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技術 アクティブマトリクス型発光装置

出願人 株式会社半導体エネルギー研究所
発明者 山崎舜平
出願日 2018年2月2日 (3年7ヶ月経過) 出願番号 2018-017299
公開日 2018年7月12日 (3年1ヶ月経過) 公開番号 2018-110243
状態 特許登録済
技術分野 エレクトロルミネッセンス光源 要素組合せによる可変情報用表示装置2
主要キーワード 上方電極 下方電極 外付け型 オーディオコンポーネント 露呈面 車載用オーディオ 吸湿効果 ヘッドマウント
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2018年7月12日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (15)

課題

色バランスの良好なカラー表示を可能とする発光装置を提供する。

解決手段

カラー表示を行うための発光装置において、赤色に発光するEL素子発光層15としてトリプレット化合物を用い、緑色に発光するEL素子の発光層16および青色に発光するEL素子の発光層17としてシングレット化合物を用いることを特徴とする。これにより赤色発光のEL素子の動作電圧緑色発光のEL素子および青色発光のEL素子に揃えることができ、色バランスの良好なカラー表示を可能とする。

概要

背景

近年、有機EL膜発光層として用いたEL素子の開発が進み、様々な有機EL膜を用
いたEL素子が提案されている。そして、そのようなEL素子を発光素子として用いた発
光装置を使ってフラットパネルディスプレイを実現する試みがなされている。

EL素子を用いた発光装置には、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型が知
られている。パッシブマトリクス型は、ストライプ状の陽極および陰極を互いに直交する
ように設け、その間にEL膜を挟んだ構造からなるEL素子を用いた発光装置である。ま
た、アクティブマトリクス型は画素ごとに薄膜トランジスタ(以下、TFTと呼ぶ)を設
け、EL素子の陽極もしくは陰極の片方に接続したTFTでEL素子に流れる電流を制御
する方式である。

また、EL素子を用いた発光装置をカラー表示させる方式として様々な方法が提案され
ているが、赤色に発光する画素、緑色に発光する画素および青色に発光する画素の三つの
画素を一つの単位として、発光を混色させることによりカラー表示を行う方式が知られて
いる。

同方式は、明るいカラー表示を得やすいことから注目されるが、各色に発光するEL素
子は各々異なる有機EL膜を発光層として用いることになるため、発光層の輝度特性(動
電圧に対する輝度の関係)が異なる。その結果、所望の輝度を得るに必要な動作電圧
EL素子ごとに異なることになり、さらには発光層の信頼性(寿命)がEL素子ごとに異
なることになる。
以上のことは、発光装置に必要な電源の種類が増えるだけでなく、EL素子の寿命(劣
化率)の違いによる色バランスのずれを生じる可能性を招くという問題が懸念されていた

概要

色バランスの良好なカラー表示を可能とする発光装置を提供する。カラー表示を行うための発光装置において、赤色に発光するEL素子の発光層15としてトリプレット化合物を用い、緑色に発光するEL素子の発光層16および青色に発光するEL素子の発光層17としてシングレット化合物を用いることを特徴とする。これにより赤色発光のEL素子の動作電圧を緑色発光のEL素子および青色発光のEL素子に揃えることができ、色バランスの良好なカラー表示を可能とする。

目的

本発明は、発光装置をカラー表示させるにあたって、赤色発光のEL素子、緑色発光の
EL素子および青色発光のEL素子の動作電圧を揃えるための技術を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
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請求項1

画素部は、赤色に発光する画素と、緑色に発光する画素と、青色に発光する画素と、を有し、前記赤色に発光する画素は、第1のEL素子と、前記第1のEL素子の一方の電極電気的接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、前記第1の電流制御TFTのゲート電極電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、を有し、前記緑色に発光する画素は、第2のEL素子と、前記第2のEL素子の一方の電極と電気的接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、を有し、前記青色に発光する画素は、第3のEL素子と、前記第3のEL素子の一方の電極と電気的接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、を有し、前記第1のEL素子の他方の電極、前記第2のEL素子の他方の電極、及び前記第3のEL素子の他方の電極は、全画素に共通の配線として機能し、前記第1の電流制御TFT、前記第2の電流制御TFT、前記第3の電流制御TFT、前記第1のスイッチングTFT,前記第2のスイッチングTFT、及び前記第3のスイッチングTFTは、いずれもnチャネル型TFTであり、前記第1の電流制御TFT、前記第2の電流制御TFT、及び前記第3の電流制御TFTを覆うバンクを有し、前記バンクの開口部に、前記第1のEL素子の一方の電極、前記第2のEL素子の一方の電極、及び前記第3のEL素子の一方の電極がそれぞれ設けられ、前記バンクの上面は、前記第1のEL素子の一方の電極の上面、前記第2のEL素子の一方の電極の上面、及び前記第3のEL素子の一方の電極の上面より上に位置し、前記赤色に発光する第1のEL素子は、トリプレットより発光し、前記青色に発光する第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置

