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技術 電子デバイスおよびその製造方法

出願人 太陽誘電株式会社
発明者 佐藤雅弘畑山和重黒柳琢真栗原倫之清水洋平柿田直輝
出願日 2016年7月5日 (4年5ヶ月経過) 出願番号 2016-133650
公開日 2018年1月11日 (2年11ヶ月経過) 公開番号 2018-006626
状態 特許登録済
技術分野 圧電・機械振動子,遅延・フィルタ回路 弾性表面波素子とその回路網 半導体容器とその封止
主要キーワード 受信パッド 共通パッド 導電性接着シート 金属枠体 フルダイシング 弾性波デバイス 弾性波共振器 タンタル酸リチウム基板
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2018年1月11日)のものです。
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図面 (18)

課題

小型化すること。

解決手段

第1基板10と、下面が前記第1基板の上面と空隙25を介し対向し、平面形状が前記第1基板と略合同であり、平面視において側面が前記第1基板の対応する側面と重なるように前記第1基板上に搭載された第2基板20と、前記第1基板の側面から前記第2基板の側面にかけて設けられ、前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の少なくとも一方に設けられた機能素子を前記空隙に封止する封止部材30と、前記封止部材から離間し前記第1基板の上面と前記第2基板の下面とを接続する接続部材26と、を具備する電子デバイス

概要

背景

弾性波デバイス等の電子デバイスパッケージング方法として、回路基板上にチップフェースダウン実装し、チップの周り封止部材で覆う方法が知られている。表面にそれぞれ弾性波素子が形成された2つの基板を、弾性波素子が空隙を介し対向するように、環状の中間層を介し接合することが知られている(例えば特許文献1)。部品本体を金属枠体で囲むことが知られている(例えば特許文献2)

概要

小型化すること。第1基板10と、下面が前記第1基板の上面と空隙25を介し対向し、平面形状が前記第1基板と略合同であり、平面視において側面が前記第1基板の対応する側面と重なるように前記第1基板上に搭載された第2基板20と、前記第1基板の側面から前記第2基板の側面にかけて設けられ、前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の少なくとも一方に設けられた機能素子を前記空隙に封止する封止部材30と、前記封止部材から離間し前記第1基板の上面と前記第2基板の下面とを接続する接続部材26と、を具備する電子デバイス。

目的

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化することを目的とする

効果

実績

技術文献被引用数
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牽制数
0件

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請求項1

第1基板と、下面が前記第1基板の上面と空隙を介し対向し、平面形状が前記第1基板と略合同であり、平面視において側面が前記第1基板の対応する側面と重なるように前記第1基板上に搭載された第2基板と、前記第1基板の側面から前記第2基板の側面にかけて設けられ、前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の少なくとも一方に設けられた機能素子を前記空隙に封止する封止部材と、前記封止部材から離間し前記第1基板の上面と前記第2基板の下面とを接続する接続部材と、を具備する電子デバイス

請求項2

前記封止部材は導電体である請求項1記載の電子デバイス。

請求項3

前記封止部材は導電性樹脂である請求項1記載の電子デバイス。

請求項4

前記接続部材は前記封止部材から離間している請求項1から3のいずれか一項記載の電子デバイス。

請求項5

前記接続部材はバンプである請求項1から4のいずれか一項記載の電子デバイス。

請求項6

前記機能素子は弾性波素子である請求項1から5のいずれか一項記載の電子デバイス。

請求項7

前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の両方に、前記機能素子が設けられている請求項1から6のいずれか一項記載の電子デバイス。

請求項8

第1基板の上面と第2基板の下面とが空隙を介し対向するように、前記第1基板と前記第2基板とを接続部材を介し接合する工程と、前記第1基板の下面から前記第2基板の途中に至る溝を形成する工程と、前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の少なくとも一方に形成された機能素子が封止部材から離間するように前記溝内に前記封止部材を充填する工程と、前記封止部材が前記第1基板の側面から前記第2基板の側面にかけて残存するように、前記封止部材を切断する工程と、を含む電子デバイスの製造方法。

請求項9

板状の封止部材を前記第1基板の下面下に配置する工程を含み、前記溝内に前記封止部材を充填する工程は、前記板状の封止部材を前記第1基板に押圧する工程を含む請求項8記載の電子デバイスの製造方法。

請求項10

前記溝内に前記封止部材を充填する工程の後、かつ前記封止部材を切断する工程の前に、前記溝内の前記封止部材が露出するように、前記第2基板の上面を研磨または研削する工程を含む請求項8または9記載の電子デバイスの製造方法。

