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技術 印刷回路基板およびその製造方法

出願人 サムソンエレクトロ-メカニックスカンパニーリミテッド.
発明者 ヨン-ホベクジュン-ヒュンチョーヒュン-キリー
出願日 2017年3月10日 (3年8ヶ月経過) 出願番号 2017-046029
公開日 2017年10月5日 (3年1ヶ月経過) 公開番号 2017-183714
状態 特許登録済
技術分野 プリント配線間の電気接続のための印刷要素 半導体または固体装置のマウント
主要キーワード 算術平均粗度 連結回路 検査装備 剥離型粘着テープ コアレス構造 ソルダーバンプ 検査回路パターン 外部面
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (20)

課題

複数のダイ(Die)を電気的に連結するための印刷回路基板を提供する。

解決手段

印刷回路基板は、複数のダイ(Die)1、2を電気的に連結するための高密度ブリッジ(bridge)回路110、120を具備したブリッジ回路層100と、ブリッジ回路層が内蔵されブリッジ回路よりも密度が低い低密度回路160とを具備した低密度回路層150を含む。ブリッジ回路層の一面または他面には接続パッドが形成され、接続パッドはビアまたはソルダーバンプ180を通じて低密度回路と電気的に連結される。

概要

背景

コンピュータ産業発達するにつれて、さらに高い性能を有し、さらに低廉な費用生産できる集積回路(ダイ、die)に対する技術が発達している。これに伴い、多数のダイ(die)を含むパッケージ基板に対する技術も開発されている。

概要

複数のダイ(Die)を電気的に連結するための印刷回路基板を提供する。印刷回路基板は、複数のダイ(Die)1、2を電気的に連結するための高密度ブリッジ(bridge)回路110、120を具備したブリッジ回路層100と、ブリッジ回路層が内蔵されブリッジ回路よりも密度が低い低密度回路160とを具備した低密度回路層150を含む。ブリッジ回路層の一面または他面には接続パッドが形成され、接続パッドはビアまたはソルダーバンプ180を通じて低密度回路と電気的に連結される。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

複数のダイ(Die)を電気的に連結するための高密度ブリッジ(bridge)回路具備したブリッジ回路層;および前記ブリッジ回路層が内蔵され、前記ブリッジ回路よりも密度が低い低密度回路を具備した低密度回路層を含み、前記ブリッジ回路層の一面または他面には接続パッドが形成され、前記接続パッドはビアまたはソルダーバンプを通じて前記低密度回路と電気的に連結される、印刷回路基板

請求項2

前記ブリッジ回路は、前記複数のダイと接続する複数のパッドおよび前記複数のパッドを連結する微細回路パターンを含む、請求項1に記載の印刷回路基板。

請求項3

前記ブリッジ回路は、電気検査に利用される検査回路パターンをさらに含む、請求項2に記載の印刷回路基板。

請求項4

前記ブリッジ回路層の層間隔は前記低密度回路層の層間隔より狭い、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の印刷回路基板。

請求項5

前記ブリッジ回路層の一面上に形成されて前記複数のダイと前記ブリッジ回路を連結させる外層回路をさらに含み、前記外層回路に前記複数のダイが結合される、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の印刷回路基板。

請求項6

外層回路は前記ブリッジ回路をファンアウト(fan−out)させるファンアウト回路パターンを含む、請求項5に記載の印刷回路基板。

請求項7

前記ブリッジ回路層に前記複数のダイが結合される、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の印刷回路基板。

請求項8

粗度の第1キャリアに高密度のブリッジ(bridge)回路を具備したブリッジ回路層を形成する段階;前記ブリッジ回路層に仮接合される第2キャリアを接合し、前記第1キャリアを分離する段階;および低密度回路を具備した低密度回路層に前記ブリッジ回路層を結合し埋め立てる段階を含む、印刷回路基板製造方法

請求項9

前記第1キャリアはガラス基板を含む、請求項8に記載の印刷回路基板製造方法。

請求項10

前記ブリッジ回路層を結合し埋め立てる段階は、前記低密度回路を具備した低密度回路層を形成する段階;前記低密度回路層に前記ブリッジ回路層を結合させて電気的に連結する段階;前記第2キャリアを分離させる段階;および前記ブリッジ回路層を埋め立てる段階を含む、請求項8または請求項9に記載の印刷回路基板製造方法。

