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技術 露光装置、露光方法、および物品の製造方法

出願人 キヤノン株式会社
発明者 今井政樹
出願日 2015年5月26日 (5年6ヶ月経過) 出願番号 2015-106730
公開日 2016年12月22日 (3年11ヶ月経過) 公開番号 2016-218407
状態 特許登録済
技術分野 ホトレジスト感材への露光・位置合せ
主要キーワード 計測箇所 スリット部材 計測タイミング 各計測点 走査経路 シャインプルーフ 制御誤差 斜入射型
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2016年12月22日)のものです。
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図面 (8)

課題

スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供する。

解決手段

スリット光に対して基板走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光装置は、前記スリット光を入射可能な入射領域において前記基板の高さを計測する第1計測部と、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第2計測部と、前記ショット領域の走査露光中における前記基板の高さを制御する制御部と、を含み、前記制御部は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第1区間では、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて制御し、前記第1区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第2区間では、前記第2区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第2計測部による計測結果に基づいて制御する。

概要

背景

半導体デバイスなどの製造工程(リソグラフィ工程)で用いられる装置の1つとして、スリット光に対して基板走査しながら基板のショット領域の走査露光を行う露光装置がある。このような露光装置は、スリット光を入射可能な入射領域の手前で基板の表面高さの計測フォーカス計測)を行い、その計測結果に基づいて基板の表面を投影光学系の結像面フォーカス面)に配置しながらショット領域の走査露光を行う。

露光装置では、スループットを向上させることが求められており、スループットを向上させるには、ショット領域の走査露光の合間における基板ステージステップ移動に要する時間を短縮することが好ましい。特許文献1には、ショット領域の端部またはその近傍におけるフォーカス計測が省略されるように、フォーカス計測を開始させるショット領域の位置を決定することにより、基板ステージのステップ移動に要する時間を短縮させる方法が提案されている。

概要

スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供する。スリット光に対して基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光装置は、前記スリット光を入射可能な入射領域において前記基板の高さを計測する第1計測部と、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第2計測部と、前記ショット領域の走査露光中における前記基板の高さを制御する制御部と、を含み、前記制御部は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第1区間では、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて制御し、前記第1区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第2区間では、前記第2区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第2計測部による計測結果に基づいて制御する。

目的

本発明は、スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

スリット光に対して基板走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光装置であって、前記スリット光を入射可能な入射領域において前記基板の高さを計測する第1計測部と、前記第1計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第2計測部と、前記ショット領域の走査露光中における前記基板の高さを制御する制御部と、を含み、前記制御部は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第1区間では、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて制御し、前記第1区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第2区間では、前記第2区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第2計測部による計測結果に基づいて制御する、ことを特徴とする露光装置。

請求項2

前記制御部は、前記ショット領域の走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに前記基板を移動させている期間に前記外側領域で前記第1計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。

請求項3

前記制御部は、前記期間において前記基板が等速での移動を開始した後に前記外側領域で前記第1計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。

請求項4

前記制御部は、前記外側領域の走査露光中に当該外側領域で前記第1計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。

請求項5

前記外側領域は、前記外側領域の走査露光中に前記第1計測部による計測が行われた複数の計測箇所を有し、前記制御部は、前記複数の計測箇所のうち走査露光を開始する前記ショット領域の端部に最も近い計測箇所についての前記第1計測部による計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項4に記載の露光装置。

請求項6

前記制御部は、前記外側領域の走査露光が行われていない場合には、前記ショット領域の走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに前記基板を移動させている期間に得られた前記外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御し、前記外側領域の走査露光が既に行われている場合には、前記外側領域の走査露光中に得られた前記外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。

請求項7

前記外側領域は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側において当該ショット領域と隣り合うショット領域である、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の露光装置。

請求項8

請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光を行われた前記基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。

請求項9

スリット光が入射可能である入射領域において基板の高さを計測する第1計測部と、前記第1計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第2計測部とを有する露光装置において、スリット光に対して前記基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光方法であって、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第1区間において、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて制御する工程と、前記第1区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第2区間において、前記第2区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第2計測部による計測結果に基づいて制御する工程と、を含むことを特徴とする露光方法。

技術分野

0001

本発明は、露光装置露光方法、および物品の製造方法に関する。

背景技術

0002

半導体デバイスなどの製造工程(リソグラフィ工程)で用いられる装置の1つとして、スリット光に対して基板走査しながら基板のショット領域の走査露光を行う露光装置がある。このような露光装置は、スリット光を入射可能な入射領域の手前で基板の表面高さの計測フォーカス計測)を行い、その計測結果に基づいて基板の表面を投影光学系の結像面フォーカス面)に配置しながらショット領域の走査露光を行う。