請求項2

画素部は、赤色に発光する画素と、緑色に発光する画素と、青色に発光する画素と、を有し、前記赤色に発光する画素は、第1のEL素子と、前記第1のEL素子の下方電極と電気的接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、を有し、前記緑色に発光する画素は、第2のEL素子と、前記第2のEL素子の下方電極と電気的接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、を有し、前記青色に発光する画素は、第3のEL素子と、前記第3のEL素子の下方電極と電気的接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、を有し、前記第1のEL素子の上方電極、前記第2のEL素子の上方電極、及び前記第3のEL素子の上方電極は、全画素に共通の配線として機能し、前記第1の電流制御TFT、前記第2の電流制御TFT、及び前記第3の電流制御TFTを覆うバンクを有し、前記バンクの開口部に、前記第1のEL素子の下方電極、前記第2のEL素子の下方電極、及び前記第3のEL素子の下方電極がそれぞれ設けられ、前記バンクの上面は、前記第1のEL素子の下方電極の上面、前記第2のEL素子の下方電極の上面、及び前記第3のEL素子の下方電極の上面より上に位置し、前記赤色に発光する第1のEL素子は、前記第1のEL素子の下方電極側から光が射出され、前記緑色に発光する第2のEL素子は、前記第2のEL素子の下方電極側から光が射出され、前記青色に発光する第3のEL素子は、前記第3のEL素子の下方電極側から光が射出され、前記赤色に発光する第1のEL素子は、トリプレットより発光し、前記青色に発光する第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。

技術分野

0001

本発明は、電極間発光性材料を挟んだ素子(以下、発光素子という)を有する装置(
以下、発光装置という)に関する。特に発光性材料としてEL(Electro Luminescence)
が得られる有機化合物を用いた発光素子(以下、EL素子という)を有する発光装置に関
する。なお、有機ELディスプレイ有機発光ダイオード(OLED:Organic Light Em
itting Diode)は本発明の発光装置に含まれる。

0002

また、本発明に用いることのできる発光性材料は、一重項励起もしくは三重項励起また
は両者の励起を経由して発光燐光および/または蛍光)するすべての発光性材料を含む

背景技術

0003

近年、有機EL膜発光層として用いたEL素子の開発が進み、様々な有機EL膜を用
いたEL素子が提案されている。そして、そのようなEL素子を発光素子として用いた発
光装置を使ってフラットパネルディスプレイを実現する試みがなされている。

0004

EL素子を用いた発光装置には、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型が知
られている。パッシブマトリクス型は、ストライプ状の陽極および陰極を互いに直交する
ように設け、その間にEL膜を挟んだ構造からなるEL素子を用いた発光装置である。ま
た、アクティブマトリクス型は画素ごとに薄膜トランジスタ(以下、TFTと呼ぶ)を設
け、EL素子の陽極もしくは陰極の片方に接続したTFTでEL素子に流れる電流を制御
する方式である。

0005

また、EL素子を用いた発光装置をカラー表示させる方式として様々な方法が提案され
ているが、赤色に発光する画素、緑色に発光する画素および青色に発光する画素の三つの
画素を一つの単位として、発光を混色させることによりカラー表示を行う方式が知られて
いる。

0006

同方式は、明るいカラー表示を得やすいことから注目されるが、各色に発光するEL素
子は各々異なる有機EL膜を発光層として用いることになるため、発光層の輝度特性(動
電圧に対する輝度の関係)が異なる。その結果、所望の輝度を得るに必要な動作電圧
EL素子ごとに異なることになり、さらには発光層の信頼性(寿命)がEL素子ごとに異
なることになる。
以上のことは、発光装置に必要な電源の種類が増えるだけでなく、EL素子の寿命(劣
化率)の違いによる色バランスのずれを生じる可能性を招くという問題が懸念されていた

先行技術

0007

T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.
M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Nature 395 (1998) p.151.
M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (1999) p.4.
T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.

発明が解決しようとする課題

0008

本発明は、発光装置をカラー表示させるにあたって、赤色発光のEL素子、緑色発光
EL素子および青色発光のEL素子の動作電圧を揃えるための技術を提供することを課題
とする。そして、色バランスの良好なカラー表示を可能とする発光装置を提供することを
課題とする。

0009

さらに、色バランスの良好なカラー表示を可能とする発光装置を表示部に用いることで
画質の良好な表示部を有した電気器具を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段

0010

本発明では、発光層として一重項励起子シングレット)により発光する有機化合物(
以下、シングレット化合物と呼ぶ)および三重項励起子トリプレット)により発光する
有機化合物(以下、トリプレット化合物と呼ぶ)を併用する点に特徴がある。なお、本明
細書中において、シングレット化合物とは一重項励起のみを経由して発光する化合物を指
し、トリプレット化合物とは三重項励起を経由して発光する化合物を指す。

0011

トリプレット化合物としては以下の論文に記載の有機化合物が代表的な材料として挙げ
られる。
(1)非特許文献
(2)非特許文献2
この論文には次の式で示される有機化合物が開示されている。
(3)非特許文献3
(4)非特許文献4

0012

また、本発明者は、上記論文に記載された発光性材料だけでなく、次の分子式で表され
る発光性材料(具体的には金属錯体もしくは有機化合物)を用いることが可能であると考
えている。

0013

0014

0015

上記分子式において、Mは周期表の8〜10族に属する元素である。上記論文では、白
金、イリジウムが用いられている。また、本発明者はニッケルコバルトもしくはパラ
ウムは、白金やイリジウムに比べて安価であるため、発光装置の製造コストを低減する上
で好ましいと考えている。特に、ニッケルは錯体を形成しやすいため、生産性も高く好ま
しい。

0016

上記トリプレット化合物は、シングレット化合物よりも発光効率が高く、同じ発光輝度
を得るにも動作電圧(EL素子を発光させるに要する電圧)を低くすることが可能である
。本発明ではこの特徴を利用する。

0017

本発明の発光装置における画素部の断面構造図1に示す。図1において、10は絶縁
体、11は電流制御TFT、12は画素電極(陽極)、13は画素電極上に開口部を有し
絶縁膜(以下、バンクという)、14は正孔注入層、15は赤色に発光する発光層、1
6は緑色に発光する発光層、17は青色に発光する発光層、18は電子輸送層、19は陰
極である。

