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技術 基板上の高純度アルミニウムトップコート

出願人 アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
発明者 サンジェニファーワイバンダサマンス
出願日 2014年3月3日 (5年4ヶ月経過) 出願番号 2016-500560
公開日 2016年5月19日 (3年2ヶ月経過) 公開番号 2016-514213
状態 特許登録済
技術分野 表面反応による電解被覆 その他の表面処理
主要キーワード アルミニウムメッキ層 代替タイプ 柱状層 ワイヤアーク溶射 陽極酸化浴 カソードベース シュウ酸浴 電気メッキ浴中
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重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2016年5月19日)のものです。
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図面 (7)

課題・解決手段

処理チャンバ用のチャンバコンポーネントを製造するために、アルミニウムコーティングが、不純物を含む物品上に形成され、アルミニウムコーティングは、実質的に不純物を含まない。

概要

背景

概要

処理チャンバ用のチャンバコンポーネントを製造するために、アルミニウムコーティングが、不純物を含む物品上に形成され、アルミニウムコーティングは、実質的に不純物を含まない。

目的

しかしながら、本明細書で議論されるアルミニウムコーティングされた物品は、他のプロセス(例えば、非プラズマエッチング装置、非プラズマ洗浄装置化学蒸着CVD)チャンバ物理蒸着PVD)チャンバ等)用の処理チャンバ内で使用される場合もまた、粒子汚染の低減を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
0件

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請求項1

処理チャンバチャンバコンポーネントの製造方法であって、不純物を含む物品上に、実質的に不純物を含まないアルミニウムコーティングを形成する工程を含む方法。

請求項2

アルミニウムコーティングは、約0.8ミル〜約5ミルの範囲内の厚さを有する請求項1記載の方法。

請求項3

アルミニウムコーティングを陽極酸化し、これによって陽極酸化層を形成する工程を含む請求項1記載の方法。

請求項4

陽極酸化層は、アルミニウムコーティングの厚さの約30%〜約70%の範囲内の厚さを有する請求項3記載の方法。

請求項5

陽極酸化層の表面粗さは、約40マイクロインチである請求項3記載の方法。

請求項6

物品は、アルミニウム、銅、又はマグネシウムのうちの少なくとも1つの合金を含む請求項1記載の方法。

請求項7

アルミニウムコーティングを形成する工程は、電気メッキを実行する工程を含む請求項1記載の方法。

請求項8

処理チャンバ用のチャンバコンポーネントであって、不純物を含む物品と、物品上のアルミニウムコーティングであって、実質的に不純物を含まないアルミニウムコーティングを含むチャンバコンポーネント。

請求項9

アルミニウムコーティングは、約0.8ミル〜約5ミルの範囲内の厚さを有する請求項8記載のチャンバコンポーネント。

請求項10

アルミニウムコーティングは、約0.4ミル〜約4ミルの範囲内の厚さを有する請求項8記載のチャンバコンポーネント。

請求項11

陽極酸化層の表面粗さは、約40マイクロインチである請求項8記載のチャンバコンポーネント。

請求項12

陽極酸化層の約半分が、陽極酸化中にアルミニウムコーティングの転換から形成される請求項10記載のチャンバコンポーネント。

請求項13

物品は、アルミニウム、銅、又はマグネシウムのうちの少なくとも1つの合金を含む請求項8記載のチャンバコンポーネント。

請求項14

物品は、セラミックス材料を含む請求項8記載のチャンバコンポーネント。

請求項15

アルミニウムコーティングは、物品上に電気メッキされる請求項8記載のチャンバコンポーネント。

技術分野

0001

本開示の実施形態は、概して、アルミニウムコーティングされた物品及び基板にアルミニウムコーティングを塗布するためのプロセスに関する。

背景

0002

半導体産業では、ますます減少するサイズの構造を作る多くの製造プロセスによって、デバイスは製造される。いくつかの製造プロセスは、粒子を生成する可能性があり、これはしばしば、処理される基板を汚染し、デバイスの欠陥に寄与する。デバイスの幾何学形状が縮小するにつれて、欠陥への感受性は増加し、粒子汚染物質要件はより厳しくなる。したがって、デバイスの幾何学形状が縮小するにつれて、粒子汚染許容レベルは低下する可能性がある。