0003

露光装置では、スループットを向上させることが求められており、スループットを向上させるには、ショット領域の走査露光の合間における基板ステージステップ移動に要する時間を短縮することが好ましい。特許文献1には、ショット領域の端部またはその近傍におけるフォーカス計測が省略されるように、フォーカス計測を開始させるショット領域の位置を決定することにより、基板ステージのステップ移動に要する時間を短縮させる方法が提案されている。

先行技術

0004

特開2009−94256号公報

発明が解決しようとする課題

0005

特許文献1に記載された方法では、スループットが向上するようにフォーカス計測を開始させるショット領域の位置を決定すると、フォーカス計測が行われない区間がショット領域に生じうる。この区間では、フォーカス計測の結果に基づいて基板の表面をフォーカス面に配置させる制御が行われないため、フォーカス精度許容範囲に収まらないことがある。つまり、特許文献1に記載された方法では、スループットの向上とフォーカス精度の向上との両立が不十分になりうる。

0006

そこで、本発明は、スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0007

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、スリット光に対して基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光装置であって、前記スリット光を入射可能な入射領域において前記基板の高さを計測する第1計測部と、前記第1計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第2計測部と、前記ショット領域の走査露光中における前記基板の高さを制御する制御部と、を含み、前記制御部は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第1区間では、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて制御し、前記第1区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第2区間では、前記第2区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第2計測部による計測結果に基づいて制御する、ことを特徴とする。

0008

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

発明の効果

0009

本発明によれば、例えば、スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供することができる。

図面の簡単な説明

0010

第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。
計測部における複数の計測点の配置を示す図である。
計測部による計測が行われる計測点と、スリット光を入射可能な入射領域との位置関係を示す図である。
基板上の複数のショット領域に対する従来の走査露光を説明するための図である。
基板上の複数のショット領域に対する従来の走査露光を説明するための図である。
基板上の複数のショット領域に対する第1実施形態の走査露光を説明するための図である。
基板上の複数のショット領域に対する第2実施形態の走査露光を説明するための図である。

実施例

0011

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

0012

<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。第1実施形態の露光装置100は、スリット光を用いて基板15を走査露光するステップアンドスキャン方式走査露光装置である。そして、露光装置100は、照明光学系11と、マスクステージ13と、投影光学系14と、基板ステージ16と、計測部17と、第1検出部18と、第2検出部19と、制御部20とを含みうる。制御部20は、例えばCPUやメモリなどを含み、露光装置100の各部を制御する。即ち、制御部20は、マスク12に形成されたパターンを基板15に転写する処理(基板15を走査露光する処理)を制御する。

0013

照明光学系11は、それに含まれるマスキングブレードなどの遮光部材により、エキシマレーザなどの光源(不図示)から射出された光を、例えばX方向に長い帯状または円弧状のスリット光に整形し、そのスリット光でマスク12の一部を照明する。マスク12および基板15は、マスクステージ13および基板ステージ16によってそれぞれ保持されており、投影光学系14を介して光学的にほぼ共役な位置(投影光学系14の物体面および像面)にそれぞれ配置される。投影光学系14は、所定の投影倍率(例えば1/2倍や1/4倍)を有し、マスク12に形成されたパターンをスリット光により基板上に投影する。以下では、スリット光を入射可能な領域を入射領域21と称する。

0014

マスクステージ13および基板ステージ16は、投影光学系14の光軸(スリット光の光軸)と垂直な方向(例えばY方向)に移動可能に構成されており、互いに同期しながら投影光学系14の投影倍率に応じた速度比で相対的に走査される。これにより、スリット光(入射領域21)に対して基板を走査しながら、マスク12のパターンを基板上のショット領域15aに転写することができる。そして、このような走査露光を、基板ステージ16をステップ移動させながら、基板15における複数のショット領域15aの各々について順次繰り返すことにより、1枚の基板15における露光処理を完了させることができる。

0015

第1検出部18は、例えばレーザ干渉計を含み、マスクステージ13の位置を検出する。第1検出部18に含まれるレーザ干渉計は、例えば、レーザ光をマスクステージ13に設けられた反射板13aに照射し、反射板13aで反射されたレーザ光によってマスクステージ13における基準位置からの変位を検出する。これにより、第1検出部18は、検出した変位に基づいてマスクステージ13の現在位置を取得することができる。

