図面 (/)

技術 金属粒子と、2種の半導体とを含み、2種の半導体は、酸化インジウムからなる一方のものを含む光触媒組成物

出願人 イエフペエネルジヌヴェルサーントゥルナシオナルドゥラルシェルシュシャーンティフィクユニヴェルシテクロードベルナールリヨンプルミエ
発明者 ロフィシャルディナフェカンアントワーヌウジオドゥニピュズナエリックジャンテクリストフ
出願日 2015年10月6日 (5年1ヶ月経過) 出願番号 2017-520973
公開日 2017年10月26日 (3年1ヶ月経過) 公開番号 2017-531555
状態 特許登録済
技術分野 触媒
主要キーワード 通過エネルギ ミクロン球 ナノ物体 ダブルジャケット UV照射源 酸化物シェル 非金属イオン 光触媒システム
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2017年10月26日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (0)

図面はありません

課題・解決手段

本発明は、第1の半導体SC1と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第MB族、第NIA族、第IVA族および第VA族の元素から選択される1種以上の金属状態の元素Mを含む粒子と、酸化インジウムを含む第2の半導体SC2とを含有する組成物であって、前記第1の半導体SC1は、1種以上の金属状態元素Mを含む前記粒子と直接的に接触しており、前記粒子は、酸化インジウムを含む前記第2の半導体SC2と直接的に接触しており、第2の半導体SC2は、1種以上の金属状態元素Mを含む粒子の表面の最低50%を覆っている、組成物に関する。本発明は、同調製方法および光触媒作用におけるその使用にも関する。

概要

背景

文献は、半導体を含有する複合材料、特に、半導体担体の表面上のコアシェルタイプ粒子からなる複合材料の例に言及する。このタイプの固体は、特に、光触媒の適用において開発された。

C. Liら(非特許文献1)は、TiO2ナノチューブベースとする固体であって、こチューブの上に、金属性銅の粒子が光補助によって沈着させられ、その金属性銅の粒子は、それらの表面上において酸化させられているものの合成を明らかにした。

H. Linら(非特許文献2)は、共沈殿によって調製される複合物であって、AgBr/Ag/AgIからなり、AgBrおよびAglの両方は半導体である、複合物を提案する。

連続的な含浸により、C. Wangら(非特許文献3)は、一方ではWO3とPtとの間の接触と、他方では、PtとTiO2との間の接触とを含む材料を調製した。

最後に、H. Tada(非特許文献4)は、半球状の粒子をベースとする固体であって、この半球状の粒子は、Auのコアの周りCdSシェルを有し、この粒子は、TiO2−半導体上に沈着させられる、固体を提案する。

概要

本発明は、第1の半導体SC1と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第MB族、第NIA族、第IVA族および第VA族の元素から選択される1種以上の金属状態の元素Mを含む粒子と、酸化インジウムを含む第2の半導体SC2とを含有する組成物であって、前記第1の半導体SC1は、1種以上の金属状態元素Mを含む前記粒子と直接的に接触しており、前記粒子は、酸化インジウムを含む前記第2の半導体SC2と直接的に接触しており、第2の半導体SC2は、1種以上の金属状態元素Mを含む粒子の表面の最低50%を覆っている、組成物に関する。本発明は、同調製方法および光触媒作用におけるその使用にも関する。

目的

本発明の目的は、第1の半導体SC1と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子と、酸化インジウムを含む第2の半導体SC2とを含む組成物であって、前記第1の半導体SC1は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子と直接的に接触しており、前記粒子は、酸化インジウムを含む前記第2の半導体SC2と直接的に接触しており、第2の半導体SC2は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子の表面の最低50%を覆っている、組成物を提案することにある

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

第1の半導体SC1と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子と、酸化インジウムを含む第2の半導体SC2とを含有する組成物であって、前記第1の半導体SC1は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子と直接的に接触しており、前記粒子は、酸化インジウムを含む前記第2の半導体SC2と直接的に接触しており、第2の半導体SC2は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子の表面の最低50%を覆っている、組成物。

請求項2

第1の半導体SC1は、第2の半導体SC2と直接的に接触している、請求項1に記載の組成物。

請求項3

前記第1の半導体SC1は、担体を形成し、前記担体は、その表面上にコアシェルタイプの粒子を含有し、前記シェルは、酸化インジウムを含む前記半導体SC2によって形成され、前記コアは、金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子によって形成される、請求項1または2に記載の組成物。

請求項4

酸化インジウムは、大部分についてIn2O3からなる、請求項1〜3のいずれか1つに記載の組成物。

請求項5

金属状態にある元素Mは、白金パラジウム、金、ニッケルコバルトルテニウム、銀、銅、レニウム、またはロジウムの中から選択される、請求項1〜4のいずれか1つに記載の組成物。

請求項6

元素Inに関して表される半導体SC2の酸化インジウム含有率は、組成物の全重量に対して0.01〜50重量%である、請求項1〜5のいずれか1つに記載の組成物。

請求項7

金属状態にある元素Mの含有率は、組成物の全重量に対して0.001〜20重量%である、請求項1〜6のいずれか1つに記載の組成物。

請求項8

金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子は、0.5〜1000nmのサイズの粒子の形態にある、請求項1〜7のいずれか1つに記載の組成物。

請求項9

ナノメートル粉末の形態にある、請求項1〜8のいずれか1つに記載の組成物。

請求項10

半導体SC1は、TiO2、Bi2S3、Bi2O3、Fe2O3、ZnO、WO3、CuO、ZnFe2O4、MoS2、およびIn(OH)3の中から選択される、請求項1〜9のいずれか1つに記載の組成物。

