図面 (/)

技術 金型

出願人 東芝メモリ株式会社
発明者 前田竹識松嶋良二
出願日 2016年3月11日 (3年4ヶ月経過) 出願番号 2016-048829
公開日 2017年9月14日 (1年10ヶ月経過) 公開番号 2017-159630
状態 特許登録済
技術分野 プラスチック等の成形用の型 プラスチック等の射出成形 半導体または固体装置の封緘、被覆の形成
主要キーワード 一部どうし 中間キャビティ 気体吸引 略密閉空間 基板クランプ 吸引経路 連通部分 シャットオフピン
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2017年9月14日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (10)

課題

成型性が良好な金型を提供する。

解決手段

実施形態によれば、金型は、基板クランプ面と、キャビティ部と、吸引部と、ベント部と、第1、第2中間キャビティと、開閉部と、を含む。ベント部は、キャビティ部と吸引部との間に設けられキャビティ部内の気体排出経路となり基板クランプ面からベント部深さで後退している。第1中間キャビティは、ベント部と吸引部との間に設けられベント部と連結され、第1幅を有する。第2中間キャビティは、第1中間キャビティと吸引部との間に設けられ、第1中間キャビティと連結されベント部深さよりも深い第2中間キャビティ深さで基板クランプ面から後退し、第2幅を有する。第2幅は第1幅よりも狭い。開閉部は、第2中間キャビティと吸引部との間に設けられる。

概要

背景

例えば積層された複数の半導体素子樹脂などにより封止した半導体装置などがある。このような半導体装置は、例えば、金型を用いたトランスファ成型装置により製造される。例えば、樹脂が適正に充填されないと、成型不良が生じる。成型性が良好な金型が望まれる。

概要

成型性が良好な金型を提供する。実施形態によれば、金型は、基板クランプ面と、キャビティ部と、吸引部と、ベント部と、第1、第2中間キャビティと、開閉部と、を含む。ベント部は、キャビティ部と吸引部との間に設けられキャビティ部内の気体排出経路となり基板クランプ面からベント部深さで後退している。第1中間キャビティは、ベント部と吸引部との間に設けられベント部と連結され、第1幅を有する。第2中間キャビティは、第1中間キャビティと吸引部との間に設けられ、第1中間キャビティと連結されベント部深さよりも深い第2中間キャビティ深さで基板クランプ面から後退し、第2幅を有する。第2幅は第1幅よりも狭い。開閉部は、第2中間キャビティと吸引部との間に設けられる。

目的

本発明の実施形態は、成型性が良好な金型を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

被処理基板の表面と接する基板クランプ面と、前記基板クランプ面から後退したキャビティ部と、前記基板クランプ面から後退した吸引部と、前記キャビティ部と前記吸引部との間の経路上に設けられ前記キャビティ部と連結され前記キャビティ部内の気体排出経路となり前記基板クランプ面からベント部深さで後退したベント部と、前記経路上において前記ベント部と前記吸引部との間に設けられ前記ベント部と連結され前記基板クランプ面から後退し、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第1幅を有する第1中間キャビティと、前記経路上において前記第1中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ、前記第1中間キャビティと連結され前記ベント部深さよりも深い第2中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退し、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第2幅を有し、前記第2幅は前記第1幅よりも狭い、第2中間キャビティと、前記経路上において前記第2中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ前記経路を開閉する開閉部と、を備えた金型

請求項2

前記第1中間キャビティは、前記ベント部深さよりも深い第1中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退した、請求項1記載の金型。

請求項3

前記ベント部は、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第3幅を有し、前記第3幅は、前記第2幅よりも広い、請求項1または2に記載の金型。

技術分野

0001

本発明の実施形態は、金型に関する。

背景技術

0002

例えば積層された複数の半導体素子樹脂などにより封止した半導体装置などがある。このような半導体装置は、例えば、金型を用いたトランスファ成型装置により製造される。例えば、樹脂が適正に充填されないと、成型不良が生じる。成型性が良好な金型が望まれる。