請求項11

前記低密度回路層と前記ブリッジ回路層はソルダーバンプを通じて連結される、請求項10に記載の印刷回路基板製造方法。

請求項12

前記ブリッジ回路と連結された外層回路を形成する段階をさらに含む、請求項10または請求項11に記載の印刷回路基板製造方法。

請求項13

前記ブリッジ回路層を結合し埋め立てる段階は、第3キャリアに前記ブリッジ回路層を装着させる段階;前記第2キャリアを分離させる段階;前記第3キャリアに前記ブリッジ回路層を埋め立てる前記低密度回路層をビルドアップ(build−up)する段階;および前記第3キャリアを分離する段階を含む、請求項8〜請求項12のいずれか一項に記載の印刷回路基板製造方法。

請求項14

前記ビルドアップする段階は、前記ブリッジ回路層と低密度回路層をビアで連結する段階を含む、請求項13に記載の印刷回路基板製造方法。

請求項15

前記ブリッジ回路と連結された外層回路を形成する段階をさらに含む、請求項13または請求項14に記載の印刷回路基板製造方法。

技術分野

0001

本発明は印刷回路基板およびその製造方法に関するものである。

背景技術

0002

コンピュータ産業発達するにつれて、さらに高い性能を有し、さらに低廉な費用生産できる集積回路(ダイ、die)に対する技術が発達している。これに伴い、多数のダイ(die)を含むパッケージ基板に対する技術も開発されている。

先行技術

0003

米国特許第8754514号

0004

本発明の一側面によれば、複数のダイ(Die)を電気的に連結するための高密度ブリッジ(bridge)回路具備したブリッジ回路層、ブリッジ回路層が内蔵されブリッジ回路よりも密度が低い低密度回路を具備した低密度回路層を含み、ブリッジ回路層の一面または他面には接続パッドが形成され、接続パッドはビアまたはソルダーバンプを通じて低密度回路と電気的に連結される印刷回路基板が提供される。

図面の簡単な説明

0005

本発明の一実施例に係る印刷回路基板を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面。
本発明に係る印刷回路基板のブリッジ回路層のさらに他の実施例を示した図面。
本発明に係る印刷回路基板のブリッジ回路層のさらに他の実施例を示した図面。

実施例

0006

以下、本発明に係る印刷回路基板およびその製造方法の実施例を、添付図面を参照して詳細に説明するが、説明において、同一または対応する構成要素は同じ図面番号を付与し、これに対する重複する説明は省略する。

0007

また、本発明で用いられる第1、第2などの用語は、同一または相応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または相応する構成要素が第1、第2などの用語によって限定されるものではない。

0008

また、結合とは、各溝性要素間の接触関係において、各溝性要素間に物理的に直接接触する場合だけを意味するのではなく、他の構成が各溝性要素の間に介在されて、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触されている場合までも包括する概念として用いられる。

0009

<印刷回路基板>
図1は本発明の一実施例に係る印刷回路基板を示した図面である。図1を参照すれば、本発明の一実施例に係る印刷回路基板は高密度のブリッジ回路層100、低密度回路層150およびソルダーバンプ180/ビア280を含む。

0010

ブリッジ回路層100は印刷回路基板に実装される複数のダイ(die、1、2)を互いに電気的に連結させるダイ間インターコネクション(die to die interconnection)を遂行する。ダイ1、2は集積回路であって、複数のダイ1、2を互いに連結させるためには小さい空間に非常に密集した連結回路が必要である。ブリッジ回路層100は高密度のブリッジ回路110を具備して印刷回路基板に実装される複数のダイ1、2を互いに連結させることができる。例えば、ブリッジ回路110は複数のダイ1、2と接続する複数のパッド112と複数のパッド112を連結する微細回路パターン114を含むことができる。

