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技術 貼り合わせSOIウェーハの製造方法

出願人 信越半導体株式会社長野電子工業株式会社
発明者 若林大士目黒賢二二井谷美保
出願日 2016年6月23日 (3年4ヶ月経過) 出願番号 2016-124475
公開日 2017年12月28日 (1年10ヶ月経過) 公開番号 2017-228686
状態 特許登録済
技術分野 SOI,アクティブマトリクス、SOS 気相成長(金属層を除く)
主要キーワード 断面SEM写真 投入温度 RFデバイス デバイス対 昇温段階 ベース酸化膜 イオン注入機 ベースウェーハ
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2017年12月28日)のものです。
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図面 (8)

課題

高い生産性を保ちながら多結晶シリコン層単結晶化が抑制できる貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。

解決手段

ベースウェーハに多結晶シリコン層を堆積する工程と、多結晶シリコン層を研磨して研磨面を得る工程と、ボンドウェーハ絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を介して多結晶シリコン層の研磨面とボンドウェーハとを貼り合わせる工程と、ボンドウェーハを薄膜化する工程とを有し、ベースウェーハとして100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、多結晶シリコン層を堆積する工程は、ベースウェーハの多結晶シリコン層を堆積する表面に予め酸化膜を形成する段階をさらに含み、多結晶シリコン層の堆積は、1000℃以上の所定温度まで昇温し、所定温度において多結晶シリコン層の原料ガスを供給することによって行い、さらに、所定温度まで昇温する際においても多結晶シリコン層の原料ガスを供給する。

概要

背景

RF(Radio Frequency:高周波デバイス対応のSOIウェーハとして、ベースウェーハ抵抗率高抵抗化することで対処してきた。しかしながら、さらなる高速化に対応するためにより高い周波数に対応することが必要になってきており、従来の高抵抗ウェーハの使用のみでは対処できなくなってきている。

そこで、対応策としてSOIウェーハの埋め込み酸化膜層BOX層)直下に、発生したキャリア消滅させる効果を持つ層(キャリアトラップ層)を加えることが提案されており、高抵抗ウェーハ中に発生したキャリアを再結合させるための高抵抗の多結晶シリコン層をベースウェーハ上に形成することが必要となってきている。

特許文献1には、BOX層とベースウェーハの界面に、キャリアトラップ層としての多結晶シリコン層や非晶質シリコン層を形成することが記載されている。

一方、特許文献2にも、BOX層とベースウェーハの界面に、キャリアトラップ層としての多結晶層を形成することが記載されており、さらに、多結晶シリコン層の再結晶化を防止するため、多結晶シリコン層形成後の熱処理温度を制限している。

また、特許文献3には、キャリアトラップ層としての多結晶シリコン層や非晶質シリコン層を形成することは記載されていないが、ボンドウェーハと貼り合わせる側のベースウェーハ表面の表面粗さを大きくすることによって、キャリアトラップ層と同様の効果を得ることが記載されている。

概要

高い生産性を保ちながら多結晶シリコン層の単結晶化が抑制できる貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。ベースウェーハに多結晶シリコン層を堆積する工程と、多結晶シリコン層を研磨して研磨面を得る工程と、ボンドウェーハに絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を介して多結晶シリコン層の研磨面とボンドウェーハとを貼り合わせる工程と、ボンドウェーハを薄膜化する工程とを有し、ベースウェーハとして100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、多結晶シリコン層を堆積する工程は、ベースウェーハの多結晶シリコン層を堆積する表面に予め酸化膜を形成する段階をさらに含み、多結晶シリコン層の堆積は、1000℃以上の所定温度まで昇温し、所定温度において多結晶シリコン層の原料ガスを供給することによって行い、さらに、所定温度まで昇温する際においても多結晶シリコン層の原料ガスを供給する。

目的

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、高い生産性を保ちながら多結晶シリコン層の単結晶化が抑制できる貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

