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技術 電力変換装置

出願人 株式会社デンソー
発明者 吉村仁志増澤高志
出願日 2015年11月18日 (3年8ヶ月経過) 出願番号 2015-226047
公開日 2017年6月1日 (2年1ヶ月経過) 公開番号 2017-099062
状態 特許登録済
技術分野 インバータ装置
主要キーワード バイパス導体 極側スイッチング素子 銅パターン層 バスバ 並び方 オンオフ動作 共振現象 交流負荷
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (13)

課題

寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置を提供すること。

解決手段

電力変換装置1は、出力端子2と正極側接続部3と負極側接続部4と正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52と正極端子61と負極端子62とバイパス導体11とを有する。正極側接続部3及び負極側接続部4は、出力端子2から分岐して互いに並列配置されている。バイパス導体11は、正極側接続部3における分岐部12よりも正極側スイッチング素子51側の部位と、負極側接続部4における分岐部12よりも負極側スイッチング素子52側の部位と、の間を電気的に接続している。

概要

背景

例えば電気自動車ハイブリッド自動車等に搭載されるインバータ等の電力変換装置は、複数のスイッチング素子オンオフすることにより、直流電力交流電力との間の電力変換を行うよう構成されている。かかる電力変換装置におけるスイッチング回路においては、スイッチング素子のオンオフ動作に伴い、サージ電圧が発生する。大きなサージ電圧がスイッチング素子に印加されると、スイッチング素子の動作に影響を及ぼしうる。

そこで、特許文献1に記載の電力変換装置は、正極端子と正極側スイッチング素子との間の部位と、負極端子と負極側スイッチング素子との間の部位とを、スナバコンデンサを介して接続している。これにより、スイッチング回路に生じるサージ電圧をスナバコンデンサに吸収させ、スイッチング素子に大きなサージ電圧が加わることを抑制しようとしている。

概要

寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置を提供すること。電力変換装置1は、出力端子2と正極側接続部3と負極側接続部4と正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52と正極端子61と負極端子62とバイパス導体11とを有する。正極側接続部3及び負極側接続部4は、出力端子2から分岐して互いに並列配置されている。バイパス導体11は、正極側接続部3における分岐部12よりも正極側スイッチング素子51側の部位と、負極側接続部4における分岐部12よりも負極側スイッチング素子52側の部位と、の間を電気的に接続している。

目的

以上のごとく、本態様によれば、寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

交流負荷(10)に電気的に接続される出力端子(2)と、該出力端子から分岐部(12)を介して分岐した正極側接続部(3)及び負極側接続部(4)と、上記正極側接続部における上記出力端子と反対側の端部に接続された正極側スイッチング素子(51)と、上記負極側接続部における上記出力端子と反対側の端部に接続された負極側スイッチング素子(52)と、上記正極側スイッチング素子に電気的に接続された正極端子(61)と、上記負極側スイッチング素子に電気的に接続された負極端子(62)と、上記正極側接続部における上記分岐部よりも上記正極側スイッチング素子側の部位と、上記負極側接続部における上記分岐部よりも上記負極側スイッチング素子側の部位と、の間を電気的に接続するバイパス導体(11)と、を有する電力変換装置(1)。

請求項2

上記正極側スイッチング素子と上記負極側スイッチング素子との並び方向(X)に直交する縦方向(Y)において、上記正極端子及び上記負極端子と上記出力端子とは、上記正極側スイッチング素子及び上記負極側スイッチング素子を挟んで、互いに反対側に配されており、上記バイパス導体は、上記並び方向と上記縦方向との双方に直交する方向(Z)から見たとき、上記正極側スイッチング素子と上記負極側スイッチング素子との間に配されている、請求項1に記載の電力変換装置。

請求項3

上記バイパス導体は、ワイヤである、請求項1又は2に記載の電力変換装置。

請求項4

上記バイパス導体は、リボンである、請求項1又は2に記載の電力変換装置。

請求項5

上記バイパス導体は、バスバである、請求項1又は2に記載の電力変換装置。

技術分野

0001

本発明は、スイッチング素子を備えた電力変換装置に関する。

背景技術

0002

例えば電気自動車ハイブリッド自動車等に搭載されるインバータ等の電力変換装置は、複数のスイッチング素子をオンオフすることにより、直流電力交流電力との間の電力変換を行うよう構成されている。かかる電力変換装置におけるスイッチング回路においては、スイッチング素子のオンオフ動作に伴い、サージ電圧が発生する。大きなサージ電圧がスイッチング素子に印加されると、スイッチング素子の動作に影響を及ぼしうる。

