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技術 電子装置

出願人 株式会社デンソー
発明者 藪田英二中村俊浩坂井孝充
出願日 2015年7月21日 (5年3ヶ月経過) 出願番号 2015-144130
公開日 2017年2月2日 (3年9ヶ月経過) 公開番号 2017-028061
状態 特許登録済
技術分野 印刷回路の非金属質の保護被覆 プリント板への電気部品等の実装構造 プリント板の構造 多層プリント配線板の製造
主要キーワード クラック起点 冷熱環境 表層パターン コンプレッションモールド法 印刷型 実装ランド 表層配線 線膨張係数α
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (12)

課題

絶縁基材におけるクラック進展を抑制できる電子装置

解決手段

電子装置100は、電子部品20と、樹脂を主成分とする絶縁基材の一面に電子部品が実装されており、一面に導電性表層パターン12が形成された回路基板10とを有している。また、電子装置100は、表層パターン12の一部であるランドと電子部品20とを電気的及び機械的に接続しているはんだ30と、表層パターンの一部でありランドから伸び延長部122を跨いで一面に設けられており、はんだ30がランド上から延長部122に濡れ広がるのを抑制するためのソルダレジスト40と、を有している。そして、回路基板10は、絶縁基材の内部において、ソルダレジスト40と絶縁基材との接触部位に対向する位置に、絶縁基材を補強する進展抑制部14を備えている。

概要

背景

従来、回路基板電子部品実装された電子装置の一例として特許文献1に開示された技術がある。

概要

絶縁基材におけるクラック進展を抑制できる電子装置。電子装置100は、電子部品20と、樹脂を主成分とする絶縁基材の一面に電子部品が実装されており、一面に導電性表層パターン12が形成された回路基板10とを有している。また、電子装置100は、表層パターン12の一部であるランドと電子部品20とを電気的及び機械的に接続しているはんだ30と、表層パターンの一部でありランドから伸び延長部122を跨いで一面に設けられており、はんだ30がランド上から延長部122に濡れ広がるのを抑制するためのソルダレジスト40と、を有している。そして、回路基板10は、絶縁基材の内部において、ソルダレジスト40と絶縁基材との接触部位に対向する位置に、絶縁基材を補強する進展抑制部14を備えている。

目的

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、絶縁基材におけるクラックの進展を抑制できる電子装置を提供する

効果

実績

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請求項1

電子部品(20,20c,20e)と、樹脂を主成分とする絶縁基材(11,11c,11e)の一面に前記電子部品が実装されており、前記一面に導電性表層配線(12,12c,12e,12f)が形成された回路基板(10,10a〜10f)と、前記表層配線の一部であるランド(121,121c,121e,121f)と、前記電子部品とを電気的及び機械的に接続しているはんだ(30)と、前記表層配線の一部であり前記ランドから伸び延長部(122,122c,122e,122f)を跨いで前記一面に設けられており、前記はんだが前記ランド上から前記延長部に濡れ広がるのを抑制するための広がり抑制部(40)と、を有し、前記回路基板は、前記絶縁基材の内部において、前記広がり抑制部と前記絶縁基材との接触部位に対向する位置に、前記絶縁基材を補強する補強部(14,14a〜14f)を備えていることを特徴とする電子装置

請求項2

前記補強部は、前記絶縁基材の内部において、前記広がり抑制部と前記絶縁基材との接触部位に対向する位置に加えて、前記延長部における前記広がり抑制部が重なり有っている部位に対向する位置を含んで設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。

請求項3

前記補強部は、前記絶縁基材の内部において、前記広がり抑制部と前記絶縁基材との接触部位に対向する位置に加えて、前記ランドに対向する位置を含んで設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置。

請求項4

前記回路基板は、前記絶縁基材の内部に導電性の内層配線が形成されており、前記補強部は、前記内層配線の一部であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子装置。

請求項5

前記回路基板は、前記絶縁基材の内部に導電性の内層配線が形成されており、前記補強部は、前記内層配線とは別体に設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子装置。

技術分野

0001

本発明は、樹脂を主成分とする絶縁基材配線が形成された回路基板電子部品実装された電子装置に関する。

背景技術

0002

従来、回路基板に電子部品が実装された電子装置の一例として特許文献1に開示された技術がある。

先行技術

0003

特開平11−87898号公報

発明が解決しようとする課題

0004

ところで、電子装置は、回路基板における電子部品の実装面に配線が設けられることもある。この場合、電子部品は、配線の一部であるランドに、はんだを介して電気的及び機械的に接続されて回路基板に実装される。また、電子装置は、電子部品とランドとの間から、配線におけるランドから伸び延長部にはんだが濡れ広がることを抑制するために、絶縁基材の表面に延長部を跨いで、絶縁性広がり抑制部を設けることが考えられる。