概要

0003

一実施形態では、アルミニウムコーティングが、物品上に形成され、アルミニウムコーティングは、陽極酸化層を形成するために陽極酸化される。陽極酸化層は、アルミニウムコーティングの厚さの40%〜60%の範囲内の厚さを有することができる。陽極酸化層はまた、アルミニウムコーティングの厚さの最大2〜3倍の厚さを有することができる。

0004

一実施形態では、アルミニウムは、高純度アルミニウムである。アルミニウムコーティングは、約0.8ミル〜約4ミルの範囲内の厚さを有することができる。陽極酸化層は、約0.4〜約4ミクロンの範囲内の厚さを有することができる。一実施形態では、陽極酸化層の表面粗さは、約40マイクロインチである。

0005

一実施形態では、物品は、アルミニウム、銅、マグネシウムアルミニウム合金(例えば、Al6061)、又はセラミックス材料のうちの少なくとも1つを含むことができる。

0006

一実施形態では、アルミニウムコーティングは、電気メッキすることによって形成される。陽極酸化層の約半分は、陽極酸化中にアルミニウムコーティングの転換から形成することができる。

図面の簡単な説明

0007

本開示は、添付図面の図の中で、限定としてではなく、例として示され、同様の参照符号は同様の要素を示す。この開示における「一」又は「1つの」実施形態への異なる参照は、必ずしも同じ実施形態への参照ではなく、そのような参照は、少なくとも1つを意味することに留意すべきである。
本発明の一実施形態に係る、製造システムの例示的な基本設計概念を示す。
本発明の一実施形態に係る、アルミニウムで導電性物品を電気メッキするためのプロセスを示す。
本発明の一実施形態に係る、アルミニウムコーティングされた導電性物品を陽極酸化するためのプロセスを示す。
本発明の一実施形態に係る、アルミニウムコーティングされた導電性物品を製造するためのプロセスを示す。
導電性物品上のアルミニウムコーティングの一実施形態の断面図を示す。
導電性物品上のアルミニウムコーティング及び陽極酸化層の一実施形態の断面図を示す。

実施形態の詳細な説明

0008

本開示の実施形態は、アルミニウムコーティングを有する物品(例えば、半導体製造で使用するための物品)をコーティングするためのプロセス、及びそのようなコーティングプロセスを用いて作成された物品に向けられている。一実施形態では、物品は、コーティングされ、その後、コーティングの少なくとも一部が陽極酸化される。例えば、物品は、処理機器(例えば、エッチング装置洗浄装置加熱炉等)用のチャンバの、シャワーヘッドカソードスリーブスリーブライナドアカソードベースチャンバライナ静電チャックベース等とすることができる。一実施形態では、チャンバは、プラズマエッチング装置又はプラズマ洗浄装置用である。一実施形態では、これらの物品は、アルミニウム合金(例えば、Al6061)、他の合金、金属、金属酸化物セラミックス、又は他の任意の適切な材料で形成することができる。物品は、導電性物品(例えば、アルミニウム合金)、又は、非導電性又は絶縁性の物品(例えば、セラミックス)とすることができる。

0009

陽極酸化用パラメータは、物品からの粒子汚染を低減するように最適化することができる。アルミニウムコーティングされた物品の性能特性は、比較的長い寿命、及び低いオンウェハ粒子及び金属汚染を含むことができる。

0010

アルミニウムコーティングされた導電性物品を参照した本明細書に記載される実施形態は、プラズマリッチのプロセスのための処理チャンバ内で使用される場合、粒子汚染及びオンウェハの金属汚染を減少させることができる。しかしながら、本明細書で議論されるアルミニウムコーティングされた物品は、他のプロセス(例えば、非プラズマエッチング装置、非プラズマ洗浄装置、化学蒸着CVD)チャンバ、物理蒸着PVD)チャンバ等)用の処理チャンバ内で使用される場合もまた、粒子汚染の低減を提供することができることを理解すべきである。

0011

用語「約」又は「およそ」は、本明細書で使用される場合、これらは、提示された公称値が±10%以内で正確であることを意味することを意図している。本明細書に記載される物品は、プラズマに曝露される他の構造物であってもよい。

