第一バルク音響波共振装置1は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3、第一の周波数調整構造50、および、少なくとも一つの第一の空孔40から構成される。少なくとも一つの第一バルク音響波共振装置1’は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’、第二の周波数調整構造50’、および少なくとも一つの第二の空孔40’から構成される。
本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法は、次のステップからなる。
ステップB1:(図2B参照)基板10上に複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’から構成される。ここで、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6の高さは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の高さより大きく、両者は第一の高低差HD1を有する。本実施形態において、基板10は半導体基板である。複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造からなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
ステップB2:(図2C参照)複数の犠牲メサ構造および基板10の上に絶縁層11を形成する。ただし、この絶縁層11は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiO2)およびポリマーからなるグループより選択される少なくとも一つの材料よりなる。
ステップB3:(図2D参照)化学機械研磨工程によって絶縁層11を研磨し、研磨表面41を形成する。
ステップB4:(図2E参照)研磨表面41上に複数のバルク音響波共振構造を形成する。(本願のバルク音響波フィルターの全実施形態において、複数のバルク音響波共振構造はすべて拡張面43上に形成される。本実施形態では、拡張面43は研磨表面41と同一である。)ただし、これら複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’から構成される。これら少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’は、それぞれ、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の上に位置する。
ステップB4は、次のステップよりなる。
ステップB41:研磨表面41上に底部電極層30を形成する。
ステップB42:底部電極層30上に圧電層31を形成する。
ステップB43:圧電層31上に上部電極層32を形成する。
ステップB5:(図2F参照)複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成する。ただし、これら複数の空孔は、それぞれ、複数のバルク音響波共振構造の下に位置する。これら複数の空孔は、少なくとも一つの第一の空孔40および少なくとも一つの第二の空孔40’からなる。これら少なくとも一つの第一の空孔40および少なくとも一つの第二の空孔40’は、それぞれ、少なくとも一つの第一の音響波共振構造3および少なくとも一つの第一の音響波共振構造3’の下に位置する。
ステップB3では、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6’を露わにしない(絶縁層11の下に隠れる)程度に絶縁層11を研磨する。こうして、研磨表面41の下で、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する絶縁層11が、それぞれ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の第一の周波数調整構造50および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を、形成する。ただし、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’は、第一の膜厚差TD1を有し、このTD1は第一の高低差HD1に等しい。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の第一の共振周波数F1は、第一の周波数調整構造50によって調律される。一方、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の共振周波数F2は、第二の周波数調整構造50’によって調律される。第二の周波数調整構造50’の膜厚が第一の周波数調整構造50の膜厚より大きいので、少なくとも一つの第二の音響波共振構造3’の第二の共振周波数F2は、少なくとも一つの第一の音響波共振構造3の第一の共振周波数F1より低くなるよう調律される。それゆえ、少なくとも一つの第一の音響波共振構造3および少なくとも一つの第二の音響波共振構造3’は、第一の共振周波数差FD1を有する。ただし、このFD1は、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’の第一の膜厚差TD1に相関する。すなわち、第一の共振周波数差FD1は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6’の第一の高低差HD1に相関する。こうして、第一の高低差HD1を調節することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1を調整することが可能となる。基板10の寸法がバルク音響波共振装置の寸法よりはるかに大きいので、化学機械研磨工程で絶縁層11を研磨すると、基板10中央付近での絶縁層11の研磨深さは、たいてい基板10中央から離れた場所での絶縁層11の研磨深さと同じではない。しかしながら、隣り合うバルク音響波共振装置、特に、同じバルク音響波フィルターを有する複数のバルク音響波共振装置において、絶縁膜11の研磨深さは、ほぼ同じにするべきである。本願の特徴の一つは、同じバルク音響波フィルターの、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’の第一の膜厚差TD1が、基板10の中央付近と中央から離れた場所で変わらないことである。すなわち、同じバルク音響波フィルターの、少なくとも一つの第一の音響波共振構造3および少なくとも一つの第二の音響波共振構造3’の第一の共振周波数差FD1は、基板10の中央付近と中央から離れた場所で変わらない。同じバルク音響波フィルターにおいて、少なくとも一つの第一の音響波共振構造3および少なくとも一つの第二の音響波共振構造3’の第一の共振周波数差FD1は、少なくとも一つの第一の周波数調整構造50および少なくとも一つの第二の周波数調整構造50’の第一の膜厚差TD1と相関し、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の第一の高低差HD1と相関し、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’の材料とも相関している。第一の高低差HD1を調整し、あるいは、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’に違う種類の材料を選択することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1を調整することが可能となる。さらに本願では、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第一の共振周波数差FD1が、基板10の中央付近と中央から離れた場所で変わらない。これは、本願の主な特徴の一つであり、後のトリミング工程で大きな助けとなる。ウェーハー上のどの領域内でも同じバルク音響波フィルターであれば、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第一の共振周波数差FD1が正確に制御され、しかも場所に依存しないので、トリミング工程の時間コストを著しく減少させる。幾つかの実施形態において、基板10は化合物半導体基板よりなる。複数の犠牲メサ構造はエピタキシャル構造よりなる。
ステップB1は次のステップからなる。
ステップB11:(図2A参照)基板10上に犠牲構造21を形成する。
ステップB12:犠牲構造21をエッチングして複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メタ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6(21)および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’(21)から構成される。ここで、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有する。
ステップB13:(図2B参照)少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’をエッチングし、あるいは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’をエッチングする。