0018

なお、図1では電流制御TFTとしてボトムゲート型TFT(具体的には逆スタガ型
FT)を用いる例を示しているが、トップゲート型TFTでも良い。また、正孔注入層1
4、赤色に発光する発光層15、緑色に発光する発光層16、青色に発光する発光層17
もしくは電子輸送層18は各々公知の有機化合物もしくは無機化合物を用いることが可能
である。

0019

このとき本実施例では、赤色に発光する発光層15としてトリプレット化合物を用い、
緑色に発光する発光層16および青色に発光する発光層17としてシングレット化合物を
用いる。即ち、赤色に発光するEL素子としてトリプレット化合物を用いたEL素子を用
い、緑色もしくは青色に発光するEL素子としてシングレット化合物を用いたEL素子を
用いる。

0020

分子の有機化合物を発光層として用いる場合、現状では赤色に発光する発光層の寿命
が他の色に発光する発光層よりも短い。これは発光効率が他の色よりも劣るため、他の色
と同じ発光輝度を得るためには動作電圧を高く設定しなければならず、その分劣化の進行
も早いためである。

0021

しかしながら、本発明では赤色に発光する発光層15として発光効率の高いトリプレ
ト化合物を用いているため、緑色に発光する発光層16や青色に発光する発光層17と同
じ発光輝度を得ながらも動作電圧を揃えることが可能である。従って、赤色に発光する発
光層15の劣化が極端に早まることはなく、色バランスのずれ等の問題を起こさずにカラ
ー表示を行うことが可能となる。また、動作電圧を低く抑えることができることは、トラ
ンジスタの耐圧のマージンを低く設定できる点からも好ましいことである。

0022

なお、本発明では、赤色に発光する発光層15としてトリプレット化合物を用いた例を
示しているが、さらに緑色に発光する発光層16もしくは青色に発光する発光層17にト
リプレット化合物を用いることで各々のEL素子の動作電圧を揃えることは可能である。

0023

次に、本発明の発光装置における画素部の回路構成図2に示す。なお、ここでは赤色
に発光するEL素子を含む画素(画素(赤))20a、緑色に発光するEL素子を含む画
素(画素(緑))20bおよび青色に発光するEL素子を含む画素(画素(青))20cの
三つを図示しているが、いずれも回路構成は同一である。

0024

図2(A)において、21はゲート配線、22a〜22cはソース配線データ配線)、
23a〜23cは電流供給線である。電流供給線23a〜23cはEL素子の動作電圧を決定
する配線であり、赤色発光の画素20a、緑色発光の画素20bおよび青色発光の画素20
cのいずれの画素においても同じ電圧が印加される。従って、配線の線幅(太さ)も全て
同一設計で良い。

0025

また、24a〜24cはスイッチングTFT(電流制御TFTのゲートに入力される信号
を制御するためのTFT)であり、ここではnチャネル型TFTで形成されている。なお
、ここではソース領域とドレイン領域との間に二つのチャネル形成領域を有した構造を例
示しているが、一つもしくは三つ以上であっても構わない。

0026

また、25a〜25cは電流制御TFT(EL素子に流れる電流を制御するためのTFT
)であり、電流制御TFT25a〜25cのゲート電極はスイッチングTFT24a〜24c
のいずれかに、ソース領域は電流供給線23a〜23cのいずれかに、ドレイン領域はEL
素子26a〜26cのいずれかに接続される。なお、27a〜27cはコンデンサであり、各
々電流供給線25a〜25cのゲート電極に印加される電圧を保持する。但し、コンデンサ
27a〜27cは省略することも可能である。

0027

なお、図2(A)ではnチャネル型TFTからなるスイッチングTFT24a〜24cお
よびpチャネル型TFTからなる電流制御TFT25a〜25cを設けた例を示しているが
図2(B)に示すように、画素(赤)30a、画素(緑)30bおよび画素(青)30c
の各々に、pチャネル型TFTからなるスイッチングTFT28a〜28cおよびnチャ
ル型TFTからなる電流制御TFT29a〜29cを設けることも可能である。

0028

さらに、図2(A)、(B)では一つの画素内に二つのTFTを設けた例を示している
が、TFTの個数は三つ以上(代表的には三つ〜六つ)であっても良い。その場合におい
ても、nチャネル型TFTとpチャネル型TFTとをどのように組み合わせて設けても構
わない。

0029

図2(A)、(B)では、EL素子26aが赤色発光のEL素子であり、発光層として
トリプレット化合物を用いている。また、EL素子26bが緑色発光のEL素子、EL素
子26cが青色発光のEL素子であり、いずれも発光層としてシングレット化合物を用い
ている。

0030

以上のようにトリプレット化合物とシングレット化合物を使い分けることで赤色に発光
するEL素子、緑色に発光するEL素子および青色に発光するEL素子の動作電圧をすべ
て同一(10V以下、好ましくは3〜10V)とすることが可能となる。従って、EL素
子の寿命の違いによる色バランスのずれを抑制することができ、さらに発光装置に必要な
電源を例えば3Vもしくは5Vで統一することができるため、回路設計が容易となる利点
がある。

発明の効果

0031

本発明を実施することにより、赤色発光のEL素子、緑色発光のEL素子および青色発
光のEL素子の動作電圧を揃えることが可能となり、色バランスの良好なカラー表示を可
能とする発光装置を提供することができる。
また、色バランスの良好なカラー表示を可能とする発光装置を表示部に用いることで画
質の良好な表示部を有した電気器具を提供することができる。