0003

そこで、特許文献1に記載の電力変換装置は、正極端子と正極側スイッチング素子との間の部位と、負極端子と負極側スイッチング素子との間の部位とを、スナバコンデンサを介して接続している。これにより、スイッチング回路に生じるサージ電圧をスナバコンデンサに吸収させ、スイッチング素子に大きなサージ電圧が加わることを抑制しようとしている。

先行技術

0004

特開2014−187874号公報

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、上記電力変換装置は、正極側スイッチング素子と出力端子と負極側スイッチング素子とを流れる交流電流電流経路における寄生インダクタンスは低減できない。それゆえ、該寄生インダクタンスに起因したサージ電圧を低減し難いという課題がある。

0006

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置を提供しようとするものである。

課題を解決するための手段

0007

本発明の一態様は、交流負荷(10)に電気的に接続される出力端子(2)と、
該出力端子から分岐部(12)を介して分岐した正極側接続部(3)及び負極側接続部(4)と、
上記正極側接続部における上記出力端子と反対側の端部に接続された正極側スイッチング素子(51)と、
上記負極側接続部における上記出力端子と反対側の端部に接続された負極側スイッチング素子(52)と、
上記正極側スイッチング素子に電気的に接続された正極端子(61)と、
上記負極側スイッチング素子に電気的に接続された負極端子(62)と、
上記正極側接続部における上記分岐部よりも上記正極側スイッチング素子側の部位と、上記負極側接続部における上記分岐部よりも上記負極側スイッチング素子側の部位と、の間を電気的に接続するバイパス導体(11)と、を有する電力変換装置(1)にある。

発明の効果

0008

上記電力変換装置は、上記の位置にバイパス導体を有する。これにより、正極側スイッチング素子と負極側スイッチング素子とを流れる交流電流の電流経路を短くすることができる。それゆえ、上記電流経路における寄生インダクタンスを抑制することができる。その結果、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子に印加されるサージ電圧を抑制することができる。

0009

以上のごとく、本態様によれば、寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない

図面の簡単な説明

0010

実施形態1における、半導体モジュールの上面図。
図1の、II−II線矢視断面図。
図1の、III−III線矢視断面図。
図1の、IV−IV線矢視断面図。
実施形態1における、半導体モジュールの斜視図。
実施形態1における、電力変換装置の回路図。
実施形態1における、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子を通る電流経路の説明図。
バイパス導体を有さない半導体モジュールにおける、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子を通る電流経路の説明図
実施形態2における、半導体モジュールの正面図。
図9の、A−A線矢視断面図。
実施形態2における、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子を通る電流経路の説明図。
バイパス導体を有さない半導体モジュールにおける、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子を通る電流経路の説明図。

実施例

0011

(実施形態1)
電力変換装置に係る実施形態について、図1図8を用いて説明する。
本実施形態の電力変換装置1は、図1図5に示すごとく、出力端子2と正極側接続部3と負極側接続部4と正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52と正極端子61と負極端子62とバイパス導体11とを有する。図6に示すごとく、出力端子2は、交流負荷10に電気的に接続される。図1図5に示すごとく、正極側接続部3及び負極側接続部4は、出力端子2から分岐部12を介して分岐している。図1図3図5に示すごとく、正極側スイッチング素子51は、正極側接続部3における出力端子2と反対側の端部に接続されている。図1図4図5に示すごとく、負極側スイッチング素子52は、負極側接続部4における出力端子2と反対側の端部に接続されている。

0012

図6に示すごとく、正極端子61は、正極側スイッチング素子51に電気的に接続されている。負極端子62は、負極側スイッチング素子52に電気的に接続されている。図1図5図6に示すごとく、バイパス導体11は、正極側接続部3における分岐部12よりも正極側スイッチング素子51側の部位と、負極側接続部4における分岐部12よりも負極側スイッチング素子52側の部位と、の間を電気的に接続している。

0013

図1図3図5に示すごとく、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との並び方向に直交する縦方向Yにおいて、正極端子61及び負極端子62と出力端子2とは、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52を挟んで、互いに反対側に配されている。図1に示すごとく、バイパス導体11は、上記並び方向と縦方向Yとの双方に直交する方向から見たとき、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との間に配されている。本実施形態において、上記並び方向と縦方向Yとの双方に直交する方向は、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52の厚み方向と同じ方向である。そして、バイパス導体11は、縦方向Yにおいて、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52の両端よりも内側に位置している。