いずれもシリコン単結晶からなるボンドウェーハベースウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせて貼り合わせSOIウェーハを製造する方法であって、前記ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層堆積する工程と、該多結晶シリコン層の表面を研磨して研磨面を得る工程と、前記ボンドウェーハの貼り合わせ面に前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記ベースウェーハの前記多結晶シリコン層の前記研磨面と前記ボンドウェーハとを貼り合わせる工程と、貼り合わせられた前記ボンドウェーハを薄膜化してSOI層を形成する工程とを有し、前記ベースウェーハとして抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、前記多結晶シリコン層を堆積する工程は、前記ベースウェーハの前記多結晶シリコン層を堆積する表面に予め酸化膜を形成する段階をさらに含み、前記多結晶シリコン層の堆積は、1000℃以上の所定温度まで昇温し、該所定温度において前記多結晶シリコン層の原料ガスを供給することによって行い、さらに、前記所定温度まで昇温する際においても前記多結晶シリコン層の原料ガスを供給することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。

請求項2

前記酸化膜を、ウェット洗浄によって形成することを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。

請求項3

前記所定温度を、1150℃以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。

請求項4

前記所定温度まで昇温する際における前記多結晶シリコン層の原料ガスの供給を開始する温度を、600℃〜980℃の範囲内の温度とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。

技術分野

0001

本発明は、貼り合わせSOIウェーハの製造方法に関する。

背景技術

0002

RF(Radio Frequency:高周波デバイス対応のSOIウェーハとして、ベースウェーハ抵抗率高抵抗化することで対処してきた。しかしながら、さらなる高速化に対応するためにより高い周波数に対応することが必要になってきており、従来の高抵抗ウェーハの使用のみでは対処できなくなってきている。

0003

そこで、対応策としてSOIウェーハの埋め込み酸化膜層BOX層)直下に、発生したキャリア消滅させる効果を持つ層(キャリアトラップ層)を加えることが提案されており、高抵抗ウェーハ中に発生したキャリアを再結合させるための高抵抗の多結晶シリコン層をベースウェーハ上に形成することが必要となってきている。

0004

特許文献1には、BOX層とベースウェーハの界面に、キャリアトラップ層としての多結晶シリコン層や非晶質シリコン層を形成することが記載されている。

0005

一方、特許文献2にも、BOX層とベースウェーハの界面に、キャリアトラップ層としての多結晶層を形成することが記載されており、さらに、多結晶シリコン層の再結晶化を防止するため、多結晶シリコン層形成後の熱処理温度を制限している。

0006

また、特許文献3には、キャリアトラップ層としての多結晶シリコン層や非晶質シリコン層を形成することは記載されていないが、ボンドウェーハと貼り合わせる側のベースウェーハ表面の表面粗さを大きくすることによって、キャリアトラップ層と同様の効果を得ることが記載されている。

先行技術

0007

特表2007−507093号公報
特表2013−513234号公報
特開2010−278160号公報
特開2015−211061号公報

発明が解決しようとする課題

0008

しかし、ベースウェーハ表面に多結晶シリコン層を成長する際の成長温度高温にすると、多結晶シリコン層の単結晶化が進み、キャリアトラップ層としての機能が失われ、高周波特性劣化させる場合がある。また、多結晶シリコン層の形成温度を低くすることで多結晶シリコン層の単結晶化は抑えられるが、成長速度が下がり生産性が悪化する問題がある。

0009

ここで、特許文献4では、多結晶シリコン層の堆積を、1010℃以下の第1温度で行う第1成長と、第1温度よりも高温の第2温度で第1成長よりも厚く堆積を行うことで貼り合わせSOIウェーハを製造する方法が提案されている。この製造方法は、多結晶シリコン層の単結晶化が起きることを防止でき、キャリアトラップ層としての効果を維持することができるものであった。しかしながら、堆積工程においてこのように低温堆積と高温堆積の2段階の堆積を行うと、生産性の低下が不可避であった。

