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技術 変形照明用アパーチャおよび露光装置

出願人 大日本印刷株式会社
発明者 西口正治
出願日 2015年4月15日 (4年5ヶ月経過) 出願番号 2015-083529
公開日 2016年12月8日 (2年9ヶ月経過) 公開番号 2016-206234
状態 特許登録済
技術分野 ホトレジスト感材への露光・位置合せ 顕微鏡、コンデンサー
主要キーワード 故障リスク 平面格子状 ディザリング法 耐腐蝕 周辺ピクセル 平面矩形 照明情報 酸化クロム層
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2016年12月8日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (7)

課題

従来の露光装置に容易に適用することが可能な、変形照明アパーチャおよび露光装置を提供する。

解決手段

グレートーン照明光を形成する変形照明用アパーチャ20は、透光性基板21と、透光性基板21上に平面方向に配置された複数のピクセル25を備えている。各ピクセル25にそれぞれ遮光性をもつ所望数のドット22が配置されている。この所望数のドット22によって各ピクセル25毎の光の透過率が定められている。

概要

背景

半導体素子等の回路パターン形成には、一般にフォトリソグラフィ技術と呼ばれる工程が必要である。この工程には通常、フォトマスクレチクルとも称する。以後、単にマスクと記す。)パターン半導体ウェーハ等の被露光基板上に転写する方法が採用される。被露光基板上には感光性のフォトレジストが塗布されており、マスクパターンパターン形状に応じて、フォトレジストに回路パターンが転写される。そして、投影露光装置では、マスク上に描画された転写すべき回路パターンの像が、投影光学系を介して被露光基板(ウェーハ)上に投影露光される。

フォトリソグラフィ技術においては、投影露光装置で転写できる最小の寸法(解像度)は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数(NA)に反比例するため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い、露光光短波長化及び投影光学系の高NA化が進んでいるが、短波長化及び高NA化だけでこの要求を満足するには限界となっている。

そこで解像度を上げるために、プロセス定数k1(k1=解像線幅×投影光学系の開口数/露光光の波長)の値を小さくすることによって微細化を図る超解像技術が近年提案されている。このような超解像技術として、露光光学系の特性に応じてマスクパターンに補助パターンや線幅オフセットを与えてマスクパターンを最適化する方法、あるいは変形照明法(斜入射照明法、多重極照明法とも称する。)と呼ばれる方法等がある。変形照明法には、通常、瞳フィルタを用いた輪帯照明、二重極二極、またはダイポールとも称する。)照明及び四重極四極、またはクォードラポールとも称する。)照明等が用いられている。

従来の変形照明法においては、照明している箇所と遮光している箇所とのバイナリの照明を用いることが主流となっている。これに対して、より解像度を上げるためにグレートーンの照明を用いる技術の開発が進められている。例えば、グレートーンの照明を実現する手段としてマイクロミラーを用いた露光装置が知られている(例えば特許文献1参照)。

概要

従来の露光装置に容易に適用することが可能な、変形照明用アパーチャおよび露光装置を提供する。グレートーン照明光を形成する変形照明用アパーチャ20は、透光性基板21と、透光性基板21上に平面方向に配置された複数のピクセル25を備えている。各ピクセル25にそれぞれ遮光性をもつ所望数のドット22が配置されている。この所望数のドット22によって各ピクセル25毎の光の透過率が定められている。

目的

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、従来の露光装置に容易に適用することが可能な、変形照明用アパーチャおよび露光装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

グレートーン照明光を形成する変形照明アパーチャであって、透光性基板と、前記透光性基板上に平面方向に配置された複数のピクセルとを備え、各ピクセルにそれぞれ遮光性をもつ所望数のドットが配置され、前記所望数のドットによって各ピクセル毎の光の透過率が定められることを特徴とする変形照明用アパーチャ。

請求項2

前記複数のピクセルは、格子状に配置されていることを特徴とする請求項1記載の変形照明用アパーチャ。

請求項3

各ピクセルに配置される前記ドットの数は、各ピクセルの前記光の透過率と、各ピクセルに設定された階調数とに基づいて定められていることを特徴とする請求項1又は2記載の変形照明用アパーチャ。

請求項4

前記階調数は、全てのピクセルについて一定値となっていることを特徴とする請求項3記載の変形照明用アパーチャ。

請求項5

各ピクセルには、ベイヤー法、渦巻き法、又は網点法に従って前記所望数のドットが配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の変形照明用アパーチャ。