請求項11

シェルは、1〜1000nmの厚さを有する、請求項3〜10のいずれか1つに記載の組成物。

請求項12

請求項1〜11のいずれか1つに記載の組成物の調製方法であって、以下の工程:a)水および/または1種以上の有機化合物と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される少なくとも1種の金属前駆体とからなる液体混合物中に第1の半導体SC1を含有する懸濁液を撹拌しながら調製し、該懸濁液を、照射源によって照射し、前記源の発光スペクトルの少なくとも一部は、半導体SC1の禁止帯の幅を超えるエネルギーを有する光子からなる工程、b)次いで、撹拌および前記照射源の照射下に、酸化度+3を有する可溶性インジウム前駆体を、工程a)において得られた懸濁液に導入する工程、c)次いで、撹拌および前記照射源の照射下に、塩基剤を導入して、酸化インジウムの沈殿を生じさせる工程、d)次いで、工程c)の懸濁液から組成物を分離する工程、e)工程d)において得られた組成物を乾燥させる工程、f)場合による、工程e)において得られた乾燥済み組成物を、加熱処理に付す工程を含む、方法。

請求項13

金属前駆体は、白金、パラジウム、金、ニッケル、コバルト、ルテニウム、銀、銅、レニウム、またはロジウムの前駆体の中から選択される、請求項12に記載の調製方法。

請求項14

工程c)において、塩基剤が導入された後に、pHは5〜13である、請求項12または13に記載の調製方法。

請求項15

請求項1〜11のいずれか1つに記載の組成物または請求項12〜14のいずれか1つに記載された方法により調製された組成物の光触媒としての使用。

技術分野

0001

本発明の分野は、複合材料および光触媒におけるそれらの適用の分野である。複合材料は、異なる化学的性質の少なくとも2種の化合物からなる固体として定義される。

0002

以下、化学元素の族は、CAS分類にしたがって提供される(CRCHandbook of Chemistry and Physics, Editor: CRC Press, Editor-in-Chief D. R. Lide, 81st Edition, 2000-2001)。例えば、CAS分類による第VIII族は、新IUPAC分類によるカラム8、9および10の金属に相当する。

背景技術

0003

文献は、半導体を含有する複合材料、特に、半導体担体の表面上のコアシェルタイプ粒子からなる複合材料の例に言及する。このタイプの固体は、特に、光触媒の適用において開発された。

0004

C. Liら(非特許文献1)は、TiO2ナノチューブベースとする固体であって、こチューブの上に、金属性銅の粒子が光補助によって沈着させられ、その金属性銅の粒子は、それらの表面上において酸化させられているものの合成を明らかにした。

0005

H. Linら(非特許文献2)は、共沈殿によって調製される複合物であって、AgBr/Ag/AgIからなり、AgBrおよびAglの両方は半導体である、複合物を提案する。

0006

連続的な含浸により、C. Wangら(非特許文献3)は、一方ではWO3とPtとの間の接触と、他方では、PtとTiO2との間の接触とを含む材料を調製した。

0007

最後に、H. Tada(非特許文献4)は、半球状の粒子をベースとする固体であって、この半球状の粒子は、Auのコアの周りCdSシェルを有し、この粒子は、TiO2−半導体上に沈着させられる、固体を提案する。

先行技術

0008

C. Liら著、「J. Hydrogen Energy」、2012年、第37号、p.6431−6437
H. Linら著、「Catal. Comm.」、2012年、第21巻、pp.91−95
C. Wangら著(Chem. Eng. J.)、2014年、第237巻、pp.29−37)
H. Tada著、「Nature Materials」、2006年、第5巻、pp.782−786

課題を解決するための手段

0009

本発明の目的は、第1の半導体SC1と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子と、酸化インジウムを含む第2の半導体SC2とを含む組成物であって、前記第1の半導体SC1は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子と直接的に接触しており、前記粒子は、酸化インジウムを含む前記第2の半導体SC2と直接的に接触しており、第2の半導体SC2は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子の表面の最低50%を覆っている、組成物を提案することにある。

0010

半導体SC2を構成する酸化インジウムの使用により、十分に驚くべきことに、現状技術の知られた光触媒に対して増大した光触媒性能を有する光触媒を得ることが可能となる。

0011

好ましい変形例によると、第1の半導体SC1は、第2の半導体SC2とも直接的に接触している。

0012

好ましい変形例によると、前記第1の半導体SC1は、担体を形成し、前記担体は、その表面上にコア−シェルタイプの粒子を含有し、前記シェルは、酸化インジウムを含む前記半導体SC2によって形成され、前記コアは、金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子によって形成される。

0013

変形例によると、酸化インジウムは、大部分についてIn2O3からなる。

0014

変形例によると、金属状態にある元素Mは、白金パラジウム、金、ニッケルコバルトルテニウム、銀、銅、レニウム、またはロジウムの中から選択される。

0015

変形例によると、半導体SC2の酸化インジウム含有率(元素Inに関して表される)は、組成物の全重量に対して0.01〜50重量%である。

0016

変形例によると、金属状態にある元素Mの含有率は、組成物の全重量に対して0.001〜20重量%である。

0017

変形例によると、金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子は、0.5〜1000nmのサイズの粒子の形態にある。

0018

変形例によると、組成物は、ナノメートル粉末の形態にある。

0019

変形例によると、半導体SC1は、TiO2、Bi2S3、Bi2O3、Fe2O3、ZnO、WO3、CuO、ZnFe2O4、MoS2、およびIn(OH)3の中から選択される。

