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技術 ウエーハの加工方法

出願人 株式会社ディスコ
発明者 田中圭
出願日 2015年9月16日 (3年10ヶ月経過) 出願番号 2015-183403
公開日 2017年3月23日 (2年4ヶ月経過) 公開番号 2017-059684
状態 特許登録済
技術分野 ダイシング 石材または石材類似材料の加工
主要キーワード Qスイッチ 円筒状支持部材 破断起点 溶融再固化 フレームユニット 軸移動ブロック パルス幅調整 拡張位置
関連する未来課題
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この項目の情報は公開日時点(2017年3月23日)のものです。
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図面 (10)

課題

少なくとも一方の分割予定ラインが非連続に形成されたウエーハレーザー加工する際に、改質層でのレーザービーム反射又は散乱を防止し、漏れ光によるデバイスの損傷を防止可能なウエーハの加工方法を提供する。

解決手段

少なくとも第2分割予定ラインが非連続に形成されているウエーハ11を分割する加工方法であって、第1分割予定ラインに沿って第1方向改質層17を形成する第1方向改質層形成ステップと、第2分割予定ラインに沿って第2方向改質層19を形成する第2方向改質層形成ステップとを含み、第2方向改質層形成ステップは、第1分割予定ラインにT字路となって交わる第2分割予定ラインの内部に第2方向改質層を形成するT字路加工ステップを含み、T字路加工ステップは、複数層の第2方向改質層の端部が下層から上層にわたり先に形成された第1方向改質層に向けて逆階段状に形成される。

概要

背景

IC、LSI、LED等の複数のデバイス分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハサファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは、携帯電話パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。

ウエーハの分割には、ダイシングソーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイヤモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ30μm程度とした切削ブレードを、30000rpm程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、ウエーハを個々のデバイスチップへと分割する。

一方、近年では、レーザービームを用いてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法が開発され、実用化されている。レーザービームを用いてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法として、以下に説明する第1及び第2の加工方法が知られている。

第1の加工方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長(例えば1342nm)のレーザービームの集光点を分割予定ラインに対応するウエーハの内部に位置付けて、レーザービームを分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後分割装置によりウエーハに外力を付与してウエーハを改質層を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法である(例えば、特許第3408805号参照)。

第2の加工方法は、ウエーハに対して吸収性を有する波長(例えば355nm)のレーザービームを分割予定ラインに対応する領域に照射してアブレーション加工により加工溝を形成し、その後外力を付与してウエーハを加工溝を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法である(例えば、特開平10−305420号参照)。

上記第1の加工方法では、加工屑の発生もなく、従来一般的に用いられてきた切削ブレードによるダイシングに比較し、カットライン極小化無水加工等のメリットがあり、盛んに用いられている。

また、レーザービームの照射によるダイシング方法では、プロジェクションウエーハに代用されるような分割予定ライン(ストリート)が非連続的な構成のウエーハを加工できるというメリットがある(例えば、特開2010−123723号参照)。分割予定ラインが非連続的なウエーハの加工では、分割予定ラインの設定に従ってレーザービームの出力をオンオフして加工する。

概要

少なくとも一方の分割予定ラインが非連続に形成されたウエーハをレーザー加工する際に、改質層でのレーザービームの反射又は散乱を防止し、漏れ光によるデバイスの損傷を防止可能なウエーハの加工方法を提供する。少なくとも第2分割予定ラインが非連続に形成されているウエーハ11を分割する加工方法であって、第1分割予定ラインに沿って第1方向改質層17を形成する第1方向改質層形成ステップと、第2分割予定ラインに沿って第2方向改質層19を形成する第2方向改質層形成ステップとを含み、第2方向改質層形成ステップは、第1分割予定ラインにT字路となって交わる第2分割予定ラインの内部に第2方向改質層を形成するT字路加工ステップを含み、T字路加工ステップは、複数層の第2方向改質層の端部が下層から上層にわたり先に形成された第1方向改質層に向けて逆階段状に形成される。