図面の簡単な説明

0032

発光装置の画素部における断面構造を示す図。
発光装置の画素部の回路構成を示す図。
発光装置の画素部における断面構造を示す図。
発光装置の画素部における断面構造を示す図。
発光装置の画素部の回路構成を示す図。
発光装置の画素部における断面構造を示す図。
発光装置の画素部の回路構成を示す図。
発光装置の画素部における断面構造を示す図。
発光装置の画素部における断面構造を示す図。
駆動回路内蔵型発光装置の構造を示す図。
駆動回路外付け型発光装置の構造を示す図。
コントローラー外付け型発光装置の構造を示す図。
電気器具の具体例を示す図。
電気器具の具体例を示す図。

0033

本発明の実施の形態について、以下に示す実施例を用いて詳細な説明を行うこととする

0034

本実施例では、本発明の発光装置として、同一の絶縁体上に画素部とそれを駆動する駆
回路を有した発光装置の例(但し封止前の状態)を図3に示す。なお、駆動回路150
には基本単位となるCMOS回路を示し、画素部151には一つの画素を示す。但し、実
際には画素部151の構造は図1に示すように複数の画素が集合してなる。

0035

図3において、100は絶縁体(絶縁基板、絶縁膜もしくは絶縁膜を表面に有した基板
を含む)であり、その上にはnチャネル型TFT201、pチャネル型TFT202、n
チャネル型TFTからなるスイッチングTFT203およびpチャネル型TFTからなる
電流制御TFT204が形成されている。このとき、画素部151の回路構成は図2(A
)に示す構造となっている。また、本実施例では、TFTはすべて逆スタガ型TFTで形
成されている。

0036

まず、nチャネル型TFT201およびpチャネル型TFT202の構造について説明
する。

0037

nチャネル型TFT201において、101はゲート電極、102はゲート絶縁膜、1
03はソース領域、104はドレイン領域、105aおよび105bはLDDライトドー
ドレイン)領域、106はチャネル形成領域、107はチャネル保護膜、108は第1
層間絶縁膜、109はソース配線、110はドレイン配線である。

0038

pチャネル型TFT202において、111はゲート電極、102はゲート絶縁膜、1
12はソース領域、113はドレイン領域、114はチャネル形成領域、115はチャネ
ル保護膜、108は第1層間絶縁膜、116はソース配線、110はドレイン配線である
。このドレイン配線110はnチャネル型TFT201と共通の配線となっている。

0039

スイッチングTFT203はソース領域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成
領域を有した構造となっているが、nチャネル型TFT201の構造の説明を参照すれば
容易に理解できるので説明は省略する。また、電流制御TFT204はpチャネル型TF
T202の構造の説明を参照すれば容易に理解できるので説明は省略する。

0040

そして、nチャネル型TFT201、pチャネル型TFT202、スイッチングTFT
203および電流制御TFT204を覆って第2層間絶縁膜(平坦化膜)119が設けら
れている。

0041

なお、第2層間絶縁膜119が設けられる前に、電流制御TFT204のドレイン領域
117の上には第1層間絶縁膜108にコンタクトホール118が設けられている。これ
は第2層間絶縁膜119にコンタクトホールを形成する際に、エッチング工程を簡単にす
るためである。

0042

また、第2層間絶縁膜119にはドレイン領域117に到達するようにコンタクトホ
ルが形成され、ドレイン領域117に接続された画素電極120が設けられている。画素
電極120はEL素子の陽極として機能し、仕事関数の大きい導電膜、代表的には酸化物
導電膜が用いられる。酸化物導電膜としては、酸化インジウム酸化スズ酸化亜鉛もし
くはそれらの化合物を用いれば良い。

0043

次に、121はバンクであり、画素電極120の端部を覆うように設けられた絶縁膜で
ある。バンク121は珪素を含む絶縁膜もしくは樹脂膜で形成すれば良い。樹脂膜を用い
る場合、樹脂膜の比抵抗が1×106〜1×1012Ωm(好ましくは1×108〜1×10
10Ωm)となるようにカーボン粒子もしくは金属粒子を添加すると、成膜時の絶縁破壊
抑えることができる。

0044

次に、122はEL層である。なお、本明細書中では発光層に対して正孔注入層、正孔
輸送層正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層もしくは電子阻止層を組み合わせた積層体
をEL層と定義する。この発光層としてシングレット化合物とトリプレット化合物を併用
する点が本発明の特徴である。

0045

なお、本実施例では、赤色発光のEL素子に用いる有機化合物としてトリプレット化合
物を用い、緑色発光のEL素子および青色発光のEL素子に用いる有機化合物としてシン
レット化合物を用いる。このときトリプレット化合物としては、前述の有機化合物を用
いれば良く、シングレット化合物としては蛍光色素を共蒸着したAlq3(アルミキノ
ラト錯体)を用いれば良い。

0046

次に、123はEL素子の陰極であり、仕事関数の小さい導電膜が用いられる。仕事
数の小さい導電膜としては、周期表の1族もしくは2族に属する元素を含む導電膜を用い
れば良い。本実施例では、リチウムアルミニウムとの化合物からなる導電膜を用いる。

0047

なお、画素電極(陽極)120、EL層122および陰極123からなる積層体205
がEL素子である。EL素子205で生成された発光は、絶縁体100側(図中矢印の方
向)へと放射される。また、本実施例のように電流制御TFT204にpチャネル型TF
Tを用いる場合、電流制御TFT204のドレイン領域117にはEL素子205の陽極
を接続することが好ましい。

0048

なお、ここでは図示しないが陰極123を形成した後、EL素子205を完全に覆うよ
うにしてパッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベーション膜としては、
炭素膜窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もし
くは組み合わせた積層で用いる。

