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技術 アルミニウムからなる金属化基板の製造方法

出願人 アー.ベー.ミクロエレクトロニクゲゼルシャフトミトベシュレンクテルハフツング
発明者 バーンズ,ロバートクリストファーツスラー,ウォルフガングヘーゲル,バーン
出願日 2017年3月28日 (3年7ヶ月経過) 出願番号 2017-062575
公開日 2017年8月31日 (3年2ヶ月経過) 公開番号 2017-150084
状態 特許登録済
技術分野 その他の表面処理
主要キーワード 電力エレクトロニクス 金属化基板 搬送コン 無機構成成分 焼結ペースト 高純度アルミニウム合金 電流ケーブル 有機構成成分
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2017年8月31日)のものです。
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図面 (3)

課題

アルミニウム及び/又はアルミニウム合金からなる基板表面のはんだ付けを可能にする方法の提供。

解決手段

導電ペースト3が基板1の表面2の少なくとも幾らかの領域に塗布される。第1の焼成段階(B1)において、導電ペーストがほぼ連続的に上昇する焼成温度に曝され、その焼成温度は約660℃未満の設定可能な最高焼成温度に上昇され、第2の焼成段階(B2)において、導電ペーストは設定可能な時間、前記の設定可能な最高焼成温度に実質的に曝される。冷却段階において、導電ペーストは冷却される。後処理段階において、導電ペーストの表面4は、好適にはブラシ処理によって機械的に後処理される基板表面2のはんた付けを可能にする方法。

概要

背景

材料アルミニウムは、特に電力エレクトロニクスの分野では重要度が増大している。比較的に軽量で安価であるため、アルミニウムは例えば電力エレクトロニクスモジュール(例えばLED、IGBTまたはMOSFET)のような電子部品のための冷却体として頻繁に利用されており、または特に電流またはバスバーとして、電流搬送コンダクタ導線)として直接的にも利用されている。これらの利用目的のため、アルミニウムは、約235W/(m・K)である非常に高レベル熱伝導性と、約37×106A/(V・m)である非常に高レベルの導電性の両方を有している。アルミニウムの化学特徴は、アルミニウム本体の表面での酸化プロセスの結果として、空気との接触によって非常に急速に形成し、大気中の酸素との接触によって形成される薄い酸化層にある。この酸化層は確かに、腐食防止性を提供するが、一方、はんだ付け溶接またはその他の公知の接続手法による他の材料へのアルミニウムの接続において困難を生じさせる。

概要

アルミニウム及び/又はアルミニウム合金からなる基板表面のはんだ付けを可能にする方法の提供。導電ペースト3が基板1の表面2の少なくとも幾らかの領域に塗布される。第1の焼成段階(B1)において、導電ペーストがほぼ連続的に上昇する焼成温度に曝され、その焼成温度は約660℃未満の設定可能な最高焼成温度に上昇され、第2の焼成段階(B2)において、導電ペーストは設定可能な時間、前記の設定可能な最高焼成温度に実質的に曝される。冷却段階において、導電ペーストは冷却される。後処理段階において、導電ペーストの表面4は、好適にはブラシ処理によって機械的に後処理される基板表面2のはんた付けを可能にする方法。

目的

本発明の目的は、主にアルミニウムおよび/またはアルミニウム合金を含んで成る金属化基板の改良された製造方法を提供する

効果

実績

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請求項1

金属化基板(1)の製造方法であって、該基板(1)は、アルミニウムおよび/またはアルミニウム合金からなる、方法において、金属粉末無機粉末有機結合剤および溶解剤を少なくとも含む導電ペースト(3)が、前記基板(1)の表面(2)に少なくとも領域的に塗布され、第1の焼成段階(B1)において、前記導電ペースト(3)は、連続的に上昇する焼成温度(T)に曝され、ここで該焼成温度(T)は、少なくとも一時的に40℃/分〜60℃/分の上昇速度で、660℃未満の設定可能な最高焼成温度(Tmax)に上昇され、第2の焼成段階(B2)において、前記導電ペースト(3)は設定可能な時間(tB)、前記設定可能な最高焼成温度(Tmax)に曝され、冷却段階(A)において、前記導電ペースト(3)は冷却され、そして、後処理段階において、前記導電ペースト(3)の表面(4)は機械的に後処理される、ことを特徴とする方法。