技術分野

0001

本発明は、電子デバイスおよびその製造方法に関し、例えば、封止部材機能素子封止する電子デバイスおよびその製造方法に関する。

背景技術

0002

弾性波デバイス等の電子デバイスのパッケージング方法として、回路基板上にチップフェースダウン実装し、チップの周りを封止部材で覆う方法が知られている。表面にそれぞれ弾性波素子が形成された2つの基板を、弾性波素子が空隙を介し対向するように、環状の中間層を介し接合することが知られている(例えば特許文献1)。部品本体を金属枠体で囲むことが知られている(例えば特許文献2)

先行技術

0003

特表2008−546207号公報
特開2014−154941号公報

発明が解決しようとする課題

0004

特許文献1のように、環状の中間層を用い弾性波素子等の機能素子を空隙に封止する方法では、基板の上面または下面における中間層の占める面積が大きく、電子デバイスの小型化が難しい。

0005

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化することを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

本発明は、第1基板と、下面が前記第1基板の上面と空隙を介し対向し、平面形状が前記第1基板と略合同であり、平面視において側面が前記第1基板の対応する側面と重なるように前記第1基板上に搭載された第2基板と、前記第1基板の側面から前記第2基板の側面にかけて設けられ、前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の少なくとも一方に設けられた機能素子を前記空隙に封止する封止部材と、前記封止部材から離間し前記第1基板の上面と前記第2基板の下面とを接続する接続部材と、を具備する電子デバイスである。

0007

上記構成において、前記封止部材は導電体である構成とすることができる。

0008

上記構成において、前記封止部材は導電性樹脂である構成とすることができる。

0009

上記構成において、前記接続部材は前記封止部材から離間している構成とすることができる。

0010

上記構成において、前記接続部材はバンプである構成とすることができる。

0011

上記構成において、前記機能素子は弾性波素子である構成とすることができる。

0012

上記構成において、前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の両方に、前記機能素子が設けられている構成とすることができる。

0013

本発明は、第1基板の上面と第2基板の下面とが空隙を介し対向するように、前記第1基板と前記第2基板とを接続部材を介し接合する工程と、前記第1基板の下面から前記第2基板の途中に至る溝を形成する工程と、前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の少なくとも一方に形成された機能素子が封止部材から離間するように前記溝内に前記封止部材を充填する工程と、前記封止部材が前記第1基板の側面から前記第2基板の側面にかけて残存するように、前記封止部材を切断する工程と、を含む電子デバイスの製造方法である。

0014

上記構成において、板状の封止部材を前記第1基板の下面下に配置する工程を含み、前記溝内に前記封止部材を充填する工程は、前記板状の封止部材を前記第1基板に押圧する工程を含む構成とすることができる。

0015

上記構成において、前記溝内に前記封止部材を充填する工程の後、かつ前記封止部材を切断する工程の前に、前記溝内の前記封止部材が露出するように、前記第2基板の上面を研磨または研削する工程を含む構成とすることができる。

発明の効果

0016

本発明によれば、小型化することができる。

図面の簡単な説明

0017

図1(a)および図1(b)は、実施例1に係る電子デバイスのそれぞれ断面図および斜視図である。
図2(a)は、弾性波共振器12の平面図、図2(b)は弾性波共振器22の断面図である。
図3は、実施例1における基板10の上面の平面図である。
図4は、実施例1における基板20の下面の平面図である。
図5は、実施例1における基板10の下面の平面図である。
図6(a)および図6(b)は、実施例1に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図(その1)である。
図7(a)および図7(b)は、実施例1に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図(その2)である。
図8(a)および図8(b)は、実施例1に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図(その3)である。
図9(a)および図9(b)は、実施例1に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図(その4)である。
図10(a)および図10(b)は、実施例1に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図(その5)である。
図11(a)および図11(b)は、実施例1に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図(その6)である。
図12は、実施例1に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図(その7)である。
図13は、比較例1に係る電子デバイスの断面図である。
図14(a)および図14(b)は、実施例1に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。
図15(a)および図15(b)は、実施例1の変形例1および2の断面図である。
図16(a)から図16(c)は、実施例1の変形例3に係る電子デバイスのそれぞれ断面図、解体斜視図および斜視図である。
図17(a)から図17(e)は、接続部材の例を示す平面図である。

