図面 (/)

技術 サーミスタ用金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサ

出願人 三菱マテリアル株式会社
発明者 藤田利晃千葉一佐古渚田中寛長友憲昭
出願日 2016年12月19日 (4年4ヶ月経過) 出願番号 2016-245536
公開日 2017年9月14日 (3年8ヶ月経過) 公開番号 2017-163127
状態 特許登録済
技術分野 抵抗器の製造装置と方法 サーミスタ・バリスタ
主要キーワード 断面SEM写真 低スピン状態 高スピン状態 キャリアドーピング 分析エリア 一成膜装置 サーミスタセンサ 窒素ガス分圧
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2017年9月14日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (20)

課題

より結晶配向度に優れたサーミスタ金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサを提供すること。

解決手段

基材上の第1金属窒化膜と、第1金属窒化膜上の第2金属窒化膜とを備え、第2金属窒化膜が、一般式:MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型単相であり、前記第1金属窒化膜が、結晶性Al−Nであり、その結晶構造が六方晶系のウルツ鉱型の単相である。

概要

背景

温度センサ等に使用されるサーミスタ材料は、高精度、高感度のために、高いB定数が求められている。近年、このようなサーミスタ材料として、非焼成熱処理が不要であり、高B定数が得られる金属窒化物材料が開発されている。

例えば、本願発明者らは、非焼成で絶縁性基材直接成膜できるサーミスタ用金属窒化物材料として、一般式:TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型単相であるサーミスタ用金属窒化物材料を開発している(特許文献1)。その他にも、非焼成で形成でき、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Si,Cu及びAlの少なくとも1種の窒化物材料であり、上記結晶構造を有するものであって高B定数が得られる材料を開発している(特許文献2〜7)。

概要

より結晶配向度に優れたサーミスタ用金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサを提供すること。基材上の第1金属窒化膜と、第1金属窒化膜上の第2金属窒化膜とを備え、第2金属窒化膜が、一般式:MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であり、前記第1金属窒化膜が、結晶性Al−Nであり、その結晶構造が六方晶系のウルツ鉱型の単相である。

目的

すなわち、上記各特許文献に記載のサーミスタ用金属窒化物材料を膜状に形成した際、a軸配向度よりもc軸配向度に優れた結晶配向をもつウルツ鉱型窒化物サーミスタ材料にて、より高いB定数が得られることが分かっているが、さらに結晶配向度に優れた結晶性を得ることができるサーミスタ用金属窒化膜が望まれている

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

基材上に形成されたサーミスタ金属窒化膜構造であって、前記基材上に形成された第1金属窒化膜と、前記第1金属窒化膜上に形成された第2金属窒化膜とを備え、前記第2金属窒化膜が、一般式:MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型単相であり、前記第1金属窒化膜が、結晶性Al−Nであり、その結晶構造が六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とするサーミスタ用金属窒化膜構造。

請求項2

請求項1に記載のサーミスタ用金属窒化膜構造において、前記第2金属窒化膜が、膜厚方向a軸配向度よりc軸配向度が大きい結晶配向をもつエピタキシャル成長膜であると共に、前記第1金属窒化膜が、膜厚方向にa軸配向度よりc軸配向度が大きい結晶配向をもつ膜であることを特徴とするサーミスタ用金属窒化膜構造。

請求項3

請求項1又は2に記載のサーミスタ用金属窒化膜構造において、前記第2金属窒化膜が、Ti−Al−Nであり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とするサーミスタ用金属窒化膜構造。

請求項4

請求項1から3のいずれか一項に記載のサーミスタ用金属窒化膜構造の前記基材,前記第1金属窒化膜及び前記第2金属窒化膜と、前記第2金属窒化膜の上に形成された一対のパターン電極とを備えていることを特徴とするサーミスタセンサ

請求項5

請求項4に記載のサーミスタセンサにおいて、前記基材が、絶縁性フィルムであることを特徴とするサーミスタセンサ。

請求項6

請求項1から3のいずれか一項に記載のサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法であって、基材上に形成された結晶性Al−Nの前記第1金属窒化膜上に、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有していることを特徴とするサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法。

請求項7

請求項6に記載のサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法において、前記成膜工程前に、前記第1金属窒化膜の表面に存在する表面酸化膜を除去する酸化膜除去工程を有していることを特徴とするサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、高B定数が得られるサーミスタ金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサに関する。

背景技術

0002

温度センサ等に使用されるサーミスタ材料は、高精度、高感度のために、高いB定数が求められている。近年、このようなサーミスタ材料として、非焼成熱処理が不要であり、高B定数が得られる金属窒化物材料が開発されている。

0003

例えば、本願発明者らは、非焼成で絶縁性基材直接成膜できるサーミスタ用金属窒化物材料として、一般式:TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型単相であるサーミスタ用金属窒化物材料を開発している(特許文献1)。その他にも、非焼成で形成でき、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Si,Cu及びAlの少なくとも1種の窒化物材料であり、上記結晶構造を有するものであって高B定数が得られる材料を開発している(特許文献2〜7)。

先行技術

0004

特開2013−179161号公報
特開2014−123646号公報
特開2014−236204号公報
特開2015−65408号公報
特開2015−65417号公報
特開2015−73077号公報
特開2015−73075号公報

発明が解決しようとする課題

0005

上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記各特許文献に記載のサーミスタ用金属窒化物材料を膜状に形成した際、a軸配向度よりもc軸配向度に優れた結晶配向をもつウルツ鉱型窒化物サーミスタ材料にて、より高いB定数が得られることが分かっているが、さらに結晶配向度に優れた結晶性を得ることができるサーミスタ用金属窒化膜が望まれている。

