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技術 光電変換素子の製造方法

出願人 株式会社FLOSFIA
発明者 廣木一亮香取重尊織田真也人羅俊実
出願日 2015年12月24日 (4年10ヶ月経過) 出願番号 2015-252321
公開日 2017年6月29日 (3年4ヶ月経過) 公開番号 2017-117955
状態 特許登録済
技術分野 光起電力装置
主要キーワード 層状部分 ペロブスカイト構造体 層状コバルト酸化物 電気化学重合 n型半導体 導電性物質層 有機導電体 有機無機複合材料
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (2)

課題

光応答性電気特性に優れた光電変換素子を工業的有利に製造する方法を提供する。

解決手段

正孔輸送層電気化学重合法によって形成する。そして、正孔輸送層上に、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層を積層する。ここで、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を積層する際に、金属酸化物とペロブスカイト結晶の前駆体との溶液を、前記正孔輸送層上に塗布し、ついで、アニールすることによってペロブスカイト結晶を形成する。

概要

背景

近年、安全で環境に対しよりクリーンであり、より安価なエネルギーが求められている。その一つとしてクリーンな発電技術である太陽光発電が注目を浴びており、新エネルギーとなりうる低価格太陽電池の開発は急務である。太陽光エネルギーは無尽蔵で、化石燃料のような枯渇心配がなく、また、CO2を増やす事もない。しかし、現在市販されている太陽電池は真空プロセスであるCVD、スパッタリング等を使用するために設備費がかさみ、さらなる低価格化が困難となっている。そこで、真空プロセス製膜のみに依拠せず、簡便に製造可能な光電変換装置の開発が求められている。

特許文献1には、感光層を、多孔質層の表面に、(ai)光吸収剤IおよびIIを含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する、(aii)前記光吸収剤IおよびIIのいずれか一方を含有する光吸収剤溶液を塗布後、他方の光吸収剤を含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する、または(b)前記光吸収剤IおよびIIのいずれか一方を含有する光吸収剤溶液を塗布後、正孔輸送材料からなる中間層を設け、さらに前記光吸収剤IおよびIIの他方を含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する光電変換素子の製造方法が記載されている。しかしながら、この方法では、ペロブスカイト結晶を形成するのに、スピンコート法乾燥処理が必要であり、得られた膜の膜厚均一性や膜の平坦性が乏しく、さらに膜中にピンホールなどが数多く発生してしまう問題があった。また、材料のロスが大きいことや、大判化が困難等の課題もあった。

概要

光応答性電気特性に優れた光電変換素子を工業的有利に製造する方法を提供する。正孔輸送層電気化学重合法によって形成する。そして、正孔輸送層上に、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層を積層する。ここで、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を積層する際に、金属酸化物とペロブスカイト結晶の前駆体との溶液を、前記正孔輸送層上に塗布し、ついで、アニールすることによってペロブスカイト結晶を形成する。なし

目的

本発明は、光応答性や電気特性に優れた光電変換素子を工業的有利に製造する方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
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牽制数
0件

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請求項1

正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。

請求項2

正孔輸送層が第1の電極上に設けられている請求項1記載の製造方法。

請求項3

正孔輸送層がポリチオフェン誘導体を主成分として含む請求項1または2に記載の製造方法。

請求項4

金属酸化物が、酸化チタンである請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。

請求項5

金属酸化物が、多孔質体である請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。

請求項6

ペロブスカイト結晶が、アニールにより形成される請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法。

請求項7

ペロブスカイト結晶が、結晶性半導体を主成分として含む請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法。

請求項8

ペロブスカイト結晶が、式:(RNH3)nPbX(2+n)(但し、Rは置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、nは1または2を示し、XはI、BrまたはClを示す。)で表される化合物を主成分として含む請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法。

請求項9

光電変換層を形成した後、前記光電変換層上に、電子輸送層を形成する請求項1〜8のいずれかに記載の製造方法。

請求項10

電子輸送層が、金属を主成分として含む請求項9記載の製造方法。

請求項11

電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層上に、第2の電極を形成する請求項9または10に記載の製造方法。

請求項12

請求項1〜11のいずれかに記載の製造方法により製造された光電変換素子。

請求項13

請求項12記載の光電変換素子を含む太陽電池

技術分野

0001

本発明は、太陽電池光センサー等に有用な光電変換素子の製造方法に関する。

背景技術

0002

近年、安全で環境に対しよりクリーンであり、より安価なエネルギーが求められている。その一つとしてクリーンな発電技術である太陽光発電が注目を浴びており、新エネルギーとなりうる低価格太陽電池の開発は急務である。太陽光エネルギーは無尽蔵で、化石燃料のような枯渇心配がなく、また、CO2を増やす事もない。しかし、現在市販されている太陽電池は真空プロセスであるCVD、スパッタリング等を使用するために設備費がかさみ、さらなる低価格化が困難となっている。そこで、真空プロセス製膜のみに依拠せず、簡便に製造可能な光電変換装置の開発が求められている。