0037

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図2Gおよび図2Hを参照する。本実施形態では、基板10は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造が、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図2Hに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図2Fに見られる実施形態を形成するステップと同じである。ただし、ステップB3において、
少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6が露わになり、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が露わにならない(絶縁層11の下に隠れる)程度に絶縁層11が研磨される。(図2G参照)それゆえ、研磨表面41(拡張面43)の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する絶縁層11が、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を形成する。図2Hに見られるように、第二の周波数調整構造50’は膜厚T2を有し、そのT2は第一の高低差HD1と同一である。本実施形態では、図2Fの実施形態に見られるような第一の周波数調整構造50は存在しない。それゆえ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第一の共振周波数差FD1は、第二の周波数調整構造50’の膜厚T2に相関する。すなわち、第一の共振周波数差FD1は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の第一の高低差HD1と相関する。こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1を調整することが可能になる。

0038

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である、図2Iを参照する。図2Iの実施形態の主な構造は、基本的に、図2Fの実施形態のそれと同じである。ただし、基板10上に底部エッチングストップ層20が更に形成され、そのうえに絶縁層11が形成される点が異なる。少なくとも一つの第一の空孔40と少なくとも一つの第二の空孔40’は、底部エッチングストップ層20の上に位置する。図2Iに見られる実施形態を形成する主な方法は、基本的に、図2Fに見られる実施形態を形成する方法のそれと同じである。ただし、ステップB11の前に、更に次のステップが含まれる点が異なる。基板10上に底部エッチングストップ層20を形成する。ただし、ステップB11では、その上に犠牲構造21を形成する。ステップB2では、複数の犠牲メサ構造および底部エッチングストップ層20の上に絶縁層11が形成される。本実施形態では、基板10は化合物半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造(犠牲構造21)はエピタキシャル構造よりなる。幾つかの実施形態において、基板10はGaAsであり、犠牲構造21は犠牲エピタキシャル層からなる。ただし、犠牲エピタキシャル構造21はGaAsからなり、犠牲エピタキシャル層は50ナノメートルから5000ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。底部エッチングストップ層20はInGaPからなる。ここで、底部エッチングストップ層20は20ナノメートルから500ナノメートルの一定の膜厚を有する。いくつかの他の実施形態においては、基板10はInPであり、犠牲構造21は犠牲エピタキシャル層からなる。ただし、犠牲エピタキシャル層はInGaAsからなり、50ナノメートルから5000ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。底部エッチングストップ層20はInPからなる。ただし、底部エッチングストップ層20は、20ナノメートルから500ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。

