図面 (/)

技術 リソグラフィ装置、物品の製造方法、ステージ装置及び計測装置

出願人 キヤノン株式会社
発明者 高橋彰宏前田浩平三浦孝夫
出願日 2015年12月25日 (4年10ヶ月経過) 出願番号 2015-254867
公開日 2017年6月29日 (3年4ヶ月経過) 公開番号 2017-116868
状態 特許登録済
技術分野 ホトレジスト感材への露光・位置合せ
主要キーワード ノミナル位置 面取り処理 目標精度 メカニカル式 計測エラー 面取り量 計測箇所 画素分解能
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2017年6月29日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (7)

課題

チャック吸着された基板の側面の位置を計測するのに有利なリソグラフィ装置を提供する。

解決手段

基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を吸着面で吸着するチャックを含み、前記基板の側面を含む前記基板の一部が前記チャックから露出するように前記基板を保持するステージと、前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して0度以上20度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。

概要

背景

FPD(Flat Panel Display)用ガラス基板などの基板露光する露光装置では、プリアライメントと呼ばれる工程において、ステージ装置に保持された基板の側面(端面)の位置の計測が行われている。プリアライメントとは、基板に形成されたアライメントマークを高倍率で検出して位置決めする前に、基板の側面の位置を数μm〜数十μmの精度で計測して、アライメントマークをスコープ視野に追い込むように基板を駆動する工程である。

基板の側面の位置を計測する技術としては、例えば、基板の側面に接触子を押し当てて接触子の位置を計測するメカニカル式接触式)と、光学センサを用いて基板の側面の位置を非接触で計測する光学式とがある。また、光学式としては、基板端照射した光のうち基板を透過する光を撮像して基板端の位置を計測する透過光式と、基板端に照射した光のうち基板で反射された光を撮像して基板端の位置を計測する反射光式とが提案されている(特許文献1及び2参照)。

概要

チャック吸着された基板の側面の位置を計測するのに有利なリソグラフィ装置を提供する。基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を吸着面で吸着するチャックを含み、前記基板の側面を含む前記基板の一部が前記チャックから露出するように前記基板を保持するステージと、前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して0度以上20度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。

目的

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、チャックに吸着された基板の側面の位置を計測するのに有利なリソグラフィ装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

基板パターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を吸着面で吸着するチャックを含み、前記基板の側面を含む前記基板の一部が前記チャックから露出するように前記基板を保持するステージと、前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して0度以上20度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置。

請求項2

前記照明部は、前記照明部から前記基板の側面に入射する光の進路を前記吸着面に平行な面に投影することで規定される直線と前記基板の側面とのなす角が90度となるように、前記基板の側面に対して光を入射させることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。

請求項3

前記照明部は、前記チャックに吸着された前記基板の表面よりも下方に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。

請求項4

前記ステージは、前記チャックを支持するベースを含み、前記リソグラフィ装置は、前記照明部及び前記検出部を前記ベースに支持させる支持部を更に有することを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。

請求項5

前記ステージは、前記チャックの側面に沿って配置され、前記ステージの位置を計測するためのバーミラーを含み、前記支持部は、前記バーミラーと前記チャックの側面との間の空間において、前記照明部及び前記検出部を前記ベースに支持させることを特徴とする請求項4に記載のリソグラフィ装置。

請求項6

前記照明部は、光源と、前記光源からの光を前記チャックに吸着された前記基板の側面に導光する光学系と、を含み、前記光学系は、前記光学系の光軸を折り曲げるための光学素子を含むことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。

請求項7

前記光学素子は、ミラー又はプリズムを含むことを特徴とする請求項6に記載のリソグラフィ装置。

請求項8

前記検出部は、撮像素子と、前記基板の側面で反射された光を前記撮像素子に結像する撮像光学系と、を含み、前記撮像素子は、前記撮像素子の上において、前記チャックに吸着された前記基板の側面のノミナル位置と前記撮像素子の中心位置とが重なるように配置されていることを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。

請求項9

前記撮像光学系は、両側テレセントリック光学系を構成することを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。