請求項2

前記導電ペースト(3)は、スクリーン印刷プロセスによって前記基板(1)の表面(2)に塗布されることを特徴とする請求項1に記載の方法。

請求項3

前記金属粉末としての銅粉末を含む前記導電ペースト(3)が使用され、かつ、設定可能な前記最高焼成温度(Tmax)が548℃であることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。

請求項4

前記金属粉末としての銀粉末を含む前記導電ペースト(3)が使用され、かつ、設定可能な前記最高焼成温度(Tmax)が565℃であることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。

請求項5

設定可能な前記最高焼成温度(Tmax)が580℃であることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。

請求項6

前記無機粉末として、PbO−B2O3−SiO2系のガラス、および/または、Bi2O3を含有するガラスを含む導電ペースト(3)が使用される、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。

請求項7

前記第1の焼成段階(B1)に先立ち、前記導電ペースト(3)は、乾燥段階で、80℃〜200℃の温度乾燥される、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。

請求項8

前記第1の焼成段階(B1)に先立ち、前記導電ペースト(3)は、乾燥段階で、100℃〜150℃の温度で乾燥される、ことを特徴とする請求項7に記載の方法。

請求項9

前記第1の焼成段階(B1)に先立ち、前記導電ペースト(3)は、5分間〜20分間乾燥される、ことを特徴とする請求項7又は8のいずれか一項に記載の方法。

請求項10

前記第1の焼成段階(B1)および/または前記第2の焼成段階(B2)における前記導電ペースト(3)の少なくとも焼成焼成炉内で実行され、前記焼成温度(T)が前記焼成炉内において支配的である、こと特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。

請求項11

前記導電ペースト(3)の焼成が前記第2の焼成段階(B2)において5分間〜30分間実行される、ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。

請求項12

前記第2の焼成段階(B2)において前記設定可能な最高焼成温度(Tmax)は一定に保たれる、ことを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。

請求項13

前記第1の焼成段階(B1)および/または前記第2の焼成段階(B2)において前記導電ペースト(3)は、窒素を含んだ保護ガス雰囲気に曝される、ことを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。

請求項14

前記冷却段階(A)において、前記焼成温度(T)は少なくとも一時的に、20℃/分〜40℃/分の下降速度で低下される、ことを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。

請求項15

前記冷却段階(A)において、前記焼成温度(T)は少なくとも一時的に、30℃/分の下降速度で低下される、ことを特徴とする請求項14に記載の方法。

請求項16

前記導電ペースト(3)が10μm〜100μmの厚みで前記基板(1)の表面(2)に塗布される、ことを特徴とする請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法。

請求項17

前記後処理段階において、前記導電ペースト(3)の表面(4)がブラシ処理されることを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。

技術分野

0001

本発明は、金属化基板の製造方法に関し、この基板は、少なくとも部分的に、好適には全体的にアルミニウムおよび/またはアルミニウム合金を含んで成るものである。

背景技術

0002

材料アルミニウムは、特に電力エレクトロニクスの分野では重要度が増大している。比較的に軽量で安価であるため、アルミニウムは例えば電力エレクトロニクスモジュール(例えばLED、IGBTまたはMOSFET)のような電子部品のための冷却体として頻繁に利用されており、または特に電流またはバスバーとして、電流搬送コンダクタ導線)として直接的にも利用されている。これらの利用目的のため、アルミニウムは、約235W/(m・K)である非常に高レベル熱伝導性と、約37×106A/(V・m)である非常に高レベルの導電性の両方を有している。アルミニウムの化学特徴は、アルミニウム本体の表面での酸化プロセスの結果として、空気との接触によって非常に急速に形成し、大気中の酸素との接触によって形成される薄い酸化層にある。この酸化層は確かに、腐食防止性を提供するが、一方、はんだ付け溶接またはその他の公知の接続手法による他の材料へのアルミニウムの接続において困難を生じさせる。