0020

変形例によると、シェルの厚さは、1〜1000nmである。

0021

本発明は、その調製方法であって、以下の工程:
a) 第1の半導体SC1を、水および/または1種以上の有機化合物と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される少なくとも1種の金属前駆体とからなる液体混合物中に含有する懸濁液を、撹拌しながら調製し、照射源によって懸濁液を照射し、前記源の発光スペクトルの少なくとも一部は、半導体SC1の禁止帯の幅を超えるエネルギーを有する光子からなる、工程、
b) 次いで、撹拌および前記照射源の照射をしながら、酸化度+3を有する可溶性インジウム前駆体を、工程a)において得られた懸濁液に導入する工程、
c) 次いで、撹拌および前記照射源の照射をしながら、塩基剤を導入し、酸化インジウムの沈殿を生じさせる工程、
d) 次いで、工程c)の懸濁液から組成物を分離する工程、
e) 工程d)において得られた組成物を乾燥させる工程、
f) 場合により、工程e)において得られた乾燥済み組成物を、加熱処理に付す工程
を含む、方法にも関する。

0022

変形例によると、金属前駆体は、白金、パラジウム、金、ニッケル、コバルト、ルテニウム、銀、銅、レニウム、またはロジウムの前駆体の中から選択される。

0023

変形例によると、工程c)において、塩基剤が導入された後に、pHは5〜13である。

0024

本発明は、本発明による組成物または調製方法により調製された組成物の光触媒としての使用にも関する。

実施例

0025

(発明の詳細な説明)
(本発明による組成物)
本発明は、第1の半導体SC1と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子と、酸化インジウムを含む第2の半導体SC2とを含有する組成物であって、前記第1の半導体SC1は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子と直接的に接触しており、前記粒子は、酸化インジウムを含む前記第2の半導体SC2と直接的に接触しており、第2の半導体SC2は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子の表面の最低50%を覆っている、組成物に関する。

0026

好ましい様式において、組成物は、第1の半導体SC1と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子と、酸化インジウムを含む第2の半導体SC2とからなる。

0027

本発明の重要な見地によると、第1の半導体SC1は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子と直接的に接触しており、前記粒子は、酸化インジウムを含む第2の半導体SC2と直接的に接触している。好ましくは、第1の半導体SC1は、さらに、第2の半導体SC2と直接的に接触している。

0028

本発明の好ましい変形例によると、前記第1の半導体SC1は、担体を形成する;前記担体は、その表面上に、コア−シェルタイプの粒子を含有し、前記シェルは、酸化インジウムを含む前記半導体SC2によって形成され、前記コアは、金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子によって形成される。半導体担体SC1の表面上の本発明によるコア−シェルタイプの粒子のシェルを構成する酸化インジウムの使用により、十分に驚くべきことに、コア−シェルタイプの担体構造を含まない現状技術から知られている光触媒に対して光触媒性能を増大した光触媒を得ることが可能となる。

0029

第2の半導体SC2は、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子の表面の最低50%を覆い、好ましい様式における表面は、60%超であり、非常に好ましい様式において75%超である。被覆率は、XPS(英語専門用語においてX-ray photoelectron spectrometry:X線光電子分光法)によって、例えば、ESCA KRATOS(登録商標)Axis Ultraデバイスを用いて測定され、Al単色源は、1486.6eVにあり、通過エネルギー(passage energy)は、40eVであり、金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子の全表面の被覆を表す。

0030

シェルの厚さは1〜1000nm、好ましくは1〜500nm、特に好ましくは2〜50nmである。

0031

組成物は、第1の半導体SC1を含有する。本発明により用いられる半導体SC1は、少なくとも1種の無機の、有機の、または有機−無機複合の半導体を含む。無機の、有機のまたは有機−無機の半導体の禁止帯の幅は、一般的に0.1〜5.5eVである。

0032

第1の変形例によると、半導体SC1は、少なくとも1種の無機固体を含む。無機半導体は、第IVA族の元素の中から選択される1種以上の元素、例えば、ケイ素ゲルマニウム炭化ケイ素、ケイ素−ゲルマニウムを含み得る。それはまた、第IIIA族および第VA族の元素、例えば、GaP、GaN、InP、およびInGaAs、または、第IIB族または第VIA族の元素、例えば、CdS、ZnO、およびZnS、または、第IB族および第VIIA族の元素、例えば、CuClおよびAgBr、または第IVA族および第VIA族の元素、PbS、PbO、SnS、およびPbSnTe、または第VA族および第VIA族の元素、例えば、Bi2Te3およびBi2O3、または、第IIB族および第VA族の元素、例えばCd3P2、Zn3P2、およびZn3As2、または、第IB族およびVIA族の元素、例えばCuO、Cu2O、およびAg2S、または、第VIII族および第VIA族の元素、例えばCoO、PdO、Fe2O3、およびNiO、または、第VIB族および第VIA族の元素、例えばMoS2およびWO3、または、第VB族および第VIA族の元素、例えば、V2O5およびNb2O5、または第IVB族および第VIA族の元素、例えばTiO2およびHfS2、または第IIIA族および第VIA族の元素、例えばIn2O3、In2S3、またはIn(OH)3、または第VIA族およびランタニドの元素、例えばCe2O3、Pr2O3、Sm2S3、Tb2S3およびLa2S3、または第VIA族およびアクチニドの元素、例えばUO2およびUO3の元素からなり得る。好ましい様式において、半導体は、TiO2、Bi2S3、Bi2O3、CdO、Ce2O3、CeO2、CoO、Cu2O、Fe2O3、FeTiO3、In2O3、In(OH)3、NiO、PbO、ZnO、WO3、CuO、ZnFe2O4、MoS2、Ag2S、CdS、Ce2S3、Cu2S、CuInS2、In2S3、ZnFe2O3、ZnSおよびZrS2およびIn(OH)3の中から選択される。非常に好ましい様式において、半導体は、TiO2、Bi2S3、Bi2O3、Fe2O3、ZnO、WO3、CuO、ZnFe2O4、MoS2、およびIn(OH)3の中から選択される。