0010

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、高い生産性を保ちながら多結晶シリコン層の単結晶化が抑制できる貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0011

上記課題を解決するために、本発明では、いずれもシリコン単結晶からなるボンドウェーハとベースウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせて貼り合わせSOIウェーハを製造する方法であって、前記ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層を堆積する工程と、該多結晶シリコン層の表面を研磨して研磨面を得る工程と、前記ボンドウェーハの貼り合わせ面に前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記ベースウェーハの前記多結晶シリコン層の前記研磨面と前記ボンドウェーハとを貼り合わせる工程と、貼り合わせられた前記ボンドウェーハを薄膜化してSOI層を形成する工程とを有し、前記ベースウェーハとして抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、前記多結晶シリコン層を堆積する工程は、前記ベースウェーハの前記多結晶シリコン層を堆積する表面に予め酸化膜を形成する段階をさらに含み、前記多結晶シリコン層の堆積は、1000℃以上の所定温度まで昇温し、該所定温度において前記多結晶シリコン層の原料ガスを供給することによって行い、さらに、前記所定温度まで昇温する際においても前記多結晶シリコン層の原料ガスを供給する貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。

0012

このような貼り合わせSOIウェーハの製造方法であれば、低温から高温まで昇温する昇温段階の時点から多結晶シリコン層の原料ガスを流すことで多結晶シリコン層の下地を形成し、高温で多結晶シリコン層を成長させるので、多結晶シリコン層の単結晶化の抑制と高い生産性を両立して貼り合わせSOIウェーハを製造できる。

0013

このとき、前記酸化膜を、ウェット洗浄によって形成することが好ましい。

0014

ベースウェーハと多結晶シリコン層との間に酸化膜を介在させることでRFデバイスの特性に影響する可能性があるので、形成する酸化膜厚さは薄くすることが好ましく、例えば10nm以下の厚さとすることが好ましい。このような厚さの酸化膜を形成する方法としては、ウェット洗浄が最も簡便な方法として挙げることができる。

0015

またこのとき、前記所定温度を、1150℃以下とすることが好ましい。

0016

上記昇温する所定温度が1150℃以下であれば、高温での堆積中に多結晶シリコン層が単結晶化する可能性を低くすることができる。

0017

またこのとき、前記所定温度まで昇温する際における前記多結晶シリコン層の原料ガスの供給を開始する温度を、600℃〜980℃の範囲内の温度とすることが好ましい。

0018

上記の所定温度まで昇温する際における多結晶シリコン層の原料ガスの供給を開始する温度が980℃以下であれば、昇温中に酸化膜が消失しにくくなることから、多結晶シリコン層の単結晶化を抑制することができる。また、600℃以上であれば、高い生産性を確保できる。

発明の効果

0019

本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法では、ベースウェーハに多結晶シリコン層を堆積する際に、低温から高温まで昇温する昇温段階の時点から多結晶シリコン層の原料ガスを流すことで多結晶シリコン層の下地を形成し、高温で多結晶シリコン層を成長させる。これにより、多結晶シリコン層の単結晶化の抑制と高い生産性を両立して貼り合わせSOIウェーハを製造できる。また、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法は、多結晶シリコン層の形成に留まらず、単結晶シリコン層形成時の生産性向上にも応用できるため、汎用性が高い。

図面の簡単な説明

0020

本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法の一例を示すフロー図である。
本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法の一例を示す概略図である。
実施例の多結晶シリコン層の堆積条件を示すグラフである。
比較例1の多結晶シリコン層の堆積条件を示すグラフである。
比較例2の多結晶シリコン層の堆積条件を示すグラフである。
実施例及び比較例1,2における生産性(スループット)を比較したグラフである。
実施例及び比較例1,2における多結晶シリコン層を堆積したウェーハの断面SEM写真である。