先行技術

0003

(特になし)

発明が解決しようとする課題

0004

従って本発明の目的は、主にアルミニウムおよび/またはアルミニウム合金を含んで成る金属化基板の改良された製造方法を提供することにある。特に本発明は、基板との電気的接触を提供できるよう、基板表面のはんだ付けを可能にすることを目的としている。

課題を解決するための手段

0005

本発明によれば、この目的は請求項1の特徴によって達成される。本発明のその他の有利な形態は、従属請求項において述べられている。

0006

従って、本発明によれば、第1の焼成段階において、導電ペーストが基板表面に少なくとも領域的(部分的)に適用され、導電ペーストが実質的に連続的に上昇する焼成温度に曝され、その焼成温度は、約660℃未満の設定可能な最高焼成温度であり、第2の焼成段階において、導電ペーストは設定可能な時間、設定可能な最高焼成温度に実質的に曝され、冷却段階において、導電ペーストは冷却され、後処理段階において、導電ペーストの表面は、好適にはブラシ処理によって機械的に後処理される。

0007

基板、特にアルミニウム基板の表面は、そのような特定の方法によって確実に金属化できる。その特定の方法によって導電ペーストが適用され、その方法に従って焼結された領域は、その領域の基板の酸化表面の代わりに、基板に支配的な電気的接触を提供する。導電ペーストの適用および焼結によって少なくとも領域的に達成される導電層は、例えば電子部品をそこにはんだ付けすること、または冷却体へのはんだ付けなどにも結果的に利用することができ、強調すれば、冷却体自体はアルミニウムを含んで成ることができる。

0008

この場合には、基板は少なくとも部分的におよび好適には完全に、可能な限り高いアルミニウムの割合で、アルミニウム材料を含むことができる。好適にはアルミニウム材料は、欧州基準EN 573による、EN AW−1050AまたはEN AW−1060Aが使用され、少なくとも99.5重量%または99.6重量%のアルミニウムを含んでいる。上述の実質的に純粋なアルミニウム材料と比較して、いく分か低い液相温度および低い熱伝導性にもかかわらず、例えば、EN−AW3003(AlMn1Cu)、EN AW−3103(AlMn1)、EN AW−5005(AlMg1)またはEN AW−5754(AlMg3)などのマンガンまたはマグネシウムなどを含んだアルミニウム合金を使用することも可能である。

0009

本発明の方法は、アルミニウムベースの基板の表面の個々の領域を選択的に金属化する可能性を提供し、金属化領域は、関与する材料同士の接着結合によって直接的に焼結された導電ペーストの形態で基板に結合され、このようにして、導電ペーストの基板への、およびその逆の、高い導電性および高い熱伝導性を達成することが可能である。金属化領域は、追加的にはんだ付け可能な領域を提供し、それによって基板は公知のやり方で別な部品に結合できる。このようにして、例えば個別の電子部品を、共晶系であるSn−Pb−ハンダ、Sn−Ag−Cu−ハンダ、またはSn−Au−ハンダなどの従来のはんだ付け剤を用いて金属化領域にはんだ付けできる。

0010

改善された熱放出のため、高電力LEDモジュールまたは電力エレクトロニクスモジュールなどの部品も、中間に絶縁誘電層を使用せずに、また高価な銀ベース熱伝導性ペーストを使用せずに、金属化領域によってアルミニウム基板上にポテンシャルフリー接続ではんだ付けでき、よって全体的にさらに低レベル熱抵抗性を達成できる。減少された熱抵抗性と増加した熱伝導性によって、基板に結合される部品の構造的サイズが減少でき、あるいはそれらはより高い電力搬送性を提供する。従来のはんだ付け剤(前述)を、金属化領域への部品のはんだ付けに利用することができる。よって、健康に有毒ハロゲンやその他の物質を含むことが多い特殊なアルミニウムはんだ付け剤を使用しないことが可能である。

