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技術 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、及びそれを有する撮像システム

出願人 キヤノン株式会社
発明者 中塚俊介鈴木健太郎磯部真里
出願日 2015年12月1日 (5年2ヶ月経過) 出願番号 2015-235242
公開日 2017年6月8日 (3年8ヶ月経過) 公開番号 2017-103341
状態 特許登録済
技術分野 光信号から電気信号への変換 固体撮像素子
主要キーワード 構造体形成用 膜厚低下 アクティブピクセル FD用 観測衛星 信号出力線 デジタルカムコーダ 遮光構造
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (11)

課題

固体撮像装置遮光部において、遮光領域でゲート電極形成後にサイドウォールを形成する際、エッチングにより、露出している半導体領域にダメージが発生することがある。

解決手段

本発明の一様態は、第1の転送用トランジスタのゲート電極および第2の転送用トランジスタのゲート電極の形成後、基板上に第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜が光電変換部の半導体領域および電荷保持部の半導体領域上に残るように、前記第2の絶縁膜をエッチングすることで、前記第1および前記第2の転送用トランジスタのゲート電極の側面に、前記第1の絶縁膜を介して、それぞれ、第1の構造体および第2の構造体を形成し、 前記第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のゲート電極を覆う遮光膜を形成する固体撮像装置の製造方法に関する。

概要

背景

CMOSイメージセンサに代表されるアクティブピクセル固体像装置では、近年グローバル電子シャッタ機能を持たせた構成が提案されている。

グローバル電子シャッタ機能を持つ固体撮像装置は、光電変換を行う受光部と、受光部で光電変換されて発生した電荷を保持する電荷保持部を持つ。この時、電荷保持部に光が入射し光電変換が起こると、ノイズ信号となってしまい画質劣化する恐れがあるため、電荷保持部は遮光膜で覆い光の入射を防ぐ必要がある。

遮光構造を有する固体撮像装置では、基板と遮光膜の間に光学的に透明な絶縁膜が存在するため、この絶縁膜から侵入する光を防ぐことにより遮光性能が向上する。

特許文献1では、ゲート電極サイドウォール形成後に遮光膜を形成する事でゲート電極側壁部の遮光膜被覆性を向上させている。

概要

固体撮像装置の遮光部において、遮光領域でゲート電極形成後にサイドウォールを形成する際、エッチングにより、露出している半導体領域にダメージが発生することがある。 本発明の一様態は、第1の転送用トランジスタのゲート電極および第2の転送用トランジスタのゲート電極の形成後、基板上に第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜が光電変換部の半導体領域および電荷保持部の半導体領域上に残るように、前記第2の絶縁膜をエッチングすることで、前記第1および前記第2の転送用トランジスタのゲート電極の側面に、前記第1の絶縁膜を介して、それぞれ、第1の構造体および第2の構造体を形成し、 前記第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のゲート電極を覆う遮光膜を形成する固体撮像装置の製造方法に関する。 A

目的

効果

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請求項1

基板内に、光電変換部の第1の半導体領域と、電荷保持部の第2の半導体領域を形成し、前記基板上に、前記光電変換部の電荷を前記電荷保持部に転送する第1のトランジスタの第1のゲート電極、および前記電荷保持部から前記電荷を転送する第2のトランジスタの第2のゲート電極を形成し、前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極の形成後、前記基板上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜が前記第1の半導体領域および前記第2の半導体領域上に残るように、前記第2の絶縁膜をエッチングすることで、前記第1のゲート電極の側面および前記第2のゲート電極の側面に、前記第1の絶縁膜を介して、それぞれ、第1の構造体および第2の構造体を形成し、前記第1の構造体および前記第2の構造体の形成後に膜を形成し、前記膜の一部をエッチングすることで、前記第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のゲート電極上に遮光膜を形成し、前記第1の構造体の上部の側面は、前記第1のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有し、前記第2の構造体の上部の側面は、前記第2のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有し、前記光電変換部と、平面視において前記光電変換部と重なる前記遮光膜の端部との距離が、前記第1のゲート電極の上面と前記基板との距離より小さい固体撮像装置の製造方法。

請求項2

前記第1の構造体および前記第2の構造体の形成後、前記膜の形成前に、前記光電変換部、前記第1のトランジスタ、前記電荷保持部、及び前記第2のトランジスタを覆う第3の絶縁膜を形成し、前記膜は、前記第3の絶縁膜の直上に形成される、請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。

請求項3

前記第2の絶縁膜の形成前に、周辺回路部において前記第1の絶縁膜をエッチングすることで、周辺回路部の第3のトランジスタの第3のゲート電極の側面に、第3の構造体を形成し、前記第3の構造体の上部の側面は、前記第3のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する、請求項1または2に記載の固体撮像装置の製造方法。

請求項4

前記第3の構造体を形成後、前記第2の絶縁膜の形成前に、前記周辺回路部において、前記第3のゲート電極及び前記第3の構造体をマスクとして前記基板に不純物を導入する工程を有する請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。

請求項5

前記第2の絶縁膜を形成後、前記第1の構造体および前記第2の構造体の形成前に、前記周辺回路部においてシリサイド層を形成し、前記シリサイド層の形成直後に、第4の絶縁膜を形成する請求項3または4に記載の固体撮像装置の製造方法。

請求項6

前記第1の構造体および前記第2の構造体の形成後、前記膜の形成前に、前記基板上に第5の絶縁膜を形成し、前記第5の絶縁膜をエッチングすることで、前記第1の構造体、前記第2の構造体、および前記第3の構造体の側面に、それぞれ、第4の構造体、第5の構造体、および第6の構造体を形成し、前記第4の構造体、第5の構造体、および第6の構造体は、それぞれ、上部の側面が、対応するゲート電極側に曲率中心を有する曲面である請求項3乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。

