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技術 モジュール−基板間接続構造

出願人 日産自動車株式会社
発明者 熊倉晋
出願日 2015年7月6日 (4年11ヶ月経過) 出願番号 2015-134875
公開日 2017年1月19日 (3年5ヶ月経過) 公開番号 2017-017263
状態 特許登録済
技術分野 プリント板の組合せ 半導体または固体装置の組立体
主要キーワード ペーストハンダ 車載環境 使用温度環境 精度調整 酸化防止処理 信号端子数 各接続ランド 取り付け姿勢
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (16)

課題

プリント基板の小型化や部品実装高密度化を図る。

解決手段

プリント基板1には、1つ以上の第1接続ランド6が形成され、薄型基板100Aには、第1接続ランド6に各々対応する1つ以上の第2接続ランド9が形成される。第1接続ランド6とこれに対応する第2接続ランド9との間には、各々隅部が形成され、各隅部において、当該隅部を形成する第1接続ランド6と第2接続ランド9とが電気的に接続される。

概要

背景

半導体モジュールは、IGBT等の半導体素子、半導体素子等を実装する絶縁基板、半導体素子等を冷却する冷却器入出力用端子、半導体素子等の制御信号を授受するための制御信号端子(以下、信号端子と称する)等から構成される。また、プリント基板は、半導体モジュールを駆動するための制御回路、制御回路を駆動するための電源回路、半導体モジュールの信号端子が接続される電極等を備える。

半導体モジュールの信号端子は、一般には、真鍮など金属からなるリードピンから構成され、プリント基板の電極は、スルーホール貫通孔)及び銅箔等からなる接続ランドから構成される。リードピンは、スルーホールに挿入されてハンダ付けで接続ランドに接合される。特許文献1には、このような接合方法を用いた技術が開示されている。

概要

プリント基板の小型化や部品実装高密度化をる。プリント基板1には、1つ以上の第1接続ランド6が形成され、薄型基板100Aには、第1接続ランド6に各々対応する1つ以上の第2接続ランド9が形成される。第1接続ランド6とこれに対応する第2接続ランド9との間には、各々隅部が形成され、各隅部において、当該隅部を形成する第1接続ランド6と第2接続ランド9とが電気的に接続される。

目的

本発明は、プリント基板の小型化や部品実装の高密度化を図ることを目的とする

効果

実績

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牽制数
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請求項1

プリント基板と、半導体モジュールと、前記半導体モジュールに設けられ、前記プリント基板を前記半導体モジュールに電気的に接続する接続基板と、を備え、前記プリント基板には、1つ以上の第1接続ランドが形成されており、前記接続基板には、前記1つ以上の第1接続ランドに各々対応する1つ以上の第2接続ランドが形成されており、前記1つ以上の第1接続ランドとこれに対応する前記1つ以上の第2接続ランドとの間には、各々隅部が形成されており、各隅部において、当該隅部を形成する前記第1接続ランドと前記第2接続ランドとが電気的に接続されていることを特徴とするモジュール基板間接続構造

請求項2

前記接続基板は、屈曲性を有していることを特徴とする請求項1に記載のモジュール−基板間接続構造。

請求項3

前記接続基板は、折り曲げ変形に対する可塑性と、当該接続基板を自立した状態に保持可能な剛性とを備えたことを特徴とする請求項1または2に記載のモジュール−基板間接続構造。

請求項4

前記接続基板は、該接続基板を自立した状態に保持可能な剛性を備えた第1領域と、該第1領域よりも剛性が小さい第2領域とを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のモジュール−基板間接続構造。

請求項5

前記接続基板及び前記プリント基板のうち一方に係合部が設けられ、他方に前記係合部が係合する被係合部が設けられたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のモジュール−基板間接続構造。