0006

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、より結晶配向に優れたサーミスタ用金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0007

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造は、基材上に形成されたサーミスタ用金属窒化膜構造であって、前記基材上に形成された第1金属窒化膜と、前記第1金属窒化膜上に形成された第2金属窒化膜とを備え、前記第2金属窒化膜が、一般式:MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であり、前記第1金属窒化膜が、結晶性Al−Nであり、その結晶構造が六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする。

0008

本発明のサーミスタ用金属窒化膜構造では、第2金属窒化膜の下地層である第1金属窒化膜が結晶性Al−Nであるので、結晶性Al−Nと同じ結晶系の第2金属窒化膜が第1金属窒化膜上に成膜されているため、成膜開始直後のサーミスタ用MxAyNzの初期結晶成長時より、MxAyNz結晶は十分に窒化させることが可能であり、窒素欠陥量が極めて少ない柱状結晶化膜となり、さらに結晶配向度が高くなって、より高いB定数が得られる。

0009

なお、上記「y/(x+y)」(すなわち、A/(M+A))が0.70未満であると、ウルツ鉱型の単相が得られず、NaCl型相との共存相又はNaCl型のみの結晶相となってしまい、十分な高抵抗と高B定数とが得られない。
また、上記「y/(x+y)」(すなわち、A/(M+A))が0.98を超えると、抵抗率が非常に高く、きわめて高い絶縁性を示すため、サーミスタ材料として適用できない。
また、上記「z」(すなわち、N/(M+A+N))が0.4未満であると、金属の窒化量が少ないため、ウルツ鉱型の単相が得られず、十分な高抵抗と高B定数とが得られない。
さらに、上記「z」(すなわち、N/(M+A+N))が0.5を超えると、ウルツ鉱型の単相を得ることができない。このことは、ウルツ鉱型の単相において、窒素サイトにおける欠陥がない場合の化学量論比が0.5(すなわち、N/(M+A+N)=0.5)であることに起因する。

0010

第2の発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造は、第1の発明において、前記第2金属窒化膜が、膜厚方向にa軸配向度よりc軸配向度が大きい結晶配向をもつエピタキシャル成長膜であると共に、前記第1金属窒化膜が、膜厚方向にa軸配向度よりc軸配向度が大きい結晶配向をもつ膜であることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタ用金属窒化膜構造では、第1金属窒化膜及び第2金属窒化膜が、共にc軸配向度が大きい結晶配向をもつエピタキシャル成長膜であるので、より高いB定数が得られる。

0011

第3の発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造は、第1又は第2の発明において、前記第2金属窒化膜が、Ti−Al−Nであり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタ用金属窒化膜構造では、第2金属窒化膜が、Ti−Al−Nであるので、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜が第2金属窒化膜とAlを共通元素としており、さらに、結晶構造が六方晶系のウルツ鉱型の単相と共通しているので、より結晶性が良いエピタキシャル成長された第2金属窒化膜が容易に得られる。

0012

第4の発明に係るサーミスタセンサは、第1から第3の発明のいずれかのサーミスタ用金属窒化膜構造の前記基材,前記第1金属窒化膜及び前記第2金属窒化膜と、前記第2金属窒化膜の上に形成された一対のパターン電極とを備えていることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタセンサでは、第1から第3の発明のいずれかのサーミスタ用金属窒化膜構造を備えているので、きわめて高い絶縁性を示す結晶性Al−N膜(第1金属窒化膜)上に非焼成で形成された高B定数の薄膜サーミスタ部(第2金属窒化膜)により、良好なサーミスタ特性を有したサーミスタセンサが得られる。

0013

第5の発明に係るサーミスタセンサは、第4の発明において、前記基材が、絶縁性フィルムであることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタセンサでは、前記基材が、絶縁性フィルムであるので、上記薄膜サーミスタ部が柔軟性を有していると共に基材が柔軟性を有することで、サーミスタセンサ全体として柔軟性を有し、例えば測定対象物に押し当てた際に、柔軟に湾曲して測定対象物と接触させることが可能になる。また、測定対象物が曲面をもっていても、測定対象物とサーミスタ部とを面接触させることができるので、柔軟性と応答性とを兼ね備えたサーミスタセンサが得られる。

0014

第6の発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法は、第1から第3の発明のいずれかのサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法であって、基材上に形成された結晶性Al−Nの前記第1金属窒化膜上に、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有していることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法では、基材上に形成された結晶性Al−Nの第1金属窒化膜上に、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、より結晶性が良く、結晶配向の強い上記MxAyNzからなる第2金属窒化膜をエピタキシャル成長させることができる。

0015

第7の発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法は、第6の発明において、前記成膜工程前に、前記第1金属窒化膜の表面に存在する表面酸化膜を除去する酸化膜除去工程を有していることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法では、成膜工程前に、第1金属窒化膜の表面に存在する表面酸化膜を除去する酸化膜除去工程を有しているので、さらに結晶配向度に優れた第2金属窒化膜をエピタキシャル成長させることができる。