0018

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

0019

図1(a)および図1(b)は、実施例1に係る電子デバイスのそれぞれ断面図および斜視図である。図1(a)に示すように、基板10上に基板20が搭載されている。基板10は例えば圧電基板である。基板10の上面に弾性波共振器12、配線17およびパッド18が設けられている。基板10の下面に端子14が設けられている。端子14は、弾性波共振器12および22を外部と接続するためのフットパッドである。基板10を貫通するビア配線16が設けられている。ビア配線16はパッド18と端子14とを電気的に接続する。端子14、ビア配線16、配線17およびパッド18は、例えば銅層金層またはアルミニウム層等の金属層である。

0020

基板20の下面に弾性波共振器22、配線27およびパッド28が設けられている。配線27およびパッド28は例えば銅層、金層またはアルミニウム層等の金属層である。基板10と20との間には接続部材26が設けられている。基板20は接続部材26を介し基板10にフリップチップ実装(フェースダウン実装)されている。接続部材26は、パッド18と28とを電気的に接続するバンプである。接続部材26は、例えば金バンプ半田バンプまたは銅バンプである。

0021

基板10と上面と基板20の下面とは空隙25を介し対向している。基板10と20とは平面視において実質的に合同である。基板10と20の側面は平面視において重なっている。例えば基板10と20との側面は実質的に同一の平面上に位置している。基板10の側面から基板20の側面にかけて封止部材30が設けられている。封止部材30は弾性波共振器12および22を空隙25内に封止する。接続部材26は封止部材30から離間し、は空隙25に囲まれている。封止部材30は、例えば熱硬化型樹脂等の樹脂である。封止部材30は、絶縁体でもよいが、金属フィラー等を含む導電体でもよい。

0022

図2(a)は、弾性波共振器12の平面図、図2(b)は弾性波共振器22の断面図である。図2(a)に示すように、弾性波共振器12は弾性表面波共振器である。基板10は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。基板10は、サファイア基板スピネル基板アルミナ基板またはシリコン基板等の支持基板の上面にタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板が接合されていてもよい。基板10上にIDT(Interdigital Transducer)40と反射器42が形成されている。IDT40は、互いに対向する1対の櫛型電極40aを有する。櫛型電極40aは、複数の電極指40bと複数の電極指40bを接続するバスバー40cとを有する。反射器42は、IDT40の両側に設けられている。IDT40は基板10に弾性表面波励振する。IDT40および反射器42はアルミニウム層または銅等の金属層により形成される。IDT40および反射器42上に絶縁体からなる保護膜または温度補償膜を設けてもよい。

0023

図2(b)に示すように、弾性波共振器22は圧電薄膜共振器である。基板20上に圧電膜46が設けられている。基板20は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板またはシリコン基板等の絶縁基板、またはシリコン基板等の半導体基板である。圧電膜46を挟むように下部電極44および上部電極48が設けられている。下部電極44と基板20との間に空隙45が形成されている。下部電極44および上部電極48は圧電膜46内に、厚み縦振動モード弾性波を励振する。下部電極44および上部電極48は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜46は例えば窒化アルミニウム膜である。弾性波共振器12および22は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を規制しないように、弾性波共振器12および22は空隙25に覆われている。

0024

図3は、実施例1における基板10の上面の平面図である。図3に示すように、基板10の上面上に複数の弾性波共振器12、配線17およびパッド18が設けられている。基板10の側面を囲むように封止部材30が設けられている。パッド18に接続部材26が設けられている。基板10内にパッド18に接続するビア配線16が形成されている。パッド18は共通パッドPa1、送信パッドPt1、受信パッドPr1およびグランドパッドPg1を含む。送信フィルタ60は、ラダー型フィルタであり、弾性波共振器12である直列共振器S11およびS12と並列共振器P11およびP12を有する。共通パッドPa1と送信パッドPt1との間に直列共振器S11およびS12が配線17を介し直列に接続されている。共通パッドPa1と送信パッドPt1との間に並列共振器P11およびP12が配線17を介し並列に接続されている。並列共振器P11およびP12は配線17を介しグランドパッドPg1に接続されている。