請求項7

前記第1の構造体および前記第2の構造体の形成後、前記膜の形成前に、前記基板上に第5の絶縁膜を形成し、前記第5の絶縁膜をエッチングすることで、前記第1の構造体、前記第2の構造体、および前記第3の構造体の側面に、それぞれ、第4の構造体、第5の構造体、および第6の構造体を形成し、前記第4の構造体、第5の構造体、および第6の構造体は、それぞれ、上部の側面が、対応するゲート電極側に曲率中心を有する曲面であり、前記周辺回路部において、前記第6の構造体は、前記第4の絶縁膜を介して前記第3の構造体の側面に形成される請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。

請求項8

前記第1乃至第3の構造体形成のための前記第2の絶縁膜のエッチングは、ドライエッチングである請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。

請求項9

第1の半導体領域を有する光電変換部と、前記光電変換部の電荷を転送する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタにより転送された電荷を保持し、第2の半導体領域を有する電荷保持部と、前記電荷保持部の電荷を転送する第2のトランジスタと、前記第1の半導体領域、前記第1のトランジスタの第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のトランジスタの第2のゲート電極上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1のゲート電極の側面に前記第1の絶縁膜を介して設けられ、上部の側面が前記第1のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する第1の構造体と、前記第2のゲート電極の側面に前記第1の絶縁膜を介して設けられ、上部の側面が前記第2のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する第2の構造体と、前記第1の絶縁膜、前記第1の構造体、および前記第2の構造体の上に設けられた遮光膜と、を有し、平面視において、前記遮光膜は、前記第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のゲート電極と重なり、前記光電変換部と、前記平面視において前記光電変換部を重なる前記遮光膜の端部との距離が、前記第1のゲート電極の上面と前記基板との距離より小さい固体撮像装置。

請求項10

前記基板と、前記平面視において前記光電変換部と重なる前記遮光膜の端部との距離が、前記第1のゲート電極と前記基板との距離の半分以下である請求項9に記載の固体撮像装置。

請求項11

さらに、第3のゲート電極を有する第3のトランジスタと、前記第3のゲート電極の側面に接している第3の構造体と、を有する周辺回路部を有し、前記第3の構造体の上部の側面は、前記第3の電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する、請求項9または10に記載の固体撮像装置。

請求項12

前記第3の構造体の上に前記第3のトランジスタを覆う第2の絶縁膜を有する請求項11に記載の固体撮像装置。

請求項13

前記第3の構造体の側面に、前記第2の絶縁膜を間に挟んで設けられた第4の構造体を有する、請求項12に記載の固体撮像装置。

請求項14

前記第1の構造体及び前記第2の構造体と、前記第1の絶縁膜は、主成分が異なる請求項9乃至13のいずれか1項に記載の固体撮像装置。

請求項15

前記第1の構造体及び前記第2の構造体は主成分として酸化シリコンを含み、前記第1の絶縁膜は、主成分として窒化シリコンを含む、請求項1乃至14のいずれか1項に記載の固体撮像装置。

請求項16

前記第3の構造体及び前記第4の構造体と、前記第2の絶縁膜は、主成分が異なる、請求項13に記載の固体撮像装置。

請求項17

前記第3の構造体及び前記第4の構造体は、主成分として酸化シリコンを含み、前記第2の絶縁膜は、主成分として窒化シリコンを含む、請求項13または16に記載の固体撮像装置。

請求項18

前記第1の半導体領域上に設けられ、前記第1の構造体、前記第2の半導体領域、及び前記第2の構造体と前記遮光膜との間に設けられた第3の絶縁膜を有する請求項9乃至17のいずれか1項に記載の固体撮像装置。

請求項19

前記遮光膜の端部が、前記第1の絶縁膜を介して前記光電変換部の上にある請求項9乃至17のいずれか1項に記載の固体撮像装置。

請求項20

固体撮像装置と、前記固体撮像装置の出力を処理する信号処理部と、を有し、前記固体撮像装置は、第1の半導体領域を有する光電変換部と、前記光電変換部の電荷を転送する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタにより転送された電荷を保持し、第2の半導体領域を有する電荷保持部と、前記電荷保持部の電荷を転送する第2のトランジスタと、前記第1の半導体領域、前記第1のトランジスタの第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のトランジスタの第2のゲート電極上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1のゲート電極の側面に前記第1の絶縁膜を介して設けられ、上部の側面が前記第1のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する第1の構造体と、前記第2のゲート電極の側面に前記第1の絶縁膜を介して設けられ、上部の側面が前記第2のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する第2の構造体と、前記第1の絶縁膜、前記第1の構造体、および前記第2の構造体の上に設けられた遮光膜と、を有し、平面視において、前記遮光膜は、前記第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のゲート電極と重なり、前記光電変換部と、前記平面視において前記光電変換部と重なる前記遮光膜の端部との距離が、前記第1のゲート電極の上面と前記基板との距離より小さい、撮像ステム

技術分野

0001

本発明は、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、及びそれを有する撮像ステムに関する。

背景技術

0002

CMOSイメージセンサに代表されるアクティブピクセル固体像装置では、近年グローバル電子シャッタ機能を持たせた構成が提案されている。

0003

グローバル電子シャッタ機能を持つ固体撮像装置は、光電変換を行う受光部と、受光部で光電変換されて発生した電荷を保持する電荷保持部を持つ。この時、電荷保持部に光が入射し光電変換が起こると、ノイズ信号となってしまい画質劣化する恐れがあるため、電荷保持部は遮光膜で覆い光の入射を防ぐ必要がある。

0004

遮光構造を有する固体撮像装置では、基板と遮光膜の間に光学的に透明な絶縁膜が存在するため、この絶縁膜から侵入する光を防ぐことにより遮光性能が向上する。

0005

特許文献1では、ゲート電極サイドウォール形成後に遮光膜を形成する事でゲート電極側壁部の遮光膜被覆性を向上させている。

先行技術

0006

特開2014−22421号公報

発明が解決しようとする課題

0007

画素部において、遮光膜の下にサイドウォールが形成されたトランジスタを有する固体撮像装置において、ゲート電極形成後にサイドウォールを形成する際、エッチングにより露出している半導体領域にダメージが発生することがある。