技術分野

0001

本発明は、半導体モジュールプリント基板との間の接続構造(以下、モジュール基板間接続構造と称する)に関する。

背景技術

0002

半導体モジュールは、IGBT等の半導体素子、半導体素子等を実装する絶縁基板、半導体素子等を冷却する冷却器入出力用端子、半導体素子等の制御信号を授受するための制御信号端子(以下、信号端子と称する)等から構成される。また、プリント基板は、半導体モジュールを駆動するための制御回路、制御回路を駆動するための電源回路、半導体モジュールの信号端子が接続される電極等を備える。

0003

半導体モジュールの信号端子は、一般には、真鍮など金属からなるリードピンから構成され、プリント基板の電極は、スルーホール貫通孔)及び銅箔等からなる接続ランドから構成される。リードピンは、スルーホールに挿入されてハンダ付けで接続ランドに接合される。特許文献1には、このような接合方法を用いた技術が開示されている。

先行技術

0004

特開2008−166358号公報

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、上記従来の接続構造では、信号端子をプリント基板に接続するために、プリント基板の表面と裏面の両面にスルーホール等の接続領域を形成する必要があった。そのため、プリント基板の回路形成領域電子部品の実装領域が制約され、それがプリント基板の小型化や部品実装高密度化障害となっていた。

0006

本発明は、プリント基板の小型化や部品実装の高密度化を図ることを目的とする。

課題を解決するための手段

0007

本発明にかかるモジュール−基板間接続構造では、プリント基板に1つ以上の第1接続ランドが形成され、第1接続ランドに各々対応する1つ以上の第2接続ランドが接続基板に形成されている。第1接続ランドとこれに対応する第2接続ランドとの間には、各々隅部が形成されており、各隅部において、当該隅部を形成する第1接続ランドと第2接続ランドとが電気的に接続されている。

発明の効果

0008

上記接続構造では、隅部を形成する2つの面のうち一方が、プリント基板の第1接続ランドで構成されているから、当該隅部は、プリント基板の上に形成されることになる。すなわち、上記接続構造によれば、接続基板とプリント基板との電気的な接続を、プリント基板の一つの面において行うことができる。このため、リードピンをプリント基板に貫通させてその両面に接続領域を形成した場合と比較して、プリント基板の接続領域を小さくすることができ、プリント基板の小型化や部品実装の高密度化を図ることができる。

図面の簡単な説明

0009

第1実施形態に係る接続構造を示す平面図である。
第1実施形態に係る接続構造を示す側面図である。
第1実施形態に係る接続構造を示す斜視図である。
第1実施形態に係る接続構造を示す側方断面図である。
第1実施形態に係る接続構造を適用した半導体装置組立工程を示す斜視図である。
図5に示す組立工程の続きを示す斜視図である。
図6に示す組立工程の続きを示す斜視図である。
図7に示す組立工程の続きを示す要部の斜視図である。
第2実施形態に係る接続構造を示す背面図である。
第2実施形態に係る接続構造を示す平面図である。
第2実施形態に係る接続構造を示す側面図である。
第3実施形態に係る接続構造を示す平面図である。
第3実施形態に係る接続構造を示す側面図である。
第3実施形態に係る接続構造を示す要部の斜視図である。
比較対象に係る接続構造を示す平面図(a)及び側面図(b)である。

実施例

0010

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明における「上」「下」など方向を表す用語は、各部の位置関係を説明するために便宜上定めたものであり、実際の取り付け姿勢等を限定するものではない。また、同様の部材には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

0011

<第1実施形態>
図1図8を参照して、第1実施形態に係るモジュール−基板間接続構造C1(以下、単に接続構造C1ともいう)について説明する。

0012

接続構造C1は、図示しない制御回路等を備えたプリント基板1と、図示しない半導体素子等を搭載したパワー半導体モジュール2(以下、半導体モジュール2ともいう)と、プリント基板1を半導体モジュール2に電気的に接続する薄型基板100A(接続基板)と、を備えている。