0049

この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素
膜、特にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜を用いることは有効である。DLC膜
は室温から100℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低いEL層122の
上方にも容易に成膜することができる。また、DLC膜は酸素に対するブロッキング効果
が高く、EL層122の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止
工程を行う間にEL層122が酸化するといった問題を防止できる。

0050

以上の構造の画素部および駆動回路を有した本発明の発光装置は、EL素子にシング
ット化合物とトリプレット化合物とを使い分けているため、EL素子の動作電圧を揃える
ことができ、色バランスに優れた良好なカラー表示を行うことが可能である。

0051

また、EL素子の動作電圧をすべて10V以下(典型的には3〜10V)とすることが
できるため、回路設計が容易になるという利点が得られる。

0052

本実施例では、本発明の発光装置として、同一の絶縁体上に画素部とそれを駆動する駆
動回路を有した発光装置の例(但し封止前の状態)を図4に示す。なお、駆動回路250
には基本単位となるCMOS回路を示し、画素部251には一つの画素を示す。但し、実
際には画素部251の構造は図1に示すようになっている。また、図3と同一の符号が付
してある部分は実施例1の説明を参照すれば良い。

0053

図4において、100は絶縁体であり、その上にはnチャネル型TFT201、pチャ
ネル型TFT202、pチャネル型TFTからなるスイッチングTFT206およびnチ
ャネル型TFTからなる電流制御TFT207が形成されている。このとき、画素部25
1の回路構成は図2(B)に示す構造となっている。また、本実施例では、TFTはすべ
て逆スタガ型TFTで形成されている。

0054

nチャネル型TFT201およびpチャネル型TFT202の説明は実施例1を参照す
れば良いので省略する。また、スイッチングTFT206はソース領域およびドレイン領
域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造となっているが、pチャネル型TFT20
2の構造の説明を参照すれば容易に理解できるので説明は省略する。また、電流制御TF
T207はnチャネル型TFT201の構造の説明を参照すれば容易に理解できるので説
明は省略する。

0055

本実施例の場合、EL素子の構造が実施例1と異なる。電流制御TFT207のドレイ
ン領域301には、画素電極302が接続されている。画素電極302はEL素子208
の陰極として機能する電極であり、周期表の1族もしくは2族に属する元素を含む導電膜
を用いて形成されている。本実施例では、リチウムとアルミニウムとの化合物からなる導
電膜を用いる。

0056

また、EL素子208は画素電極(陰極)302、EL層303および陽極304から
なる。なお、本実施例では、赤色発光のEL素子に用いる有機化合物としてトリプレット
化合物を用い、緑色発光のEL素子および青色発光のEL素子に用いる有機化合物として
シングレット化合物を用いる。このときトリプレット化合物としては、前述の有機化合物
を用いれば良く、シングレット化合物としては蛍光色素を共蒸着したAlq3(アルミキ
ノリラト錯体)を用いれば良い。

0057

また、本実施例では、陽極304として酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加した酸化物導電
膜を用いる。この酸化物導電膜は可視光を透過するため、EL素子208で生成された発
光は陽極304の上面側(図中矢印の方向)に向かって放射される。なお、本実施例のよ
うに電流制御TFT207にnチャネル型TFTを用いる場合、電流制御TFT207の
ドレイン領域301にはEL素子208の陰極を接続することが好ましい。

0058

なお、ここでは図示しないが陽極304を形成した後、EL素子208を完全に覆うよ
うにしてパッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベーション膜としては、
炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もし
くは組み合わせた積層で用いる。

0059

以上の構造の画素部および駆動回路を有した本発明の発光装置は、EL素子にシングレ
ット化合物とトリプレット化合物とを使い分けているため、EL素子の動作電圧を揃える
ことができ、色バランスに優れた良好なカラー表示を行うことが可能である。

0060

また、EL素子の動作電圧をすべて10V以下(典型的には3〜10V)とすることが
できるため、回路設計が容易になるという利点が得られる。

0061

なお、本実施例の構成は、実施例1に記載された構成を組み合わせて実施することが可
能である。

0062

本実施例では、本発明の発光装置において、画素部および駆動回路をすべてnチャネル
型TFTで形成する場合について説明する。なお、本実施例の画素の回路構成は図5に示
すような構造となる。また、図2と同一の符号を付した部分については図2の説明を参照
すれば良い。

0063

図5に示すように、画素(赤)35a、画素(緑)35b、画素(青)35cの各々に設
けられたスイッチングTFT24a〜24cおよび電流制御TFT36a〜36cはすべてn
チャネル型TFTで形成されている。

0064

ここで本実施例の発光装置の断面構造(但し封止前の状態)を図6に示す。なお、駆動
回路350には基本単位となるCMOS回路を示し、画素部351には一つの画素を示す
。但し、実際には画素部351の構造は図1に示すようになっている。また、図3もしく
図4と同一の符号が付してある部分は実施例1もしくは実施例2の説明を参照すれば良
い。

0065

図6において、100は絶縁体であり、その上にはnチャネル型TFT201、nチャ
ネル型TFT209、nチャネル型TFTからなるスイッチングTFT203およびnチ
ャネル型TFTからなる電流制御TFT207が形成されている。このとき、画素部35
1の回路構成は図5に示す構造となっている。

0066

また、本実施例では、TFTはすべてnチャネル型の逆スタガ型TFTで形成されてい
る。このときnチャネル型TFTはすべてエンハンスメント型TFTであっても良いし、
すべてデプレッション型TFTであっても良い。勿論、両者を作り分けて組み合わせて用
いることも可能である。エンハンスメント型にするかデプレッション型にするかは、チャ
ネル形成領域にN型またはP型不純物を添加することで選択することができる。