0005

しかしながら、広がり抑制部は、配線との線膨張係数差によってクラックが生じる可能性がある。さらに、電子装置は、広がり抑制部が絶縁基材の表面に設けられているため、広がり抑制部に生じたクラックによって、絶縁基材にもクラックが生じて進展してしまうという問題がある。

0006

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、絶縁基材におけるクラックの進展を抑制できる電子装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0007

上記目的を達成するために本発明は、
電子部品(20,20c,20e)と、
樹脂を主成分とする絶縁基材(11,11c,11e)の一面に電子部品が実装されており、一面に導電性表層配線(12,12c,12e,12f)が形成された回路基板(10,10a〜10f)と、
表層配線の一部であるランド(121,121c,121e,121f)と、電子部品とを電気的及び機械的に接続しているはんだ(30)と、
表層配線の一部でありランドから伸びた延長部(122,122c,122e,122f)を跨いで一面に設けられており、はんだがランド上から延長部に濡れ広がるのを抑制するための広がり抑制部(40)と、を有し、
回路基板は、絶縁基材の内部において、広がり抑制部と絶縁基材との接触部位に対向する位置に、絶縁基材を補強する補強部(14,14a〜14f)を備えていることを特徴とする。

0008

このように、本発明は、表層配線の一部でありランドから伸びた延長部を跨いで一面に設けられており、はんだがランドから延長部に濡れ広がるのを抑制するための広がり抑制部を有している。また、本発明は、回路基板の内部における、広がり抑制部と絶縁基材との接触部位に対向する位置が補強部によって補強されている。このため、本発明は、広がり抑制部に生じたクラックによって、絶縁基材にクラックが生じたとしても、そのクラックの進展を補強部で止めやすくなる。つまり、本発明は、絶縁基材におけるクラックの進展を抑制できる。

0009

なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。

図面の簡単な説明

0010

第1実施形態における電子装置の概略構成を示す平面図である。
図1のII−II線に沿う断面図である。
図1のIII−III線に沿う断面図である。
第2実施形態における電子装置の概略構成を示す平面図である。
第3実施形態における電子装置の概略構成を示す平面図である。
第4実施形態における電子装置の概略構成を示す部分的な平面図である。
第4実施形態における電子装置の概略構成を示す部分的な断面図である。
第5実施形態における電子装置の概略構成を示す部分的な平面図である。
第6実施形態における電子装置の概略構成を示す部分的な平面図である。
図9のX−X線に沿う断面図である。
第7実施形態における電子装置の概略構成を示す部分的な平面図である。

実施例

0011

以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。

0012

(第1実施形態)
本実施形態の電子装置100に関して、図1図2図3を用いて説明する。電子装置100は、例えば、車両に搭載された車載制御装置などに適用できる。また、電子装置100は、車載制御装置に適用した場合、例えば−40℃〜105℃、又は−40℃〜155℃で搭載環境の温度が変化する場所に配置されることが考えられる。つまり、電子装置100は、車載制御装置に適用した場合、冷熱環境に配置されることがある。

0013

電子装置100は、図1などに示すように、回路基板10と、電子部品20と、はんだ30と、ソルダレジスト40とを備えて構成されている。さらに、電子装置100は、図2図3に示すように、回路基板10の表面、電子部品20などを封止している封止樹脂50を備えて構成されている。なお、図1では、図面をわかりやすくするために封止樹脂50を省略している。

0014

封止樹脂50は、回路基板10の表面、電子部品20を一体的に覆っている。さらに、封止樹脂50は、回路基板10と電子部品20との接続部を覆っている。詳述すると、封止樹脂50は、回路基板10の一面と、電子部品20と、回路基板10と電子部品20との接続部とに密着しつつ、これらを覆っている。この封止樹脂50は、封止工程において、トランスファーモールド法コンプレッションモールド法等により形成される。よって、封止樹脂50は、モールド樹脂と言える。また、電子装置100は、一面側だけに封止樹脂50が形成されているため、ハーフモールド構造モールドパッケージと言うことができる。なお、本発明は、封止樹脂50が設けられていなくても目的を達成できる。さらに、以下の実施形態では、封止樹脂50が設けられていない例を採用しているが、封止樹脂50が設けられていてもよい。