発明の効果

0016

本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造によれば、第2金属窒化膜の下地層である第1金属窒化膜がウルツ鉱型結晶構造をもつ結晶性Al−Nであるので、結晶性Al−Nと同じ結晶系の第2金属窒化膜が第1金属窒化膜上に成膜されているため、成膜開始直後のサーミスタ用MxAyNzの初期結晶成長時より、MxAyNz結晶は十分に窒化させることが可能であり、窒素欠陥量が極めて少ない柱状結晶化膜となり、さらに結晶配向度が高くなって、より高いB定数が得られる。
また、本発明に係るサーミスタ用金属窒化物膜構造の製造方法によれば、基材上に形成された結晶性Al−Nの第1金属窒化膜上に、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、結晶配向度の強い上記MxAyNzからなる第2金属窒化膜をエピタキシャル成長させることができる。
さらに、本発明に係るサーミスタセンサによれば、上記本発明のサーミスタ用金属窒化膜構造を備えているので、非焼成で形成された高B定数の薄膜サーミスタ部(第2金属窒化膜)により、良好なサーミスタ特性を有したサーミスタセンサが得られる。

図面の簡単な説明

0017

本発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサの一実施形態において、サーミスタ用金属窒化膜構造を示す断面図である。
本実施形態及び本発明に係る実施例において、サーミスタセンサ及び膜評価用素子を示す正面図及び平面図である。
本発明に係る比較例において、Ti−Al−N膜のX線回折(XRD)の結果を示すグラフである。
本発明に係る実施例1において、Ti−Al−N膜のX線回折(XRD)の結果を示すグラフである。
本発明に係る比較例を示すTi−Al−N膜の断面SEM写真である。
本発明に係る実施例1を示すTi−Al−N膜の断面SEM写真である。
本発明に係る実施例2を示すTi−Al−N膜の断面SEM写真である。
本発明に係る比較例及び実施例における各断面TEM写真((a)比較例、(b)実施例1、(c)実施例2)である。
本発明に係る実施例における各断面TEM写真((a)実施例3、(b)実施例4)である。
本発明に係る実施例における各断面TEM写真((a)実施例5、(b)実施例6)である。
本発明に係る比較例におけるTi−Al−N膜断面の電子線回折像である。
本発明に係る実施例1におけるTi−Al−N膜断面の電子線回折像である。
本発明に係る実施例2におけるTi−Al−N膜断面の電子線回折像である。
本発明に係る実施例3におけるTi−Al−N膜断面の電子線回折像である。
本発明に係る実施例4におけるTi−Al−N膜断面の電子線回折像である。
本発明に係る実施例5におけるTi−Al−N膜断面の電子線回折像である。
本発明に係る実施例6におけるTi−Al−N膜断面の電子線回折像である。
本発明に係る実施例において、組成比Al/(Al+Ti)に対するTi−Al−N膜の格子定数(a軸長)を示すグラフである。
本発明に係る実施例において、組成比Al/(Al+Ti)に対するTi−Al−N膜の格子定数(c軸長)を示すグラフである。

0018

以下、本発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサにおける一実施形態を、図1及び図2を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。

0019

本実施形態のサーミスタ用金属窒化膜構造1は、図1に示すように、基材2上に形成されたサーミスタ用金属窒化膜構造であって、基材2上に形成された第1金属窒化膜3と、第1金属窒化膜3上に形成された第2金属窒化膜4とを備えている。
上記第2金属窒化膜4は、一般式:MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型(空間群P63mc(No.186))の単相であると共に、膜厚方向にa軸配向度よりc軸配向度が大きい結晶配向をもつエピタキシャル成長膜である。なお、Aは、Al又は(Al及びSi)、すなわちAlか、Al及びSiであって、少なくともAlを含む。

0020

上記第1金属窒化膜3は、結晶性Al−Nであり、その結晶構造が六方晶系のウルツ鉱型の単相であると共に、膜厚方向にa軸配向度よりc軸配向度が大きい結晶配向をもつエピタキシャル成長膜又はスパッタ膜である。
また、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3の場合、第2金属窒化膜4は、Ti−Al−Nであり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることが好ましい。

0021

なお、結晶相の同定は、視斜角入射X線回折(Grazing Incidence X-ray Diffraction)により、実施し、管球をCuとし、入射角を1度とした。なお、膜の表面に対して垂直方向(膜厚方向)にa軸配向(100)が強いかc軸配向(002)が強いかの判断は、上記X線回折(XRD)を用いて結晶軸配向性を調べ、(100)(a軸配向を示すhkl指数)と(002)(c軸配向を示すhkl指数)とのピーク強度比から、「(100)のピーク強度」/「(002)のピーク強度」が1未満である場合、c軸配向が強いものとする。なお、(100)ピークを検出されない場合、すなわち、「(100)のピーク強度」/「(002)のピーク強度」がゼロの場合は、膜厚方向のc軸配向度が極めて強い膜であると判断される。なお、膜厚方向へc軸配向度が極めて強い膜については、本XRD条件(入射角1度)による検出される(002)のピーク強度だけでは、c軸配向度を厳密に評価する、もしくは、エピタキシャル膜であるか評価することが非常に困難なため、TEM透過型電子顕微鏡)を用いて、膜断面の電子線回折像を取得し、膜厚方向のc軸配向度を評価した。

0022

上述したように、ウルツ鉱型の結晶構造は、六方晶系の空間群P63mc(No.186)であり、MとAとは同じ原子サイトに属し(MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)、いわゆる固溶状態にある。ウルツ鉱型は、(M,A)N4四面体頂点連結構造をとり、(M,A)サイトの最近接サイトがN(窒素)であり、(M,A)は窒素4配位をとる。