0011

ブリッジ回路層100において、ブリッジ回路110の幅と回路間の間隔は後述する低密度回路層150に形成される低密度回路160の幅と回路間の間隔に比べて微細に形成される。また、ブリッジ回路110はブリッジ回路層100の内蔵後に外層に形成された外層回路170より微細に形成され得る。例えば、ブリッジ回路110は半導体工程などにより形成し、低密度回路160はSAP工程(Semi−Additive Process)、M−SAP工程(Modified Semi−Additive Process)またはテンティング(tenting)工程などの基板工程によって形成することができる。またはブリッジ回路110を基板工程のうち相対的に精密なSAP工程で形成し、低密度回路160は相対的に精密度が劣る基板工程であるM−SAP工程またはテンティング工程などで形成することができる。

0012

ブリッジ回路層100は、ダイ1、2と直接連結され得るように一面にパッドが形成され、パッドに複数のダイ1、2が直接結合され得る。このとき、ブリッジ回路層100の一面は印刷回路基板の外層となり得る。

0013

また、ブリッジ回路層100の一面上に付加的に外層が形成され、外層にはダイ1、2とブリッジ回路110を連結させる外層回路170が形成され得る。図1に示されたように、外層回路170はダイ1、2との連結のためのパッドを含んでブリッジ回路110のパッド112と連結され得る。外層回路170は微細なブリッジ回路110が直接ソルダリングされて損傷することを防止することができる。

0014

一方、ダイ1、2のインターフェイス規格端子の配置など)に合わせるため、外層回路170はブリッジ回路110とダイ1、2を繋ぐ配線ファンアウト(fan−out)させるファンアウト回路パターンを含むことができる。換言すれば、ブリッジ回路層100において稠密に形成されたブリッジ回路110は、ファンアウト回路パターンを通じて低密度回路層150の外層において広く分散させることができる。ファンアウト回路パターンは各ダイ1、2のインターフェイス規格に合わせて印刷回路基板の外層に形成されたパッドを含むことができる。これによって、ブリッジ回路110はダイ1、2の規格に影響を受けることなく自由に設計することができるので、ブリッジ回路110の設計自由度を高めることができる。

0015

本発明のブリッジ回路層100はウェハーのような支持層を含まない。したがって、ブリッジ回路層100は低密度回路層150と容易に電気的に連結され得る。シリコンウェハーのような支持層を含まない構造を有することによって、ブリッジ回路層100の厚さを薄くするとともに低密度回路層150で短い電気的経路を具現することができる。ブリッジ回路層100の他面を通じて低密度回路層150と上下に直接電気的連結が可能であるため電気的特性を向上することができ、ブリッジ回路層100の設計自由度も高めることができる。支持層を含まずブリッジ回路層100を形成する具体的方法は製造方法にて後述する。

0016

ブリッジ回路110は電気検査に利用される検査回路パターン130をさらに含むことができる。図26を参照すれば、ブリッジ回路110の異常有無を確認できる検査回路パターン130をブリッジ回路110に形成し、これをブリッジ回路層100の他面に露出させることができる。他面の露出された検査回路パターン130に検査装備を接続してブリッジ回路110の異常有無を容易に確認することができる。

0017

低密度回路層150はブリッジ回路層100を内蔵し、ブリッジ回路110に比べて密度の低い低密度回路160を具備する。印刷回路基板でダイ1、2間のインターコネクションを遂行するブリッジ回路110以外の残りの回路は、ブリッジ回路110のような高密度回路で構成する必要性が少ない。したがって、低密度回路層150には歩留まりが高く、安価な低密度回路が形成されることが好ましい。

0018

図1に示されたように、低密度回路層150の絶縁層154の一部にブリッジ回路層100を内蔵することができる。ブリッジ回路層100は低密度回路層150に比べて高い密度の回路層を有するため、層の間隔が低密度回路層150の層の間隔より狭く形成される。例えば、低密度回路層150中の一つの絶縁層に複数層のブリッジ回路層100が内蔵され得る。内蔵されたブリッジ回路層100は低密度回路層150の外層によって覆われ得る。このとき、外層回路170が形成されてブリッジ回路110とダイ1、2を連結させる。一方、ブリッジ回路層100が直接ダイ1、2と連結される時には外層が形成されずにブリッジ回路層100が露出され得る。