先行技術

0003

特開2014−172287号公報

発明が解決しようとする課題

0004

本発明の実施形態は、成型性が良好な金型を提供する。

課題を解決するための手段

0005

本発明の実施形態によれば、金型は、基板クランプ面と、キャビティ部と、吸引部と、ベント部と、第1中間キャビティと、第2中間キャビティと、開閉部と、を含む。前記基板クラン面は、被処理基板の表面と接する。前記キャビティ部は、前記基板クランプ面から後退している。前記吸引部は、前記基板クランプ面から後退している。前記ベント部は、前記キャビティ部と前記吸引部との間の経路上に設けられ前記キャビティ部と連結され前記キャビティ部内の気体排出経路となり前記基板クランプ面からベント部深さで後退している。前記第1中間キャビティは、前記経路上において前記ベント部と前記吸引部との間に設けられ前記ベント部と連結され前記基板クランプ面から後退し、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第1幅を有する。前記第2中間キャビティは、前記経路上において前記第1中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ、前記第1中間キャビティと連結され前記ベント部深さよりも深い第2中間キャビティ深さで前記基板クランプ面から後退し、前記吸引部と前記キャビティ部とを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で前記基板クランプ面に沿う方向の第2幅を有する。前記第2幅は前記第1幅よりも狭い。前記開閉部は、前記経路上において前記第2中間キャビティと前記吸引部との間に設けられ前記経路を開閉する。

図面の簡単な説明

0006

実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。
図2(a)及び図2(b)は、実施形態に係る金型及びトランスファ成型装置を例示する模式的断面図である。
実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
実施形態に係る別の金型を例示する模式的平面図である。
実施形態に係る別の金型を例示する模式的平面図である。

実施例

0007

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

0008

図1は、実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。
図2(a)及び図2(b)は、実施形態に係る金型及びトランスファ成型装置を例示する模式的断面図である。
図1は、図2(a)の矢印AAからみた平面図である。図2(a)は、図1のA1−A2線断面に対応する断面図である。図2(b)は、図1のB1−B2線断面に対応する断面図である。

0009

図2(a)に示すように、実施形態に係る金型10Mは、第1金型10と、第2金型20と、を含む。第1金型10の主面10aは、第2金型20の主面20aに対向するように配置される。図2(a)は、2つの金型が互いに離れている状態の例を示している。

0010

この例では、第2金型20の主面20aの上に、被処理物70の被処理基板71が配置される。被処理基板71の上には、例えば、半導体チップ72が設けられている。被処理基板71及び半導体チップ72は、製造される半導体装置の一部となる。

0011

実施形態において、第1金型10の上に被処理基板71が配置され、その上に第2金型20が配置されても良い。実施形態において、第1金型10の位置と第2金型20の位置とは、互いに入れ換えが可能である。

0012

第2金型20から第1金型10に向かう方向をZ軸方向とするZ軸方向に対して垂直な1つの方向をX軸方向とする。Z軸方向及びX軸方向に対して垂直な方向をY軸方向とする。

0013

2つの金型の間に被処理基板71が配置され、2つの金型が閉じられた状態において、基板クランプ部の表面は、例えば、被処理基板71に接する。

0014

図2(b)は、2つの金型が閉じられている状態を示している。
図2(a)及び図2(b)に示すように、第1金型10は、基板クランプ面11(基板クランプ部の表面)を有する。図2(b)に示すように、第1金型10と第2金型20との間に被処理基板71(被処理物70)を配置したときに、基板クランプ面11は、被処理基板71の表面71aと接する。基板クランプ面11と、第2金型20の表面(主面20a)と、により、被処理基板71がクランプされる。

0015

図2(a)に示すように、第1金型10の主面10aに凹部が設けられる。凹部に樹脂40が導入される。樹脂40は、凹部の形状に応じた形状に加工されて、半導体装置が作製される。