0015

回路基板10は、樹脂を主成分とする絶縁基材11の一面に電子部品20が実装されており、一面に導電性の表層パターン12が形成されている。回路基板10は、絶縁基材11としてエポキシ樹脂ガラスエポキシ樹脂等の樹脂を主成分として採用できる。なお、表層パターン12は、表層配線に相当する。

0016

表層パターン12は、図1図3に示すように、電子部品20が実装される部位であるランド121と、ランド121から伸びた延長部122とを含んでいる。この表層パターン12は、例えば銅を主成分として構成されている。なお、銅の線膨張係数α1は、約17×10−6/℃である。

0017

ランド121は、電子部品20の電極22と対向する部位を含み、はんだ30を介して電極22と接合される部位である。つまり、ランド121は、はんだ30が接合している部位である。図1においては、ランド121上にはんだ30が重なっているため、ランド121が図示されていない。しかしながら、ランド121の平面形状は、図1のはんだ30の平面形状と同様である。なお、表層パターン12は、延長部122によって、電子部品20の対向領域から、対向領域の周辺に引き回されている。

0018

さらに、回路基板10は、図2図3に示すように、進展抑制部14や、導電性の内層パターン13が内部に形成されている。しかしながら、電子装置100は、内層パターン13が設けられていてもよい。内層パターン13は、内層配線に相当する。なお、進展抑制部14に関しては、後程詳しく説明する。

0019

電子部品20は、図1図2に示すように、基部21と電極22とを備えて構成されている。電子部品20は、MOSFETマイコン制御素子等の半導体素子や、チップ抵抗チップコンデンサ水晶振動子等の受動素子などを採用できる。また、電子部品20は、ベアチップ状態素子でも採用できる。ここでは、電子部品20の一例として、チップ抵抗を採用している。電子部品20は、回路基板10の配線の一部に電気的に接続されている。電子部品20は、回路素子言い換えることもできる。また、電子部品20は、回路基板10と共に回路を構成する実装部品とも言える。

0020

はんだ30は、上記のように、表層パターン12の一部であるランド121と、電子部品20の電極22とを電気的及び機械的に接続している。はんだ30は、例えば、周知技術であるリフロー方式を用いて形成される。電子装置100の製造方法では、はんだ30の構成材料であるはんだペーストをランド121に形成し、そのはんだペースト上に電子部品20を配置する。その後、製造方法では、はんだペーストに熱を加えて溶融させてから固化させることではんだ30を形成する。つまり、電子装置100は、このようにして、ランド121と電極22とがはんだ30によって電気的及び機械的に接続される。なお、はんだペーストは、はんだの微粉末フラックスとを混ぜ合わせたものであり、クリームはんだとも言える。

0021

ところで、はんだペーストは、熱を加えられて溶けた場合、ランド121と電極22との間に留まるだけではなく、ランド121上から延長部122に濡れ広がることがある。ソルダレジスト40は、溶けたはんだペースト、すなわち、はんだ30がランド121から延長部122に濡れ広がるのを抑制するための部材である。つまり、ソルダレジスト40は、広がり抑制部に相当する。なお、本実施形態では、広がり抑制部の一例として、ソルダレジスト40を採用する。しかしながら、本発明はこれに限定されない。広がり抑制部は、はんだ30が延長部122に濡れ広がるのを抑制できれば特に限定されない。

0022

ソルダレジスト40は、図1図3に示すように、延長部122を跨いで、回路基板10の一面に設けられている。ソルダレジスト40は、図3に示すように、断面形状がアーチ状をなしており、両端部が回路基板10に接合されている。よって、ソルダレジスト40は、自身の両端が回路基板10の一面に接触していると言える。また、ソルダレジスト40は、はんだ30がランド121から延長部122に濡れ広がるのを抑制するための部材であるため、延長部122上において、できるだけランド121に近い位置に設けると好ましい。これによって、はんだ30の濡れ広がりを最小限に抑えることができる。

0023

ソルダレジスト40は、周知技術である現像型のソルダレジスト又は印刷型のソルダレジストを採用できる。

0024

現像型のソルダレジストは、ガラス転移点が約110℃である。また、現像型のソルダレジストは、ガラス転移点よりも低い温度での線膨張係数αが約50×10−6/℃で、ガラス転移点よりも高い温度での線膨張係数αが約130×10−6/℃である。