請求項6

各ドットは、それぞれ前記透光性基板上に形成された第1の遮光膜と、前記第1の遮光膜上に形成された第2の遮光膜とを有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の変形照明用アパーチャ。

請求項7

請求項1乃至6のいずれか一項記載の変形照明用アパーチャを備えたことを特徴とする露光装置

技術分野

0001

本発明は、変形照明アパーチャ、およびこのような変形照明用アパーチャを備えた露光装置に関する。

背景技術

0002

半導体素子等の回路パターン形成には、一般にフォトリソグラフィ技術と呼ばれる工程が必要である。この工程には通常、フォトマスクレチクルとも称する。以後、単にマスクと記す。)パターン半導体ウェーハ等の被露光基板上に転写する方法が採用される。被露光基板上には感光性のフォトレジストが塗布されており、マスクパターンパターン形状に応じて、フォトレジストに回路パターンが転写される。そして、投影露光装置では、マスク上に描画された転写すべき回路パターンの像が、投影光学系を介して被露光基板(ウェーハ)上に投影露光される。

0003

フォトリソグラフィ技術においては、投影露光装置で転写できる最小の寸法(解像度)は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数(NA)に反比例するため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い、露光光短波長化及び投影光学系の高NA化が進んでいるが、短波長化及び高NA化だけでこの要求を満足するには限界となっている。

0004

そこで解像度を上げるために、プロセス定数k1(k1=解像線幅×投影光学系の開口数/露光光の波長)の値を小さくすることによって微細化を図る超解像技術が近年提案されている。このような超解像技術として、露光光学系の特性に応じてマスクパターンに補助パターンや線幅オフセットを与えてマスクパターンを最適化する方法、あるいは変形照明法(斜入射照明法、多重極照明法とも称する。)と呼ばれる方法等がある。変形照明法には、通常、瞳フィルタを用いた輪帯照明、二重極二極、またはダイポールとも称する。)照明及び四重極四極、またはクォードラポールとも称する。)照明等が用いられている。

0005

従来の変形照明法においては、照明している箇所と遮光している箇所とのバイナリの照明を用いることが主流となっている。これに対して、より解像度を上げるためにグレートーンの照明を用いる技術の開発が進められている。例えば、グレートーンの照明を実現する手段としてマイクロミラーを用いた露光装置が知られている(例えば特許文献1参照)。

先行技術

0006

特表2010−535407号公報

発明が解決しようとする課題

0007

しかしながら、マイクロミラーは、従来の露光装置にそのまま適用することができない。このため、新規にマイクロミラーを含む露光装置を導入する必要がある。しかしながら、このようなマイクロミラーを用いた露光装置は高価であるという問題がある。また、マイクロミラーを用いた露光装置には、機械的にマイクロミラーを動かす機構が設けられているため、故障が生じやすいという問題もある。

0008

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、従来の露光装置に容易に適用することが可能な、変形照明用アパーチャおよび露光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0009

本発明は、グレートーン照明光を形成する変形照明用アパーチャであって、透光性基板と、前記透光性基板上に平面方向に配置された複数のピクセルとを備え、各ピクセルにそれぞれ遮光性をもつ所望数のドットが配置され、前記所望数のドットによって各ピクセル毎の光の透過率が定められることを特徴とする変形照明用アパーチャである。

0010

本発明は、前記複数のピクセルは、格子状に配置されていることを特徴とする変形照明用アパーチャである。

0011

本発明は、各ピクセルに配置される前記ドットの数は、各ピクセルの前記光の透過率と、各ピクセルに設定された階調数とに基づいて定められていることを特徴とする変形照明用アパーチャである。

0012

本発明は、前記階調数は、全てのピクセルについて一定値となっていることを特徴とする変形照明用アパーチャである。

0013

本発明は、各ピクセルには、ベイヤー法、渦巻き法、又は網点法に従って前記所望数のドットが配置されていることを特徴とする変形照明用アパーチャである。

0014

本発明は、各ドットは、それぞれ前記透光性基板上に形成された第1の遮光膜と、前記第1の遮光膜上に形成された第2の遮光膜とを有することを特徴とする変形照明用アパーチャである。

0015

本発明は、前記変形照明用アパーチャを備えたことを特徴とする露光装置である。

発明の効果

0016

本発明によれば、各ピクセルにそれぞれ遮光性をもつ所望数のドットが配置され、これら所望数のドットによって各ピクセル毎の光の透過率が定められている。このため、マイクロミラー等の機構を用いることないので、グレートーン照明光を形成する変形照明用アパーチャを、従来の露光装置に対して容易に適用することができる。