0016

この例では、第1金型10の主面10aには、凹部として、カル部10uと、ランナ10rと、ゲート部10gと、キャビティ部10cと、ベント部10vと、第1中間キャビティ10dと、第2中間キャビティ10fと、吸引部10eと、が設けられている。これらの各部は、第1金型10の主面10aの平坦部(基板クランプ面11)から後退した領域である。これらの各部は、繋がっている。

0017

この例では、第1金型10には、開閉部12が設けられている。開閉部12は、例えば、シャットオフピンである。開閉部12を動作させる駆動部12dが設けられている。駆動部12dによる開閉部12の動作により、例えば、凹部が外部と繋がっている状態と、繋がっていない状態と、が形成される。

0018

吸引部10eは、吸引経路20pの一端と繋がっている。吸引経路20pの他端は、減圧装置(例えば排気ポンプなど、図示しない)に繋がっている。

0019

2つの金型の間に被処理物70が配置されて、これらの金型が近づけられ、2つの金型の一部どうしが接するようにセットされる。例えば、開閉部12が開状態において、キャビティ部10c内の気体(例えば空気や樹脂40からのアウトガス)が、ベント部10v、第1中間キャビティ10d、第2中間キャビティ10f、吸引部10e及び吸引経路20pを介して、排出される。吸引部10eは、例えば気体吸引部である。内部の気体が排出されたキャビティ部10cに樹脂40が導入される。この例では、吸引経路20pは、第2金型20に設けられている。実施形態において、吸引経路20pは、第1金型10に設けられても良い。

0020

樹脂40は、金型10Mに設けられたポット部23を介して導入される。この例では、ポット部23は、第2金型20に設けられている。実施形態において、ポット部23は、第1金型10に設けられても良い。ポット部23から樹脂40が充填される。

0021

実施形態において、トランスファ成型装置110は、金型10Mと、トランスファ部31と、を含む。この例では、プランジャ32が設けられている。この他、図示しない制御部が設けられても良い。制御部は、例えば、吸引部10eを介しての金型10M内の空間からの気体の排出の制御、及び、トランスファ部31の動作に基づく樹脂40の金型10M内の空間への導入の制御を行う。

0022

ポット部23の少なくとも一部は、例えば、筒状である。ポット部23の内部にプランジャ32が配置される。プランジャ32の端部に樹脂40が配置される。トランスファ部31は例えば、上下に(Z軸方向に沿って)可動である。トランスファ部31の動きにより、プランジャ32が移動し、樹脂40が金型10M内(すなわち、第1金型10と第2金型20との間)に供給される。

0023

例えば、開閉部12が開状態において、樹脂40は、カル部10uに導入される。カル部10uを通過した樹脂40はランナ10rを通過してゲート部10gに到達する。その後、樹脂40は、キャビティ部10cに導入される。例えば、樹脂40がベント部10vを通過して、第1中間キャビティ10d及び第2中間キャビティ10fに到達したときに、開閉部12が、閉状態とされる。キャビティ部10c、ベント部10v、第1中間キャビティ10d及び第2中間キャビティ10fは、略密閉空間となり、これらの各部内に、高い圧力により樹脂40が充填される。ここで、略密閉空間とは、開閉部12が可動となるために必要な開閉部12と第1金型10との間隙等、金型10Mの構成部品間微小な隙間を許容することを意味する。

0024

このように、実施形態に係る金型10M(この例では、第1金型10)は、基板クランプ面11と、キャビティ部10cと、吸引部10eと、ベント部10vと、第1中間キャビティ10dと、第2中間キャビティ10fと、開閉部12と、を含む。基板クランプ面11は、被処理基板71の表面71aと接する(図2(b)参照)。キャビティ部10cは、基板クランプ面11から後退している(図2(a)参照)。吸引部10eは、基板クランプ面11から後退している(図2(a)参照)。