0011

本発明の方法の利用の別な領域は、そこに接続される電流ケーブルへの接続の確実性を向上させるためのアルミニウム電流バスバー(bus bars)の金属化である。銅ベースの導電ペーストでのアルミニウムバスバーの表面の金属化は、特に、そこに接続される銅電ケーブルとの金属間放散現象および電気化学的反応を防止することを可能にする。

0012

特に好適な実施態様によれば、導電ペーストは、スクリーン印刷プロセスによって基板表面に適用(塗布)される。スクリーン印刷技術は、基板に導電トラック(路)を創出するための確立されたプロセスである。電力エレクトロニクスの分野では、いわゆる“絶縁金属基板”(insulated metal substrate)(IMS)が基板として頻繁に利用されており、これはアルミニウムのコアを含んでおり、電気絶縁層または誘電層によって包まれている。アルミニウムのコアはこの場合には向上した熱伝導性のために利用される。例えばスクリーン印刷などによって絶縁層に適用される導電トラック自体は、この場合にはアルミニウムのコアと電気的に接触しない。

0013

しかしながら、本発明の目的の一つは、その基板自体と共に、基板上に配置された導電トラックとの直接電気的接触を達成することにある。これは導電トラックまたは導電表面が、それらの間に絶縁層を提供する必要なく、本発明の方法によって基板上に直接配置できる限り可能である。関与する材料の接着結合を含む接続は、焼結された導電ペーストおよび基板との間で達成され、それによって焼結された導電ペーストは電気的および熱的に基板と直接接触する。この点において、従来の厚い層ペーストまたは焼結ペーストの形態の導電ペーストが利用できる。厚層ペーストの多孔性のため、導電ペーストおよび基板の異なる程度の熱拡散性補正することが可能であり、それによって、導電ペーストと基板との間の結合の確実性を、特に例えば自動車分野における主な周期的熱応力の場合において向上することができる。

0014

層を基板上に構築するスクリーン印刷プロセスの追加的な性質は、基板表面の金属化のために曝露およびエッチングプロセスを利用せずとも可能であることを意味しており、これは本発明の方法にとってコスト的な利益となる。

0015

厚層の導電ペーストは、通常、導電剤としての金属粉末と、接着剤としての無機粉末(例えばガラスフリット)と、有機結合剤と、溶解剤とを少なくとも含んでいる。有機結合剤および溶解剤は所与流動特性を有するペースト状粘稠物を提供するが、その特性は、導電ペーストの別な構成成分によっても影響を受ける。

0016

この導電性金属粉末の構成成分に関しては、好適には銅粉末を含む導電ペーストが使用される。しかしながら、銀および/または金の粉末を含む導電ペーストを使用することも可能である。しかしながら、この点において、銅粉末の利用は大幅に安価である。

0017

無機粉末の構成成分に関しては、好適には、PbO−B2O3−SiO2物質から成るガラス、および/または、Bi2O3を含むガラスを含む導電ペーストが使用される。このようにして本発明の方法の焼結プロセス中に、この状況で支配的な比較的低い焼成温度にもかかわらず、導電ペーストの基板への非常に良好な接着を達成することが可能である。

0018

導電ペーストが、例えば従来技術で知られたスクリーン印刷プロセスなどの印刷によって適用された後に、言及する程の流出がなく、その流動特性によって導電ペーストは実質的にその対応する領域に留まる。焼成または焼結のために最適な状態で基板の表面に適用される導電ペーストを調製するため、第1の焼成段階に先立ち、導電ペーストは乾燥段階で、約80℃〜約200℃の温度で、好適には100℃〜150℃の温度で、好適には約5分間から約20分間乾燥される。この乾燥段階のため、導電ペースト内に存在する溶剤がほぼ完全に放散される。この点において、例えば赤外線または熱風乾燥などの知られた乾燥方法は好ましい。この乾燥プロセスと、導電ペースト内の溶剤の関連した放散とによって、導電ペーストの体積がある程度縮小する。しかしながら、それに対応して厚層に導電ペーストを塗布することによって前もってそれに対処することが容易に可能である。

