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図面 (7)

課題

端子プローブを強固に接続できる回路装置10を提供すること。

解決手段

貫通孔1aを有する絶縁基板1と、絶縁基板1上に配置され、貫通孔1aと対応した部位に樹脂貫通孔2aを有する樹脂膜21およびその上面に設けられた接続パッド4を含む配線基板2と、絶縁基板1の下面から貫通孔1aおよび樹脂貫通孔2aを含む貫通部Kを通り樹脂膜21上にかけて形成され、接続パッド4と接続されている回路配線膜3とを備え、樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面の少なくとも一部が貫通孔1a内における絶縁基板1の表面よりも貫通部Kの内側に位置している回路装置10である。比較的狭い樹脂貫通孔2a内で回路配線膜の厚みが低減され、また樹脂膜21の介在によって、プローブ接合時に接続パッド4に加えられる熱の逃げを抑制でき、強固な接合ができる。

概要

背景

半導体素子電気的な検査をするためのプローブカードとして、セラミック基板等の絶縁基板上に半導体素子の電極と電気的に接続される多数の端子が配列された回路装置が用いられている。端子は、セラミック基板を厚み方向に貫通する貫通導体によって回路装置の下面側に電気的に導出される。これによって、端子と外部電気回路との電気的な接続ができるようになっている。

それぞれの端子には、半導体素子の電極との接続のための接続材プローブ等)がはんだ等によって接合される。端子に接合された接続材が半導体素子の電極に押し当てられて接続され、半導体素子の回路に対して動作の検査が外部電気回路で行なわれる。

近年、端子とプローブピンとの接合の際に、接合時の熱による端子等のダメージを低減するために、レーザー光照射で端子のプローブピンとの接合部分を局部的に加熱する接合方法が提案されている。

概要

端子にプローブを強固に接続できる回路装置10を提供すること。貫通孔1aを有する絶縁基板1と、絶縁基板1上に配置され、貫通孔1aと対応した部位に樹脂貫通孔2aを有する樹脂膜21およびその上面に設けられた接続パッド4を含む配線基板2と、絶縁基板1の下面から貫通孔1aおよび樹脂貫通孔2aを含む貫通部Kを通り樹脂膜21上にかけて形成され、接続パッド4と接続されている回路配線膜3とを備え、樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面の少なくとも一部が貫通孔1a内における絶縁基板1の表面よりも貫通部Kの内側に位置している回路装置10である。比較的狭い樹脂貫通孔2a内で回路配線膜の厚みが低減され、また樹脂膜21の介在によって、プローブ接合時に接続パッド4に加えられる熱の逃げを抑制でき、強固な接合ができる。

目的

したがって、接続パッドを効果的に加熱することができ、接合材によってプローブピン等の接続材を接続パッドに容易に接合することができる回路装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
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牽制数
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請求項1

上面から下面にかけて貫通する貫通孔を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置されており、前記貫通孔と対応した部位において上面から下面にかけて貫通する樹脂貫通孔を有する樹脂膜および該樹脂膜の上面に設けられた接続パッドを含む配線基板と、前記絶縁基板の下面から前記貫通孔および前記樹脂貫通孔を含む貫通部を通り前記樹脂膜上にかけて形成されており、前記接続パッドと接続されている回路配線膜とを備えており、前記樹脂貫通孔内における前記樹脂膜の表面の少なくとも一部は、前記貫通孔内における前記絶縁基板の表面よりも前記貫通部の内側に位置していることを特徴とする回路装置

請求項2

前記樹脂貫通孔内における前記樹脂膜の表面が、前記樹脂貫通孔の前記樹脂膜の上面側の開口から下面側の開口に向かって連続的に前記貫通部の外側に傾いている部分を有していることを特徴とする請求項1に記載の回路装置。

請求項3

前記樹脂膜の一部が前記貫通孔内における前記絶縁基板の表面の少なくとも一部まで延在していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路装置。

技術分野

0001

本発明は、例えば半導体素子検査装置等に用いられるプローブカード用の回路装置に関するものである。

背景技術

0002

半導体素子の電気的な検査をするためのプローブカードとして、セラミック基板等の絶縁基板上に半導体素子の電極と電気的に接続される多数の端子が配列された回路装置が用いられている。端子は、セラミック基板を厚み方向に貫通する貫通導体によって回路装置の下面側に電気的に導出される。これによって、端子と外部電気回路との電気的な接続ができるようになっている。