目的

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とする

効果

実績

技術文献被引用数
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請求項1

第1の方向に形成された複数の第1分割予定ラインと該第1の方向と交差する第2の方向に形成された複数の第2分割予定ラインとで区画された各領域にデバイスが形成され、該第1分割予定ラインと該第2分割予定ラインのうち少なくとも該第2分割予定ラインが非連続に形成されているウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、該第1分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長レーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第1分割予定ラインに沿った複数層の第1方向改質層を形成する第1方向改質層形成ステップと、該第1方向改質層形成ステップを実施した後、該第2分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第2分割予定ラインに沿った複数層の第2方向改質層を形成する第2方向改質層形成ステップと、該第1方向改質層形成ステップ及び該第2方向改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与し、該第1方向改質層及び該第2方向改質層を破断起点にウエーハを該第1分割予定ライン及び該第2分割予定ラインに沿って破断して個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、該第2方向改質層形成ステップは、該第1方向改質層が形成された該第1分割予定ラインにT字路となって交わる該第2分割予定ラインの内部に第2方向改質層を形成するT字路加工ステップを含み、該T字路加工ステップは、ウエーハの裏面から表面近傍円錐形状に集光するレーザービームの集光点位置付ける際、該円錐形状のレーザービームの一部が先に形成された該第1方向改質層を超えないように第1の改質層を形成し、該第1の改質層に重ねて第2の改質層を形成する際も該円錐形状に集光するレーザービームの一部が先に形成された該第1方向改質層を超えないように第2の改質層を形成し、同様に順次形成される第2方向改質層の端部が下層から上層にわたり先に形成された第1方向改質層に向けて逆階段状に形成されることを特徴とするウエーハの加工方法。

技術分野

背景技術

0002

IC、LSI、LED等の複数のデバイス分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイアウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは、携帯電話パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。

0003

ウエーハの分割には、ダイシングソーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイヤモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ30μm程度とした切削ブレードを、30000rpm程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、ウエーハを個々のデバイスチップへと分割する。

0004

一方、近年では、レーザービームを用いてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法が開発され、実用化されている。レーザービームを用いてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法として、以下に説明する第1及び第2の加工方法が知られている。

0005

第1の加工方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長(例えば1342nm)のレーザービームの集光点を分割予定ラインに対応するウエーハの内部に位置付けて、レーザービームを分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後分割装置によりウエーハに外力を付与してウエーハを改質層を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法である(例えば、特許第3408805号参照)。

0006

第2の加工方法は、ウエーハに対して吸収性を有する波長(例えば355nm)のレーザービームを分割予定ラインに対応する領域に照射してアブレーション加工により加工溝を形成し、その後外力を付与してウエーハを加工溝を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法である(例えば、特開平10−305420号参照)。

0007

上記第1の加工方法では、加工屑の発生もなく、従来一般的に用いられてきた切削ブレードによるダイシングに比較し、カットライン極小化無水加工等のメリットがあり、盛んに用いられている。

0008

また、レーザービームの照射によるダイシング方法では、プロジェクションウエーハに代用されるような分割予定ライン(ストリート)が非連続的な構成のウエーハを加工できるというメリットがある(例えば、特開2010−123723号参照)。分割予定ラインが非連続的なウエーハの加工では、分割予定ラインの設定に従ってレーザービームの出力をオンオフして加工する。

先行技術

0009

特許第3408805号公報
特開平10−305420号公報
特開2010−123723号公報

発明が解決しようとする課題

0010

しかし、第1の方向に連続的に伸長する分割予定ラインに第2の方向に伸長する分割予定ラインがT字路となって突き当たる交点付近では、次のような問題がある。

0011

(1)デバイスの一辺に平行な第1分割予定ラインの内部に先に第1改質層が形成された第1分割予定ラインにT字路となって交わる第2分割予定ラインの内部に第2改質層を形成すると、レーザービームの集光点がT字路の交点に近付くにつれて既に形成された第1改質層に第2分割予定ラインを加工するレーザービームの一部が照射されて、レーザービームの反射又は散乱が発生し、デバイス領域に光が漏れ、この漏れ光によりデバイスに損傷を与えデバイスの品質を低下させるという問題がある。

0012

(2)反対に、デバイスの一辺に平行な第1分割予定ラインに改質層を形成する前に、第1分割予定ラインにT字路となって突き当たる第2分割予定ラインに沿ってウエーハの内部に先に改質層を形成すると、T字路の交点近傍に形成された改質層から発生するクラックの進行を遮断する改質層がT字路の交点に存在しないことに起因して、T字路の交点からクラックが1〜2mm程度伸長してデバイスに至り、デバイスの品質を低下させるという問題がある。

0013

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、少なくとも一方の分割予定ラインが非連続に形成されたウエーハをレーザー加工する際に、一方の分割予定ラインの端部が他方の分割予定ラインにT字路となって突き当たる交点付近で既に形成された改質層にレーザービームが照射されることを抑制し、改質層でのレーザービームの反射又は散乱を防止し、漏れ光によるデバイスの損傷を防止可能なウエーハの加工方法を提供することである。