0021

以下、本発明について、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

0022

上述のように、高い生産性を保ちながら多結晶シリコン層の単結晶化が抑制できる貼り合わせSOIウェーハの製造方法が求められていた。

0023

本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ね、多結晶シリコン層の形成時において、生産性を悪化させずに多結晶シリコン層の単結晶化の抑制が可能である貼り合わせSOIウェーハの製造方法を考えた。従来の多結晶シリコン層の形成方法では、多結晶シリコン層の形成温度を低くし、所定温度まで昇温してから多結晶シリコン層の原料ガス(シリコン成長ガス)を流して多結晶シリコン層を成長することで多結晶シリコン層の単結晶化の抑制をしたが、このような方法では、多結晶シリコン層の成長速度が下がり、生産性が悪化してしまう問題があった。一方、生産性を向上させるために、多結晶シリコン層の形成温度を高温にして、多結晶シリコン層の成長速度を上げたところ、多結晶シリコン層の単結晶化が発生する問題に直面した。

0024

そこで、本発明者らは、低温から高温まで昇温する昇温段階の時点からシリコン成長ガスを流すことで多結晶シリコン層の下地を形成し、高温で多結晶シリコン層を成長させることで、単結晶化の抑制と高い生産性を両立した多結晶シリコン層の堆積を実現できることを見出し、本発明を完成させた。

0025

以下、図1,2を参照しながら、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法の実施態様の一例を説明する。なお、以下では、貼り合わせSOIウェーハの製造方法として、イオン注入剥離法を用いた製造方法を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

0026

まず、シリコン単結晶からなるボンドウェーハ1を準備する(図1のステップS11、図2(a)参照)。

0027

次に、例えば熱酸化CVD等によって、ボンドウェーハ1の貼り合わせ面に、埋め込み絶縁膜層となる絶縁膜3(例えば、酸化膜)を形成する(図1のステップS12、図2(b)参照)。この場合、絶縁膜3の形成は、貼り合わせ面のみならず、ボンドウェーハの全体に形成するようにしてもよい。

0028

次に、ボンドウェーハ1に対して絶縁膜3の上からイオン注入機により、水素イオン希ガスイオンのうちの少なくとも一種類のガスイオン注入して、ボンドウェーハ1内にイオン注入層4を形成する(図1のステップS13、図2(c)参照)。

0029

ここで、ボンドウェーハ1の貼り合わせ面のパーティクルを除去するために、貼り合わせ前洗浄を行う(図1のステップS14参照)。

0030

一方、上記とは別に、シリコン単結晶からなるベースウェーハ2を準備する(図1のステップS21、図2(d)参照)。このとき、ベースウェーハ2としては、抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用意する。

0031

ベースウェーハ2の抵抗率は、100Ω・cm以上であれば高周波デバイス製造用に好適に用いることができ、1000Ω・cm以上であることがより好ましく、3000Ω・cm以上であることが特に好ましい。抵抗率の上限は特に限定されないが、例えば、50000Ω・cmとすることができる。

0032

次に、ベースウェーハ2上に、酸化膜(ベース酸化膜)5を形成する(図1のステップS22、図2(e)参照)。酸化膜5の厚さは特に限定されないが、ベースウェーハと多結晶シリコン層との間に酸化膜が介在することによってRFデバイスの特性に影響する可能性があるので、形成する酸化膜厚さは薄くすることが好ましく、例えば、0.3nm以上、10nm以下の厚さとすることが好ましい。

0033

このような厚さの酸化膜を形成する方法としては、ウェット洗浄を最も簡便な方法として挙げることができる。具体的には、SC1(NH4OHとH2O2の混合水溶液)、SC2(HClとH2O2の混合水溶液)、硫酸過水(H2SO4とH2O2の混合水溶液)、オゾン水等を用いた洗浄や、これらを組み合わせた洗浄を行うことにより、厚さ0.5〜3nm程度の均一な酸化膜を形成することができる。