0003

それぞれの端子には、半導体素子の電極との接続のための接続材プローブ等)がはんだ等によって接合される。端子に接合された接続材が半導体素子の電極に押し当てられて接続され、半導体素子の回路に対して動作の検査が外部電気回路で行なわれる。

0004

近年、端子とプローブピンとの接合の際に、接合時の熱による端子等のダメージを低減するために、レーザー光照射で端子のプローブピンとの接合部分を局部的に加熱する接合方法が提案されている。

先行技術

0005

特開2011−114174号公報

発明が解決しようとする課題

0006

上述した従来の回路装置では、レーザー光で端子に加えられた熱が、端子に接しているセラミック基板および貫通導体に伝導されやすい。そのため、端子を効果的に加熱することが難しかった。これによって、接続材の接合強度および電気的な接続信頼性の低下、および接合作業の作業性の低下等を招く可能性があった。

課題を解決するための手段

0007

本発明の一つの態様の回路装置は、上面から下面にかけて貫通する貫通孔を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置されており、前記貫通孔と対応した部位において上面から下面にかけて貫通する樹脂貫通孔を有する樹脂膜および該樹脂膜の上面に設けられた接続パッドを含む配線基板と、前記絶縁基板の下面から前記貫通孔および前記樹脂貫通孔を含む貫通部を通り前記樹脂膜上にかけて形成されており、前記接続パッドと接続されている回路配線膜とを備えている。前記樹脂貫通孔内における前記樹脂膜の表面の少なくとも一部は、前記貫通孔内における前記絶縁基板の表面よりも前記貫通部の内側に位置している。

発明の効果

0008

本発明の一つの態様の回路装置は、端子としての接続パッドが、絶縁基板上に配置された樹脂膜の上面に位置しているため、熱伝導率が比較的小さい樹脂膜によって接続パッドから絶縁基板への熱伝導が低減される。

0009

また、樹脂貫通孔内における樹脂膜の表面が貫通孔内における絶縁基板の表面よりも内側にあるため、樹脂貫通孔内の空間が比較的狭い。この比較的狭い空間内の樹脂膜の表面
にめっき法等で形成された回路配線膜の厚みが比較的薄い。そのため、樹脂貫通孔内で回路配線膜による絶縁基板の下面方向への熱伝導も低減される。

0010

したがって、接続パッドを効果的に加熱することができ、接合材によってプローブピン等の接続材を接続パッドに容易に接合することができる回路装置を提供することができる。

図面の簡単な説明

0011

(a)は本発明の実施形態の回路装置10を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。
図1(a)の要部を拡大して示す平面図である。
(a)は図2の要部を拡大して示す平面図であり、(b)は(a)の変形例を示す平面図である。
(a)〜(c)はそれぞれ図1(b)の要部の例を拡大して示す断面図である。
図1に示す回路装置の接続パッドおよびその周辺を拡大して示す斜視図である。
図2の変形例を示す平面図である。

実施例

0012

本発明の実施形態の回路装置10について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、上下の区別は説明上の便宜的なものあって実際に回路装置10が使用されるときの上下を規制するものではない。また、以下の説明における半導体素子とは、個片素子(いわゆるチップ)に限らず、それぞれが素子となる複数の領域がシリコン基板等の半導体基板に配列された半導体ウエハも含む。

0013

図1(a)は本発明の実施形態の回路装置10を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線における断面図である。また、図2は、図1(a)の回路装置10の要部(B部分)を拡大して示す平面図であり、図3(a)は図2の要部(C部分)をさらに拡大して示す平面図である。また、図4(a)〜(c)はそれぞれ図1(b)の要部(D部分)の例を拡大して示す断面図である。また、図5は、図1に示す回路装置が有する接続パッドおよびその周辺を拡大して示す斜視図である。図3(b)については後述する。

0014

実施の形態の回路装置10は、上面および下面を有する絶縁基板1と、絶縁基板1上に配置された配線基板2と、絶縁基板1から配線基板2にかけて形成された回路配線膜3とによって基本的に構成されている。