0014

なお、以下においては、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との並び方向を、横方向Xという。また、横方向X及び縦方向Yの双方に直交する方向を、高さ方向Zという。高さ方向Zは、便宜的な表現であり、特に鉛直方向に限定されるものではない。

0015

本実施形態の電力変換装置1は、図6に示すごとく、直流電力を三相交流電力に変換するインバータ装置である。具体的には、電力変換装置1は、直流電源100と交流負荷10との間において電力変換を行うよう構成されている。そして、本実施形態の電力変換装置1は、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とをそれぞれ3つずつ備えている。一対の正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52は、電気的絶縁性を有するモールド樹脂70によってモールドされて、半導体モジュール7を構成している。すなわち、本実施形態の電力変換装置1は、3つの半導体モジュール7を有する。3つの半導体モジュール7の出力端子2は、それぞれ、交流負荷10のU相、V相、W相に接続される。

0016

なお、3つの半導体モジュール7は、いずれも同様の構造を有しており、以下において、半導体モジュール7を説明するときは、主に1つの半導体モジュール7について説明する。また、図1図6において、モールド樹脂70は、二点鎖線にて表している。また、図1図6以外の図面において、モールド樹脂70の図示を適宜省略している。

0017

図2に示すごとく、半導体モジュール7は、主面を高さ方向Zに向けたベースプレート71を有する。ベースプレート71における一方の面に、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52を、それぞれ他の構成要素とともに積層してなる。なお、以下において、高さ方向Zにおける、ベースプレート71の正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52が配された側を上側といい、その反対側を下側という。また、図2以外の図面においては、適宜、ベースプレートの図示を省略している。

0018

図2図4に示すごとく、ベースプレート71の上面に、銅パターン層72、絶縁層73が配されている。そして、絶縁層73の上面の一部に、銅パターン層741、正極側スイッチング素子51、バスバ771が、順次積層されている。また、絶縁層73の上面の他の一部に、銅パターン層742、負極側スイッチング素子52、バスバ772が、順次積層されている。絶縁層73は、電気的絶縁性を有する層であり、バスバ771、772は、導電性及び熱伝導性を有する層である。

0019

正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、互いに横方向Xに隣接して配されている。各スイッチング素子は、IGBT(すなわち、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)からなる。また、各スイッチング素子には、FWD(すなわち、フライホイールダイオード)が逆並列接続されている。なお、回路図以外の図面においては、FWDの図示を適宜省略している。

0020

正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52は、それぞれの下面にコレクタ51c、52cを有しており、それぞれの上面にエミッタ51e、52eを有している。図3に示すごとく、正極側スイッチング素子51のコレクタ51cは、銅パターン層741を介して正極端子61に接続されている。図2図4に示すごとく、負極側スイッチング素子52の上面のエミッタ52eは、バスバ772を介して負極端子62に接続されている。

0021

図1図5に示すごとく、正極端子61及び負極端子62は、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52に対して、縦方向Yの同じ側に配されている。図3図4に示すごとく、正極端子61及び負極端子62は、板状の金属であり、図1に示すごとく、主面を高さ方向Zに向けた状態で横方向Xに並んで配されている。正極端子61及び負極端子62は、それぞれ部分的にモールド樹脂70から露出している。また、正極端子61及び負極端子62は、モールド樹脂70から露出した先端側の一部に、それぞれの端子に接続される導体との接続部611、621を有する。

0022

図3に示すごとく、正極側スイッチング素子51の上面のエミッタ51eは、正極側接続部3を介して出力端子2に接続されている。本実施形態において、正極側接続部3は、バスバ771とバスバ781とにより構成されている。また、図4に示すごとく、負極側スイッチング素子52の下面のコレクタ52cは、負極側接続部4を介して出力端子2に接続されている。本実施形態において、負極側接続部4は、銅パターン層742とバスバ782とバスバ752とからなる。バスバ752は、高さ方向Zにおける銅パターン層742とバスバ782との間に配された導体である。

0023

図2に示すごとく、正極側接続部3と負極側接続部4とは、横方向Xに並んで配されている。図1に示すごとく、高さ方向Zから見たとき、正極端子61、正極側スイッチング素子51、及び正極側接続部3は、縦方向Yの一直線上に配されている。また、高さ方向Zから見たとき、負極端子62、負極側スイッチング素子52、及び負極側接続部4は、縦方向Yの一直線上に配されている。

0024

図3図4に示すごとく、正極側接続部3と負極側接続部4とは、出力端子2に接続されている。これにより、図6に示すごとく、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、正極側接続部3、出力端子2、及び負極側接続部4を介して、電気的に接続されている。