0023

なお、Ti以外に、V(バナジウム)、Cr(クロム)、Mn(マンガン)、Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)、Cu(銅)が同様に上記結晶構造においてTiと同じ原子サイトに存在することができ、Mの元素となり得る。有効イオン半径は、原子間の距離を把握することによく使われる物性値であり、特によく知られているShannonのイオン半径の文献値を用いると、論理的にもウルツ鉱型のMxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)が得られると推測できる。
以下の表1にAl,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Siの各イオン種における有効イオン半径を示す(参照論文R.D.Shannon, Acta Crystallogr., Sect.A, 32, 751(1976))。

0024

0025

ウルツ鉱型は4配位であり、Mに関して4配位の有効イオン半径を見ると、2価の場合、Ni<Cu<Co<Fe<Mnであり、3価の場合、Al<Feであり、4価の場合、Mn<Co<Cr<Tiであり、5価の場合、Cr<Vとなっている。これらの結果より、(Al,Cu,Co,Fe,Ni,Mn)<Cr<(V,Ti)であると考えられる。(Ti及びV、もしくは、Cu,Co,Fe,Ni,Mn及びAlのイオン半径の大小関係判別できない。)ただし、4配位のデータは価数がそれぞれ異なっているので、厳密な比較とはならないため、参考で3価イオンに固定したときの6配位(MN6八面体)のデータを用いて比較した。表1中のHSは高スピン状態、LSは低スピン状態を示す。低スピン状態(LS)のとき、イオン半径が、Al<Cu<Co<Fe<Ni<Mn<Cr<V<Tiとなっていることがわかる。(高スピン状態のとき、Mn,Fe,Co,Niのイオン半径は、Alのイオン半径より大きく、Tiのイオン半径より小さい。)
本発明は、ウルツ鉱型の結晶構造をもつ窒化物絶縁体であるAl−NのAlサイトをTi等のMに置き換えることにより、キャリアドーピングし、電気伝導が増加することで、サーミスタ特性が得られるものであるが、例えばAlサイトをTiに置き換えた場合は、AlよりTiの方が有効イオン半径が大きいので、その結果、AlとTiとの平均イオン半径は増加する。その結果、原子間距離が増加し、格子定数が増加すると推測できる。
実際に、特許文献2〜7にて、ウルツ鉱型のMxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)が得られ、サーミスタ特性が得られている。また、Al−NのAlサイトをTi等に置き換えることによる格子定数の増加が、X線データより確認されていることが報告されている。なお、Siについては、表1より、Si及びAlのイオン半径の大小関係は判別できないが、特許文献5にて、AlとSiの双方を含むMxAyNzにて、ウルツ鉱型の結晶構造をもち、さらに、サーミスタ特性が得られていることが報告されている。
結晶性Al−N上にMxAyNz膜をエピタキシャル成長させるには、Al−N原子間距離とより近い(Al,M)−N原子間距離をもつM元素を選択すること、すなわち、Alのイオン半径とより近いイオン半径をもつM元素選択することが必要である。特に、表1に示す、3d遷移金属元素(Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu)は、4d遷移金属元素(例えば、Zr,Nb,Mo)、5d遷移金属元素(例えば、Hf,Ta,Mo)よりもイオン半径が小さく、Alのイオン半径とより近いため、Al−N原子間距離とより近い(Al,M)−N原子間距離をもつ窒化物サーミスタのエピタキシャル膜を結晶性Al−N膜上に形成することが可能である。
さらに、結晶性Al−N膜がウルツ鉱型結晶構造をもち、膜厚方向にc軸配向度が高いエピタキシャル成長膜又はスパッタ膜であると、ウルツ鉱型結晶構造をもつMxAyNz膜を容易にエピタキシャル成長させることが可能となる。

0026

次に、本実施形態のサーミスタ用金属窒化膜構造を用いたサーミスタセンサについて説明する。このサーミスタセンサ10は、図2に示すように、サーミスタ用金属窒化膜構造1の基材2,第1金属窒化膜3及び第2金属窒化膜4と、第2金属窒化膜4の上に形成された一対のパターン電極5とを備えている。

0027

上記基材2は、例えばサファイア基板(Al2O3)であり、そのAl2O3は膜厚方向にc軸配向しており、第1金属窒化膜3はサファイア基板の基材2上にエピタキシャル成長させた又はスパッタ成膜させた結晶性Al−N膜である。
結晶性Al−N膜をスパッタリングにより形成する場合は、例えば、Alスパッタリングターゲットを用い、スパッタ条件は、到達真空度4×10−5Pa、スパッタガス圧0.2Pa、ターゲット投入電力(出力)200Wで、Arガス窒素ガス混合ガス雰囲気下において窒素ガス分率を35%とする。
なお、基材2として、絶縁性フィルムを採用しても良い。なお、上記絶縁性フィルムとしては、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、柔軟性と耐熱性とが要求される。例えば定着ローラ温度測定用としては、最高使用温度が200℃程度と高いため、耐熱性に優れたポリイミドフィルムが望ましい。
上記一対のパターン電極5は、例えばCr膜とAu膜との積層金属膜パターン形成され、第2金属窒化膜4上で互いに対向状態とされていると共に、複数の部5aを有した櫛形パターンとされている。

0028

上記サーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法及びこれを用いたサーミスタセンサの製造方法について、以下に説明する。