課題を解決するための手段

0014

本発明によると、第1の方向に形成された複数の第1分割予定ラインと該第1の方向と交差する第2の方向に形成された複数の第2分割予定ラインとで区画された各領域にデバイスが形成され、該第1分割予定ラインと該第2分割予定ラインのうち少なくとも該第2分割予定ラインが非連続に形成されているウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、該第1分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第1分割予定ラインに沿った複数層の第1方向改質層を形成する第1方向改質層形成ステップと、該第1方向改質層形成ステップを実施した後、該第2分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第2分割予定ラインに沿った複数層の第2方向改質層を形成する第2方向改質層形成ステップと、該第1方向改質層形成ステップ及び該第2方向改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与し、該第1方向改質層及び該第2方向改質層を破断起点にウエーハを該第1分割予定ライン及び該第2分割予定ラインに沿って破断して個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、該第2方向改質層形成ステップは、該第1方向改質層が形成された該第1分割予定ラインにT字路となって交わる該第2分割予定ラインの内部に第2方向改質層を形成するT字路加工ステップを含み、該T字路加工ステップは、ウエーハの裏面から表面近傍円錐形状に集光するレーザービームの集光点を位置付ける際、該円錐形状のレーザービームの一部が先に形成された該第1方向改質層を超えないように第1の改質層を形成し、該第1の改質層に重ねて第2の改質層を形成する際も該円錐形状に集光するレーザービームの一部が先に形成された該第1方向改質層を超えないように第2の改質層を形成し、同様に順次形成される第2方向改質層の端部が下層から上層にわたり先に形成された第1方向改質層に向けて逆階段状に形成されることを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。

発明の効果

0015

本発明のウエーハの加工方法によると、順次形成される第2方向改質層の端部が下層から上層にわたり先に形成された第1方向改質層に向けて逆階段形状に形成されるので、第2方向改質層を形成する際に円錐形状のレーザービームが第1方向改質層に衝突することがないため、レーザービームの散乱又は反射による漏れ光が発生することがなく、漏れ光がデバイスをアタックしてデバイスに損傷を与えるという問題を解消できる。従って、デバイスの品質を低下させることがなく、分割予定ラインに沿ってウエーハの内部に適正な改質層を形成することができる。

図面の簡単な説明

0016

本発明のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザー加工装置の斜視図である。
レーザービーム発生ユニットブロック図である。
本発明のウエーハの加工方法で加工されるのに適した半導体ウエーハの斜視図である。
第1方向改質層形成ステップを示す斜視図である。
第1方向改質層形成ステップを示す模式的断面図である。
T字路加工ステップを示す模式的平面図である。
T字路加工ステップを示す断面図である。
分割装置の斜視図である。
分割ステップを示す断面図である。

実施例

0017

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザー加工装置2の斜視図が示されている。レーザー加工装置2は、静止基台4上に搭載されたY軸方向に伸長する一対のガイドレール6を含んでいる。

0018

軸移動ブロック8は、ボールねじ10及びパルスモータ12とから構成されるY軸送り機構(Y軸送り手段)14により割り出し送り方向、即ちY軸方向に移動される。Y軸移動ブロック8上には、X軸方向に伸長する一対のガイドレール16が固定されている。

0019

X軸移動ブロック18は、ボールねじ20及びパルスモータ22とから構成されるX軸送り機構(X軸送り手段)28により、ガイドレール16に案内されて加工送り方向、即ちX軸方向に移動される。

0020

X軸移動ブロック18上には円筒状支持部材30を介してチャックテーブル24が搭載されている。チャックテーブル24には、図4に示す環状フレームFをクランプする複数(本実施形態では4個)のクランプ26が配設されている。

0021

ベース4の後方にはコラム32が立設されている。コラム32には、レーザービーム照射ユニット34のケーシング36が固定されている。レーザービーム照射ユニット34は、ケーシング36中に収容されたレーザービーム発生ユニット35と、ケーシング36の先端に取り付けられた集光器レーザーヘッド)38を含んでいる。集光器38は上下方向(Z軸方向)に微動可能にケーシング36に取り付けられている。

0022

レーザービーム発生ユニット35は、図2に示すように、波長1342nmのパルスレーザー発振するYAGレーザー発振器又はYVO4レーザー発振器等のレーザー発振器42と、繰り返し周波数設定手段44と、パルス幅調整手段46と、レーザー発振器42から発振されたパルスレーザービームパワーを調整するパワー調整手段48とを含んでいる。