0067

nチャネル型TFT201およびnチャネル型TFT209は同一の構造であり、説明
は実施例1を参照すれば良いので省略する。また、スイッチングTFT203はソース領
域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造となっているが、nチ
ャネル型TFT201の構造の説明を参照すれば容易に理解できるので説明は省略する。
また、電流制御TFT207はnチャネル型TFT201の構造の説明を参照すれば容易
に理解できるので説明は省略する。

0068

本実施例の場合、EL素子の構造が実施例2と同様となる。即ち、本実施例では電流制
御TFT207にnチャネル型TFTを用いるため電流制御TFT207のドレイン領域
301にはEL素子208の陰極302を接続することが好ましい。EL素子に関する説
明は実施例2を参照すれば良い。

0069

なお、ここでは図示しないが陽極304を形成した後、EL素子208を完全に覆うよ
うにしてパッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベーション膜としては、
炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もし
くは組み合わせた積層で用いる。

0070

以上の構造の画素部351および駆動回路350を有した本発明の発光装置は、EL素
子にシングレット化合物とトリプレット化合物とを使い分けているため、EL素子の動作
電圧を揃えることができ、色バランスに優れた良好なカラー表示を行うことが可能である

0071

また、EL素子の動作電圧をすべて10V以下(典型的には3〜10V)とすることが
できるため、回路設計が容易になるという利点が得られる。

0072

さらに本実施例の構成によれば、pチャネル型TFTを形成するためのフォトリソグラ
フィ工程を省略することができるため、製造工程を簡略化することが可能である。

0073

なお、本実施例の構成は、実施例1もしくは実施例2に記載された構成を組み合わせて
実施することが可能である。

0074

本実施例では、本発明の発光装置において、画素部および駆動回路をすべてpチャネル
型TFTで形成する場合について説明する。なお、本実施例の画素の回路構成は図7に示
すような構造となる。また、図2と同一の符号を付した部分については図2の説明を参照
すれば良い。

0075

図7に示すように、画素(赤)50a、画素(緑)50b、画素(青)50cの各々に設
けられたスイッチングTFT51a〜51cおよび電流制御TFT52a〜52cはすべてp
チャネル型TFTで形成されている。

0076

ここで本実施例の発光装置の断面構造(但し封止前の状態)を図8に示す。なお、駆動
回路には基本単位となるCMOS回路を示し、画素部には一つの画素を示す。但し、実際
には画素部の構造は図1に示すようになっている。また、図3もしくは図4と同一の符号
が付してある部分は実施例1もしくは実施例2の説明を参照すれば良い。

0077

図8において、100は絶縁体であり、その上にはpチャネル型TFT210、pチャ
ネル型TFT202、pチャネル型TFTからなるスイッチングTFT206およびpチ
ャネル型TFTからなる電流制御TFT204が形成されている。このとき、画素部45
1の回路構成は図7に示す構造となっている。

0078

また、本実施例では、TFTはすべてpチャネル型の逆スタガ型TFTで形成されてい
る。このときpチャネル型TFTはすべてエンハンスメント型TFTであっても良いし、
すべてデプレッション型TFTであっても良い。勿論、両者を作り分けて組み合わせて用
いることも可能である。エンハンスメント型にするかデプレッション型にするかは、チャ
ネル形成領域にN型またはP型の不純物を添加することで選択することができる。

0079

pチャネル型TFT210およびpチャネル型TFT202は同一の構造であり、説明
は実施例1を参照すれば良いので省略する。また、スイッチングTFT206はソース領
域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造となっているが、pチ
ャネル型TFT202の構造の説明を参照すれば容易に理解できるので説明は省略する。
また、電流制御TFT204はpチャネル型TFT202の構造の説明を参照すれば容易
に理解できるので説明は省略する。

0080

本実施例の場合、EL素子の構造が実施例1と同様となる。即ち、本実施例では電流制
御TFT204にpチャネル型TFTを用いるため電流制御TFT204のドレイン領域
117にはEL素子205の陽極120を接続することが好ましい。EL素子に関する説
明は実施例1を参照すれば良い。

0081

なお、ここでは図示しないが陰極123を形成した後、EL素子205を完全に覆うよ
うにしてパッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベーション膜としては、
炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もし
くは組み合わせた積層で用いる。

0082

以上の構造の画素部451および駆動回路450を有した本発明の発光装置は、EL素
子にシングレット化合物とトリプレット化合物とを使い分けているため、EL素子の動作
電圧を揃えることができ、色バランスに優れた良好なカラー表示を行うことが可能である

0083

また、EL素子の動作電圧をすべて10V以下(典型的には3〜10V)とすることが
できるため、回路設計が容易になるという利点が得られる。

0084

さらに本実施例の構成によれば、nチャネル型TFTを形成するためのフォトリソグラ
フィ工程を省略することができるため、製造工程を簡略化することが可能である。

0085

なお、本実施例の構成は、実施例1もしくは実施例2に記載された構成を組み合わせて
実施することが可能である。

0086

本実施例では、スイッチングTFTや電流制御TFTとして、トップゲート型TFT(
具体的には、プレーナ型TFT)を用いた例を示す。

0087

本実施例のアクティブマトリクス型発光装置における画素部の断面構造を図9に示す。
図9において、910は絶縁体、911は電流制御TFT、912は画素電極(陽極)、
913はバンク、914は公知の正孔注入層、915は赤色に発光する発光層、916は
緑色に発光する発光層、917は青色に発光する発光層、918は公知の電子輸送層、9
19は陰極である。