0029

本実施形態のサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法は、基材2上に形成された結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3上に、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有している。
また、サーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法として、上記成膜工程前に、第1金属窒化膜3の表面に存在する表面酸化膜を除去する酸化膜除去工程を有していることが好ましい。なお、酸化膜除去工程は、成膜工程と同一の成膜装置内で実施することが好ましく、酸化膜除去後は、大気開放することなく、同一成膜装置内で直ちに成膜することが望ましい。酸化膜除去後、大気開放してしまうと、直ちに新たな表面酸化が進行してしまうからである。サーミスタ用金属窒化膜の成膜はプラズマプロセスである反応性スパッタリングを行っているため、上記理由より、酸化膜除去の手法もプラズマを用いた手法が好ましい。なお、このプラズマ処理は、酸化膜だけなく、表面の汚れである有機残渣、水分残渣等の除去にも有効であり、基板洗浄の効果もあることから、成膜前の基板表面の異物汚染物質混入も防ぐことができる。

0030

より具体的には、例えばサファイア基板の基材2上に結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3を厚さ1μmでエピタキシャル成長したもの(例えばDOWAエレクトロニクス製のAl−Nエピタキシャル膜付きサファイア基板)を用意し、第1金属窒化膜3上に、反応性スパッタ法にて上記第2金属窒化膜を200nm成膜する。
例えば、M=Ti,A=Alとした場合、その時のスパッタ条件は、例えば到達真空度:4×10−5Pa、スパッタガス圧:0.2Pa、ターゲット投入電力(出力):200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において窒素ガス分圧:30%とする。

0031

なお、上述したように、上記成膜工程前に、酸化膜除去工程として逆スパッタによるプラズマ表面処理を行うことが好ましい。具体的には、上記成膜工程のスパッタ前に、基材2側に電力印加することにより、第1金属窒化膜3表面に形成されている表面酸化膜(自然酸化膜等の汚染膜)を逆スパッタにより除去する。この際の逆スパッタ条件は、例えば到達真空度:4×10−5Pa、ターゲット印加電力:50Wで、Arガス雰囲気下において30分間とする。なお、逆スパッタ時に用いられるガス種は、窒素ガス、Arガスと窒素ガスとの混合ガスを用いてもよい。

0032

また、本実施形態のサーミスタセンサを製造する場合、第1金属窒化膜3上にメタルマスクを用いて所望のサイズで第2金属窒化膜4を成膜して薄膜サーミスタ部を形成する。なお、形成された薄膜サーミスタ部に窒素プラズマ照射することが望ましい。例えば、真空度:6.7Pa、出力:200W及びN2ガス雰囲気下で、窒素プラズマを薄膜サーミスタ部に照射させる。

0033

次に、スパッタ法にて、例えばCr膜を20nm形成し、さらにAu膜を200nm形成する。さらに、その上にレジスト液バーコーターで塗布した後、110℃で1分30秒のプリベークを行い、露光装置感光後、現像液で不要部分を除去し、150℃で5分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のAuエッチャント及びCrエッチャントによりウェットエッチングを行い、図2に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛部5aを有したパターン電極5を形成する。このようにして本実施形態のサーミスタセンサ10が作製される。

0034

このように本実施形態のサーミスタ用金属窒化膜構造1では、第2金属窒化膜4の下地層である第1金属窒化膜3が結晶性Al−Nであるので、結晶性Al−Nと同じ結晶系の第2金属窒化膜4が第1金属窒化膜3上に成膜されているため、成膜開始直後のサーミスタ用MxAyNzの初期結晶成長時より、MxAyNz結晶は十分に窒化させることが可能であり、窒素欠陥量が極めて少ない柱状結晶化膜となり、さらに結晶配向度が高くなって、より高いB定数が得られる。

0035

特に、第1金属窒化膜3及び第2金属窒化膜4が、共にc軸配向度が大きい結晶配向をもつエピタキシャル成長膜であるので、より高いB定数が得られる。
また、第2金属窒化膜4を、Ti−Al−Nとすることで、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3が第2金属窒化膜4とAlを共通元素としており、さらに、結晶構造が六方晶系のウルツ鉱型の単相と共通しているので、より結晶性が良いエピタキシャル成長された第2金属窒化膜4が得られる。

0036

また、本実施形態のサーミスタセンサ10では、上記サーミスタ用金属窒化膜構造1を備えているので、きわめて高い絶縁性を示す結晶性Al−N膜(第1金属窒化膜3)上に非焼成で形成された高B定数の薄膜サーミスタ部(第2金属窒化膜4)により、高精度な温度検出可能な良好なサーミスタ特性を有したサーミスタセンサが得られる。

0037

さらに、基材2に絶縁性フィルムを採用した場合、上記薄膜サーミスタ部が柔軟性を有していると共に基材2が柔軟性を有することで、サーミスタセンサ全体として柔軟性を有し、例えば測定対象物に押し当てた際に、柔軟に湾曲して測定対象物と接触させることが可能になる。また、測定対象物が曲面をもっていても、測定対象物とサーミスタ部とを面接触させることができるので、柔軟性と応答性とを兼ね備えたサーミスタセンサが得られる。

0038

さらに、本実施形態のサーミスタ用金属窒化膜構造の製造方法では、基材2上に形成された結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3上に、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、結晶配向度の強い上記MxAyNzからなる第2金属窒化膜4をエピタキシャル成長させることができる。
特に、成膜工程前に、第1金属窒化膜3の表面に存在する表面酸化膜を除去する酸化膜除去工程を有しているので、酸化膜除去工程がないときと比べて、サーミスタ用MxAyNzは、初期結晶成長時から、よりMxAyNz結晶を窒化させることが可能であり、より結晶性が良く、さらに結晶配向に優れた第2金属窒化膜4をエピタキシャル成長させることができる。