0039

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である、図2Jを参照する。基板10は化合物半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造はエピタキシャル構造からなる。図2Jの実施形態の主な構造は、基本的に、図2Iの実施形態のそれと同じである。ただし、ステップB3において、(図2Gと同様に)少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6が露わになり、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が露わにならない(絶縁層11の下に隠れる)程度に絶縁層11を研磨する。こうして、研磨表面41(拡張面43)の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する絶縁層11が、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を形成する。

0040

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図2Kから2Nを参照する。図2Kの実施形態では、基板10は化合物半導体基板であり、犠牲構造21はエピタキシャル層からなる。図2Kの実施形態のエピタキシャル構造の主な構造は、基本的に、図2Aの実施形態のそれと同じである。ただし、犠牲構造21が、エピタキシャル層27、第一のエッチングストップ層22、および第一の微調整層23から構成され、犠牲エピタキシャル層27が基板10上に形成され、その上に第一のエッチングストップ層22が形成され、更にその上に第一の微調整層23を形成する。図2Lに見られるように、犠牲構造21をエッチングして複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’から構成される。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有する(ステップB12)。図2Mに見られるように、第一の微調整層23は膜厚FT1を有する。少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の微調整層23をエッチングする(ステップB13)。図2Nに、ステップB2、ステップB3およびステップB4の後の結果が見られる。図2Nの、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’をエッチングした(ステップB5)後の結果は、図2Fの実施形態と同一である。これは、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置3’の第一の共振周波数差FD1を正確に調律するのに役立つ。幾つかの実施形態において、基板10はGaAsであり、犠牲エピタキシャル層27はGaAsであり、第一のエッチングストップ層22はAlAsあるいはInGaPからなり、1ナノメートルから50ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。第一の微調整層23はGaAsからなり、その膜厚FT1は1ナノメートルから300ナノメートルの間である。幾つかの他の実施形態において、基板10はInPからなり、犠牲エピタキシャル層27はInGaAsからなり、第一のエッチングストップ層22はInPからなり、1ナノメートルから50ナノメートルの間の一定の膜厚を有する。第一の微調整層23はInGaAsからなり、その膜厚FT1は1ナノメートルから300ナノメートルの間である。

0041

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である、図3Aから3Gを参照する。本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を使用し、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置1および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置1’(図3G参照)を形成するには、は、次のステップがある。
ステップC1:基板10上に複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有し、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’から構成される。本実施形態では、基板10は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は金属、合金およびエピタキシャル構造からなるグループより選択される、少なくとも一つの材料からなる。
ステップC2:(図3A参照)複数の犠牲メサ構造および基板上に絶縁層11を形成する。
ステップC3:(図3B)これら複数の犠牲メサ構造が露わになるように、前処理用化学機械研磨工程で基板11を研磨して前処理研磨表面42を形成する。
ステップC4:(図3C参照)少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’をエッチングする。ただし、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6の高さは少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の高さより大きい。
ステップC5:(図3Dから3F参照)複数のバルク音響波共振構造を形成する。ただし、これら複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’より構成される。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’は、それぞれ、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の上に位置する。
ステップC5は次のステップから構成される。
ステップC51:複数の犠牲メサ構造および絶縁層11上に第二の研磨層51を形成する。ただし、第二の研磨層51は絶縁体からなり、その絶縁体の材料は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiO2)、アルミニウム窒化物、および亜鉛酸化物(ZnO)からなるグループより選択される少なくとも一つの材料である。
ステップ52:少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が露わにならない(第二の研磨層51の下に隠れる)程度に、化学機械研磨工程で第二の研磨層51を研磨して研磨表面41を形成する。こうして研磨表面41の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する、第二研磨層51は、それぞれ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の第一の周波数調整構造50および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第一の周波数調整構造50’を形成する。ただし、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’は、第一の膜厚差TD1を有し、そのTD1は第一の高低差HD1に等しい。
ステップC53:研磨表面41上に底部電極層30を形成する。(上述したように、複数のバルク音響波共振構造が拡張面43上に形成される。本実施形態では、拡張面43は研磨表面41に同一である。)
ステップC54:底部電極層30上に圧電層31を形成する。
ステップC55:圧電層31上に上部電極32を形成する。
ステップC6:(図3Gを参照)複数の犠牲メサ構造をエッチングして複数の空孔を形成する。ただし、これら空孔はそれぞれ複数のバルク音響波共振装置の下に位置する。またこれら複数の空孔は、少なくとも一つの第一の空孔40および少なくとも一つの第二の空孔40’より構成される。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置3’は第一の共振周波数FD1を有し、そのFD1は、第一の共振周波数調整構造50および第二の共振周波数調整構造50’の第一の膜厚差TD1と相関する。すなわち、第一の共振周波数差FD1は第一の高低差HD1と相関する。
こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置3’の、第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。幾つかの実施形態において、基板10は化合物半導体であり、複数の犠牲メサ構造はエピタキシャル構造よりなる。ここで、ステップC1は次のステップより構成される。
ステップC11:基板10上に犠牲構造21を形成する。
ステップC12:犠牲構造21をエッチングして複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有する。