請求項10

マスクに形成されたマークと、前記基板に形成されたマークとを検出するアライメント検出系と、前記マスクと前記基板との位置合わせを行う制御部と、を更に有し、前記制御部は、前記アライメント検出系の検出結果に基づいて前記位置合わせを行う前に、前記処理部によって求められた前記基板の側面の位置に基づいて前記アライメント検出系の視野内に前記基板に形成されたマークを収めるように前記ステージを移動させる処理を行うことを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。

請求項11

前記制御部は、前記位置合わせを行う際に前記アライメント検出系の視野内に前記基板に形成されたマークが収まっていない場合には、前記ステージを移動させることなく、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を再度求めるように、前記照明部、前記検出部及び前記処理部を制御することを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。

請求項12

請求項1乃至11のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターン形成を基板に行う工程と、前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を加工する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。

請求項13

基板を保持するステージ装置であって、前記基板の側面を含む前記基板の一部が露出するように前記基板を吸着する吸着面を含むチャックと、前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して0度以上20度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、を有することを特徴とするステージ装置。

請求項14

基板の側面を含む前記基板の一部が露出するように前記基板を吸着面で吸着するチャックを含むステージ装置に保持された基板の側面の位置を計測する計測装置であって、前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して0度以上20度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、を有することを特徴とする計測装置。

技術分野

0001

本発明は、リソグラフィ装置物品の製造方法、ステージ装置及び計測装置に関する。

背景技術

0002

FPD(Flat Panel Display)用ガラス基板などの基板露光する露光装置では、プリアライメントと呼ばれる工程において、ステージ装置に保持された基板の側面(端面)の位置の計測が行われている。プリアライメントとは、基板に形成されたアライメントマークを高倍率で検出して位置決めする前に、基板の側面の位置を数μm〜数十μmの精度で計測して、アライメントマークをスコープ視野に追い込むように基板を駆動する工程である。

0003

基板の側面の位置を計測する技術としては、例えば、基板の側面に接触子を押し当てて接触子の位置を計測するメカニカル式接触式)と、光学センサを用いて基板の側面の位置を非接触で計測する光学式とがある。また、光学式としては、基板端照射した光のうち基板を透過する光を撮像して基板端の位置を計測する透過光式と、基板端に照射した光のうち基板で反射された光を撮像して基板端の位置を計測する反射光式とが提案されている(特許文献1及び2参照)。

先行技術

0004

特開平9−297408号公報
特開2001−241921号公報

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、近年では、FPD用ガラス基板薄型化が急激に進んでおり、接触式では、接触子の接触圧によって基板が歪んでしまうため、基板に形成されるパターンの精度が低下するという問題が生じてきている。また、基板の薄型化が進むと、その側面(基板端)が薄く鋭い形状になっていくため、接触子が側面に接触した際の衝撃で基板が割れたり、接触子の摩耗(削れ)に起因する粉塵の発生や計測精度の低下を招いたりしてしまう。なお、接触式では、接触子を物理的に駆動する時間や接触子を側面に接触させてから接触子の振動収束するまで待機する時間が必要となるため、基板の側面の位置の計測に時間を要し、タクトタイムを向上させる上でも不利となる。

0006

一方、特許文献1に開示された技術(透過光式)では、照明部と検出部(光学センサ)とを基板を挟み込むように配置し、基板端に対して垂直に光を照射する必要がある。但し、露光装置における投影光学系と基板との間の間隔は非常に狭い(1mm程度)ため、基板を露光する露光位置(露光空間)において、照明部と検出部とを基板を挟み込むように配置することは非常に困難である。露光位置とは別の位置に照明部と検出部とを配置することも考えられるが、基板端を計測する際には、ステージ装置をその位置まで移動させなければならないため、露光処理に大きな制限を与えるだけではなく、タクトタイムの点でも不利となる。

0007

また、特許文献2に開示された技術(反射光式)では、基板の側面に面取り処理が施されていると計測騙され(計測誤差)が発生し、面取りの大小のばらつきが計測誤差に影響を与えることを本発明者は見出した。特に、FPD用ガラス基板においては、側面の傷や欠けに起因する基板の割れを低減するために、一般的に、C面取り、或いは、R形状の研磨処理が側面に施されている。FPD用ガラス基板の面取り量は、最大で板厚程度(例えば、FPD用ガラス基板の板厚を700μmとすると、50μm〜700μm程度)となり、製造条件によってロット間で面取り量にばらつきが発生してしまう。従って、特許文献2に開示された技術では、FPD用ガラス基板の側面の面取り量が大きく異なるために、プリアライメントにおいて基板の側面の位置の計測に求められる精度(数μm〜数十μmの精度)を実現することができない。