0012

図1は、製造システム100の例示的な基本設計概念を示す。製造システム100は、半導体製造に使用するための物品を製造するためのシステムとすることができる。一実施形態では、製造システム100は、機器自動化層115に接続された処理機器101を含む。処理機器101は、1以上の湿式洗浄装置103、アルミニウムコーティング装置104及び/又は陽極酸化装置105を含むことができる。製造システム100は、機器自動化層115に接続された1以上のコンピューティングデバイス120を更に含むことができる。代替実施形態では、製造システム100は、より多く又はより少ないコンポーネントを含むことができる。例えば、製造システム100は、機器自動化層115又はコンピューティングデバイス120無しに、手動操作(例えば、オフライン)の処理機器101を含んでもよい。

0013

湿式洗浄装置103は、湿式洗浄プロセスを使用して物品(例えば、導電性物品)を洗浄する洗浄装置である。湿式洗浄装置103は、基板を洗浄するために基板が内部に浸漬される、液体で満たされた湿式浴を含む。湿式洗浄装置103は、洗浄効率を向上させるために、洗浄中に超音波を用いて湿式浴を撹拌することができる。これを、本明細書内では、湿式浴の超音波処理と呼ぶ。

0014

一実施形態では、湿式洗浄装置103は、脱イオン(DI)水浴を用いて物品を洗浄する第1湿式洗浄装置と、アセトン浴を用いて物品を洗浄する第2湿式洗浄装置を含む。両方の湿式洗浄装置103は、洗浄プロセス中に浴槽を超音波処理することができる。湿式洗浄装置103は、処理中に、複数の段階で物品を洗浄することができる。例えば、湿式洗浄装置103は、基板が粗面化された後、アルミニウムコーティングが基板に塗布された後、物品が処理内で使用された後等に、物品を洗浄することができる。

0015

他の実施形態では、物品を洗浄するために、代替タイプの洗浄装置(例えば、乾式洗浄装置)を使用することができる。乾式洗浄装置は、熱を印加する、ガスを印加する、プラズマを印加する等によって、物品を洗浄することができる。

0016

アルミニウムコーティング装置104は、物品の表面にアルミニウムコーティングを塗布するように構成されたシステムである。一実施形態では、アルミニウムコーティング装置104は、以下でより詳細に説明される、アルミニウムを含む電気メッキ浴中に物品が浸漬される場合に、物品に電流を印加することによって物品(例えば、導電性物品)上にアルミニウムをメッキする電気メッキシステムである。ここで、導電性物品は、浴中に浸漬されるため、物品の表面は、均一にコーティングすることができる。代替実施形態では、アルミニウムコーティング装置104は、アルミニウムコーティングを塗布するための他の技術(例えば、物理蒸着(PVD)、化学蒸着(CVD)、ツインワイヤアーク溶射イオン蒸着スパッタリング、及びコールドスプレー)を使用することができる。

0017

一実施形態では、陽極酸化装置105は、アルミニウムコーティング上に陽極酸化層を形成するように構成されたシステムである。例えば、物品(例えば、導電性物品)は、(例えば、硫酸又はシュウ酸を含む)陽極酸化浴に浸漬され、物品がアノードとなるように、電流が物品に印加される。その後、陽極酸化層が、物品上のアルミニウムコーティング上に形成され、これは、以下でより詳細に説明される。

0018

機器自動化レイヤー115は、製造機械101の一部又は全部をコンピューティングデバイス120と、他の製造機械と、計測ツール及び/又は他のデバイスと相互接続することができる。機器自動化レイヤー115は、ネットワーク(例えば、ロケーションエリアネットワーク(LAN))、ルータゲートウェイサーバデータストアなどを含むことができる。製造機械101は、SEMIEquipment Communications Standard/Generic Equipment Model(SECS/GEMインタフェースを介して、イーサネット登録商標)インタフェースを介して、及び/又は他のインタフェースを介して、機器自動化レイヤー115に接続することができる。一実施形態では、機器自動化レイヤー115は、プロセスデータ(例えば、プロセス実行中に製造機械101によって収集されたデータ)をデータストア(図示せず)に保存可能にする。代替の一実施形態では、コンピューティングデバイス120は、1以上の製造機械101に直接接続する。