0003

特許文献1には、感光層を、多孔質層の表面に、(ai)光吸収剤IおよびIIを含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する、(aii)前記光吸収剤IおよびIIのいずれか一方を含有する光吸収剤溶液を塗布後、他方の光吸収剤を含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する、または(b)前記光吸収剤IおよびIIのいずれか一方を含有する光吸収剤溶液を塗布後、正孔輸送材料からなる中間層を設け、さらに前記光吸収剤IおよびIIの他方を含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する光電変換素子の製造方法が記載されている。しかしながら、この方法では、ペロブスカイト結晶を形成するのに、スピンコート法乾燥処理が必要であり、得られた膜の膜厚均一性や膜の平坦性が乏しく、さらに膜中にピンホールなどが数多く発生してしまう問題があった。また、材料のロスが大きいことや、大判化が困難等の課題もあった。

先行技術

0004

特開2015−46585号公報

発明が解決しようとする課題

0005

本発明は、光応答性電気特性に優れた光電変換素子を工業的有利に製造する方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成するようにすれば、アニール処理だけで、良質なペロブスカイト結晶を容易に形成できることを知見し、さらに、このような方法が上記した従来の問題を一挙に解決できるものであることを見出した。
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて、本発明を完成させるに至った。

0007

すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
[1]正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
[2] 正孔輸送層が第1の電極上に設けられている前記[1]記載の製造方法。
[3] 正孔輸送層がポリチオフェン誘導体を主成分として含む前記[1]または[2]に記載の製造方法。
[4] 金属酸化物が、酸化チタンである前記[1]〜[3]のいずれかに記載の製造方法。
[5] 金属酸化物が、多孔質体である前記[1]〜[4]のいずれかに記載の製造方法。
[6] ペロブスカイト結晶が、アニールにより形成される前記[1]〜[5]のいずれかに記載の製造方法。
[7] ペロブスカイト結晶が、結晶性半導体を主成分として含む前記[1]〜[6]のいずれかに記載の製造方法。
[8] ペロブスカイト結晶が、式:(RNH3)nPbX(2+n)(但し、Rは置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、nは1または2を示し、XはI、BrまたはClを示す。)で表される化合物を主成分として含む前記[1]〜[7]のいずれかに記載の製造方法。
[9] 光電変換層を形成した後、前記光電変換層上に、電子輸送層を形成する前記[1]〜[8]のいずれかに記載の製造方法。
[10] 電子輸送層が、金属を主成分として含む請求項9記載の製造方法。
[11] 電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層上に、第2の電極を形成する前記[9]または[10]に記載の製造方法。
[12] 前記[1]〜[11]のいずれかに記載の製造方法により製造された光電変換素子。
[13] 前記[12]記載の光電変換素子を含む太陽電池。

発明の効果

0008

本発明の製造方法によれば、光応答性や電気特性に優れた光電変換素子が工業的有利に製造できる。

図面の簡単な説明

0009

実施例におけるアニール前後の様子を写真で示す図である。
実施例におけるXRDの結果を示す図である。

0010

本発明の光電変換素子の製造方法は、正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成することを特長とする。

0011

前記正孔輸送層は、通常、重合体(好ましくは導電性高分子)を含有する。前記正孔輸送層は、通常、光励起によって酸化されたペロブスカイト膜に電子を供給して還元し、光電変換層との界面で生じた正孔を第1の電極へ輸送する機能を有する。なお、正孔輸送層は、例えば、多孔質半導体層上に形成された層状部分だけでなく、多孔質半導体層の空隙内部にも充填されているのが好ましい。

0012

前記正孔輸送層の構成材料としては、例えば、セレンヨウ化銅(CuI)等の沃化物層状コバルト酸化物等のコバルト錯体、CuSCN、MoO3、NiO、有機ホール輸送材等が挙げられる。沃化物としては、例えば、ヨウ化銅(CuI)等が挙げられる。層状コバルト酸化物としては、例えば、AxCoO2(A=Li、Na、K、Ca、Sr,Ba;0≦X≦1)等が挙げられる。また、有機ホール輸送材としては、例えば、ポリ−3−ヘキシルチオフェン(P3HT)、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体、2,2’,7,7’−テトラキス−(N,N−ジ−p−メトキシフェニルアミン)−9,9’−スピロビフルオレン(spiro−MeO−TAD)等のフルオレン誘導体ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール誘導体トリフェニルアミン誘導体ジフェニルアミン誘導体ポリシラン誘導体ポリアニリン誘導体等が挙げられる。本発明においては、前記正孔輸送層が、ポリチオフェン誘導体を主成分として含むのが好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンを主成分として含むのがより好ましい。なお、前記主成分とは、層中の成分含有量が50質量%以上であればよく、好ましくは75質量%以上、より好ましくは90質量%以上である。