0019

本発明の方法の第1および/または第2の焼成段階における導電ペーストの焼成および焼結は、好適には、その中で焼成温度を支配する焼成炉内で実行できる。乾燥段階および/または冷却段階も焼成炉内で実行できることは理解されよう。好適には、この場合にはコンベヤ装置を備えた焼成炉を利用できる。

0020

基板と導電ペーストの利用される材料の組み合わせに応じて、適切な焼成形態が利用できる。特別な変更例では、第1の焼成段階で焼成温度は少なくとも一時的に約40℃/分〜約60℃/分(の上昇速度)で上昇する。第1の焼成段階で焼成温度は、約580℃の、好ましくは約565℃の、特に好ましくは約548℃の最高焼結温度に上昇させることもできる。

0021

約400℃〜約450℃の範囲を超えての導電ペーストの加熱は、例えば有機結合剤などのその中の全ての有機構成成分が実質的に完全に溶解し、無機構成成分(例えばガラス粉末またはガラスフリットなど)が軟化するという結果を導く。さらに、金属粉末焼成プロセスはこれらの温度で開始する。導電ペーストの軟化されたガラス構成成分はさらに、基板上での導電ペーストの良好な接着をもたらす。

0022

最高焼成温度は、約660℃であるアルミニウムの溶融温度融点)によって基本的には制限される。銀ベースの導電ペーストを利用するとき、最高焼成温度は好適には約565℃であり、一方、銅ベースの導電ペーストを利用するときには、最高焼成温度は好適には約548℃である。これらの温度は、その場合に生じる共晶系のアルミニウム−銅またはアルミニウム−銀の合金の融点に由来する。

0023

それぞれの最高焼成温度に関しては、適切なガラス構成成分が導電ペーストのために選択されるべきであり、これらの構成成分の対応するガラス転移温度(TG)または融点(TS)はこの最高焼成温度に適応されている。それに合わせて、対応する導電ペーストのガラス構成成分のガラス転移温度または融点は、基板への導電ペーストの最適な接着を確実にするため、適度に特定の最高焼成温度以下にすべきである。特に、PbO−B2O2−SiO2系からのガラスまたはBi2O3を含むガラスが適している。

0024

第2の焼成段階において導電ペーストの焼成が約5分間〜約30分間で実行されると特に有利であることが証明されている。基本的に、(最高焼成温度での)第2の焼成段階での実行時間が長いほど、それに応じてさらに密度の高い導電ペーストが焼結され、よって、さらなるプロセス(例えばはんだ付けおよび溶接)のためのさらに良好な特性が提供される。第2の焼成段階において処理時間が過剰に長いと、典型的な焼成炉内での転移時間が対応して長くなり、全体的な処理能力に不利な影響を及ぼす可能性がある。

0025

別な有利な変更例では、設定可能な最高焼成温度は、第2の焼成段階において実質的に一定に保たれる。

0026

更に、好ましくは、第1の焼成段階および/または第2の焼成段階における導電ペーストは、窒素を含んだ保護ガス雰囲気に曝される。保護ガス雰囲気(例えば窒素)は、導電トラック材料の酸化を防止するため、(焼成段階によっては、数ppm程度の残留酸素が存在する可能性がある)銅の導電トラックペーストの焼成に有利である。そのような材料の有機結合剤またはその導電ペーストは、この場合には、窒素雰囲気下で還元されると考えられる。一方、酸化による導電トラック表面の深刻な損傷に関与しないため、銀の導電トラックペーストのためには従来の空気雰囲気(大気)が有利でありえる。この場合に利用される有機結合剤は空気中の酸素によって酸化され得る。