課題を解決するための手段

0008

本発明の一様態は、
基板内に、光電変換部の第1の半導体領域と、電荷保持部の第2の半導体領域を形成し、
前記基板上に、前記光電変換部の電荷を前記電荷保持部に転送する第1のトランジスタの第1のゲート電極、および前記電荷保持部から前記電荷を転送する第2のトランジスタの第2のゲート電極を形成し、
前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極の形成後、前記基板上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜が前記第1の半導体領域および前記第2の半導体領域上に残るように、前記第2の絶縁膜をエッチングすることで、前記第1のゲート電極の側面および前記第2のゲート電極の側面に、前記第1の絶縁膜を介して、それぞれ、第1の構造体および第2の構造体を形成し、
前記第1の構造体および前記第2の構造体の形成後に膜を形成し、前記膜の一部をエッチングすることで、前記第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のゲート電極上に遮光膜を形成し、
前記第1の構造体の上部の側面は、前記第1のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有し、
前記第2の構造体の上部の側面は、前記第2のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有し、
前記光電変換部と、平面視において前記光電変換部と重なる前記遮光膜の端部との距離が、前記第1のゲート電極の上面と前記基板との距離より小さい固体撮像装置の製造方法に関する。

0009

また、本発明の別の一様態は、
第1の半導体領域を有する光電変換部と、
前記光電変換部の電荷を転送する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタにより転送された電荷を保持し、第2の半導体領域を有する電荷保持部と、
前記電荷保持部の電荷を転送する第2のトランジスタと、
前記第1の半導体領域、前記第1のトランジスタの第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のトランジスタの第2のゲート電極上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1のゲート電極の側面に前記第1の絶縁膜を介して設けられ、上部の側面が前記第1のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する第1の構造体と、
前記第2のゲート電極の側面に前記第1の絶縁膜を介して設けられ、上部の側面が前記第2のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する第2の構造体と、
前記第1の絶縁膜、前記第1の構造体、および前記第2の構造体の上に設けられた遮光膜と、
を有し、
平面視において、前記遮光膜は、前記第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のゲート電極と重なり、
前記光電変換部と、前記平面視において前記光電変換部と重なる前記遮光膜の端部との距離が、前記第1のゲート電極の上面と前記基板との距離より小さい、固体撮像装置に関する。

0010

また、本発明の一様態は、
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力を処理する信号処理部と、
を有し、
前記固体撮像装置は、
第1の半導体領域を有する光電変換部と、
前記光電変換部の電荷を転送する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタにより転送された電荷を保持し、第2の半導体領域を有する電荷保持部と、
前記電荷保持部の電荷を転送する第2のトランジスタと、
前記第1の半導体領域、前記第1のトランジスタの第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のトランジスタの第2のゲート電極上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1のゲート電極の側面に前記第1の絶縁膜を介して設けられ、上部の側面が前記第1のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する第1の構造体と、
前記第2のゲート電極の側面に前記第1の絶縁膜を介して設けられ、上部の側面が前記第2のゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する第2の構造体と、
前記第1の絶縁膜、前記第1の構造体、および前記第2の構造体の上に設けられた遮光膜と、
を有し、
平面視において、前記遮光膜は、前記第1のゲート電極、前記第2の半導体領域、および前記第2のゲート電極と重なり、
前記光電変換部と、前記平面視において前記光電変換部と重なる前記遮光膜の端部との距離が、前記第1のゲート電極の上面と前記基板との距離より小さい、撮像システムに関する。

発明の効果

0011

遮光膜の下に存在するトランジスタのゲート電極の側面に、上部がゲート電極と反対側に向かって凸の曲面形状を有する構造体を設けることで、遮光膜の下地段差が緩やかになり、遮光膜の膜厚不均一化を抑制することができる。

0012

また、前記構造体の形成時に、半導体領域上に絶縁膜があることで、エッチングにより前記半導体領域にダメージが発生するのを低減することができる。

図面の簡単な説明

0013

実施の形態1、2、3に係る固体撮像装置の一部の等価回路図である。
実施の形態1、2、3に係る固体撮像装置の一部の平面模式図である。
実施の形態1に係る固体撮像装置の一部の断面模式図である。
実施の形態1に係る固体撮像装置の一部の断面模式図である。
実施の形態1に係る固体撮像装置の一部の断面模式図である。
実施の形態2に係る固体撮像装置の一部の断面模式図である。
実施の形態2に係る固体撮像装置の一部の断面模式図である。
実施の形態3に係る固体撮像装置の一部の断面模式図である。
実施の形態3に係る固体撮像装置の一部の断面模式図である。
実施の形態4に係る撮像システムの一例のブロック図である。

実施例

0014

本明細書で、ある層が他の層又は基板“上”にあると記述される場合、その層は他の層又は基板の直上にあってもよく、また、間に別の層が介在していてもよい。ある部材が他の部材の”直上”にあると記述されている場合、その部材は他の部材の上に、かつ他の部材に接して設けられている。

0015

本明細書で同一参照符号は、同一又は類似した部材であるか、或いは同一又は類似した機能を有する部材を示すものとする。

0016

(実施の形態1)
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。

0017

図1Aは、本実施の形態の固体撮像装置の一部の等価回路図、図1Bは、本実施の形態の固体撮像装置の一部の平面模式図である。ここでは、画素部501の一部として、電荷保持部を有する画素401が3行3列で配列した構成を示している。

0018

画素部501は、遮光膜303、受光部である光電変換部402、電荷保持部403、フローティングディフュージョン部404(以下FD部)、電源部405、及び画素出力部406を有する。また、画素部501は、図1Aに示すように、光電変換部402の電荷を転送する第1の転送用トランジスタ4、電荷保持部403から電荷を転送する第2の転送用トランジスタ5、FD部の電荷をリセットするリセット用トランジスタ9を有する。さらに、画素部501は、増幅用トランジスタ10、選択用トランジスタ7、電荷の排出部となるオーバーフロードレイン(以下OFD)用トランジスタ6を有する。

0019

図2Aは、図1Bで示した固体撮像装置の一部の断面模式図であり、画素部の図1BにおいてA−Bで示した部分の断面、及び周辺回路部502の任意のトランジスタの断面部である。基板100は半導体基板であり、ウェル101及び102と素子分離部103を有する。