0088

このとき本実施例では、赤色に発光する発光層915としてトリプレット化合物を用い
、緑色に発光する発光層916および青色に発光する発光層917としてシングレット化
合物を用いる。即ち、シングレット化合物を用いたEL素子は緑色もしくは青色に発光す
るEL素子であり、前記トリプレット化合物を用いたEL素子は赤色に発光するEL素子
である。

0089

本実施例では赤色に発光する発光層915として発光効率の高いトリプレット化合物を
用いているため、緑色に発光する発光層916や青色に発光する発光層917と同じ発光
輝度を得ながらも動作電圧を揃えることが可能である。従って、赤色に発光する発光層9
15の劣化が極端に早まることはなく、色ずれ等の問題を起こさずにカラー表示を行うこ
とが可能となる。また、動作電圧を低く抑えることができることは、トランジスタの耐圧
のマージンを低く設定できる点からも好ましいことである。

0090

なお、本実施例では、赤色に発光する発光層915としてトリプレット化合物を用いた
例を示しているが、さらに緑色に発光する発光層916もしくは青色に発光する発光層9
17にトリプレット化合物を用いることも可能である。

0091

また、本実施例の回路構成は、図2と同様の構成である。勿論、実施例1〜4のいずれ
の構成とすることも可能である。

0092

本実施例では、EL素子を保護するための封止(または封入)工程まで行った後の本発
明の発光装置について図10(A)、(B)を用いて説明する。なお、本実施例では実施
例1(図3)に示した構造を封止する例を示すが、本実施例の封止構造は実施例1〜実施
例5に示したいずれの構造に対しても実施することが可能である。また、必要に応じて図
3の符号を引用する。

0093

図10(A)は、EL素子の封止までを行った状態を示す上面図、図10(B)は図1
0(A)をA−A’で切断した断面図である。点線で示された501は画素部、502は
ソース側駆動回路、503はゲート側駆動回路である。また、504はカバー材、505
は第1シール材、506は第2シール材である。

0094

なお、507はソース側駆動回路502及びゲート側駆動回路503に入力される信号
伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキ
ット)508からビデオ信号クロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示
されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良
い。

0095

次に、断面構造について図10(B)を用いて説明する。絶縁体100の上方には画素
部501、ソース側駆動回路502が形成されており、画素部501は電流制御TFT2
04とそのドレインに電気的に接続された画素電極120を含む複数の画素により形成さ
れる。また、ソース側駆動回路502はnチャネル型TFT201とpチャネル型TFT
202とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。なお、絶縁体501には偏光
板(代表的には円偏光板)を貼り付けても良い。

0096

画素電極120はEL素子の陽極として機能する。また、画素電極120の両端にはバ
ンク121が形成され、画素電極120上にはEL層122およびEL素子の陰極123
が形成される。陰極123は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線507を経由
してFPC508に電気的に接続されている。さらに、画素部501及びソース側駆動回
路502に含まれる素子は全てパッシベーション膜509で覆われている。

0097

また、第1シール材505によりカバー材504が貼り合わされている。なお、カバー
材504とEL素子との間隔を確保するためにスペーサを設けても良い。そして、第1シ
ール材505の内側には空隙510が形成されている。なお、第1シール材505は水分
や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、空隙510の内部に吸湿効果
もつ物質酸化防止効果をもつ物質を設けることは有効である。

0098

なお、カバー材504の表面および裏面には保護膜として炭素膜(具体的にはダイヤ
ドライカーボン膜)511a、511bを2〜30nmの厚さに設けると良い。このよ
うな炭素膜は、酸素および水の侵入を防ぐとともにカバー材504の表面を機械的に保護
する役割をもつ。

0099

また、カバー材504を接着した後、第1シール材505の露呈面を覆うように第2シ
ール材506を設けている。第2シール材506は第1シール材505と同じ材料を用い
ることができる。

0100

以上のような構造でEL素子を封入することにより、EL素子を外部から完全に遮断
ることができ、外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入するこ
とを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置が得られる。

0101

なお、図10(A)、(B)に示したように、同一の基板上に画素部および駆動回路を
有しFPCまで取り付けられた発光装置を、本明細書中では特に駆動回路内蔵型発光装置
と呼ぶ。

0102

実施例6において、図10に示した駆動回路内蔵型発光装置は、同一の絶縁体上に画素
部および駆動回路が一体形成された例であるが、駆動回路を外付けIC(集積回路)で設
けることも可能である。このような場合、構造は図11(A)のようになる。

0103

図11(A)に示すモジュールは、TFTおよびEL素子を含む画素部が形成された基
板60(画素部61、配線62a、62bを含む)にFPC63が取り付けられ、そのFP
C63を介してプリント配線板64が取り付けられている。ここでプリント配線板64の
機能ブロック図を図11(B)に示す。

0104

図11(B)に示すように、プリント配線板64の内部には少なくともI/Oポート
入力もしくは出力部ともいう)65及び68、ソース側駆動回路66およびゲート側駆動
回路67として機能するICが設けられている。

0105

このように、基板面に画素部が形成された基板にFPCが取り付けられ、そのFPCを
介して駆動回路としての機能を有するプリント配線板が取り付けられた構成のモジュール
を、本明細書では特に駆動回路外付け型発光モジュールと呼ぶことにする。

0106

また、図12(A)に示すモジュールは、駆動回路内蔵型発光装置70(画素部71、
ソース側駆動回路72、ゲート側駆動回路73、配線72a、73aを含む)にFPC74
が取り付けられ、そのFPC74を介してプリント配線板75が取り付けられている。こ
こでプリント配線板75の機能ブロック図を図12(B)に示す。

