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技術 有機EL表示装置の製造方法、有機EL表示装置

出願人 株式会社ジャパンディスプレイ
発明者 早川晴仁大原宏樹
出願日 2015年11月6日 (5年1ヶ月経過) 出願番号 2015-218940
公開日 2017年5月25日 (3年7ヶ月経過) 公開番号 2017-091750
状態 特許登録済
技術分野 エレクトロルミネッセンス光源
主要キーワード フレキシブル薄膜 電位供給源 端子出し 電位供給配線 ドライバトランジスタ 電位配線 安定動作 スイッチトランジスタ
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2017年5月25日)のものです。
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図面 (12)

課題

端子の取り出しにおけるダメージを防止し、より光取り出し効率の高い有機EL表示装置、及びその製造方法を実現する。

解決手段

有機EL表示装置の製造方法であって、第1電極有機EL層と第2電極とが積層された積層構造が配置されるとともに複数のトランジスタが形成されたTFT基板、前記TFT基板を被覆する封止膜、前記封止膜を被覆するフレキシブル基板層、及び、ガラス基板が順に積層されたパネルから、前記ガラス基板を除去し、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成されたフレキシブル基板層の一部を除去し、前記フレキシブル基板層に透明薄膜を形成し、前記透明薄膜をマスクとして用いて、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成された封止膜を除去する、ことを特徴とする。

概要

背景

例えば、下記特許文献1に開示のように、フレキシブルディスプレイにおいては、TFT等が形成されたTFT基板上に、有機EL層等が形成される。そして、当該有機EL層を水分等から保護するため有機EL層は封止膜を用いて保護される。ここで、ディスプレイの端子の取り出し(外部端子との接続部)は、当該端子上部に形成される封止膜をエッチングにより除去して行われる。

概要

端子の取り出しにおけるダメージを防止し、より光取り出し効率の高い有機EL表示装置、及びその製造方法を実現する。有機EL表示装置の製造方法であって、第1電極と有機EL層と第2電極とが積層された積層構造が配置されるとともに複数のトランジスタが形成されたTFT基板、前記TFT基板を被覆する封止膜、前記封止膜を被覆するフレキシブル基板層、及び、ガラス基板が順に積層されたパネルから、前記ガラス基板を除去し、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成されたフレキシブル基板層の一部を除去し、前記フレキシブル基板層に透明薄膜を形成し、前記透明薄膜をマスクとして用いて、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成された封止膜を除去する、ことを特徴とする。C

目的

効果

実績

技術文献被引用数
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請求項1

第1電極有機EL層と第2電極とが積層された積層構造が配置されるとともに複数のトランジスタが形成されたTFT基板、前記TFT基板を被覆する封止膜、前記封止膜を被覆するフレキシブル基板層、及び、ガラス基板が順に積層されたパネルから、前記ガラス基板を除去し、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成されたフレキシブル基板層の一部を除去し、前記フレキシブル基板層に透明薄膜を形成し、前記透明薄膜をマスクとして用いて、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成された封止膜を除去する、ことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。

請求項2

前記透明薄膜は、前記一部が除去されたフレキシブル基板層に形成されることを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置の製造方法。

請求項3

前記フレキシブル基板層の一部の除去は、前記フレキシブル基板層に形成された透明薄膜とともに行われることを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置の製造方法。

請求項4

第1電極と有機EL層と第2電極とが積層された積層構造が配置されるとともに複数のトランジスタが形成されたTFT基板、前記TFT基板を被覆する封止膜、前記封止膜を被覆するフレキシブル基板層、透明薄膜、前記透明薄膜、及びガラス基板を順に積層してパネルを形成し、前記パネルから、前記ガラス基板を除去し、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成された、前記フレキシブル基板層の一部及び透明薄膜の一部を除去し、前記透明薄膜をマスクとして用いて、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成された封止膜を除去する、ことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。

請求項5

前記封止膜の除去はエッチングにより行われることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の有機EL表示装置の製造方法。

請求項6

前記フレキシブル基板層は、ポリイミド層であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機EL表示装置の製造方法。

請求項7

第1電極と有機EL層と第2電極とが積層された積層構造が配置されるとともに複数のトランジスタが形成されたTFT基板と、前記TFT基板を被覆する封止膜と、前記封止膜を被覆するフレキシブル基板層と、前記TFT基板の端子部に対応する位置を除く所定の位置に形成された透明薄膜と、を有することを特徴とする有機EL表示装置。