0025

図3図5に示すごとく、出力端子2は、幅広部21、連結部22、及び突出部23からなる。幅広部21は、厚み方向を高さ方向Zとし、横方向Xに長尺矩形板状を呈している。そして、幅広部21の上面における横方向Xの両側の部位に、正極側接続部3と負極側接続部4とが接続されている。すなわち、本実施形態においては、正極側接続部3及び負極側接続部4は、出力端子2から幅広部21の一部分によって構成される分岐部12を介して分岐している。

0026

連結部22は、幅広部21における正極端子61及び負極端子62の突出側と反対側の端部から、上側に向って形成されている。また、連結部22は、幅広部21における横方向Xの中央部から上側に向って形成されており、その厚み方向を縦方向Yとしている。そして、連結部22の上端から、正極端子61及び負極端子62の突出側と反対側に向って、突出部23が形成されている。図1に示すごとく、突出部23は、部分的にモールド樹脂70から露出している。また、出力端子2は、モールド樹脂70から露出した先端側の一部に、接続される導体との接続部231を有する。

0027

図1図2図5に示すごとく、本実施形態において、正極側接続部3のバスバ781と、負極側接続部4の銅パターン層742とが、バイパス導体11によって接続されている。これにより、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、バイパス導体11を介した電流経路と、分岐部12を介した電流経路との双方によって接続されている。バイパス導体11を介した電流経路は、バスバ771とバスバ781とバイパス導体11と銅パターン層742とからなる電流経路である。また、分岐部12を介した電流経路は、バスバ771とバスバ781と分岐部12とバスバ782とバスバ752と銅パターン層742とからなる電流経路である。そして、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを接続する電流経路は、バイパス導体11を介した電流経路の方が、出力端子2を介した電流経路よりも短くなっている。

0028

バイパス導体11は、ワイヤである。すなわち、バイパス導体11は、バスバ781と銅パターン層742とにボンディングされたボンディングワイヤである。なお、バイパス導体11は、リボンであってもよい。リボンは、長尺扁平形状を有し、フレキシブルな導体である。また、バイパス導体11は、バスバであってもよい。バスバは、リボンよりも厚みを有する板状の導体である。

0029

次に、本実施形態の作用効果につき説明する。
電力変換装置1は、上記の位置にバイパス導体11を有する。これにより、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを流れる交流電流の電流経路を短くすることができる。すなわち、図7に示すごとく、電流経路81は、正極端子61と正極側スイッチング素子51と正極側接続部3の一部とバイパス導体11と負極側接続部4の一部と負極側スイッチング素子52と負極端子62とを通る。一方、図8に示すごとく、バイパス導体11を備えていない場合、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを流れる交流電流の電流経路82は、正極端子61と正極側スイッチング素子51と正極側接続部3と出力端子2と負極側接続部4と負極端子62とを通ることとなる。図7図8に示すごとく、バイパス導体11を通る電流経路81は、出力端子2を通る電流経路82と比べ、正極側接続部3におけるバイパス導体11から出力端子2までの領域、出力端子2、及び負極側接続部4における出力端子2からバイパス導体11までの領域を通らない分、その経路を短くすることができる。それゆえ、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを通る交流電流の電流経路81における寄生インダクタンスを抑制することができる。その結果、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52に印加されるサージ電圧を抑制することができる。

0030

また、バイパス導体11は、高さ方向Zから見たとき、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との間に配されている。それゆえ、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを、より短い電流経路で接続することができる。それゆえ、電流経路81における寄生インダクタンスを一層抑制することができる。

0031

また、バイパス導体11は、ワイヤである。すなわち、電流経路81には、コンデンサが配されていない。それゆえ、電流経路81に共振現象が発生することを抑制できる。また、バイパス導体11を安価に形成することができる。
また、バイパス導体11は、リボンあるいはバスバとすることもできる。これによっても、バイパス導体11をワイヤにする場合と同様の効果を奏することができる。

0032

以上のごとく、本実施形態によれば、寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置1を提供することができる。

0033

(実施形態2)
本実施形態は、図9図12に示すごとく、実施形態1に対して、正極側スイッチング素子51、負極側スイッチング素子52等の半導体モジュール7の各要素の配置を変更した実施形態である。