0015

絶縁基板1は、上面から下面にかけて貫通する貫通孔1aを有している。配線基板2は、貫通孔1aと対応した部位において上面から下面にかけて貫通する樹脂貫通孔2aを有する樹脂膜21と、樹脂膜21の上面に設けられた接続パッド4とを含んでいる。回路配線膜3は、絶縁基板1の下面から貫通孔1aおよび樹脂貫通孔2aを含む貫通部Kを通り樹脂膜21上にかけて形成されている。この回路配線膜3は、樹脂膜21の上面で接続パッド4と接続されている。貫通部Kは、絶縁基板1および配線基板2の樹脂膜21を連続して厚み方向に貫通している部分である。また、樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面の少なくとも一部は、貫通孔1a内における絶縁基板1の表面よりも貫通部Kの内側に位置している。

0016

絶縁基板1は、例えば回路装置10の全体の剛性を確保する機能を有している。絶縁基板1によって回路装置10としての剛性が高められている。これにより、例えば回路装置10がプローブカード用の基板として用いられて半導体素子(図示せず)に検査のために押し付
けられて電気的に接続されるときに、その変形が抑制されている。

0017

配線基板2の樹脂膜21は、半導体素子に電気的に接続される複数の接続パッド4を、互いに電気的に絶縁させた状態で同じ平面上に直線状等の並びで配列させるための基体として機能する。このときに、上記のように剛性が高い絶縁基板1によって樹脂膜21を含む配線基板2の変形が抑制される。

0018

絶縁基板1および配線基板2の樹脂膜21は、例えば平面視(上面側から見たとき)において四角形六角形または八角形等の多角形状、または円形状等の板状である。図1においては、正八角形板状の絶縁基板1と、その絶縁基板1の上面に配置された正八角形層状の樹脂膜21とが例示されている。絶縁基板1と樹脂膜21とは平面視で互いに同じ形状および寸法であり、一体化して基体部分(符号なし)を構成している。この基体部分の平面状の最上面(樹脂膜21の上面)に複数の接続パッド4が配列されている。

0019

絶縁基板1および樹脂膜21の平面視における寸法は、例えばプローブカード用基板として使用されるときに、検査される半導体素子の平面視における寸法等の条件に応じて適宜設定される。

0020

前述したように、絶縁基板1および樹脂膜21で構成される基体部分には、その最下面から最上面の接続パッド4にかけて回路配線膜3が設けられている。回路配線膜3は、例えば、接続パッド4を絶縁基板1の下面側に電気的に導出させて、外部電気回路への電気的な接続を容易とするためのものである。すなわち、回路配線膜3は、接続パッド4を外部接続するための導電路として機能する。

0021

回路配線膜3は、樹脂膜21の上面から下面にかけて貫通している樹脂貫通孔2aと、絶縁基板1の上面から下面にかけて貫通している貫通孔1aとを連続して通り、基体部分を上下方向に導通している。すなわち、貫通部K内における樹脂膜21の表面から絶縁基板1の表面にかけて連続して回路配線膜3が配置されている。この回路配線膜3のうち絶縁基板1の下面に位置する部分が半導体素子の電気的な検査を行なう回路等の外部電気回路に電気的に接続される。

0022

例えば図5に示すように、回路装置10の接続パッド4にプローブ6が接合されてプローブカード(符号なし)が形成される。このプローブカードについて、プローブ6の先端部分が半導体素子の電極(図示せず)に押し当てられ、互いに電気的に接続されて半導体素子の電気的な検査が行なわれる。

0023

接続パッド4は、はんだ等の接合材7によってプローブ6が接合され、固定される部分である。つまり、接続パッド4は、レーザー光(以下、単にレーザーという)による加熱で接合材7を溶融させて接続するための下地金属層として機能する。

0024

プローブ6を介して接続パッド4と電気的に接続された半導体素子の電極は、さらに回路配線膜3を介して外部電気回路と電気的に接続される。これにより、半導体素子の電極と外部電気回路とが互いに電気的に接続され、半導体素子の電気回路が正常に作動するか否か等の検査が行なわれる。

0025

この場合、半導体素子は電気的なチェックを行なうために一時的に回路装置10の上面に載置される。半導体素子としては、例えば、ICまたはLSI等の半導体集積回路素子、または半導体基板の表面に微小電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン(いわゆるMEMS素子)等が挙げられる。