0016

また、第2検出部19は、例えばレーザ干渉計を含み、基板ステージ16の位置を検出する。第2検出部19に含まれるレーザ干渉計は、例えば、レーザ光を基板ステージ16に設けられた反射板16aに照射し、反射板16aで反射されたレーザ光によって基板ステージ16における基準位置からの変位を検出する。これにより、第2検出部19は、検出した変位に基づいて基板ステージ16の現在位置を取得することができる。そして、第1検出部18と第2検出部19とによってそれぞれ取得されたマスクステージ13と基板ステージ16との現在位置に基づいて、マスクステージ13と基板ステージ16とのXY方向における駆動が制御部20によって制御される。ここで、第1検出部18および第2検出部19は、レーザ干渉計を用いて、マスクステージ13の位置および基板ステージ16の位置をそれぞれ検出しているが、それに限られるものではなく、例えばエンコーダを用いてもよい。

0017

計測部17は、投影光学系14の結像面(フォーカス面)に基板15の表面(以下では単に基板15と称する)を一致させるため、基板ステージ16が移動している状態で基板の高さを計測する。第1実施形態の計測部17は、基板15に光を斜めから照射する斜入射型であり、光を基板15に照射する照射系17aと、基板15で反射された光を受光する受光系17bとを含みうる。

0018

照射系17aは、例えば、光源70と、コリメータレンズ71と、スリット部材72と、光学系73と、ミラー74とを含みうる。光源70は、例えばランプ発光ダイオードなどによって構成され、基板上のレジスト感光しない波長の光を射出する。コリメータレンズ71は、光源70から射出された光を、断面の光強度分布がほぼ均一となる平行光にする。スリット部材72は、互いの斜面が相対するように貼り合わせられた一対のプリズムによって構成されており、貼り合わせ面72aには、複数の開口(例えば9個のピンホール)が形成されたクロム等の遮光膜が設けられている。光学系73は、両側テレセントリック光学系であり、スリット部材72における複数の開口を通過した9本の光束を、ミラー74を介して基板上に入射させる。このとき、光学系73は、開口が形成されている面72aと基板面を含む面とがシャインプルーフの条件を満足するように構成されている。

0019

本実施形態において、ミラー74は、照射系17aから射出された各光束を基板に入射させる角度φ(光束と投影光学系14の光軸との間の角度)が例えば70度以上になるように構成されている。また、照射系17aは、図2に示すように、基板面と平行な方向(XY方向)において、スリット光の走査方向(Y方向)に対して角度θ(例えば22.5度)を成す方向から9本の高速を基板に入射させるように構成されている。このように9本の光束を基板15に入射させることにより、9つの計測点30において基板面の高さを個別に計測することができる。

0020

受光系17bは、例えば、ミラー75と、受光光学系76と、補正光学系77と、光電変換部78と、処理部79とを含みうる。ミラー75は、基板15で反射された9本の光束を受光光学系76に導く。受光光学系76は、両側テレセントリック光学系であり、9本の光束に対して共通に設けられたストッパ絞りを含む。そして、受光光学系76に含まれるストッパ絞りによって、基板上に形成された回路パターンに起因して発生する高次回折光ノイズ光)が遮断される。補正光学系77は、9本の光束に対応するように複数(9つ)のレンズを有しており、9本の光束を光電変換部78の受光面に結像して当該受光面にピンホール像をそれぞれ形成する。光電変換部78は、例えば、9本の光束に対応するように複数(9つ)の光電変換素子を含む。光電変換素子としては、CCDラインセンサなどが用いられうる。また、処理部79は、光電変換部78の受光面における各ピンホール像の位置の変化に基づいて、各計測点30での基板面の高さを算出する。

0021

このように照射系17aおよび受光系17bを構成することにより、計測部17は、光電変換部78の受光面における各ピンホール像の位置の変化に基づいて、各計測点30で基板15の高さを計測することができる。そして、制御部20は、基板15の高さが目標高さ(フォーカス面(目標値))になるように、計測部17による計測結果に基づいて基板ステージ16を制御することができる(基板15の高さを制御することができる)。ここで、受光系17bでは、基板上の各計測点30と光電変換部78の受光面とが互いに共役になるように倒れ補正が行われる。そのため、光電変換部78の受光面における各ピンホール像の位置が、各計測点30の局所的な傾きによっては変化しない。