0019

低密度回路層150の低密度回路160はブリッジ回路層100に向かうパッド164およびこれと連結される回路パターン162を具備することができる。低密度回路160のパッド164はブリッジ回路110の接続パッド116と連結されて低密度回路層150とブリッジ回路層100を上下に直接連結することができる。

0020

低密度回路層150は印刷回路基板の剛性を高める補強部材152を含むことができる。例えば、図1に示されたように、中心部に補強部材152を具備した低密度回路層150を形成し、ブリッジ回路層100を内蔵させることができる。一方、図2に示されたように、補強部材を利用しないコアレス構造で低密度回路層250が形成されることもある。

0021

低密度回路層150には印刷回路基板に必要な電子部品3が実装され得る。低密度回路層150はブリッジ回路層100に比べて広い外部面積を確保するため、電子部品の配置が容易である。低密度回路層150に実装された電子部品は後述するソルダーバンプ180を通じてブリッジ回路110とも電気的に連結され得る。

0022

ソルダーバンプ180は低密度回路160とブリッジ回路110を連結させる。図1を参照すれば、ブリッジ回路層100に向かう低密度回路160のパッド164上にソルダーバンプを形成し、ここにブリッジ回路層100の接続パッド116を装着させてソルダーバンプとブリッジ回路110を連結することができる。ソルダーバンプを通じてブリッジ回路110と低密度回路160は上下に直接連結され得る。

0023

図2を参照すれば、低密度回路160とブリッジ回路110はビア280を通じて連結され得る。内蔵されたブリッジ回路層200の他面に低密度回路260をビルドアップ(build−up)して形成し、ブリッジ回路210の接続パッド216と低密度回路160を、ビア280を通じて連結させることができる。

0024

<印刷回路基板の製造方法>
図3図14は本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面である。本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法は、補強部材152を具備した低密度回路層150に高密度のブリッジ回路層100をソルダーバンプ180を利用して結合し、内蔵させる方法を例示する。

0025

本発明の一実施例に係る印刷回路基板の製造方法は、低粗度の第1キャリア5にブリッジ回路層100を形成する段階、第2キャリア6を仮接合する段階、ブリッジ回路層100を埋め立てる段階を含む。

0026

低粗度の第1キャリア5にブリッジ回路層100を形成する段階では、低粗度の第1キャリア5に高密度のブリッジ(bridge)回路110を具備したブリッジ回路層100を形成する。シリコンウェハーのような支持層がなくても微細なブリッジ回路110を高密度に形成するために、粗度が非常に低い第1キャリア5上に微細な回路パターンを形成する。例えば、第1キャリア5としてはガラス基板を用いることができ、算術平均粗度(Ra)は0.05um以下であり得る。第1キャリア5は後述する第2キャリア6および第3キャリア7に比べて非常に低い粗度を有する。

0027

図3を参照すれば、低粗度のガラス基板に離型層5aを形成し、スパッタリング(sputtering)して平坦度の高いシード層5bを形成することができる。

0028

図4を参照すれば、平坦なシード層5bをベースに微細回路パターン114と絶縁層120をビルドアップして複数のブリッジ回路110を一度に形成することができる。微細なブリッジ回路110を形成するために半導体工程または精密なSAP工程(Semi−Additive Process)などが遂行され得る。このとき、ダイ1、2側に向かうブリッジ回路層100の一面が上面になるように形成し、上面に露出されたブリッジ回路110のパッド112を利用して回路の異常有無を確認する電気検査を遂行することができる。

0029

第2キャリア6を仮接合する段階では、ブリッジ回路層100に仮接合される第2キャリア6を接合し、ブリッジ回路層100から第1キャリア5を分離する。ブリッジ回路層100を低密度回路層150に内蔵させるために、加工および移動が便利な第2キャリア6をブリッジ回路層100に仮接合させる。

0030

図5を参照すれば、ブリッジ回路層100の一面に接着および分離が容易な接着層6aを形成し、この接着層6aに第2キャリア6を接着させることができる。例えば、接着層6aとしては、UV剥離型粘着テープを使用することができる。UV剥離型粘着テープは紫外線照射されると粘着力が低下するため、以後第2キャリア6の分離を容易にすることができる。