0033

別の変形例によると、半導体SC1は、少なくとも1種の有機半導体を含む。有機半導体の中で、テトラセンアントラセンポリチオフェンポリスチレンスルホナート、ホスフレン(phosphyrene)、およびフラーレンを挙げることが可能である。

0034

別の変形例によると、半導体SC1は、少なくとも1種の有機−無機半導体を含む。有機−無機半導体の中で、MOFタイプの結晶化固体(英語の専門用語で「Metal Organic Frameworks」)を挙げることが可能である。MOFsは、無機のサブユニット遷移金属、ランタニド、、、)からなり、有機リガンドカルボキシラートホスホナートイミダゾラート、、、)によって互いに接続され、それ故に、結晶化させられ、しばしば多孔質の、ハイブリッドネットワークを規定する。

0035

半導体SC1は、場合によっては、金属イオン、例えば、V、Ni、Cr、Mo、Fe、Sn、Mn、Co、Re、Nb、Sb、La、Ce、Ta、Tiのイオン非金属イオン、例えば、C、N、S、F、Pの中から選択される1種以上のイオン、または金属および非金属のイオンの混合物をドープされ得る。

0036

別の変形例によると、半導体SC1は、光子を吸収し得る全ての有機分子によりその表面上に感光性を与えられ得る。

0037

半導体SC1は、種々の形態物(ナノメートル粉末、空洞を含んでも含まなくてもよいナノ物体、、)または成形物フィルムモノリスミクロン球またはミリメートル球、、)にあり得る。

0038

組成物は、第2の半導体SC2を含む。半導体SC2は、酸化インジウムを含む。好ましくは、元素インジウムの酸化度は+3である。非常に好ましい様式において、酸化インジウムは大部分についてIn2O3からなる。「大部分についてIn2O3からなる」は、In2O3含有率が、半導体SC2の全重量の50%を超える、好ましくは60重量%を超える、特に好ましい様式において、70重量%を超えるとして規定される。場合によっては、半導体SC2は、さらに、水酸化インジウムを含有し得る。半導体SC2は、好ましくは、インジウム以外の金属の群の元素を含有しない。

0039

酸化インジウムの含有率(元素Inに関して表される)は、組成物の全重量に対して0.01〜50重量%、好ましくは0.5〜20重量%である。

0040

組成物は、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される金属状態にある1種以上の元素Mを含む粒子を含む。1種以上の元素Mを含む前記粒子は、前記半導体SC1およびSC2とそれぞれ直接的に接触している。前記粒子は、金属状態にある単一種の元素または合金を形成し得る金属状態にある複数種の元素からなり得る。

0041

「金属状態にある元素」は、金属のファミリーに属する元素であって、前記元素の酸化度はゼロである(したがって、金属形態にある)、元素として定義される。

0042

好ましくは、金属状態にある元素(1種または複数種)Mは、周期律表の第VIIB族、第VIIIB族、第IB族および第IIB族の金属元素の中から、特に好ましくは白金、パラジウム、金、ニッケル、コバルト、ルテニウム、銀、銅、レニウム、またはロジウムの中から選択される。金属状態にある1種以上の元素Mを含む前記粒子は、好ましくは、0.5〜1000nm、非常に好ましくは0.5〜100nmのサイズの粒子の形態にある。

0043

金属状態にある元素(1種または複数種)Mの含有率は、組成物の全重量に対して、0.001〜20重量%、好ましい様式において0.01〜10重量%である。

0044

本発明による組成物は、種々の形態物(ナノメートル粉末、空洞を含んでも含まなくてもよいナノ物体、、)または成形物(フィルム、モノリス、ミクロン球またはミリメートル球、、)にあり得る。本発明による組成物は、有利には、ナノメートル粉末の形態にある。

0045

(固体の調製)
本発明による組成物は、当業者に知られている任意の方法により調製され得る。一つの実施形態によると、組成物は、金属粒子を形成する金属元素(1種または複数種)M(したがって、コア−シェル担体構造におけるコア)を光蒸着させ、次いで、金属粒子をその表面上に含有する半導体SC1(コア−シェル担体構造における担体を形成する)上の酸化度+3のインジウム前駆体による、照射されている間の沈殿によって誘導される凝縮(コア−シェル担体構造におけるシェルを形成する)を行うことによって得られる。

0046

銅前駆体の乾式含浸技術(一般的に担体上の金属の高分散を探す)による調製は、金属状態にある1種以上の元素(M)を含む粒子の表面の最低50%を、酸化銅を含む第2の半導体SC2が覆う本発明による組成物を得ることを可能にしないことが留意されるべきである。

0047

より特定的には、本発明による組成物の調製方法は、以下の工程:
a)撹拌しながら、水および/または1種以上の有機化合物と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される少なくとも1種の金属前駆体とからなる液体混合物中に第1の半導体SC1を含有する懸濁液を調製し、該懸濁液を照射源によって照射して、前記源の発光スペクトルの少なくとも一部は、半導体SC1の禁止帯の幅を超えるエネルギーを有する光子からなる、工程、
b) 次いで、撹拌および前記照射源の照射下に、酸化度+3を有する可溶性インジウム前駆体を、工程a)において得られた懸濁液に導入する工程、
c) 次いで、撹拌および前記照射源の照射下に、塩基剤を導入して、酸化インジウムの沈殿を生じさせる工程、
d) 次いで、工程c)の懸濁液から組成物を分離する工程、
e) 工程d)において得られた組成物を乾燥させる工程、
f) 場合によっては、工程e)において得られた乾燥済み組成物を、加熱処理に付す工程
を含む。