0042

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図3Hおよび3Iを参照する。本実施形態では、基板10は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造からなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図3Iに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図3Gに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC52において、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6を露わにし、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’を露わにしない(第二の研磨層51の下に隠れる)程度に第二の研磨層51を研磨する。(図3H参照)こうして、研磨表面41(拡張面43)の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する、第二の研磨層51は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を形成する。(図3I参照)ただし、第二の周波数調整構造50’は膜厚T2を有する。このT2は第一の高低差HD1に等しい。本実施形態には、図3Gの実施形態に見られるような第一の周波数調整構造50は存在しない。それゆえ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第一の共振周波数差FD1は、第二の周波数調整構造50’の膜厚T2と相関する。すなわち、第一の共振周波数差FD1は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の第一の高低差HD1に相関する。こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。本実施形態では、第二の研磨層51は、金属、合金および絶縁体より構成されるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。

0043

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図3Jおよび図3Kを参照する。本実施形態では、基板10は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図3Kに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図3Gに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC5において、複数のバルク音響波共振構造が拡張面43上に形成され、この拡張面43が前処理研磨表面42と同一である点を除く。ここで、ステップC5は次のステップから構成される。
ステップC51':(図3D参照)複数の犠牲メサ構造および絶縁層11上に第二の研磨層51を形成する。ただし、この第二の研磨層51は金属および合金よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。好ましい実施形態では、第二の研磨層51は、Ru、Ti、Mo、Pt、Au、Al、および、Wよりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
ステップC52':(図3E参照)複数の犠牲メサ構造を露わにしない(第二の研磨層51の下に隠れる)程度に、化学機械研磨工程で第二の研磨層51を研磨する。
ステップC53':(図3J参照)第二の研磨層51をパターニングする。
ステップC54':研磨表面41上に圧電層31を形成する。
ステップC55':圧電層31上に上部電極層32を形成する。複数の犠牲メサ構造をエッチングするステップC6の後、図3Kの実施形態を形成する。ステップC4で、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’をエッチングする。ただし、研磨表面41下で、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の下に位置する、前処理研磨表面42(拡張面43)上の、第二の研磨層51は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の底部電極層30を形成する。ここで、研磨表面41下で、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する、前処理研磨表面42(拡張面43)上の、第二の研磨層51は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の底部電極層30を形成する。前処理研磨表面42(拡張面43)の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する第二の研磨層51は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を形成する。ただし、第二の周波数調整構造50’は膜厚T2を有し、第二の周波数調整構造50’の膜厚T2は、第一の高低差HD1に等しい。
こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共鳴周波数差FD1を調律することが可能となる。