0025

ベント部10vは、キャビティ部10cと吸引部10eとの間の経路10p上に設けられる(図1及び図2(a)参照)。ベント部10vは、キャビティ部10cと連結され、キャビティ部10c内の気体の排出経路となる。キャビティ部10cは、基板クランプ面11からベント部深さDcで後退している(図2(a)参照)。

0026

第1中間キャビティ10dは、経路10p上において、ベント部10vと吸引部10eとの間に設けられる(図1及び図2(a)参照)。第1中間キャビティ10dは、ベント部10vと連結されている、第1中間キャビティ10dは、基板クランプ面11から後退している。第1中間キャビティ10dは、第1幅W1(図1参照)を有する。第1幅W1は、吸引部10eとキャビティ部10cとを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で、基板クランプ面11に沿う方向(X−Y平面内の1つの方向)の幅である。この例では、第1幅W1は、X軸方向の長さである。第1中間キャビティ10dは、第1中間キャビティ深さDdで、基板クランプ面11から後退している(図2(a)参照)。この例では、第1中間キャビティ深さDdは、ベント部深さDvよりも深い。

0027

第2中間キャビティ10fは、経路10p上において、第1中間キャビティ10dと吸引部10eとの間に設けられる(図1及び図2(a)参照)。第2中間キャビティ10fは、第1中間キャビティ10dと連結される。第2中間キャビティ10fは、基板クランプ面11から後退している。第2中間キャビティ10fは、第2幅W2(図1参照)を有する。第2幅W2は、吸引部10eとキャビティ部10cとを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で、基板クランプ面11に沿う方向(X−Y平面内の1つの方向)の幅である。この例では、第2幅W2は、X軸方向の長さである。実施形態において、第2幅W2は、第1幅W1よりも狭い。第2中間キャビティ10fは、第2中間キャビティ深さDfで、基板クランプ面11から後退している。第2中間キャビティ深さDfは、ベント部深さDvよりも深い(図2(a)参照))。

0028

開閉部12(例えばシャットオフピン)は、経路10p上において、第2中間キャビティ10fと吸引部10eとの間に設けられる。開閉部12は、例えば、上下動作及び回転動作の少なくともいずれかを行う。これにより、開閉部12は、第2中間キャビティ10fと吸引部10eとの間の連通部分を開閉可能である。

0029

例えば、浅いベント部10vを設け、上記の深い中間キャビティを設けない第1参考例がある。第1参考例において、開閉部12を開状態として、樹脂40を金型10Mのキャビティ部10cに導入し、ベント部10vを通過した後に開閉部12を閉状態として、樹脂40に高い圧力を印加する。開閉部12において開状態から閉状態への切り替えのタイミングが不適切な場合は、例えば、樹脂40の未充填、または、樹脂40の漏れが生じる。この参考例においては、成型性が不十分な場合がある。

0030

これに対して、実施形態においては、中間キャビティ(第1中間キャビティ10d及び第2中間キャビティ10f)が設けられる。例えば、第2中間キャビティ深さDfは、ベント部深さDvよりも深くされる。これにより、例えば、ベント部10vを通過した樹脂40の速度が、第2中間キャビティ10fにおいては、遅くなる。これにより、適正な成型状態が得るための開閉部12の切り替えのタイミングのマージンが拡大する。例えば、樹脂40の未充填、または、樹脂40の漏れが抑制できる。実施形態によれば、成型性が良好な金型を提供できる。

0031

浅いベント部10vを設け、上記のような第1中間キャビティ10d及び第2中間キャビティ10fを設けない第1参考例において、浅いベント部10vにおいては、経路の断面積が小さいため、ベント部10vを介してのキャビティ部10c内の減圧が不十分になる場合がある。例えば、キャビティ部10cにおいて、排気局所的となりやすい。例えば、キャビティ部10c内の位置によって脱気が不十分になる場合がある。このため、キャビティ部10cへの樹脂40の充填性が部分的に悪くなる場合がある。