0023

レーザービーム照射ユニット34のケーシング36の先端には、チャックテーブル24に保持されたウエーハ11を撮像する顕微鏡及びカメラを備えた撮像ユニット40が装着されている。集光器38と撮像ユニット40はX軸方向に整列して配設されている。

0024

図3を参照すると、本発明のウエーハの加工方法により加工されるのに適した半導体ウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11の表面側斜視図が示されている。ウエーハ11の表面11aには、第1の方向に連続的に形成された複数の第1分割予定ライン13aと、第1分割予定ライン13aと直交する方向に非連続的に形成された複数の第2分割予定ライン13bが形成されており、第1分割予定ライン13aと第2分割予定ライン13bとで区画された領域にLSI等のデバイス15が形成されている。

0025

本発明実施形態のウエーハの加工方法を実施するのに当たり、ウエーハ11はその表面が外周部が環状フレームFに貼着された粘着テープであるダイシングテープTに貼着されたフレームユニットの形態とされ、このフレームユニットの形態でウエーハ11はチャックテーブル24上に載置されてダイシングテープTを介して吸引保持され、環状フレームFはクランプ26によりクランプされて固定される。

0026

特に図示しないが、本発明のウエーハの加工方法では、まずチャックテーブル24に吸引保持されたウエーハ11をレーザー加工装置2の撮像ユニット40の直下に位置付けて、撮像ユニット40によりウエーハ11を撮像して、第1分割予定ライン13aを集光器38とX軸方向に整列させるアライメントを実施する。

0027

次いで、チャックテーブル24を90°回転してから、第1分割予定ライン13aと直交する方向に伸長する第2分割予定ライン13bについても同様なアライメントを実施し、アライメントのデータをレーザー加工装置2のコントローラのRAMに格納する。

0028

レーザー加工装置2の撮像ユニット40は通常赤外線カメラを備えているため、この赤外線カメラによりウエーハ11の裏面11b側からウエーハ11を透かして表面11aに形成された第1及び第2分割予定ライン13a,13bを検出することができる。

0029

アライメント実施後、第1分割予定ライン13aに沿ってウエーハ11の内部に第1方向改質層17を形成する第1方向改質層形成ステップを実施する。この第1方向改質層形成ステップでは、図4及び図5に示すように、ウエーハに対して透過性を有する波長(例えば1342nm)のレーザービームの集光点を集光器38によりウエーハ11の内部に位置付けて、ウエーハ11の裏面11b側から第1分割予定ライン13aに照射し、チャックテーブル24を図5で矢印X1方向に加工送りすることにより、ウエーハ11の内部に第1分割予定ライン13aに沿った第1方向改質層17を形成する。

0030

好ましくは、集光器38を上方に段階的に移動して、ウエーハ11の内部に第1分割予定ライン13aに沿った複数層の第1方向改質層17、例えば5層の第1方向改質層17を形成する。

0031

改質層17は、密度屈折率機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域を言い、溶融再固化層として形成される。この第1方向改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。

0032

光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長:1342nm
繰り返し周波数:50kHz
平均出力:0.5W
集光スポット径:φ3μm
加工送り速度 :200mm/s

0033

第1方向改質層形成ステップを実施した後、延在方向(伸長方向)の端部が第1分割予定ライン13aにT字路となって突き当たる第2分割予定ライン13bに沿って、ウエーハ11に対して透過性を有する波長(例えば1342nm)のレーザービームをウエーハ11の内部に集光して照射し、ウエーハ11の内部に第2分割予定ライン13bに沿った第2方向改質層19を形成する第2方向改質層形成ステップを実施する。

0034

この第2方向改質層形成ステップでは、チャックテーブル24を90°回転した後、ウエーハ11の内部に第2分割予定ライン13bに沿った複数層の第2方向改質層19を形成する。

0035

第2方向改質層形成ステップは、第1方向改質層17が形成された第1分割予定ライン13aにT字路となって交わる第2分割予定ライン13bの内部に第2方向改質層19を形成するT字路加工ステップを含んでいる。

0036

このT字路加工ステップを図7を参照して説明する。まず、図7(A)に示すように、T字路加工ステップでは、ウエーハ11の裏面11bから表面11a近傍に円錐形状に集光するレーザービームLBの集光点を位置付ける際、円錐形状のレーザービームLBの一部が先に形成された第1方向改質層17を超えないように第2方向に伸長する第1の改質層19を形成する。即ち、レーザービームLBの照射を、図7(A)に示す位置で停止する。図6図7(A)の概略平面図を示している。