0048

それ故に、工程a)において、撹拌されている間に、水および/または1種以上の有機化合物と、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から選択される少なくとも1種の金属前駆体とからなる液体混合物中に半導体SC1を好ましくはナノメートル粉末の形態で含有する懸濁液が調製され、懸濁液は、照射源によって照射されて、前記源の発光スペクトルの少なくとも一部は、半導体SC1の禁止帯の幅を超えるエネルギーを有する光子からなる。

0049

懸濁液中に含有される有機化合物の割合(%)は、0容積%から100容積%に至るまで変動する。有機化合物は、一般的には、第一級または第二級アルコールである;好ましい様式において、有機化合物は、それ自体または混合物における、メタノールエタノール、またはイソプロパノールである。

0050

金属前駆体は、混合物に、可溶性粉末の形態または溶液、好ましくは水溶液で導入される。金属前駆体は、一般的に、酢酸塩アセチルアセトナート塩化物硝酸塩または硫酸塩をベースとする。好ましい様式において、金属前駆体は、塩化物または硝酸塩をベースとする。

0051

金属前駆体は、周期律表の第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIIIB族、第IB族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族および第VA族の元素の中から、好ましくは、周期律表の第VIIB族、第VIIIB族、第IB族および第IIB族のものの中から選択される。非常に好ましい様式において、前駆体は、白金、パラジウム、金、ニッケル、コバルト、ルテニウム、銀、銅、レニウム、またはロジウムの前駆体である。

0052

懸濁液に導入される金属前駆体の量は、金属状態にある元素(1種または複数種)Mの含有率が、組成物の全重量に対して0.001〜20重量%、好ましくは0.01〜10重量%になるように選択される。

0053

工程a)において導入される半導体SC1は、以前に記載された半導体の一つである。

0054

混合処理は、好ましくは、周囲温度で撹拌されながら、好ましくは機械的に撹拌されながらまたはバブリングによって行われる。

0055

混合物は、発光スペクトルの少なくとも一部が、用いられる半導体の禁止帯の幅を超えるエネルギーを有する光子からなるような源によって照射される。好ましくは、源は、280nmを超える、非常に好ましくは315〜800nmの少なくとも1つの波長範囲発光し、この波長範囲は、UVスペクトルおよび/または可視スペクトルを含む。放射源は、あらゆる人工的または自然の電磁放射源であり得、例えば、太陽からの自然光、Hgタイプのランプ、Xeタイプのランプ、またはLEDタイプのランプがある。

0056

この工程の継続期間は、照射されながら好ましくは1分〜20時間、好ましくは1分〜5時間である。

0057

工程a)の間に、前駆体の金属イオンMδ+は、前記半導体による光子の吸収によって生じた電子の作用の下で半導体SC1の表面上で金属粒子M°の形態に還元される。組成物がコア−シェルタイプの担体構造の形態にある場合、これらの金属粒子は、本発明による組成物のコアを形成することになる。

0058

工程b)において、撹拌および前記照射源の照射下に、酸化度+3を有する可溶性インジウム前駆体が、工程a)において得られた懸濁液に導入される。

0059

インジウム前駆体は、一般に、塩化物、ヨウ化物臭化物フッ化物、酢酸塩、アセチルアセトナート、硝酸塩、硫酸塩、および水酸化物をベースとする。好ましい様式において、前駆体は、硝酸インジウムまたは塩化インジウムである。

0060

インジウム前駆体は、可溶化させられた後に、水または水と1種以上の有機化合物とからなる液体混合物へのその導入がなされ得る。有機化合物は、例えば、それ自体または混合物で、第一級または第二級のアルコール、特に好ましくは、メタノール、エタノールまたはイソプロパノールである。

0061

場合によっては、インジウム前駆体の可溶性を保証するために、酸剤が混合物に加えられて、溶液のpHが調整され得る。酸剤は、好ましくは、無機酸、例えば、硝酸、硫酸、リン酸塩化水素酸または臭化水素酸、または有機酸、例えば、カルボン酸またはスルホン酸の中から選択される。溶液のpHは、7未満、好ましくは5未満である。

0062

懸濁液に導入されるインジウム前駆体の量は、酸化インジウムの含有率(元素Inに関して表される)が組成物の全重量に対して0.01〜50重量%、好ましくは0.5〜20重量%になるように選択される。

0063

撹拌および照射の条件は、工程a)について記載された条件である。撹拌および照射の条件は、好ましくは、工程a)の条件と同一である。この工程の継続期間は、好ましくは1分〜20時間、好ましくは1分〜5時間である。

0064

工程c)において、撹拌および前記照射源の照射の下で、酸化インジウムの沈殿を生じさせるように塩基剤が導入され、特に、In2O3である。好ましくは、塩基剤を加えることによってpHが改変され、この剤が加えられた後に5〜13の範囲内であるようにされる。

0065

塩基剤は、好ましくは、アルカリまたはアルカリ土類の水酸化物、有機塩基、例えば、アミン、またはアンモニアの中から選択される。

0066

工程c)の撹拌および照射の条件は、工程a)について記載された条件である。撹拌および照射の条件は、好ましくは、工程a)の条件と同一である。この工程の継続期間は、好ましくは1分〜20時間、好ましくは1分〜5時間である。

0067

工程c)の間に、金属イオンIn3+は、導入された塩基剤の作用の下に、金属酸化物In2O3のシェルの形態で、工程a)において沈積させられた金属粒子Mの表面上に沈殿する。M/半導体SC1の界面は、金属粒子Mの表面上の前記半導体SC1中の光子吸収によって光発生した電子を置くことを促進し、それ故に、前記金属粒子Mの表面上に部分的負電荷を誘導し、これにより、In3+とM(δ−)との間の静電引力のために金属粒子上の酸化物シェルIn2O3の好ましい設置がもたらされる。