技術分野

0001

本発明は、有機EL表示装置の製造方法、有機EL表示装置に関する。

背景技術

0002

例えば、下記特許文献1に開示のように、フレキシブルディスプレイにおいては、TFT等が形成されたTFT基板上に、有機EL層等が形成される。そして、当該有機EL層を水分等から保護するため有機EL層は封止膜を用いて保護される。ここで、ディスプレイの端子の取り出し(外部端子との接続部)は、当該端子上部に形成される封止膜をエッチングにより除去して行われる。

先行技術

0003

特開2009−205941号公報

発明が解決しようとする課題

0004

しかしながら、上記のような端子の取り出しにおいて、当該封止膜上に形成されたフレキシブル基板自身マスクとして機能させると、当該フレキシブル基板ダメージを受け、光取り出し効率の低下や有機EL層の劣化等の問題が生じる場合がある。

0005

本発明は、上記に鑑み、端子の取り出しにおけるダメージを防止し、より光取り出し効率の高い有機EL表示装置、及びその製造方法を実現する。

課題を解決するための手段

0006

(1)本発明の有機EL表示装置の製造方法は、第1電極と有機EL層と第2電極とが積層された積層構造が配置されるとともに複数のトランジスタが形成されたTFT基板、前記TFT基板を被覆する封止膜、前記封止膜を被覆するフレキシブル基板層、及び、ガラス基板が順に積層されたパネルから、前記ガラス基板を除去し、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成されたフレキシブル基板層の一部を除去し、前記フレキシブル基板層に透明薄膜を形成し、前記透明薄膜をマスクとして用いて、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成された封止膜を除去する、ことを特徴とする。

0007

(2)上記(1)に記載の本発明の有機EL表示装置の製造方法において、前記透明薄膜は、前記一部が除去されたフレキシブル基板層に形成されることを特徴とする。

0008

(3)上記(1)に記載の本発明の有機EL表示装置の製造方法において、前記フレキシブル基板層の一部の除去は、前記フレキシブル基板層に形成された透明薄膜とともに行われることを特徴とする。

0009

(4)本発明の他の有機EL表示装置の製造方法は、第1電極と有機EL層と第2電極とが積層された積層構造が配置されるとともに複数のトランジスタが形成されたTFT基板、前記TFT基板を被覆する封止膜、前記封止膜を被覆するフレキシブル基板層、透明薄膜、前記透明薄膜、及びガラス基板を順に積層してパネルを形成し、前記パネルから、前記ガラス基板を除去し、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成された、前記フレキシブル基板層の一部及び透明薄膜の一部を除去し、前記透明薄膜をマスクとして用いて、前記TFT基板の端子部に対応する位置に形成された封止膜を除去する、ことを特徴とする。

0010

(5)上記(1)乃至(4)のいずれかに記載の本発明の有機EL表示装置の製造方法において、前記封止膜の除去はエッチングにより行われることを特徴とする。

0011

(6)上記(1)乃至(5)のいずれかに記載の本発明の有機EL表示装置の製造方法において、前記フレキシブル基板層は、ポリイミド層であることを特徴とする。

0012

(7)本発明の有機EL表示装置は、第1電極と有機EL層と第2電極とが積層された積層構造が配置されるとともに複数のトランジスタが形成されたTFT基板と、前記TFT基板を被覆する封止膜と、前記封止膜を被覆するフレキシブル基板層と、前記TFT基板の端子部に対応する位置を除く所定の位置に形成された透明薄膜と、を有することを特徴とする。

図面の簡単な説明

0013

有機EL表示装置の構成の概要を示す図である。
有機EL表示装置の回路図の一例を示す。
有機EL表示装置の断面の一部の一例を示す。
第1の実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。
第1の実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。
第1の実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。
第1の実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。
第2の実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。
第2の実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。
第2の実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。
第2の実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。

実施例

0014

図1は、有機EL表示装置の構成の概要について説明するための図である。有機EL表示装置10は、データ駆動回路12及び走査駆動回路13によって、基板100上の表示領域11に形成された各画素を制御し、画像を表示する。ここで、例えば、データ駆動回路12は、各画素に送るデータ信号を生成・発信するIC(IntegratedCircuit)であり、走査駆動回路13は、画素に備えられたTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)へのゲート信号を生成・発信するICである。なお、図2において、データ駆動回路12及び走査駆動回路13は、2箇所に形成されるものとして記載されているが、1のICに組み込まれていてもよいし、基板100上に直接配線された回路によって形成されたものであってもよい。