0032

一方、浅いベント部10vを設け、1種類の中間キャビティ(例えば幅が狭い第2中間キャビティ10f)を設けない第2参考例がある。中間キャビティの幅が狭いので、例えば、排気が局所的となりやすく、キャビティ部10c内の位置によって脱気が不十分になる場合がある。このため、キャビティ部10cへの樹脂40の充填性が部分的に悪くなる場合がある。

0033

実施形態においては、浅いベント部10vに加えて、幅が広い第1中間キャビティ10dと、幅が狭い第2中間キャビティ10fと、が設けられる。幅が広い第1中間キャビティ10dにおいて、内部の気圧が面内で均一になり易い。これにより、キャビティ部10cの内部の均一な脱気が容易になる。これにより、面内で充填性が均一に良好にできる。実施形態によれば、成型性が良好な金型を提供できる。

0034

実施形態において、例えば、第2幅W2は、第1幅W1の1/100倍以上1/5倍以下が好ましい。1/100倍未満の場合、第2幅W2が過度に狭くなり、例えば脱気が困難になる。1/5倍を超えると、第2幅W2が過度に広くなり、例えば、樹脂の漏れが生じやすくなる。

0035

実施形態において、第1中間キャビティ10dの第1中間キャビティ深さDdは、ベント部深さDvよりも深いことが好ましい。これにより、例えば、ベント部10vを通過した樹脂40の速度が、第2中間キャビティ10fにおいては、遅くなる。これにより、適正な成型状態が得るための開閉部12の切り替えのタイミングのマージンが拡大する。例えば、樹脂40の未充填、または、樹脂40の漏れが抑制できる。

0036

実施形態において、ベント部10vの第3幅W3(図2(a)参照)は、第2中間キャビティ10fの第2幅W2よりも広いことが好ましい。第3幅W3は、吸引部10eとキャビティ部10cとを結ぶ最短距離経路に対応した線分に対して垂直で、基板クランプ面11に沿う方向(X−Y平面内の1つの方向)の幅である。この例では、第3幅W3は、X軸方向の長さである。第3幅W3が第2幅W2よりも広いことで、キャビティ部10cからの脱気が効率的に行われる。例えば、第3幅W3は、第1幅W1と実質的に同じでも良い。

0037

実施形態において、例えば、第2幅W2は、第3幅W3の1/100倍以上1/5倍以下が好ましい。1/100倍未満の場合、第2幅W2が過度に狭くなり、例えば脱気が困難になる。1/5倍を超えると、第2幅W2が過度に広くなり、例えば、樹脂の漏れが生じやすくなる。

0038

実施形態において、ゲート部10gが設けられる場合、ゲート部10gは、ベント部10vの深さよりも深くされる。すなわち、金型10M(第1金型10)は、基板クランプ面11からゲート部深さDgで後退したゲート部10gをさらに含む(図2(a)参照)。ゲート部10gとベント部10vとの間の少なくとも一部にキャビティ部10cが設けられる。ベント部深さDvは、ゲート部深さDgよりも浅い。

0039

以下、トランスファ成型装置110の動作の例について説明する。
図3図7は、実施形態に係る金型を用いたトランスファ成型装置の動作を例示する工程順の模式的断面図である。
図3に示すように、第1金型10と第2金型20との間に、被処理物70を配置して、これらの金型を閉じる。そして、これらの金型の間の空間を減圧する。

0040

図4に示すように、トランスファ部31の駆動により、プランジャ32が上方に移動する。これにより、樹脂40は、キャビティ部10c内に供給される。

0041

図5に示すように、樹脂40がキャビティ部10c及びベント部10vを通過して、第1中間キャビティ10dに到達する。さらに、樹脂40は、第2中間キャビティ10fに到達する。

0042

図6に示すように、この状態を検出し、開閉部12(シャットオフピン)を閉状態とする。

0043

図7に示すように、開閉部12が閉状態において、樹脂40をさらに供給する。樹脂40は、第2中間キャビティ10fに充填される。高い充填圧力を加えながら、樹脂40を熱硬化させる。