0013

前記正孔輸送層の形成方法は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段を用いることができる。前記正孔輸送層の形成手段としては、例えば、電気化学重合法等の公知の重合法、ミストCVD法スパッタ法、CVD法(気相成長法)、SPD法スプレー熱分解堆積法)、蒸着法、ALD(原子層堆積)法、塗布法(例えばディッピング滴下ドクターブレードインクジェットスピンコート刷毛塗りスプレー塗装ロールコーターエアーナイフコート、カーテンコート、ワイヤーバーコート、グラビアコートインクジェット塗布等)などが挙げられる。本発明においては、電気化学重合法にて正孔輸送層を形成するのが好ましい。

0014

本発明において、前記正孔輸送層は、第1の電極上に設けられているのが好ましい。

0015

第1の電極は、導電性を有するものであって、電極として機能するものであれば、その他については、特に限定されない。例えば、絶縁性材料であっても、正孔輸送層に面している側に導電性物質層が設けてあり、電極として使用可能であれば、これを第1の電極として用いることができる。本発明においては、第1の電極は、正孔輸送層との接触性が良いことが好ましい。第1の電極は、正孔輸送層との仕事関数の差が小さく、化学的に安定であることも好ましい。このような材料としては、特に限定されないが、金、銀、銅、アルミニウム白金ロジウムマグネシウムインジウム等の金属薄膜炭素カーボンブラック、導電性高分子、導電性の金属酸化物(インジウム−スズ複合酸化物酸化錫フッ素をドープしたもの等)などの有機導電体などが挙げられる。また、第1の電極の平均厚みもまた、特に限定されないが、約10〜1000nmであるのが好ましい。また、第1の電極の表面抵抗は、特に限定されないが、低いのが好ましく、具体的には、第1の電極の表面抵抗の範囲は、好ましくは80Ω/□以下であり、より好ましくは20Ω/□以下である。なお、第1の電極の表面抵抗の下限は、可能な限り低いことが好ましいため、特に限定されないが、0.1Ω/□以上であればよい。

0016

第1の電極の形成方法は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段を用いることができる。第1の電極の形成手段としては、例えば、ミストCVD法、スパッタ法やCVD法(気相成長法)、SPD法(スプレー熱分解堆積法)、蒸着法などが挙げられる。

0017

本発明においては、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成する。
前記光電変換層は、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含んでさえいれば特に限定されない。

0018

前記金属酸化物としては、例えば、周期表の第3族〜第15族のいずれかの金属元素を有する酸化物などが挙げられる。好ましい金属酸化物としては、例えば、ガリウムの酸化物、チタンの酸化物、スズの酸化物、亜鉛の酸化物、鉄の酸化物、タングステンの酸化物、ジルコニウムの酸化物、ハフニウムの酸化物、ストロンチウムの酸化物、インジウムの酸化物、セリウムの酸化物、イットリウムの酸化物、ランタンの酸化物、バナジウムの酸化物、ニオブの酸化物、またはタンタルの酸化物などが挙げられる。より具体的には、Ga2O3、TiO2、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5、CdS、ZnS、PbS、Bi2S3、CdSe、CdTe、GaPInPGaAs、CuInS2、CuInSe2、Ti3N4等が挙げられる。本発明においては、前記金属酸化物が、酸化チタンであるのが好ましい。

0019

また、前記金属酸化物は、その形状等は特に限定されないが、多孔質体であるのが好ましい。

0020

前記ペロブスカイト結晶は、ペロブスカイト構造を有していれば特に限定されず、公知のものであってよい。無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよいが、本発明においては、前記ペロブスカイト構造体有機無機複合材料からなるのが好ましい。前記有機無機複合材料としては、例えば、下記式(I)または下記式(II)で表される化合物などが挙げられる。
CH3NH3M1X3 ・・・(I)
(式中、M1は2価の金属イオンであり、Xは、F、Cl、BrまたはIである。)
(R6NH3)2M1X4 ・・・(II)
(式中、R6は炭素数2以上のアルキル基アルケニル基アラルキル基アリール基複素環基または芳香族複素環基であり、M1は2価の金属イオンであり、Xは、F、Cl、BrまたはIである。)