0013

プリント基板1は、例えばガラス繊維エポキシ樹脂含浸した絶縁層を複数積層して構成されている。各絶縁層間には、銅箔の配線層が形成されている。プリント基板1の総厚は、例えば1.8mmとし、銅箔の配線層数は、例えば4層とすることができる。プリント基板1の第一層、すなわちプリント基板1の上面(本実施形態では、半導体モジュール2と反対側の面)には、制御信号配線4が形成されている。制御信号配線4の線幅は、例えば0.5mmとし、配線間距離は、例えば0.7mmとすることができる。制御信号配線4の末端には、プリント基板1を半導体モジュール2に接続するための5個の接続ランド6(第1接続ランド)が設けられている。接続ランド6のランド幅は、例えば0.8mmとし、ランド長は、例えば1.2mmとすることができる。接続ランド6の領域以外の制御信号配線4は、ソルダレジスト被覆されている。また、接続ランド6の表面は、プリフラックス処理が施されている。

0014

半導体モジュール2は、例えばPPSからなる樹脂ケース2a内に、図示しないIGBTやダイオード等のパワー半導体、絶縁基板、強電伝達バスバー等を備えている。例えば、絶縁基板は、セラミック系材質で構成され、パワー半導体と強電伝達バスバーの間に設置され、極薄ハンダ層を介して相互に接続されている。

0015

薄型基板100Aは、樹脂ケース2aと一括成型され、一部が樹脂に埋め込まれた構成となっている。薄型基板100Aの一端は、樹脂ケース2a内のパワー半導体に隣接した位置に配置され、他端は、樹脂ケース2a上面から上方に延伸している(図3等参照)。

0016

薄型基板100Aは、薄膜状の絶縁薄膜7と、金属箔8と、接続ランド6に各々対応する5個の接続ランド9(第2接続ランド)と、各接続ランド9から延設されて半導体素子等に接続される制御信号配線16(図3参照)と、を備えている。

0017

絶縁薄膜7の材質は、例えばポリイミドとし、厚さは、例えば25.4μmとすることができる。また、金属箔8の材質は、例えばステンレス鋼材(SUS)とし、厚さは、例えば50μmとすることができる。

0018

絶縁薄膜7と金属箔8は接着されて一体となっており、薄型基板100Aは、屈曲性を有している。絶縁薄膜7の金属箔8と反対側の表面(本実施形態ではプリント基板1側)には、制御信号配線16が形成されている。各制御信号配線16の末端には、接続ランド9が配置されている。信号配線16の幅は、例えば0.5mmとし、配線間の距離は、例えば0.7mmとすることができる。また、接続ランド9の幅は、例えば0.8mmとすることができる。制御信号配線16及び接続ランド9の表面は、金メッキまたはプリフラックス酸化防止処理が施されている。

0019

薄型基板100Aの先端部は、折り曲げられており、プリント基板1の上面に沿って延びる平行部Pと、プリント基板1の上面に対して略直角に立設した立設部Vとを備えている。立設部Vの絶縁薄膜7の表面には、5個の接続ランド9が薄型基板100Aの幅方向並列して設けられ、プリント基板1上に設けられた接続ランド6の各々に対応して隣接して配置されている。接続ランド6とこれに対応する接続ランド9との間には、各々隅部Aが形成されており、各隅部Aにおいて、当該隅部Aを形成する接続ランド6と接続ランド9とがハンダ材Sにより接続されている。薄型基板100Aの平行部Pは、接続ランド9が設置された側の端面から例えば1.4mmの位置で90度折り曲げられている。

0020

薄型基板100Aの材質、厚さ等は、薄型基板100Aが、折り曲げ変形に対する可塑性と、折り曲げ変形後の屈曲した形状を保持したり、半導体モジュール2に対して自立した状態を保持したりすることが可能な剛性とを備えるように選定されている。薄型基板100Aは、半導体モジュール2に対して自立した状態を保持できるので、プリント基板1を半導体モジュール2に搭載する際、半導体モジュール2に対する薄型基板100Aの位置が安定し、プリント基板1の搭載作業の効率を向上させることができる。