0025

図4は、実施例1における基板20の下面の平面図である。図3との対応をわかり易くするため、基板20の上から透視した平面図である。図4に示すように、基板20の下面に複数の弾性波共振器22、配線27およびパッド28が設けられている。基板20の側面を囲むように封止部材30が設けられている。パッド28に接続部材26が設けられている。パッド28は共通パッドPa2、受信パッドPr2およびグランドパッドPg2を含む。受信フィルタ62は、ラダー型フィルタであり、弾性波共振器22である直列共振器S21からS24と並列共振器P21からP23を有する。共通パッドPa2と受信パッドPr2との間に直列共振器S21からS24が配線27を介し直列に接続されている。共通パッドPa2と受信パッドPr2との間に並列共振器P21からP23が配線27を介し並列に接続されている。並列共振器P21からP23は配線27を介しグランドパッドPg2に接続されている。

0026

図5は、実施例1における基板10の下面の平面図である。図3との対応をわかり易くするため、基板10の上から透視した平面図である。図5に示すように、基板10の下面に端子14が設けられている。端子14は共通端子Ant、送信端子Tx、受信端子Rxおよびグランド端子Gndを含む。図3から図5のように、共通端子Antはビア配線16を介し共通パッドPa1に電気的に接続され、さらに接続部材26を介し共通パッドPa2に電気的に接続されている。送信端子Txはビア配線16を介し送信パッドPt1に電気的に接続されている。受信端子Rxはビア配線16、受信パッドPr1、接続部材26を介し受信パッドPr2に電気的に接続されている。グランド端子Gndはビア配線16を介しグランドパッドPg1に電気的に接続され、さらに接続部材26を介しグランドパッドPg2に電気的に接続されている。

0027

以上のように、実施例1の弾性波デバイスは、共通端子Antと送信端子Txとの間に接続された送信フィルタ60と、共通端子Antと受信端子Rxとの間に接続された受信フィルタ62と、を有するデュプレクサとして機能する。送信フィルタ60は、送信端子Txから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Antに通過させ、その他の信号を抑圧する。受信フィルタ62は、共通端子Antから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信端子Rxに通過させ、その他の信号を抑圧する。

0028

図6(a)から図12は、実施例1に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図である。図6(a)に示すように、例えば厚さが400μmの基板10の上面にビアホール50を形成する。ビアホール50は例えばレーザ光照射して形成する。図6(b)に示すように、ビアホール50内に例えばめっき法を用いビア配線16を埋め込む。ビア配線16は例えば銅層である。基板10の上面に弾性波共振器12、配線17およびパッド18を形成する。

0029

図7(a)に示すように、例えば厚さが300μmから450μmの基板20の下面(図7(a)では上面)に弾性波共振器22、配線27およびパッド28を形成する。パッド28上にめっき法を用い接続部材26として例えば銅バンプを形成する。

0030

図8(a)に示すように、ウエハ状の基板10上にウエハ状の基板20を配置する。基板10の上面(図8(a)では下面)と基板20の下面(図8(a)では上面)が空隙25を介し対向するように、基板10と20とを接続部材26を介し接合する。基板10と20との間隔は例えば10μmから20μmである。図8(b)に示すように、基板10の下面(図8(b)では上面)から基板20の途中に至る溝52を形成する。溝52の形成は例えばダイシング法を用いたハーフダイシングにより行なう。溝52の幅は例えば100μm程度である。基板20における溝52の深さは例えば100μmから300μmである。これにより、基板10は個片化される。基板20はウエハ状態を維持する。

0031

図9(a)に示すように、基板20上に平板状の封止部材30を配置する。封止部材30は、例えば樹脂であり、金属フィラーを含む熱硬化型ウレタン樹脂である。封止部材30としては、例えばトーヨーケム社製の導電性接着シートTSCシリーズ(例えばEXC−TSC0025)を用いることができる。樹脂板32の膜厚は例えばEXC−TSC0025のとき50μmから300μmである。

0032

図9(b)に示すように、加熱プレスを用い、封止部材30を加熱し、基板10に押圧する。これにより、板状の封止部材30が溶融し溝52内を充填する。封止部材30としてEXC−TSC0025を用いた場合、封止部材30の温度を150℃から160℃、圧力を0.5MPaから2MPa、押圧時間を3分から10分とする。その後、160℃において1時間のキュアを行なう。これにより、封止部材30が硬化する。溝52の幅に対し、基板10と20との間の間隔が十分小さいため、基板10と20との間には封止部材30は侵入しない。

0033

図10(a)に示すように、基板10の下面(図10(a)では上面)を研磨または研削する。これにより、基板10の下面上の封止部材30が除去される。また、基板10の下面からビア配線16が露出する。基板10の厚さは例えば150μmとなる。図10(b)に示すように、基板10の下面(図10(b)では上面)上に端子14を形成する。端子14は例えばめっき法を用い形成する。