0044

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である、図3Lを参照する。本願では、基板10は半導体基板である。複数の犠牲メサ構造は金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図3Lに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図3Gに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC5が次のステップから構成される点が異なる。
ステップC51'':(図3D参照)複数の犠牲メサ構造および絶縁層11上に第二の研磨層51を形成する。ただし、第二の研磨層51は、金属、合金および絶縁膜よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。
ステップC52'':(図3E参照)少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が露わにならない(第二の研磨層51の下に隠れる)程度に、化学機械研磨工程で第二の研磨層51を研磨して研磨表面41を形成する。
ステップC53'':(図3J参照)第二の研磨層51をパターニングする。
ステップC54'':研磨表面41(拡張面43)上に底部電極層30を形成する。
ステップC55'':底部電極層30上に圧電層31を形成する。
ステップC56'':圧電層31上に上部電極層32を形成する。図3Lの実施形態がステップC6の後に形成される。
こうして、研磨層41の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する、第二の研磨層51は、それぞれ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の第一の周波数調整構造50、および、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を形成する。ただし、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’は、第一の膜厚差TD1を有し、このTD1は第一の高低差HD1に等しい。こうして、第一の高低差HD1を調節することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。

0045

図3Gおよび3Iの実施形態において、ステップC2(図3A参照)では、非常に分厚い絶縁層11が最初に形成される。ここで、絶縁層11の膜厚は、複数の犠牲メサ構造の高さより高くなければならない。ステップC3(図3B参照)において、化学機械研磨工程は、絶縁層11の研磨後の膜厚が複数の犠牲メサ構造の高さと少なくとも同等かそれ以上になるよう、絶縁層11を研磨しなければならない。しかしながら、化学機械研磨工程には欠点もある。すなわち、要求される研磨深さが深すぎると、研磨表面の均一性が損なわれる。本実施形態では、要求される絶縁層11の研磨深さが非常に深いため、前処理研磨表面42の均一性は研磨後に損なわれてしまう。しかしながら、後のステップC51で形成される第二の研磨層51の要求研磨深さは、絶縁層11の要求研磨深さに比べて非常に薄い。第二の研磨層51の研磨深さは、単純に、第一の高低差HD1より厚くなりさえすれば良い。それゆえ、ステップC52の化学機械研磨工程で第二の研磨層51を研磨した後に形成される研磨表面41の均一性は損なわれない。ここで、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置1および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置1’の底部電極層30を、この研磨表面41上に形成することは、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置1および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置1’の共振特性を向上することに役立つ。この状況は、図3Lの実施形態においても同様である。図3Kの実施形態の場合でも、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置1および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置1’の圧電層を研磨表面41上に形成することも、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置1および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置1’の共振特性を向上することに役立つ。

0046

図3G、3I、3K、および、3Lの実施形態は、図2Kのそれと同様な犠牲構造から形成される。ただし、基板10は化合物半導体である。ここで、犠牲構造21は、犠牲エピタキシャル層27、第一のエッチングストップ層22、および、第一の微調整層23よりなる。ただし、犠牲エピタキシャル層27は基板10上に形成される。第一のエッチングストップ層22は犠牲エピタキシャル層27上に形成される。第一の微調整層23は第一のエッチングストップ層22上に形成される。ただし、第一の微調整層23は膜厚FT1を有する。ステップC4では、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の微調整層23をエッチングする。こうして、第一の高低差HD1は第一の微調整層23の膜厚FT1によって決定される。それゆえ、第一の高低差HD1を正確に調整することが可能とある。また、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1を正確に調律することも可能となる。

0047

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の一実施形態のステップを示す断面図である、図4Aから4Dを参照する。図4Dに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図3Gに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC4(図4A参照)において、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’をエッチングする。ただし、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6の高さは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の高さより大きい。図4Dの実施形態は、ステップC51(図4B参照)、ステップC52(図4C)、ステップC53からステップC55およびステップC6の後に形成される。ただし、第二の研磨層51は絶縁体からなる。本実施形態では、基板10は半導体基板である。複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。

0048

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図4Eおよび図4Fを参照する。本実施形態では、基板10は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図4Fに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図4Dに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC52(図4Eも参照)において、研磨表面41(拡張面43)が前処理研磨表面42と同一になるように、あるいは、研磨表面41が前処理研磨表面42より低くなるように、第二の研磨層51を研磨する。ただし、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’は露わにならない(第二の研磨層51の下に隠れる)。図4Fの実施形態において、第二の研磨層51は、金属、合金、および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。