0020

第1の転送用トランジスタ4はゲート電極600を有し、第2の転送用トランジスタ5はゲート電極601を有し、リセット用トランジスタ9はゲート電極602を有する。また、増幅用トランジスタ10はゲート電極603を有し、選択用トランジスタ8はゲート電極604を有し、OFD用トランジスタ6はゲート電極415を有する。これらの平面図を図1Bに示す。画素部501のウェル101中には、光電変換部402を構成するN型の半導体領域420、電荷保持部403を構成するN型の半導体領域421、FD部404を構成するN型の半導体領域422が形成されている。また、N型の半導体領域420及び421の上部には、表面保護層として機能するP型の半導体領域430及び431が形成されている。画素部501のウェル101中には、他にも画素部トランジスタのソースドレインとして機能するN型の半導体領域423及び424、画素出力部406を構成するN型の半導体領域425が配されている。

0021

周辺回路部502のウェル102中には、周辺回路部のトランジスタのソース・ドレインとして機能する半導体領域426、427、及び428が形成されている。周辺回路部のトランジスタのソース・ドレイン及びゲート電極の上部には、コンタクトプラグ接合部の抵抗を低くするため、シリサイド層432が形成されている。シリサイド層432としては、コバルトシリサイドチタンシリサイド、またはニッケルシリサイド等のシリサイド膜を用いることができる。

0022

平面視において、光電変換部402に隣り合うようにして第1の転送トランジスタのゲート電極600、電荷保持部403に隣り合うようにして第2の転送トランジスタのゲート電極601が、形成されている。また、リセット用トランジスタのゲート電極602、増幅用トランジスタのゲート電極603、及び選択用トランジスタのゲート電極604がウェル101上に配されている。周辺回路部のトランジスタのゲート電極605、606は、ウェル102上に配されている。

0023

ここで、ゲート電極600及び601上に絶縁層を形成し、その上に遮光膜を形成した場合、ゲート電極600及び601の端部で、遮光膜の膜厚が局所的に小さくなり、遮光性能が低下することがある。遮光性能が低下すると、例えば電荷保持部に照射された光により光電変換が起こり、ノイズ信号が生成される恐れがある。

0024

したがって、遮光膜の膜厚低下を抑制するため、ゲート電極600の側面に、少なくとも上部の側面が曲面であり、曲面の曲率中心がゲート電極600側にある構造体を設ける。同様に、ゲート電極601の側面に、少なくとも上部の側面が曲面であり、曲面の曲率中心がゲート電極601側にある構造体を設ける。これにより、遮光膜が覆う対象の遮光膜に対向する面(ここでは、ゲート電極600、601の上面、及び構造体813及び814の側面をつなげた面)の起伏が緩やかになるため、遮光膜の膜厚低下を抑制することができる。

0025

このような構造体は、例えば、周辺回路部502におけるトランジスタのゲート電極の側面に設けられるサイドウォールスペーサ—と同様に、ゲート電極上に膜を形成し、該膜をドライエッチングすることで形成することができる。

0026

一方、構造体形成のために膜のエッチングを行うと、光電変換部402の半導体領域や電荷保持部403の半導体領域にダメージを与える可能性がある。したがって、エッチングによるダメージを低減するため、ゲート電極600及び601形成後、構造体の形成前に、光電変換部402の半導体領域や電荷保持部403の半導体領域上に絶縁膜を形成する。これにより、構造体形成用のエッチング時、光電変換部402の半導体領域や電荷保持部403の半導体領域は絶縁膜で覆われているため、これらの半導体領域におけるダメージの発生を抑制することができる。

0027

上記特徴を有する撮像装置の構造の具体例を、図2Aを用いて説明する。画素部501では、ゲート電極600〜604を覆うように絶縁膜701が形成されている。ゲート電極600、601、602、603及び604の側面には、絶縁膜701を挟んで、それぞれ、構造体813、814、815、816及び817が設けられている。

0028

構造体813、814、815、816及び817は、それぞれ、少なくとも上部の側面が曲面であり、曲面の曲率中心が対応するゲート電極側にある。例えば、構造体813、814、815、816及び817は、それぞれ、上部が外側(対応するゲート電極と反対側)に向かって凸の曲面形状を有する。

0029

したがって、構造体813〜817がゲート電極600〜604の側面に設けられていることで、ゲート電極と基板との段差を緩やかにすることができ、上に形成される遮光膜の局所的な膜厚低下を抑制することができる。

0030

ここでは、ゲート電極と構造体の間に絶縁膜701があるが、その場合でも、構造体が設けられることで段差は緩やかになるため、遮光膜の局所的な膜厚低下の低減の効果を得ることができる。

0031

また、光電変換部402上の絶縁膜701は、反射防止膜としても機能する。したがって、絶縁膜701の材料、膜厚を、基板100や絶縁膜701上に形成される絶縁膜などの屈折率を考慮したものにすることが好ましい。ここでは、絶縁膜701は、窒化膜、または酸化膜と窒化膜の積層で形成することができ、例えば、窒化シリコンを主成分とする膜、または、酸化シリコンを主成分とする膜と窒化シリコンを主成分とする膜の積層で形成することができる。

0032

構造体813〜817は、絶縁膜702として、酸化膜、例えば酸化シリコンを主成分とする膜をゲート電極600〜604を覆うように基板上に形成し、エッチングすることで形成することができる。

0033

周辺回路部502では、ゲート電極605、606側面に、それぞれ、少なくとも上部の側面が曲面であり、曲面の曲率中心が対応するゲート電極側にある構造体801及び802が設けられている。構造体801及び802は、絶縁膜701から形成されているため、構造体801及び802と絶縁膜701は、同じ主成分を有する。

0034

また、周辺回路部502では、ゲート電極605、606、及び構造体801、802を覆うように、基板上に絶縁膜703が形成されている。絶縁膜703は、窒化膜、または酸化膜と窒化膜の積層、例えば窒化シリコンを主成分とする膜、または酸化シリコンを主成分とする層と窒化シリコンを主成分とする層の積層で形成することができる。