0022

次に、基板上のショット領域15aの走査露光中における基板15の高さの計測について図3を参照しながら説明する。図3は、計測部17によって基板15の高さをそれぞれ計測する9つの計測点30と、スリット光を入射可能な入射領域21との位置関係を示す図である。図3において、入射領域21は、破線で囲まれた矩形上の領域である。計測点30a1〜30a3(計測点30a)は、計測部17の第1計測部により、入射領域21の内側において基板15の高さの計測を行う計測点30である。即ち、計測点30aでは、基板上に設定された複数の計測箇所40のうち入射領域21の内側に配置された計測箇所40の高さが、第1計測部によって計測される。計測箇所40とは、計測部17による高さの計測が行われるように設定された基板上の箇所のことである。

0023

また、計測点30b1〜30b3(計測点30b)および計測点30c1〜30c3(計測点30c)は、計測部17の第2計測部により、入射領域21の手前で基板15の高さの計測を行う計測点30である。即ち、計測点30bおよび計測点30cでは、入射領域21の内側において行われる第1計測部による計測点30aでの計測箇所40の高さの計測に先立って、計測箇所40の高さが第2計測部によって計測される。計測点30bおよび計測点30cは、例えば、第1計測部による計測が行われる計測点30aからスリット光の走査方向(±Y方向)に距離Lpだけ離れた位置にそれぞれ配置される。そして、計測点30bでの計測および計測点30cでの計測は、スリット光の走査方向、即ち基板15の移動方向に応じて切り換えられる。

0024

例えば、矢印Fの方向に基板15を移動させて走査露光を行う場合では、入射領域21の内側における計測点30aより先に計測点30bが基板上の計測箇所40に配置される。そのため、制御部20は、第2計測部による計測点30bでの計測結果に基づいて、第2計測部による計測が行われた計測箇所40に入射領域21が配置されたときの当該計測箇所40の高さが目標高さになるように基板15の高さを制御する。一方で、矢印Rの方向に基板15を移動させて走査露光を行う場合では、入射領域21の内側における計測点30aより先に計測点30cが基板上の計測箇所40に配置される。そのため、制御部20は、第2計測部による計測点30cでの計測結果に基づいて、第2計測部による計測が行われた計測箇所40に入射領域21が配置されたときの当該計測箇所40の高さが目標高さになるように基板15の高さを制御する。

0025

ここで、第2計測部による計測点30bまたは30cでの計測箇所40の高さの計測は、入射領域21の外側において行われる。そのため、第2計測部による計測箇所40の高さの計測結果に基づいて、入射領域21が配置された当該計測箇所40の高さが目標高さになるように基板15の高さを制御したとしても、制御誤差が生じうる。そのため、露光装置100は、入射領域21が配置された計測箇所40の高さを第1計測部によって計測し、第1計測部による計測結果と第2計測部による計測結果との差に基づいて制御誤差を補正している。このように第1計測部と第2計測部とを併用することにより、基板15の高さを精度よく制御することができる。

0026

[複数のショット領域15aに対する従来の走査露光について]
次に、基板上の複数のショット領域15aに対する従来の走査露光について図4を参照しながら説明する。図4(a)は、基板上の複数のショット領域15aに対して走査露光を行う場合における複数の計測点30の位置とスリット光(入射領域21)の基板上における走査経路21aとを示す図である。図4(a)には、走査露光が終了したショット領域15a1と、ショット領域15a1の次に走査露光が行われるショット領域15a2と、ショット領域15a2の次に走査露光が行われるショット領域15a3とが図示されている。ここでは、ショット領域15a2の走査露光を行う場合について説明する。また、図4(b)は、ショット領域15a2の走査露光を行う場合のY方向における基板ステージ16の移動速度と時刻との関係を示す図である。図4(b)における黒丸(●)は、第2計測部(計測点30b)による計測箇所40での計測タイミングを示している。

0027

まず、制御部20は、ショット領域15a1の走査露光が終了した後、即ち、入射領域21からショット領域15a1が抜け出した後、ショット領域15a2の走査露光を開始するために基板ステージ16をステップ移動させる。Y方向については、図4(b)に示すように、時刻t1から時刻t2までの期間において基板ステージ16を減速させ、時刻t2から時刻t3までの期間において基板ステージ16を加速させる。そして、時刻t3において、基板ステージ16の等速移動が開始されるとともに、第2計測部(計測点30b)によるショット領域15a2の計測箇所40での計測が開始される。