0039

次に、本発明に係るサーミスタ用金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサについて、上記実施形態に基づいて作製した実施例により評価した結果を、図2から図19を参照して具体的に説明する。

0040

<膜評価用素子の作製>
本発明の実施例及び比較例として、図2に示すサーミスタセンサを膜評価用素子として次のように作製した。
まず、反応性スパッタ法にて、組成比Al/(Ti+Al)=0.90又は組成比Al/(Ti+Al)=0.85としたTi−Al合金ターゲットを用いて、サファイア基板の基材2上に形成された結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3上に、Ti−Al−N膜(第2金属窒化膜4)を形成した。その時のTi−Al−N膜のスパッタ条件は、上述したものと同じである。
なお、組成比Al/(Ti+Al)=0.85としたTi−Al合金ターゲットを用いた実施例では、熱酸化膜付きSi基板上に、まず結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3を反応性スパッタ法により成膜し、その後も組成比Al/(Ti+Al)=0.85としたTi−Al合金ターゲットを用いて、結晶性Al−Nスパッタ膜上に、Ti−Al−N膜を形成する実施例を作製した。なお、結晶性Al−NおよびTi−Al−N膜のスパッタ条件は、上述したものと同じである。

0041

また、サファイア基板の基材2上に形成された結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3上に、Ti−Al−N膜(第2金属窒化膜4)を形成したもので、この際、第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去していない実施例1(組成比Al/(Ti+Al)=0.91)と、上記Ar逆スパッタにより第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去した実施例2(組成比Al/(Ti+Al)=0.91)及び実施例3(組成比Al/(Ti+Al)=0.85)と、N2逆スパッタにより第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去した実施例4(組成比Al/(Ti+Al)=0.85)とを作製した。

0042

また、熱酸化膜(SiO2)付きSi基板上に形成された結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3上に、Ti−Al−N膜(第2金属窒化膜4)を形成したもので、Ar逆スパッタにより第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去した実施例5(組成比Al/(Ti+Al)=0.85)と、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3上にTi−Al−N膜(第2金属窒化膜4)を連続成膜し、逆スパッタにより第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去していない実施例6(組成比Al/(Ti+Al)=0.85)とを作製した。
なお、連続成膜とは、結晶性Al−Nスパッタ膜の表面酸化を防ぐため、大気開放することなく、結晶性Al−N成膜後同一の成膜装置内にて直ちにサーミスタ用金属窒化膜を成膜することを意味する。

0043

さらに、サファイア基板の基材2上に形成された結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3上に、Ti−Al−N膜(第2金属窒化膜4)を形成したもので、逆スパッタにより第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去していない実施例7(組成比Al/(Ti+Al)=0.85)を作製した。

0044

次に、上記第2金属窒化膜4の上に、上述した条件でパターン電極5を形成した。そして、これをチップ状にダイシングして、本発明の実施例の膜評価用素子とした。実施例における結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3の膜厚は、サファイア基板の基材2上に形成された結晶性Al−Nが1μmであり、熱酸化膜(SiO2)付きSi基板上に形成された結晶性Al−Nが100nmである。Ti−Al−Nの第2金属窒化膜4の膜厚は、200nmである。
また、比較として熱酸化膜(SiO2)付きSi基板を基材として用いて、その上に同様にTi−Al−N膜を成膜した比較例1(組成比Al/(Ti+Al)=0.91)及び比較例2(組成比Al/(Ti+Al)=0.85)も作製して評価を行った。この比較例1,2のTi−Al−N膜の膜厚は、200nmである。

0045

なお、スパッタ膜の結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3上に第2金属窒化膜4をスパッタ成膜した実施例において、ポリイミド樹脂等の絶縁性フィルムの基材2上に成膜した場合、柔軟性を有し、曲げ前後に抵抗値変化が無いことを確認している。

0046

組成分析
反応性スパッタ法にて得られた各Ti−Al−N膜について、X線光電子分光法(XPS)にて元素分析を行った。このXPSでは、Arスパッタにより、最表面から深さ20nmのスパッタ面において、定量分析を実施した。
なお、上記X線光電子分光法(XPS)は、X線源をMgKα(350W)とし、パスエネルギー:58.5eV、測定間隔:0.125eV、試料面に対する光電子取り出し角:45deg、分析エリアを約800μmφの条件下で定量分析を実施した。
この結果、上記比較例1、実施例1及び2のTi−Al−N膜は、いずれも組成比Al/(Ti+Al)=0.91±0.01であった。また、上記比較例2、実施例3〜7のTi−Al−N膜は、いずれも組成比Al/(Ti+Al)=0.85±0.01であった。

0047

比抵抗測定
反応性スパッタ法にて得られた各Ti−Al−N膜について、4端子法(van der pauw法)にて25℃での比抵抗を測定した。その結果を表2及び表3に示す。表2は、組成比Al/(Ti+Al)=0.91の結果であり、表3は組成比Al/(Ti+Al)=0.85の結果を示している。なお、表2において、比較例1は「熱酸化膜Si基板」、本発明の実施例1は「Al−N付きサファイア基板(表面酸化膜除去なし)」、本発明の実施例2は「Al−N付きサファイア基板(Arガス逆スパッタによる表面酸化膜除去後)」と表示している。
また、表3において、比較例2は「熱酸化膜Si基板」、本発明の実施例7は「Al−N付きサファイア基板(表面酸化膜除去なし)」、本発明の実施例6は「Al−N膜が成膜された熱酸化膜Si基板(Al−N成膜後の表面酸化膜除去なし)」と表示している。