図面の簡単な説明

0017

図1は、本発明の一実施の形態による露光装置を示す概略図。
図2は、本発明の一実施の形態による変形照明用アパーチャを示す断面図。
図3は、ベイヤー法に従ってピクセル内に所望数のドットを配置する場合におけるドットの配置順を示す図。
図4は、渦巻き法に従ってピクセル内に所望数のドットを配置する場合におけるドットの配置順を示す図。
図5は、網点法に従ってピクセル内に所望数のドットを配置する場合におけるドットの配置順を示す図。
図6(a)〜(e)は、本発明の一実施の形態による変形照明用アパーチャの製造方法を示す断面図。

実施例

0018

以下、本発明の一実施の形態について、図1乃至図6を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

0019

露光装置の構成
まず、図1により、本実施の形態による露光装置の概略について説明する。図1は、本実施の形態による露光装置を示す概略図である。

0020

図1に示すように、露光装置10は、露光光の光路に沿って順次配列された、光源11と、リレー光学系12と、フライアイレンズ13と、変形照明用アパーチャ20と、コンデンサー光学系14と、投影光学系16とを備えている。また、コンデンサー光学系14と投影光学系16との間には、フォトマスク15が配置されている。また、符号17は、投影光学系16に設けられた開口絞りである。

0021

このうち光源11は、露光光(照明光)を供給するものである。光源11としては、たとえば193nmの波長の光を供給するArFエキシマレーザ光源や248nmの波長の光を供給するKrFエキシマレーザ光源などを用いることができる。

0022

リレー光学系12は、フライアイレンズ13の入射面に、例えば光軸を中心とした所定形状の光強度分布を形成する。光源11から射出された光は、リレー光学系12を介して、フライアイレンズ13に入射する。

0023

フライアイレンズ13は、リレー光学系12からの光を均一に集光して照度むらをなくすためのものである。フライアイレンズ13は、たとえば縦横に且つ稠密に配列された多数の正屈折力を有する微小レンズからなる光学素子であり、平行平面板エッチング処理を施して微小レンズ群を形成することによって構成されている。

0024

フライアイレンズ13に入射した光束は、多数の微小レンズにより二次元的に分割され、その後側焦点面またはその近傍の照明瞳には、入射光束によって形成される照野とほぼ同じ光強度分布を有する二次光源が形成される。フライアイレンズ13の後側焦点面またはその近傍に形成された二次光源からの光束は、その近傍に配置された変形照明用アパーチャ(開口絞り)20に入射する。

0025

変形照明用アパーチャ20は、グレートーン照明光を形成するものであり、後述するように平面方向に配置された複数のピクセル25を備えている。変形照明用アパーチャ20は、投影光学系16の結像瞳面(開口絞り17)と光学的にほぼ共役な位置に配置され、二次光源の照明に寄与する範囲を規定する。なお、変形照明用アパーチャ20の詳細な構成については後述する。

0026

変形照明用アパーチャ20により制限された二次光源からの光は、コンデンサー光学系14を介して、フォトマスク15を重畳的に照明する。

0027

このフォトマスク15には転写すべきパターンが形成されている。また、ウェハ感光性基板)Wは、図示しないウェハステージ上に保持されており、ウェハW上には、転写されるレジスト膜が形成されている。フォトマスク15のパターン領域を透過した光は、投影光学系16を介して、ウェハWに到達し、ウェハW上にマスクパターンの像を形成する。

0028

こうして、いわゆるステップアンドスキャン方式にしたがって、投影光学系16の光軸と直交する平面内において、走査方向に沿ってフォトマスク15とウェハWとを同期的に移動(走査)させることにより、所望のマスクパターンが走査露光される。

0029

なお、上述した露光装置10において、変形照明用アパーチャ20以外の要素は、従来の露光装置10の要素をそのまま用いることができる。

0030

変形照明用アパーチャの構成
次に、図2により、本実施の形態による変形照明用アパーチャについて説明する。図2は、本実施の形態による変形照明用アパーチャを示す断面図である。