0028

図4(b)における時刻t4では、入射領域21にショット領域15a2が差し掛かり、スリット光によるショット領域15a2の走査露光が開始される。そして、時刻t4から時刻t5までの期間において、ショット領域15a2の走査露光が行われる。このとき、制御部20は、第2計測部(計測点30b)によって計測されたショット領域15a2の各計測箇所40の高さに基づいて、入射領域21に配置された各計測箇所40の高さが目標高さになるように基板15の高さを制御する。

0029

例えば、ショット領域15a2の計測箇所40a(40a1〜40a3)が計測点30bに配置されたとき、制御部20は、第2計測部に計測箇所40aの高さを計測させる。また、計測箇所40b(40b1〜40b3)が計測点30bに配置されたとき、制御部20は、第2計測部に計測箇所40bの高さを計測させる。そして、制御部20は、計測箇所40aが入射領域21に配置されるまでに計測箇所40aの高さが目標高さになるように、第2計測部による計測箇所40aの計測結果に基づいて基板15の高さを制御する。次いで、制御部20は、計測箇所40bが入射領域21に配置されるまでに計測箇所40bの高さが目標高さになるように、第2計測部による計測箇所40bの計測結果に基づいて基板15の高さを制御する。

0030

露光装置100では、スループットを向上させるため、例えばショット領域15a1の走査露光が終了してからショット領域15a2の走査露光を開始するまでに要する時間を短くすることが好ましい。即ち、基板ステージ16のステップ移動に要する時間を短くすることが好ましい。基板ステージ16のステップ移動に要する時間を短くする方法としては、例えば、図5に示すように、走査露光を開始するショット領域15a2の端部側に配置された幾つかの計測箇所40において第2計測部(計測点30b)による計測を省略する方法がある。図5(a)は、ショット領域15a2の端部側に配置された計測箇所40aの第2計測部による計測を省略したときのスリット光の基板上における走査経路21bを示す図である。図5(b)は、ショット領域15a2の走査露光を行う場合のY方向における基板ステージ16の移動速度と時刻との関係を示す図である。このように幾つかの計測箇所40において第2計測部による計測を省略することにより、第2計測部による計測を開始してからショット領域15a2の走査露光を開始するまでの間の期間(時刻t3から時刻t4までの期間)を短くすることができる。即ち、基板ステージ16のステップ移動に係るスリット光の走査経路21b(基板ステージ16の移動距離)を短くし、基板ステージ16のステップ移動に要する時間を短くすることができる。

0031

[本実施形態における走査露光について]
走査露光を開始するショット領域15a2の端部側に配置された幾つかの計測箇所40において第2計測部による計測を省略する方法では、第2計測部による計測が行われない区間(第1区間)がショット領域15a2に生じることとなる。図5(a)では、計測箇所40aにおいて第2計測部による計測が省略されており、走査露光を開始する端部と計測箇所40bとの間の区間Lsが、第2計測部による計測が行われない第1区間に相当する。したがって、この第1区間では、第2計測部による計測結果に基づいた基板15の高さの制御が行われないため、入射領域21において基板15の高さを目標高さにすることが困難になりうる。そこで、本実施形態の露光装置100は、第1区間の走査露光中における基板15の高さを、ショット領域15a2の外側領域で第1計測部が計測した計測結果に基づいて制御する。また、本実施形態の露光装置100は、第1区間より後に走査露光が行われるショット領域15a2の第2区間では、第2区間の走査露光中における基板15の高さを、各計測箇所40で第2計測部が計測した計測結果に基づいて制御する。

0032

次に、第1区間の走査露光中における基板15の高さを、ショット領域15a2の外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて制御する方法について、図6を参照しながら説明する。図6(a)は、基板上の複数のショット領域15aに対して走査露光を行う場合の計測部17による計測箇所40での計測を説明するための図である。図6(b)は、ショット領域15a2の走査露光を行う場合のY方向における基板ステージ16の移動速度と時刻との関係を示す図である。