0021

また、薄型基板100Aは、後述するように、プリント基板1の一方の面に配索され、接続ランド9がプリント基板1の接続ランド6と隣接するように配置されて、接続ランド9が接続ランド6とハンダ材Sで接続される。この際、薄型基板100Aは、可塑性を有するので、半導体モジュール2及びプリント基板1の上面に沿って折り曲げられた後、元の形状に戻らずに、折り曲げ変形後の屈曲した形状を維持し、接続ランド6が接続ランド9と位置合わせされた状態を保持する。これにより、薄型基板100Aの接続ランド9とプリント基板1の接続ランド6の位置関係を固定することができ、ハンダ付け等の接続作業の作業性を向上させることができる。

0022

[組立工程について]
図5図8を参照して、第1実施形態に係る接続構造C1を適用した半導体装置の組立工程について説明する。

0023

まず、図5に示す工程では、薄型基板100Aが、半導体モジュール2の上面から上方に延伸し、それ自身の剛性によって自立した状態に保持されている。薄型基板100Aの先端部は、接続ランド9の制御信号配線16との接続部近傍域で略90度折り曲げられている。

0024

次いで、図6に示す工程では、半導体モジュール2の上部に、プリント基板1を略水平な状態で取付ける。この際、プリント基板1の一端面が、薄型基板100Aの制御信号配線16側の面と水平方向に対向する。そして、プリント基板1の一端面の上側角部に沿って、薄型基板100Aの先端部を、略90度、図中D1方向に折り曲げる。これにより、図7及び図4に示すように、薄型基板100Aの先端部に、プリント基板1の上面に沿って略平行に延びる平行部Pが形成されるとともに、立設部Vにおける接続ランド9が、プリント基板1の接続ランド6に隣接して配置される。そして、接続ランド6とこれに対応する接続ランド9との間には、各々隅部Aが形成される。なお、薄型基板100Aの先端部の折り曲げ工程は、手作業あるいは所定の折り曲げ用工作機等を用いて行うことができる。このとき、薄型基板100Aは、上述のように可塑性を有するので、半導体モジュール2及びプリント基板1の上面に沿って折り曲げられた後、元に戻らずに、折り曲げ変形後の屈曲した形状を維持する。

0025

次いで、図8に示す工程では、接続ランド6とこれに対応する接続ランド9との間に形成された各隅部Aにおいて、当該隅部Aを形成する接続ランド6と接続ランド9とをハンダ材Sにより接続する。

0026

ハンダ付けの工法は、局所的に熱を加え、ハンダ材Sを適宜供給することによりハンダ接合を形成するものであり、例えばレーザ加熱またはコテ加熱による加熱方法を適用することができる。また、ペーストハンダまたは糸ハンダによる材料供給方法を組み合わせて適用するようにしてもよい。例えば、レーザ加熱・糸ハンダ供給による工法では、波長約900nmの半導体レーザ光スポット径0.5で接続ランド6及び接続ランド9の当接部にコンマ数秒にわたって照射後、線径0.5mmのヤニ入り糸ハンダをレーザ光照射部へ供給することができる。これにより、糸ハンダは、加熱された接続ランド6,9に当たり受熱して溶解する。溶け出しフラックス成分は、接続ランド6,9の表面の酸化物還元し、同様に溶け出した錫を主成分とするハンダ材との間で金属拡散進展することで、ハンダ材Sと接続ランド6,9の接合は完了する。

0027

ここで、本実施形態に係る接続構造C1との対比のために、図15を参照して比較対象に係るモジュール−基板間接続構造C5(以下、単に接続構造C5ともいう)について説明する。

0028

図15に示すように、接続構造C5では、半導体モジュール202に埋設されたリードピン203が、半導体モジュール202から上方に向けて延設され、プリント基板201に形成されたスルーホール205に挿入されている。スルーホール205の周縁には、制御信号配線204に連なる接続ランド206が、表面及び裏面に形成されている。そして、各リードピン203と接続ランド206とは、ハンダ材Sによるハンダ付けによって接合されている。