0031

図2に示すように、変形照明用アパーチャ20は、平板状の透光性基板21と、透光性基板21上に平面方向に沿って配置された複数のピクセル25とを備えている。

0032

このうち透光性基板21は、例えば合成石英(SiO2)等の透明な材料からなっている。透光性基板21の厚みは、例えば2.0mm〜10.0mmとしても良い。

0033

また、各ピクセル25にそれぞれ遮光性をもつ所望数のドット22が配置され、この所望数のドット22によって各ピクセル25毎の光の透過率が定められている。各ピクセル25の光の透過率は、0%〜100%のいずれかであり、ピクセル25毎にそれぞれ独立した一の値に設定されている。

0034

各ピクセル25には、それぞれ階調数が設定されている。階調数は、各ピクセル25に収容可能なドット22の数の上限であり、例えば16(4×4マス)〜1024(32×32マス)としても良い。具体的には、階調数が256の場合、各ピクセル25に含まれるドット22の数(上記所望数)は、0〜256のいずれかの値(自然数)となる。また、各ピクセル25に配置されるドット22の数は、各ピクセル25の光の透過率と、当該ピクセル25に設定された階調数とに基づいて定められる。例えば、あるピクセル25の階調数が256であり、当該ピクセル25に設定された光の透過率が50%である場合、このピクセル25に配置されるドット22の数は、256×50%=128個となる。

0035

なお、階調数は、全てのピクセル25について一定値とすることが好ましい。この場合、後述するようにグレートーン照明情報を用いてピクセル25に対してドット22を配置する作業を容易に実行することができる。

0036

このように各ピクセル25に含まれるドット22の数によって階調数が設定されている。このため、ドット22の数や大きさを適宜調整することによって階調数を増加することができ、光の透過率を0%〜100%の間で自在に設定することが可能となる。

0037

この場合、各ピクセル25は互いに同一の平面矩形形状(正方形形状)をもち、例えば平面格子状に配置されている。すなわちピクセル25は、変形照明用アパーチャ20を面内で等形状に分割したものである。この場合、変形照明用アパーチャ20に含まれるピクセル25の数は、例えば500個〜50000個としても良い。また各ピクセル25の一辺の長さは、例えば3μm〜400μmとしても良い。一般に、フォトマスク15から得られるグレートーン照明情報(後述)は格子状のピクセルで与えられる。このため、複数のピクセル25を格子状に配置することにより、グレートーン照明情報からドット22の配置関係へ変換する作業を容易に行うことができる。なお、複数のピクセル25は、格子状の配置に限らず、極座標によって規定された区画に基づいて配置されても良い。

0038

各ピクセル25内に配置された複数のドット22は、互いに同一の平面矩形形状をもち、各ピクセル25内で平面格子状に配置されている。なお各ドット22の一辺の長さは、例えば0.2μm〜20μmとしても良い。

0039

図2に示すように、各ドット22は、それぞれ透光性基板21上に形成された第1の遮光膜23と、第1の遮光膜23上に形成された第2の遮光膜24とを有している。第1の遮光膜23は、例えばクロム(Cr)、タンタル(Ta)等の金属元素薄膜からなる。また第2の遮光膜24は、反射防止用に設けられており、第1の遮光膜23とは異なる材料からなる。この第2の遮光膜24は、第1の遮光膜23より薄肉の、例えば酸化クロム酸化タンタル等、上記金属元素の窒化物酸化物、または酸化窒化物からなっていても良い。なお、複数のドット22の厚み(第1の遮光膜23と第2の遮光膜24との合計厚み)は全て互いに同一であり、例えば0.010μm〜0.5μmである。

0040

このように本実施の形態によれば、変形照明用アパーチャ20は、透光性基板21と、透光性基板21上に平面方向に配置された複数のピクセル25とを備え、各ピクセル25に配置されたドット22によってグレートーン照明を実現している。すなわちドット22が全く設けられていないピクセル25は光を透過させる透過部となり、ドット22によって完全に覆われているピクセル25は光を遮光する遮光部となる。さらに、ドット22によって一部が覆われているピクセル25は、光の一部を低減させて透過させるグレートーン部となる。

0041

変形照明用アパーチャの作製方法
次に、このような変形照明用アパーチャ20を作製する方法について説明する。

0042

まず、グレートーン照明情報を得る。このグレートーン照明情報は、各変形照明用アパーチャ20に対して要求される透過光分布に関する情報である。具体的には、グレートーン照明情報は、フォトマスク15の形状に基づいて、計算によって算出することができる。すなわち、グレートーン照明情報は、フォトマスク15毎に固有の情報となる。