0033

制御部20は、例えば、ショット領域15a2の走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに基板15を移動させている期間(基板ステージ16をステップ移動させる期間)において、第1計測部(計測点30a)に外側領域での計測を行わせる。このとき、制御部20は、図6(b)に示すように、基板が等速での移動を開始した後(時刻t3以降)において、第1計測部に計測を行わせることが好ましい。このように基板を等速で移動させている状態では、第2計測部に計測を行わせるよりも第1計測部に計測を行わせた方が、走査露光を開始するショット領域15a2の端部に近い箇所での計測結果を得ることができる。図6(a)においては、基板15が等速での移動を開始した時刻t3に、外側領域の計測箇所50a(50a1〜50a3)において第1計測部による計測が行われている。このように第1計測部による計測が行われる外側領域の計測箇所50aは、第1区間における基板15の高さの制御に反映させるため、走査露光を開始するショット領域15a2の端部にできるだけ近い方が好ましい。そして、制御部20は、第1区間の走査露光中における基板の高さを、外側領域の計測箇所50aでの第1計測部による計測結果に基づいて制御する。これにより、第2計測部による計測結果に基づいた基板の高さの制御が行われない第1区間の走査露光中においても、基板15の高さを精度よく制御することができる。

0034

上述したように、第1実施形態の露光装置100は、第2計測部による基板の高さの計測が行われない第1区間の走査露光中において、ショット領域15a2の外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて基板15の高さを制御する。これにより、第1区間の走査露光中においても、基板15の高さを精度よく制御してフォーカス精度を向上させることができる。つまり、第1実施形態の露光装置100は、ショット領域15a2の計測箇所を省略することによってスループットを向上させるとともに、第1区間におけるフォーカス精度も向上させることができる。

0035

<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態の露光装置について説明する。第1実施形態の露光装置100は、基板ステージ16のステップ移動の間において、ショット領域15a2の外側領域で第1計測部に基板の高さを計測させ、その計測結果に基づいて、第1区間の走査露光中における基板15の高さを制御した。それに対し、第2実施形態の露光装置は、ショット領域15a2の外側領域の走査露光中に得られた当該外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて、第1区間の走査露光中における基板15の高さを制御する。第2実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置100と装置構成が同様であるため、ここでは装置構成の説明を省略する。

0036

図7は、ショット領域15a2の走査露光を行う場合における複数の計測点30の位置とスリット光(入射領域21)の基板上における走査経路21bとを示す図である。図7には、ショット領域15a1〜15a9が図示されている。ショット領域15a2は、走査露光をこれから行う対象のショット領域15aである。ショット領域15a1、15a4、15a5、15a7は、ショット領域15a2より前に既に走査露光が行われたショット領域15aである。また、ショット領域15a3、15a6、15a8、15a9は、ショット領域15a2の後に走査露光が行われるショット領域15aである。ここで、図7では、図をわかり易くするため、計測点30cの図示を省略している
制御部20は、ショット領域15a2の走査露光を開始する前において、ショット領域15a2の外側領域(例えばショット領域15a5)の走査露光中に得られた当該外側領域での第1計測部による計測結果を取得する。例えば、外側領域(ショット領域15a5)が、第1計測部(計測点30a)による計測が行われた複数の計測箇所60を有している場合を想定する。この場合では、制御部20は、複数の計測箇所60のうち、走査露光を開始するショット領域15a2の端部に最も近い計測箇所60aについての第1計測部による計測結果を取得するとよい。当該端部に近い計測箇所の方が、第1区間における基板15の高さに対する誤差が小さくなるからである。そして、制御部20は、第1区間の走査露光中における基板15の高さを、取得した外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて制御する。これにより、第2計測部による計測結果に基づいて基板15の高さの制御が行われない第1区間の走査露光中においても、基板15の高さを精度よく制御することができる。

0037

ここで、制御部20は、走査露光を開始するショット領域15a2の端部側において当該ショット領域15a2と隣り合うショット領域(外側領域)の走査露光が行われているか否かに応じて、第1区間における基板15の高さの制御方法切り替えてもよい。例えば、外側領域の走査露光が行われていない場合には、制御部20は、第1実施形態のように、基板ステージのステップ移動の間に得られた外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて、第1区間の走査露光中における基板15の高さを制御するとよい。一方で、外側領域の走査露光が既に行われている場合には、制御部20は、外側領域の走査露光中に得られた当該外側領域での第1計測部による計測結果を取得し、その計測結果に基づいて、第1区間の走査露光中における基板15の高さを制御するとよい。

0038

<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイス微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化成膜蒸着ドーピング平坦化、エッチングレジスト剥離ダイシングボンディングパッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。

0039

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

0040

11:照明光学系、12:マスク、13:マスクステージ、14:投影光学系、15:基板、16:基板ステージ、17:計測部、20:制御部、100:露光装置

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