0034

次に、酸化膜(ベース酸化膜)5上に多結晶シリコン層6を堆積させる(図1のステップS23、図2(f)参照)。ここで、多結晶シリコン層の堆積は、1000℃以上の所定温度まで昇温し、所定温度において多結晶シリコン層の原料ガスを供給することによって行い、さらに、その所定温度まで昇温する際においても多結晶シリコン層の原料ガスを供給する。

0035

なお、本発明では、1000℃以上の所定温度まで昇温するのは必須である。上記昇温する所定温度が1000℃未満では、多結晶シリコン層の単結晶化は抑えられるが、成長速度が下がり、生産性が悪化する。また、上記昇温する所定温度の上限は、1150℃以下とすることが好ましい。上記昇温する所定温度が1150℃以下であれば、上記の所定温度まで昇温する際に多結晶シリコン層の原料ガスを導入することで多結晶シリコン層を薄く堆積し、上記の高温の所定温度での堆積中に酸化膜が消失しにくくなるため、多結晶シリコン層が単結晶化する可能性を低くすることができる。

0036

また、上記の所定温度まで昇温する際における多結晶シリコン層の原料ガスの供給を開始する温度を、600℃〜980℃の範囲内の温度とすることが好ましい。上記の所定温度まで昇温する際における多結晶シリコン層の原料ガスの供給を開始する温度が980℃以下であれば、昇温中に酸化膜が消失しにくくなることから、多結晶シリコン層の単結晶化を抑制することができる。また、600℃以上であれば、高い生産性を確保できる。

0037

なお、上記の所定温度まで昇温する際における多結晶シリコン層の原料ガスの供給は、その所定温度までの昇温開始と同時に開始してもよいし、その所定温度まで昇温している途中に開始してもよい。

0038

次に、ベースウェーハ2に堆積された多結晶シリコン層6の表面を研磨して研磨面を得る(図1のステップS24、図2(g)参照)。

0039

ここで、研磨された多結晶シリコン層6の表面のパーティクルを除去するために、貼り合わせ前洗浄を行う(図1のステップS25参照)。

0040

なお、ボンドウェーハに対する図1のステップS11〜S14と、ベースウェーハに対する図1のステップS21〜S25とは、いずれを先に行ってもよいし、並行して進めることもできる。

0041

次に、多結晶シリコン層6が形成されたベースウェーハ2を、ベースウェーハ2の多結晶シリコン層6が形成された面(研磨面)とボンドウェーハ1のイオン注入された側の表面とが接するように、絶縁膜3を形成したボンドウェーハ1と密着させて貼り合わせる(図1のステップS31、図2(h)参照)。

0042

次に、貼り合わせたウェーハに対して、イオン注入層4に微小気泡層を発生させる熱処理剥離熱処理)を施し、イオン注入層4(微小気泡層)でボンドウェーハ1を剥離することにより薄膜化して、ベースウェーハ2上に絶縁膜3とSOI層7が形成された貼り合わせSOIウェーハ8を作製する(図1のステップS32、図2(i)参照)。

0043

その後、貼り合わせ界面の結合強度を増加させるために、貼り合わせSOIウェーハ8に結合熱処理を施す(図1のステップS33参照)。

0044

上記のようにして貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。なお、貼り合わせたボンドウェーハ1の薄膜化は、イオン注入剥離法の他、研削、研磨、エッチング等又はそれらの組み合わせによって行うこともできる。

0045

以上説明したような本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法であれば、高い生産性を保ちながら多結晶シリコン層の単結晶化が抑制できる。また、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法は、多結晶シリコン層の形成に留まらず、単結晶シリコン層形成時の生産性向上にも応用できるため、汎用性が高い。

0046

以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

0047

(実施例)
図1,2で説明した貼り合わせSOIウェーハの製造方法を用いて貼り合わせSOIウェーハを作製した。その際、ベースウェーハとして、直径200mm、結晶方位<100>、抵抗率1300Ω・cm、p型のシリコン単結晶ウェーハを用い、ベースウェーハへの酸化膜の形成及び多結晶シリコン層の堆積は以下の条件で行った。