0044

例えば、コストダウンを目的として、TSVを含むチップ積層間のギャップに充填しているアンダーフィル樹脂廃止し、モールド樹脂一括充填することが考えられる。例えば、金型のキャビティ内を減圧しながら樹脂を充填し、充填完了直前でシャットオフピンを作動させる方法がある。しかしながら、狭いギャップを充填するために樹脂の粘度を低下させた場合には、このような方法を用いても、樹脂漏れまたは未充填が発生し易い。 実施形態においては、シャットオフピン手前で、樹脂をせき止める部分(ベント部10v)を設けることで、シャットオフピンが作動するのを遅延させることができる。そして、ベント部10vとシャットオフピンとの間に、第1中間キャビティ10d及び第2中間キャビティ10fを設けることで、チャットオフピンの動作のタイミングのマージンを広げることができる。そして、幅が広い第1中間キャビティ10dと、幅が狭い第2中間キャビティ10fを設けることで、キャビティ部10cの内部の均一な脱気が容易になる。これにより、面内で充填性が均一に良好にできる。

0045

図8は、実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。
図8に示すように、実施形態に別の金型10Maにおいても、第1中間キャビティ10d、第2中間キャビティ10f、吸引部10e及び開閉部12が設けられている。金型10Maにおいては、第3幅W3は、第1幅W1よりも広い。これ以外は、金型10Mと同様である。金型10Maにおいても、第2幅W2は、第1幅W1よりも狭い。金型10Maにおいても、良好な成型性が得られる。

0046

図9は、実施形態に係る金型を例示する模式的平面図である。
図9に示すように、実施形態に別の金型10Mbにおいても、第1中間キャビティ10d、第2中間キャビティ10f、吸引部10e及び開閉部12が設けられている。金型10Mbにおいては、1つのキャビティ部10cに対して、複数の吸引部10e及び複数の第2中間キャビティ10fが設けられている。そして、第1中間キャビティ10d、複数の第2中間キャビティ10fのそれぞれに設けられている。金型10Mbにおいても、第3幅W3は、第1幅W1よりも広い。これ以外は、金型10Mと同様である。金型10Mbにおいても、第2幅W2は、第1幅W1よりも狭い。金型10Mbにおいても、良好な成型性が得られる。

0047

上記の金型10M、10Ma及び10Mbにおいて、第2中間キャビティ10fから第1中間キャビティ10dに向けた方向において、幅が拡大しても良い。幅は、連続的に拡大しても良い。

0048

実施形態によれば、成型性が良好な金型を提供できる。

0049

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、金型に含まれるキャビティ部、ベント部、中間キャビティ、吸引部、基板クランプ部及び開閉部、並びに、トランスファ成型装置に含まれるトランスファ部、センサ部及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

0050

また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

0051

その他、本発明の実施の形態として上述した金型を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての金型も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

0052

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

0053

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

0054

10…第1金型、 10M、10Ma、10Mb…金型、 10a…主面、 10c…キャビティ部、 10d…第1中間キャビティ、 10e…吸引部、 10f…第2中間キャビティ、 10g…ゲート部、 10p…経路、 10r…ランナ、 10u…カル部、 10v…ベント部、 10x…中間ベント部、 11…基板クランプ面、 12…開閉部、 12d…駆動部、 20…第2金型、 20a…主面、 20p…吸引経路、 23…ポット部、 31…トランスファ部、 32…プランジャ、 40…樹脂、 70…被処理物、 71…被処理基板、 71a…表面、 72…半導体チップ、 110…トランスファ成型装置、 AA…矢印、 Dc…ベント部深さ、 Dd…第1中間キャビティ深さ、 Df…第2中間キャビティ深さ、 Dg…ゲート部深さ、 Dv…ベント部深さ、 PA…一部、 W1〜W3…第1〜第3深さ

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