0015

走査駆動回路13からの信号を伝える走査線14は、図1に示すようにスイッチトランジスタ30のゲート電極に接続される。また、データ駆動回路12からの信号を伝えるデータ線15は、スイッチトランジスタ30のソースドレイン電極に接続される。電位配線16には、有機発光ダイオード60に発光させるための基準電位印加され、ドライバトランジスタ20のソース・ドレイン電極に接続される。第1の電位供給配線17及び第2の電位供給配線18は電位供給源に接続され、トランジスタを介して電位配線16に接続される。なお、図1に示した構成は一例であって、本実施の形態は上記に限定されるものではない。

0016

図2は、本実施の形態に係る有機EL表示装置の回路図の一例を示す。有機EL表示装置10の表示領域11には、データ線15がD1からDnまでn本形成されており、走査線14がG1からGmまでm本形成されている。複数の画素PXがマトリクス状に、走査線14の延在方向及びデータ線15延在方向に配置されている。例えば、G1とG2、D1とD2で囲まれる部分に画素PXが形成される。

0017

第1の走査線G1はスイッチトランジスタ30のゲート電極に接続されており、走査駆動回路13から信号が印加されると、スイッチトランジスタ30がオン状態になる。そこでデータ駆動回路12から第1のデータ線D1に信号が印加されると、蓄積容量40に電荷が蓄積され、ドライバトランジスタ20のゲート電極に電圧が印加されて、ドライバトランジスタ20がオン状態になる。ここでスイッチトランジスタ30がオフ状態となっても、蓄積容量40に蓄えられた電荷により、一定期間はドライバトランジスタ20がオン状態になる。有機発光ダイオード60の陽極はドライバトランジスタ20のソース・ドレイン間を通じて電位配線16に接続されており、有機発光ダイオード60の陰極は基準電位Vcに固定されているから、ドライバトランジスタ20のゲート電圧に応じて有機発光ダイオード60に電流が流れ、有機発光ダイオード60が発光する。また、付加容量50が有機発光ダイオード60の陽極と陰極との間に形成される。付加容量50は、蓄積容量40に書き込まれる電圧を安定させる効果を発揮し、有機発光ダイオード60の安定動作に寄与する。具体的には、蓄積容量40の静電容量よりも付加容量50の静電容量が大きくなるようにすることで当該効果が発揮される。

0018

図3は、有機EL表示装置の断面の一部の一例を示す。図3に示すように、下地層308が形成された第1のポリイミド層301上にスイッチトランジスタ30及びドライバトランジスタ20のゲート電極が形成されるとともに、画素電極(陽極)302が形成される。また、スイッチトランジスタ30及びドライバトランジスタ20のゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜303が形成される。一方、画素電極302上には有機EL層304が形成される。有機EL層304上には共通電極305(陰極)が形成される。ゲート絶縁膜303上には、スイッチトランジスタ30のソース・ドレイン電極及びチャネル層が形成される。スイッチトランジスタ30のソース・ドレイン電極は、ドライバトランジスタ20のゲート電極に接続される。また、ドライバトランジスタ20のソース・ドレイン電極は画素電極302に接続される。スイッチトランジスタ30及びドライバトランジスタ20のソース・ドレイン電極上には保護膜306が形成される。また、共通電極305上には封止膜307が形成される。封止膜307上には、第2のポリイミド層(図示なし)が形成される。なお、上記断面構成は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、第1及び/または第2のポリイミド層301に代えて、プラスチック基板を用いてもよい。

0019

次に、図4A乃至図4Dを用いて、本実施の形態における有機EL表示装置の製造方法について説明する。ここで、一般的な有機EL表示装置自体の製造方法は周知であるため、説明を省略し、下記においては、主に本実施の形態の有機EL表示装置の製造方法におけるTFT基板503の端子部504の端子の取り出し方法について説明する。なお、図4においては、第1のガラス基板501及び第2のガラス基板502を除く、有機EL表示装置10の断面構成を、図面の簡略化のため、TFT等(スイッチトランジスタ30及びドライバトランジスタ20等)が形成されたTFT基板503と、有機EL層304と、封止膜307と、ポリイミド層301のみを示すものとする。また、下記においては、有機EL表示装置10の上下に第1及び第2のガラス基板501、502が形成された構造をパネルと称する。なお、第1のポリイミド層505及び第2のポリイミド層506はそれぞれ、上記第1のポリイミド層301及び第2のポリイミド層(図示なし)に対応する。