0035

絶縁膜703は、シリサイド層432からコバルトチタンニッケル等のシリサイドを形成する金属元素拡散するのを防止する拡散防止層として機能する。よって、酸化シリコン膜よりも密度の高い窒化シリコン膜、または窒化シリコン膜を有する積層構造を用いることで、金属の拡散をより低減することができる。

0036

さらに、画素部501の絶縁膜701及び構造体813〜817と、周辺回路部502の絶縁膜703上に、絶縁膜301が設けられている。絶縁膜301を設けることによって、より段差を緩和することができる。絶縁膜301は、酸化膜、例えば酸化シリコンを主成分とする膜で形成することができる。なお、ここでは、絶縁膜301が設けられている例を示すが、構造体813及び814によってゲート電極と基板との間の段差が緩和されているため、固体撮像装置は、絶縁膜301が設けられていない構成としてもよい。

0037

絶縁膜301の上には、第1の転送トランジスタのゲート電極600、電荷保持部403の半導体領域、及び第2の転送トランジスタのゲート電極601を覆うように、遮光膜303が形成されている。遮光膜303は、遮光性の高い材料の膜、例えばタングステン膜を形成し、光電変換部402上に形成された部分やコンタクト形成部等、不要な部分をエッチングすることで形成することができる。

0038

すなわち、遮光膜303となる膜は、光入射の妨げとならないよう、少なくとも光電変換部402の上に形成された部分の一部がエッチングされる。また、電荷保持部403での光電変換を抑制するため、遮光膜303は、平面視において(ゲート絶縁膜104の膜厚方向から見て)、少なくとも、ゲート電極600、前記電荷保持部403の半導体領域、及びゲート電極601と重なる領域に設けられている。

0039

電荷保持部403への不要な光の入射を抑制するため、電荷保持部403半導体領域から遮光膜303までの距離は小さいことが好ましい。よって、ゲート電極600、601、及び構造体813、814と遮光膜303との間に絶縁膜301がある構造とする場合、絶縁膜301の膜厚は、これらを埋め込んで平らな上面を有する、所為平坦化膜より、小さくする。具体的には、絶縁膜301の膜厚は、ゲート電極600及び601の膜厚より小さいことが好ましい。

0040

よって、遮光膜303は、ゲート電極600及び601の側面の少なくとも一部を覆うように設けられる。つまり、遮光膜303は、ゲート電極600及び601の上から、ゲート電極600及び601の端部を越えて側面まで延在している。遮光性能の観点から、遮光膜303の端部は、ゲート電極600または601の側面と平行な方向(高さ方向)において、ゲート電極の上端部より基板に近い位置にあることが好ましい。

0041

例えば、固体撮像装置が絶縁膜301を有する場合、遮光膜303は、絶縁膜301を介して、ゲート電極600及び601の側面の少なくとも一部を覆う。つまり、遮光膜303は、絶縁膜301を介して、ゲート電極600及び601の上からゲート電極600及び601の端部を越えて側面まで延在している。遮光性能の観点から、遮光膜303の端部は、ゲート電極600または601の側面と平行な方向において、ゲート電極の上端部より基板に近い位置にあることが好ましい。

0042

すなわち、遮光膜303の端部(例えば、遮光膜303の光電変換部402上の端部)と基板との距離の方が、ゲート電極600の上面と基板との距離より小さくなるよう、遮光膜303を形成する。遮光性の観点から、遮光膜303の端部(例えば、遮光膜303の光電変換部402上の端部)と基板との距離が、ゲート電極600の上面と基板との距離の半分以下であることが、より好ましい。なお、ここで、2つの部材の距離とは、2つの部材の最短距離を指す。

0043

遮光膜303の下では、ゲート電極600及び601の側面に、絶縁膜701を挟んで、それぞれ構造体813及び814が設けられているため、遮光膜303の膜厚の局所的な減少や、それによる遮光性の低下が抑制されている。

0044

遮光膜303の上に層間絶縁膜901、導電層902乃至904が形成された構成を図2(B)に示す。図2Bでは、画素部501の遮光膜303及び周辺回路部502の絶縁膜301の上には、層間絶縁膜901が設けられている。層間絶縁膜901に設けられた開口内及び層間絶縁膜901上には、半導体領域423と電源回路とを電気的に接続する導電層902が設けられていてもよい。同様に、層間絶縁膜901に設けられた開口内及び絶縁膜901上には、半導体領域425と信号出力線とを電気的に接続する導電903が形成されていてもよい。

0045

更に、画素部501において、配線904が層間絶縁膜901上に形成されていてもよい。また、周辺回路部502においても同様に、層間絶縁膜901に設けられた開口内の導電層によって、半導体領域432と配線を電気的に接続する構成としてもよい。

0046

なお、本実施の形態では、構造体801、802、813〜817がそれぞれ、ゲート電極605、606、600〜604の上方には設けられていない構成とした。本実施の形態にかかる構造体はこの構成に限定されず、遮光膜の膜厚の局所的な減少を抑制できる構成であればよい。よって、例えば、構造体801、802、813〜817は、ゲート電極605、606、600〜604の上まで延在していても、ゲート電極の端部付近において、曲率中心が対応するゲート電極側にある曲面形状を有する形状であればよい。

0047

次に図2Aで示したような本実施の形態の固体撮像装置の製造方法について、図3を用いて説明する。

0048

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。

0049

基板(半導体基板)100に、STI法(Shallow Trench Isolation法)やLOCOS法(Local Oxidation of Silicon法)で素子分離部103を形成する。次に、イオン注入法により基板内に、ウェル101、及び102を形成する。さらにイオン注入法により画素部501に、光電変換部402のN型半導体領域420及びP型半導体領域430と、電荷保持部403のN型半導体領域421及びP型半導体領域431と、を形成する。

0050

その後、ゲート絶縁膜104を成膜し、その上にポリシリコン堆積し、フォトリソグラフィとエッチング技術を用いてゲート電極600、601、602、603、604、605、及び606を形成する。その後イオン注入にて基板に不純物を導入し、N型半導体領域422、423、424、及び425を形成する(図3(a))。