0031

図6を参照すれば、第2キャリア6の接合した後、ブリッジ回路層100を持ち上げて第1キャリア5からブリッジ回路層100を分離する。第1キャリア5とシード層5bの間には離型層5aが介在されており、ブリッジ回路層100は容易に分離され得る。

0032

図7を参照すれば、シード層5bをエッチングなどで除去し、ブリッジ回路層100の他面に接着層5cと保護フィルム5dを付着することができる。このとき、シード層5bをエッチングなどで除去した後、露出されたブリッジ回路110を利用して回路の異常有無を確認する電気検査を遂行することができる。図26を参照すれば、ブリッジ回路110の異常有無を確認できる検査回路パターン130がブリッジ回路110に形成され、ブリッジ回路層100の他面に露出され得る。他面の露出された検査回路パターン130に検査装備を接続してブリッジ回路110の異常有無を容易に確認することができる。

0033

図8を参照すれば、複数で形成されたブリッジ回路層100を切断してそれぞれ分離させることができる。

0034

ブリッジ回路層100を埋め立てる段階では、低密度回路を具備した低密度回路層150にブリッジ回路層100を結合して埋め立てる。低密度回路層150の内部にブリッジ回路層100が配置されるように低密度回路層150の絶縁層154にブリッジ回路層100を埋め立てることができる。また、低密度回路160とブリッジ回路110はソルダーバンプ180を通じて電気的に連結される。

0035

図9を参照すれば、中心部に補強部材152を具備して低密度回路160を有する低密度回路層150を準備する。低密度回路160はブリッジ回路層100に向かうパッド164を具備し、パッド164にはソルダーバンプ180が形成されて準備され得る。一方、図25に示されたように、ブリッジ回路層100の他面にブリッジ回路110と連結される接続パッド116を形成し、接続パッド116上にソルダーバンプ118を形成することもできる。

0036

図10を参照すれば、第2キャリア6に接合されたブリッジ回路層100から保護フィルム5dを除去し、ブリッジ回路110の他面、すなわち接着層5cが形成された面を低密度回路層150に向かって加圧して低密度回路層150にブリッジ回路層100を結合させる。このとき、ソルダーバンプは接着層5cを貫通してブリッジ回路110の他面にある接続パッド116と連結され、低密度回路160とブリッジ回路110を電気的に連結させることができる。第2キャリア6はUV剥離型粘着テープに紫外線を照射した後、容易に分離することができる。一方、ブリッジ回路層100の剛性補強のために第2キャリア6は分離されずに残され得る。このとき、ブリッジ回路層100は第2キャリア6に仮接着されるのではなく、堅固に結合される。

0037

図11を参照すれば、ブリッジ回路層100が結合された低密度回路層150に絶縁層154をさらに積層してブリッジ回路層100を埋め立てることができる。このとき、ブリッジ回路110と連結された外層回路170パターンをさらに形成することができる。外層回路170はダイ1、2と連結されるパッドを含むことができる。

0038

図12および図13を参照すれば、ブリッジ回路層100が内蔵された低密度回路層150にさらにソルダーレジスト層190を形成することができる。ソルダーレジスト層190にはダイ1、2と連結されるパッドを選択的に露出させるオープニングが形成され得、露出されたパッド上にはソルダーバンプ195が形成され得る。

0039

図14を参照すれば、ブリッジ回路層100が内蔵された低密度回路層150に複数のダイ1、2を実装することができる。複数のダイ1、2は外層回路170を通じてブリッジ回路110に連結され、ブリッジ回路110を通じて複数のダイ1、2間の連結がなされ得る。また、印刷回路基板に必要な他の電子部品3も低密度回路層150に実装され得る。低密度回路層150に実装された電子部品3は低密度回路160を通じてブリッジ回路110に電気的に連結され得る。

0040

図15図24は本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法を示した図面である。本発明の他の実施例に係る印刷回路基板の製造方法は、高密度のブリッジ回路層200に低密度回路層250をビルドアップ(build−up)してブリッジ回路層200を内蔵してビア280を通じて二つの回路層を連結させる方法を例示する。