0068

工程d)において、組成物は、工程c)の懸濁液から分離される。分離は、ろ過処理または遠心分離によって行われ得る。好ましくは、それは、遠心分離によって行われる。一般に、この遠心分離は、10〜60分にわたって、2000〜10000rpmで行われる。好ましい様式において、1〜3サイクルの水による洗浄が、その後に行われる。

0069

工程e)において、工程d)において得られた組成物は乾燥させられる。乾燥処理は、30〜200℃で、一般的には1〜48時間にわたり、好ましくは空気中で行われる。場合によっては、この乾燥処理は、不活性雰囲気下になされ得る。乾燥処理は、場合によっては、オーブンまたは回転蒸発装置中で行われ得る。乾燥工程は、場合によっては、部分真空下になされ得る。

0070

一実施形態によると、工程a)とb)の間に、上記条件下に、分離工程、好ましくは、遠心分離による分離工程、場合による洗浄工程、および、乾燥工程を行うことが可能である。

0071

場合によっては、工程e)において得られた乾燥済み組成物は、加熱処理工程f)に付される。加熱処理は、空気、窒素水素の流れの下または部分真空下に、一般的には50〜500℃の温度で、好ましくは1〜16時間の継続期間にわたって行われる。

0072

光触媒作用における使用)
本発明は、本発明による組成物の、光触媒としての、特に有機化合物、例えば、ギ酸の分解のための光触媒としての使用にも関する。

0073

有機化合物の分解のための光触媒方法、例えば、ギ酸の光触媒分解は、有機化合物を含有する流れを、本発明による前記組成物と接触させることによって行われる。次いで、組成物は、前記組成物の活性化に適した少なくとも1つの波長を生じさせる少なくとも1種の照射源によって照射され、有機化合物は分解され、例えば、ギ酸は、水素およびCO2に分解される。

0074

組成物は、液体または気体媒体中の光触媒方法において用いられ得る。光触媒方法の実施は、流通固定床において、一掃固定床(sweepingfixed bed)において、または、懸濁液(英語の専門用語で「slurry:スラリー」とも呼ばれる)においてなされ得る。それは、全体的にガラスからなる反応器または放射が固体の表面に達することを可能にするような非吸着剤光学窓を用いる反応器においてもなされ得る。固体を用いるための反応器のタイプの技術は、一般的には、懸濁液に適している。このタイプの技術は、英語の専門用語で「slurry:スラリー」とも呼ばれる。このタイプの技術の反応器はまた、多孔質または非多孔質の担体上に一層式または流通式の床を有するソーラーパネルタイプのものであり得る。光触媒はまた、光学ファイバ上に直接的に沈積させられ得る。

0075

前記組成物の活性化に適している、すなわち、組成物によって吸収可能である少なくとも1つの波長を発光するあらゆる照射源が、本発明により用いられ得る。源の照射は、したがって、前記源の発光スペクトルの少なくとも一部が、本発明による組成物の禁止帯の幅を超えるエネルギーを有する光子からなるようにされる。好ましくは、源は、280nmを超える、非常に好ましくは315〜800nmの少なくとも1つの波長範囲を発光し、これは、UVスペクトルおよび/または可視スペクトルを含む。放射源は、人工または自然の電磁放射、例えば、太陽からの自然光、Hgタイプのランプ、Xeタイプのランプ、またはLEDタイプのランプのあらゆる源であり得る。

0076

組成物の使用は、問題の反応のための光触媒システムに適する光子の提供によって条件付けされ、したがって、生成物(1種または複数種)の安定性を保証することを可能にする範囲の外側にある圧力または温度の特定の範囲に制限されない。組成物の使用のために採用される温度範囲は、一般的には−10〜+200℃、好ましくは0〜150℃、非常に好ましくは0〜50℃である。組成物の使用のために採用される圧力範囲は、一般的に0.01〜70MPa(0.1〜700バール)、好ましくは0.1〜2MPa(1〜20バール)である。

0077

本発明は、以下の実施例によって例証されるが、これらは、あらゆる場合において、全く制限するものではない。

0078

(実施例)
(実施例1:固体A(本発明に合致する)In2O3/Pt/TiO2)
H2PtCl6・6H2O 0.0712g(金属37.5質量%)が、蒸留水500mLに投入される。この溶液50mLが抜き出され、ガラス製ダブルジャケット反応器に投入される。メタノール3mL、次いで、TiO2(P25、Degussa(登録商標))250mgが、その後に、撹拌されながら加えられ、懸濁液が形成される。

0079

混合物は、次いで、2時間にわたり撹拌され、かつ、UV放射に曝された状態にしておかれる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプPK(登録商標)である。

0080

混合物は、次いで、10分にわたり3000rpmで遠心分離にかけられて、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に、遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中に、70℃で24時間にわたって置かれる。

0081

固体A’ Pt/TiO2がこのようにして得られる。元素Ptの含有率は、プラズマ源による原子発光分光法または誘導結合プラズマ原子発光分光法「英語の専門用語でinductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy:ICP−AES」により0.93質量%に測定される。

0082

In(NO3)3の溶液は、In(NO3)3・xH2O(Sigma-Aldrich(登録商標)、99.9%) 0.05gをH2O 50mL中に溶解させることによって調製される。

0083

以下のものが、反応器に導入された:固体A’ 0.10g、蒸留水25mL、最後にイソプロパノール25mL。系は、暗所で、アルゴンの流れ(100mL/分)の下に2時間にわたってパージされる。反応器は、合成全体の間25℃で恒温下にされた。