0020

まず、図4Aに示すように、パネルから、第2のガラス基板502を、レーザで除去する。次に、図4Bに示すように、TFT基板503の端子部504上方に位置する第2のポリイミド層506を、レーザで除去する。次に、図4Cに示すように、端子部504以外の領域に透明フレキシブル薄膜507を形成する。そして、図4Cの矢印で示すように、当該透明フレキシブル薄膜507をマスクとして用いて、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、端子部504上方に位置する封止膜307を除去する。ここで、透明フレキシブル薄膜507と封止膜307は、所定のエッチングによる選択比を確保するように構成する。したがって、封止膜307が優先的に除去される。これにより、パネルに含まれるTFT基板503の端子部504の端子出しを行うことができる。

0021

次に、図4Dに示すように、レーザにより第1のガラス基板501を除去する。ここで、図4C及び図4Dに示すように、透明フレキシブル薄膜507は、第2のポリイミド層506上に残存する場合もある。しかしながら、当該透明フレキシブル薄膜507は透明であることから、パネルの光取り出し効率等の悪化を防止することができる。

0022

なお、上記端子出しの方法は、例えば、複数のパネルが形成された基板(大判)の状態で実施してもよいし、個々のパネル(個片)の状態で実施してもよい。なお、大判の状態で実施する場合には、最後に個片に分割する工程が必要となることはいうまでもない。上記端子出しの方法は一例であって、本実施の形態はこれに限られず、例えば、下記に示す変形例のように構成してもよい。

0023

[変形例]
次に、本実施の形態における変形例について説明する。本変形例においては、上記第1の実施形態と同様に、パネルから、第2のガラス基板502をレーザにより除去する。次に、端子部504の上方に位置する領域を含め、第2のポリイミド層506上に透明フレキシブル薄膜507を形成する。つまり、上記第1の実施形態とは、フレキシブル薄膜507を形成する順序が異なる。次に、端子部504上方の第2のポリイミド層506をレーザにより除去する。ここで、本変形例においては、上記のように当該ポリイミド層301上にも透明フレキシブル薄膜507がされている。次に、当該透明フレキシブル薄膜507をマスクとして用いて、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、端子部504上方に位置する封止膜307を除去する。次に、レーザにより第1のガラス基板501を除去する。なお、上記第1の実施形態と同様に、端子出しの方法は、例えば、複数のパネルが形成された基板(大判)の状態で実施してもよいし、個々のパネル(個片)の状態で実施してもよい。

0024

[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図5A乃至図5Dに示すように、本実施の形態においては、第2のガラス基板502と第2のポリイミド層506との間に予め透明フレキシブル薄膜507を形成しておく点が第1の実施形態と異なる。また、これに伴い、端子出しの工程も上記第1の実施形態と異なる。なお、下記において第1の実施形態と同様である点については説明を省略する。

0025

図5A乃至図5Dは、本実施の形態における端子出しの工程について説明するための図である。まず、図5Aに示すように、第2のガラス基板502をレーザにより除去する。次に、図5Bに示すように、端子部504上方の第2のポリイミド層506を当該第2のポリイミド層506層上に形成されている透明フレキシブル薄膜507とともに、レーザで除去する。これにより、端子部504上の封止膜307が露出する。

0026

次に、透明フレキシブル薄膜507をマスクとして用いて、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、端子部504上に位置する封止膜307を除去する。次に、図5Dに示すように第1のガラス基板501をレーザにより除去する。

0027

なお、上記第1の実施形態と同様に、端子出しの方法は、例えば、複数のパネルが形成された基板(大判)の状態で実施してもよいし、個々のパネル(個片)の状態で実施してもよい。

0028

本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。なお、特許請求の範囲における透明薄膜は、例えば、上記透明フレキシブル薄膜507に相当する。

0029

10有機EL表示装置、11 表示領域、12データ駆動回路、13走査駆動回路、14走査線、15データ線、16電位配線、17 第1の電位供給配線、18 第2の電位供給配線、20ドライバトランジスタ、30スイッチトランジスタ、40蓄積容量、50付加容量、60有機発光ダイオード、301、505 第1のポリイミド層、302画素電極、303ゲート絶縁膜、304有機EL層、305共通電極、306 保護膜、307封止膜、308下地層、501 第1のガラス基板、502 第2のガラス基板、503TFT基板、504端子部、506 第2のポリイミド層、507 透明フレキシブル薄膜。

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