0026

上記のように半導体素子と電気的に接続される接続パッド4は、半導体素子の電極に応じて多数個が樹脂膜21の上面に設けられる。多数個の接続パッド4の樹脂膜21上面への配列に適するように、個々の接続パッド4は例えば長方形状等の四角形状のパターンで形成されている。この長方形状の接続パッド4が、それぞれの長辺同士が互いに隣り合うように配列されている。つまり、複数の接続パッド4が直線状の並びで配列されている。この接続パッド4の並びは、例えば樹脂膜21の上面の辺に平行に延びている。また、接続パッド4が長方形状のパターンである場合には、例えば図5に示すような長方形状の底面を有するプローブ6の接合が容易である。

0027

回路配線膜3は、例えば前述したように接続パッド4から上面の表面配線部分を介し基体部分を上下に導通している部分から下面の表面配線部分までを含んでおり、接続パッド4と外部電気回路とを電気的に接続する導電路として機能する。プローブ6が接続パッド4を介して表面配線としての回路配線膜3と電気的に接続されるとともに、半導体素子の電極と直接に接続されて、半導体素子の電極と絶縁基板1の下面の表面配線とが互いに電気的に接続される。すなわち、回路装置10の上面側に配置されてプローブ6と接続された半導体素子が、回路装置10の上記各導体部分を介して回路装置10の下面側に電気的に導出される。

0029

また、回路配線膜3および接続パッド4は、例えば、タングステンモリブデンマンガン、銅、クロムニッケル、銀、パラジウム、金または白金等の金属材料によって形成されている。また、接続パッド4、ダミーパッド5および回路配線膜3は、これらの金属材料の合金材料からなるものであってもよい。これらの金属材料(合金材料)は、例えばメタライズ導体厚膜導体)、薄膜導体またはめっき導体等の形態で絶縁基板1および樹脂膜21に被着されて形成されている。

0030

なお、接続パッド4および回路配線膜3は、互いに異なる材料からなるものであってもよく、互いに異なる種類の形態で絶縁基板1および樹脂膜21に被着されたものであってもよい。例えば、接続パッド4が銅の薄膜導体を含むものであり、回路配線膜3がタングステンの厚膜導体を含むものであってもよい。

0031

また、回路配線膜3は、貫通孔1a内に位置している部分と、樹脂貫通孔2a内に位置している部分とで互いに異なる材料で形成されていても構わない。例えば、貫通孔1a内においてタングステンの厚膜導体を含む回路配線膜3が配置され、樹脂貫通孔2a内において銅等の薄膜導体を含む回路配線膜3が配置されていてもよい。

0032

絶縁基板1および配線基板2、回路配線膜3は、例えば次のようにして作製することができる。すなわち、酸化アルミニウム等の原料粉末有機溶剤およびバインダ等とともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製するとともに、セラミックグリーンシートに機械的な打ち抜き加工またはレーザー加工等の孔あけ加工を施して貫通孔1aを形成する。また、タングステン等の金属材料の粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して金属ペーストを作製する。その後、吸引を併用したスクリーン印刷法等の方法で金属ペーストを貫通孔1aの内面(貫通孔1a内におけるセラミックグリーンシートの表面)に印刷するとともに、これらのセラミックグリーンシートおよび金属ペーストを焼成する。これらの工程によって、絶縁基板1および貫通孔1a内の回路配線膜3を作製することができる。

0033

なお、この段階では貫通孔1a内に回路配線膜3を形成せず、次の工程で、樹脂貫通孔2a内の部分とまとめて回路配線膜3を形成することもできる。このようにすれば、基体部分を上下に電気的に導通する回路配線膜3の導電性の点で有利であり、また、回路装置10の生産性の点でも有利である。

0034

上記のように絶縁基板1等を製作した後に、この絶縁基板1の上面にめっき法を含む薄膜法(エッチング法によるパターン加工を含む)によって樹脂膜21、接続パッド4、上面の回路配線膜3および樹脂貫通孔2a内の回路配線膜3を形成する。以上の工程によって絶縁基板1、配線基板2および回路配線膜3を作製することができる。