0051

ここでゲート電極を形成する前に電荷保持部403のイオン注入を行っているが、ゲート電極を形成した後にイオン注入を行い、自己整合的に光電変換部402及び電荷保持部403の半導体領域420.421、430、及び431を形成してもよい。たとえば、第1及び第2の転送トランジスタのゲート電極600及び601をマスクとしてイオン注入を行うことで、自己整合的に光電変換部402及び電荷保持部403の半導体領域420.421、430、及び431を形成することができる。

0052

その後、ゲート電極600〜606を覆うように基板100上に、CVD法などを用いて絶縁膜701を形成する。画素部501にレジストを塗布し、周辺回路部502のみ絶縁膜701をエッチングしてサイドウォールスペーサ—として機能する構造体801及び802を形成する。

0053

絶縁膜701は、例えば、シリコン窒化膜、またはシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層とすることで、画素部の反射防止膜として用いることができる。本実施の形態では、周辺回路部502の構造体801及び802を形成する絶縁膜701を、画素部では半導体領域の保護膜及び反射防止膜として機能する絶縁膜として残している。よって、周辺回路部502の構造体801及び802の形成時、構造体801及び802を形成する絶縁膜を画素部501においてもエッチングし、画素部の保護膜や反射防止膜を別途形成する場合に比べ、工程数コストを削減することができる。

0054

次に、図3(b)に示すように、周辺回路部502において構造体801及び802をサイドウォールスペーサーとして利用してイオン注入を行い、自己整合的に周辺回路部のトランジスタのソース・ドレインを形成する。次に絶縁膜702を画素部501及び周辺回路部502に成膜する。絶縁膜702は、例えば酸化シリコンで形成することができる。絶縁膜702の形成後、画素部にレジストを塗布し、周辺回路部のみ絶縁膜702をドライエッチングにより一部を取り除く。

0055

次に、コバルト金属膜を成膜しアニールすることで、露出した周辺回路部にシリサイド層432を形成する。この時、画素部における絶縁膜702は、保護膜として機能する。

0056

シリサイド層432の形成直後に、絶縁膜703を成膜する。絶縁膜703は、シリサイド層の拡散防止のためであり、周辺回路部にレジストを塗布し、画素部に形成された絶縁膜703は、エッチングで除去する。絶縁膜703は、例えば窒化シリコンの膜、または酸化シリコンの膜と窒化シリコンの膜の積層で形成することができる。この時、絶縁膜702もエッチングし、画素部501に構造体813〜817を形成する(図3(c))。

0057

構造体813〜817を形成する際、絶縁膜702のエッチングは、絶縁膜701が半導体領域420、421、430、及び430上に残るように、ドライエッチングで時間を調整して行う。なお、絶縁膜702から構造体823〜817を形成する工程は、絶縁膜703のエッチングと同時に行ってもよいし、エッチャントを変えて別で行ってもよい。

0058

次にCVD法などを用いて絶縁膜301を成膜し、遮光膜成膜時の密着層とする。絶縁膜301は、例えば酸化シリコンを用いて形成することができる。その上にPVD法などを用いて遮光性を有する膜、例えば、タングステンタングステンシリサイド、及びアルミニウムの少なくともいずれか1つから成る膜を成膜する。更に密着性を向上させたい場合は、絶縁膜上にチタンまたはチタンナイトライドなどの金属膜を成膜しても良い。

0059

次に、遮光性を有する膜の、光電変換部402の上方やコンタクト形成部等に形成された部分をエッチングして、遮光膜303を形成する(図3(d))。エッチングは、膜の、第1の転送層トランジスタのゲート電極600、電荷保持部403、及び第2の転送トランジスタのゲート電極601を覆う部分を残すように行う。

0060

上記固体撮像装置の製造方法において、ゲート電極600及び601の側面に、それぞれ構造体813及び814設けることで、その上方に遮光膜303を成膜した場合の被覆性が向上する。

0061

また、絶縁膜701を、ゲート電極600及び601形成後、構造体813及び814形成前に、ゲート電極600、601、光電変換部402の半導体領域420、430、及び電荷保持部403の半導体領域421及び431を覆うように形成する。これにより、構造体813及び814形成用の絶縁膜702のエッチング時、光電変換部402の半導体領域及び電荷保持部403の半導体領域に生じるダメージを低減する事が出来る。

0062

さらに、遮光膜303が設けられる部分の平坦性が向上しているため、遮光膜303をエッチングにより除去した場合も遮光膜残渣をより抑制でき、リーク不良の発生を抑制することができる。

0063

(実施の形態2)
図4は、実施の形態1と別の実施の形態の固体撮像装置の一部の断面模式図である。ここでは、実施の形態1と同様な部分については説明を省略し、主に異なる部分について以下に説明する。

0064

画素部501では、実施の形態1(図2B)のゲート電極600〜604の側面に絶縁膜701を介して、それぞれ構造体813〜817が形成されており、構造体813〜817の側面に、さらに構造体823〜827がそれぞれ設けられている。構造体823〜827は、それぞれ、少なくとも上部の側面が曲面であり、曲面の曲率中心が対応するゲート電極側にある。構造体823〜827は、例えば、主成分として酸化シリコンを含む。

0065

また、本実施の形態の固体撮像装置では、実施の形態1(図2B)のゲート電極605の側面に、構造体801及び絶縁膜703を介して構造体821があり、また、ゲート電極606の側面に、構造体802及び絶縁膜703を介して構造体822がある。構造体821及び822の上部は、それぞれ対応するゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状の側面を有する。構造体801及び802は、例えば、主成分として酸化シリコンを含む。

0066

絶縁膜701、構造体823〜827及び構造体821及び822を覆うように、基板上に絶縁膜301が形成されている。

0067

絶縁膜301の上には、第1の転送トランジスタのゲート電極600、電荷保持部403の半導体領域、及び第2の転送トランジスタのゲート電極601を覆うように遮光膜303が形成されている。

0068

このように、少なくとも上部の側面が、対応するゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状を有する構造体をさらに設けることで、遮光膜303が形成される領域において、構造体と基板の段差をより緩やかなものとすることができる。よって、遮光膜303の局所的な膜厚の減少をより抑制することができ、遮光膜の膜厚低下に起因する遮光性能の低下をより抑制することができる。