0034

図11(a)に示すように、基板20の上面(図11(a)では下面)を研磨または研削する。基板20の上面から封止部材30が露出する。基板20の厚さは例えば100μmから150μmとなる。図11(b)に示すように、基板20の上面(図11(b)では下面)をダイシングテープ54に貼り付ける。溝52内の封止部材30に溝56を形成する。溝56の形成は例えばダイシング法を用いたフルダイシングにより行なう。溝56の幅は例えば40μm程度である。これにより、基板10および20の側面に厚さが30μm程度以下の封止部材30が形成される。図12に示すように、ダイシングテープを剥がすことにより、電子デバイスが個片化される。

0035

図13は、比較例1に係る電子デバイスの断面図である。図13に示すように、基板10と20との間に環状封止部38が設けられている。環状封止部38により、弾性波共振器12および22が空隙25に封止されている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。

0036

比較例1では、環状封止部38が設けられた領域68に基板10および20が設けられている。このため、弾性波共振器12および22が形成されたウエハに占める領域68の面積の割合が大きい。例えば、電子デバイスの平面寸法が1mm×1mm、領域68の幅を50μmとする。このとき、基板10および20の面積に対する領域68の面積は約20%となる。領域68を小さくすると、基板10および20と環状封止部38との界面63の幅が小さくなる。これにより、空隙25の気密性劣化する。このように、比較例1では、基板10および20に占める領域68の割合が大きい。このため、基板10および20のコストが高くなる。特に、基板10および20に弾性波共振器12および22が形成されていると、電子デバイスのコストに占める基板10および20のコストの割合が大きい。よって、電子デバイスのコストが高くなる。

0037

実施例1によれば、基板10(第1基板)と基板20(第2基板)とは平面視において略合同である。平面視において基板20の側面が基板10の対応する側面と重なる。接続部材26は、基板10の上面と基板20(第2基板)の下面とを接続する。このように、接続部材26が基板10と20との間に空隙25が形成されるように基板10と20を支持する。この状態で、封止部材30は、基板10の側面から基板20の側面にかけて連続して設けられ、弾性波共振器12および22(機能素子)を空隙25に封止する。これにより、比較例1の領域68が不要となる。よって、基板10および20の面積を小さくできる。これにより、基板10および20のコストを削減できる。さらに、封止部材30が基板10および20の側面を覆っている。これにより、基板10および20と封止部材30との界面の幅は実質的に基板10および20の膜厚となる。よって、比較例1に比べ、基板10および20と封止部材30との界面の幅を大きくできる。これにより、空隙25の気密性を向上できる。

0038

上記実施例1に係る電子デバイスを製造する方法においては、図8(a)のように、基板10の上面と基板20の下面とが空隙25を介し対向するように、基板10と基板20とを接続部材26を介し接合する。図8(b)のように、基板10の下面から基板20の途中に至る溝52を形成する。図8(c)のように、基板10の上面および基板20の下面の少なくとも一方に形成された弾性波共振器12および22(機能素子)が封止部材30から離間するように溝52内に封止部材30を充填する。図11(b)のように、封止部材30が基板10の側面から基板20の側面にかけて残存するように、封止部材30を切断する。これにより、封止部材30を基板10の側面から基板20の側面にかけて形成することができる。

0039

また、図9(a)のように、板状の封止部材30を基板10の下面下に配置する。図9(b)のように、板状の封止部材30を基板10に押圧する。これにより、溝52内に封止部材30を充填できる。

0040

さらに、図11(a)のように、溝52内に封止部材30を充填した後かつ封止部材30を切断する前に、溝52内の封止部材30が露出するように、基板20の上面を研磨または研削する。これにより、基板20の側面に封止部材30を形成することができる。

0041

さらに、図8(b)の溝52の幅は、基板10と20との間隔より十分大きいことが好ましい。これにより、図9(b)のように、封止部材30が弾性波共振器12および22並びに接続部材26に達することを抑制できる。

0042

封止部材30は導電体であることが好ましい。これにより、封止部材30を接地することで、封止部材30をシールドとして用いることができる。また、封止部材30を介した放熱性を向上できる。

0043

封止部材30として導電性樹脂を用いることができる。これにより、導電性の封止部材30を容易に形成できる。封止部材30は半田等の金属でもよい。また、封止部材30は絶縁性樹脂でもよい。