0019

一実施形態では、一部又は全部の製造機械101は、プロセスレシピをロード、ストア、及び実行することができるプログラマブルコントローラを含む。プログラマブルコントローラは、製造機械101の温度設定、ガス及び/又は真空の設定、時間の設定等を制御することができる。プログラマブルコントローラは、メインメモリ(例えば、リードオンリーメモリ(ROM)、フラッシュメモリダイナミックランダムアクセスメモリDRAM)、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)など)、及び/又は二次メモリ(例えば、データ記憶装置(例えば、ディスクドライブ))を含むことができる。メインメモリ及び/又は二次メモリは、本明細書に記載の熱処理プロセスを実行するための命令を記憶することができる。

0020

プログラマブルコントローラはまた、メインメモリ及び/又は二次メモリに(例えば、バスを介して)結合された処理デバイスを含み、これによって命令を実行することができる。処理デバイスは、汎用処理デバイス(例えば、マイクロプロセッサ中央処理装置等)であってもよい。処理デバイスはまた、専用処理デバイス(例えば、特定用途向け集積回路ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA)、デジタル信号プロセッサ(DSP)、ネットワークプロセッサ等)であってもよい。一実施形態では、プログラマブルコントローラは、プログラマブルロジックコントローラPLC)である。

0021

図2は、本発明の一実施形態に係る、アルミニウムを有する物品(例えば、導電性物品)を電気メッキするためのプロセスを示す。電気メッキは、純度99.99を有するアルミニウム層を生成することができる。電気メッキは、電極(例えば、物品203)上に金属コーティングを形成するための溶解した金属カチオンを減少させるために電流を用いるプロセスである。物品203は、カソードであり、アルミニウム本体205(例えば、高純度アルミニウム)は、アノードである。両方のコンポーネントは、1以上の溶解した金属塩並びに電気の流れを可能にする他のイオンを含む電解液を含むアルミニウムメッキ浴201中に浸漬される。電流供給装置207(例えば、電池又は他の電源)は、物品203に直流を供給し、金属原子溶液中に溶解するように、アルミニウム本体205の金属原子を酸化する。電解液中に溶解した金属イオンは、溶液と物品203の間の界面で低減され、これによって物品203上にメッキし、アルミニウムメッキ層を形成する。アルミニウムメッキは、典型的には滑らかである。例えば、アルミニウムメッキは、約20マイクロインチ〜約200マイクロインチの表面粗さ(Ra)を有することができる。

0022

一実施形態では、アルミニウムメッキ層の厚さは、コスト削減と陽極酸化のための十分な厚さの両方に対して最適化される。陽極酸化層の厚さの半分は、アルミニウムメッキ層の厚さの消費に基づくことができる。一実施形態では、陽極酸化層は、アルミニウム層のすべてを消費する。こうして、アルミニウム層の厚さは、陽極酸化層の目標厚さの半分とすることができる。別の一実施形態では、アルミニウムメッキ層は、陽極酸化層の所望の厚さの2倍の厚さを有するように形成することができる。アルミニウムメッキ層の他の厚さもまた使用することができる。一実施形態では、アルミニウムメッキ層は、5ミルの厚さを有する。一実施形態では、アルミニウムメッキ層は、約0.8ミル〜約4ミルの範囲内の厚さを有する。なお、電気メッキ以外のアルミニウムコーティングプロセスもまた、他の実施形態において使用することができることに留意すべきである。

0023

図3は、一実施形態に係る、アルミニウムコーティングされた物品303を陽極酸化するためのプロセスを示す。なお、いくつかの実施形態では、陽極酸化は実行されないことに留意すべきである。例えば、物品303は、図2の物品203とすることができる。陽極酸化は、物品303の表面の微細組織を変える。陽極酸化プロセスに先立ち、物品303は、硝酸浴中で洗浄される、又は酸の混合物中で磨かれる(すなわち、陽極酸化の前に、化学処理(例えば、脱酸素)を受ける)ことができる。

0024

物品303は、カソード本体305と共に、酸性溶液を含む陽極酸化浴301内に浸漬される。使用することができるカソード本体の例は、アルミニウム合金(例えば、Al6061及びAl3003)及び炭素体を含む。陽極酸化層は、物品がアノード(正電極)である場合、電流供給装置307(例えば、電池又は他の電源)を介して、電解液を通して電流を流すことによって物品303上に成長する。電流は、カソード本体(例えば、負電極)で水素を放出し、物品303の表面で酸素を放出し、これによって酸化アルミニウムを形成する。一実施形態では、種々の溶液を用いて陽極酸化を可能にする電圧は、一実施形態では、1〜300Vの範囲にあり、又は別の一実施形態では、15〜21Vにあることが可能である。陽極酸化電流は、陽極酸化されるアルミニウム本体305の面積によって異なり、30〜300アンペア/メートル2(2.8〜28アンペア/ft2)の範囲とすることができる。