0029

このように接続構造C5では、プリント基板201の両面にリードピン203の接続領域を必要とする。また、スルーホール205の内径は、プリント基板201を半導体モジュール202に搭載する際の作業性やハンダ材の溶接性などを案し、リードピン203の外径に対して相応クリアランスを確保する必要がある。また、接続ランド206は、プリント基板201の両面にスルーホール205を取り囲むように形成される。従って、接続領域の大きさは、リードピン203の外径、スルーホール205の径、及び、それらから決定される接続ランド206の外形等に支配される。

0030

例えば、リードピン203が、一辺の長さが0.65mmの正方形断面を有する場合に、スルーホール205の内径は、1.2mm、接続ランド206の外径は、1.8mmとなる。接続ランド206間の必要絶縁距離が、例えば0.7mm、リードピン203の数が、例えば5本、接続工法が必要とする領域を、例えば2mmとすると、リードピン203の接続領域の長さは、15.8mmとなる。リードピン203の並設方向と直交する方向の幅は、接続ランド206の周辺に2mmの工法必要域をとると、5.8mmとなる。そして、接続領域はプリント基板1の両面に必要であるから、リードピン203の接続領域の面積は、合計183.28mm2となる。

0031

このように、プリント基板201の表面と裏面の両面が、接続ランド206のサイズ、接続ランド206間の必要絶縁距離、リードピン203の数等に応じた面積を、リードピン203との接続のための接続領域として占有される。そのため、回路形成領域や電子部品の実装領域が制約されてしまい、それがプリント基板の小型化や部品実装の高密度化の障害となる。

0032

また、接続構造C5では、半導体モジュール202とプリント基板201がリジッドな部材であるリードピン203で接続されている。そのため、製品使用温度環境が変化し、半導体モジュール202とプリント基板201の線膨張係数及びヤング率の差に基づく熱歪みが生じると、その熱歪みは、比較的に強度の弱いハンダ材に集中する。そのため、接続構造C5は、温度変化の繰り返しサイクルが相当数に及んだときに、ハンダ材が疲労破壊するおそれがあり、車載用途には不向きであった。

0033

さらに、接続構造C5では、リードピン203が相当数(数十本など)存在している。このため、組立時に全てのリードピン203がスルーホール205に正しく挿入されるように、リードピン203の位置、スルーホール205の寸法、プリント基板201の寸法等を高精度に管理する必要があり、接続構造C5では、低コスト化が困難であった。

0034

これに対して、本実施形態に係るモジュール−基板間接続構造C1によれば、プリント基板1に1つ以上の接続ランド6が形成され、接続ランド6に各々対応する1つ以上の接続ランド9が薄型基板100Aに形成されている。接続ランド6とこれに対応する接続ランド9との間には、各々隅部Aが形成されており、各隅部Aにおいて、当該隅部Aを形成する接続ランド6と接続ランド9とが電気的に接続されている。

0035

接続構造C1では、隅部Aを形成する2つの面のうち一方が、プリント基板1の接続ランド6で構成されているから、当該隅部Aは、プリント基板1の上に形成されることになる。すなわち、接続構造C1によれば、薄型基板100Aとプリント基板1との電気的な接続を、プリント基板1の一つの面において行うことができる。このため、リードピン203をプリント基板201に貫通させてその両面に接続領域を形成した場合と比較して、プリント基板1の接続領域を小さくすることができ、プリント基板1の小型化や部品実装の高密度化を図ることができる。