0049

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図4Gおよび図4Hを参照する。本実施形態では、基板10は半導体基板である。複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループから選択される少なくとも一つの材料からなる。図4Hに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図3Kに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC4(図4A参照)において、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’をエッチングする。ここで、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6の高さは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の高さより大きい。ステップC5において、複数のバルク音響波共振構造は拡張面43上に形成される。ただし、拡張面43は前処理研磨表面42と同一である。第二の研磨層51をパターニングするステップC53'(図4G参照)、ステップC54'、ステップC55'、およびステップC6(図4H参照)の後、研磨表面41の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の下に位置し、前処理研磨表面42(拡張面43)より上の第二の研磨層51は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の底部電極層30を形成する。ただし、前処理研磨表面42(拡張面43)の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の下に位置する第二の研磨層51は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の第一の周波数調整構造50を形成する。研磨表面41の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置し、前処理研磨表面42(拡張面43)より上の第二の研磨層51は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の底部電極層30を形成する。前処理研磨表面42(拡張面43)の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する第二の研磨層51は、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を形成する。第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’は第一の膜厚差TD1を有し、そのTD1は第一の高低差HD1に等しい。こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’ の、第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。第二の研磨層51は、金属および合金よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。ただし、好ましい実施形態においては、第二の研磨層51は、Ru、Ti、Mo、Pt、Au、Al、およびWよりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。

0050

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態を示す断面図である図4Iを参照する。本実施形態では、基板10は半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造は、金属、合金およびエピタキシャル構造よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。図4Iに見られる実施形態を形成する主なステップは、基本的に、図3Lに見られる実施形態を形成するそれと同じである。ただし、ステップC4(図4A参照)において、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の両方をエッチングする点で異なる。ただし、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6の高さは、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の高さより大きい。ステップ52''においては、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が露わにならない(第二の研磨層51の下に隠れる)程度に第二の研磨層51を研磨する。第二の研磨層51をパターニングするステップ53''(図4G参照)、ステップC54''からステップC56''、および、ステップC6(図4I参照)の後、研磨表面41(拡張面43)の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の下に位置する、第二の研磨層51は、それぞれ、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の第一の周波数調整構造50、および、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を形成する。第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’は、第一の膜厚差TD1を有し、そのTD1は第一の高低差HD1に等しい。こうして、第一の高低差HD1を調整することによって、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1を調律することが可能となる。本実施形態において、第二の研磨層51は、金属、合金および絶縁体よりなるグループより選択される少なくとも一つの材料からなる。