0035

薄膜法による回路配線膜3の形成は、例えば次のようにして行なうことができる。

0036

樹脂膜21は、例えばポリイミド樹脂ポリアミドイミド樹脂シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂シロキサン変性ポリイミド樹脂ポリフェニレンサルファイド樹脂全芳香族ポリエステル樹脂,BCB(ベンゾシクロブテン)樹脂,エポキシ樹脂ビスマレイミドトリアジン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂ポリキノリン樹脂およびフッ素樹脂等の絶縁樹脂から適宜選択された材料からなるものである。上記樹脂からなる20μm〜50μm程度のシートの下面に、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂,シロキサン変性ポリイミド樹脂,ポリイミド樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂またはエポキシ樹脂等の樹
接着剤乾燥厚みで5μm〜20μm程度にドクターブレード法等の塗布法にて塗布して乾燥させることで接着剤層を形成し、これを絶縁基板1の上に重ねて加熱プレスすることで絶縁基板1の上面に樹脂膜21を形成する。

0037

次にRIE(リアクティブイオンエッチング)法やレーザー法もしくはこれらを組み合わせる等で、樹脂膜21の貫通孔1aに対応する部分に樹脂貫通孔2aを形成後、上面からおよび下面からスパッタリング法等の方法で密着層31を絶縁基板1、樹脂膜21の貫通部Kを含む露出面に形成する。密着層31はチタン、クロムおよびモリブデン等の活性金属(少なくとも1種)を例えば0.1〜1μmの厚みで形成する。貫通部Kの長さが貫通孔1
aの直径に対して3倍を超える場合には活性金属上に銅等のヤング率が150GPa未満の
軟質金属(例えば銅、金、銀等)を1〜5μmの厚みで、スパッタリング等で追加形成してもよい。それによって貫通部Kの配線の電気的な接続信頼性をより高めることができる。

0038

その後、表裏主導体層を形成するためのめっきレジストを形成し、めっき法で銅、金、銀およびニッケル等の金属材料(少なくとも1種)からなる主導体層32を密着層31上の必要部分に1〜15μm被着させる。めっきレジストを剥離した後に必要に応じ再度保護層を形成するためのめっきレジストを形成し、めっき法でニッケルや金等の保護層を1〜5μm形成する。保護層33は、上記のようにニッケルおよび金等からなり、主導体層32の酸化等を抑制する機能を有する。その後レジストを剥離してから、露出している密着層(図示せず)をエッチングで除去する。以上の方法で接続パッド4および回路配線膜3を形成することができる。また、貫通孔1aの内面から樹脂貫通孔2aの内面にかけて、まとめて回路配線膜3を形成できる。

0039

形成された回路配線膜3のうち樹脂膜21の上面の部分は受けランド部3aおよび配線部3bを有している。貫通孔1a内の配線および下面の表面配線は、互いに密着し合い積層された密着層31、主導体層32および保護層33を有している。回路配線膜3のうち樹脂膜21の上面の配線部3bは密着層31および保護層33を有している。受けランド部3aは平面視で樹脂貫通孔2aを取り囲むように形成された部分であり、上面の配線部3bは受けランド部3aと接続パッド4とを結んでいる部分である。

0040

また、実施形態の回路装置10において、樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面の少なくとも一部は、貫通孔1a内における絶縁基板1の表面よりも貫通部Kの内側に位置している。この形態のいくつかの例を図4(a)〜(c)に示している。言い換えれば、例えば図3(a)に示す例のように、平面視において、貫通孔1aの内面よりも内側(貫通孔1aの平面視における中央部側)に樹脂貫通孔2aが位置している。なお、以下では、樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面を樹脂貫通孔2aの内面という場合がある。また、貫通孔1a内における絶縁基板1の表面を貫通孔1aの内面という場合がある。

0041

このような回路装置10は、端子としての接続パッド4が、絶縁基板1上に配置された樹脂膜21の上面に位置しているため、熱伝導率が比較的小さい樹脂膜21によって接続パッド4から絶縁基板1への熱伝導を効果的に低減することができる。

0042

また、樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面が貫通孔1a内における絶縁基板1の表面よりも内側にあるため、樹脂貫通孔2a内の空間が比較的狭い。この比較的狭い空間内の樹脂膜21の表面にスパッタ法およびめっき法等で形成された回路配線膜3の厚みが比較的薄い。そのため、樹脂貫通孔2a内で回路配線膜3による絶縁基板1の下面方向への熱伝導も低減される。さらに上面の配線部3bは主導体層32がない場合には配線厚みが3〜10μ程度となり、主導体層のある受けランド部3bの配線厚みの10〜20μ程度に比べ薄くなるために、配線を介した熱伝導が低減される。なお、要求される電気特性や配線部3bの長さ等により接続パッド4および配線部3bは主導体層32が形成されていても良い。