0025

一方、印刷型のソルダレジストは、ガラス転移点が約110℃である。また、印刷型のソルダレジストは、ガラス転移点よりも低い温度での線膨張係数αが約40×10−6/℃で、ガラス転移点よりも高い温度での線膨張係数αが約120×10−6/℃である。

0026

このように、ソルダレジスト40は、延長部122と線膨張係数差があるため、クラックが生じる可能性がある。特に、ソルダレジスト40は、ガラス転移点よりも高い温度で、延長部122との線膨張係数差が顕著になる。よって、ソルダレジスト40は、ガラス転移点よりも高い温度でクラックが生じやすくなる。ソルダレジスト40は、例えば、上記のように−40℃〜155℃で搭載環境の温度が変化する場所に電子装置100が配置された場合、ガラス転移点よりも高い温度となりクラックが生じやすい。ソルダレジスト40は、例えば、図1図3に示すクラック起点SPから、図3の一点鎖線で示すようにクラックCRが生じる。つまり、ソルダレジスト40は、延長部122との冷熱時の線膨張係数差により、モールド樹脂50との界面の一部にストレスが集中し、クラック起点SPとなる。また、クラック起点SPは、図3に示すように、延長部122の角部に対向する部位を含むソルダレジスト40の表面の範囲において、ソルダレジスト40と延長部122との線膨張係数差によるストレスが最も集中する点とも言える。なお、延長部122の角部に対向する部位とは、ソルダレジスト40の表面において、延長部122の側面に沿う仮想直線が交わる部位とも言える。

0027

電子装置100は、ソルダレジスト40にクラックCRが生じると、ソルダレジスト40に接合している絶縁基材11にもクラックCRが生じることがある。そして、クラックCRは、絶縁基材11の内部において進展抑制部14に達することもありうる。

0028

ここで、進展抑制部14に関して説明する。進展抑制部14は、補強部に相当する。進展抑制部14は、例えばCuやAlやAuなどの金属を主成分として構成されており、絶縁基材11の内部に設けられている。また、進展抑制部14は、絶縁基材11に囲まれていると言える。進展抑制部14は、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位に対向する位置に設けられている。また、進展抑制部14は、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位に対向する位置を含んで設けられていると言える。

0029

また、本実施形態では、図3に示すように、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位に対向する位置に加えて、延長部122におけるソルダレジスト40が重なり有っている部位に対向する位置に設けられた進展抑制部14を採用している。さらに、本実施形態では、図1に示すように、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位に対向する位置に加えて、ランド121に対向する位置を含んで設けられた進展抑制部14を採用している。なお、対向する位置は、対向領域と言い換えることもできる。また、進展抑制部14は、一面と平行な面において、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位の対向領域と、延長部122におけるソルダレジスト40が重なっている部位の対向領域と、ランド121の対向領域との全域を含んで設けられているとも言える。

0030

さらに、進展抑制部14は、図1に示すように、ランド121よりも一回り大きく、且つ、ソルダレジスト40よりも一回り大きく設けられていてもよい。よって、進展抑制部14は、一面と平行な面において、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位の対向領域と、延長部122におけるソルダレジスト40が重なっている部位の対向領域と、ランド121の対向領域との全域よりも広く設けられているとも言える。また、進展抑制部14の面積は、ランド121の投影領域の面積と、ソルダレジスト40の投影領域の面積とを加えた面積よりも広いとも言える。ここでの面積は、一面と平行な面の面積である。また、投影領域は、一面と平行な面の一部である。

0031

進展抑制部14は、絶縁基材11の内部において、絶縁基材11を補強する部材である。進展抑制部14は、内層パターン13の一部や金属のブロックを採用できる。つまり、進展抑制部14は、内層パターン13と一体的に設けられたものであってもよいし、内層パターン13や表層パターン12とは別体に設けられたものであってもよい。内層パターン13の一部である進展抑制部14は、内層パターン13における進展抑制部14とは異なる部位と同時に形成できるため製造が容易である。一方、内層パターン13などと別体である進展抑制部14は、厚みや材料を選択する際の自由度を向上できる。

0032

なお、本実施形態では、金属を主成分として構成された進展抑制部14を採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されない。進展抑制部14は、ソルダレジスト40から絶縁基材11に生じたクラックCRが伸びていくのを止めることができる部材であれば採用できる。