0021

本発明においては、前記ペロブスカイト結晶が、結晶性半導体を主成分として含むのが好ましく、式:(RNH3)nPbX(2+n)(但し、Rは置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、nは1または2を示し、XはI、BrまたはClを示す。)で表される化合物を主成分として含むのがより好ましい。ここで、前記主成分とは、全組成中の成分含有量が50原子%以上をいい、好ましくは75原子%以上、より好ましくは90原子%以上である。

0022

光電変換層の形成手段としては、例えば、公知の塗布法などが挙げられ、本発明では、前記金属酸化物とペロブスカイト結晶の前駆体との溶液を前記正孔輸送層上に塗布した後、アニールすることで容易にペロブスカイト結晶を形成することができる。このようにしてペロブスカイト結晶を形成することによって、従来法に比べ、著しい工程の短縮とコストダウンが図れる。また、このような方法によれば、面積に制限がなく、任意の面積にペロブスカイト構造を有する光電変換層を作製することができる。

0023

前記アニールは、前記のペロブスカイト結晶の前駆体を加熱下に置いて、ペロブスカイト構造を形成できれば特に限定されないが、好ましくは、約700℃以下であり、より好ましくは約500℃以下である。下限は特に限定されないが、約70℃以上が好ましく、約150℃以上がより好ましく、約250℃以上が最も好ましい。アニール時間は、特に限定されないが、好ましくは約30秒間〜約24時間であり、より好ましくは約1分間〜約10時間である。

0024

また、本発明においては、光電変換層を形成した後、前記光電変換層上に、電子輸送層を形成するのが好ましい。

0025

前記電子輸送層は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の電子輸送層であってよい。前記電子輸送層の構成材料としては、特に限定されないが、n型半導体が使用できる。例えば、無機物の場合、ガリウム、亜鉛、ニオブ、スズ、チタン、バナジウム、インジウム、タングステン、タンタル、ジルコニウム、モリブデンマンガン、鉄、銅、ニッケルイリジウム、ロジウム、クロムルテニウムまたはこれらの酸化物、α型酸化ガリウム、β型酸化ガリウム、IGZO等の酸化物半導体、GaN等の窒化物半導体、SiC等のケイ素含有半導体、また、チタン酸ストロンチウムチタン酸カルシウムチタン酸バリウムチタン酸マグネシウムニオブ酸ストロンチウムのようなペロブスカイト、あるいはこれらの複合酸化物または酸化物混合物、CdS、CdSe、TiC、Si3N4、SiC、BNのような各種金属化合物等の1種または2種以上の組み合わせなども使用することができる。また、有機物の場合、フラーレンもしくはその誘導体(例えば、フェニル−C61−酪酸メチルエステル([60]PCBM)、フェニル−C61−酪酸n−ブチルエステル([60]PCBnB)、フェニル−C61−酪酸イソブチルエステル([60]PCBiB)、フェニル−C61−酪酸n−ヘキシルエステル([60]PCBH)、フェニル−C61−酪酸n−オクチルエステル([60]PCBO)、ジフェニル−C62−ビス(酪酸メチルエステル)(ビス[60]PCBM)、フェニル−C71−酪酸メチルエステル([70]PCBM)、フェニル−C85−酪酸メチルエステル([84]PCBM)、チエニル−C61−酪酸メチルエステル([60]ThCBM)、C60ピロリジントリス酸、C60ピロリジントリス酸エチルエステル、N−メチルフラロピロリジン(MP−C60)、(1,2−メタノフラーレンC60)−61−カルボン酸、(1,2−メタノフラーレンC60)−61−カルボン酸t−ブチルエステル)、オクタアザポルフィリン等、p型有機半導体化合物水素原子フッ素原子置換したパーフルオロ体(例えば、パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン)、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドペリレンテトラカルボン酸無水物ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。
本発明においては、前記電子輸送層が金属を主成分として含むのが好ましく、2種以上の金属からなる合金であるのがより好ましく、Ga−In合金であるのが最も好ましい。

0026

前記電子輸送層の形成手段は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段であってよい。前記電子輸送層の形成手段としては、例えば、ミストCVD法、スパッタ法、CVD法(気相成長法)、SPD法(スプレー熱分解堆積法)、蒸着法、ALD(原子層堆積)法、塗布法(例えばディッピング、滴下、ドクターブレード、インクジェット、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、ロールコーター、エアーナイフコート、カーテンコート、ワイヤーバーコート、グラビアコート、インクジェット塗布等)などが挙げられる。