0107

図12(B)に示すように、プリント配線板75の内部には少なくともI/Oポート7
6及び79、コントロール部77として機能するICが設けられている。なお、ここでは
メモリ部78が設けられているが、必ずしも必要ではない。また、コントロール部77は
、駆動回路の制御、映像データの補正などをコントロールするための機能を有した部位で
ある。

0108

このように、基板面に画素部および駆動回路が形成された駆動回路内蔵型発光装置にコ
トローラーとしての機能を有するプリント配線板が取り付けられた構成のモジュールを
、本明細書では特にコントローラー外付け型発光モジュールと呼ぶことにする。

0109

本発明を実施して形成された発光装置(実施例7に示した形態のモジュールも含む)は
様々な電気器具に内蔵され、画素部は映像表示部として用いられる。本発明の電気器具と
しては、ビデオカメラデジタルカメラゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディ
スプレイ)、ナビゲーションシステム音響機器ノート型パーソナルコンピュータ、ゲ
ーム機器携帯機器モバイルコンピュータ携帯電話携帯型ゲーム機または電子書籍
)、記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。それら電気器具の具体例を図13
図14に示す。

0110

図13(A)はELディスプレイであり、筐体2001、支持台2002、表示部20
03を含む。本発明の発光装置は表示部2003に用いることができる。表示部2003
にEL素子を有した発光装置を用いる場合、EL素子が自発光型であるためバックライト
が必要なく薄い表示部とすることができる。

0111

図13(B)はビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部21
03、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106を含む。本発明の発
光装置は表示部2102に用いることができる。

0112

図13(C)はデジタルカメラであり、本体2201、表示部2202、接眼部220
3、操作スイッチ2204を含む。本発明の発光装置もしくは液晶表示装置は表示部22
02に用いることができる。

0113

図13(D)は記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、
本体2301、記録媒体(CD、LDまたはDVD等)2302、操作スイッチ2303
、表示部(a)2304、表示部(b)2305を含む。表示部(a)は主として画像情
報を表示し、表示部(b)は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら
表示部(a)、(b)に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には
CD再生装置ゲーム機器なども含まれうる。

0114

図13(E)は携帯型(モバイルコンピュータであり、本体2401、表示部240
2、受像部2403、操作スイッチ2404、メモリスロット2405を含む。本発明の
発光装置は表示部2402に用いることができる。この携帯型コンピュータフラッシュ
メモリや不揮発性メモリ集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを再生したりす
ることができる。

0115

図13(F)はパーソナルコンピュータであり、本体2501、筐体2502、表示部
2503、キーボード2504を含む。本発明の発光装置は表示部2503に用いること
ができる。

0116

また、上記電気器具はインターネットCATVケーブルテレビ)などの電子通信
線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増
してきている。表示部にEL素子を有した発光装置を用いた場合、EL素子の応答速度が
非常に高いため遅れのない動画表示が可能となる。

0117

また、発光装置は発光している部分が電力消費するため、発光部分が極力少なくなる
ように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響機器
のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景とし
て文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。

0118

ここで図14(A)は携帯電話であり、キー操作を行う部位(操作部)2601、情報
表示を行う部位(情報表示部)2602であり、操作部2601および情報表示部260
2は連結部2603で連結している。また、操作部2601には音声入力部2604、操
作キー2605が設けられ、情報表示部2602には音声出力部2606、表示部260
7が設けられている。

0119

本発明の発光装置は表示部2607に用いることができる。なお、表示部2607に発
光装置を用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑
えることができる。

0120

図14(A)に示した携帯電話の場合、表示部2604に用いた発光装置にCMOS回
路でセンサCMOSセンサ)を内蔵させ、指紋もしくは手相を読みとることで使用者
認証する認証システム端末として用いることもできる。また、外部の明るさ(照度)を
読みとり、設定されたコントラストで情報表示が可能となるように発光させることもでき
る。

0121

さらに、操作スイッチ2605を使用している時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が
終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる。また、着信した時に表示
部2604の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低消費電力化することが
できる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフ
になるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、これらはマ
ニュアル制御であっても良い。

0122

また、図14(B)は車載用オーディオであり、筐体2701、表示部2702、操作
スイッチ2703、2704を含む。本発明の発光装置は表示部2702に用いることが
できる。また、本実施例では音響機器の例として車載用オーディオ(カーオーディオ)を
示すが、据え置き型オーディオオーディオコンポーネント)に用いても良い。なお、
表示部2704に発光装置を用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで消費
電力を抑えられる。

0123

さらに、以上に示した電気器具は、表示部に用いた発光装置に光センサを内蔵させ、使
用環境の明るさを検知する手段を設けることもできる。表示部に発光装置を用いる場合、
使用環境の明るさに応じて発光輝度を変調させるような機能を持たせることもできる。

0124

具体的には表示部に用いた発光装置にCMOS回路で形成したイメージセンサ(面状、
線状もしくは点状のセンサ)を設けたり、本体もしくは筐体にCCD(Charge Coupled D
evice)を設けることで実施できる。使用者は使用環境の明るさに比べてコントラスト比
で100〜150の明るさを確保できれば問題なく画像もしくは文字情報を認識できる。
即ち、使用環境が明るい場合は画像の輝度を上げて見やすくし、使用環境が暗い場合は画
像の輝度を抑えて消費電力を抑えるといったことが可能である。

実施例

0125

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが
可能である。また、本実施例の電気器具は実施例1〜7のいずれの構成を含む発光装置も
しくはモジュールを用いても良い。

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