0033

また、進展抑制部14は、内層パターン13や表層パターン12などと電気的に絶縁され独立した部位であったり、ランド121と同電位であると好ましい。これによって、電子装置100は、クラックCRが一面から進展抑制部14に達して、延長部122と進展抑制部14との絶縁性が確保できなくなっても、機能上不具合が発生しない。言い換えると、電子装置100は、回路基板10の内部における絶縁信頼性を確保できる。

0034

以上のように、電子装置100は、表層パターン12の一部でありランド121から伸びた延長部122を跨いで一面に設けられており、はんだ30がランド121から延長部122に濡れ広がるのを抑制するためのソルダレジスト40を有している。また、電子装置100は、回路基板10の内部における、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位に対向する位置が進展抑制部14によって補強されている。このため、電子装置100は、ソルダレジスト40に生じたクラックCRによって、絶縁基材11にクラックCRが生じたとしても、そのクラックCRの進展を進展抑制部14で止めやすくなる。つまり、電子装置100は、絶縁基材11におけるクラックCRの進展を抑制できる。例えば、図3に示すように、電子装置100は、進展抑制部14によって、クラックCRが内層パターン13に達することを抑制できる。

0035

以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上記実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明のその他の実施形態である第2実施形態〜第7実施形態に関して説明する。各実施形態は、それぞれ単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。

0036

(第2実施形態)
図4を用いて、第2実施形態の電子装置100aに関して説明する。電子装置100aは、回路基板10aの構成が電子装置100と異なる。回路基板10aは、進展抑制部14aの構成が回路基板10と異なる。

0037

進展抑制部14aは、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位の対向領域に加えて、延長部122におけるソルダレジスト40が重なり有っている部位の対向領域に設けられている。

0038

また、進展抑制部14aは、ソルダレジスト40よりも一回り大きく設けられていてもよい。つまり、進展抑制部14aは、一面と平行な面において、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位の対向領域と、延長部122におけるソルダレジスト40が重なり有っている部位の対向領域との全域よりも広く形成されているとも言える。また、進展抑制部14aは、ランド121の対向領域の全域ではなく、ランド121の対向領域の一部を含んで設けられている。電子装置100aは、回路基板10aの構成が電子装置100と異なるが、電子装置100と同様の効果を奏することができる。

0039

(第3実施形態)
図5を用いて、第3実施形態の電子装置100bに関して説明する。電子装置100bは、回路基板10bの構成が電子装置100と異なる。回路基板10bは、進展抑制部14bの構成が回路基板10と異なる。

0040

進展抑制部14bは、図5に示すように、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位の対向領域に設けられている。また、進展抑制部14bは、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位の対向領域よりも一回り大きく設けられていてもよい。さらに、進展抑制部14bは、延長部122におけるソルダレジスト40が重なり有っている部位の対向領域の全域ではなく一部と、及びランド121の対向領域の全域ではなく、ランド121の対向領域の一部を含んで設けられていてもよい。

0041

このように、回路基板10bは、一つのソルダレジスト40に対して、二つの進展抑制部14bが設けられている。つまり、進展抑制部14bは、進展抑制部14を二つに分割したものと言える。電子装置100bは、回路基板10bの構成が電子装置100と異なるが、電子装置100と同様の効果を奏することができる。

0042

(第4実施形態)
図6図7を用いて、第4実施形態の電子装置100cに関して説明する。電子装置100cは、電子部品20cの構成、及び回路基板10cの構成が電子装置100と異なる。

0043

電子装置100cは、QFNの電子部品20cが回路基板10cに実装されている。図7に示すように、電子部品20cは、半導体チップなどの基部21cと、基部21cとワイヤ24cで接続された複数の電極22cと、基部21cと接着材25cで接続されたパッド23cと、これらを一体的に覆っている保護樹脂26cを備えて構成されている。しかしながら、電極22cとパッド23cは、一部が保護樹脂26cから露出している。また、電子部品20cは、三つ以上の電極22cが設けられている。なお、QFNは、quad flat non-leaded packageの略称である。