0043

したがって、接続パッド4を効果的に加熱することができ、接合材7によってプローブピン6等の接続材を接続パッド4に容易に接合することができる回路装置10を提供することができる。

0044

樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面が貫通孔1a内における絶縁基板1の表面よりも内側にある構成は、例えば図3(a)に示すような形態である。つまり、平面視における樹脂貫通孔2aの開口部分(樹脂開口)2bの寸法が、貫通孔1aの開口部分(開口1b)の寸法よりも小さい。このような寸法の樹脂開口1bを有する樹脂貫通孔2aは、樹脂開口2bが上記のような比較的小さい寸法になるように設定して、RIE法等の方法で形成することができる。

0045

回路配線膜3のうち樹脂貫通孔2aの内面に被着された部分の厚みは、例えば約3〜10μm程度であればよい。また、回路配線膜3のうち貫通孔1aの内面に被着された部分の厚みは、例えば約4〜12μm程度であればよい。このような厚みの回路配線膜3であれば、樹脂貫通孔2a内の部分で効果的に熱の伝導を抑制することができるとともに、比較的長い貫通孔1a内の部分で電気抵抗を低く抑えることができる。なお、樹脂貫通孔2aおよび貫通孔1aの内面の回路配線膜3の厚みは樹脂膜21および絶縁基板1のそれぞれの厚みの1/2の部分で測定した値である。厚みの測定は、例えば、所定位置の断面を金属顕微鏡等で観察する方法または蛍光X線分析等の方法で行なうことができる。

0046

図3(a)に示す例では、樹脂貫通孔2a(樹脂開口2b)は平面視で折れ曲がって入り組んだ形状(いわゆるジグザグ状)である。これと同様に、この樹脂貫通孔2aの内面に被着された回路配線膜3も入り組んだ形状になっている。このような形状の樹脂貫通孔2aは、絶縁基板1側からRIE法による加工を行うことで樹脂貫通孔2aを形成すればよい。

0047

また、図3(a)に示す例では、貫通孔1a(開口1b)は平面視で円形状である。これと同様に、この貫通孔1aの内面に被着された回路配線膜3も円形状の表面を有する形状(円筒状等)になっている。そして、図4(a)に断面図で示す例の様に、絶縁基板1
の貫通孔1aは下面から上面に行くにしたがって径が小さくなっており、貫通孔1aの内面に被着された回路配線膜3も同様に径が小さくなっている、このような形状の貫通孔1aは、絶縁基板1の下側からレーザー加工で形成すればよい。

0048

貫通孔1a(およびその内面の回路配線膜3)がこのような形状のときには樹脂開口2bが開口1bより小さいために、上面からのスパッタによっては樹脂開口2bの裏面や貫通孔1aの樹脂開口2b付近の密着層31の形成が難しくなるが、下面からのスパッタによって樹脂開口2bの裏面や貫通孔1aの樹脂開口2b付近の密着層31が形成されやすくなるので上下導電性の確保が容易になる。

0049

図3(b)は図3(a)の変形例を示す平面図である。図3(b)において図3(a)と同様の部位には同様の符号を付している。図3(b)に示す例では、樹脂貫通孔2a(樹脂開口2b)が平面視において貫通孔1aの開口1bよりも外側に位置する部分を有している。この場合には、樹脂貫通孔2aが貫通孔1aよりも外側に位置する部分で、樹脂貫通孔2aの上部で回路配線膜3が薄くなりにくい。そのため、回路配線膜3による電気的な接続信頼性が高い回路配線膜とすることができる。

0050

また、図3(b)に示す例では、回路配線膜3のうち配線部3の平面視における幅が部分的に狭くなっている。このような場合には、回路配線膜3の厚みだけでなく幅も狭くすることで、回路配線膜3を通って外部に伝わる熱を低減する効果を、より高くすることができる。

0051

また、この実施の形態の回路装置10では、例えば図4(b)に示す例のように、樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面が、樹脂貫通孔2aの樹脂膜21の上面側の開口(樹脂開口2b)から下面側の開口に向かって連続的に貫通孔部Kの外側に傾いている部分を有していてもよい。このような貫通孔2aはRIE法で樹脂貫通孔2aを形成する場合のキャリアガスの量を増やし、ガス圧も高めに設定することで、形成することができる。