0036

また、屈曲性を有する薄型基板100Aをプリント基板1上に配索して、接続ランド9と接続ランド6とを接合しているので、リードピン203の外径やスルーホール205の径に影響されることなく、接続ランド6のサイズを小型化することができる。例えば、直径0.5mmの糸ハンダ線でレーザ加熱接続する場合、接続ランド6の幅は、0.8mm程度で十分である。そして、接続ランド6間の必要絶縁距離を0.7mm、信号端子数を5個、接続工法必要領域を2.0mmとすると、必要接続領域の面積は、合計56.16mm2となる。このように、接続構造C1によれば、必要接続領域の面積は、接続構造C5の工法で必要とする面積の1/3以下となる。従って、接続構造C1によれば、プリント基板1の半導体モジュール2との接続領域をより小さくして、一層の小型化や部品実装の高密度化を図ることができる。そして、必要接続領域の面積の減少分でプリント基板1の外形サイズ縮小させたり、余ったスペースで制御回路や電源回路をレイアウトしたりすることができ、設計自由度を向上させることができる。

0037

また、薄型基板100Aは、屈曲性を有し、SUSなどで構成される金属箔8と、ポリイミド等で構成される絶縁薄膜7を備えているので、プリント基板1や半導体モジュール2に比べて剛性も小さい。従って、上述の熱歪みを薄型基板100Aが吸収して、歪みのハンダ材Sへの集中を低減することができ、車載された場合などの使用環境における繰り返し温度変化(熱疲労)に対して、耐久性信頼性を向上させることができる。

0038

さらに、プリント基板1の接続ランド6に接合される接続ランド9が、屈曲性を有する薄型基板100Aに設けられているので、リードピン203をスルーホール205に挿入する場合と比べ、接続ランド6,9の位置精度等を高度に管理する必要がない。そのため、製品の低コスト化を図ることができる。

0039

<第2実施形態>
図9図11を参照して、第2実施形態に係るモジュール−基板間接続構造C2(以下、単に接続構造C2ともいう)について説明する。以下、主に第1実施形態に係る接続構造C1と異なる点について説明し、接続構造C1と同様の構成については、同様の符号を付して重複した説明は省略する。

0040

接続構造C2では、薄型基板100Bは、薄型基板100Bを自立した状態に保持可能な剛性を備えた第1領域10,12と、これらの第1領域10,12の間に挟まれた、第1領域10、12よりも剛性が小さい第2領域11とを備えている。

0041

第1領域10は、半導体モジュール2の樹脂ケース2aには固定されておらず、樹脂ケース2aのスリット内に配置され、薄型基板100Bの主面方向スライドできる構造となっている。また、第2領域11も同様に樹脂ケース2aに固定されていないが、第2領域11には、金属箔8がないため、第1領域10,12よりも剛性が小さくなっている。なお、第1領域12は、第1領域10と同様に金属箔8を備えているが、基端部が樹脂ケース2aに固定されている。

0042

接続構造C2によれば、上述の接続構造C1の効果に加え、次の効果を得ることができる。すなわち、接続構造C2によれば、薄型基板100Bに相対的に剛性の小さい領域(第2領域11)が設けられている。このため、薄型基板100Bは、プリント基板1と半導体モジュール2の線膨張係数及びヤング率の差異に基づく熱歪みを、接続構造C1の薄型基板100Aよりも多く吸収することができる。これにより、ハンダ接続部が受ける熱歪みがより小さくなり、車載環境など、繰り返し温度が変化する環境下における耐久性や信頼性をより向上させることができる。

0043

<第3実施形態>
図12図14を参照して、第3実施形態に係るモジュール−基板間接続構造C3(以下、単に接続構造C3ともいう)について説明する。以下、主に第1実施形態に係る接続構造C1と異なる点について説明し、接続構造C1と同様の構成については、同様の符号を付して重複した説明は省略する。

0044

接続構造C3は、薄型基板100Cに形成された位置決め突起13(係合部)と、プリント基板1に形成され、位置決め突起13に係止する位置決め穴15(被係合部)とを備えている。位置決め突起13は、薄型基板100Cの平行部Pの幅方向両側端縁部における立設部V近傍部位(あるいは立設部Vの両端部近傍)に設けられ、薄型基板100Cの金属箔8の一部をプリント基板1側に突出させて形成されている。突出長さは、プリント基板1の板厚の半分より大きいことが望ましく、特に限定されないが、例えば1.0mmとすることができる。位置決め穴15は、プリント基板1の位置決め突起13に対応する位置に設けられ、穴径は、特に限定されないが、例えば0.3mmとすることができる。