0008

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、チャック吸着された基板の側面の位置を計測するのに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。

課題を解決するための手段

0009

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を吸着面で吸着するチャックを含み、前記基板の側面を含む前記基板の一部が前記チャックから露出するように前記基板を保持するステージと、前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して0度以上20度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、を有することを特徴とする。

0010

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

発明の効果

0011

本発明によれば、例えば、チャックに吸着された基板の側面の位置を計測するのに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。

図面の簡単な説明

0012

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
図1に示す露光装置における基板ステージの詳細な構成を示す斜視図である。
図1に示す露光装置における計測部の構成を模式的に示す図である。
図1に示す露光装置における計測部の構成を示す図である。
基板の側面に入射する光の入射角度と検出波形との関係の一例を示す図である。
基板の側面に入射する光の入射角度と検出波形との関係の一例を示す図である。

実施例

0013

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

0014

図1は、本発明の一側面としての露光装置1の構成を示す概略図である。露光装置1は、FPD用ガラス基板などの基板を露光してパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置1は、照明光学系10と、マスクステージ20と、投影光学系30と、基板ステージ40と、ステージ定盤50と、ステージ位置計測部60と、アライメント検出系70と、制御部80と、計測部90とを有する。

0015

照明光学系10は、レンズミラーオプティカルインテグレーター位相板回折光学素子絞りなどを含み、光源からの光でマスクMを照明する光学系である。マスクMには、基板Wに転写すべきパターンが形成されている。マスクステージ20は、マスクMを吸着するマスクチャック22と、マスクチャック22を支持するベース24とを含み、マスクMを保持して移動可能なステージ装置である。ベース24には、マスクステージ20の位置を計測するためのバーミラー65が配置されている。

0016

投影光学系30は、照明光学系10によって照明されたマスクMのパターンの像を基板Wに投影する光学系である。マスクMと基板Wとは、投影光学系30に対して光学的に共役な位置に配置されている。投影光学系30は、等倍結像光学系拡大結像光学系及び縮小結像光学系のいずれの光学系も適用可能である。本実施形態では、投影光学系30は、平面ミラー凹面ミラー凸面ミラーなどを含む等倍結像光学系として構成されている。

0017

基板ステージ40は、基板Wを保持するステージ装置である。基板ステージ40は、ステージ定盤50に載置されている。基板ステージ40は、ステージ定盤50の上を、基板Wを保持しながらXY平面内で移動することが可能である。基板ステージ40には、後述するように、基板ステージ40に保持された基板Wの側面の位置を光学的に計測する計測部(計測装置)90が取り付けられている。

0018

ステージ位置計測部60は、例えば、レーザ干渉計61と、ビームスプリッタ62と、折り曲げミラー63と、バーミラー64及び65とを含み、マスクステージ20及び基板ステージ40のそれぞれの位置をリアルタイムに計測する。

0019

アライメント検出系70は、例えば、スコープで構成され、マスクMに形成されたアライメントマークと、基板Wに形成されたアライメントマークとを、投影光学系30を介して検出する。アライメント検出系70は、マスクM及び基板Wのそれぞれに形成されたアライメントマークを同時に検出してもよいし、個別に検出してもよい。

0020

制御部80は、CPUやメモリなどを含み、露光装置1の全体を制御する。制御部80は、露光装置1の各部を統括的に制御して、基板Wを露光する処理、即ち、マスクMのパターンを基板Wに転写する処理を制御する。制御部80は、基板Wを露光する際に、まず、基板ステージ40に保持された基板Wの側面の位置を求め、基板Wに形成されているアライメントマークをアライメント検出系70の視野内に収めるように基板ステージ40を移動させるプリアライメントを行う。次いで、制御部80は、アライメント検出系70によるマスクM及び基板Wのそれぞれに形成されたアライメントマークの検出結果、即ち、マスクMと基板Wとのずれ量に基づいて、マスクMや基板Wの位置合わせを行うファインアライメントを行う。なお、マスクMと基板Wとのずれ量は、例えば、アライメントマークを検出(撮像)して取得される画像を画像処理することで求めることができる。そして、照明光学系10からの光でマスクMを照明し、マスクMのパターンを反映する光を、投影光学系30を介して、基板Wに投影することで、基板Wを露光する。