0034

本実施形態においては、図10に示すごとく、銅パターン層741及び銅パターン層742との間に、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52をそれぞれ介在させて対向配置された銅パターン層743を有する。銅パターン層741及び銅パターン層742と銅パターン層743とは、それらの厚み方向に対向している。なお、図示は省略したが、銅パターン層743は出力端子2に接続されており、銅パターン層741は正極端子61に接続されており、銅パターン層742は負極端子62に接続されている。以下において、銅パターン層743と銅パターン層741、742との対向方向を対向方向Fという。また、対向方向Fにおける銅パターン層743側を上側、銅パターン層741及び銅パターン層742側を下側という。

0035

正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52は、対向方向Fにおいて、銅パターン層741及び銅パターン層742と、銅パターン層743との間に配されている。正極側スイッチング素子51は、銅パターン層741と銅パターン層743との間に配されている。そして、負極側スイッチング素子52は、銅パターン層742と銅パターン層743との間に配されている。

0036

正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、互いにコレクタとエミッタとが対向方向Fにおける反対側に位置するように配されている。すなわち、正極側スイッチング素子51は、下面にコレクタ51c、上面にエミッタ51eを有するのに対し、負極側スイッチング素子52は、上面にコレクタ52c、下面にエミッタ52eを有する。

0037

銅パターン層741の上面には、バスバ771、正極側スイッチング素子51が順次積層されている。また、銅パターン層742の上面には、負極側スイッチング素子52、バスバ772が順次積層されている。つまり、銅パターン層741の上側と、銅パターン層742の上側と、において、バスバとスイッチング素子との積層順が互いに反対となっている。

0038

本実施形態においても、正極側スイッチング素子51のエミッタ51eは、正極側接続部3を介して出力端子2に電気的に接続されている。本実施形態において、正極側接続部3は、銅パターン層743の一部分によって構成されている。また、負極側スイッチング素子52のコレクタ52cは、負極側接続部4を介して出力端子2に電気的に接続されている。本実施形態において、負極側接続部4は、バスバ772、及び銅パターン層743の一部分によって構成されている。そして、図示は省略したが、正極側接続部3と負極側接続部4とは、出力端子2から、出力端子2と銅パターン層743との接続部を介して分岐している。すなわち、本実施形態において、分岐部12は、出力端子2と銅パターン層743との接続部である。

0039

図10に示すごとく、バイパス導体11は、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52の厚み方向と並び方向との双方に直交する直交方向から見たとき、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との間に配されている。バイパス導体11は、上記並び方向と上記直交方向との双方に直交する方向において、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52の両端よりも内側に位置している。

0040

本実施形態において、バイパス導体11は、正極側接続部3の銅パターン層743における正極側スイッチング素子51のエミッタ51eが接続された位置の近傍と、負極側接続部4のバスバ772の下端部とを接続している。ここで、便宜上、銅パターン層743におけるバスバ771が配された部位と負極側スイッチング素子52が配された部位との間の部位を、中間部740ということとする。正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、バイパス導体11を介した電流経路と、中間部740を介した電流経路との双方によって接続されている。そして、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを接続する電流経路は、バイパス導体11を介した電流経路の方が、中間部740を介した電流経路よりも短くなっている。

0041

なお、本実施形態において、図9に示すごとく、正極端子61、負極端子62、及び出力端子2は、対向方向Fに直交する方向の同じ側に突出している。また、図10に示すごとく、銅パターン層741及び銅パターン層742は、絶縁層731の上面に配されている。また、絶縁層731の下面には、銅パターン層721、ベースプレート71が順次積層されている。また、銅パターン層743の上面には、絶縁層732、銅パターン層722、ベースプレート712が順次積層されている。そして、本実施形態においては、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52を、2つのベースプレート71に対して放熱することができるように構成されている。

0042

その他は、実施形態1と同様である。なお、実施形態2において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。

0043

本実施形態においても、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを流れる交流電流の電流経路83を短くすることができる。すなわち、図11に示す、バイパス導体11を通る電流経路83は、図12に示す、中間部740を通る電流経路84と比べ、短くなる。すなわち、電流経路83は、中間部740を通らず、かつ、負極側接続部4のバスバ772をほとんど通らない分、電流経路84よりも短くなる。それゆえ、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを通る交流電流の電流経路83における寄生インダクタンスを抑制することができる。その結果、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52に印加されるサージ電圧を抑制することができる。

0044

その他、実施形態1と同様の作用効果を奏する。
本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。例えば、バイパス導体は、導電性を有する種々の部品を用いることができ、例えば、コンデンサを有するものとすることもできる。

0045

1電力変換装置
10交流負荷
11バイパス導体
12分岐部
2出力端子
3 正極側接続部
4 負極側接続部
51 正極側スイッチング素子
52 負極側スイッチング素子
61正極端子
62 負極端子

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