0025

酸性溶液は、物品の表面(例えば、アルミニウムコーティング)を溶解(すなわち、消費又は転換)し、これによって柱状ナノ細孔のコーティングを形成し、陽極酸化層は、ナノ細孔のこのコーティングから成長し続ける。柱状ナノ細孔は、直径が10〜150nmとすることができる。酸性溶液は、シュウ酸、硫酸、又はシュウ酸と硫酸の組み合わせとすることができる。シュウ酸に対して、陽極酸化層の成長に対する物品の消費比率は、約1:1である。硫酸に対して、陽極酸化層の成長に対する物品の消費比率は、約2:1である。電解質濃度酸性度溶液温度、及び電流は、一貫した酸化アルミニウム陽極酸化層を形成するように制御される。一実施形態では、陽極酸化層は、最大4ミルの厚さを有することができる。一実施形態では、陽極酸化層は、0.4ミルの最小厚さを有する。一実施形態では、陽極酸化層は、アルミニウムコーティングの厚さの40%〜60%の間の範囲内の厚さを有する。一実施形態では、陽極酸化層は、アルミニウムコーティングの厚さの30%〜70%の間の範囲内の厚さを有するが、陽極酸化層は、アルミニウムコーティングの他の割合の厚さを有することができる。一実施形態では、アルミニウム層のすべてが陽極酸化される。したがって、陽極酸化層は、(シュウ酸を使用して実行された陽極酸化に対して)アルミニウムコーティングの厚さの2倍、又は(硫酸を使用して実行された陽極酸化に対して)アルミニウムコーティングの厚さの約1.5倍の厚さを有することができる。

0026

一例では、陽極酸化を行うためにシュウ酸が使用される場合、アルミニウムコーティングは、最初4ミルの厚さであり、得られた陽極酸化層は、4ミルの厚さとすることができ、陽極酸化後に得られたアルミニウムコーティングは、2ミルの厚さとすることができる。別の一例では、陽極酸化を行うために硫酸が使用される場合、アルミニウムコーティングは、最初4ミルの厚さであり、得られた陽極酸化層は、3ミルの厚さとすることができ、陽極酸化後に得られたアルミニウムコーティングは、2ミルの厚さとすることができる。一実施形態では、陽極酸化のために硫酸が使用される場合、より厚いアルミニウムコーティングが使用される。

0027

一実施形態では、電流密度は、陽極酸化層の非常に緻密なバリア層部分を成長させるために、最初は高く、その後、電流密度は、陽極酸化層の多孔質柱状層部分を成長させるために低減される。陽極酸化層を形成するためにシュウ酸が使用される一実施形態では、空孔率は、約40%〜約50%の範囲内にあり、孔は、約20nm〜約30nmの範囲内の直径を有する。陽極酸化層を形成するために硫酸が使用される一実施形態では、空孔率は、最大約70%とすることができる。

0028

一実施形態では、陽極酸化層の表面粗さ(Ra)は、約40マイクロインチであり、これは物品の粗さと同様である。一実施形態では、表面粗さは、硫酸で陽極酸化した後、20〜30%増加する。

0029

一実施形態では、アルミニウムコーティングは、約100%陽極酸化される。一実施形態では、アルミニウムコーティングは、陽極酸化されない。

0030

表Aは、Al6061物品、陽極酸化されたAl6061物品、Al6061物品上にアルミニウムメッキ層を含むアルミニウムコーティング、及びAl6061物品上にアルミニウムメッキ層を含む陽極酸化されたアルミニウムコーティング内における金属不純物を検出するために使用されたレーザアブレーション誘導結合プラズマ質量分析(ICPMS)の結果を示す。この例では、アルミニウムメッキ層は、電気メッキを介して塗布され、陽極酸化は、シュウ酸浴中で起こる。Al6061物品上の陽極酸化されたアルミニウムメッキ層は、最低レベル不純物を示している。