0037

次いで、第1の改質層19に重ねて第2の改質層19を形成する際も、図7(B)に示すように、円錐形状に集光するレーザービームLBの一部が先に形成された第1方向改質層17を超えないように第2の改質層19を形成する。

0038

同様に、第3の改質層19、第4の改質層19及び第5の改質層19を順次形成し、第2方向改質層19の端部が下層から上層にわたり先に形成された第1方向改質層17に向けて逆階段状になるように第2方向改質層19を形成する。

0039

ここで、集光器38に内蔵された集光レンズ開口数は、一般的に大きな値に設定されているため、レーザービームLBは図7(A)、図7(B)に示すように円錐形状に集光される。

0040

第1方向改質層形成ステップ及び第2方向改質層形成ステップを実施した後、ウエーハ11に外力を付与し、第1方向改質層17及び第2方向改質層19を破断起点にウエーハ11を第1分割予定ライン13a及び第2分割予定ライン13bに沿って破断して、個々のデバイスチップに分割する分割ステップを実施する。

0041

この分割ステップは、例えば図8に示すような分割装置(エキスパンド装置)50を使用して実施する。図8に示す分割装置50は、環状フレームFを保持するフレーム保持手段52と、フレーム保持手段52に保持された環状フレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段54を具備している。

0042

フレーム保持手段52は、環状のフレーム保持部材56と、フレーム保持部材56の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ58から構成される。フレーム保持部材56の上面は環状フレームFを載置する載置面56aを形成しており、この載置面56a上に環状フレームFが載置される。

0043

そして、載置面56a上に載置された環状フレームFは、クランプ58によってフレーム保持手段52に固定される。このように構成されたフレーム保持手段52はテープ拡張手段54によって上下方向に移動可能に支持されている。

0044

テープ拡張手段54は、環状のフレーム保持部材56の内側に配設された拡張ドラム60を具備している。拡張ドラム60の上端は蓋62で閉鎖されている。この拡張ドラム60は、環状フレームFの内径より小さく、環状フレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウエーハ11の外径より大きい内径を有している。

0045

拡張ドラム60はその下端に一体的に形成された支持フランジ64を有している。テープ拡張手段54は更に、環状のフレーム保持部材56を上下方向に移動する駆動手段66を具備している。この駆動手段66は支持フランジ64上に配設された複数のエアシリンダ68から構成されており、そのピストンロッド70はフレーム保持部材56の下面に連結されている。

0046

複数のエアシリンダ68から構成される駆動手段66は、環状のフレーム保持部材56を、その載置面56aが拡張ドラム60の上端である蓋62の表面と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム60の上端より所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動する。

0047

以上のように構成された分割装置50を用いて実施するウエーハ11の分割ステップについて図9を参照して説明する。図9(A)に示すように、ウエーハ11をダイシングテープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材56の載置面56a上に載置し、クランプ58によってフレーム保持部材56に固定する。この時、フレーム保持部材56はその載置面56aが拡張ドラム60の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。

0048

次いで、エアシリンダ68を駆動してフレーム保持部材56を図9(B)に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材56の載置面56a上に固定されている環状フレームFを下降するため、環状フレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム60の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。

0049

その結果、ダイシングテープTに貼着されているウエーハ11には放射状に引っ張り力が作用する。このようにウエーハ11に放射状に引っ張り力が作用すると、第1分割予定ライン13aに沿って形成された第1方向改質層17及び第2分割予定ライン13bに沿って形成された第2方向改質層19が分割起点となって、ウエーハ11が第1分割予定ライン13a及び第2分割予定ライン13bに沿って破断され、個々のデバイスチップ21に分割される。

0050

上述した実施形態では、本発明の加工方法の加工対象となるウエーハとして半導体ウエーハ11について説明したが、本発明の加工対象となるウエーハはこれに限定されるものではなく、サファイア基板とする光デバイスウエーハ等の他のウエーハにも、本発明の加工方法は同様に適用することができる。

0051

11半導体ウエーハ
13a 第1分割予定ライン
13b 第2分割予定ライン
15デバイス
17 第1方向改質層
19 第2方向改質層
24チャックテーブル
34レーザービーム照射ユニット
35レーザービーム発生ユニット
38集光器(レーザーヘッド)
40撮像ユニット
50 分割装置

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