0027

本発明の一好適実施形態では、冷却段階において、焼成温度は少なくとも一時的に、約20℃/分〜約40℃/分の下降速度で、好ましくは約30℃/分の下降速度で低下される。好適には、この場合には、冷却は常温(室温)で実行される。使用される材料の熱膨張率が異なるため、冷却が遅いほど、対応して導電ペーストと基板との間の接続に対する機械的な影響も減少する。

0028

その時に支配的な高温によって焼成または焼結プロセス中に発生する焼結された導電ペーストの典型的な酸化のため、例えば引き続き行われるはんだ付けまたは溶接プロセスなどの別なプロセスを可能にするために、冷却ステップの後で、導電ペーストの表面は適切に機械的後処理される。

0029

一好適実施形態によれば、導電ペーストが約10μm〜約100μmの厚みで基板の表面に塗布できる。10μm未満の厚みまたは100μmより厚い厚みの導電ペーストを基板の表面に塗布することも可能であることは理解されよう。本発明の方法は、結果として全体的な導電ペーストの厚みを増加させるため、連続して複数回実行することもできる。

0030

本発明の更なる詳細や利点は、以下の具体的な説明によって解説される。

図面の簡単な説明

0031

図1は、基板上に配置された導電ペーストを備えた基板の断面図である。
図2は、本発明の方法の一実施例における時間に対する焼成温度の焼成特性を示す(グラフ)。

実施例

0032

図1は、本発明の方法を実行した後の、ほぼ純粋なアルミニウム、又は、高純度アルミニウム合金の基板1の断面図である(縮尺率度外)。この場合には、基板1は例えば欧州基準EN 573による、EN AW−1050Aのアルミニウム材料を含んで成るが、これは少なくとも99.5重量%のアルミニウムを含んでいる。基板1は、約2mmの厚みDSであり、実質的に平坦な表面2を有している。一般的に基板1は少なくとも1mmの厚みDSでよいが、理にかなった最大の厚みDSは、基板1のさらなる加工によって制限される可能性がある。

0033

銅ベースの導電ペースト3が、スクリーン印刷プロセスによって基板1の表面2に塗布された。すなわち使用された導電ペースト3は導電性構成成分として銅粉末を含んでいる。導電ペースト3を備えた基板1は、はんだ付け可能なアルミニウム基板1を得るために、図2の焼成特性を用いて本発明の方法に従って処理された。本発明の方法を用いた後の焼成または焼結された導電ペースト3の厚みDLは、本実施例では約35μmである。焼成または焼結された導電ペーストの厚みDLは、銅の導電トラックペーストの場合には例えば約20μm〜約40μmの間でよく、銀の導電トラックペーストの場合には例えば約10μm〜約20μmの間でよい。本発明の方法で焼成または焼結された導電ペースト3のはんだ付け特性を向上させるため、焼結された導電ペースト3の表面4は、例えばブラシ処理によって機械的に後処理された。

0034

図2は、本発明の方法として想定可能な焼成特性を示している。この点において、この図は、焼成炉内での時間に対する焼成温度Tの変化を表わしており、そこでは、第1の焼成段階B1、第2の焼成段階B2および冷却段階Aが実行された。第1の焼成段階B1では、約22℃の常温から開始して、焼成温度Tは連続的に、約542℃である設定可能な最高焼成温度Tmaxにまで上昇された。第1の焼成段階B1における焼成温度Tの時間に対する変化は、この場合には略直線部分を有する略S字形状であり、焼成温度Tは約46℃/分の速度(割合)RBで上昇された。

0035

設定可能な最高焼成温度Tmaxに到達した後、導電ペースト3及び基板1は第2の焼成段階B2において、約542℃である設定可能な最高焼成温度Tmaxに、約9分の設定可能な時間tB曝露されることで導電ペースト3は焼成または焼結された。

0036

引き続く冷却段階Aにおいて、焼成温度Tは連続的に低下され、そこでは焼成温度Tは略S字形状で時間に対して減少する。冷却段階Aにおける焼成温度Tの低下速度RAは、平均で約33℃/分であった。