0069

図4で示した実施の形態の固体撮像装置の製造方法について、図5を用いて説明する。

0070

図5(a)〜(c)までは実施の形態1(図3(a)〜(c))と同様である。

0071

次に絶縁膜704を成膜し、画素部501、周辺回路部502共に絶縁膜704をエッチバックして、構造体813〜817及び構造体801及び802上に更に、それぞれ構造体823〜827及び構造体821及び822を形成する(図5(d))。構造体823〜827及び構造体821、822は、構造体801、802、及び構造体813〜817と同様の材料、方法で形成することができる。

0072

次にCVD法などを用いて絶縁膜301を成膜し、遮光膜成膜時の密着層とする。その上にPVD法などを用いて遮光性を有する膜、例えば、タングステン、タングステンシリサイド、及びアルミニウムの少なくとも1つから成る膜を成膜する。更に密着性を向上させたい場合は、絶縁膜上にチタン、チタンナイトライドなどの金属膜を成膜しても良い。

0073

遮光膜303は、この膜を、光電変換部402の上方やコンタクト形成部等に形成された部分をエッチングで取り除くことで、遮光膜303を形成する(図5(e))。エッチングは、遮光性を有する膜の、第1の転送層トランジスタのゲート電極600、電荷保持部403、及び第2の転送トランジスタのゲート電極601を覆う部分を残すように行う。

0074

このようにゲート電極の側面に構造体を複数形成する事で、その上に形成される遮光膜303の被覆性がより向上する。

0075

また、絶縁膜701を、ゲート電極600及び601形成後、構造体813及び814形成前に、ゲート電極600、601、光電変換部402の半導体領域420、430、及び電荷保持部403の半導体領域421及び431を覆うように形成する。これにより、構造体813及び814形成用の絶縁膜702のエッチング時、光電変換部402の半導体領域及び電荷保持部403の半導体領域に生じるダメージを低減する事が出来る。

0076

さらに、遮光膜303が設けられる部分の平坦性が向上しているため、遮光膜303をエッチングにより除去した場合も遮光膜残渣をより抑制でき、リーク不良の発生を抑制することができる。

0077

(実施の形態3)
図6は、実施形態1及び2とは別の実施の形態にかかる固体撮像装置の一部の断面模式図である。ここでは、実施の形態1または2と同様な部分については説明を省略し、主に異なる部分について以下に説明する。

0078

本実施の形態では、実施の形態1(図2B)における、周辺回路部502に配置されたゲート電極605及び606の側壁に設けられる構造体831及び842が、絶縁膜701だけでなく、絶縁膜701と絶縁膜702から形成されている。構造体831及び832の上部は、それぞれ対応するゲート電極側に曲率中心を有する、曲面形状の側面を有する。

0079

本実施の形態の構造体831及び832は、ゲート電極の側面に設けられた、例えば窒化シリコンを主成分とする構造体841及び842と、その側面に設けられた、例えば酸化シリコンを主成分とする構造体851及び852と、を有する。また、絶縁膜701が酸化シリコンと窒化シリコンの積層の場合、構造体831及び832は、ゲート電極の側面側から、酸化シリコンと窒化シリコンの2層からなる構造体841及び842と、酸化シリコンからなる構造体841及び842を有することとなる。

0080

また、画素部501の構造体813〜817の側面に、さらに構造体823〜827がそれぞれ設けられている。構造体823〜827は、それぞれ、少なくとも上部の側面が、対応するゲート電極側に曲率中心を有する曲面形状となる構造を有する。

0081

周辺回路部502では、構造体831及び832を覆うように、基板上に絶縁膜703が設けられ、構造体831及び832の側面には、絶縁膜703を挟んでそれぞれ構造体821及び822が設けられている。

0082

次に図6で示したような本実施の形態の固体撮像装置の製造方法について、図7を用いて説明する。

0083

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。

0084

半導体基板である基板100に素子分離部103をSTI法やLOCOS法で形成する。次に、イオン注入法によりウェル101、102を形成する。次にイオン注入法により画素部501に光電変換部402のN型半導体領域420、P型半導体領域430、電荷保持部403のN型半導体領域421、及びP型半導体領域431を形成する。

0085

その後、ゲート絶縁膜104を成膜し、その上にポリシリコンを堆積し、フォトリソグラフィとエッチング技術を用いてゲート電極600、601、602、603、604、605、及び606を形成する。その後イオン注入にてN型半導体領域422、423、424、及び425を形成する(図7(a))。

0086

ここでは、ゲート電極を形成する前に光電変換部402、電荷保持部403のイオン注入を行っている。しかし、ゲート電極を形成した後に光電変換部402及び電荷保持部403をイオン注入し、第1及び第2の転送トランジスタのゲート電極600及び601を利用して自己整合的に光電変換部402及び電荷保持部403を形成することも可能である。

0087

その後、図7(b)に示すように、ゲート電極の上にCVD法などを用いて絶縁膜701、絶縁膜702を成膜する。画素部501にレジストを塗布し、周辺回路部のみ絶縁膜701、絶縁膜702の一部をドライエッチングで除去することで構造体831及び832を形成する。構造体831は、絶縁膜701から形成される構造体841及び絶縁膜702から形成される構造体851を有する。また、構造体832は、絶縁膜701から形成される構造体841及び絶縁膜702から形成される構造体852を有する。

0088

ゲート電極605及び606、第1の構造体831、及び第2の構造体832をマスクとして周辺回路部502にイオン注入を行うことで、自己整合的に周辺回路部のトランジスタのソース・ドレインを形成する。絶縁膜701は、シリコン窒化膜または、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層とすることで、画素部501の反射防止膜として機能する。

0089

本実施の形態では、周辺回路部502の構造体841及び842を形成する絶縁膜701を、画素部では、半導体領域の保護膜及び反射防止膜として機能する絶縁膜として残している。よって、周辺回路部502の構造体841及び842の形成時、構造体841及び842を形成する絶縁膜を画素部501においてもエッチングし、画素部の保護膜や反射防止膜を別途形成する場合に比べ、工程数、コストを削減することができる。