0048

0049

0050

<B定数測定>
各膜評価用素子の25℃及び50℃の抵抗値恒温槽内で測定し、25℃と50℃との抵抗値よりB定数を算出した。その結果も表2に示す。また、25℃と50℃との抵抗値より負の温度特性をもつサーミスタであることを確認している。

0051

なお、本発明におけるB定数算出方法は、上述したように25℃と50℃とのそれぞれの抵抗値から以下の式によって求めている。
B定数(K)=ln(R25/R50)/(1/T25−1/T50)
R25(Ω):25℃における抵抗値
R50(Ω):50℃における抵抗値
T25(K):298.15K 25℃を絶対温度表示
T50(K):323.15K 50℃を絶対温度表示

0052

これらの結果からわかるように、熱酸化膜Si基板上にTi−Al−N膜を成膜した比較例に対して、結晶性Al−N付きサファイア基板又は熱酸化膜Si基板上にTi−Al−Nの第2金属窒化膜4を成膜した本発明の実施例は、いずれも高い抵抗率及びB定数が得られている。特に、第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去した本発明の実施例2は、除去をおこなっていない実施例1よりもさらに高B定数が得られている。

0053

<X線回折による結晶配向性の評価>
次に、本発明の実施例はウルツ鉱型相の単相の膜であり、配向性が強いことから、第1金属窒化膜3上に垂直な方向(膜厚方向)の結晶軸においてa軸配向性とc軸配向性のどちらが強いか、視斜角入射X線回折(Grazing Incidence X-ray Diffraction)を用いて調査した。この際、結晶軸の配向性を調べるために、(100)(a軸配向を示すhkl指数)と(002)(c軸配向を示すhkl指数)とのピーク強度比を測定した。
なお、視斜角入射X線回折の条件は、管球をCuとし、入射角を1度とした。なお、実施例1及び2については、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3の110方向より、X線を入射した。
比較例1と実施例1とのXRDプロファイルの一例を、図3及び図4に示す。これらの結果からわかるように、比較例及び本発明の実施例はいずれも、(100)ピークは検出されておらず、c軸配向性がきわめて強いことがわかる。実施例2も、(100)ピークは検出されておらず、c軸配向性がきわめて強いことがわかった。

0054

結晶形態の評価>
次に、上記比較例1及び実施例1、2について、パターン電極5を形成していない状態における断面の結晶形態を示すものとして、各Ti−Al−N膜の断面SEM写真を、図5図6及び図7に示す。
これらの実施例のサンプルは、熱酸化膜付きSi基板及び結晶性Al−N付きサファイア基板をへき開破断したものを用いている。また、45°の角度で傾斜観察した写真である。

0055

これらの写真からわかるように、比較例1及び本発明の実施例1,2は共に緻密な柱状結晶で形成されている。すなわち、基板面に垂直な方向に柱状の結晶が成長している様子が観測されている。なお、柱状結晶の破断は、熱酸化膜付きSi基板をへき開破断した際に生じたものである。
柱状結晶のアスペクト比を(長さ)÷(粒径)として定義すると、比較例及び実施例は10以上の大きいアスペクト比をもっている。柱状結晶の粒径は10nm±5nmφ程度であり、粒径が小さく、緻密な膜が得られている。

0056

電子線回折による結晶配向度の評価>
次に、TEM(透過型電子顕微鏡)を用いて、比較例1と実施例1〜4との結晶配向度について解析を行った。比較例1の断面TEM像図8の(a)に示すと共に、実施例1の断面TEM像を図8の(b)に示し、実施例2の断面TEM像を図8の(c)に示す。また、実施例3の断面TEM像を図9の(a)に示し、実施例4の断面TEM像を図9の(b)に示す。さらに、実施例5の断面TEM像を図10の(a)に示し、実施例6の断面TEM像を図10の(b)に示す。
なお、実施例1〜4の断面は、結晶性Al−N単結晶化膜である第1金属窒化膜3の[110]方向から観察した像である。実施例5〜6の断面は、任意の断面の方向から観察した像である。
また、比較例1におけるTi−Al−N膜断面の電子線回折像を図11に示すと共に、実施例1〜6におけるTi−Al−Nの第2金属窒化膜断面の電子線回折像を図12〜17に示す。なお、図12〜17の(a)は、Ti−Al−N膜の電子線回折像であるのに対し、図12〜17の(b)の(b)は結晶性Al−Nエピタキシャル膜を含めた広範囲による電子線回折像である。また、図12〜17の(a)及び(b)の電子線回折像の上下方向は、基板面に垂直な方向、すなわちTi−Al−N膜の柱状結晶の成長方向と一致する。

0057

上記断面TEM像から、上記比較例1及び実施例1〜6では、いずれも柱状結晶化膜が形成されていることがわかる。
また、上記電子線回折像から、上記比較例1及び実施例1〜6では、いずれも基板に垂直方向(図の上下方向)に、002と00−2との回折点が検出されていることから、基板に垂直な方向に、c軸配向度が高い結晶化膜が形成されていることがわかる。