0037

1基板
3導電ペースト
図2中の横軸の”t/min”は「時間/分」を意味する。

0038

[付記]原出願のPCT出願時のオリジナルクレーム
項目1)
金属化基板(1)の製造方法であって、該基板(1)は、少なくとも部分的に、好ましくは全体的に、アルミニウムおよび/またはアルミニウム合金を含んでなる、方法において、
導電ペースト(3)が前記基板(1)の表面(2)に少なくとも領域的に塗布され、
第1の焼成段階(B1)において、前記導電ペースト(3)は、ほぼ連続的に上昇する焼成温度(T)に曝され、ここで該焼成温度(T)は約660℃未満の設定可能な最高焼成温度(Tmax)に上昇され、
第2の焼成段階(B2)において、前記導電ペースト(3)は設定可能な時間(tB)、前記設定可能な最高焼成温度(Tmax)に実質的に曝され、
冷却段階(A)において、前記導電ペースト(3)は冷却され、そして、
後処理段階において、前記導電ペースト(3)の表面(4)は機械的に後処理され、好ましくはブラシ処理される、ことを特徴とする方法。
(項目2)
前記導電ペースト(3)は、スクリーン印刷プロセスによって前記基板(1)の表面(2)に塗布されることを特徴とする項目1に記載の方法。
(項目3)
銅粉末を含む前記導電ペースト(3)が使用されることを特徴とする項目1又は2に記載の方法。
(項目4)
PbO−B2O3−SiO2系のガラス、および/または、Bi2O3を含有するガラスを含む導電ペースト(3)が使用される、ことを特徴とする項目1〜3のいずれか一項に記載の方法。
(項目5)
前記第1の焼成段階(B1)に先立ち、前記導電ペースト(3)は、乾燥段階で、約80℃〜約200℃の温度、好ましくは100℃〜150℃の温度、特に好ましくは最高130℃の温度で、好適には約5分〜約20分間乾燥される、ことを特徴とする項目1〜4のいずれか一項に記載の方法。
(項目6)
前記第1の焼成段階(B1)および/または前記第2の焼成段階(B2)における前記導電ペースト(3)の少なくとも焼成は焼成炉内で実行され、前記焼成温度(T)が前記焼成炉内において支配的である、こと特徴とする項目1〜5のいずれか一項に記載の方法。
(項目7)
前記第1の焼成段階(B1)で前記焼成温度(T)は、少なくとも一時的に約40℃/分〜約60℃/分の上昇速度で上昇する、ことを特徴とする項目1〜6のいずれか一項に記載の方法。
(項目8)
前記第1の焼成段階(B1)で、前記焼成温度(T)は、約580℃の、好ましくは約565℃の、特に好ましくは約548℃の最高焼結温度(Tmax)に上昇される、ことを特徴とする項目1〜7のいずれか一項に記載の方法。
(項目9)
前記導電ペースト(3)の焼成が前記第2の焼成段階(B2)において約5分間〜約30分間実行される、ことを特徴とする項目1〜8のいずれか一項に記載の方法。
(項目10)
前記第2の焼成段階(B2)において前記設定可能な最高焼成温度(Tmax)はほぼ一定に保たれる、ことを特徴とする項目1〜9のいずれか一項に記載の方法。
(項目11)
前記第1の焼成段階(B1)および/または前記第2の焼成段階(B2)において前記導電ペースト(3)は、窒素を含んだ保護ガス雰囲気に曝される、ことを特徴とする項目1〜10のいずれか一項に記載の方法。
(項目12)
前記冷却段階(A)において、前記焼成温度(T)は少なくとも一時的に、約20℃/分〜約40℃/分の下降速度で、好ましくは約30℃/分の下降速度で低下される、ことを特徴とする項目1〜11のいずれか一項に記載の方法。
(項目13)
前記導電ペースト(3)が約10μm〜約100μmの厚みで前記基板(1)の表面(2)に塗布される、ことを特徴とする項目1〜12のいずれか一項に記載の方法。

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