0090

次に、実施の形態1及び2と同様に、コバルト金属膜を成膜しアニールすることで、露出した周辺回路部502にシリサイド層432を形成する。この時、絶縁膜702は周辺回路部502にシリサイド層432を形成する際の保護膜として機能する。

0091

シリサイド層432の形成直後に、絶縁膜703を成膜する。この絶縁膜はシリサイド層の拡散防止のためであり、周辺回路部502では絶縁膜703上にレジストを塗布し、画素部501ではエッチングで除去する。この時同時に絶縁膜702もエッチングすることで、画素部501に構造体813〜817を形成する(図7(c))。

0092

次に絶縁膜704を成膜し、画素部501及び周辺回路部502共に絶縁膜704をエッチバックして、構造体813〜817、831、及び832の側面上に、更に構造体823〜827、821及び822を形成する(図7(d))。

0093

次に、図7(e)に示すように、CVD法などを用いて絶縁膜301を成膜し、遮光膜成膜時の密着層とし、その上に遮光膜303を形成する。

0094

遮光膜の形成は、下記のようにして行う。絶縁膜301の上にPVD法などを用いて遮光性を有する膜、例えば、タングステン、タングステンシリサイド、及びアルミニウムの少なくともいずれか1つからなる膜を成膜する。更に密着性を向上させたい場合は、絶縁膜上にチタン、チタンナイトライドなどの金属膜を成膜しても良い。その膜の、光電変換部402の上方やコンタクト形成部等にある部分をエッチングすることで、遮光膜303を形成する(図7(e))。エッチングは、膜の、第1の転送層トランジスタのゲート電極600、電荷保持部403、及び第2の転送トランジスタのゲート電極601を覆う部分を残すように行う。

0095

ゲート電極600及び601の側面に構造体813、814、及び構造体823及び824を形成する事で、その上に遮光膜303を成膜した場合の被覆性が向上する。構造体813、814に加え、構造体823及び824を設けることで、遮光膜が覆う対象の遮光膜に対向する面(ここでは、ゲート電極600、601の上面、及び構造体823及び824の側面をつなげた面)の起伏が、より緩やかになる。よって、遮光膜の膜厚低下をさらに抑制することができ、遮光膜303による被覆性が、より向上する。

0096

つまり、このようにゲート電極の側面に構造体を複数形成する事で、その上に形成される遮光膜の被覆性がより向上する。

0097

また、絶縁膜701を、ゲート電極600及び601形成後、構造体813及び814の形成前に、ゲート電極600、601、光電変換部402の半導体領域420、430、及び電荷保持部403の半導体領域421及び431を覆うように形成する。これにより、構造体813及び814形成時の絶縁膜702のエッチング時、光電変換部402の半導体領域及び電荷保持部403の半導体領域に生じるダメージを低減する事が出来る。

0098

さらに、遮光膜が設けられる部分の平坦性が向上しているため、遮光膜をエッチングにより除去した場合も遮光膜残渣を抑制でき、リーク不良の発生を抑制することができる。

0099

(第4実施形態)
本発明の第4実施形態に係る撮像システムを説明する。撮像システムとして、デジタルスチルカメラビデオカメラデジタルカムコーダ複写機ファクシミリ携帯電話車載カメラ観測衛星などがあげられる。図8に、第4実施形態に係る撮像システムの例としてデジタルスチルカメラのブロック図を示す。

0100

図8において、撮像システムは、レンズの保護のためのバリア1001、被写体の光学像を固体撮像装置1004に結像させるレンズ1002、レンズ1002を通った光量を可変するための絞り1003、メカニカルシャッタ1005を備える。撮像システムは、さらに上述の実施の形態1乃至3のいずれかで説明した固体撮像装置1004を備え、固体撮像装置1004はレンズ1002により結像された光学像を画像データとして変換する。ここで、固体撮像装置1004の半導体基板にはAD変換部が形成されているものとする。

0101

撮像システムはさらに信号処理部1007、タイミング発生部1008、全体制御・演算部1009、メモリ部1010、記録媒体制御I/F部1011、記録媒体1012、外部I/F部1013を備える。信号処理部1007は、固体撮像装置1004より出力された撮像データに各種の補正やデータを圧縮する。タイミング発生部1008は、固体撮像装置1004および信号処理部1007に各種タイミング信号を出力する。

0102

全体制御・演算部1009は、デジタルスチルカメラ全体を制御し、メモリ部1010は、画像データを一時的に記憶するためフレームメモリとして機能する。記録媒体制御I/F部1011は、記録媒体に記録または読み出しを行う。記録媒体1012は、着脱可能な半導体メモリ等から構成され、撮像データの記録または読み出しを行う。外部I/F部1013は、外部コンピュータ等と通信するためのインターフェースである。

0103

ここで、タイミング信号などは、撮像システムの外部から入力されてもよく、撮像システムは、少なくとも固体撮像装置1004と、固体撮像装置1004から出力された撮像信号を処理する信号処理部1007とを有すればよい。

0104

(他の実施形態)
上述した実施形態は、本発明を実施するにあたっての具体例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲は限定的に解釈されない。すなわち、本発明はその技術思想から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。

0105

例えば、本発明は、トランジスタのゲート電極による段差のみならず、遮光部において遮光膜の下に位置する部材に起因する段差が生じる可能性のある構造を有する固体撮像装置に用いることができる。また、上述した実施の形態では、信号電荷電子とする固体撮像装置を例にして説明したが、本発明は、信号電荷を正孔とする固体撮像装置においても同様に適用することができる。なお、この場合、上述した半導体領域の導電型は、P型とN型とが逆になる。

0106

また、図1Bに示した固体撮像装置の画素回路平面レイアウトは、一例を示したものであり、本発明を適用しうる固体撮像装置の画素回路の平面レイアウトは、これに限定されるものではない。

0107

402光電変換部
403電荷保持部
420、421N型半導体領域
430、431P型半導体領域
600、601、602、603、604、605、606ゲート電極
701絶縁膜
813、814構造体
303 遮光膜

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