0058

しかしながら、比較例1の回折点は、円弧状となっている。すなわち、全ての結晶の配向が揃っているわけではなく、熱酸化膜付きSi基板に対して垂直方向から僅かにずれたc軸配向化膜が存在していることを示している。これは、Ti−Al−N膜がSiO2からなる非晶質の酸化膜上に形成されていることに起因する。
一方、上記実施例1〜6では、比較例1と比べると、回折点の円弧の長さが短くなっており、c軸配向度がより高くなっていることがわかる。結晶性Al−N膜も含めた広範囲における電子線回折像(図12〜17の(b))を見ると、第2金属窒化膜4のTi−Al−Nと第1金属窒化膜3の結晶性Al−Nとの電子線回折像が重なっている。エピタキシャル成長膜が形成されていると考えられ、窒素欠陥量の少ない良質な柱状結晶化膜が得られている。特に、実施例2、3,4では、多重散乱が多数検出されていることから、結晶方位が極めて揃った単結晶ライクなTi−Al−N結晶化膜が得られている。これは、Ti−Al−N膜が第1金属窒化膜である結晶性Al−N膜上に形成されており、その結晶性Al−N膜がウルツ鉱型結晶構造をもち、かつ、c軸配向度が極めて高いことに起因する。特に、実施例2,3,4では、結晶性Al−N膜上のごくわずかな表面酸化膜も除去されており、酸化膜除去工程がないときと比べて、サーミスタ用Ti−Al−N膜は、初期結晶成長時から、よりTi−Al−N膜結晶を窒化させることが可能であり、さらにc軸結晶配向に優れたTi−Al−N膜をエピタキシャル成長させることができる。

0059

以上の結果から、実施例では、c軸配向で成長するTi−Al−N柱状結晶が多数存在することがわかり、比較例に比べて結晶配向度に優れたTi−Al−N膜が得られている。
特に、逆スパッタによる第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去した実施例2,3,4では、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3に対して、窒素欠陥量が極めて少なく理想的な単結晶化膜であるTi−Al−Nの第2金属窒化膜4がエピタキシャル成長している。
以上の理由より、実施例のいずれも高い抵抗率及びB定数が得られている。特に、第1金属窒化膜3の表面酸化膜を除去した本発明の実施例2は、除去をおこなっていない実施例1よりもさらに高B定数が得られていると考えられる。
なお、実施例5,6の結晶性Al−N膜、Ti−Al−N膜ともに同一スパッタ装置で得られたスパッタで得られた膜である。結晶性Al−N膜は熱酸化膜付きSi基板だけでなく、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂フィルム上への成膜が可能である。結晶性Al−N膜を形成することなく直接Ti−Al−N膜をポリイミドフィルム上へ形成したときと比べて、結晶性Al−Nスパッタ膜形成後に成膜されたTi−Al−N膜は、実施例と同様、c軸結晶配向に優れたウルツ鉱型結晶化膜であることを確認している。ポリイミド樹脂と結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3とTi−Al−Nの第2金属窒化膜4とで構成されるサーミスタセンサは、柔軟性を有し、曲げ前後に抵抗値変化が無いことを確認している。

0060

<格子定数>
次に、組成比Al/(Al+Ti)を変えた際のウルツ鉱型結晶構造(六方晶、空間群P63mc)をもつTi−Al−Nの格子定数についてa軸長とc軸長とにおいて調べた結果を、図18及び図19に示す。なお、格子定数は、XRD結果より算出した。
これらの結果からわかるように、AlよりTiのイオン半径が大きく(表1参照)、AlサイトにTi元素が部分置換され、固溶されることに伴い(すなわち組成比Al/(Al+Ti)が減少することに伴い)、c軸長(柱状結晶の成長方向)はあまり変化していないのに対し、a軸長(柱状結晶の成長方向に垂直な方向、すなわち、基板に垂直方向)が増大し、結晶性Al−N膜との格子不整合が大きくなっている。しかしながら、本発明の組成範囲において、結晶性Al−N上にTi−Al−Nがエピタキシャル成長していることから、Tiよりイオン半径が小さい他のM元素(V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCu)で置換されたMxAlyNz膜において、Ti−Al−N膜よりa軸長が小さくなり、結晶性Al−N膜との格子不整合量が小さくなることが考えられるので、MxAlyNz膜(V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCu)においても、同様に結晶性Al−N膜上にエピタキシャル成長可能である。

実施例

0061

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

0062

1…サーミスタ用金属窒化膜構造、2…基材、3…第1金属窒化膜、4…第2金属窒化膜、10…サーミスタセンサ

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • スマートエレクトロニクスインクの「 回路保護装置」が 公開されました。( 2021/03/18)

    【課題】回路保護装置を提供する。【解決手段】本発明による回路保護装置は、ケース;ケースに収容され、抵抗発熱体と、抵抗発熱体の両側に設けられた一対の電極と、一対の電極からそれぞれ引き出された第1リード線... 詳細

  • 日本ケミコン株式会社の「 酸化亜鉛バリスタ及び酸化亜鉛バリスタの製造方法」が 公開されました。( 2021/03/18)

    【課題】外装材の変形又は酸化亜鉛焼結体の焼損が抑制された酸化亜鉛バリスタを提供する。【解決手段】酸化亜鉛焼結体と、前記酸化亜鉛焼結体上に形成された金属電極層と、前記金属電極層に接続されたリード線と、前... 詳細

  • 株式会社村田製作所の「 サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法」が 公開されました。( 2021/03/11)

    【課題・解決手段】本発明のサーミスタは、絶縁性フィルムと、上記絶縁性フィルム上に設けられたサーミスタ層と、上記サーミスタ層の主面に設けられた一対の電極と、を備えるサーミスタであって、上記サーミスタ層は... 詳細

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