0043

次に、グレートーン照明情報に基づき、各ピクセル25のドット22の数をピクセル25毎に設定する。グレートーン照明情報には、各ピクセル25に求められる透過率(0%〜100%)の情報が含まれている。また、各ピクセル25の階調数は、ピクセル25およびドット22の大きさや数等に基づいて、適宜設定することができる。なお、上述したように、階調数は全てのピクセル25について一定値とすることが好ましい。この場合、各ピクセル25に含まれるドット22の数は、例えば各ピクセル25の光の透過率と、各ピクセル25の階調数とを乗じることによって求められる。

0044

なお、グレートーン照明情報に基づいて計算によって算出したピクセル25の透過率が、実際に作製される変形照明用アパーチャ20のピクセル25の透過率と若干相違することも考えられる。例えば実際のピクセル25の透過率は、当該ピクセル25の周辺のピクセル25の透過率(明暗)によって影響を受けることも考えられる。このため、予め経験則に基づいて作成しておいた補正式に基づき、周辺ピクセル25の透過率(明暗)に応じて当該ピクセル25の透過率を補正するようにしても良い。

0045

このようにして、各ピクセル25に配置するドット22の数を決定した後、それぞれのピクセル25について、所定の規則に従ってドット22を配置する。この場合、以下に説明するように、例えばベイヤー法、渦巻き法、又は網点法等のディザリング法に基づいて各ピクセル25にドット22を配置しても良い。

0046

図3は、各ピクセル25の階調数が16(4×4マス)である場合に、ベイヤー法に従って、ピクセル25内に所望数のドット22を配置する方法を示している。ここでベイヤー法とは、たすき型の順序に従ってピクセル25内でドット22を配置する手法である(ドット分散型)。図3において、ドット22は、ピクセル25に含まれる16マス内で1番のマス(透過率0%)から16番のマス(透過率100%)まで順番に配置される。例えば、ピクセル25の光の透過率が50%である場合、ドット22は、1番のマスから8番のマスまで配置される(図3斜線部参照)。これにより、当該ピクセル25の50%の領域が遮光される。なお、上記と逆に、16番のマス(透過率0%)から1番のマス(透過率100%)まで順番にドット22が配置されるようにしても良い。このようにベイヤー法を用いることにより、各ピクセル25内にドット22を均一に配置することができ、光の透過率を各ピクセル25の内部で略均一にすることができる。

0047

図4は、図3と同様に、渦巻き法に従って、各ピクセル25内に所望数のドット22を配置する方法を示している。ここで渦巻き法は、ピクセル25の中心部分から渦巻き状になるように、ドット22を手法である(ドット集中型)。例えば、ピクセル25の光の透過率が50%である場合、ドット22は、1番のマスから8番のマスまで配置される(図4の斜線部参照)。このように渦巻き法を用いることにより、各ピクセル25の中心部分(又は周縁部分)に集中的にドット22を配置することができ、各ピクセル25の中心部分(又は周縁部分)における光の透過率を高めることができる。

0048

図5は、図3と同様に、網点法に従って、各ピクセル25内に所望数のドット22を配置する方法を示している。網点法は、ベイヤー法と類似するが、ドット22同士が隣接する箇所が多くなるため、ベイヤー法と比較してドット22が固まって存在する部分が多くなる(ドット分散型とドット集中型の中間)。例えば、ピクセル25の光の透過率が50%である場合、ドット22は、1番のマスから8番のマスまで配置される(図5の斜線部参照)。このように網点法を用いることにより、各ピクセル25の中心部分(又は周縁部分)における光の透過率を高めることができる一方、渦巻き法を用いる場合と比較して、光の透過率は各ピクセル25の内部で相対的に均一にすることができる。

0049

このような作業を全てのピクセル25に対して行うことにより、全てのピクセル25におけるドット22の配置パターンが決定する。続いて、このようにして決定された全てのピクセル25内のドット22のパターンに基づき、変形照明用アパーチャ20を作製する。

0050

続いて、図6(a)〜(e)を参照して変形照明用アパーチャ20の製造方法について説明する。

0051

この場合、まず透光性基板21を準備し、透光性基板21上に、第1の遮光膜23を構成する第1の金属層(例えばクロム層)23aと、第2の遮光膜24を構成する第2の金属層(例えば酸化クロム層)24aとを順次成膜する(図6(a))。

0052

次に、透光性基板21の第2の金属層24a上にレジスト31を塗布する(図6(b))。次いで、例えば電子線描画法によりマスク描画を行う。このとき、レジスト31のうち、ドット22が不要な領域に対応する部分が除去される(図6(c))。