0084

アルゴンの流れは、その後、30mL/分に減速され、反応混合物の照射が始まる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプHPK(登録商標)である。その後、硝酸インジウム溶液5mLが混合物に加えられる。混合物は、1時間にわたって撹拌されかつ照射される状態にしておかれる。次いで、30%NH3溶液1mLが加えられる。混合物は、再度、1時間にわたって撹拌されかつ照射される状態にしておかれる。

0085

混合物は、次いで、10分にわたって3000rpmで遠心分離にかけられ、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中に70℃で24時間にわたって置かれる。

0086

固体A In2O3/Pt/TiO2がこのようにして得られる。元素Inの含有率は、ICP−AESによって1.9質量%に測定される。XPS(英語の専門用語でX-Ray Photoelectron Spectrometry:X線光電子分光法)測定によって、79%を超える白金粒子の被覆が測定される。透過型電子顕微鏡法によって、金属粒子周囲の酸化インジウムのシェルの平均厚5nmが測定される。

0087

(実施例2:固体B(本発明に合致する)In2O3/Pt/TiO2)
H2PtCl6・6H2O(金属37.5質量%) 0.0710gが、蒸留水500mLに投入される。この溶液50mLが抜き出され、ガラス製ダブルジャケット反応器に投入される。メタノール3mL、次いで、TiO2(P25、Degussa(登録商標))250mgが、次いで、撹拌されながら加えられて、懸濁液が形成される。

0088

混合物は、2時間にわたって撹拌されかつUV放射に曝された状態にしておかれる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプHPK(登録商標)である。

0089

混合物は、次いで、10分にわたり3000rpmで遠心分離にかけられて、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中に70℃で24時間にわたって置かれる。

0090

固体B’ Pt/TiO2がこのようにして得られる。元素Ptの含有率は、ICP−AESによって0.92質量%に測定される。

0091

In(NO3)3の溶液は、In(NO3)3・xH2O(Sigma-Aldrich(登録商標)、99.9%)0.05gをH2O 50mL中に溶解させることによって調製される。

0092

以下のものが反応器に導入された:固体B’ 0.10g、蒸留水25mL、最後にイソプロパノール25mL。系は、暗所でアルゴンの流れ(100mL/分)の下に2時間にわたってパージされる。反応器は、合成の全体の間25℃で恒温とされる。

0093

アルゴンの流れは次いで30mL/分に減速され、反応混合物の照射が始まる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプHPK(登録商標)である。次いで、硝酸インジウム溶液10mLが混合物に加えられる。混合物は、1時間にわたって撹拌されかつ照射された状態にしておかれる。次いで、NH3の30%溶液1mLが加えられる。混合物は再度、1時間にわたって撹拌されかつ照射された状態にしておかれる。

0094

混合物は、次いで、10分にわたって3000rpmで遠心分離にかけられ、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中に70℃で24時間にわたって置かれる。

0095

固体B In2O3/Pt/TiO2がこのようにして得られる。元素Inの含有率は、ICP−AESによって3.7質量%に測定される。XPS測定によって、89%を超える白金粒子の被覆が測定される。透過型電子顕微鏡法によって、金属粒子の周囲の酸化インジウムのシェルの平均厚10nmが測定される。

0096

(実施例3:固体C(本発明に合致する)In2O3/Pt/ZnO)
H2PtCl6・6H2O(金属37.5質量%)0.0710gが、蒸留水500mLに投入される。この溶液50mLが抜き出され、ガラス製ダブルジャケット反応器に投入される。メタノール3mL、次いで、ZnO(Lotus Synthesis(登録商標)、比表面積50m2/g)250mgが、次いで、撹拌されながら加えられて、懸濁液が形成される。

0097

混合物は、次いで、2時間にわたって撹拌されかつUV放射に曝された状態にしておかれる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプHPK(登録商標)である。

0098

混合物は、次いで、10分にわたって3000rpmで遠心分離にかけられて、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的に、オーブン中に70℃で24時間にわたって置かれる。

0099

固体C’ Pt/ZnOがこのようにして得られる。元素Ptの含有率は、ICP−AESによって0.80質量%に測定される。

0100

In(NO3)3の溶液は、In(NO3)3・xH2O(Sigma-Aldrich(登録商標)、99.9%)0.05gをH2O 50mLに溶解させることによって調製される。

0101

以下のものが反応器に導入された:固体C’ 0.10g、蒸留水25mL、最後にイソプロパノール25mL。系は、暗所でアルゴンの流れ(100mL/分)の下に2時間にわたってパージされる。反応器は、合成全体の間25℃で恒温とされる。

0102

アルゴンの流れは、次いで、30mL/分に減速され、反応混合物の照射が始まる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプHPK(登録商標)である。次いで、硝酸インジウム溶液10mLが混合物に加えられる。混合物は1時間にわたって撹拌されかつ照射された状態にしておかれる。30%NH3溶液1mLが次いで加えられる。混合物は、再度、1時間にわたって撹拌されかつ照射された状態にしておかれる。

0103

混合物は、次いで、10分にわたり3000rpmで遠心分離にかけられて、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中に70℃で24時間にわたって置かれる。

0104

固体C In2O3/Pt/ZnOがこのようにして得られる。元素Inの含有率は、ICP−AESによって3.9質量%に測定される。XPS測定によって、92%を超える白金粒子の被覆が測定される。透過型電子顕微鏡法によって、金属粒子周囲の酸化インジウムのシェルの平均厚12nmが測定される。

0105

(実施例4:固体D(本発明に合致する)In2O3/Au/TiO2)
HAuCl4・xH2O(金属52質量%、Aldrich(登録商標))0.0470gが蒸留水500mLに投入される。この溶液50mLが抜き出され、ガラス製ダブルジャケット反応器に投入される。メタノール3mL、次いでTiO2(P25、Degussa(登録商標))250mgが、次いで、撹拌されながら加えられて、懸濁液が形成される。