0048

酸化膜形成条件
SC1+SC2洗浄酸化膜厚約1nm

0049

多結晶シリコン層堆積条件(図3に示す条件)
投入温度:850℃
850℃〜1070℃の1段階堆積(昇温開始と同時に原料ガスを供給)
常圧
膜厚3.0μm(研磨後の膜厚2.0μm)
キャリアガスH2ガス
原料ガス:トリクロロシランガスTCSガス
このとき、1070℃での堆積速度は3.0μm/分であった。

0050

また、多結晶シリコン層の堆積にかかった時間(レシピ経過時間)を測定し、後述の比較例1を基準(1枚の多結晶シリコン層を堆積したウェーハを生産するのに必要な時間:秒/枚)として生産性(スループット)を求めた。さらに、堆積後の多結晶シリコン層の単結晶化の状況を断面SEM観察により確認した。これらの結果を表1,図6,及び図7に示す。このようにしてベースウェーハ上に多結晶シリコン層を堆積し、さらに後続の工程を行って貼り合わせSOIウェーハの作製を行った。

0051

(比較例1)
実施例と同様にして貼り合わせSOIウェーハの作製を行った。ただし、多結晶シリコン層の堆積条件は、図4に示される条件とした。即ち、昇温する際にはTCSガスを供給せず、900℃と1070℃の2段階の条件でTCSガスを供給することによって多結晶シリコン層の堆積を行った。また、900℃における堆積速度は0.3μm/分であり、1070℃における堆積速度は3.0μm/分であった。

0052

また、実施例と同様にして、多結晶シリコン層の堆積工程におけるレシピ経過時間の測定、及び堆積後の多結晶シリコン層の単結晶化の状況確認を行った。この比較例1において、1枚の多結晶シリコン層を堆積したウェーハを生産するのに必要な時間を基準としたので、スループットは1である。これらの結果を表1,図6,及び図7に示す。

0053

(比較例2)
実施例と同様にして貼り合わせSOIウェーハの作製を行った。ただし、多結晶シリコン層の堆積条件は、図5に示される条件とした。即ち、昇温する際にはTCSガスを供給せず、1020℃のみの1段階の条件でTCSガスを供給することによって多結晶シリコン層の堆積を行った。また、堆積速度は2.2μm/分であった。

0054

また、実施例と同様にして、多結晶シリコン層の堆積工程におけるレシピ経過時間の測定、比較例1を基準としたスループットの算出、及び堆積後の多結晶シリコン層の単結晶化の状況確認を行った。これらの結果を表1,図6,及び図7に示す。

0055

0056

表1,図6,及び図7に示されるように、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法で貼り合わせSOIウェーハを製造した実施例では、多結晶シリコン層を堆積したウェーハの生産性(スループット)が高く、多結晶シリコン層の単結晶化も発生しなかった。また、貼り合わせSOIウェーハを作製した後においても多結晶シリコン層の単結晶化は発生せず、貼り合わせSOIウェーハ製造全体の生産性も向上することが明らかになった。

0057

一方、昇温する際に多結晶シリコン層の原料ガスを供給せずに、2段階の条件で多結晶シリコン層の堆積を行った比較例1では、多結晶シリコン層の単結晶化は発生しなかったものの、生産性は低かった。また、昇温する際に多結晶シリコン層の原料ガスを供給せずに、1段階の条件で多結晶シリコン層の堆積を行った比較例2では、生産性が低く、多結晶シリコン層の単結晶化が発生した。

実施例

0058

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

0059

1…ボンドウェーハ、 2…ベースウェーハ、 3…絶縁膜(酸化膜)、
4…イオン注入層、 5…酸化膜(ベース酸化膜)、 6…多結晶シリコン層、
7…SOI層、 8…貼り合わせSOIウェーハ。

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