0053

次に、レジスト31を耐腐蝕膜として第1の金属層23aおよび第2の金属層24aに対してドライエッチングを行う。これにより、ドット22が不要な領域に対応する第1の金属層23aおよび第2の金属層24aの一部分がそれぞれ除去される。このようにして、それぞれ第1の遮光膜23と第2の遮光膜24とを有する複数のドット22が形成される(図6(d))。

0054

その後、ドット22上のレジストを除去することにより、上述した変形照明用アパーチャ20が得られる(図6(e))。

0055

このように本実施の形態においては、変形照明用アパーチャ20を製造する際、複数のドットで多階調の透過率を実現でき、例えば、遮光膜や半透明膜の材料の厚みを変えて多階調の透過率を実現することにより、格段に製造プロセスが容易となる。これにより、変形照明用アパーチャ20の製造コストを低減でき、実現できる階層数も格段に多くすることができる。

0056

本実施の形態の作用
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。

0057

まず図1に示すように、露光装置10の光源11から露光光が照射される。この露光光はリレー光学系12を通過してフライアイレンズ13に入射する。続いて、フライアイレンズ13を通過した光は、変形照明用アパーチャ20により絞りが入れられ、コンデンサー光学系14で集光される。この間、フライアイレンズ13からの光は、変形照明用アパーチャ20によって強度分布が所望の形状に整えられる。

0058

その後、コンデンサー光学系14を通過した光は、所望の転写パターンが形成されたフォトマスク15および投影光学系16を順次通過して、フォトマスク15の転写パターンをウェハWに投影される。

0059

本実施の形態において、変形照明用アパーチャ20の各ピクセル25の光の透過率は、フォトマスク15の転写パターンに応じて適切に調整されている。このため、変形照明用アパーチャ20を通過した光の強度分布は、フォトマスク15に対して最適化されている。これにより、フォトマスク15を介してウェハWを露光した際、ウェハW上で良好な解像特性を得ることができる。

0060

とりわけ、本実施の形態による変形照明用アパーチャ20によれば、透光性基板21上に平面方向に配置された複数のピクセル25のそれぞれに遮光性をもつ所望数のドット22が配置され、これら所望数のドット22によって各ピクセル25毎の光の透過率が定められている。すなわち、印刷の網点技術を利用して、ドット22の数によってピクセル25に濃淡を付与し、グレートーン照明を実現している。このため、例えば階層マスク(複数の階層を有し、階層数によって光透過率を異ならせたマスク)と比較して、変形照明用アパーチャ20の設計や製作を容易なものとすることができる。

0061

また、本実施の形態による変形照明用アパーチャ20は、従来の露光装置10内でそのまま用いることができる。このため、新規に露光装置を導入する必要がなく、露光装置を準備するコストを抑えることができる。また、本実施の形態による露光装置10によれば、マイクロミラーを含む露光装置と比較して、グレートーン照明光を形成するためにマイクロミラーを動かす機構等、機械動作部を設ける必要がない。このため、露光装置10の故障リスクを低減することができる。

0062

なお、上記において、変形照明用アパーチャ20は、露光装置10において用いられる場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、変形照明用アパーチャ20は、例えば転写シミュレーション装置において用いられても良い。

0063

10露光装置
11光源
12リレー光学系
13フライアイレンズ
14コンデンサー光学系
15フォトマスク
16投影光学系
20変形照明用アパーチャ
21透光性基板
22ドット
23 第1の遮光膜
24 第2の遮光膜
25 ピクセル

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    【課題・解決手段】細胞培養時の確認作業の煩わしさを低減する。インキュベータ内に配置され、培養容器内のサンプルを観察する観察装置と、インキュベータ外に配置され、該観察装置と情報の授受をするステーションサ... 詳細

  • 株式会社ニコンの「 蛍光観察装置」が 公開されました。( 2019/07/18)

    【課題・解決手段】蛍光観察装置は、観察対象物の蛍光を励起するポンプ光を周波数f1で強度変調する第1の強度変調部と、観察対象物の誘導放出を誘起するプローブ光を前記周波数f1とは異なる周波数f2で強度変調... 詳細

  • オリンパス株式会社の「 細胞状態計測装置」が 公開されました。( 2019/07/18)

    【課題・解決手段】本発明の細胞状態計測装置(100)は、容器内の培養面上で培養される細胞からの光を検出する直線状のラインセンサ(21)を有し、1ライン分のプレ画像を取得し、その後、ラインセンサ(21)... 詳細

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