0021

図2を参照して、基板ステージ40の詳細について説明する。基板Wは、ロボットアーム(不図示)によって搬送され、基板ステージ40の基板チャック402に載置される。基板チャック402は、基板Wを吸着面402aで吸着(例えば、真空吸着)して固定する。なお、基板チャック402は、基板チャックベース404に支持されている。更に、基板ステージ40は、バーミラー65が配置されるミラーベース406、ステージ定盤50に配置されたYガイド408、YAWガイド410及びYリニアモーター固定子412やYガイド408の上に配置されたXガイド414なども含む。本実施形態では、図2に示すように、計測部90は、基板ステージ40の周辺の少なくとも3箇所に配置されている。また、基板チャック402の側面に沿って、基板ステージ40のX方向の位置を計測するためのバーミラー64a及び基板ステージ40のY方向の位置を計測するためのバーミラー64bがミラーベース406に配置されている。

0022

基板Wを基板チャック402に吸着させたら、計測部90によって基板Wの側面の位置を計測し、その計測結果に基づいて、基板チャック402に対する基板Wの載置ずれ、即ち、XYθ方向の位置ずれを求める。そして、基板WのXYθ方向の位置ずれを補正しながら、基板Wに形成されているアライメントマークをアライメント検出系70の視野内に収めるように基板ステージ40を移動させる。基板WのXY方向の位置ずれは、基板ステージ40をXY平面内で移動させることで補正することが可能であり、基板Wのθ方向の位置ずれは、基板チャック402をZ軸周りに回転させることで補正することが可能である。

0023

このようなプリアライメントにおいて、計測部90の役割は、アライメント検出系70の視野内に基板Wに形成されているアライメントマークが収まるまで基板WのXYθ方向の位置ずれを求めるために、基板Wの側面の位置を計測することにある。アライメント検出系70は、一般的に、倍率切り替え機能を備えており、視野が広い低倍率から視野が狭い高倍率に段階的に切り替えながら、マスクMと基板Wとの位置合わせ精度目標精度に到達するまでファインアライメントを行うことになる。従って、計測部90による基板Wの側面の位置の計測精度が向上すれば、アライメント検出系70における低倍率でのマスクMと基板Wとの位置合わせを省略することが可能となり、タクトタイムの向上に寄与する。

0024

また、投影光学系30と基板ステージ40、或いは、投影光学系30と基板ステージ40に保持された基板Wとの間の間隔は非常に狭く、1mm程度のスペースしかない。従って、基板ステージ40に保持された基板Wの表面よりも上方に計測部90を配置することは難しく、基板Wの表面よりも下方に計測部90を配置しなければならないことが多い。換言すれば、投影光学系30の下方では配置の自由度が著しく低下するため、計測部90には、基板Wを垂直方向から照明する照明部と基板Wを透過した光を検出する検出部とを基板Wを挟み込むように配置する透過光式を採用することはできない。そこで、本実施形態では、計測部90には、基板Wの側面を照明して基板Wの側面で反射された光を検出する反射光を検出する反射光式を採用する。

0025

図3(a)及び図3(b)は、計測部90の構成を模式的に示す図であって、図3(a)は、計測部90の側面図であり、図3(b)は、計測部90の上面図である。基板ステージ40は、図3(a)に示すように、基板Wの側面Waで反射された光の光路を確保するために、基板Wの側面Waを含む基板Wの一部が基板チャック402から露出するように基板Wを保持する。本実施形態では、基板チャック402に対して基板Wの側面Waが数mm程度突出している。なお、基板チャック402に対する基板Wの側面Waの突出量は、想定される基板Wの載置ずれ量よりも大きく設定する必要があり、最大の載置ずれ量が発生した場合であっても、基板Wの一部が基板チャック402から露出している必要がある。