0044

図14(a)および図14(b)は、実施例1に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。図14(a)に示すように、基板10と20との間の端部64において封止部材30が基板10と20との間の空間に突出している。このように、図9(b)において、封止部材30を溝52に充填するときに、封止部材30が基板10と20との間の空間に突出してもよい。封止部材30は接続部材26から離間していることが好ましい。

0045

図14(b)に示すように、基板10の側面は下端近傍66bにおいて封止部材30から露出していてもよい。また、基板20の側面は上端近傍66aにおいて封止部材30から露出していてもよい。このように、図10(a)および図11(a)において、基板10および基板20を研磨または研削するときに、封止部材30が基板10および20より速く研磨または研削されてもよい。封止部材30は、基板10の側面の少なくとも一部と、基板20の側面少なくとも一部と、を覆えばよい。封止部材30と基板10および20の側面との界面の幅を大きくする観点から、基板10および20の側面を各々半分以上覆うことが好ましい。

0046

図15(a)および図15(b)は、実施例1の変形例1および2の断面図である。図15(a)に示すように、基板10の上面に弾性波共振器12が設けられている。基板20の下面には機能素子は設けられていない。基板20は、例えば樹脂基板またはセラミック基板等の絶縁基板である。図15(b)に示すように、基板20の下面に弾性波共振器22が設けられている。基板10の上面には機能素子は設けられていない。基板10は、例えば樹脂基板またはセラミック基板等の絶縁基板である。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。

0047

このように、機能素子は基板10の上面および基板20の下面の少なくとも一方に設けられていればよい。基板10の上面および基板20の下面の両方に、機能素子が設けられている場合、よりコストの低減が可能となる。基板10の上面に圧電薄膜共振器が設けられており、基板20の下面に弾性表面波共振器が設けられていてもよい。機能素子としては弾性波素子以外の電子素子でもよい。弾性波素子は弾性波を励振するため、空隙25に露出することが好ましい。よって、機能素子は弾性波素子であることが好ましい。基板10および20に各々ラダー型フィルタが設けられているデュプレクサを例に説明したが、フィルタ多重モードフィルタでもよい。電子デバイスはデュプレクサ以外のデバイスでもよい。

0048

図16(a)から図16(c)は、実施例1の変形例3に係る電子デバイスのそれぞれ断面図、解体斜視図および斜視図である。図16(a)から図16(c)に示すように、接続部材26は基板10の角部近傍に設けられている。接続部材26は、基板10と20とを機械的に接続しているが電気的には接続していない。接続部材26は、金属でもよいが樹脂等の絶縁体でもよい。基板20の上面に端子24が設けられている。基板20を貫通し、パッド28と端子24とを接続するビア配線23が設けられている。端子24は弾性波共振器22と電気的に接続されている。その他の構成は、実施例1と同じであり説明を省略する。

0049

実施例3の変形例3のように、接続部材26は、図8(a)から図9(b)の工程を行うときに、基板10と20とを支持すればよい。このため、基板10と20とを機械的に接続していればよい。

0050

図17(a)から図17(e)は、接続部材の例を示す平面図である。図17(a)に示すように、基板10上に円柱状の接続部材26が設けられている。基板10と20との機械的強度を向上させるため、接続部材26は基板10および20の4つ角部に設けられることが好ましい。図17(b)に示すように、直線状の接続部材26が基板10の2つの長辺に沿って設けられている。

0051

図17(c)に示すように、L字状の接続部材26が4つの角部に辺に沿って設けられている。これにより、機械的強度をより向上できる。接続部材26が基板10および20の長辺を支持することで、機械的強度をより向上できる。図17(d)に示すように、直線状の接続部材26が基板10の3つの辺に沿って設けられている。これにより、機械的強度をより向上できる。

0052

図17(e)に示すように、基板10上に弾性波共振器を含むフィルタ12aおよび12bが設けられている。フィルタ12aおよび12bの間に接続部材26が設けられている。接続部材26を導電体とすることで、フィルタ12aと12bとのアイソレーション特性を向上できる。フィルタ12aと12bとは例えばデュプレクサの送信フィルタと受信フィルタであリ、フィルタ12aと12bの通過帯域は重なっていない。これにより、送信フィルタと受信フィルタとのアイソレーションを改善できる。

実施例

0053

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

0054

10、20基板
12、22弾性波共振器
14、24端子
16、23ビア配線
17、27配線
18、28パッド
25 空隙
26接続部材
30 封止部材

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