0027

また、本発明においては、電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層上に、第2の電極を形成するのが好ましい。

0028

第2の電極は、特に限定されないが、その光透過率が60%以上のものが好ましく、80%以上のものがより好ましく、90%〜100%のものが最も好ましい。なお、透過率は、JIS K 7361−1:1997に従い測定されるものである。

0029

第2の電極を形成する材料は、特に制限されず、公知の材料であってよい。例えば、亜鉛、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム等の金属、SnO2、CdO、ZnO、CTO系(CdSnO3、Cd2SnO4、CdSnO4)、In2O3、CdIn2O4等の金属酸化物などが挙げられる。これらのうち、金属として好ましくは、金または銀が挙げられ、光透過性を持たせるために、開口部を持つグリッドパターニングされた膜、あるいは微粒子ナノワイヤーを分散し塗布した膜が好ましく用いられる。また、金属酸化物として好ましくは、前記において例示した金属酸化物に、Sn、Sb、FおよびAlから選ばれる1種または2種以上を添加した複合(ドープ)材料が挙げられる。より好ましくは、SnをドープしたIn2O3(ITO)、SbをドープしたSnO2、FをドープしたSnO2(FTO)等の導電性金属酸化物が挙げられる。第2の電極としては中でも、ITO又はZnが最も好ましい。第2の電極を形成する材料の基板への塗布量は、特に制限されないが、基板1m2当たり、1〜100g程度であることが好ましい。

0030

第2の電極の形成手段は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段であってよい。第2の電極の形成手段としては、例えば、貼り合わせ、ミストCVD法、スパッタ法、CVD法(気相成長法)、SPD法(スプレー熱分解堆積法)、蒸着法、ALD(原子層堆積)法、塗布法(例えばディッピング、滴下、ドクターブレード、インクジェット、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、ロールコーター、エアーナイフコート、カーテンコート、ワイヤーバーコート、グラビアコート、インクジェット塗布等)などが挙げられる。

0031

以上のようにして得られた光電変換素子は、光応答性に優れており、また、電気特性にも優れており、発電手段として有用であり、様々な用途に適用可能である。具体的には、光電変換素子を備えており、さらに、光電変換素子から出力された直流電流交流電流に変換するインバータ装置電気モーター照明器具等を有する構成の光電変換装置等に有用であり、好適な用途としては、太陽電池等が挙げられる。

0032

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

0033

(実施例1)
1.正孔輸送層の形成
ITO付ガラス板ステンレス板スペーサー(厚さ1mm)を介してクリップで挟み、EDOT溶液中に浸し、GLASSITO基板陽極つなぎ、ステンレス板を陰極につないで+0.5V〜20Vの直流電圧印加することによって、電気化学重合を行い、PEDOTからなる正孔輸送層を形成した。なお、反応は室温で行い、反応条件は2V、5秒間とした。

0034

2.光電変換層の形成
TiO2とCH3NH3PbI3を混合して溶液を調製し、そのまま塗布、アニール(120℃、2分)することによって、いともたやすくナノサイズの酸化チタン上に CH3NH3PbI3のぺロブスカイト結晶を形成した。図1にアニールにより、ペロブスカイト結晶ができる様子を示す。図1(a)は、アニール前の様子を示し、図1(b)はアニール中の様子を示し、図1(c)はアニール後の様子を示す。図1から明らかな通り、アニール前は表面が黄色であったが、アニールにより黒くなったことが確認でき、目視でもペロブスカイト結晶が形成されていることがわかる。

0035

3.電子輸送層の形成
上記2.で形成された光電変換層上に、常温液体金属のGa−In合金を塗布して電子輸送層を形成した。

0036

4.第2の電極の形成
インジウム-スズ酸化物つきガラスITOガラス)基板を用いて、上記3.で形成された電子輸送層上に、電極としてITOを貼り合わせて、第2の電極を形成した。

0037

5.評価
上記2.で得られたペロブスカイト結晶につき、XRD回折装置を用いて、膜の同定を行った。結果を図2に示す。
また、上記4.で得られた光電変換素子につき、光応答性評価および解放端電圧測定を行った。結果を下記表1に示す。

0038

0039

(実施例2)
第2の電極としてZnを用いたこと以外は、実施例1と同様にして光電変換素子を得た。得られた光電変換素子につき、光応答性評価および解放端電圧測定を行った。結果を下記表2に示す。

0040

実施例

0041

実施例の結果から、本発明の光電変換素子は、光応答性に優れており、また、電気特性にも優れていることがわかる。

0042

本発明の光電変換素子は、太陽電池や光センサーなどの産業分野で利用することができる。

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