0026

計測部90は、上述したように、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waの位置を計測する機能を有し、照明部910と、検出部920とを含む。照明部910は、図3(a)に示すように、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waに対して、吸着面402aに平行な面PPに対して角度(入射角度)θで光を入射させる。また、照明部910は、図3(b)に示すように、基板Wの側面Waに入射する光の光路(進路)を吸着面402aに平行な面PPに投影することで規定される直線と基板Wの側面Waとのなす角が90度となるように、基板Wの側面Waに対して光を入射させる。検出部920は、本実施形態では、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waの下方に配置され、基板Wの側面Waで反射された光を検出する。なお、本実施形態では、基板Wの形状を矩形としているが、基板Wの形状は円形であってもよい。基板Wの形状が円形である場合には、基板Wの側面Waに入射する光の光路を吸着面402aに平行な面PPに投影することで規定される直線と基板Wの側面Waの接線とのなす角が90度となるように、基板Wの側面Waに対して光を入射させる。

0027

照明部910は、LEDやLDを含む光源912と、光源912からの光をコリメートして基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waに導光する光学系914とを含む。照明部910は、本実施形態では、基板チャック402に吸着された基板Wの表面よりも下方に配置されているため、照明部910、特に、光学系914をコンパクトに構成する必要がある。そこで、本実施形態では、光学系914は、レンズ914aやスリット914bに加えて、光学系914の光軸を折り曲げるための光学素子914cを含む。また、光学素子914cは、本実施形態では、透過型プリズムとしているが、ミラーであってもよい。なお、投影光学系30と基板ステージ40に保持された基板Wとの間の間隔に余裕がある場合には、基板チャック402に吸着された基板Wの表面よりも上方に照明部910を配置してもよい。

0028

検出部920は、撮像素子922と、基板Wの側面Waで反射された光を撮像素子922に結像する撮像光学系924とを含む。撮像素子922は、CMOSイメージセンサCCDイメージセンサなどを含み、ラインセンサ及びエリアセンサのどちらで構成してもよい。但し、撮像素子922をエリアセンサとすることで、基板Wの側面Wa(計測箇所)に傷や欠けが存在する場合に、かかる傷や欠けを認識することが可能となり、それらに起因する計測精度の低下や計測エラーを回避することができる。また、撮像素子922は、撮像素子922の上において、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waのノミナル位置と撮像素子922の中心位置とが重なるように配置されている。撮像光学系924は、レンズ924a及び924cと、スリット924cとを含み、倍率が変化しにくい両側テレセントリック光学系を構成している。従って、撮像光学系924は、基板Wの厚さのばらつきや基板Wの浮きなどに起因して基板W(の側面Wa)のZ方向が変位した場合であっても、基板Wの側面Waで反射された光を撮像素子922に結像することができる。また、撮像素子922の画素分解能や撮像光学系924の光学倍率は、任意に設定することが可能であり、基板Wの側面Waの位置の計測に要求される計測精度や計測範囲に基づいて決定される。

0029

本実施形態では、制御部80は、検出部920での検出結果に基づいて、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waの位置を求める処理部として機能する。具体的には、撮像素子922では、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waの位置に応じて、図3(a)に示すような検出波形DWが得られる。制御部80は、撮像素子922で得られた検出波形DWのピーク位置を検出することで、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waの位置を求めることができる。なお、検出部920での検出結果に基づいて、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waの位置を求める処理部を制御部80とは別に設けてもよい。

0030

計測部90は、上述したように、基板ステージ40に取り付けられている。具体的には、図4に示すように、照明部910及び検出部920は筐体930に収容され、支持部950を介して、基板チャックベース404に支持されている。支持部950は、照明部910及び検出部920を基板チャックベース404に支持させる機能を有する。特に、本実施形態では、支持部950は、ミラーベース406に配置されたバーミラー64と基板チャック402の側面との間の空間において、照明部910及び検出部920を基板チャックベース404に支持させることを実現する。

0031

ここで、照明部910から基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waに入射する光の入射角度θと、検出部920(撮像素子922)で得られる検出波形との関係について説明する。特許文献2に開示された技術のように、入射角度θを30度として、照明部910から基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waに光を入射させると、撮像素子922では、図5に示すように、複数のピーク位置を含む乱れた検出波形が得られる。図5では、撮像素子922で検出される光の強度を縦軸に採用し、撮像素子922の画素位置を横軸に採用している。図5に示す検出波形は、そのピーク位置から基板Wの側面Waの位置を求めるには不利であり、基板Wの側面Waの位置の計測精度の低下や誤計測の原因となる。