0044

電子部品20cは、はんだ30を介して回路基板10cに実装されている。詳述すると、電子部品20cは、はんだ30を介して、電極22cとランド121cが電気的及び機械的に接続されている。このため、電子装置100cは、電子装置100と同様に、延長部122cを跨いでソルダレジスト40を備えることになる。電子装置100cは、はんだ30が接続された延長部122cの数と同数のソルダレジスト40が設けられている。言い換えると、電子装置100cは、はんだ30が接続されたランド121cの数と同数のソルダレジスト40が設けられている。なお、電子部品20cは、はんだ30を介して、パッド23cと実装ランド15cが機械的に接続されている。

0045

回路基板10cは、絶縁基材11cに、表層パターン12cと、内層パターン13cと、表層パターン12cの一部と内層パターン13cの一部とを接合しているビア16cと、実装ランド15cとを備えて構成されている。表層パターン12cは、電子装置100と同様に、ランド121cと延長部122cとを含むものである。回路基板10cは、自身に実装される電子部品20cの電極22cの数と同じ、又は電極22cの数よりも多くのランド121cが形成されている。このため、回路基板10cは、自身に実装される電子部品20cの電極22cの数と同じ、又は電極22cの数よりも多くの延長部122cが形成されている。なお、実装ランド15cは、表層パターン12cと同じ絶縁基材11cの一面に形成されているため、表層パターン12cの一部とみなすこともできる。

0046

さらに、回路基板10cは、進展抑制部14cを備えて構成されている。進展抑制部14cは、複数のソルダレジスト40のそれぞれに対応して個別に設けられている。よって、回路基板10cは、複数の進展抑制部14cが設けられている。

0047

進展抑制部14cは、各ソルダレジスト40と絶縁基材11cとの接触部位に対向する位置に設けられている。また、進展抑制部14cは、各ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位に対向する位置を含んで設けられていると言える。

0048

本実施形態では、第1実施形態と同様に、ソルダレジスト40と絶縁基材11cとの接触部位に対向する位置に加えて、延長部122におけるソルダレジスト40が重なり有っている部位に対向する位置に設けられた進展抑制部14cを採用している。また、本実施形態では、第1記実施形態と同様に、ソルダレジスト40と絶縁基材11との接触部位に対向する位置に加えて、ランド121cに対向する位置を含んで設けられた進展抑制部14cを採用している。さらに、進展抑制部14cは、第1記実施形態と同様に、ランド121cよりも一回り大きく、且つ、ソルダレジスト40よりも一回り大きく設けられていてもよい。なお、進展抑制部14cは、材料や電気的な接続構成は進展抑制部14と同様である。

0049

進展抑制部14c及び内層パターン13cは、一部が絶縁基材11cから露出している。つまり、回路基板10cは、電子部品20cが実装された一面の反対面に、進展抑制部14c及び内層パターン13cが露出している。このため、電子装置100cは、電子部品20cが発熱した場合であっても、電子部品20cから発せられた熱を回路基板10cの反対面側から放熱できる。

0050

このように、電子装置100cは、電子部品20cの構成、及び回路基板10cの構成が電子装置100と異なるものの、電子装置100と同様の効果を奏することができる。

0051

(第5実施形態)
図8を用いて、第5実施形態の電子装置100dに関して説明する。電子装置100dは、回路基板10dの構成が電子装置100cと異なる。回路基板10dは、進展抑制部14dの構成が回路基板10cと異なる。よって、回路基板10dは、回路基板10cと同様に、絶縁基材11c、表層パターン12c、内層パターン13c、ビア16cなどを備えて構成されている。

0052

進展抑制部14dは、図8に示すように、環状に形成されている。進展抑制部14dは、複数のソルダレジスト40に対して一つ設けられている。進展抑制部14dは、各ソルダレジスト40と絶縁基材11cとの接触部位に対向する位置に設けられている。また、進展抑制部14dは、各ソルダレジスト40と絶縁基材11cとの接触部位に対向する位置を含んで設けられていると言える。さらに、本実施形態では、ソルダレジスト40と絶縁基材11cとの接触部位に対向する位置に加えて、延長部122におけるソルダレジスト40が重なり有っている部位に対向する位置に設けられた進展抑制部14dを採用している。つまり、進展抑制部14dは、複数のソルダレジスト40の投影領域を一体的に含んでいると言える。なお、進展抑制部14dは、材料や電気的な接続構成は進展抑制部14と同様である。

0053

電子装置100dは、回路基板10dの構成が電子装置100cと異なるものの、電子装置100cと同様の効果を奏することができる。

0054

(第6実施形態)
図9図10を用いて、第6実施形態の電子装置100eに関して説明する。電子装置100eは、電子部品20eの構成、及び回路基板10eの構成が電子装置100と異なる。