0045

接続構造C3によれば、上述の接続構造C1の効果に加え、次の効果を得ることができる。すなわち、接続構造C3によれば、位置決め突起13を位置決め穴15に挿し込むように、薄型基板100Cをプリント基板1に配置させることで、より高い精度で接続ランド9と接続ランド6の位置合わせを行うことができる。また、薄型基板100Cに位置決め突起13を設けているので、すべての接合箇所位置決めを一括して行うことができる。特に、薄型基板100Cの平行部Pの立設部V近傍部位に位置決め突起13を設けているので、位置合わせの精度がより向上する。

0046

また、図15の接続構造C5では、複数のリードピン203をプリント基板1の各スルーホール205に位置合わせする必要があり、リードピン203の数の分だけ、寸法精度を調整する必要がある部位(以下、寸法精度調整部位と称する)が存在している。これに対して、接続構造C3によれば、薄型基板100Cに2箇所の位置決め突起13を設けるだけで足り、より少ない寸法精度調整部位で、多数の接続ランド6,9の位置合わせを行うことが可能となる。このように寸法精度調整部位の数が減少することで、位置決め精度の管理が容易になり、部品コスト低減を実現する。

0047

本実施形態では、薄型基板100Cに位置決め突起13を形成し、プリント基板1に位置決め穴15を形成したが、プリント基板1に位置決め突起を形成し、薄型基板100Cに位置決め穴を形成してもよい。

0048

以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの実施形態は本発明の理解を容易にするために記載された単なる例示に過ぎず、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。本発明の技術的範囲は、上記実施形態で開示した具体的な技術事項に限らず、そこから容易に導きうる様々な変形、変更、代替技術なども含むものである。

0049

例えば、上記実施形態にかかる接続構造C1,C2,C3では、プリント基板1に接続ランド6が5個ずつ設けられ、薄型基板100A,100B,100Cに接続ランド9が5個ずつ設けられていた。しかしながら、接続ランド6,9の数は特に限定されず、4個以下であっても6個以上であってもよい。

0050

また、接続構造C3の位置決め突起及び位置決め穴の構成を、接続構造C2の第1領域及び第2領域の構成に組合せて適用してもよいことは勿論である。

0051

C1〜C3モジュール−基板間接続構造
1プリント基板
2パワー半導体モジュール(半導体モジュール)
100A〜100C薄型基板(接続基板)
6接続ランド(第1接続ランド)
9 接続ランド(第2接続ランド)
A 隅部
10,12 第1領域
11 第2領域
13位置決め突起(係合部)
15位置決め穴(被係合部)

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    【課題】半導体素子の作り込まれたウエハの積層を経て半導体素子が多層化される半導体装置製造方法において、ウエハ積層体の反りを抑制しつつ効率よく半導体装置を製造するのに適した手法を提供する。【解決手段】本... 詳細

  • 株式会社ダイセルの「 半導体装置製造方法」が 公開されました。( 2020/04/30)

    【課題】接着剤層を介しての半導体ウエハの積層を経て半導体素子が多層化される半導体装置製造方法において、多層化される半導体素子間にて低い配線抵抗と抵抗値ばらつきの抑制とを実現するのに適した手法を提供する... 詳細

  • 株式会社ダイセルの「 半導体装置製造方法」が 公開されました。( 2020/04/30)

    【課題】半導体素子の作り込まれたウエハの積層を経て半導体素子が多層化される半導体装置製造方法において、ウエハ破損を回避しつつ接着剤接合を介して薄いウエハを多層化するのに適した手法を提供する。【解決手段... 詳細

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