0032

一方、入射角度θを10度として、照明部910から基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waに光を入射させると、撮像素子922では、図6に示すように、1つのピーク位置を含む検出波形が得られる。図6では、撮像素子922で検出される光の強度を縦軸に採用し、撮像素子922の画素位置を横軸に採用している。検出波形DW1、DW2及びDW3は、入射角度θを10度として、側面の面取り量がそれぞれ異なる3つの基板を同一の位置に設定した場合(即ち、基板の側面の位置の計測結果が同一となるべき場合)において、撮像素子922で得られる検出波形である。基板の側面の面取り量の差異に起因するピーク位置のばらつきをdとすると、dは、基板の側面の面取り量の多寡に起因する基板の側面の位置の計測結果のばらつきと考えることができる。また、本発明者の鋭意検討によれば、入射角度θが小さくなるほど、ばらつきdも小さくなる。従って、ばらつきdを最小にするためには、入射角度θを0度、即ち、基板Wの側面Waに対して垂直な方向から光を入射させればよい。また、基板Wの側面Waの面取り量のばらつき(例えば、50μm〜700μm)に起因する基板Wの側面Waの位置の計測結果のばらつきを10μm以下に抑えるためには、入射角度θを20度以下にすればよい。このように、照明部910は、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waに対して、吸着面402aに平行な面PPに対して0度以上20度以下の範囲の入射角度θで光を入射させる。

0033

露光装置1では、計測部90によって、基板Wの側面Waの面取り処理による影響を抑え、基板チャック402に吸着された基板Wの側面Waの位置を高精度に計測することができる(計測精度を向上させることができる)。また、露光装置1では、計測部90を基板ステージ40に取り付けることが可能であるため、基板ステージ40の位置にかかわらず、基板Wの側面Waの位置を短時間で計測することが可能となり、タクトタイムを向上させることができる。例えば、マスクMを基板Wとの位置合わせを行う際にアライメント検出系70の視野内に基板Wに形成されたアライメントマークが収まっていない場合には、基板ステージ40を移動させることなく、基板Wの側面Waの位置を再度求めることが可能である。

0034

なお、露光装置1では、基板チャック402に吸着される基板Wの表面には、通常、レジスト感光性樹脂)が供給されているため、基板Wの側面Waに入射させる光として、レジストを感光しない波長の光を選択するとよい。また、基板Wには、投影光学系30を介して、露光光が入射するため、露光光の一部が基板Wの近傍に配置された検出部920(撮像素子922や撮像光学系924)に入射する可能性がある。露光光が紫外線である場合、撮像素子922に露光光が入射すると、撮像素子922の寿命及び性能を著しく低下させてしまう。従って、検出部920には、照明部910からの光の波長以外の波長の光をカットするフィルター、或いは、露光光を遮断するシャッターを検出部920に設けるとよい。

0035

また、本実施形態では、基板Wの側面Waを含む基板Wの一部を基板チャック402から露出させるために、基板チャック402に対して基板Wの側面Waを突出させているが、これに限定されるものではない。例えば、基板チャック402に対して基板Wの側面Waを突出させる代わりに、基板チャック402に切り欠きを形成することで基板Wの一部を基板チャック402から露出させてもよい。この場合、基板チャック402に形成された切り欠きの下方に検出部920を配置すればよい。

0036

本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、液晶表示素子半導体デバイスなどの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置1を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程(パターン形成を基板に行う工程)と、露光した基板を現像する工程(パターン形成を行われた基板を加工する工程)とを含む。また、上記形成工程につづけて、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化成膜蒸着ドーピング平坦化、エッチングレジスト剥離ダイシングボンディングパッケージングなど)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。

0037

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、露光装置への適用に限定されるものではなく、インプリント装置やその他の基板処理装置など、基板の側面の位置を計測する用途において広く適用することが可能である。

0038

1:露光装置40:基板ステージ402:基板チャック80:制御部 90:計測部910:照明部 920:検出部 W:基板Wa:側面

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

関連する公募課題一覧

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