0106

混合物は、次いで、2時間にわたって撹拌されかつUV放射に曝された状態にしておかれる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプHPK(登録商標)である。

0107

混合物は、次いで、10分にわたり3000rpmで遠心分離にかけられて、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中に70℃で24時間にわたって置かれる。

0108

固体D’ Au/TiO2はこのようにして得られる。元素Auの含有率は、ICP−AESによって0.95質量%に測定される。

0109

In(NO3)3の溶液は、In(NO3)3・xH2O(Sigma-Aldrich(登録商標)、99.9%)0.05gをH2O 50mLに溶解させることによって調製される。

0110

以下のものが反応器に導入された:固体D’ 0.10g、蒸留水25mL、最後にイソプロパノール25mL。系は、暗所でアルゴンの流れ(100mL/分)の下に2時間にわたってパージされる。反応器は、合成全体の間25℃で恒温にされる。

0111

アルゴンの流れは、30mL/分に減速され、反応混合物の照射が始まる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプHPK(登録商標)である。次いで、硝酸インジウム溶液10mLが混合物に加えられる。混合物は、1時間にわたって撹拌されかつ照射された状態にしておかれる。次いで、NH3の30%溶液1mLが加えられる。混合物は、再度、1時間にわたって、撹拌されかつ照射された状態にしておかれる。

0112

混合物は、次いで、10分にわたり3000rpmで遠心分離にかけられて、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中に70℃で24時間にわたって置かれる。

0113

固体D In2O3/Au/TiO2は、このようにして得られる。元素Inの含有率は、ICP−AESによって3.8質量%に測定される。XPS測定によって、86%を超える金粒子の被覆が測定される。透過型電子顕微鏡法によって、金属粒子周囲の酸化インジウムのシェルの平均厚11nmが測定される。

0114

(実施例5:固体E(本発明に合致しない)In2O3/Pt/TiO2)
H2PtCl6・6H2O(金属37.5質量%、Aldrich(登録商標))0.0710gが、蒸留水500mLに投入される。この溶液50mLが抜き出され、ガラス製ダブルジャケット反応器に投入される。メタノール3mL、次いでTiO2(P25、Degussa(登録商標))250mgが、次いで、撹拌されながら加えられて、懸濁液が形成される。

0115

混合物は、次いで、2時間にわたって撹拌されかつUV放射に曝された状態にしておかれる。UV放射を提供するために用いられるランプは、125Wの水銀蒸気ランプHPK(登録商標)である。

0116

混合物は、次いで、10分にわたり3000rpmで遠心分離にかけられて、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中70℃で24時間にわたって置かれる。

0117

固体E’ Pt/TiO2はこのようにして得られる。元素Ptの含有率は、ICP−AESによって0.94質量%に測定される。

0118

In(NO3)3の溶液は、In(NO3)3・xH2O(Sigma-Aldrich(登録商標)、99.9%)0.05gをH2O 50mLに溶解させることによって調製される。

0119

以下のものが反応器に導入された:固体E’ 0.10g、蒸留水25mL、最後にイソプロパノール25mL。系は、暗所でアルゴンの流れ(100mL/分)の下に2時間にわたってパージされる。反応器は、合成全体の間に25℃で恒温とされる。

0120

アルゴンの流れは、その後、30mL/分に減速される。次いで、硝酸インジウム溶液10mLが、混合物に加えられる。混合物は、1時間にわたって、撹拌されかつ照射されない状態にしておかれる。次いで、NH3の30%溶液1mLが加えられる。混合物は、再度、1時間にわたって撹拌されかつ照射されない状態にしておかれる。

0121

混合物は、次いで、10分にわたって3000rpmで遠心分離にかけられ、固体が回収される。2サイクルの水による洗浄が次いで行われ、洗浄サイクルのそれぞれの後に遠心分離が行われる。回収された粉末は、最終的には、オーブン中に70℃で24時間にわたって置かれる。

0122

固体E In2O3/Pt/TiO2は、このようにして得られる。元素Inの含有率は、ICP−AESによって3.6質量%に測定される。XPS測定によって、16%程度の白金粒子の被覆が測定される。透過型電子顕微鏡法によって、金属粒子周囲の酸化インジウムのシェルがしばしば平均厚の測定を行うことなく区別されるのは、分布不均一性のためである。

0123

(実施例6:固体F(本発明に合致しない)TiO2)
固体Fは、市販の二酸化チタンTiO2 P25、Degussa(登録商標)である。

0124

(実施例7:ギ酸の光触媒分解による固体の評価)
固体A、B、C、D、E、およびFは、半開パイレックス(登録商標)反応器におけるギ酸の分解による二水素(dihydrogen)の生成のための光触媒試験に付される。この反応器は、撹拌され、石英光学窓と試験温度レギュレートするためのダブルジャケットとを備えている。

0125

固体100mgが、0.5mol/Lのギ酸の水溶液60mL中に懸濁させられる。試験は、25℃で、大気圧下に、5mL/分のアルゴン流量により、生じた二水素ガスを同伴するように行われ、気相クロマトグラフィーにより分析される。可視UV照射源は、Xe−Hgランプ(Asahi(登録商標)、MAX302(登録商標))を備えている。照射力は、常時、100%に維持される。試験の継続期間は20時間である。

0126

光触媒活性は、時間当たりおよび光触媒の範囲当たりの生じた二水素のμmolに関して表される。結果は、表1に記録される。活性値は、本発明による固体が、系統的に最良の光触媒性能を提示することを示す。

0127

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