0055

電子装置100eは、ベアチップの電子部品20eが回路基板10eに実装されている。電子部品20eは、パワーMOSなどを採用できる。図10に示すように、電子部品20eは、半導体などの基部21eと、基部21eに設けられた第1電極22eと第2電極23eなどを備えて構成されている。電子部品20eは、例えば、第1電極22eがゲート電極で、第2電極23eがソース電極である。なお、図示は省略するが、電子部品20eは、ドレイン電極が設けられていてもよい。

0056

電子部品20eは、はんだ30を介して回路基板10eに実装されている。詳述すると、電子部品20eは、はんだ30を介して、第1電極22eと第1ランド121eが電気的及び機械的に接続されている。このため、電子装置100eは、電子装置100と同様に、延長部122eを跨いでソルダレジスト40を備えることになる。電子装置100eは、はんだ30が接続された延長部122eの数と同数のソルダレジスト40が設けられている。言い換えると、電子装置100eは、はんだ30が接続された第1ランド121eの数と同数のソルダレジスト40が設けられている。なお、電子部品20eは、はんだ30を介して、第2電極23eと第2ランド123eが電気的及び機械的に接続されている。

0057

回路基板10eは、絶縁基材11eに、表層パターン12eと、第2ランド123eとを備えて構成されている。回路基板10eは、内層パターンやビアが設けられていてもよい。表層パターン12eは、電子装置100と同様に、第1ランド121eと延長部122eとを含むものである。回路基板10eは、自身に実装される電子部品20eの第1電極22eの数と同じ、又は第1電極22eの数よりも多くのランド121eが形成されている。また、回路基板10eは、自身に実装される電子部品20eの第1電極22eの数と同じ、又は第1電極22eの数よりも多くの延長部122eが形成されている。なお、第2ランド123eは、表層パターン12eと同じ絶縁基材11eの一面に形成されているため、表層パターン12eの一部とみなすこともできる。

0058

さらに、回路基板10eは、進展抑制部14eを備えて構成されている。進展抑制部14eは、回路基板10dと同様に、複数のソルダレジスト40に対して一つ設けられている。進展抑制部14eは、各ソルダレジスト40と絶縁基材11cとの接触部位に対向する位置に設けられている。また、進展抑制部14eは、各ソルダレジスト40と絶縁基材11cとの接触部位に対向する位置を含んで設けられていると言える。さらに、本実施形態では、ソルダレジスト40と絶縁基材11cとの接触部位に対向する位置に加えて、延長部122eにおけるソルダレジスト40が重なり有っている部位に対向する位置に設けられた進展抑制部14eを採用している。つまり、進展抑制部14eは、複数のソルダレジスト40の投影領域を一体的に含んでいると言える。

0059

なお、進展抑制部14eは、複数のソルダレジスト40のそれぞれに対応して個別に設けられていてもよい。また、進展抑制部14eは、材料や電気的な接続構成は進展抑制部14と同様である。

0060

このように、電子装置100eは、電子部品20eの構成、及び回路基板10eの構成が電子装置100と異なるものの、電子装置100と同様の効果を奏することができる。

0061

(第7実施形態)
図11を用いて、第7実施形態の電子装置100fに関して説明する。電子装置100fは、回路基板10fの構成が電子装置100と異なる。

0062

電子装置100fは、電子部品20eが回路基板10fに実装されている。回路基板10fは、第2ランド123fの形状が回路基板10eと異なる。具体的には、回路基板10fは、二つの第2ランド123fが設けられている。

0063

なお、回路基板10fは、表層パターン12fが表層パターン12eと同様であり、第1ランド121fが第1ランド121eと同様であり、延長部122fが延長部122eと同様である。また、進展抑制部14fは、進展抑制部14eと同様である。

0064

このように、電子装置100fは、回路基板10fの構成が電子装置100eと異なるものの、電子装置100eと同様の効果を奏することができる。

0065

10,10a〜10f回路基板、11,11c,11e絶縁基材、12,12c,12e,12f表層パターン、121,121cランド、121e,121f 第1ランド、122,122c,122e,122f延長部、13内層パターン、14,14a〜14f進展抑制部、20,20c,20e電子部品、21 基部、22,22c電極、22e 第1電極、30はんだ、40ソルダレジスト、50封止樹脂、100,100a〜100f 電子装置

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