0052

この場合には、樹脂貫通孔2aが上部から下部に向かって外側に傾いていることによって、樹脂貫通孔2aの傾斜面から樹脂膜2の上面にかけての角度がより鋭角になるために、樹脂貫通孔2a内で回路配線膜3が薄くなる。そのため、回路配線膜3を伝った接続パッド4から外部への熱の伝りが低減され、接続パッド4に対するプローブ6のはんだ付け性が効果的に向上する。

0053

なお、図4(a)に示す例では、樹脂貫通孔2a内における樹脂膜21の表面が貫通部Kの内側に向かって楕円弧状の断面で突出している。この場合には、樹脂貫通孔2aの厚み方向の中央部で回路配線膜3の厚みを効果的に薄くすることができる。

0054

また、この実施の形態の回路装置10では、例えば図4(c)に示す例のように、樹脂膜21の一部が貫通孔1a内における絶縁基板1の表面の少なくとも一部まで延在していてもよい。

0055

この場合には、樹脂膜21の一部が絶縁基板1表面まで延在していることで、樹脂膜21の絶縁基板1への密着強度が効果的に向上する。そのため、回路配線膜3の接続信頼性が高まる。例えば、前述した図4(b)に示す変形例のように樹脂貫通孔2aの傾斜面から樹脂膜21の上面にかけての角度が鋭角になっても、樹脂膜21の絶縁基板1および樹脂膜21に対する接合強度を十分に確保することができる。

0056

このような貫通孔2aとするには、例えば、樹脂膜に形成した接着層の厚みまたは組成を調節すればよい。また、絶縁基板1に樹脂膜21を接着する条件を高温高圧側に設定す
ることで接着時に貫通孔1a内部に接着層が垂れこむ様にして、その後RIE法で樹脂膜21を加工することでも、上記形態の貫通孔2aを形成できる。

0057

図6は、図2の変形例を示す平面図である。図6において図2と同様の部位には同様の符号を付している。図6に示す例では、配列された複数の接続パッド4のうち少なくとも配列の端に位置する接続パッド4に隣り合ってダミーパッド5が配置されている。この場合の配列の端とは、同じ隣接間隔で配列された複数の接続パッド4のうち端部分のものが位置する部分である。また、この隣接間隔が広くなった部分が、配列の端の位置する接続パッド4に隣り合う部分である。1つの接続パッド4が単独で存在しているときには、その接続パッド4に隣り合う部分が、配列の端の位置する接続パッド4に隣り合う部分に相当する。

0058

図6に示す例では、上から順に、1つ、2つおよび3つの接続パッド4からなる接続パッド4の配列が3列存在している。それぞれの配列において、その両端に隣接してダミーパッド5が配置されている。

0059

このような接続パッド4およびダミーパッド5の配置の形態は、互いに配列された複数の接続パッド4のうち、互いの隣接間隔が比較的広い部分を埋めるようにダミーパッド5が配置された形態とみなすこともできる。また、複数の接続パッド4が配列されている部分では、その配列部分で露出する樹脂膜21の露出面積偏りを低減するようにした形態とみなすこともできる。

0060

この場合には、接続パッド4が連続していない部分にダミーパッド5を配置されていることで、接続パッド4の配置(偏り)によるレーザーによる加熱の効率等への影響を小さくすることができる。そのため、より安定したレーザーによる加熱ができ、接続パッド4へのプローブ6のはんだ付けを安定して行うことができるようになる。

0061

ダミーパッド5は、例えば接続パッド4と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。また、接続パッド4を形成する工程において、めっきレジストのパターンを適宜設定することによって、同時にダミーパッド5を形成することもできる。

0062

なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、樹脂貫通孔2aが貫通孔1aと同様に平面視で円形状でもよく、貫通孔1aが樹脂貫通孔2aと同様に滑らかではない内面(平面視でジグザグ状等)を有するものでもよい。

0063

1・・・・・絶縁基板
1a・・・・貫通孔
1b・・・・開口
2・・・・・配線基板
21・・・・・樹脂膜
2a・・・・樹脂貫通孔
2b・・・・樹脂開口
3・・・・・回路配線膜
3a・・・・配線部
3b・・・・受けランド部
31・・・・・密着層
32・・・・・主導体層
33・・・・・保護層
4・・・・・接続パッド
5・・・・・ダミーパッド
6・・・・・プローブ
7・・・・・接合材
10・・・・・回路装置
K・・・・・貫通部

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