0051

本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法の別の実施形態のステップを示す断面図である、図4Jから4Mを参照する。図4Jの実施形態において、基板10は化合物半導体基板であり、犠牲構造21はエピタキシャル構造よりなる。図4Jの実施形態のエピタキシャル構造の主な構造は、基本的に、図2Lの実施形態のそれと同じである。ただし、犠牲構造21は、犠牲エピタキシャル層27、第一のエッチングストップ層22、第一の微調整層23、および上部エッチングストップ層26より構成される点で異なる。ここで、ステップC1は次のステップより構成される。
ステップC11:基板10上に犠牲構造21を形成する。
ステップC12:犠牲構造21をエッチングして複数の犠牲メサ構造を形成する。ただし、これら複数の犠牲メサ構造は同じ高さを有し、これら複数の犠牲メサ構造は、少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’から構成される。ただし、基板10上に犠牲エピタキシャル層27が形成され、その上に第一のエッチングストップ層22が形成され、その上に第一の微調整層23が形成され、その上に上部エッチングストップ層26が形成される。
図4Kの実施形態の構造がステップC2およびC3の後に形成される。ステップ4は次のステップから構成される。
ステップC41:(図4L参照)少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の上部エッチングストップ層26をエッチングする。
ステップC42:(図4M参照)少なくとも一つの第一の犠牲メサ構造6および少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’が第一の高低差HD1を有するように、少なくとも一つの第二の犠牲メサ構造6’の、第一の微調整層23をエッチングする。
第一の微調整層23は膜厚FT1を有し、ゆえに第一の高低差HD1は、第一の微調整層23の膜厚FT1により決定される。こうして、第一の高低差HD1を正確に調整することが可能となる。ここで、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’の第一の膜厚差TD1を正確に調整することが可能となる。また、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1を正確に調律することが可能となる。図4D、4F、4H、および4Iの実施形態は、図4Mの構造より形成される。図4Mのエピタキシャル構造から、図4D、4F、4H、および4Iの実施形態を形成するために、ステップC3では、複数の犠牲メサ構造が露わになるよう、絶縁層11を研磨する。しかしながら、研磨中、基板10の中央付近に位置する複数の犠牲メサ構造と、基板10の中央から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造を研磨して同時に露わにすることは不可能である。たとえば、基板10の中心より離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造が先に露わになったとしよう。このとき、基板10の中心付近に位置する複数の犠牲メサ構造を露わにするため、研磨はまだ続けなければならない。ゆえに、基板10の中央から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造は過剰に研磨されてしまう。こうして、研磨後、基板10の中央付近から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層23の膜厚は、基板10の中央に位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層23の膜厚より薄くなってしまう。基板10の中央付近に位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層23の膜厚が、基板10の中央付近から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層23の膜厚と等しくならなくなることを避けるため、基板10の中央付近に位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層23の膜厚が、基板10の中央付近から離れたところに位置する複数の犠牲メサ構造の第一の微調整層23の膜厚と等しく設定できるよう、上部エッチングストップ層26を導入する。幾つかの実施形態において、基板10はGaAsからなる。犠牲エピタキシャル層27はGaAsからなる。第一のエッチングストップ層22はAlAsあるいはInGaPからなる。ただし、第一のエッチングストップ層22の膜厚は、1ナノメートルから50ナノメートルの間である。第一の微調整層23はGaAsからなる。ただし、第一の微調整層23の膜厚FT1は、1ナノメートルから300ナノメートルの間である。上部エッチングストップ層26はInGaPからなる。ただし、上部エッチングストップ層26の膜厚は、50ナノメートルから300ナノメートルの間である。幾つかの他の実施形態において、基板10はInPからなる。犠牲エピタキシャル層27はInGaAsからなる。第一のエッチングストップ層22はInPからなる。ただし、第一のエッチングストップ層22の膜厚は、1ナノメートルから50ナノメートルの間である。第一の微調整層23はInGaAsである。ただし、第一の微調整層23の膜厚FT1は、1ナノメートルから300ナノメートルの間である。上部エッチングストップ層26はInPからなる。ただし、上部エッチングストップ層26の膜厚は、50ナノメートルから300ナノメートルの間である。