0031

図4は、本開示の実施形態に係る、アルミニウムコーティングされた物品を製造するための方法400を示すフローチャートである。図1に記載されるように、プロセス400の操作は、様々な製造機械によって実行することができる。プロセス400は、アルミニウムを任意の物品にコーティングするために適用することができる。

0032

ブロック401では、物品(例えば、少なくとも導電性部分を有する物品)が提供される。例えば、物品は、アルミニウム合金(例えばAl6061)、他の合金、金属、金属酸化物、又はセラミックスから形成された導電性物品とすることができる。物品は、処理チャンバ内で使用するための、シャワーヘッド、カソードスリーブ、スリーブライナドア、カソードベース、チャンバライナ、静電チャックベース等とすることができる。

0033

ブロック403では、物品が、一実施形態に係るコーティング用に準備される。物品の表面は、表面を粗面化、平滑化、又は洗浄することによって変質させることができる。

0034

ブロック405では、物品は、アルミニウムでコーティング(例えば、メッキ)される。例えば、図2を関連して同様に説明したように、物品は、アルミニウムで電気メッキすることができる。他の例では、コーティングは、物理蒸着(PVD)、化学蒸着(CVD)、ツインワイヤアーク溶射、イオン蒸着、スパッタリング、及びコールドスプレーによって塗布することができる。

0035

一実施形態によれば、ブロック407では、アルミニウムコーティングを有する物品は、洗浄される。例えば、物品は、表面酸化を除去するために物品を硝酸中へ浸漬することによって洗浄することができる。

0036

一実施形態によれば、ブロック409では、アルミニウムコーティングを有する物品は、陽極酸化される。例えば、物品は、図3を関連して同様に説明したように、シュウ酸又は硫酸の浴中で陽極酸化することができる。

0037

図5は、電気メッキを介して塗布されたアルミニウムコーティング503を有するAl6061物品501の断面視の、50ミクロンスケールが図示される約1000倍の倍率での走査型電子顕微鏡写真500を示す。アルミニウムメッキ層の厚さは、約70ミクロンである。

0038

図6は、電気メッキを介して塗布されたアルミニウムコーティング603と、シュウ酸浴中で形成された陽極酸化層605を有するAl6061物品601の断面視の、20ミクロンスケールが図示される約800倍の倍率での走査型電子顕微鏡写真600を示す。アルミニウムメッキ層の厚さは、約55ミクロンであり、陽極酸化層の厚さは、約25ミクロンである。

0039

前述の説明は、本開示のいくつかの実施形態の良好な理解を提供するために、具体的なシステム、構成要素、方法等の例などの多数の具体的な詳細を説明している。しかしながら、本開示の少なくともいくつかの実施形態は、これらの具体的な詳細なしに実施することができることが当業者には明らかであろう。他の例では、周知の構成要素又は方法は、本開示を不必要に不明瞭にしないために、詳細には説明しないか、単純なブロック図形式で提示されている。したがって、説明された具体的な詳細は、単なる例示である。特定の実装では、これらの例示的な詳細とは異なる場合があるが、依然として本発明の範囲内にあることが理解される。

0040

本明細書全体を通して「1つの実施形態」又は「一実施形態」への参照は、その実施形態に関連して記載された特定の構成、構造、又は特性が少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味している。したがって、本明細書を通じて様々な場所における「1つの実施形態では」又は「一実施形態では」という語句出現は、必ずしも全て同じ実施形態を指すものではない。また、用語「又は」は、排他的な「又は」ではなく包含的な「又は」を意味することを意図している。

0041

本明細書内の本方法の操作が、特定の順序で図示され説明されているが、特定の操作を逆の順序で行うように、又は特定の操作を少なくとも部分的に他の操作と同時に実行するように、各方法の操作の順序を変更することができる。別の一実施形態では、異なる操作の命令又は副操作は、断続的及び/又は交互の方法とすることができる。

0042

なお、上記の説明は例示であり、限定的ではないことを意図していることが理解されるべきである。上記の説明を読み理解することにより、多くの他の実施形態が当業者にとって明らかとなるであろう。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を、そのような特許請求の範囲が権利を与える等価物全範囲と共に参照して決定されるべきである。

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