0041

図15を参照すれば、シード層7aが形成された第3キャリア7を準備し、シード層7a上に一部の低密度回路260aを形成することができる。

0042

図16を参照すれば、第2キャリア6'に接合されたブリッジ回路層200から保護フィルムを除去し、ブリッジ回路210の接着層5c'が形成された面を第3キャリア7に向かって加圧してシード層7aにブリッジ回路層200を結合させる。このとき、前述した一実施例とは異なり、本実施例のブリッジ回路層200は前述した実施例のブリッジ回路層100が裏返された形態で形成される。換言すれば、複数のダイ1、2が連結されるブリッジ回路層100の一面が第1キャリア5に向かって形成される。したがって、ブリッジ回路層200の一面に接着層5c'が形成され、他面にはUV剥離型粘着テープ6a'で第2キャリア6'に結合されるように形成される。

0043

図17を参照すれば、第2キャリア6'はUV剥離型粘着テープ6a'に紫外線を照射した後、容易に分離することができる。一方、ブリッジ回路層200の剛性補強のために第2キャリア6'は分離されずに残され得る。このとき、ブリッジ回路層200は第2キャリア6'に仮接着されるのではなく、堅固に結合される。

0044

図18を参照すれば、第3キャリア7のシード層7aに結合されたブリッジ回路層200に絶縁層252を積層してブリッジ回路層200を埋め立てる。このとき、以後のビルドアップのための平坦度を確保するために絶縁層252上に別途フィルムなどを付着して加圧するか真空圧着させることができる。

0045

図19を参照すれば、ブリッジ回路層200の他面に形成された接続パッド216にビア280を連結し、低密度回路層250をビルドアップで形成する。ブリッジ回路層200はビア280を通じて低密度回路260と上下に直接連結される。

0046

図20を参照すれば、第3キャリア7を分離し、シード層7aをエッチングなどで除去することができる。図21を参照すれば、ブリッジ回路層200の一面に追加でビルドアップし、ブリッジ回路210の一面に形成されたパッド212と連結された外層回路270パターンをさらに形成することができる。外層回路270はダイ1、2と連結されるパッドを含むことができる。

0047

図22および図23を参照すれば、ブリッジ回路層200が内蔵された低密度回路層250にソルダーレジスト層290を形成することができる。ソルダーレジスト層290にはダイ1、2と連結されるパッドを選択的に露出させるオープニングが形成され得、露出されたパッド上にはソルダーバンプ295が形成され得る。

0048

図24を参照すれば、ブリッジ回路層200が内蔵された低密度回路層250に複数のダイ1、2を実装することができる。複数のダイ1、2は外層回路270を通じてブリッジ回路210に連結され、ブリッジ回路210の微細な回路パターン214を通じて複数のダイ1、2間の連結がなされ得る。また、印刷回路基板に必要な他の電子部品3も低密度回路層250に実装され得る。低密度回路層250に実装された電子部品は低密度回路260を通じてブリッジ回路210と電気的に連結され得る。

0049

以上、本発明の一実施例について説明したが、該当技術分野で通常の知識を有した者であれば特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加などによって本発明を多様に修正および変更させることができ、このような変更物ないし均等物も本発明の権利範囲に属する。

0050

1、2 ダイ
5 第1キャリア
6 第2キャリア
7 第3キャリア
100、200ブリッジ回路層
110、210 ブリッジ回路
130検査回路パターン
150、250低密度回路層
160、260 低密度回路
170、270外層回路
180ソルダーバンプ
280 ビア

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    【課題】金属板とセラミックス基板との接合性を損なうことなく、ろうシミの発生を抑制し、半導体素子のはんだ接合性を高めることができる絶縁回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】積層体形成工程と、積層... 詳細

  • ローム株式会社の「 半導体装置および半導体パッケージ」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】Cu導電層のサイドエッチングを低減することができる半導体装置およびこれを備える半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体層と、半導体層上に形成されたパッシベーション膜と、パッ... 詳細

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