0052

図2F、2H、2I、2J、3G、3I,3K,3L、4D、4F、4H、および4Iの全実施形態は、共通の特性を持っている。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振装置1および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振装置1’は、本願のバルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法により形成される。共通の特性とは、任意のバルク音響波共振構造(少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3あるいは少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’)の底部電極層30が、拡張面43の上に形成されることである。これらの実施形態の共通な構造は、複数の空孔を有し基板10上に形成される絶縁層11、それぞれ前記複数の空孔の上に位置する複数のバルク音響波共振構造からなる。前記複数のバルク音響波共振構造は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’から構成され、前記複数の空孔は、少なくとも一つの第一の空孔40および少なくとも一つの第二の空孔40’から構成され、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’は、それぞれ前記少なくとも一つの第一の空孔40および前記少なくとも一つの第二の空孔40’の上に位置する。ただし、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’は、第一の共振周波数差FD1を有する。また、前記複数のバルク音響波共振構造は、それぞれ、拡張面43上に形成される底部電極層30、その上に形成される圧電層31、更にそのうえに形成される上部電極層32、および、周波数を調整する構造、からなる。これら実施形態の間の差異は次のようである。(1)図2H、2J、3I、および3Kの実施形態において、周波数を調整数する構造は、絶縁層11が研磨された表面を有し、拡張面43が絶縁層11の表面と同一であり、さらに次の条件を満たす構造Aよりなる。少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’は、第二の周波数調整構造50’を有し、第二の周波数調整構造50’が、拡張面43上に形成され、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’および少なくとも一つの第二の空孔40’の間に位置する。第二の周波数調整構造50’は、膜厚T2を有し、この膜厚T2は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1と相関する。(2)図2F、2I、4F、および4Hの実施形態において、周波数を調整数する構造は、絶縁層11が研磨された表面を有し、拡張面43が絶縁層11の表面と同一であり、さらに次の条件を満たす構造Bよりなる。少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’が、それぞれ第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’を有する。第一の周波数調整構造50が拡張面43の下に形成され、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の底部電極層30および少なくとも一つの第一の空孔40の間に位置する。第二の周波数調整構造50’が拡張面43の下に形成され、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の底部電極層30および少なくとも一つの第二の空孔40’の間に位置する。第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’が、第一の膜厚差TD1を有し、その第一の膜厚差TD1は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1に相関する。(3)図3G、3L、4D、および4Iの実施形態において、周波数を調整数する構造は、第二の研磨層51が、複数の空孔の上において、絶縁層11上に形成され、第二の研磨層51が、研磨表面を有し、拡張面43がその研磨表面と同一であり、さらに次の条件を満たす構造Cよりなる。拡張面43の下において、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の底部電極層30および少なくとも一つの第一の空孔40の間に位置する、第二の研磨層51が、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の第一の周波数調整構造50を形成する。拡張面43の下において、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の底部電極層30および少なくとも一つの第二の空孔40’の間に位置する、第二の研磨層51が、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の第二の周波数調整構造50’を形成する。第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’が、第一の膜厚差TD1を有し、その第一の膜厚差TD1は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3および少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の、第一の共振周波数差FD1に相関する。本願の図2F、2I、3G、3L、4D、4F、4H、および4Iの実施形態において、共通の特徴は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の底部電極層30、および、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の底部電極層30が、拡張面43上に形成されていることである。更に、第一の周波数調整構造50および第二の周波数調整構造50’が、拡張面43の下に形成されることである。本願の図2H、2J、3I、および3Kの実施形態において、共通の特徴は、少なくとも一つの第一のバルク音響波共振構造3の底部電極層30、および、少なくとも一つの第二のバルク音響波共振構造3’の底部電極層30が、拡張面43上に形成されていることである。更に、第二の周波数調整構造50’が、拡張面43の下に形成されることである。

0053

図3G、3I、3K、3L、4F、4H、および4Iは、更に、(図2Iあるいは図2Jの実施形態のように)底部エッチングストップ層20を有する。ただし、底部エッチングストップ層20は、基板10上に形成され、絶縁層11がその上に形成される。少なくとも一つの第一の空孔40および少なくとも一つの第二の空孔40’(および少なくとも一つの第三の空孔40'')が、底部エッチングストップ層20の上に位置している。ただし、基板10は化合物半導体基板であり、複数の犠牲メサ構造(犠牲構造21)はエピタキシャル構造よりなる。

0054

上述および図面により説明して来たとおり、本願は、バルク音響フィルター、および、バルク音響フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法を提供する。それは新規であり工業的に実用可能である。

0055

本願の実施形態を詳細に説明して来たが、ここで説明されて来た知見により当該分野の一般的なスキルを有する者であれば、多くの変更や変種考案することは可能である。それゆえ、本願の精神と等価であるどのような変更も、どのような変種も、次に添付する請求項によって定義される範囲に含まれるものと考えられる。

0056

1 第一のバルク音響波共振装置
3 バルク音響波共振構造
6 第一の犠牲メサ構造
10基板
11絶縁層
12エッチング防止層
13化合物半導体基板
20 底部エッチングストップ層
21犠牲構造
28 犠牲エピタキシャル構造
30底部電極層
40 第一の空孔
50周波数調整構造
60 犠牲エピタキシャルメサ構造

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

該当するデータがありません

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

該当するデータがありません

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